JPH07103322B2 - チタニルフタロシアニン結晶の製造方法 - Google Patents
チタニルフタロシアニン結晶の製造方法Info
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- JPH07103322B2 JPH07103322B2 JP2068090A JP6809090A JPH07103322B2 JP H07103322 B2 JPH07103322 B2 JP H07103322B2 JP 2068090 A JP2068090 A JP 2068090A JP 6809090 A JP6809090 A JP 6809090A JP H07103322 B2 JPH07103322 B2 JP H07103322B2
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- titanyl phthalocyanine
- amorphous
- crystal
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- phthalocyanine crystal
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B67/00—Influencing the physical, e.g. the dyeing or printing properties of dyestuffs without chemical reactions, e.g. by treating with solvents grinding or grinding assistants, coating of pigments or dyes; Process features in the making of dyestuff preparations; Dyestuff preparations of a special physical nature, e.g. tablets, films
- C09B67/0001—Post-treatment of organic pigments or dyes
- C09B67/0014—Influencing the physical properties by treatment with a liquid, e.g. solvents
- C09B67/0016—Influencing the physical properties by treatment with a liquid, e.g. solvents of phthalocyanines
-
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- C09B67/0025—Crystal modifications; Special X-ray patterns
- C09B67/0026—Crystal modifications; Special X-ray patterns of phthalocyanine pigments
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光導電材料として有用なチタニルフタロシア
ニン結晶の製造方法に関する。
ニン結晶の製造方法に関する。
フタロシアニン化合物は、塗料、印刷インク、触媒或い
は電子材料として有用な材料であり、特に近年、電子写
真感光体用材料、光記録用材料及び光電変換材料とし
て、広範に検討がなされている。一般に、フタロシアニ
ン化合物は、製造方法、処理方法の違いにより、幾つか
の結晶型を示すことが知られており、この結晶型の違い
は、フタロシアニン化合物の光電変換特性に大きな影響
を及ぼすことが知られている。銅フタロシアニン化合物
の結晶型については、例えば、フタロシアニンについて
みると、安定系のβ型以外に、α、ε、π、x、ρ、
γ、δ等の結晶型が知られており、これらの結晶型は、
機械的歪力、硫酸処理、有機溶剤処理及び熱処理等によ
り、相互に転移が可能であることが知られている(例え
ば、米国特許第2,770,629号、同第3,160,635号、同第3,
708,292号及び同第3,357,989号明細書等)。また、特開
昭50−38543号公報などには、銅フタロシアニンの結晶
型の違いと電子写真感度について記載されている。
は電子材料として有用な材料であり、特に近年、電子写
