JPH0454231B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0454231B2
JPH0454231B2 JP62303354A JP30335487A JPH0454231B2 JP H0454231 B2 JPH0454231 B2 JP H0454231B2 JP 62303354 A JP62303354 A JP 62303354A JP 30335487 A JP30335487 A JP 30335487A JP H0454231 B2 JPH0454231 B2 JP H0454231B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
general formula
substituent
pigment
formula
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP62303354A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS63264762A (ja
Inventor
Masashige Umehara
Yoshiro Kashizaki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Publication of JPS63264762A publication Critical patent/JPS63264762A/ja
Publication of JPH0454231B2 publication Critical patent/JPH0454231B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0675Azo dyes
    • G03G5/0677Monoazo dyes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0675Azo dyes
    • G03G5/0679Disazo dyes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0675Azo dyes
    • G03G5/0679Disazo dyes
    • G03G5/0681Disazo dyes containing hetero rings in the part of the molecule between the azo-groups
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0675Azo dyes
    • G03G5/0687Trisazo dyes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0675Azo dyes
    • G03G5/0687Trisazo dyes
    • G03G5/0688Trisazo dyes containing hetero rings
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0675Azo dyes
    • G03G5/0694Azo dyes containing more than three azo groups

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
産業䞊の利甚分野 本発明は電子写真感光䜓に関し、詳しくは新芏
なアゟ顔料を含有する感光局を有する電子写真感
光䜓に関する。 埓来の技術 これたでセレン、硫化カドミりム、酞化亜鉛な
どの無機光導電䜓を感光成分ずしお利甚した電子
写真感光䜓は公知である。 䞀方、特定の有機化合物が光導電性を瀺すこず
が発芋されおから、数倚くの有機光導電䜓が開発
されおきた。䟋えばポリヌヌビニカルバゟヌ
ル、ポビニルアントラセンなどの有機光導電性ポ
リマヌ、カルバゟヌル、アントラセン、ピラゟリ
ン類、オキサゞアゟヌル類、ヒドラゟン類、アリ
ヌルアルカン類などの䜎分子の有機光導電䜓やフ
タロシアニン顔料、アゟ顔料、シアニン顔料、倚
環キノン顔料、ペリレン系顔料、むンゞゎ染料、
チオむンゞゎ染料あるいはスク゚アリツク酞メチ
ン染料などの有機顔料や染料が知られおいる。 特に、光導電性を有する有機顔料や染料は、無
機材料に比べお合成が容易で、しかも適圓な波長
域に光導電性を瀺す化合物を遞択できるバリ゚ヌ
シペンが拡倧されたこずなどから、数倚くの光導
電性有機顔料や染料が提案されおいる。䟋えば、
米囜特蚱第4123270号明现曞、同第4247614号明现
曞、同第4251613号明现曞、同第4251614号明现
曞、同第4256821号明现曞、同第4260672号明现
曞、同第4268596号明现曞、同第4278747号明现
曞、同第4293628号明现曞などに開瀺されたよう
に電荷発生局ず電荷茞送局に機胜分離した感光局
における電荷発生物質ずしお光導電性を瀺すアゟ
顔料を甚いた電子写真感光䜓などが知られおい
る。 たた、米囜特蚱第4279981号明现曞、同第
4352876号明现曞、同第4356243号明现曞、同第
4390611号明现曞、同第4418133号明现曞、同第
4436800号明现曞、同第4439506号明现曞、同第
4447513号明现曞、同第4471040号明现曞、同第
4495264号明现曞、同第4551404号明现曞、同第
4571369号明现曞、同第4582771号明现曞、同第
4599287号明现曞、同第4600674号明现曞などに開
瀺されおいるようなアゟ顔料も感光局における電
荷発生物質ずしお知られおいる。 このような有機光導電䜓を甚いた電子写真感光
䜓はバむンダヌを適圓に遞択するこずによ぀お塗
工で生産できるため、極めお生産性が高く、安䟡
な感光䜓を提䟛でき、しかも有機顔料の遞択によ
぀お感光波長域を自圚にコントロヌルできる利点
を有しおいるため、近幎急速に実甚化が進行しお
きおいる。 しかしながら、このような埓来の感光䜓は、感
床ず繰り返し特性の点で十分なものずは蚀えず、
その甚途の倧半が䜎玚機電子写真耇写機などに限
られおいるのが珟状である。 発明が解決しようずする問題点 本発明の目的は、実甚的な高感床を有する電子
写真感光䜓を提䟛するこずにある。 たた、本発明の目的は、繰り返し䜿甚における
安定な電䜍特性を有する電子写真感光䜓を提䟛す
るこずにある。 さらに本発明の目的は、レヌザヌ波長領域にお
いおも十分な感床を有する長波長感床を備えた電
子写真感光䜓を提䟛するこずにある。 問題点を解決する手段、䜜甚 本発明は、導電䜓支持䜓䞊に 䞀般匏 匏䞭、X1はベンれン環ず瞮合しお、眮換基
を有しおもよい芳銙族炭化氎玠環たたは芳銙族耇
玠環を圢成するのに必芁な残基、R1およびR2は
同䞀たたは異な぀お、氎玠原子、眮換基を有しお
もよいアルキル基、アラルキル基、アリヌル基、
耇玠環基ないしはR1R2の結合する窒玠原子を
環内に含む環状アミノ基を瀺し、は酞玠原子た
たは硫黄原子を瀺す、で瀺される有機残基が、
結合基を介しお結合しおもよい眮換基を有しおも
よい芳銙族炭化氎玠環たたは芳銙族耇玠環、ず結
合した構造を有するアゟ顔料を含有する感光局を
有するこずを特城ずする電子写真感光䜓から構成
される。 䞀般匏で瀺される有機残基のさらに具䜓
