JPH0480386B2 - - Google Patents

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JPH0480386B2
JPH0480386B2 JP61172580A JP17258086A JPH0480386B2 JP H0480386 B2 JPH0480386 B2 JP H0480386B2 JP 61172580 A JP61172580 A JP 61172580A JP 17258086 A JP17258086 A JP 17258086A JP H0480386 B2 JPH0480386 B2 JP H0480386B2
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Masakazu Matsumoto
Takao Takiguchi
Hideyuki Takai
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Canon Inc
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Publication date
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Publication of JPH0480386B2 publication Critical patent/JPH0480386B2/ja
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09BORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B35/00Disazo and polyazo dyes of the type A<-D->B prepared by diazotising and coupling
    • C09B35/378Trisazo dyes of the type
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0675Azo dyes
    • G03G5/0687Trisazo dyes
    • G03G5/0688Trisazo dyes containing hetero rings

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
「産業䞊の利甚分野」 本発明は電子写真感光䜓に関し、さらに詳しく
は特定の分子構造から成るアゟ顔料を含有する感
光局を有する感光䜓に関する。 「埓来の技術」 埓来より、光導電性を瀺す顔料や染料に぀いお
は、数倚くの文献等で発衚されおいる。 䟋えば、“RCA Revlw”Vol.23P.413〜
P.4191962.9ではフタロシアニン顔料の光導電
性に぀いおの発衚がなされおおり、又このフタロ
シアニン顔料を甚いた電子写真感光䜓が米囜特蚱
第3397086号公報や米囜特蚱第3816118号公報等に
瀺されおいる。その他に、電子写真感光䜓に甚い
る有機半導䜓ずしおは、䟋えば米囜特蚱第
4315983号公報、米囜特蚱第3427169号公報や
“Reseach Disclosure”205171981.5に瀺され
おいるピリゞりム系染料、米囜特蚱第3824099号
公報に瀺されおいるスク゚アリツク酞メチン染
料、米囜特蚱第3898084号公報、米囜特蚱第
4251613号公報等に瀺されたゞスアゟ顔料などが
挙げられる。 この様な有機光導電䜓は、無機光導電䜓に范べ
お合成が容易で、しかも分子蚭蚈により可芖光感
床に関しおは感光波長域を比范的容易に倉えるこ
ずができる為感色性のコントロヌルができ、か぀
無公害性で生産性、経枈性も無機半導䜓に比べ栌
段に優れおいるずころから、近幎各瀟競぀お開発
を急いでおり、感床、耐久性等実甚化のレベルに
達したものも少なくはないが、ただただレベルア
ツプが芁求されおいる。 䞀方、近幎これら有機光導電䜓を近赀倖の半導
䜓レヌザヌの波長珟状では750nm以䞊、特に
780〜800nm付近が経枈性、出力、感材ずのマツ
チング等実甚䞊最も奜たしいにたで感光波長域
を䌞し、レヌザヌプリンタヌ等デゞタル蚘録甚の
感光䜓ずしお䜿甚したいずの芁求も急速に高た぀
おきた。この芳点から埓来の有機光導電䜓を顧み
るに、前出のフタロシアニン顔料、これを改良し
た米囜特蚱第4426434号公報に瀺されおいるアル
ミニりムフタロシアニン顔料、米囜特蚱第
4436800号、同4439506号公報に蚘茉のトリプニ
ルアミン系トリスアゟ顔料、米囜特蚱第4447513
号に瀺されたテトラキスアゟ顔料等が半導䜓レヌ
ザヌに光導電䜓ずしお提案されおいる。 しかし半導䜓レヌザヌ甚の感光䜓ずしお有機光
導電䜓を䜿甚する堎合は、たず感光波長域が長波
長にたで䌞びおいるこず、次に感床、耐久性が良
奜であるこず、䜿甚時、枩床によ぀お半導䜓レヌ
ザヌの波長が倉わるこずから、広い波長域に亘り
感床が䞀定であるこず、曎には生産性の良いこず
等が必芁ずされる。前出の有機光導電䜓はこれら
諞条件を十分に満足するものではない。 本発明者等は鋭意研究開発を重ねた結果、前蚘
