JPH0680613B2 - 高密度磁性材料 - Google Patents
高密度磁性材料Info
- Publication number
- JPH0680613B2 JPH0680613B2 JP62094814A JP9481487A JPH0680613B2 JP H0680613 B2 JPH0680613 B2 JP H0680613B2 JP 62094814 A JP62094814 A JP 62094814A JP 9481487 A JP9481487 A JP 9481487A JP H0680613 B2 JPH0680613 B2 JP H0680613B2
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- Japan
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- magnetic material
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- high density
- density
- firing temperature
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、特にネジコア、ドラムコア用に適する高密度
のNi-Zn系フェライトに関するものである。
のNi-Zn系フェライトに関するものである。
（従来の技術） 従来、Ni-Zn系フェライトを材料とするネジコア、ドラ
ムコアは、高周波用コアとして広く用いられている。こ
の高周波用コアとして要求されている特性は、高い透磁
率、透過率の良好な温度特性、高いＱ、強度等である。
この中で、特に低損失で、強い強度を得るために、電気
抵抗が高く、結晶粒径が小さく、高密度であるコアが要
求されていた。
ムコアは、高周波用コアとして広く用いられている。こ
の高周波用コアとして要求されている特性は、高い透磁
率、透過率の良好な温度特性、高いＱ、強度等である。
この中で、特に低損失で、強い強度を得るために、電気
抵抗が高く、結晶粒径が小さく、高密度であるコアが要
求されていた。
従来では、上記の事を満足させるために、Bi2O3,PbO,V2
O5等を少量（通常1wt％未満）添加し、結晶粒径をコン
トロールし、かつ焼成温度を上げて密度を上げていた。
O5等を少量（通常1wt％未満）添加し、結晶粒径をコン
トロールし、かつ焼成温度を上げて密度を上げていた。
また、熱間静水圧成形法（HIP）又はホットプレス法（H
P）等を用いることにより、結晶粒径が小さく、密度の
高い磁性材料を得ることができる。
P）等を用いることにより、結晶粒径が小さく、密度の
高い磁性材料を得ることができる。
（発明が解決しようとする問題点） 従来の方法では、焼成温度を上げて密度の高い磁性材料
を得ていた。しかし、焼成温度を高くすると、結晶粒径
が大きく（数μｍ〜数十μｍ）なり易く、その結果高周
波でのＱが低下してしまった。
を得ていた。しかし、焼成温度を高くすると、結晶粒径
が大きく（数μｍ〜数十μｍ）なり易く、その結果高周
波でのＱが低下してしまった。
また、HIP又はHP等の技術を用いると、結晶粒径が小さ
く、密度が高い磁性材料を得ることができるが、技術的
に高度な技術が必要であり、コスト高となることから、
ネジコア、ドラムコアの生産に用いることは、実用的で
なかった。
く、密度が高い磁性材料を得ることができるが、技術的
に高度な技術が必要であり、コスト高となることから、
ネジコア、ドラムコアの生産に用いることは、実用的で
なかった。
本発明は、上記の事を鑑みて、Ni-Zn系フェライトにお
いて、添加物を調整することにより、Ｑが高く、密度の
高い磁性材料を提供することを目的とするものである。
いて、添加物を調整することにより、Ｑが高く、密度の
高い磁性材料を提供することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段） 本発明は、Ni-Zn系フェライトであって、主成分に対
し、Bi2O3を、４＜Bi2O3≦20wt％の範囲で添加含有させ
るものである。
し、Bi2O3を、４＜Bi2O3≦20wt％の範囲で添加含有させ
るものである。
（作用） 本発明は、Bi2O3を従来より多量に添加するものであ
り、このBi2O3は、他の金属酸化物に比べて低融点であ
ることから、フェライトの焼結を促進する。それらによ
り、フェライトの結晶が大きく成長しない間に焼結を完
了させ、密度を上げるものである。
り、このBi2O3は、他の金属酸化物に比べて低融点であ
ることから、フェライトの焼結を促進する。それらによ
り、フェライトの結晶が大きく成長しない間に焼結を完
了させ、密度を上げるものである。
また、Bi2O3の添加量が20wt％を超えると、コアが変形
し実用的でなく、4wt％以下であると、密度を上げる効
果が少ない。
し実用的でなく、4wt％以下であると、密度を上げる効
果が少ない。
（実施例） Fe2O3を49.5mol％、NiOを47.0mol％、CuOを3mol％を秤
量、混合した混合粉を850〜1,000℃にて仮焼し、その後
１〜３μｍに微粉砕した。次いで、その微粉砕粉に、Bi
2O3を0,1,5,10,15,20,25wt％添加し、乳鉢で混合し、計
21点の原料を作成した。その原料にポリビニールアルコ
ール（PVA）の10％水溶液を8wt％添加、混練し、造粒を
行った後、約15g秤量し金型中に投入して、2ton/cm2の
圧力で圧縮成形した。そして、その成形体を大気中約1,
000℃にて焼成し、トロイダルコア（外径30mm、内径20m
m、高さ8mm）の試料を得た。この各試料について、密度
dsとＱを測定した結果を第１図に示す。
量、混合した混合粉を850〜1,000℃にて仮焼し、その後
１〜３μｍに微粉砕した。次いで、その微粉砕粉に、Bi
2O3を0,1,5,10,15,20,25wt％添加し、乳鉢で混合し、計
21点の原料を作成した。その原料にポリビニールアルコ
ール（PVA）の10％水溶液を8wt％添加、混練し、造粒を
行った後、約15g秤量し金型中に投入して、2ton/cm2の
圧力で圧縮成形した。そして、その成形体を大気中約1,
000℃にて焼成し、トロイダルコア（外径30mm、内径20m
m、高さ8mm）の試料を得た。この各試料について、密度
dsとＱを測定した結果を第１図に示す。
第１図は、Bi2O3の添加量を変えた場合のdsとＱの変化
を示すグラフであり、この第１図により、本発明により
ds及びＱが向上していることがわかる。