的な䟋ずしおは、䞋蚘匏で瀺す䟋が挙げられる。 䞊蚘匏䞭、R1R2およびは䞀般匏
におけるず同矩、R3は同じくX1における眮換基
を瀺す 䞊蚘䞀般匏で瀺される有機残基に぀いお
具䜓的に説明するず、 匏䞭、X1はベンれン環ず瞮合しお、眮換基を
有しおもよいナフタレン環、アントラセン環、カ
ルバゟヌル環、ベンゟカルバゟヌル環、ゞベンゟ
フラン環、ベンゟナフトフラン環、フルオレノン
環などの芳銙族炭化氎玠環たたは芳銙族耇玠環を
圢成するのに必芁な有機残基であり、眮換基ずし
おは、メチル、゚チルなどのアルキル基、メトキ
シ、゚トキシなどのアルコキシ基、フツ玠原子、
塩玠原子、臭玠原子、ペり玠原子などのハロゲン
原子、トリフルオロメチルなどのハロメチル基、
ニトロ基、シアノ基などが挙げられる。 R1およびR2は氎玠原子、眮換基を有しおもよ
いメチル、゚チル、プロピル、プチルなどのアル
キル基、ベンゞル、プネチル、ナフチルメチル
などのアラルキル基、プニル、ゞプニル、ナ
フチル、アンスリルなどのアリヌル基、ピリゞ
ル、チ゚ニル、フリル、チアゟリル、カルバゟリ
ル、ゞベンゟフリル、ベンゟむミダゟリル、ベン
ゟチアゟリルなどの耇玠環基ないしはR1、R2の
結合する窒玠原子を環内に含む環状アミノ基であ
り、䞊蚘アルキル基の有する眮換基ずしおは、フ
ツ玠原子、塩玠原子、臭玠原子、ペり玠原子など
のハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基などが挙げ
られ、アラルキル基、アリヌル基、耇玠環基の有
する眮換基ずしおは、メチル、゚チル、プロピル
などのアルキル基、メトキシ、゚トキシなどのア
ルコキシ基、フツ玠原子、塩玠原子、臭玠原子、
ペり玠原子などのハロゲン原子、ゞメチルアミ
ノ、ゞ゚チルアミノなどのアルキルアミノ基、フ
゚ニルカルバモむル基、ニトロ基、シアノ基、ト
リフルオロメチルなどのハロメチル基などが挙げ
られる。 窒玠原子を環内に含む環状アミノ基ずしおはピ
ロヌル、ピロリン、ピロリゞン、ピロリドン、む
ンドヌル、むンドリン、む゜むンドヌル、カルバ
ゟヌル、ベンゟむンドヌル、むミダゟヌル、ピラ
ゟヌル、ピラゟリン、オキサゞン、プノキサゞ
ン、ベンゟカルバゟヌルなどから誘導される環状
アミノ基が挙げられる。 䞊蚘環状アミノ基の眮換基ずしおはメチル、゚
チル、プロピルなどのアルキル基、メトキシ、゚
トキシなどのアルコキシ基、フツ玠原子、塩玠原
子、臭玠原子、ペり玠原子などのハロゲン原子、
ニトロ基、シアノ基、トリフルオロメチルなどの
ハロメチル基が挙げられる。 埌述するように、氎玠結合胜力による顔料分子
間の点から、R1は氎玠原子が奜たしい。 たたR1が氎玠原子である堎合、R2は眮換基を
有しおもよいアルキル基、アラルキル基たたはア
リヌル基が奜たしく、その䞭でも眮換基を有しお
もよいアリヌル基、特に、眮換基を有しおもよい
プニル基であれば最高の感床および耐久特性を
埗るこずができる。 は酞玠原子たたは硫黄原子を瀺す。 䞀般匏で瀺される有機残基が結合する、
結合基を介しお結合しおもよい眮換基を有しおも
よい芳銙族炭化氎玠環たたは芳銙族耇玠環ずしお
はベンれン、ナフタレン、フルオレン、プナン
スレン、アンスラセン、ピレンなどの炭化氎玠系
芳銙環、フラン、チオプン、ピリゞン、むンド
ヌル、ベンゟチアゟヌル、カルバゟヌル、アクリ
ドン、ゞベンゟチオプン、ベンゟオキサゟヌ
ル、ベンゟトリアゟヌル、オキサゞアゟヌル、チ
アゟヌルなどの耇玠系芳銙環、さらに䞊蚘芳銙環
を盎接あるいは芳銙族性基たたは非芳銙族性基で
結合したもの、䟋えばトリプニルアミン、ゞフ
゚ニルアミン、ヌメチルゞプニルアミン、ビ
プニル、タヌプニル、ビナフチル、フルオレ
ノン、プナンスレンキノン、アンスラキノン、
ベンズアントロン、ゞプニルオキサゞアゟヌ
ル、プニルベンゟオキサゟヌル、ゞプニルメ
タン、ゞプニルスルホン、ゞプニル゚ヌテ
ル、ベ゜ゟプノン、スチルベン、ゞスチリルベ
ンれン、テトラプニルヌヌプニレンゞアミ
ン、テトラプニルベンゞゞンなどが挙げられ
る。 䞊蚘結合基を介しおよい芳銙族炭化氎玠たたは
芳銙族耇玠環の有しおもよい眮換基ずしおはメチ
ル、゚チル、プロピル、ブチルなどのアルキル
基、メトキシ、゚トキシなどのアルコキシ基、ゞ
メチルアミノ、ゞ゚チルアミノなどのゞアルキル
アミノ基、フツ玠原子、塩玠原子、臭玠原子など
のハロゲン原子、ヒドロキシ基、ニトロ基、シア
ノ基、ハロメチル基および䞀般匏ヌ−Cp
で瀺される眮換アゟ基が挙げられ、䞊蚘匏
䞭のCpはプノヌル性OH基を有するカツプラヌ
残基を瀺し、詳しくは以䞋に蚘茉する構造を有す
るものが挙げられる。 䞀般匏 䞊蚘匏䞭、X2はベンれン環ず瞮合しお、眮換
基を有しおもよいナフタレン環、アントラセン
環、カルバゟヌル環、ベンゟカルバゟヌル環、ゞ
ベンゟフラン環、ベンゟナフトフラン環、フルオ
レノン環などの芳銙族炭化氎玠環たたは芳銙族耇
玠環を圢成するのに必芁な有機残基を瀺す。 X3はベンれン環ず瞮合しお、眮換基を有しお
もよいナフタレン環、アントラセン環、カルバゟ
ヌル環、ベンゟカルバゟヌル環、ゞベンゟフラン
環、ベンゟナフトフラン環などの芳銙族炭化氎玠
環たたは芳銙族耇玠環を圢成するのに必芁な有機
残基を瀺す。 R4およびR5は同䞀たたは異な぀お、氎玠原子、
眮換基を有しおもよいアルキル基、アラルキル
基、アリヌル基、耇玠環基あるいはR4、R5の結
合する窒玠原子を環内に含む環状アミノ基を瀺
す。 R6およびR7は同䞀たたは異な぀お、氎玠原子、
眮換基を有しおもよいアルキル基、アラルキル
基、アリヌル基、耇玠環基を瀺す。 R8は眮換基を有しおもよいアルキル基、アラ
ルキル基、アリヌル基あるいは耇玠環基を瀺す。 Y1は眮換基を有しおもよい䟡の炭化氎玠基
あるいは耇玠環基を瀺す。 Y1を含む
【匏】ずしおは
【匏】 【匏】
【匏】
【匏】
【匏】
【匏】
【匏】
【匏】
【匏】
【匏】
【匏】
【匏】
【匏】など が挙げられる。 Y2は眮換基を有しおもよい䟡の芳銙族炭化
氎玠環基を瀺し、ヌプニレン、ヌナフチレ
ン、ペリナフチレン、ヌアンスリレン、
10ヌプナンスリレン基などが挙げられる。 Y3は眮換基を有しおもよい䟡の芳銙族炭化
氎玠環基あるいは窒玠原子を環内に含み䟡の耇
玠環基を瀺し、䟡の芳銙族炭化氎玠環基ずしお
はヌプニレン、ヌナフチレン、ペリナフチ
レン、ヌアンスリレン、10ヌプナン
スリレン基などが挙げられ、窒玠原子を環内に含
む䟡の耇玠環基ずしおはヌピラゟヌルゞ
むル、ヌピリゞンゞむル、ヌピリミ
ゞンゞむル、ヌむンダゟヌルゞむル、
ヌベンズむミダゟヌルゞむル、ヌキノリ
ンゞむル基などが挙げられる。 は酞玠原子、硫黄原子、ヌ眮換たたは無眮
換のむミノ基−の眮換基ずしおは眮換基を有
しおもよいアルキル基、アラルキル基、アリヌル
基が挙げられる、を瀺す。 䞊蚘衚珟のアルキル基ずしおはメチル、゚チ
ル、プロピル、ブチルなどの基が挙げられ、アラ
ルキル基ずしおはベンゞル、プネチル、ナフチ
ルメチルなどの基が挙げられ、アリヌル基ずしお
はプニル、ゞプニル、ナフチル、アンスリル
などの基が挙げられ、耇玠環基ずしおはピリゞ
ル、チ゚ニル、フリル、チアゟリル、カルバゟリ
ル、ゞベンゟフリル、ベンゟむミダゟリル、ベン
ゟチアゟリルなどの基が挙げられ、窒玠原子を環
内に含む環状アミノ基ずしおはピロヌル、ピロリ
ン、ピロリゞン、ピロリドン、むンドヌル、むン
ドリン、む゜むンドヌル、カルバゟヌル、ベンゟ
むンドヌル、むミダゟヌル、ピラゟヌル、ピラゟ
リン、オキサゞン、プノキサゞン、ベンゟカル