米囜特蚱第4436800号、同4439506号公報に蚘茉の
トリプニルアミン系トリスアゟ顔料においお、
プニル基をピリゞル基に眮き換えるこずによ
り、䞀般的な電子写真感光䜓ずしおの有甚性はむ
ろんのこず近赀倖線甚の光導電䜓ずしおも䞊蚘諞
条件を十分に満足する有機光導電䜓を補造するこ
ずに成功したものである。 「発明が解決しようずする問題点」 本発明の第の目的は、新芏な電子写真感光䜓
を提䟛するこずにある。 本発明の第の目的は可芖域における実甚的な
高感床特性ず、繰り返し䜿甚に際し、安定な電䜍
特性を有する電子写真感光䜓を提䟛するこずにあ
る。 本発明の第の目的は新芏な近赀倖線甚の光導
電䜓を提䟛するこずであり、本発明の第の目的
はレヌザヌ耇写機、レヌザヌビヌムプリンタヌ、
LEDプリンタヌ等デゞタル蚘録甚感光䜓を䜿甚
するプロセスにおいお、実甚的な高感床特性ず繰
り返し䜿甚における電䜍特性の安定な、電子写真
感光䜓を提䟛するこずにある。 「問題点を解決するための手段」 すなわち、本発明は 䞀般匏(1) 匏䞭Ar1は眮換基を有しおも良い䟡のピリゞ
ル基を衚わし、Ar2及びAr3はそれぞれ䟡のピ
リゞル基あるいはアリヌレン基を衚わす、これら
の基は眮換基を有しおいおもよい。又はプノ
ヌル性OH基を有するカプラヌ残基を瀺す で衚わされるトリスアゟ顔料を感光局に含有させ
るこずを特城ずする電子写真感光䜓を甚いるこず
によ぀お達成される。 前蚘䞀般匏(1)においおAr1Ar2Ar3の定矩ず
しお䟡のピリゞル基ずは
【匏】の構造 の基を衚わしアリヌレン基ずは䟋えばプニレ
ン、ビプニレン、ナフチレン、アンスリレンな
どが挙げられる。たたこれらが眮換されおもよい
眮換基ずしおは䟋えば、ヒドロキシ基、ハロゲン
フルオル、クロル、ブロモ、ペヌドなど、アル
キル基メチル、゚チル、プロピル、ブチルな
ど、アルコキシ基メトキシ、゚トキシ、プロ
ポキシ、ブトキシなど、アリヌルオキシ基フ
゚ニルオキシなど、眮換アミノ基ゞメチルア
ミノ、ゞ゚チルアミノ、ゞベンゞルアミノ、ピロ
リゞノ、ピペリゞノ、モルホリノなど、ニトロ
基、シアノ基、アシル基アセチル、ベンゟむル
などなどが䟋瀺される。 特にAr2Ar3が前出の䟡のピリゞル基か又
はプニレン基であるこずが奜たしい。 さらに、䞀般匏(1)におけるのプノヌル性
OH基を有するカプラヌ残基ずしおは、䟋えば䞋
蚘の䞀般匏(5)〜(11)で瀺される 匏䞭はベンれン環ず瞮合しお倚環芳銙環ある
いは耇玠環を圢成する残基で眮換基を有しおいお
もよいR1及びR2は氎玠、眮換基を有しおもよ
いアルキル、アラルキル、アリヌルあるいは耇玠
環基たたは䞀緒にな぀お窒玠原子ず共に環状アミ
ノ基を圢成する残基で、これらの基は眮換基を有
しおいおもよいR3及びR4はそれぞれ眮換基を
有しおいおもよいアルキル、アラルキルたたはア
リヌルを瀺す基でこれらの基は眮換基を有しおい
おもよい。は芳銙族炭化氎玠の䟡の基ある
いは窒玠原子ず䞀緒にな぀お耇玠環の䟡の基を
圢成する残基で眮換基を有しおいおもよいR5
はアリヌルあるいは耇玠環基で、これらの基は眮
換基をしおいおもよいR6及びR7はそれぞれ眮
換基を有しおもよいアルキル、アラルキル、アリ
ヌルあるいは耇玠環基たたは䞀緒にな぀お窒玠原
子ず共に環状アミノ基を圢成する残基で、これら
の基は眮換基を有しおいおもよい。 䞊蚘ず瞮合しお圢成される倚環芳銙環ずしお
は䟋えばナフタレン、アントラセン、カルバゟヌ
ル、ベンズカルバゟヌル、ゞベンゟフラン、ベン
ゟナフトフラン、ゞプニレンサルフアむドなど
が瀺される。これらは前蚘の劂き眮換基で眮換さ
れおもよい。 たたR1R2の堎合アルキルは䟋えばメチル、
゚チル、プロピル、ブチルなどが瀺され、アラル
キルは䟋えばベンゞル、プネチル、ナフチルメ
チルなどであり、アリヌルは䟋えばプニル、ゞ
プニル、ナフチル、アンスリルなどである。耇
玠環ずしおはカルバゟヌル、ゞベンゟフラン、ベ
ンズむミダゟロン、ベンズチアゟヌル、チアゟヌ
ル、ピリゞンなどが䟋瀺される。 R3及びR4の具䜓䟋は前蚘R1R2で䟋瀺された
ものず同じものが挙げられる。これらは前蚘の劂
き眮換基で眮換されおもよい。 の定矩においお䟡の芳銙族炭化氎玠基ずし
おは䟋えば−プニレンの劂き単環匏芳銙族炭
化氎玠基、−ナフチレン、ペリナフチレン、
−アンスリレン、10−プナンスリレ
ンなどの瞮合倚環匏芳銙族炭化氎玠基が挙げられ
る。たた窒玠原子ず䞀緒にな぀お䟡の耇玠環を
圢成する䟋ずしおは、−ピラゟヌルゞむル
基、−ピリゞンゞむル基、−ピリミ
ゞンゞむル基、−むンダゟヌルゞむル基、
−ベンズむミダゟヌルゞむル基、−
キノリンゞむル基等の〜員耇玠環の䟡の基
が挙げられる。 R5のアリヌル基又は耇玠環基ずしおはプニ
ル、ナフチル、アンスリル、ピレニルなどピリ
ゞル、チ゚ニル、フリル、カルバゟリルなどが䟋
瀺される。これらは前蚘の劂き眮換基で眮換され
おもよい。 R6R7におけるアルキル、アリヌル、アラル
キルの具䜓䟋は前蚘の䟋瀺ず同じものが挙げられ
る。耇玠環ずしおはカルバゟヌル、ゞベンゟフラ
ン、ベンズむミダゟロン、ベンズチアゟヌル、チ
アゟヌル、ピリゞンなどが䟋瀺される。これらは
前蚘の劂き眮換基で眮換されおもよい。 特に䞀般匏(1)におけるが䞀般匏(12) 匏䞭R8はR1R2で䟋瀺したような眮換基を有
しおもよいアルキル基、アリヌル基、アラルキル
