JP2561815B2 - 高密度フエライトの製造方法 - Google Patents
高密度フエライトの製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、ディジタル磁気ヘッド用の高密度フェラ
イト材料の製造方法に関する。
イト材料の製造方法に関する。
［従来技術とその問題点］ ディジタル磁気記録は近年益々高記録密度化が進み、
従来の48TPI（トラック密度）に対して96TPI,135TPIが
主流となってきている。これに対応するヘッド機とし
て、従来のNi−Znフェライトが主に用いられてきたが、
高記録密度用としては高透磁率と高飽和磁束をもつ材料
が要求されている。また、高記録密度化に伴ない、ヘッ
ドの形状も小型化しているため、超精密加工に耐え得る
材料でなければならない。
従来の48TPI（トラック密度）に対して96TPI,135TPIが
主流となってきている。これに対応するヘッド機とし
て、従来のNi−Znフェライトが主に用いられてきたが、
高記録密度用としては高透磁率と高飽和磁束をもつ材料
が要求されている。また、高記録密度化に伴ない、ヘッ
ドの形状も小型化しているため、超精密加工に耐え得る
材料でなければならない。
［発明の目的］ 上記のような要求を満足する材料として、熱間静水圧
プレス法（HIP）によるMn−Znフェライトが最も適して
いることは否めない。そこで本発明は、高密度で、気孔
が少なく、かつ高透磁率、高飽和磁束密度を有するMn−
Znフェライトの製造方法を得ようとするものである。
プレス法（HIP）によるMn−Znフェライトが最も適して
いることは否めない。そこで本発明は、高密度で、気孔
が少なく、かつ高透磁率、高飽和磁束密度を有するMn−
Znフェライトの製造方法を得ようとするものである。
［問題点を解決するための手段］ 本発明によれば、Fe2O351.0〜54.0モル％、Mn26.0〜3
1.0モル％、ZnO14.0〜22.0モル％組成のMn−Znフェライ
トにおいて、In2O30.25wt％以上〜2.0wt％未満及びSnO2
0.25wt％以上〜2.0wt％未満の少なくとも１種類を添加
した粉末の成形体を窒素雰囲気中で一次焼結した後、80
0〜1600kg/cm2の圧力で熱間静水圧プレスをすることを
特徴とする高密度フェライトの製造方法が得られる。
1.0モル％、ZnO14.0〜22.0モル％組成のMn−Znフェライ
トにおいて、In2O30.25wt％以上〜2.0wt％未満及びSnO2
0.25wt％以上〜2.0wt％未満の少なくとも１種類を添加
した粉末の成形体を窒素雰囲気中で一次焼結した後、80
0〜1600kg/cm2の圧力で熱間静水圧プレスをすることを
特徴とする高密度フェライトの製造方法が得られる。
また、本発明によれば、Fe2O351.0〜54.0モル％、Mn2
6.0〜31.0モル％、Zn14.0〜22.0モル％組成のMn−Znフ
ェライトにおいて、In2O30.25wt％以上〜2.0wt％未満及
びSnO20.25wt％以上〜2.0wt％未満の少なくとも１種類
とV2O51.0wt％以下を複合添加した粉末の成形体を窒素
雰囲気中で一次焼結した後、800〜1600kg/cm2の圧力で
熱間静水圧プレスをすることを特徴とする高密度フェラ
イトの製造方法が得られる。
6.0〜31.0モル％、Zn14.0〜22.0モル％組成のMn−Znフ
ェライトにおいて、In2O30.25wt％以上〜2.0wt％未満及
びSnO20.25wt％以上〜2.0wt％未満の少なくとも１種類
とV2O51.0wt％以下を複合添加した粉末の成形体を窒素
雰囲気中で一次焼結した後、800〜1600kg/cm2の圧力で
熱間静水圧プレスをすることを特徴とする高密度フェラ
イトの製造方法が得られる。