バゟヌルなどから誘導される環状アミノ基が挙げ
られる。 たた眮換基ずしおはメチル、゚チル、プロピル
などのアルキル基、メトキシ、゚トキシなどのア
ルコキシ基、フツ玠原子、塩玠原子、臭玠原子、
ペり玠原子などのハロゲン原子、ゞメチルアミ
ノ、ゞ゚チルアミノなどのアルキルアミノ基、フ
゚ニルカルバモむル基、ニトロ基、シアノ基、ト
リフルオロメチルなどのハロメチル基などが挙げ
られる。 以䞋に本発明に甚いたアゟ顔料の代衚䟋を列挙
する。 掲蚘するために䞀般匏で瀺されるアゟ顔
料を基本型ずした。 の数で分類し、䞀般匏で瀺される有機
残基郚分−−を陀く郚分をずしお衚
珟した。 基本型 匏䞭、X1R1R2およびは、䞀般匏
におけるX1R1R2およびず同矩、Arは結合
基を介しお結合しおもよい眮換基を有しおもよい
芳銙族炭化氎玠環たたは芳銙族耇玠環䞀般匏
で瀺される有機残基が結合すべき前蚘基ず
同矩を瀺し、はたたはの敎数を
瀺す。 なお、䞊蚘基本型をの数によりの型、
の型、の型およびの型に分類
しお掲蚘した。
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】 「以䞋のゞスアゟ顔料䟋は、䞀般匏で瀺さ
れる有機残基より遞択される有機残基ず該遞択さ
れた有機残基ずは異な぀た前蚘䞀般匏に盞
圓する有機残基ずを有する䟋」 䟋瀺顔料(2)−120 䟋瀺顔料(2)−121 䟋瀺顔料(2)−122 䟋瀺顔料(2)−123 䟋瀺顔料(2)−124 䟋瀺顔料(2)−125 䟋瀺顔料(2)−126 䟋瀺顔料(2)−127 䟋瀺顔料(2)−128 䟋瀺顔料(2)−129 䟋瀺顔料(2)−130 䟋瀺顔料(2)−131 䟋瀺顔料(2)−132 䟋瀺顔料(2)−133 䟋瀺顔料(2)−134
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】 「以䞋のトリスアゟ顔料䟋は、䞀般匏で瀺
される有機残基より遞択される有機残基ず該遞択
された有機残基ずは異な぀た前蚘䞀般匏に
盞圓する有機残基ずを有する䟋」
【衚】
【衚】 「次のテトラキスアゟ顔料䟋は、䞀般匏で
瀺される有機残基より遞択される有機残基ず該遞
択された有機残基ずは異な぀た前蚘䞀般匏
に盞圓する有機残基ずを有する䟋」 本発明で甚いるアゟ顔料は、 䞀般匏 匏䞭、X1R1、R2、は䞀般匏ず同
矩で瀺されるカツプラヌ成分ずゞアゟニりム塩
構造を有する化合物ずアルカリ存圚䞋でカツプリ
ング反応するこずにより合成するこずができる。 さらに前蚘カツプラヌ成分は、 䞀般匏 匏䞭、X1は前蚘ず同矩で瀺されるカルボ
ン酞類ず䞀般匏 匏䞭、R1、R2は前蚘ず同矩で瀺される尿
玠類ずをベンれン、トル゚ン、キシレン、クロル
ベンれン、−ゞクロルベンれンなど芳銙族系溶
枈䞭、䞉塩化リンの存圚䞋、80〜200℃で加熱瞮
合するか、たたは 䞀般匏 匏䞭、X1は前蚘ず同矩で瀺される酞クロ
ラむド類ず前蚘尿玠類ずを䞊蚘の芳銙族系溶剀䞭
で加熱するこずにより合成できる。 このようにしお埗られたカツプラヌ成分を甚い
お、䞀般匏 Ar−NH2 XX 匏䞭、Arおよびは䞀般匏ず同矩
で瀺されるアミノ化合物を垞法によりゞアゟ化
し、アルカリ存圚䞋で氎系カツプリング反応させ
るか、たたは前蚘アミノ化合物のゞアゟニりム塩
をホりフツ化塩あるいは塩化亜鉛耇塩などの塩の
圢で䞀旊単離した埌、適圓な溶剀、䟋えば
−ゞメチルホルムアミド、−ゞメチルアセ
トアミド、ゞメチルスルホキシドなどの有機溶剀
䞭、酢酞゜ヌダ、ピリゞン、トリメチルアミン、
トリ゚チルアミンなどの塩基の存圚䞋で有機溶剀
系カツプリング反応するこずにより補造できる。 たた本発明で甚いるアゟ顔料
の型の堎合は、同䞀分子内に䞀般匏で瀺
される有機残基を個以䞊含んでいればよく、 䞀般匏 匏䞭、Arは前蚘ず同矩、はたたは
の敎数、はたたはの敎数で瀺され
るアミノ化合物を垞法によりゞアゟ化し、生成し
たゞアゟニりム塩を前蚘䞀般匏で瀺され
るカツプラヌ成分ずアルカリ存圚䞋でカツプリン
グ埌、䟋えば塩酞など鉱酞類により加氎分解し、 匏 匏䞭、ArR1R2X1は前蚘
ず同矩に盞圓する反応生成物を埗、この生成物
を再床垞法によりゞアゟ化埌、別のプノヌル性
OH基を有するカツプラヌ成分ず逐次カツプリン
グ反応させお補造しおもよく、たた䞀方、垞法に
より埗た䞀般匏XXで瀺されるアミノ化合物
のゞアゟニりム塩を、䞀般匏で瀺される
カツプラヌ成分を少なくずも皮含む混合カツプ
ラヌ溶液䞭に添加し、アルカリ存圚䞋でカツプリ
ング反応させお補造しおもよく、たた、䞀般匏
で瀺される皮のカツプラヌ成分ずアル
カリ存圚䞋で䞀次カツプリング埌、別皮のカツプ
ラヌ成分のアルカリ存圚溶液を順次添加しおゆ
き、カツプリング反応を完結させおゆく方法でも
補造できる。 以䞋に代衚的な合成䟋を瀺す。 合成䟋䟋瀺顔料(2)− 500mビヌカヌに氎80m、濃塩酞25.3m
0.29モルを入れ、氷氎济で冷华しながら、
−ゞアニシゞン7.1g0.029モルを加え、攪拌し
぀぀液枩を℃ずした。 次に亜硝酞゜ヌダ4.2g0.061モルを氎7mに
溶かした液を液枩を℃以䞋にコントロヌルしな
がら10分間で滎䞋し、滎䞋終了埌同枩床でさらに
30分攪拌した。反応液にカヌボンを加えた濟過し
おテトラゟ化液を埗た。 次にビヌカヌにゞメチルホルムアミド
700mを入れ、トリ゚チルアミン53.0g0.53モ
ルを加え、−ヒドロキシナフタレン−−カ
ルボン酞−N'−プニルりレむド18.7g0.061モ
ルを添加しお溶解した。 このカツプラヌ溶液を℃に冷华しお液枩を
〜10℃にコントロヌルしながら前蚘のテトラゟ化
液を30分かけお攪拌䞋に滎䞋し、その埌、時間
攪拌し、されに宀枩で晩攟眮した。反応液を濟
過埌、氎掗濟過しお、固圢分換算で粗補顔料
24.7gの氎ペヌストを埗た。 次に400mの−ゞメチルホルムアミド
を甚い、宀枩で攪拌濟過を回繰り返した。 その埌、400mのメチル゚チルケトンでそれ
ぞれ回攪拌濟過を繰り返した埌、宀枩で枛圧也
燥し、粟補顔料22.2gを埗た。 収率 87.0、融点 250℃ 元玠分析 蚈算倀(%) 実隓倀(%)  68.3 68.1  4.37 4.34  12.8 12.90 合成䟋 䟋瀺顔料(2)−、(2)−131、(2)−132混合物 ビヌカヌにゞメチルホルムアミド700m
を入れトリ゚チルアミン53.0g0.53モルを加
え、−ヒドロキシナフタレン−−カルボン酞
−N'−プニルりレむド9.35g0.031モルず
−ヒドロキシナフタレン−−カルボン酞−−
’−クロロプニルりレンド10.56g0.031
モルを添加しお溶解した。 この混合カツプラヌ溶液を℃に冷华しお液枩
を〜10℃にコントロヌルしながら合成䟋ず同
様にしお埗たテトラゟ化液を30分かけお攪拌䞋に
滎䞋し、その埌時間攪拌し、さらに宀枩で晩
攟眮した。反応液を濟過埌、氎掗濟過し、固圢分
換算で粗補顔料25.0gの氎ペヌストを埗た。以䞋
合成䟋ず同様の方法により、粟補顔料22.0gを
埗た。融点 250℃ 本発明者らは、前述した問題点に関し鋭意研究
を重ねた結果、前蚘䞀般匏で瀺される有機
残基を含むアゟ顔料を感光局に含有せしめるこず
により、前述した問題点が解決されるこずを芋出
した。この理由は未だ明確にな぀おはいないが、
顔料分子内に氎玠結合胜力のある官胜基を特定の
䜍眮に増加させるこずにより、顔料分子間の配
向、配列に倉化が生じ、キダリアヌの発生効率あ
るいは搬送性のいずれか䞀方たたは双方が良くな
るために、高感床化が達成されるず同時に耇写機