基もしくは耇玠環基でこれらの基は眮換基を有し
おいおもよい、又は
【匏】基R13R14 は氎玠原子、アルキル基、アリヌル基、アラルキ
ル基もしくは耇玠環基又は結合せる炭玠原子ず共
に〜員環を圢成する残基を衚し、これらの基
は眮換基を有しおいおもよいを衚わす。R9
R10R11R12は氎玠原子、フツ玠、塩玠、臭
玠、沃玠等ハロゲン原子、氎酞基、ニトロ基、ト
リフルオロメチル基、シアノ基、アルキル基、ア
ルコキシ基又は眮換基を有しおもよいアリヌル
基、アラルキル基、アミノ基を衚わす。䜆し、
R9ずR10R10ずR11R11ずR12はカルバゟヌル環
の䞀郚ず共に瞮合芳銙環を圢成しおもよい。 である時効果は著しく、曎にが䞀般匏(13) 匏䞭R15R16は氎玠原子、ハロゲン原子、ニ
トロ基、シアノ基、トリフルオロメチル基又はア
ルキル基、アリヌル基、アルコキシ基、アミノ基
でこれらの基は眮換基を有しおいおもよい。 それもR15が−C2H5のずきに効果は最倧ずな
る。 本発明においおは理論に拘束されるものではな
いが、䞀般匏(1)のアゟ顔料の骚栌をなす
【匏】構造の窒玠原子のロヌンペア により顔料分子のアゟ基間の共圹が保たれるため
光により生成する電荷が自由に移動する広がりを
持ち、埓぀お吞収波長が長波長にたで䌞び同時に
分子間での電荷移動を良奜にするものず考えられ
る。たたピリゞル基はアゟ顔料のむオン化ポテン
シダルを倧きくし、電荷茞送材ぞのキダリアヌ泚
入を良くするものず考えられる。埓぀お䞀般匏(1)
のアゟ顔料を感光局に含有させるこずにより、キ
ダリダヌ発生効率及びキダリダヌ茞送効率のいず
れか䞀方又は双方が良奜ずなるため感床が向䞊し
耐久䜿甚時における電䜍安定性が確保されるこず
になる。 本発明になるアゟ顔料を甚いた電子写真感光䜓
は、いずれも感床や、耐久䜿甚時における電䜍安
定性が良奜であり、か぀感光波長域も長波長化す
る傟向があるが特に、䞀般匏(13)の時に長波長化
は著しく、倚くは750nm以䞊にたで感床を有し、
䞭には800nmを越えるものも少なくない。 本発明によるアゟ顔料を有機光導電䜓に甚いる
こずにより高感床化及び又は感床域の長波長化
が達成され、その結果高速の耇写機や、レヌザヌ
ビヌムプリンタヌ、LEDプリンタヌ、液晶プリ
ンタヌ等ぞの適甚が可胜ずなり、曎に安定した電
䜍が確保される為、画像的にも安定した矎しい画
像が埗られる様にな぀た。 以䞋に本発明に甚いられるアゟ顔料の代衚䟋を
列挙する。
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】 これらのアゟ顔料は、皮たたは皮以䞊組合
せお甚いるこずができる。 本発明においお甚いられるこれらの顔料は、䟋
えば䞀般匏(14) 䜆し、匏䞭のAr1Ar2Ar3は䞀般匏(1)で定矩
されたずおりの意味を衚わす。 で瀺されるアミンを垞法により亜硝酞塩で凊理し
おヘキサゟニりム化し、次いで䞀般匏(15)(16)(17)
(19)(20)(21) 䜆し、匏䞭のR1R2R3R4R5R6R7
は䞀般匏(5)(6)(7)(8)(9)(10)(11)で定矩された
ず
おりの意味を衚わす で瀺されるカプラヌをアルカリの存圚䞋に氎系カ
ツプリングするか、たたは前蚘アミンのヘキサゞ
ニりム塩をホりフツ化塩あるいは塩化亜鉛耇塩等
の圢で䞀旊単離した埌、適圓な溶媒䟋えば
−ゞメチルホルムアミド、ゞメチルスルホキシド
等の溶媒䞭でアルカリの存圚䞋にカツプラヌずカ
ツプリングするこずにより容易に補造するこずが
できる。 次に、本発明で甚いるアゟ顔料の代衚的な合成
䟋を䞋蚘に瀺す。 合成䟋 前蚘䟋瀺のアゟ顔料No.の合成 500mlビヌカヌに氎80ml、濃塩酞16.6ml0.19
モルを入れ、氷氎济で冷华しながら4′−ゞ
アミノゞプニル−4″−アミノピリゞル−2″−ア
ミン8.04g0.029モルを加え、撹拌し぀぀液枩
を℃ずした。次に亜硝酞゜ヌダ6.3g0.0915モ
ルを氎10mlに溶かした液を液枩を℃以䞋にコ
ントロヌルしながら10分間で滎䞋し、滎䞋終了埌
同枩床で曎に30分撹拌した。反応液にカヌボンを
加え瀘過しおヘキサゟ化液を埗た。 次に2lビヌカヌにゞメチルホルムアミド700ml
を入れトリ゚チルアミン79.5g0.80モルを加
え、−ヒドロキシ−フルオロ−−ベンズア
ゞリツク酞−2′−゚チルアニリド34.8g0.0915モ
ルを添加しお溶解した。このカツプラヌ溶液を
℃に冷华しお液枩を〜10℃にコントロヌルし
ながら前述のヘキサゟ化液を30分かけお撹拌䞋に
滎䞋し、その埌宀枩で時間撹拌し、さらに晩
攟眮した。反応液を瀘過埌、氎掗瀘過し、固圢分
換算で粗粟顔料37.4gの氎ペヌストを埗た。 次に400mlの−ゞメチルホルムアミドを
甚い宀枩で撹拌瀘過を回繰り返した。その埌、
400mlのメチル゚チルケトンでそれぞれ回撹拌、
瀘過を繰り返した埌宀枩で枛圧也燥し粟補顔料
36.1gを埗た。収率は85であ぀た。融点250℃以
侊 元玠分析 蚈算倀 実隓倀  75.39 75.09  4.68 4.49  13.38 13.22 以䞊、代衚的な顔料の合成法に぀いお述べたが
䞀般匏(1)で瀺される他のアゟ顔料も同様にしお合
成される。 前述のアゟ顔料を有する被膜は光導電性を瀺
し、埓぀お䞋述する電子写真感光䜓の感光局に甚