真感光体用材料、光記録用材料及び光電変換材料とし
て、広範に検討がなされている。一般に、フタロシアニ
ン化合物は、製造方法、処理方法の違いにより、幾つか
の結晶型を示すことが知られており、この結晶型の違い
は、フタロシアニン化合物の光電変換特性に大きな影響
を及ぼすことが知られている。銅フタロシアニン化合物
の結晶型については、例えば、フタロシアニンについて
みると、安定系のβ型以外に、α、ε、π、x、ρ、
γ、δ等の結晶型が知られており、これらの結晶型は、
機械的歪力、硫酸処理、有機溶剤処理及び熱処理等によ
り、相互に転移が可能であることが知られている(例え
ば、米国特許第2,770,629号、同第3,160,635号、同第3,
708,292号及び同第3,357,989号明細書等)。また、特開
昭50−38543号公報などには、銅フタロシアニンの結晶
型の違いと電子写真感度について記載されている。
また、チタニルフタロシアニンについても、種々の結晶
型のものが提案されており、例えば特開昭62−67094号
公報には安定系のβ型のものが、特開昭61−217050号公
報にはα型のものが記載され、また、特開昭63−366
号、同63−20365号、同64−17066号、特開平1−153757
号公報には、他の結晶型のものが記載されている。
型のものが提案されており、例えば特開昭62−67094号
公報には安定系のβ型のものが、特開昭61−217050号公
報にはα型のものが記載され、また、特開昭63−366
号、同63−20365号、同64−17066号、特開平1−153757
号公報には、他の結晶型のものが記載されている。
しかしながら、上記した従来提案されているフタロシア
ニン化合物は、感光材料として使用した場合の光感度と
耐久性の点で、未だ十分満足のいくものではなく、新た
な結晶型のフタロシアニン化合物の開発や、安定な結晶
形のものを容易に製造する方法の開発が望まれている。
ニン化合物は、感光材料として使用した場合の光感度と
耐久性の点で、未だ十分満足のいくものではなく、新た
な結晶型のフタロシアニン化合物の開発や、安定な結晶
形のものを容易に製造する方法の開発が望まれている。
本発明は、従来の技術における上記のような実状に鑑み
てなされたものである。
てなされたものである。
すなわち、本発明の目的は、高い光感度を有する安定な
チタニルフタロシアニン結晶を製造する方法を提供する
ことにある。
チタニルフタロシアニン結晶を製造する方法を提供する
ことにある。
本発明者等は、検討の結果、非晶質又は準非晶質チタニ
ルフタロシアニンに簡単な処理を施すことによって、光
導電材料として高い感度と耐久性を有する安定な結晶型
のものが得られることを見出し、本発明を完成するに至
った。
ルフタロシアニンに簡単な処理を施すことによって、光
導電材料として高い感度と耐久性を有する安定な結晶型
のものが得られることを見出し、本発明を完成するに至
った。
即ち、本発明は、ブラッグ角度(2θ±0.2)の少なく
とも9.5゜、14.3゜、18.0゜、24.0゜及び27.3゜に回折
ピークを示し、6.8゜、7.5゜、11.7゜及び28.6゜に回折
ピークを示さないチタニルフタロシアニン結晶の製造方
法に関するものであって、アシッドペースティング法に
より得られた非晶質又は準非晶質チタニルフタロシアニ
ンを、モノクロルベンゼンと水との混合溶媒中で混合す
ることを特徴とする。
とも9.5゜、14.3゜、18.0゜、24.0゜及び27.3゜に回折
ピークを示し、6.8゜、7.5゜、11.7゜及び28.6゜に回折
ピークを示さないチタニルフタロシアニン結晶の製造方
法に関するものであって、アシッドペースティング法に
より得られた非晶質又は準非晶質チタニルフタロシアニ
ンを、モノクロルベンゼンと水との混合溶媒中で混合す
ることを特徴とする。
本発明の上記チタニルフタロシアニン結晶は、電子写真
感光体用の光導電材料として有用なものである。感光層
に含有させて電子写真感光体を製造することができる。
感光体用の光導電材料として有用なものである。感光層
に含有させて電子写真感光体を製造することができる。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明において、非晶質もしくは準非晶質のチタニルフ
タロシアニンとは、X線回折スペクトルにおいて、全体
にピークがブロードであるかもしくはピークが見られな
い状態のものであり、チタニルフタロシアニンのアシッ
ドペースティング法によって得られたものを意味する。