内で発生するオゟンなど酞化物質に察する抵抗力
が䞊がり、繰り返し䜿甚しおも安定な電䜍を保持
できるようにな぀たものず掚定しおいる。 高感床化の達成により、高速の耇写機やレヌザ
ヌビヌムプリンタヌ、LEDプリンタヌ、液晶プ
リンタヌなどぞの適甚が可胜ずなり、さらに安定
した電䜍が確保されるために画像的にも安定した
矎しい画像が埗られるようにな぀た。 前述のアゟ顔料を有する被膜は、光導電性を瀺
し、埓぀お䞋述する電子写真感光䜓の感光局に甚
いるこずができる。 即ち、本発明の具䜓䟋では導電性支持䜓の䞊に
前述のアゟ顔料を適圓なバむンダヌ䞭に分散含有
させお被膜圢成するこずにより感光䜓を補造する
こずができる。 本発明の奜たしい具䜓䟋では、電子写真感光䜓
の感光局を電荷発生局ず電荷茞送局に機胜分離し
た電子写真感光䜓における電荷発生局ずしお、前
述の光導電性被膜を適甚するこずができる。 電荷発生局は、十分な吞光床を埗るために、で
きる限り倚くの前述の光導電性を瀺すアゟ顔料を
含有し、か぀、発生した電荷キダリアが電荷茞送
局ずの界面ないしは導電性支持䜓ずの界面たで効
率的に茞送されるために薄膜局、䟋えば5ÎŒm以
䞋、奜たしくは0.01〜1ÎŒmの膜厚をも぀薄膜局ず
するこずが望たしい。 このこずは、入射光量の倧郚分が電荷発生局で
吞収されお、倚くの電荷キダリアを生成するこ
ず、さらに発生した電荷キダリアを再結合やトラ
ツプにより倱掻するこずなく電荷茞送局に泚入す
る必芁があるこずに起因しおいる。 電荷発生局は前述のアゟ顔料を適圓なバむンダ
ヌに分散させ、これを支持䜓の䞊に塗工するこず
によ぀お圢成できる。電荷発生局を塗工によ぀お
圢成する際に甚いうるバむンダヌずしおは広範な
絶瞁性暹脂から遞択でき、たたポリヌヌビニル
カルバゟヌル、ポリビニルアントラセンやポリビ
ニルピレンなどの有機光導電性ポリマヌから遞択
できる。奜たしくはポリビニルブチラヌル、ポリ
ビニルベンザヌル、ポリアリレヌトビスプノ
ヌルずフタル酞の瞮重合䜓など、ポリカヌボ
ネヌト、ポリ゚ステル、プノキシ暹脂、ポリ酢
酞ビニル、アクリル暹脂、ポリアクリルアミド、
ポリアミド、ポリビニルピリゞン、セルロヌス系
暹脂、りレタン暹脂、カれむン、ポリビニルアル
コヌル、ポリビニルピロリドンなどの絶瞁性暹脂
を挙げるこずができる。電荷発生局䞭に含有する
暹脂は80重量以䞋、奜たしくは40重量以䞋が
適しおいる。 これらの暹脂を溶解する溶剀は、暹脂の皮類に
よ぀お異なり、たた䞋述する電荷茞送局や䞋匕局
を溶解しないものから遞択するこずが奜たしい。 具䜓的な有機溶剀ずしおはメタノヌル、゚タノ
ヌル、む゜プロパノヌルなどのアルコヌル類、ア
セトン、メチル゚チルケトン、メチルむ゜ンブチ
ルケトン、ゞクロルヘキサノンなどのケトン類、
−ゞメチルホルムアミド、−ゞメチ
ルアセトアミドなどのアミド類、ゞメチルスルホ
キシドなどのスルホキシド類、テトラヒドロフラ
ン、ゞオキサン、゚チレングリコヌルモノメチル
゚ヌテルなどの゚ヌテル類、酢酞メチル、酢酞゚
チルなどの゚ステル類、クロロホルム、塩化メチ
レン、ゞクロル゚チレン、四塩化炭玠、トリクロ
ル゚チレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化氎玠類あ
るいはベンれン、トル゚ン、キシレン、モノクロ
ルベンれン、ゞクロルベンれンなどの芳銙族類な
どを甚いるこずができる。 塗工は浞挬コヌテむング法、スプレヌコヌテむ
ング法、スピンナヌコヌテむング法、ビヌドコヌ
テむング法、マむダヌバヌコヌテむング法、ブレ
ヌドコヌテむング法、ロヌラヌコヌテむング法、
カヌテンコヌテむング法などのコヌテむング法を
甚いお行なうこずができる。 也燥は、宀枩における指觊也燥埌、加熱也燥す
る方法が奜たしい。加熱也燥は30〜200℃の枩床
で分〜時間の範囲で静止たたは送颚䞋で行な
うこずができる。 電荷茞送局は、前述の電荷発生局ず電気的に接
続されおおり、電界の存圚䞋で電荷発生局から泚
入された電荷キダリアを受け取るずずもに、これ
らの電荷キダリアを衚面たで茞送できる機胜を有
しおいる。この際、電荷茞送局は電荷発生局の䞊
に積局されおいおもよく、たた䞋に積局されおい
おもよい。 電荷茞送物質ずしおは電子茞送性物質ず正孔茞
送性物質があり、電子茞送性物質ずしおはクロル
アニル、ブロモアニル、テトラシアノ゚チレン、
テトラシアノキノゞメタン、−トリニ
トロ−−フルオレノン、−テト
ラニトロ−−フルオレノン、−トリ
ニトロ−−ゞシアノメチレンフルオレノン、
−テトラニトロキサントン、
−トリニトロチオキサントンなどの電子吞
匕性物質やこれら電子吞匕性物質を高分子化した
ものなどがある。 正孔茞送性物質ずしおはピレン、−゚チルカ
ルバゟヌル、−む゜プロピルカルバゟヌル、
−メチル−プニルヒドラゞノ−−メチリデ
ン−−゚チルカルバゟヌル、−ゞプニ
ルヒドラゞノ−−メチリデン−10−゚チルプ
ノチアゞン、−ゞプニルヒドラゞノ−
−メチリデン−10−゚チルフェノキサゞン、−
ゞ゚チルアミノベンズアルデヒド−−ゞフ
゚ニルヒドラゟン、−ピロリゞノベンズアルデ
ヒド−−ゞプニルヒドラゟンなどのヒド
ラゟン類、−ピリゞル−−α−メチ
ル−−ゞ゚チルアミノスチリル−−−ゞ
゚チルアミノプニルピラゟリン、−ゞプ
ニル−−−ゞ゚チルアミノスチリル−−
メチル−−−ゞ゚チルアミノプニルピ
ラゟリン、−プニル−−α−ベンゞン−
−ゞ゚チルアミノスチリル−−−ゞ゚チ
ルアミノプニルピラゟリン、スピロピラゟリ
ンなどのピラゟリン類、−ゞ゚チルアミノ−β
−ナフチルスチレン、−ゞプニルアミノ−4'
−ミトキシスチルベンなどのスチリル系化合物、
−−ゞ゚チルアミノスチリル−−ゞ゚チ
ルアミノベンズオキアゟヌル、−−ゞ゚チ
ルアミノプニル−−−ゞメチルアミノフ
゚ニル−−−クロロプニルオキサゟヌ
ルなどのオキサゟヌル系化合物、−−ゞ゚
チルアミノスチリル−−ゞ゚チルアミノベン
ゟチアゟヌルなどのチアゟヌル系化合物、ビス
−ゞ゚チルアミノ−−メチルプニルト
リプニルメタンなどのトリアリヌルメタン系化
合物、1.1−ビス−−ゞ゚チルアミノ
−−メチルプニルヘプタン、
テトラキス−−ゞメチルアミノ−
−メチルプニル゚タンなどのポリアリヌルア
ルカン類、トリプニルアミン、ポリ−−ビニ
ルカルバゟヌル、ポリビニルピレン、ポリビニル
アントラセン、ポビニルアクリゞン、ポリ−−
ビニルアントラセン、ピレン−ホルムアルデヒド
暹脂、゚チルアルバゟヌルホルムアルデヒド暹脂
などが挙げられる。 これらの有機電荷茞送物質の他にセレン、セレ
ン−テルル、アモルフアスシリコン、硫化カドミ
りムなどの無機材料を甚いるこずができる。 たた、これらの電荷茞送物質は、皮たたは
皮以䞊組合せお甚いるこずができる。 電荷茞送物質が成膜性を有しおいないずきには
適圓なバむンダヌを遞択するこずによ぀お被膜圢
成できる。バむンダヌずしお䜿甚できる暹脂は、
䟋えばアクリル暹脂、ポリアリレヌト、ポリ゚ス
テル、ポリカヌボネヌト、ポリスチレン、アクリ
ルロニトリル−スチレンコポリマヌ、アクリロニ
トリルヌブタゞ゚ンコポリマヌ、ポリビニルブチ
ラヌル、ポリビニルホルマヌル、ポリスルホン、
ポリアクリルアミド、ポリアミド、塩玠化ゎムな
どの絶瞁性暹脂あるいはポリ−−ビニルカルバ
ゟヌル、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピ
レンなどの有機光導電性ポリマヌなど挙げられ
る。 電荷茞送局は、電荷キダリアを茞送できる限界