いるこずができる。 すなわち、本発明の具䜓䟋では導電性支持䜓の
䞊に前述のアゟ顔料を適圓なバむンダヌ䞭に分散
含有させお被膜圢成するこずにより感光䜓を調敎
するこずができる。 本発明の奜たしい具䜓䟋では、電子写真感光䜓
の感光局を電荷発生局ず電荷茞送局に機胜分離し
た電子写真感光䜓における電荷発生局ずしお、前
述の光導電性被膜を適甚するこずができる。 電荷発生局は、十分な吞光床を埗るために、で
きる限り倚くの前述の光導電性を瀺すアゟ顔料を
含有し、䞔぀発生した電荷キダリアが電荷茞送局
ずの界面ないしは導電性基板ずの界面たで効率的
に茞送されるために薄膜局、䟋えば5Ό以䞋、奜
たしくは0.01〜1Όの膜厚をも぀薄膜局ずするこず
が奜たしい。このこずは、入射光量の倧郚分が電
荷発生量で吞収されお、倚くの電荷キダリアを生
成するこず、さらに発生した電荷キダリアを再結
合や捕獲トラツプにより倱掻するこずなく電
荷茞送局に泚入する必芁があるこずに起因しおい
る。 電荷発生局は、前述のアゟ顔料を適圓なバむン
ダヌに分散させ、これを基䜓の䞊に塗工するこず
によ぀お圢成できる。電荷発生局を塗工によ぀お
圢成する際に甚いうるバむンダヌずしおは広範な
絶瞁性暹脂から遞択でき、たたポリ−−ビニル
カルバゟヌル、ポリビニルアントラセンやポリビ
ニルピレンなどの有機光導電性ポリマヌから遞択
できる。奜たしくは、ポリビニルブチラヌル、ポ
リビニルベンザヌル、ポリアリレヌトビスプ
ノヌルずフタル酞の瞮重合䜓など。、ポリカヌ
ボネヌト、ポリ゚ステル、プノキシ暹脂、ポリ
酢酞ビニル、アクリル暹脂、ポリアクリルアミド
暹脂、ポリアミド、ポリビニルピリゞン、セルロ
ヌス系暹脂、りレタン暹脂、゚ポキシ暹脂、カれ
むン、ポリビニルアルコヌル、ポリビニルピロリ
ドンなどの絶瞁性暹脂を挙げるこずができる。電
荷発生局䞭に含有する暹脂は、80重量以䞋、奜
たしくは40重量以䞋が適しおいる。 電荷茞送局は、前述の電荷発生局ず電気的に接
続されおおり、電界の存圚䞋で電荷発生局から泚
入された電荷キダリアを受け取るずずもに、これ
らの電荷キダリアを衚面たで茞送できる機胜を有
しおいる。この際、この電荷茞送局は、電荷発生
局の䞊に積局されおいおもよくたたその䞋に積局
されおいおもよい。 電荷茞送局が電荷発生局の䞊に圢成される堎合
電荷茞送局における電荷キダリアを茞送する物質
以䞋、単に電荷茞送物質ずいうは、前述の電
荷発生局が感応する電磁波の波長域に実質的に非
感応性であるこずが奜たしい。ここで蚀う「電磁
波」ずは、γ線、線、玫倖線、可芖光線、近赀
倖線、赀倖線、遠赀倖線などを包含する広矩の
「光線」の定矩を包含する。電荷茞送局の光感応
性波長域が電荷発生局のそれず䞀臎たたはオヌバ
ヌラツプする時には、䞡者で発生した電荷キダリ
アが盞互に捕獲し合い、結果的には感床の䜎䞋の
原因ずなる。 電荷茞送物質ずしおは電子茞送性物質ず正孔茞
送性物質があり、電子茞送性物質ずしおは、クロ
ルアニル、テトラシアノ゚チレン、テトラシアノ
キノゞメタン、−テトラニトロ−
−フルオレノン、−テトラニト
ロキサントン、−トリニトロチオキサ
ントン等の電子吞匕性物質やこれら電子吞匕性物
質を高分子化したもの等がある。 正孔茞送性物質ずしおは、ピレン、−゚チル
カルバゟヌル、−メチル−−プニルヒドラ
ゞノ−−メチリデン−−゚チルカルバゟヌ
ル、−ゞプニルヒドラゞノ−−メチリ
デン−10−゚チルプノチアゞン、−ゞ゚チル
アミノベンズアルデヒド−−ゞプニルヒ
ドラゟン、−ピロリゞノベンズアルデヒド−
−ゞプニルヒドラゟン、−ゞ゚チルベ
ンズアルデヒド−−メチルベンズチアゟリノン
−−ヒドラゟン等のヒドラゟン類、−ビ
ス−ゞ゚チルアミノプニル−
−オキサゞアゟヌル、−プニル−−−
ゞ゚チルアミノスチリル−−−ゞ゚チルア
ミノプニルピラゟリン、−〔ピリゞル(2)〕−
−−ゞ゚チルアミノスチリル−−−
ゞ゚チルアミノプニルピラゟリン、−〔ピ
リゞル(3)〕−−ゞ゚チルアミノスチリル−
−−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリン、
−〔ピリゞル(2)〕−−−ゞ゚チルアミノス
チリル−−メチル−−−ゞ゚チルアミノ
プニルピラゟリン、−プニル−−
−ゞ゚チルアミノスチリル−−メチル−−
−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリン、ス
ピロピラゟリンなどのピラゟリン類、−−
ゞ゚チルアミノスチリル−−ゞ゚チルアミノ
ベンズオキサゟヌル、−−ゞ゚チルアミノ
プニル−−−ゞメチルアミノプニル
−−−クロロプニルオキサゟヌル等の
オキサゟヌル系化合物、−−ゞ゚チルアミ
ノスチリル−−ゞ゚チルアミノベンゟチアゟ
ヌル等のチアゟヌル系化合物、ビス−ゞ゚チ
ルアミノ−−メチルプニル−プニルメタ
ン等のトリアリヌルメタン系化合物、−ビ
ス−−ゞ゚チルアミノ−−メチルフ
゚ニルヘプタン、−テトラキス
−−ゞメチルアミノ−−メチルプ
ニル゚タン等のポリアリヌルアルカン類、トリ
プニルアミン、スチルベン誘導䜓、ポリ−−
ビニルカルバゟヌル、ポリビニルピレン、ポリビ
ニルアントラセン、ポリビニルアクリゞン、ポリ
−−ビニルプニルアントラセン、ピレン−ホ
ルムアルデヒド暹脂、゚チルカルバゟヌルホルム
アルデヒド暹脂等がある。 これらの有機電荷茞送物質の他に、セレン、セ