タロシアニンとは、X線回折スペクトルにおいて、全体
にピークがブロードであるかもしくはピークが見られな
い状態のものであり、チタニルフタロシアニンのアシッ
ドペースティング法によって得られたものを意味する。
まず、非晶質もしくは準非晶質のチタニルフタロシアニ
ンを、例えば次のようにして得る。合成によって得られ
たチタニルフタロシアニン、例えば1,3−ジイミノイソ
インドリンとチタニウムテトラブトキシドとを反応させ
ることによって得られたチタニルフタロシアニンを濃硫
酸に投入し、溶解又はスラリー化させる。その際、濃硫
酸の濃度は70〜100%、好ましくは90〜97%のものが使
用され、濃硫酸の量は、チタニルフタロシアニンの重量
に対して1〜100倍、好ましくは3〜60倍に設定され
る。また、溶解またはスラリー化温度は、−20〜100
℃、好ましくは0〜60℃の範囲に設定される。次いで、
得られた濃硫酸溶液又はスラリーを水に投入し、非晶質
または準非晶質のチタニルフタロシアニンを析出させ
る。その際の水の量は、濃硫酸溶液またはスラリーの容
量に対して、2〜50倍、好ましくは5〜20倍の範囲に設
定される。また、水の温度は0〜50℃、好ましくは10℃
以下に設定される。
ンを、例えば次のようにして得る。合成によって得られ
たチタニルフタロシアニン、例えば1,3−ジイミノイソ
インドリンとチタニウムテトラブトキシドとを反応させ
ることによって得られたチタニルフタロシアニンを濃硫
酸に投入し、溶解又はスラリー化させる。その際、濃硫
酸の濃度は70〜100%、好ましくは90〜97%のものが使
用され、濃硫酸の量は、チタニルフタロシアニンの重量
に対して1〜100倍、好ましくは3〜60倍に設定され
る。また、溶解またはスラリー化温度は、−20〜100
℃、好ましくは0〜60℃の範囲に設定される。次いで、
得られた濃硫酸溶液又はスラリーを水に投入し、非晶質
または準非晶質のチタニルフタロシアニンを析出させ
る。その際の水の量は、濃硫酸溶液またはスラリーの容
量に対して、2〜50倍、好ましくは5〜20倍の範囲に設
定される。また、水の温度は0〜50℃、好ましくは10℃
以下に設定される。
次に、上記のようにして得られた非晶質または準非晶質
のチタニルフタロシアニンを、濾別して単離し、水で洗
浄した後、モノクロルベンゼンと水との混合溶媒で処理
する。本発明において、上記混合溶媒による処理は、非
晶質または準非晶質のチタニルフタロシアニンを混合溶
媒中で混合することによって混合溶媒と接触させること
を意味し、具体的には、非晶質または準非晶質のチタニ
ルフタロシアニンを上記混合溶媒中に投入し、室温〜10
0℃、好ましくは50〜100℃の温度で1〜5時間攪拌し、
非晶質または準非晶質のチタニルフタロシアニンを混合
溶媒と接触させる。
のチタニルフタロシアニンを、濾別して単離し、水で洗
浄した後、モノクロルベンゼンと水との混合溶媒で処理
する。本発明において、上記混合溶媒による処理は、非
晶質または準非晶質のチタニルフタロシアニンを混合溶
媒中で混合することによって混合溶媒と接触させること
を意味し、具体的には、非晶質または準非晶質のチタニ
ルフタロシアニンを上記混合溶媒中に投入し、室温〜10
0℃、好ましくは50〜100℃の温度で1〜5時間攪拌し、
非晶質または準非晶質のチタニルフタロシアニンを混合
溶媒と接触させる。
混合溶媒におけるモノクロルベンゼンと水との混合比
(容量)としては、モノクロルベンゼン/水=1/99〜50
/50、好ましくは3/97〜20/80の範囲が採用される。
(容量)としては、モノクロルベンゼン/水=1/99〜50
/50、好ましくは3/97〜20/80の範囲が採用される。
混合溶媒の使用量は、チタニルフタロシアニンの重量に
対して1〜100倍、好ましくは5〜50倍に設定される。
対して1〜100倍、好ましくは5〜50倍に設定される。
混合溶媒による処理後、濾過し、メタノール及び水で水
洗することにより、目的のチタニルフタロシアニン結晶
を得ることができる。
洗することにより、目的のチタニルフタロシアニン結晶
を得ることができる。
本発明における光導電材料として使用されるチタニルフ
タロシアニン結晶は、ブラッグ角度(2θ±0.2)の少
なくとも9.5゜、14.3゜、18.0゜、24.0゜及び27.3゜に
回折ピークを示し、6.8゜、7.5゜、11.7゜及び28.6゜に
回折ピークを示さない安定な結晶型のものであり、感光
波長域が長波長まで伸びているため、半導体レーザーを
利用するプリンター等の電子写真感光体用の光導電材料