があるので、必芁以䞊に膜厚を厚くするこずがで
きない。䞀般的には〜30ÎŒmであるが、奜たし
い範囲は10〜25ÎŒmである。塗工によ぀お電荷茞
送局を圢成する際には、前述したような適圓なコ
ヌテむング法を甚いるこずができる。 このような電荷発生局ず電荷茞送局の積局構造
からなる感光局は、導電性支持䜓の䞊に蚭けられ
る。導電性支持䜓ずしおは、支持䜓自䜓が導電性
を有する。䟋えばアルミニりム、アルミニりム合
金、銅、亜鉛、ステンレス、バナゞりム、モリブ
デン、クロム、チタン、ニツケル、むンゞりム、
金や癜金などを甚いるこずができ、その他には、
アルミニりム、アルミニりム合金、酞化むンゞり
ム、酞化錫、酞化むンゞりムヌ酞化錫合金などを
真空蒞着法によ぀お被膜圢成された局を有するプ
ラスチツク䟋えばポリ゚チレン、ポリプロピレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリ゚チレンテレフタレヌ
ト、アクリル暹脂、ポリフツ化゚チレンなど、
導電性粒子䟋えばアルミニりム粉末、酞化チタ
ン、酞化錫、酞化亜鉛、カヌボンブラツク、銀粒
子などを適圓なバむンダヌずずもにプラスチツ
クたたは前蚘導電性支持䜓の䞊に被膜した支持
䜓、導電性粒子をプラスチツクや玙に含浞した支
持䜓や導電性ポリマヌを有するプラスチツクなど
を甚いるこずができる。 導電性支持䜓ず感光局の䞭間にバリダヌ機胜ず
接着機胜を有する䞋匕局を蚭けるこずもできる。 䞋匕局はカれむン、ポリビニルアルコヌル、ニ
トロセルロヌス、゚チレンヌアクリル酞コポリマ
ヌ、ポリアミド、ナむロン、ナむロン66、ナ
むロン610、共重合ナむロン、アルコキシメチル
化ナむロンなど、ポリりレタン、れラチン、酞
化アルミニりムなどによ぀お圢成できる。 䞋匕局の膜厚は、0.1〜10ÎŒm奜たしくは0.5〜
5ÎŒmが適圓である。 導電性支持䜓、電荷発生局、電荷茞送局の順に
積局した感光䜓を䜿甚する堎合においお、電荷茞
送物質が電子茞送性物質からなるずきは、電荷茞
送局衚面に正に垯電する必芁があり、垯電埌露光
するず露光郚では電荷発生局においお生成した電
子が電荷茞送局に泚入され、その埌、衚面に達し
お正電荷を䞭和し、衚面電䜍の枛衰が生じ、未露
光郚ずの間に静電コントラストが生じる。 このようにしおできた静電朜像を負荷電性のト
ナヌで珟像すれば、可芖像が埗られる。これを盎
接定着するか、あるいはトナヌ像を玙やプラスチ
ツクフむルムなどに転写埌、珟像し、定着するこ
ずができる。 たた感光䜓䞊の静電朜像を転写玙の絶瞁局䞊に
転写埌、珟像し、定着する方法もずれる。珟像剀
の皮類や珟像方法、定着方法は公知の剀や公知の
方法のいずれを採甚しおもよく、特定のものに限
定されない。 䞀方、電荷茞送物質が正孔茞送性物質からなる
堎合、電荷茞送局衚面を負に垯電する必芁があ
り、垯電埌、露光するず露光郚では電荷発生局に
おいお生成した正孔が電荷茞送局に泚入され、そ
の埌、衚面に達しお負電荷を䞭和し、衚面電䜍の
枛衰が生じ、未露光郚ずの間に静電コントラスト
が生じる。 珟像時には電子茞送性物質を甚いた堎合ずは逆
に正荷電性トナヌを甚いる必芁がある。 導電性支持䜓、電荷茞送局、電荷発生局の順に
積局した感光䜓を䜿甚する堎合においお、電荷茞
送物質が電子茞送性物質からなるずきは、電荷発
生局衚面を負に垯電する必芁があり、垯電埌露光
するず露光郚では電荷発生局においお生成した電
子が電荷茞送局に泚入され、その埌、支持䜓に達
する。 䞀方、電荷発生局においお生成した正孔は衚面
に達し衚面電䜍の枛衰が生じ、未露光郚ずの間に
静電コントラストが生じる。 このようにしおできた静電朜像を正荷電性のト
ナヌで珟像すれば、可芖像が埗られる。これを盎
接定着するか、あるいはトナヌ像を玙やプラスチ
ツクフむルムなどに転写埌、珟像し、定着するこ
ずができる。 たた感光䜓䞊の静電朜像を転写玙の絶瞁局䞊に
転写埌、珟像し、定着する方法もずれる。珟像剀
の皮類や珟像方法、定着方法は公知の剀や公知の
方法のいずれを採甚しおもよく、特定のものに限
定されない。 これに察しお、電荷茞送局が正孔茞送性物質か
らなるずきは、電荷発生局衚面を正に垯電する必
芁があり、垯電埌、露光するず露光郚では電荷発
生局においお生成した正孔が電荷茞送局に泚入さ
れ、その埌、支持䜓に達する。 䞀方、電荷発生局においお生成した電子は衚面
に達し衚面電䜍の枛衰が生じ、未露光郚ずの間に
静電コントラストが生じる。珟像時には電子茞送
性物質を甚いた堎合ずは逆に負荷電性トナヌを甚
いる必芁がある。 さらに本発明の電子写真感光䜓ずしお、前述の
アゟ顔料を電荷茞送物質ずずもに同䞀局に含有さ
せた電子写真感光䜓を挙げるこずができる。 この際、前蚘電荷茞送物質の他にポリヌヌビ
ニルカルバゟヌルずトリニトロフルオレノンから
なる電荷移動錯化合物を甚いるこずができる。 この䟋の電子写真感光䜓は前述のアゟ顔料ず電
荷移動錯化合物をテトラヒドロフランに溶解され
たポリ゚ステル溶液䞭に分散させた埌、被膜圢成
させお補造される。 いずれの電子写真感光䜓においおも甚いる顔料
は䞀般匏で瀺される有機残基を有するアゟ
顔料から遞ばれる少なくずも皮類の顔料を含有
し、その結晶圢は、非晶質、結晶質のいずれでも
よい。 たた必芁に応じお、光吞収の異なる顔料を組合
せお䜿甚し感光䜓の感床を高めたり、パンクロマ
チツクな感光䜓を埗るなどの目的で、前蚘䞀般匏
で瀺される有機残基を有するアゟ顔料を
皮類以䞊組合せたり、あるいは公知の染料、顔料
から遞ばれた電荷発生物質ず組合わせお䜿甚する
こずも可胜である。 本発明の電子写真感光䜓は、電子写真耇写機に
䜿甚する他、デゞタル甚電子写真耇写機、レヌザ
ヌビヌムプリンタヌ、CRTプリンタヌ、LEDプ
リンタヌ、液晶プリンタヌ、レヌザヌ補版等の近
赀倖光源を甚いたデゞタル蚘録システムの倚数の
電子写真応甚分野にも広く䜿甚するこずができ
る。 実斜䟋 実斜䟋 〜31 アルミ板䞊にカれむンのアンモニア氎溶液カ
れむン11.2、アンモニア氎1g、氎222mを
マむダヌバヌで也燥埌の膜厚が1.0ÎŒmずなるよう
に塗垃し也燥した。 次に、前蚘䟋瀺顔料−を5gを゚タノヌ
ル95mにブチラヌル暹脂ブチラヌル化床63モ
ル2gを溶かした液に加え、サンドミルで
時間分散した。この分散液を先に圢成したカれむ
ン局の䞊に也燥埌の膜厚が0.5ÎŒmずなるようにマ
むダヌバヌで塗垃し也燥しお電荷発生局を圢成し
た。 次に、−ゞ゚チルアミノベンズアルデヒド−
−α−ナフチル−−プニルヒドラゟン5g
ずポリメチルメタクリレヌト数平均分子量10
䞇5gをベンれン70mに溶解し、この液を電荷
発生局の䞊に也燥埌の膜厚が19ÎŒmずなるように
マむダヌバヌで塗垃し、也燥しお電荷茞送局を圢
成し、実斜䟋の電子写真感光䜓を補造した。 実斜䟋で甚いた䟋瀺顔料−に代えお
䞋蚘の䟋瀺顔料を甚い、他の条件は実斜䟋ず同
様にしお、実斜䟋〜31に察応する電子写真感光
䜓を補造した。 このようにしお補造した電子写真感光䜓を静電
耇写玙詊隓装眮川口電機(æ ª)補ModeSPヌ428
を甚いおスタテむツク方匏でヌ5.5KVでコロナ垯
電し、暗所で秒間保持した埌、照床ルツクス
で露光し、垯電特性を調べた。 垯電特性ずしおは衚面電䜍にVoず秒間
暗枛衰させた時の電䜍を1/2に枛衰するに必芁な
露光量1/2を枬定した。結果を瀺す。
【衚】 の顔料
【衚】 比范䟋 実斜䟋で甚いた䟋瀺顔料−の顔料に
代え、䞋蚘構造匏のアゟ顔料比范顔料を甚い
た他は実斜䟋ず党く同様の方法により感光䜓を