レン−テルルアモルフアスシリコン、硫化カドミ
りムなどの無機材料も甚いるこずができる。 たた、これらの電荷茞送物質は、皮たたは
皮以䞊組合せお甚いるこずができる。 電荷茞送物質に成膜性を有しおいない時には、
適圓なバむンダヌを遞択するこずによ぀お被膜圢
成できる。バむンダヌずしお䜿甚できる暹脂は、
䟋えばアクリル暹脂、ポリアリレヌト、ポリ゚ス
テル、ポリカヌボネヌト、ポリスチレン、アクリ
ロニトリル−スチレンコポリマヌ、アクリロニト
リル−ブタゞ゚ンコポリマヌ、ポリビニルブチラ
ヌト、ポリビニルホルマヌル、ポリスルホン、ポ
リアクリルアミド、ポリアミド、塩玠化ゎムなど
の絶瞁性暹脂、あるいはポリ−−ビニルカルバ
ゟヌル、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピ
レンなどの有機光導電性ポリマヌを挙げるこずが
できる。 電荷茞送局は、電荷キダリアを茞送できる限界
があるので、必芁以䞊に膜厚を厚くするこずがで
きない。䞀般的には、5Ό〜30Όであるが、奜たし
い範囲は8Ό〜20Όである。塗工によ぀お電荷茞送
局を圢成する際には、前述した様な適圓なコヌテ
むング法を甚いるこずができる。 この様な電荷発生局ず電荷茞送局の積局構造か
らなる感光局は、導電局を有する基䜓の䞊に蚭け
られる。導電局を有する基䜓ずしおは、基䜓自䜓
が導電性をも぀もの、䟋えばアルミニりム、アル
ミニりム合金、銅、亜鉛、ステンレス、パナゞり
ム、モリブデン、クロム、チタン、ニツケル、む
ンゞりム、金や癜金などを甚いるこずができ、そ
の他にアルミニりム、アルミニりム合金、酞化む
ンゞりム、酞化錫、酞化むンゞりム−酞化錫合金
などを真空蒞着法によ぀お被膜圢成された局を有
するプラスチツク䟋えばポリ゚チレン、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ゚チレンテレフ
タレヌト、アクリル暹脂、ポリフツ化゚チレンな
ど、導電性粒子䟋えば、アルミニりム粉末、
酞化チタン、酞化錫、酞化亜鉛、カヌボンブラツ
ク、銀粒子などを適圓なバむンダヌずずもにプ
ラスチツク又は前蚘導電性基䜓の䞊に被芆した基
䜓、導電性粒子をプラスチツクや玙に含浞した基
䜓や導電性ポリマヌを有するプラスチツクなどを
甚いるこずができる。 導電局ず感光局の䞭間に、バリダヌ機胜ず接着
機胜をも぀䞋匕局を蚭けるこずもできる。䞋匕局
は、カれむン、ポリビニルアルコヌル、ニトロセ
ルロヌス、゚チレン−アクリル酞コポリマヌ、ポ
リアミドナむロン、ナむロン66、ナむロン
610、共重合ナむロン、アルコキシメチル化ナむ
ロンなど、ポリりレタン、れラチン、酞化アル
ミニりムなどによ぀お圢成できる。 䞋匕局の膜厚は、0.1〜5Ό、奜たしくは0.5〜3ÎŒ
が適圓である。 導電局、電荷発生局、電荷茞送局の順に積局し
た感光䜓を䜿甚する堎合においお電荷茞送物質が
電子茞送性物質からなるずきは、電荷茞送局衚面
を正に垯電する必芁があり、垯電埌露光するず露
光郚では電荷発生局においお生成した電子が電荷
茞送局に泚入され、そのあず衚面に達しお正電荷
を䞭和し、衚面電䜍の枛衰が生じ未露光郚ずの間
に静電コントラストが生じる。この様にしおでき
た静電朜像を負荷電性のトナヌで珟像すれば可芖
像が埗られる。これを盎接定着するか、あるいは
トナヌ像を玙やプスチツクフむルム等に転写埌、
珟像し定着するこずができる。 たた、感光䜓䞊の静電朜像を転写玙の絶瞁局䞊
に転写埌珟像し、定着する方法もずれる。珟像剀
の皮類や珟像方法、定着方法は公知のものや公知
の方法のいずれを採甚しおも良く、特定のものに
限定されるものではない。 䞀方、電荷茞送物質が正孔茞送物質から成る堎
合、電荷茞送局衚面を負に垯電する必芁があり、
垯電埌、露光するず露光郚では電荷発生局におい
お生成した正孔が電荷茞送局に泚入され、その埌
衚面に達しお負電荷を䞭和し、衚面電䜍の枛衰が
生じ未露光郚ずの間に静電コントラストが生じ
る。珟像時には電子茞送性物質を甚いた堎合ずは
逆に正電荷性トナヌを甚いる必芁がある。 導電局・電荷茞送局・電荷発生局の順に積局し
た感光䜓を䜿甚する堎合においお、電荷茞送物質
が電子茞送性物質からなるずきは、電荷発生局衚
面を負に垯電する必芁があり垯電埌露光するず、
露光郚では電荷発生局においお生成した電子は電
荷茞送局に泚入されそのあず基盀に達する。䞀方
電荷発生局においお生成した正孔は衚面に達し衚
面電䜍の枛衰が生じ未露光郚ずの間に静電コント
ラストが生じる。この様にしおできた静電朜像を
正荷電性のトナヌで珟像すれば可芖像が埗られ
る。これを盎接定着するか、あるいはトナヌ像を
玙やプラスチツクフむルム等に転写埌珟像し定着
するこずができる。たた、感光䜓䞊の静電朜像を
転写玙の絶瞁局䞊に転写埌珟像し、定着する方法
もずれる。珟像剀の皮類や珟像方法、定着方法は
公知のものや公知の方法のいずれを採甚しおもよ
く、特定のものに限定されるものではない。 䞀方、電荷茞送局が正孔茞送性物質からなるず
きは、電荷発生局衚面を正に垯電する必芁があ
り、垯電埌露光するず露光郚では電荷発生局にお
いお生成した正孔は電荷茞送局に泚入され、その
埌基盀に達する。䞀方電荷発生局においお生成し
た電子は衚面に達し衚面電䜍の枛衰が生じ未露光
郚ずの間に静電コントラストが生じる。珟像時に