として非常に有用である。
タロシアニン結晶は、ブラッグ角度(2θ±0.2)の少
なくとも9.5゜、14.3゜、18.0゜、24.0゜及び27.3゜に
回折ピークを示し、6.8゜、7.5゜、11.7゜及び28.6゜に
回折ピークを示さない安定な結晶型のものであり、感光
波長域が長波長まで伸びているため、半導体レーザーを
利用するプリンター等の電子写真感光体用の光導電材料
として非常に有用である。
以下、実施例によって本発明を説明する。
チタニルフタロシアニンの合成例 1,3−ジイミノイソインドリン3部、チタニウムテトラ
ブトキシド1.7部を1−クロルナフタレン20部中に入
れ、190℃において5時間反応させた後、生成物を濾過
し、アンモニア水、水、アセトンで洗浄し、チタニルフ
タロシアニン4.0部を得た。得られたチタニルフタロシ
アニン結晶の粉末X線回折図を、第2図に示す。
ブトキシド1.7部を1−クロルナフタレン20部中に入
れ、190℃において5時間反応させた後、生成物を濾過
し、アンモニア水、水、アセトンで洗浄し、チタニルフ
タロシアニン4.0部を得た。得られたチタニルフタロシ
アニン結晶の粉末X線回折図を、第2図に示す。
実施例1 合成例で得たチタニルフタロシアニン2.0部を97%硫酸1
00部に5℃で溶解した後、氷水1300部中に注ぎ、チタニ
ルフタロシアニンの析出物を濾過し、希アンモニア水と
水で洗浄した後、乾燥して、1.6部の非晶質チタニルフ
タロシアニンを得た。得られたチタニルフタロシアニン
粉末の粉末X線回折図を第3図に示す。
00部に5℃で溶解した後、氷水1300部中に注ぎ、チタニ
ルフタロシアニンの析出物を濾過し、希アンモニア水と
水で洗浄した後、乾燥して、1.6部の非晶質チタニルフ
タロシアニンを得た。得られたチタニルフタロシアニン
粉末の粉末X線回折図を第3図に示す。
次にこのチタニルフタロシアニン粉末1.0部を水10部、
モノクロルベンゼン1部の混合溶媒中で、50℃において
1時間攪拌した後、濾過し、メタノールと水で洗浄し
て、チタニルフタロシアニン結晶0.9部を得た、得られ
た結晶のX線回折図を第1図に示す。
モノクロルベンゼン1部の混合溶媒中で、50℃において
1時間攪拌した後、濾過し、メタノールと水で洗浄し
て、チタニルフタロシアニン結晶0.9部を得た、得られ
た結晶のX線回折図を第1図に示す。
応用例 実施例1で得たチタニルフタロシアニン結晶1部をポリ
ビニルブチラール(商品名;エスレックBM−1、積水化
学(株)製)1部及びシクロヘキサノン100部と混合
し、ガラスビーズと共にペイントシェーカーで1時間処
理して分散した後、得られた塗布液を、浸漬コーティン
グ法でアルミニウム基板上に塗布し、100℃において5
分間加熱乾燥し、膜厚0.2μmの電荷発生層を形成し
た。
ビニルブチラール(商品名;エスレックBM−1、積水化
学(株)製)1部及びシクロヘキサノン100部と混合
し、ガラスビーズと共にペイントシェーカーで1時間処
理して分散した後、得られた塗布液を、浸漬コーティン
グ法でアルミニウム基板上に塗布し、100℃において5
分間加熱乾燥し、膜厚0.2μmの電荷発生層を形成し
た。
次に、下記構造式 で示される化合物2部と下記構造式 で示されるポリ(4,4−シクロヘキシリデンジフェニレ
ンカーボネート)3部を、モノクロロベンゼン20部に溶
解し、得られた塗布液を、電荷発生層が形成されたアル
ミニウム基板上に、浸漬コーティング法で塗布し、120
℃において1時間加熱乾燥し、膜厚20μmの電荷輸送層
を形成した。
ンカーボネート)3部を、モノクロロベンゼン20部に溶
解し、得られた塗布液を、電荷発生層が形成されたアル
ミニウム基板上に、浸漬コーティング法で塗布し、120
℃において1時間加熱乾燥し、膜厚20μmの電荷輸送層
を形成した。
得られた電子写真感光体を、常温常湿(20℃、50%RH)
の環境の中で、静電複写紙試験装置(EPA−8100、川口
電機(株)製)を用いて、−6KVのコロナ放電を行い帯
電させた後、タングステンランプの光を、モノクロメー
ターを用いて800nmの単色光にし、感光体表面上で1μW
/cm2になるように調整し、照射した。そして、その表面
電位が初期V0(ボルト)の1/2になるまでの露光量E1/2
(erg/cm2)を測定し、その後10ルックスのタングステ
ン光を1秒間感光体表面上に照射し、残留電位VRを測定
した。さらに、上記の帯電、露光を1000回繰り返した後
のV0、E1/2、VRを測定した。その結果、V0は−820V、