［実施例］ 以下に、本発明の実施例を示す。
まず、請求項１記載の発明の具体的な実施例を実施例
１〜３に示す。
１〜３に示す。
実施例１ Fe2O353モル％、MnCO330モル％、ZnO17モル％よりな
る混合物をボールミルにて湿式混合し、濾過乾燥後900
℃にて２時間仮焼した粉末をつくり、これにIn2O3を０
〜3.0wt％添加し、ボールミルにより20時間粉砕し、バ
インダーを添加したあとスプレードライヤーにて整粒を
行ない、得られた粉末を40×30×10mmのブロックに成形
し、1260℃、４時間窒素雰囲気中で一次焼結したあと、
1220℃、800kg/cm2で２時間Arガス中でHIP処理を行なっ
た。このブロックから外径8mm、内径4mm、高さ0.5mmの
リングを切り出し、これを加工歪を除去するため窒素ガ
ス中で800℃、１時間熱処理を行なった後、透磁率及び
飽和磁束密度を測定したところ以下の様な結果が得られ
た。
る混合物をボールミルにて湿式混合し、濾過乾燥後900
℃にて２時間仮焼した粉末をつくり、これにIn2O3を０
〜3.0wt％添加し、ボールミルにより20時間粉砕し、バ
インダーを添加したあとスプレードライヤーにて整粒を
行ない、得られた粉末を40×30×10mmのブロックに成形
し、1260℃、４時間窒素雰囲気中で一次焼結したあと、
1220℃、800kg/cm2で２時間Arガス中でHIP処理を行なっ
た。このブロックから外径8mm、内径4mm、高さ0.5mmの
リングを切り出し、これを加工歪を除去するため窒素ガ
ス中で800℃、１時間熱処理を行なった後、透磁率及び
飽和磁束密度を測定したところ以下の様な結果が得られ
た。
ここに、μ0.1とは、0.1mAで測定した透磁率を意味
し、また、B10とは、100e（エルステッド）で測定した
飽和磁束密度を意味する。前者は、初透磁率は電流が０
の時であるが、このような測定は実用的でないので、微
小電流の値として0.1mAで規定して測定したものであ
り、後者は、無限大で測定するのは実用的でないので、
充分飽和すると考えられる100e（エルステッド）で測定
したものである。
し、また、B10とは、100e（エルステッド）で測定した
飽和磁束密度を意味する。前者は、初透磁率は電流が０
の時であるが、このような測定は実用的でないので、微
小電流の値として0.1mAで規定して測定したものであ
り、後者は、無限大で測定するのは実用的でないので、
充分飽和すると考えられる100e（エルステッド）で測定
したものである。
上記のように、In2O3添加量を０〜3.0wt％の間で変化
させ、各々の場合について、上記の透磁率及び飽和磁束
密度を測定したところ、In2O3添加量が0.25wt％以上〜
2.0wt％未満の範囲で有意の効果が見られた。
させ、各々の場合について、上記の透磁率及び飽和磁束
密度を測定したところ、In2O3添加量が0.25wt％以上〜
2.0wt％未満の範囲で有意の効果が見られた。
またこれらのブロックを鏡面研度して顕微鏡観察した
ところ、ほとんど気孔は観察されなかった。
ところ、ほとんど気孔は観察されなかった。
実施例２ 実施例１と同組成からなる混合物を実施例１と同様に
混合し、仮焼した後SnO2を０〜3wt％添加し、実施例１
と同様にして成形体を得、実施例１と同条件にて一次焼
結、HIPを行なったものの特性を以下に示す。
混合し、仮焼した後SnO2を０〜3wt％添加し、実施例１
と同様にして成形体を得、実施例１と同条件にて一次焼
結、HIPを行なったものの特性を以下に示す。
μ0.1とB10の意味は、実施例１におけるのと同様であ
る。
る。
上記のように、SnO2添加量を０〜3.0wt％の間で変化
させ、各々の場合について、上記の透磁率及び飽和磁束
密度を測定した。本実施例のような高密度フェライトの