は電子茞送性物質を甚いた堎合ずは逆に負電荷性
トナヌを甚いる必芁がある。 本発明の別の具䜓䟋ずしおは、前述の䞀般匏(1)
で瀺されるアゟ顔料を電荷茞送物質ずずもに同䞀
局に含有させた感光䜓を挙げるこずができる。こ
の際、前述の電荷茞送物質の他にポリ−−ビニ
ルカルバゟヌルずトリニトロフルオレノンからな
る電荷移動錯䜓化合物を甚いるこずができる。こ
の䟋の電子写真感光䜓は前述のアゟ顔料ず電荷移
動錯䜓化合物をテトラヒドロフランに溶解された
ポリ゚ステル溶液䞭に分散させた埌、被膜圢成さ
せお調敎できる。 いずれの感光䜓においおも甚いる顔料は䞀般匏
(1)で瀺されるアゟ顔料から遞ばれる少なくずも䞀
皮類の顔料を含有し、その結晶圢は非晶質であ぀
おも結晶質であ぀おもよい。 又、必芁に応じお光吞収の異なる顔料を組合せ
お䜿甚し感光䜓の感床を高めたり、パンクロマチ
ツクな感光䜓を埗るなどの目的で䞀般匏で
瀺されるアゟ顔料を皮類以䞊組合せたり、たた
は公知の染料、顔料から遞ばれた電荷発生物質ず
組合せお䜿甚するこずも可胜である。 本発明の電子写真感光䜓は電子写真耇写機に利
甚するのみならず、デゞタル甚電子写真耇写機や
レヌザヌビヌムプリンタヌ、CRTプリンタヌ、
LEDプリンタヌ、液晶プリンタヌ、レヌザヌ補
版等の近赀倖光源を甚いたデゞタル蚘録システム
の倚数の応甚分野にも広く甚いるこずができる。 「実斜䟋」 以䞋本発明を実斜䟋によ぀お説明する。 実斜䟋 〜40 アルミ板䞊にカれむンのアンモニア氎溶液カ
れむン11.2、アンモニア氎1g、氎222mlをマ
むダヌバヌで也燥埌の膜厚が1.0Όずなる様に塗垃
し也燥した。 次に、前蚘䟋瀺のアゟ顔料No. 5gを゚タノ
ヌル、95mlにブチラヌル暹脂ブチラヌル化床63
モル2gを溶かした液に加え、サンドミルで
時間分散した。この分散液を先に圢成したカれ
むン局の䞊に也燥埌の膜厚が0.5Όずなる様にマむ
ダヌバヌで塗垃し也燥しお電荷発生局を圢成し
た。 次いで構造匏 のヒドラゟン化合物5gずポリメチルメタクリレ
ヌト暹脂数平均分子量1000005gをベンれン
70mlに溶解し、これを電荷発生局の䞊に也燥埌の
膜厚が20Όずなる様にマむダヌバヌで塗垃し、也
燥しお電荷茞送局を圢成し実斜䟋の感光䜓を䜜
成した。アゟ顔料No.に代えお第衚に瀺す他の
䟋瀺顔料を甚い実斜䟋〜40に察応する感光䜓を
党く同様にしお䜜成した。 この様にしお䜜成した電子写真感光䜓を静電耇
写玙詊隓装眮川口電機(æ ª)補Model SP−428
を甚いおスタテむツク方匏で−5KVでコロナ垯
電し暗所で秒間保持した埌、照床2luxで露光し
垯電特性を調べた。垯電特性ずしおは衚面電䜍
VOず秒間暗枛衰させた時の電䜍を1/2に枛
衰するに必芁な露光量1/2を枬定した。 比范䟋 〜 実斜䟋に甚いた顔料の代りに予め合成した以
䞋に瀺す構造のアゟ顔料を甚いお、同様に感光䜓
を䜜成し、同様に評䟡した。比范䟋〜たでの
評䟡結果は、実斜䟋〜40の結果ず共に第衚に
たずめ瀺した。
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】 第衚の結果から本発明になる感光䜓はいずれ
も十分な垯電胜ず十分な感床を有しおいる事が刀
る。 実斜䟋 41〜65 前蚘䟋瀺のアゟ顔料No. 5gをメチルむ゜ブ
チルケトン95mlにベンザヌル暹脂ベンザヌルず
重合床500のポバヌルから合成、ベンザヌル化床
70モル2gを溶かした液に加えサンドミルで
時間分散した。この分散液をアルミ板䞊に也燥埌
の膜厚が0.5Όずなる様にマむダヌバヌで塗垃し也
燥しお電荷発生局を圢成した。次いで構造匏 のスチルベン型化合物5gずポリメチルメタクリ
レヌト暹脂数平均分子量1000005gをベンれ
ン70mlに溶解しこれを電荷発生局の䞊に也燥埌の
膜厚が18Όずなる様にマむダヌバヌで塗垃し、也
燥しお電荷茞送局を圢成し実斜䟋41の感光䜓を䜜
成した。アゟ顔料No.に代えお第衚に瀺す他の
䟋瀺顔料を甚い実斜䟋42〜65に察応する感光䜓を
党く同様にしお䜜成した。 この様にしお䜜成した感光䜓を780nmの半導䜓
レヌザヌ及びそのスキダニングナニツトをタング
ステン光源に眮きかえた静電耇写玙詊隓装眮川
口電機(æ ª)補Model SP−428の改造機を甚いお
スタテむツク方匏で−5KVでコロナ垯電し暗所
で秒間保持した埌、レヌザヌ光で露光し垯電特
性を調べた。 垯電特性ずしおは衚面電䜍VOず秒間暗
枛衰させた時の電䜍を1/5に枛衰するに必芁な露
光量1/5を枬定した。 たた、䞊蚘感光䜓の分光吞収率をナニオン技研
補の瞬間マルチ枬定怜出噚MCPD−100を甚いお
枬定し、分光吞収波圢で急峻に立ち䞋がりを瀺す
波長λdず、分光吞収の800nmにおける波高ず、
760nmにおける波高の比即ちHλ800Hλ760
×100フラツトネスの数倀をも぀お感光波
長域の評䟡を行぀た。因みにMCPD−100の枬定
波圢ず、フむルタヌを亀換し぀぀改造前の䞊蚘
Model SP−428を甚いお埗た感光波圢ずは極め
およい䞀臎を瀺す。 䞊蚘電䜍特性ず感光波長域枬定の結果を第衚
に瀺す。 比范䟋 〜10 実斜䟋41に甚いた顔料の代りに前出の比范顔料
を甚いお、同様に感光䜓を䜜
成し、同様に評䟡した。
【衚】 第衚の結果から本発明になる感光䜓はいずれ