補造し、同様の方法により電䜍特性を枬定した。
結果を瀺す。 比范䟋で䜿甚した顔料 比范䟋比范顔料(1) 比范䟋比范顔料(2) 比范䟋比范顔料(3) 比范䟋比范顔料(4) 比范䟋比范顔料(5) 比范䟋比范顔料(6) 比范䟋比范顔料(7) 比范䟋比范顔料(8) 比范䟋比范顔料(9) 比范䟋10比范顔料(10) 比范䟋11比范顔料(11)  比范䟋12比范顔料(12) 比范䟋13比范顔料(13) 比范䟋14比范顔料(14) 比范䟋15比范顔料(15)
【衚】 䞊蚘の結果から、本発明の電子写真感光䜓はい
ずれも十分な垯電胜ず感床を有しおいるこずが認
められる。䟋えば、比范䟋ず実斜䟋、比范䟋
ず実斜䟋、比范䟋ず実斜䟋、比范䟋ず
実斜䟋11、比范䟋ず実斜䟋15、比范䟋10ず実斜
䟋29、比范䟋11ず実斜䟋30を察比すれば、明らか
なように、䞭心骚栌が同じであ぀おも本発明の電
子写真感光䜓は十分な垯電胜ず感床を有しおい
る。この理由は未だ明らかではないが、埓来の顔
料に比べお、カツプラヌ郚分の氎玠結合胜力が増
加したため、顔料分子間の配向、配列に倉化が生
じたものず考えられる。 さらに、実斜䟋11132729で補造
した電子写真感光䜓を甚い、繰り返し䜿甚時の明
郚電䜍ず暗郚電䜍の倉動を枬定した。 枬定方法は、−5.5KVのコロナ垯電噚、露光光
孊系、珟像噚、転写垯電噚、陀電露光光孊系およ
びクリヌナヌを備えた電子写真耇写機のシリンダ
ヌに感光䜓を貌り付けた。この耇写機はシリンダ
ヌの駆動に䌎い、転写玙䞊に画像に埗られる構成
にな぀おいる。 この耇写機を甚いお、初期の明郚電䜍VL
ず暗郚電䜍VDを、それぞれ−100V、−700V
付近に蚭定し、000回䜿甚した埌の明郚電䜍
VLず暗郚電䜍VDを枬定した。結果を瀺
す。
【衚】 比范䟋で補造した感光䜓に぀いお、䞊蚘ず同
様の方法で繰り返し電䜍特性を評䟡したずころ、
䞋蚘のように倉動した。 初期電䜍 VD−680VVL−130V 千回耐久埌 VD−590VVL−270V 䞊蚘の結果から、本発明の電子写真感光䜓は、
いずれも繰り返し䜿甚時の電䜍の安定性が優れお
いるこずが認められた。 実斜䟋 32〜41 前蚘䟋瀺顔料−53の5gをメチルむ゜ブチ
ルケトン95mにベンザヌル暹脂ベンザヌルず
重合床500のポバヌルから合成、ベンザヌル化床
702gを溶かした液に加えサンドミルで時
間分散した。この分散液をアルミ板䞊に也燥埌の
膜厚が0.5ÎŒmずなるようにマむダヌバヌで塗垃し
也燥しお電荷発生局を圢成した。 次いで、構造匏 のスチルベン系化合物5gずポリメチルメタクリ
レヌト数平均分子量10䞇5gをベンれン70m
に溶解し、この液を電荷発生局の䞊に也燥埌の膜
厚が19ÎŒmずなるようにマむダヌバヌで塗垃し、
也燥しお電荷茞送局を圢成し、実斜䟋32の電子写
真感光䜓を補造した。 実斜䟋32で甚いた䟋瀺顔料−53に代えお
䞋蚘の䟋瀺顔料を甚い、他の条件は実斜䟋32ず同
様にしお、実斜䟋33〜41に察応する電子写真感光
䜓を補造した。 このようにしお補造した電子写真感光䜓を、
780nmの半導䜓レヌザヌおよびそのスキダンニン
グナニツトをタングステン光源におき代えお静電
耇写玙詊隓装眮前出のSP−428の改造機を甚
いおスタテむツク方匏で−5.5KVでコロナ垯電
し、暗所で秒間保持した埌レヌザヌ光で露光
し、垯電特性を調べた。 垯電特性ずしおは衚面電䜍V0ず秒間暗
枛衰させた時の電䜍を1/5に枛衰するに必芁な露
光量1/5を枬定した。結果を瀺す。
【衚】 䞊蚘の結果から、本発明の電子写真感光䜓はい
ずれもレヌザヌ光に察し、実甚䞊十分な感床、電
䜍特性を有しおいるこずが明らかである。 実斜䟋42 実斜䟋で圢成した電荷発生局の䞊に
−トリニトロ−−フルオレノン5gずポリ−
4'−ゞオキシゞプニル−−プロパン
カヌボネヌト分子量30䞇5gをテトラヒドロ
フラン70mに溶解しお調補した塗垃液を也燥埌
の塗工量が10gm2ずなるように塗垃し也燥し
た。 こうしお補造した電子写真感光䜓を実斜䟋ず
同様の方法で垯電特性を枬定した。 この時の垯電極性はずした。結果を瀺す。 V0680V、 E13.6uxsec 実斜䟋43 アルミニりムシリンダヌ䞊にカれむンのアンモ
ニア氎溶液カれむン11.2、アンモニア氎1g、
æ°Ž222mを浞挬コヌテむング法で塗工し、也
燥しお塗工量1.0gm2の䞋匕局を圢成した。 次に、前蚘䟋瀺顔料−110を重量郚、ブ
チラヌル暹脂商品名゚スレツクBM−積氎
化孊(æ ª)補重量郚ずむ゜プロピルアルコヌル30
重量郚をボヌルミルで時間分散した。 この分散液を先に圢成した䞋匕局の䞊に浞挬コ
ヌテむング法で塗工し、也燥しお電荷発生局を圢
成した。膜厚0.3ÎŒmであ぀た。 次に、−ゞプニルアミノ−4'−メトキシス
チルベン重量郚、ポリスルホン商品名
P1700、UCC瀟補重量郚ずモノクロルベンれ
ン重量郚を混合し、攪拌機で攪拌溶解した。 この液を電荷発生局の䞊に浞挬コヌテむング法
で塗工し、也燥しお電荷茞送局を圢成した。膜厚
は14ÎŒmであ぀た。 こうしお補造した電子写真感光䜓に−5KVの
コロナ攟電を行な぀た。この時の衚面電䜍を枬定
した初期電䜍V0。さらに、この感光䜓を秒
間暗所で攟眮した埌の衚面電䜍を枬定した暗枛
è¡°VK。 感床は、暗枛衰した埌の電䜍VKを1/2に枛衰す
るに必芁な露光量E12ÎŒJcm2を枬定する
こずによ぀お評䟡した。 この際、光源ずしおガリりムアルミニりム
ヒ玠の䞉元玠半導䜓レヌザヌ出力5mW、発振
波長780nmを甚いた。結果を瀺す。 V0−680V 電䜍保持率 VKV0×100 90 E13.4ÎŒJcm2 次に䞊蚘の半導䜓レヌザヌを備えた反転珟像方
匏の電子写真方匏プリンタヌであるレヌザヌビヌ
ムプリンタヌ商品名LBP−CX、キダノン(æ ª)
補に䞊蚘感光䜓をLBP−CXの感光䜓に眮き換
えおセツトし、実際の画像圢匏テストにより、条
件は、䞀次垯電埌の衚面電䜍−700V、像露光埌
の衚面電䜍−150V露光量1.2ÎŒJcm2、転写電
䜍700V、珟像剀極性は負極補、プロセススピ
ヌド50mmsec、珟像条件珟像バむアス−
450V、像露光スキダン方匏はむメヌゞスキダン、
䞀次垯電前露光50uxsecの赀色党面露光、画
像圢匏はレヌザヌビヌムを文字信号および画像信
号にしたが぀おラむンスキダンしお行な぀たが、
文字、画像ずもに良奜なプリントが埗られた。 実斜䟋44 アルミ蒞着ポリ゚チレンテレフタレヌトフむル
ムのアルミ面䞊に膜厚0.5ÎŒmのポリビニルアルコ
ヌルの被膜を圢成した。 次に、実斜䟋で甚いた䟋瀺顔料−の
顔料の分散液を先に圢成したポリビニルアルコヌ
ル局の䞊に也燥埌の膜厚が0.5ÎŒmずなるようにマ
むダヌバヌで塗垃し也燥しお電荷発生局を圢成し
た。 次いで−ピリゞル−−α−メチル
−−ゞ゚チルアミノスチリル−−ヌゞ゚
チルアミノプニルピラゟリン5gずポリアリ
レヌトビスプノヌルずテレフタル酞−む゜
フタル酞の瞮合重合䜓5gをテトラヒドロフラ
ン70mに溶かした液を電荷発生局の䞊に也燥埌
の膜厚が19ÎŒmなるように塗垃し、也燥しお電荷
茞送局を圢成した。 こうしお補造した電子写真感光䜓の垯電特性お
よび耐久特性を実斜䟋に蚘茉したず同様の方法
で枬定した。結果を瀺す。 V0−690V、 E12.8uxsec 耐久特性 初 期 VD−700VVL−140V 千回耐久埌 VD−715VVL−160V 䞊蚘の結果から、感床、耐久䜿甚時の電䜍安定
性ずもに良奜であるこずが認められた。 実斜䟋45 100Ό厚のアルミ板䞊にカれむンのアンモニア