製造において、SnO2は、特に温度特性の調整に用いるこ
とができ、比較的添加量を多くなるのは周知であるが、
本実施例において、SnO2添加量が2.0wt％以上で急激に
透磁率（μ0.1）が劣化するので、添加量を2.0wt％未満
とした。
させ、各々の場合について、上記の透磁率及び飽和磁束
密度を測定した。本実施例のような高密度フェライトの
製造において、SnO2は、特に温度特性の調整に用いるこ
とができ、比較的添加量を多くなるのは周知であるが、
本実施例において、SnO2添加量が2.0wt％以上で急激に
透磁率（μ0.1）が劣化するので、添加量を2.0wt％未満
とした。
尚、この場合も、顕微鏡観察の結果気孔はほとんど観
察されなかった。
察されなかった。
実施例３ 実施例１の組成において、仮焼後の粉末にIn2O3を0.5
〜1.0wt％、SnO2を0.5〜2.0wt％同時添加して粉砕混合
し、実施例１と同様にして一次焼結、HIPを行なった場
合の特性を第１図に示す。
〜1.0wt％、SnO2を0.5〜2.0wt％同時添加して粉砕混合
し、実施例１と同様にして一次焼結、HIPを行なった場
合の特性を第１図に示す。
本実施例においても、SnO2添加量が2.0wt％以上で急
激に透磁率（μ0.1）が劣化するので、添加量を2.0wt％
未満とした。
激に透磁率（μ0.1）が劣化するので、添加量を2.0wt％
未満とした。
本実施例の場合も顕微鏡観察の結果、気孔はほとんど
観察されなかった。
観察されなかった。
次に、請求項２記載の発明の具体的な実施例を実施例
４及び５に示す。
４及び５に示す。
実施例４ Fe2O353モル％、MnCO327モル％、ZnO20モル％よりな
る混合物を実施例１と同様に混合し仮焼した後、仮焼後
の粉末にV2O5及びSnO2をそれぞれ０〜0.4wt％、０〜1.5
wt％同時添加して粉砕混合し、以下実施例１と同様にし
て得た成形体を1260℃、４時間一次焼結したあと、1220
℃、1200kg/cm2で２時間HIPしたものの特性を第２図に
示す。
る混合物を実施例１と同様に混合し仮焼した後、仮焼後
の粉末にV2O5及びSnO2をそれぞれ０〜0.4wt％、０〜1.5
wt％同時添加して粉砕混合し、以下実施例１と同様にし
て得た成形体を1260℃、４時間一次焼結したあと、1220
℃、1200kg/cm2で２時間HIPしたものの特性を第２図に
示す。
尚、V2O5及びSnO2のそれぞれが0wt％のとき、即ち、
両者とも無添加のとき、透磁率（μ0.1）は6500、飽和
磁束密度（B10）は4610の値を示した。第２図から明ら
かなように、V2O5を複合添加することにより、透磁率及
び飽和磁束密度の両者共に向上することが分った。
両者とも無添加のとき、透磁率（μ0.1）は6500、飽和
磁束密度（B10）は4610の値を示した。第２図から明ら
かなように、V2O5を複合添加することにより、透磁率及
び飽和磁束密度の両者共に向上することが分った。
実施例５ Fe2O353モル％、MnCO330モル％、ZnO17モル％よりな
る混合物を、実施例１と同様に混合し仮焼した後、仮焼
後の粉末にIn2O3及びV2O5をそれぞれ0.5〜1.0wt％、０
〜1.0wt％同時添加して粉砕混合し、実施例１と同様に
して成形体を得、これを1260℃、４時間一次焼結したあ
と、1220℃、800kg/cm2で２時間HIPした場合の特性を第
３図に示す。
る混合物を、実施例１と同様に混合し仮焼した後、仮焼
後の粉末にIn2O3及びV2O5をそれぞれ0.5〜1.0wt％、０
〜1.0wt％同時添加して粉砕混合し、実施例１と同様に
して成形体を得、これを1260℃、４時間一次焼結したあ
と、1220℃、800kg/cm2で２時間HIPした場合の特性を第
３図に示す。
上記第２図とこの第３図から明らかなように、V2O51.