E1/2は1.3erg/cm2、VRは0Vであり、1000回測定を繰り
返した後のV0は−810V、E1/2は1.3erg/cm2、VRは0Vで
あった。
の環境の中で、静電複写紙試験装置(EPA−8100、川口
電機(株)製)を用いて、−6KVのコロナ放電を行い帯
電させた後、タングステンランプの光を、モノクロメー
ターを用いて800nmの単色光にし、感光体表面上で1μW
/cm2になるように調整し、照射した。そして、その表面
電位が初期V0(ボルト)の1/2になるまでの露光量E1/2
(erg/cm2)を測定し、その後10ルックスのタングステ
ン光を1秒間感光体表面上に照射し、残留電位VRを測定
した。さらに、上記の帯電、露光を1000回繰り返した後
のV0、E1/2、VRを測定した。その結果、V0は−820V、
E1/2は1.3erg/cm2、VRは0Vであり、1000回測定を繰り
返した後のV0は−810V、E1/2は1.3erg/cm2、VRは0Vで
あった。
参考例 比較のために、電荷発生材料として、合成例で得られた
第2図の粉末X線回折図を示すチタニルフタロシアニン
結晶を用いた以外は、上記応用例と同様にして電子写真
感光体を作成し、同様にして評価を行った。その結果、
V0は−780V、E1/2は4.1erg/cm2、VRは10Vであり、1000
回測定を繰り返した後のV0は−750V、E1/2は3.8erg/cm
2、VRは15Vであった。したがって、この電子写真感光体
は、上記の場合に比して電子写真特性が劣っていた。
第2図の粉末X線回折図を示すチタニルフタロシアニン
結晶を用いた以外は、上記応用例と同様にして電子写真
感光体を作成し、同様にして評価を行った。その結果、
V0は−780V、E1/2は4.1erg/cm2、VRは10Vであり、1000
回測定を繰り返した後のV0は−750V、E1/2は3.8erg/cm
2、VRは15Vであった。したがって、この電子写真感光体
は、上記の場合に比して電子写真特性が劣っていた。
本発明の方法によれば、簡単な処理で、ブラッグ角度
(2θ±0.2)の少なくとも9.5゜、14.3゜、18.0゜、2
4.0゜及び27.3゜に回折ピークを示し、6.8゜、7.5゜、1
1.7゜及び28.6゜に回折ピークを示さないチタニルフタ
ロシアニンの安定な結晶を容易に得ることができる。本
発明によって得られるチタニルフタロシアニン結晶は、
半導体レーザーを利用するプリンター等の電子写真感光
体用の光導電材料として非常に有用であり、その電子写
真感光体は、優れた感度及び耐久性を有している。
(2θ±0.2)の少なくとも9.5゜、14.3゜、18.0゜、2
4.0゜及び27.3゜に回折ピークを示し、6.8゜、7.5゜、1
1.7゜及び28.6゜に回折ピークを示さないチタニルフタ
ロシアニンの安定な結晶を容易に得ることができる。本
発明によって得られるチタニルフタロシアニン結晶は、
半導体レーザーを利用するプリンター等の電子写真感光
体用の光導電材料として非常に有用であり、その電子写
真感光体は、優れた感度及び耐久性を有している。
第1図は実施例1のチタニルフタロシアニン結晶のX線
回折図、第2図は合成例で得られたチタニルフタロシア
ニン結晶のX線回折図、第3図は実施例1で原料として
使用した非晶質チタニルフタロシアニンのX線回折図で
ある。
回折図、第2図は合成例で得られたチタニルフタロシア
ニン結晶のX線回折図、第3図は実施例1で原料として
使用した非晶質チタニルフタロシアニンのX線回折図で
ある。
フロントページの続き (72)発明者 額田 秀美 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社竹松事業所内 (72)発明者 坂口 泰生 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社竹松事業所内 (56)参考文献 特開 昭63−20365(JP,A)
Claims (1)
- 【請求項1】アシッドペースティング法により得られた
非晶質又は準非晶質チタニルフタロシアニンを、モノク
ロルベンゼンと水との混合溶媒中で混合することを特徴
とするX線回折図において、ブラッグ角度(2θ±0.
2)の少なくとも9.5゜、14.3゜、18.0゜、24.0゜及び2
7.3゜に回折ピークを示し、6.8゜、7.5゜、11.7゜及び2
8.6゜に回折ピークを示さないチタニルフタロシアニン