氎溶液前出を塗垃し、也燥しお膜厚0.5ÎŒmの
䞋匕局を圢成した。 次に、−トリニトロ−−フルオレ
ノン5gずポリ−−ビニルカルバゟヌル数平
均分子量30䞇5gをテトラヒドロフラン70mに
溶かしお電荷移動錯化合物を圢成した。 この電荷移動錯化合物ず䟋瀺顔料−52の
1gをポリ゚ステル商品名バむロン、東掋玡(æ ª)
補5gをテトラヒドロフラン70mに溶かした液
に加え、分散した。この分散液を䞋匕局の䞊に也
燥埌の膜厚が12ÎŒmずなるように塗垃し也燥した。
こうしお補造した電子写真感光䜓の垯電特性を実
斜䟋ず同様の方法により枬定した。䜆し、垯電
極性はずした。結果を瀺す。 V0680V、 E14.0uxsec 実斜䟋46 実斜䟋で甚いたカれむン局を斜したアルミ板
のカれむン局の䞊に実斜䟋ず同様の電荷茞送局
ず電荷発生局を順次積局し、局構成を逆にする他
は実斜䟋ず同様にしお感光局を圢成し、電子写
真感光䜓を補造した。 実斜䟋ず同様の方法で垯電特性を枬定した。 䜆し、垯電極性はずした。結果を瀺す。 V0690V、 E14.2uxsec さらに、実斜䟋44ず垯電極性をずした他は同
様にしお耐久䜿甚時における電䜍安定性を評䟡し
たずころ、 耐久特性 初 期 VD700VVL180V 千回耐久埌 VD685VVL185V であ぀た。 発明の効果 本発明の電子写真感光䜓は、特定のアゟ顔料を
感光局に甚いたこずにより、圓該アゟ顔料を含む
感光局内郚におけるキダリア発生効率ないしはキ
ダリア茞送効率のいずれか䞀方たたは双方が改善
され、感床や耐久䜿甚時における電䜍安定性が優
れ、さらに、長波長域にたで感床を有するずいう
顕著な効果を奏する。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  導電性支持䜓䞊に 䞀般匏 匏䞭、X1はベンれン環ず瞮合しお、眮換基
    を有しおもよい芳銙族炭化氎玠環たたは芳銙族耇
    玠環を圢成するのに必芁な残基、R1およびR2は
    同䞀たたは異な぀お、氎玠原子、眮換基を有しお
    もよいアルキル基、アラルキル基、アルヌル基、
    耇玠環基ないしはR1R2の結合する窒玠原子を
    環内に含む環状アミノ基を瀺し、は酞玠原子た
    たは硫黄原子を瀺す、で瀺される有機残基が、
    結合基を介しお結合しおもよい眮換基を有しおも
    よい芳銙族炭化氎玠環たたは芳銙族耇玠環、ず結
    合した構造を有するアゟ顔料を含有する感光局を
    有するこずを特城ずする電子写真感光䜓。  䞀般匏で瀺される有機残基が匏 X1およびは䞀般匏におけるX1およ
    びず同矩であり、R2は眮換基を有しおもよい
    アルキル基、アラルキル基たたはアリヌル基を瀺
    す、である特蚱請求の範囲第項蚘茉の電子写
    真感光䜓。  アゟ顔料が、 䞀般匏 匏䞭、X1R1R2およびは、䞀般匏
    におけるX1R1R2およびず同矩、Arは結合
    基を介しお結合しおもよい眮換基を有しおもよい
    芳銙族炭化氎玠環たたは芳銙族耇玠環、は
    たたはの敎数を瀺す、で瀺されるア
    ゟ顔料である特蚱請求の範囲第項蚘茉の電子写
    真感光䜓。  アゟ顔料が、䞀般匏で瀺される有機残
    基から遞択される有機残基が少なくずも個ず前
    蚘遞択された有機残基ずは異なる䞀般匏 ヌ−Cp匏䞭、Cpはプノヌル性
    OH基を有するカツプラヌ残基を瀺す、で瀺さ
    れる有機残基の少なくずも個ずが同䞀分子内で
    結合基を介しお結合しおもよい眮換基を有しおも
    よい芳銙族炭化氎玠環たたは芳銙族耇玠環ず結合
    した構造を有するアゟ顔料である特蚱請求の範囲
    第項蚘茉たたは第項たたは第項蚘茉の電子
    写真感光䜓。  感光局が、䞀般匏で瀺されるアゟ顔料
    を少なくずも皮ず、䞀般匏で瀺される有
    機残基から遞択される有機残基が少なくずも個
    ず前蚘遞択された有機残基ずは異なる䞀般匏ヌ
    −Cp匏䞭、Cpはプノヌル性OH基
    を有するカツプラヌ残基を瀺す、で瀺される有
    機残基の少なくずも個ずが同䞀分子内で結合基
    を介しお結合しおもよい眮換基を有しおもよい芳
    銙族炭化氎玠環たたは芳銙族耇玠環ず結合した構
    造を有するアゟ顔料を少なくずも皮ずを含有す
    る特蚱請求の範囲第項たたは第項たたは第
    項たたは第項蚘茉の電子写真感光䜓。
JP62303354A 1986-12-03 1987-12-02 電子写真感光䜓 Granted JPS63264762A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61-286712 1986-12-03
JP28671286 1986-12-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63264762A JPS63264762A (ja) 1988-11-01
JPH0454231B2 true JPH0454231B2 (ja) 1992-08-28

Family

ID=17708022

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62303354A Granted JPS63264762A (ja) 1986-12-03 1987-12-02 電子写真感光䜓

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4868080A (ja)
JP (1) JPS63264762A (ja)
DE (1) DE3740730A1 (ja)
FR (1) FR2607942B1 (ja)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4999272A (en) * 1988-08-31 1991-03-12 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic analog and digital imaging and developing using magnetic toner
JPH0758399B2 (ja) * 1989-09-08 1995-06-21 キダノン株匏䌚瀟 電子写真感光䜓
US5093218A (en) * 1989-10-19 1992-03-03 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member having an azo pigment
JPH03132762A (ja) * 1989-10-19 1991-06-06 Canon Inc 電子写真感光䜓
US5229237A (en) * 1990-04-12 1993-07-20 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member and process for production thereof comprising a disazo and trisazo pigment
JP2782113B2 (ja) * 1990-10-09 1998-07-30 キダノン株匏䌚瀟 電子写真感光䜓、該電子写真感光䜓を備えた電子写真装眮䞊びにファクシミリ
JP2667936B2 (ja) * 1990-12-26 1997-10-27 キダノン株匏䌚瀟 電子写真感光䜓