を示すグラフであり、この第１図により、本発明により
ds及びＱが向上していることがわかる。
また、上記の実施例とほぼ同様の製造工程であって、Bi
2O3を10wt％添加したものと、無添加のものとの焼成温
度を変えた場合のdsとＱとの変化を第２図に示す。この
第２図から明らかなように、本発明により、低い焼成温
度で、高いds及びＱを得ることができる。
2O3を10wt％添加したものと、無添加のものとの焼成温
度を変えた場合のdsとＱとの変化を第２図に示す。この
第２図から明らかなように、本発明により、低い焼成温
度で、高いds及びＱを得ることができる。
また、第１表に、dsが5g/cm3以上となる場合の結晶粒
径、焼成温度及びBi2O3の添加量の表を示す。
径、焼成温度及びBi2O3の添加量の表を示す。
この第１表から明らかなように、本発明の材料は、低い
焼成温度で高いdsを得ることができ、しかもそのときの
結晶粒径も小さいため、高いＱを得ることができ、又高
周波特性にも優れている。
焼成温度で高いdsを得ることができ、しかもそのときの
結晶粒径も小さいため、高いＱを得ることができ、又高
周波特性にも優れている。
尚、透磁率については、従来材とほぼ同等であった。
（発明の効果） 本発明の高密度磁性材料は、従来より低い焼成温度にて
高い密度及び高いＱを得ることができ、そのため結晶粒
径も小さく、高周波特性に優れた材料であり、産業上極
めて有益なものである。
高い密度及び高いＱを得ることができ、そのため結晶粒
径も小さく、高周波特性に優れた材料であり、産業上極
めて有益なものである。
第１図は、Bi2O3の添加量を変えたときのds及びＱの変
化を示すグラフであり、第２図は、Bi2O3を10wt％添加
したものと無添加のものとの焼成温度を変えたときのds
とＱの変化を示すグラフである。
化を示すグラフであり、第２図は、Bi2O3を10wt％添加
したものと無添加のものとの焼成温度を変えたときのds
とＱの変化を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭50−107008（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−16307（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−121157（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】Ni-Zn系フェライトであって、主成分に対
し、Bi2O3を、４＜Bi2O3≦20wt％の範囲で添加含有した
ことを特徴とする高密度磁性材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62094814A JPH0680613B2 (ja) | 1987-04-16 | 1987-04-16 | 高密度磁性材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62094814A JPH0680613B2 (ja) | 1987-04-16 | 1987-04-16 | 高密度磁性材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63260006A JPS63260006A (ja) | 1988-10-27 |
| JPH0680613B2 true JPH0680613B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=14120523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62094814A Expired - Lifetime JPH0680613B2 (ja) | 1987-04-16 | 1987-04-16 | 高密度磁性材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680613B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3123605B2 (ja) * | 1988-01-07 | 2001-01-15 | ティーディーケイ株式会社 | インダクタ用磁心 |
| JPH02224043A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-09-06 | Nec Corp | キャッシュメモリ |
| JPH0787149B2 (ja) * | 1990-11-15 | 1995-09-20 | 太陽誘電株式会社 | 積層チップインピーダンス素子 |
| US5874020A (en) * | 1996-11-25 | 1999-02-23 | Nec Corporation | Ni-Zn base ferrite |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4946913B2 (ja) * | 1971-10-05 | 1974-12-12 | ||
| JPS4843716A (ja) * | 1971-10-06 | 1973-06-23 | ||
| JPS5851404B2 (ja) * | 1976-02-24 | 1983-11-16 | 東北金属工業株式会社 | 酸化物磁性材料 |
| JPS6021939B2 (ja) * | 1978-11-10 | 1985-05-30 | 株式会社村田製作所 | 酸化物磁性材料 |
| JPS5916307A (ja) * | 1982-07-19 | 1984-01-27 | Nippon Ferrite Ltd | 回転トランス用フエライトコアとその製造方法 |
| JPS59121157A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-13 | 日立金属株式会社 | 高周波磁性材料 |
| JPS60210572A (ja) * | 1984-04-04 | 1985-10-23 | 日本電気株式会社 | 低温焼結酸化物磁性材料 |
-
1987
- 1987-04-16 JP JP62094814A patent/JPH0680613B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63260006A (ja) | 1988-10-27 |
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