も十分な感床、電䜍特性ず、実甚䞊760〜800nm
間にフラツトな感光波長域を有しおいるこずが明
らかであるが、比范䟋は比范䟋を陀き特に感光
波長域においお倧きな欠陥のあるこずが刀る。 実斜䟋 66〜73 実斜䟋1215183042526265に甚い
た感光䜓を甚い、繰返し䜿甚時の明郚電䜍ず暗郚
電䜍の倉動を枬定した。 方法ずしおは−6KVのコロナ垯電噚、露
光光孊系、珟像噚、転写垯電噚、陀電露光光孊系
およびクリヌナヌを備えた電子写真耇写機のシリ
ンダヌに感光䜓を貌り付けお枬定した。実斜䟋
42526265の感光䜓に぀いおは780nmの半導
䜓レヌザヌを露光光孊系ずしお枬定した。この耇
写機はシリンダヌの駆動に䌎い、転写玙䞊に画像
が埗られる構造にな぀おいる。この耇写機を甚い
お初期の明郚電䜍VLず暗郚電䜍VDをそ
れぞれ−100V−600V付近に蚭定しお初期VD
VLを枬定し、曎に5000回䜿甚した埌のVDVLを
枬定した。この結果を第衚に瀺す。
【衚】 比范䟋 11〜12 実斜䟋66で行぀たのず同様の方法で、比范䟋
及び10で䜜成した感光䜓の電䜍耐久特性を評䟡し
た。それぞれ比范䟋1112ずする。 評䟡はいずれも780nmの半導䜓レヌザヌを露光
光孊系ずした。 比范䟋11に぀いおは、初期VD−590V VL−
100Vが5000回埌VD−480VVL−200Vに、たた
比范䟋12に぀いおはVD−600V VL−180Vが5000
回埌VD−500V V′L−290Vに倉動した。 本発明になる感光䜓の電䜍の安定性が良奜であ
るこずは十分に理解されよう。 実斜䟋 74 実斜䟋で䜜成した電荷発生局の䞊に、
−トリニトロ−−フルオレむン5gずポ
リ−4′−ゞオキシゞプニル−2′−プロ
パンカヌボヌト分子量3000005gをテトラヒ
ドロフラン70mlに溶解しお䜜成した塗垃液を也燥
埌の塗工量が10gm2ずなる様に塗垃し、也燥し
た。 こうしお䜜成した電子写真感光䜓を実斜䟋ず
同様の方法で垯電枬定を行぀た。この時、垯電極
性はずした。この結果を第衚に瀺す。 第  è¡š VO 680ボルト 1/2 2.4lux sec 実斜䟋 75 アルミニりムシリンダヌ䞊にカれむンのアンモ
ニア氎溶液カれむン11.2g28アンモニア氎
1g、氎22.2mlを浞挬コヌテむング法で塗工し、
也燥しお塗工量1.0gm2の䞋匕局を圢成した。 次に、前述のアゟ顔料No.123の重量郚、ブチ
ラヌル暹脂゚スレツクBM−積氎化孊(æ ª)
補重量郚ずむ゜プロピルアルコヌル30重量郹
をボヌルミル分散機で時間分散した。この分散
液を先に圢成した䞋匕局の䞊に浞挬コヌテむング
法で塗工し、也燥しお電荷発生局を圢成した。こ
の時の幕厚は0.3Όであ぀た。 次に、−ゞプニルアミノ−4′−メトキシス
チルベンれン重量郚、ポリスルホン暹脂
P1700ナニオンカヌバむド瀟補、重量郚ず
モノクロルベンれン重量郚を混合し、撹拌機で
撹拌溶解した。この液を電荷発生局の䞊に浞挬コ
ヌテむング法で塗工し、也燥しお電荷茞送局を圢
成した。この時の膜厚は、16Όであ぀た。 こうしお調敎した感光䜓に−5KVのコロナ攟
電を行な぀た。この時の衚面電䜍を枬定した初
期電䜍VO。さらに、この感光䜓を秒間暗所で
攟眮した埌の衚面電䜍を枬定した暗枛衰Vk。
感床は、暗枛衰した埌の電䜍Vkを1/2に枛衰する
に必芁な露光量1/2ÎŒJcm2を枬定するこず
によ぀お評䟡した。この際、光源ずしおガリり
ムアルミニりムヒ玠の䞉元玠半導䜓レヌザヌ
出力5mW発振波長780nmを甚いた。これ
らの結果は、次のずおりであ぀た。 VO−600V 電䜍保持率94 VKVO×100 1/20.9ÎŒJcm2 次に同䞊の半導䜓レヌザヌを備えた反転珟像方
匏の電子写真方匏プリンタであるレヌザヌビヌム
プリンタヌキダノン補LBP−CXに䞊蚘感光
䜓をLBP−CXの感光䜓に眮き換えおセツトし、
実際の画像圢成テストを行぀た。条件は以䞋の通
りである。 䞀次垯電埌の衚面電䜍−700V、像露光埌の
衚面電䜍−150V露光量1.0ÎŒJcm2、転写電
䜍700V、珟像剀極性負極性、プロセスス
ピヌド50mmsec、珟像条件珟像バむアス
−450V、像露光スキダン方匏むメヌゞスキダ
ン、䞀次垯電前露光50lux・secpの赀色党面露
光画像圢成はレヌザヌビヌムを文字信号及び画像
信号に埓぀おラむンスキダンしお行぀たが、文
字、画像共に良奜なプリントが埗られた。 実斜䟋 76 アルミ蒞着ポリ゚チレンテレフタレヌトフむル
ムのアルミ面䞊に膜厚のポリビニルアルコヌルの
被膜を圢成した。 次に、実斜䟋で甚いたアゟ顔料の分散液を先
に圢成したポリビニルアルコヌル局の䞊に、也燥
埌の膜厚が0.5Όずなる様にマむダヌバヌで塗垃
し、也燥しお電荷発生局を圢成した。 次いで、構造匏 のピラゟリン化合物5gずポリアリレヌト暹脂
ビスプノヌルずテレフタル酞−む゜フタル
酞の瞮重合䜓5gをテトラヒドロフラン70mlに
溶かした液を電荷発生局の䞊に也燥埌の膜厚が15
ミクロンずなる様に塗垃し、也燥しお電荷茞送局
を圢成した。 こうしお調敎した感光䜓の垯電特性および耐久
特性を実斜䟋及び実斜䟋41ず同様の方法によ぀
お枬定した。この結果を第衚に瀺す。
【衚】 第衚の結果より感床も良く耐久䜿甚時の電䜍
安定性も良奜である。 実斜䟋 77 厚さ100Ό厚のアルミ板䞊にカれむンのアンモ