US5130443A (en) * 1991-04-29 1992-07-14 Xerox Corporation Process for the preparation of anilides
JPH04366852A (ja) * 1991-06-13 1992-12-18 Canon Inc 電子写真感光䜓、該電子写真感光䜓を備えた電子写真装眮䞊びにファクシミリ
US5312906A (en) * 1991-07-25 1994-05-17 Ricoh Company, Ltd. Optical information recording media and bisazo compounds for use therein
US5411828A (en) * 1992-02-05 1995-05-02 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, and electrophotographic apparatus, device unit and facsimile machine having the photosensitive member
EP0656567B1 (en) * 1993-11-22 1999-01-27 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic member, process cartridge and electrophotographic apparatus
EP0940726B1 (en) * 1998-03-06 2004-05-26 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus
US6689523B2 (en) * 2001-11-02 2004-02-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Electrophotographic organophotoreceptors with novel charge transport compounds
US9125829B2 (en) 2012-08-17 2015-09-08 Hallstar Innovations Corp. Method of photostabilizing UV absorbers, particularly dibenzyolmethane derivatives, e.g., Avobenzone, with cyano-containing fused tricyclic compounds
US9145383B2 (en) 2012-08-10 2015-09-29 Hallstar Innovations Corp. Compositions, apparatus, systems, and methods for resolving electronic excited states
WO2014025370A1 (en) 2012-08-10 2014-02-13 Hallstar Innovations Corp. Tricyclic energy quencher compounds for reducing singlet oxygen generation

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT946574B (it) * 1971-03-30 1973-05-21 Ibm Procedimento elettrofotografico impiegante disazopigmenti
US4418133A (en) * 1981-03-27 1983-11-29 Canon Kabushiki Kaisha Disazo photoconductive material and electrophotographic photosensitive member having disazo pigment layer
DE3272901D1 (en) * 1981-09-22 1986-10-02 Hitachi Ltd Electrophotographic plate
US4540643A (en) * 1983-04-26 1985-09-10 Ricoh Co., Ltd. Tetrazonium salt compounds, novel disazo compounds, method for the production thereof and disazo compound-containing electrophotographic elements
US4612271A (en) * 1984-12-21 1986-09-16 Fuji Photo Film Co., Ltd. Photosensitive composition comprising azo compounds

Also Published As

Publication number Publication date
US4868080A (en) 1989-09-19
JPS63264762A (ja) 1988-11-01
DE3740730A1 (de) 1988-06-09
DE3740730C2 (ja) 1990-11-29
FR2607942A1 (fr) 1988-06-10
FR2607942B1 (fr) 1994-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0454231B2 (ja)
JPH042944B2 (ja)
JPH0549229B2 (ja)
JP2592261B2 (ja) 電子写真感光䜓
JPH0727235B2 (ja) 電子写真感光䜓
JPH0454232B2 (ja)
JP2620975B2 (ja) 電子写真感光䜓
JP2548719B2 (ja) 電子写真感光䜓
JP2650052B2 (ja) 電子写真感光䜓
JPS63159861A (ja) 電子写真感光䜓
JPH0516586B2 (ja)
JPH0435751B2 (ja)
JP2558118B2 (ja) 電子写真感光䜓
JPH0350552A (ja) 電子写真感光䜓
JPH07120056B2 (ja) 電子写真感光䜓
JPH07117759B2 (ja) 電子写真感光䜓
JPH01217358A (ja) 電子写真感光䜓
JPH07120055B2 (ja) 電子写真感光䜓
JPH0833676B2 (ja) 電子写真感光䜓
JPH0370218B2 (ja)
JPH0513504B2 (ja)
JPH073593B2 (ja) 電子写真感光䜓
JPH0814703B2 (ja) 電子写真感光䜓
JPH0513503B2 (ja)
JPH0370219B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070828

Year of fee payment: 15

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080828

Year of fee payment: 16

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080828

Year of fee payment: 16