結晶の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2068090A JPH07103322B2 (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | チタニルフタロシアニン結晶の製造方法 |
US07/674,762 US6232466B1 (en) | 1990-03-20 | 1991-03-19 | Process for preparing titanyl phthalocyanine crystal by solvent treatment of amorphous or quasi-amorphous titanyl phthalocyanine |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2068090A JPH07103322B2 (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | チタニルフタロシアニン結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03269061A JPH03269061A (ja) | 1991-11-29 |
JPH07103322B2 true JPH07103322B2 (ja) | 1995-11-08 |
Family
ID=13363691
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2068090A Expired - Fee Related JPH07103322B2 (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | チタニルフタロシアニン結晶の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6232466B1 (ja) |
JP (1) | JPH07103322B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5334478A (en) * | 1992-09-14 | 1994-08-02 | Xerox Corporation | Oxytitanium phthalocyanine imaging members and processes thereof |
US7419751B2 (en) * | 2002-06-13 | 2008-09-02 | Ricoh Company, Ltd. | Titanylphthalocyanine crystal and method of producing the titanylphthalocyanine crystal, and electrophotographic photoreceptor, method, apparatus and process cartridge using the titanylphthalocyanine crystal |
US6946227B2 (en) * | 2002-11-20 | 2005-09-20 | Xerox Corporation | Imaging members |
EP1884544B1 (en) * | 2006-07-31 | 2011-09-07 | Kyocera Mita Corporation | Oxo-titanylphthalocyanine crystal, method for producing the same, and electrographic photoreceptor |
US7888501B2 (en) * | 2007-02-14 | 2011-02-15 | Xerox Corporation | Process for making organic photosensitive pigment |
RO129566B1 (ro) | 2013-12-03 | 2020-02-28 | Institutul Naţional De Cercetare Dezvoltare Pentru Fizică Tehnică - Ift Iaşi | Material magnetic metalic cu temperatură curie controlată şi procedee de obţinere a acestuia |
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