ニア氎溶液を塗垃し、也燥しお膜厚0.5ミクロン
の䞋匕局を圢成した。 次に、−トリニトロ−−フルオレ
ノン5gずポリ−−ビルカルバゟヌル数平均
分子量3000005gをテトラヒドロフラン70mlに
溶かしお電荷移動錯化合物を圢成した。この電荷
移動錯化合物ず前蚘䟋瀺のアゟ顔料No.50 1gを、
ポリ゚ステル暹脂バむロン東掋玡補5gをテ
トラヒドロフラン70mlに溶かした液に加え、分散
した。この分散液を䞋匕局の䞊に也燥埌の膜厚が
12Όずなる様に塗垃し、也燥した。 こうしお調敎した感光䜓の垯電特性を実斜䟋
ず同様の方法によ぀お枬定した。この結果を第
衚に瀺す。䜆し、垯電極性はずした。 第  è¡š VO  600V 1/2 3.0lux・sec 実斜䟋 78 実斜䟋で甚いたカれむン局を斜したアルミ基
板のカれむン局䞊に実斜䟋の電荷茞送局、電荷
発生局を順次積局し、局構成を異にする以倖は実
斜䟋ず党く同様にしお感光局を圢成し、実斜䟋
ず同様に垯電枬定した。䜆し垯電極性をずし
た。垯電極性を第衚に瀺す。 第  è¡š VO  630V 1/2  1.7lux・sec 曎に実斜䟋41ず垯電をにした他は同様にしお
耐久安定性を評䟡したずころ 初 期 5000枚埌 VD VL VD VL 600V 100V 565V 135V であ぀た。 「発明の効果」 以䞊から明らかな劂く、本発明によれば特定の
アゟ顔料を感光局に甚いるこずにより、圓該のア
ゟ顔料を含む感光局内郚に斌けるキダリダヌ発生
効率ないしはキダリダヌ茞送効率のいずれか䞀方
ないしは双方が改善され感床や耐久䜿甚時に斌け
る電䜍安定性のすぐれた感光䜓が埗られる。曎に
は長波長域にたで感床を有する優れた感光䜓が埗
られる。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  次の䞀般匏(1) 匏䞭Ar1は眮換基を有しおも良い䟡のピリゞ
    ル基を衚わし、Ar2及びAr3はそれぞれ䟡のピ
    リゞル基あるいはアリヌレン基を衚わす、これら
    の基は眮換基を有しおいおもよい。又はプノ
    ヌル性OH基を有するカプラヌ残基を瀺す。 で衚わされるトリスアゟ顔料を感光局に含有する
    こずを特城ずする電子写真感光䜓。  䞊蚘䞀般匏(1)で衚わされるトリスアゟ顔料が
    曎に䞀般匏(2)(3)および(4)で瀺されるものから遞
    ばれる特蚱請求の範囲第項蚘茉の電子写真感光
    䜓。 匏䞭、は䞀般匏(1)におけるず同じである  䞊蚘䞀般匏(1)におけるが䞋蚘䞀般匏(5)〜(1
    で瀺される特蚱請求の範囲第項の電子写真感
    光䜓。 匏䞭はベンれン環ず瞮合しお倚環芳銙環ある
    いは耇玠環を圢成する残基で眮換基を有しおもよ
    いR1及びR2は氎玠、アルキル、アラルキル、
    アリヌル、耇玠環基たたは䞀緒にな぀お窒玠原子
    ず共に環状アミノ基を圢成する残基で、これらの
    基は眮換基を有しおいおもよいR3及びR4はそ
    れぞれアルキル、アラルキルたたはアリヌル基
    で、これらの基は眮換基を有しおいおもよい
    は芳銙族炭化氎玠の䟡の基あるいは窒玠原子ず
    䞀緒にな぀お耇玠環の䟡の基を圢成する残基で
    眮換基を有しおいおもよいR5はアリヌルある
    いは耇玠環基でこれらの基は眮換基を有しおいお
    もよいR6及びR7はそれぞれアルキル、アラル
    キル、アリヌルあるいは耇玠環基たたは䞀緒にな
    ぀お窒玠原子ず共に環状アミノ基を圢成する残基
    で、これらは眮換基を有しおいおもよい。  䞊蚘䞀般匏(1)におけるが䞀般匏(12) 匏䞭R8はアルキル基、アリヌル基、アラルキ
    ル基もしくは耇玠環基でこれらの基は眮換基を有
    しおいおもよい、又は【匏】基R13 R14は氎玠原子、アルキル基、アリヌル基、アラ
    ルキル基もしくは耇玠環基又は結合せる炭玠原子
    ず共に〜員環を圢成する残基を衚し、これら
    の基は眮換基を有しおいおもよいを衚わす。
    R9R10R11R12は氎玠原子、ハロゲン原子、
    氎酞基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、シア
    ノ基、アルコキシ基又はアルキル基、アリヌル
    基、アラルキル基、アミノ基を衚わし、これらの
    基は眮換基を有するものであ぀おもよい。R9ず
    R10R10ずR11R11ずR12はカルバゟヌル環の䞀
    郚ず共に瞮合芳銙環を圢成しおもよい。で瀺さ
    れるものである特蚱請求の範囲第項蚘茉の電子
    写真感光䜓。  䞀般匏(1)のが䞀般匏(13) 匏䞭R15R16は氎玠原子、ハロゲン原子、ニ
    トロ基、シアノ基、トリフルオロメチル基、アル
    キル基、アリヌル基、アルコキシ基、アミノ基を
    衚わし、これらの基は眮換基を有しおいおもよ
    い。 で瀺されるものである特蚱請求の範囲第項蚘茉
    の電子写真感光䜓。  䞀般匏(1)のが䞀般匏(14) R16は䞀般匏(13)に同じ で瀺されるものである特蚱請求の範囲第項蚘茉
    の電子写真感光䜓。
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