0wt％以下を複合添加することにより、透磁率及び飽和
磁束密度を両者共に良好な値が得られることが分った。
0wt％以下を複合添加することにより、透磁率及び飽和
磁束密度を両者共に良好な値が得られることが分った。
また、実施例４および５のいずれの場合も顕微鏡観察
の結果、気孔はほとんど観察されなかった。
の結果、気孔はほとんど観察されなかった。
以上実施例で示したように、本発明は、Mn−Znフェラ
イトの製造において、粉末に適量の添加物を入れること
によってHIP後の特性を飛躍的に向上させることが可能
となるため、このようにして得られた材料はディジタル
磁気ヘッド用として要求される特性を充分満足すると考
えられる。
イトの製造において、粉末に適量の添加物を入れること
によってHIP後の特性を飛躍的に向上させることが可能
となるため、このようにして得られた材料はディジタル
磁気ヘッド用として要求される特性を充分満足すると考
えられる。
また、本発明において、SnO2及びIn2O3の量の上限を2
wt％未満に限定したのは、実施例でわかる様に、2wt以
上で急激に透磁率が劣化するからである。
wt％未満に限定したのは、実施例でわかる様に、2wt以
上で急激に透磁率が劣化するからである。
またHIP処理の圧力を800〜1600kg/cm2に限定したのは
800kg/cm2以下の圧力では十分な効果が得られず気孔が
残存しやすく、高密度が得られないためであり、また16
00kg/cm2を越えるとHIP時の歪が大きくなりすぎて特性
が劣化するためである。
800kg/cm2以下の圧力では十分な効果が得られず気孔が
残存しやすく、高密度が得られないためであり、また16
00kg/cm2を越えるとHIP時の歪が大きくなりすぎて特性
が劣化するためである。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の製造方法を用いれば、
高透時率で、高飽和磁束を持ち、且つ超精密加工に耐え
得る高密度のフェライトを得ることができる。
高透時率で、高飽和磁束を持ち、且つ超精密加工に耐え
得る高密度のフェライトを得ることができる。
第１図、第２図、及び第３図はいずれも本発明の実施例
で得られる高密度フェライトの添加材料の量による特性
の変化を示す図である。
で得られる高密度フェライトの添加材料の量による特性
の変化を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−83977（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−55371（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−45616（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】Fe2O351.0〜54.0モル％、Mn26.0〜31.0モ
ル％、ZnO14.0〜22.0モル％組成のMn−Znフェライトに
おいて、In2O30.25wt％以上〜2.0wt％未満及びSnO20.25
wt％以上〜2.0wt％未満の少なくとも１種類を添加した
粉末の成形体を窒素雰囲気中で一次焼結した後、800〜1
600kg/cm2の圧力で熱間静水圧プレスすることを特徴と
する高密度フェライトの製造方法。 - 【請求項２】Fe2O351.0〜54.0モル％、Mn26.0〜31.0モ
ル％、ZnO14.0〜22.0モル％組成のMn−Znフェライトに
おいて、In2O30.25wt％以上〜2.0wt％未満及びSnO20.25
wt％以上〜2.0wt％未満の少なくとも１種類とV2O51.0wt
％以下を複合添加した粉末の成形体を窒素雰囲気中で一
次焼結した後、800〜1600kg/cm2の圧力で熱間静水圧プ
レスすることを特徴とする高密度フェライトの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60121475A JP2561815B2 (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | 高密度フエライトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60121475A JP2561815B2 (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | 高密度フエライトの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61280602A JPS61280602A (ja) | 1986-12-11 |
| JP2561815B2 true JP2561815B2 (ja) | 1996-12-11 |
Family
ID=14812071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60121475A Expired - Fee Related JP2561815B2 (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | 高密度フエライトの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2561815B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01253210A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | Ngk Insulators Ltd | 多結晶フェライト材料及びその製造法 |
| JP3635410B2 (ja) * | 1992-12-28 | 2005-04-06 | Ｔｄｋ株式会社 | マンガン−亜鉛系フェライトの製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5983977A (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-15 | 東北金属工業株式会社 | 高密度マンガン・亜鉛フェライトの製造方法 |
-
1985
- 1985-06-06 JP JP60121475A patent/JP2561815B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61280602A (ja) | 1986-12-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |