JP2561815B2 - 高密度フエライトの製造方法 - Google Patents
高密度フエライトの製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、ディジタル磁気ヘッド用の高密度フェラ
イト材料の製造方法に関する。
イト材料の製造方法に関する。
[従来技術とその問題点] ディジタル磁気記録は近年益々高記録密度化が進み、
従来の48TPI(トラック密度)に対して96TPI,135TPIが
主流となってきている。これに対応するヘッド機とし
て、従来のNi−Znフェライトが主に用いられてきたが、
高記録密度用としては高透磁率と高飽和磁束をもつ材料
が要求されている。また、高記録密度化に伴ない、ヘッ
ドの形状も小型化しているため、超精密加工に耐え得る
材料でなければならない。
従来の48TPI(トラック密度)に対して96TPI,135TPIが
主流となってきている。これに対応するヘッド機とし
て、従来のNi−Znフェライトが主に用いられてきたが、
高記録密度用としては高透磁率と高飽和磁束をもつ材料
が要求されている。また、高記録密度化に伴ない、ヘッ
ドの形状も小型化しているため、超精密加工に耐え得る
材料でなければならない。
[発明の目的] 上記のような要求を満足する材料として、熱間静水圧
プレス法(HIP)によるMn−Znフェライトが最も適して
いることは否めない。そこで本発明は、高密度で、気孔
が少なく、かつ高透磁率、高飽和磁束密度を有するMn−
Znフェライトの製造方法を得ようとするものである。
プレス法(HIP)によるMn−Znフェライトが最も適して
いることは否めない。そこで本発明は、高密度で、気孔
が少なく、かつ高透磁率、高飽和磁束密度を有するMn−
Znフェライトの製造方法を得ようとするものである。
[問題点を解決するための手段] 本発明によれば、Fe2O351.0〜54.0モル%、Mn26.0〜3
1.0モル%、ZnO14.0〜22.0モル%組成のMn−Znフェライ
トにおいて、In2O30.25wt%以上〜2.0wt%未満及びSnO2
0.25wt%以上〜2.0wt%未満の少なくとも1種類を添加
した粉末の成形体を窒素雰囲気中で一次焼結した後、80
0〜1600kg/cm2の圧力で熱間静水圧プレスをすることを
特徴とする高密度フェライトの製造方法が得られる。
1.0モル%、ZnO14.0〜22.0モル%組成のMn−Znフェライ
トにおいて、In2O30.25wt%以上〜2.0wt%未満及びSnO2
0.25wt%以上〜2.0wt%未満の少なくとも1種類を添加
した粉末の成形体を窒素雰囲気中で一次焼結した後、80
0〜1600kg/cm2の圧力で熱間静水圧プレスをすることを
特徴とする高密度フェライトの製造方法が得られる。
また、本発明によれば、Fe2O351.0〜54.0モル%、Mn2
6.0〜31.0モル%、Zn14.0〜22.0モル%組成のMn−Znフ
ェライトにおいて、In2O30.25wt%以上〜2.0wt%未満及
びSnO20.25wt%以上〜2.0wt%未満の少なくとも1種類
とV2O51.0wt%以下を複合添加した粉末の成形体を窒素
雰囲気中で一次焼結した後、800〜1600kg/cm2の圧力で
熱間静水圧プレスをすることを特徴とする高密度フェラ
イトの製造方法が得られる。
6.0〜31.0モル%、Zn14.0〜22.0モル%組成のMn−Znフ
ェライトにおいて、In2O30.25wt%以上〜2.0wt%未満及
びSnO20.25wt%以上〜2.0wt%未満の少なくとも1種類
とV2O51.0wt%以下を複合添加した粉末の成形体を窒素
雰囲気中で一次焼結した後、800〜1600kg/cm2の圧力で
熱間静水圧プレスをすることを特徴とする高密度フェラ
イトの製造方法が得られる。
[実施例] 以下に、本発明の実施例を示す。
まず、請求項1記載の発明の具体的な実施例を実施例
1〜3に示す。
1〜3に示す。
実施例1 Fe2O353モル%、MnCO330モル%、ZnO17モル%よりな
る混合物をボールミルにて湿式混合し、濾過乾燥後900
℃にて2時間仮焼した粉末をつくり、これにIn2O3を0
〜3.0wt%添加し、ボールミルにより20時間粉砕し、バ
インダーを添加したあとスプレードライヤーにて整粒を
行ない、得られた粉末を40×30×10mmのブロックに成形
し、1260℃、4時間窒素雰囲気中で一次焼結したあと、
1220℃、800kg/cm2で2時間Arガス中でHIP処理を行なっ
た。このブロックから外径8mm、内径4mm、高さ0.5mmの
リングを切り出し、これを加工歪を除去するため窒素ガ
ス中で800℃、1時間熱処理を行なった後、透磁率及び
飽和磁束密度を測定したところ以下の様な結果が得られ
た。
る混合物をボールミルにて湿式混合し、濾過乾燥後900
℃にて2時間仮焼した粉末をつくり、これにIn2O3を0
〜3.0wt%添加し、ボールミルにより20時間粉砕し、バ
インダーを添加したあとスプレードライヤーにて整粒を
行ない、得られた粉末を40×30×10mmのブロックに成形
し、1260℃、4時間窒素雰囲気中で一次焼結したあと、
1220℃、800kg/cm2で2時間Arガス中でHIP処理を行なっ
た。このブロックから外径8mm、内径4mm、高さ0.5mmの
リングを切り出し、これを加工歪を除去するため窒素ガ
ス中で800℃、1時間熱処理を行なった後、透磁率及び
飽和磁束密度を測定したところ以下の様な結果が得られ
た。
ここに、μ0.1とは、0.1mAで測定した透磁率を意味
し、また、B10とは、100e(エルステッド)で測定した
飽和磁束密度を意味する。前者は、初透磁率は電流が0
の時であるが、このような測定は実用的でないので、微
小電流の値として0.1mAで規定して測定したものであ
り、後者は、無限大で測定するのは実用的でないので、
充分飽和すると考えられる100e(エルステッド)で測定
したものである。
し、また、B10とは、100e(エルステッド)で測定した
飽和磁束密度を意味する。前者は、初透磁率は電流が0
の時であるが、このような測定は実用的でないので、微
小電流の値として0.1mAで規定して測定したものであ
り、後者は、無限大で測定するのは実用的でないので、
充分飽和すると考えられる100e(エルステッド)で測定
したものである。
上記のように、In2O3添加量を0〜3.0wt%の間で変化
させ、各々の場合について、上記の透磁率及び飽和磁束
密度を測定したところ、In2O3添加量が0.25wt%以上〜
2.0wt%未満の範囲で有意の効果が見られた。
させ、各々の場合について、上記の透磁率及び飽和磁束
密度を測定したところ、In2O3添加量が0.25wt%以上〜
2.0wt%未満の範囲で有意の効果が見られた。
またこれらのブロックを鏡面研度して顕微鏡観察した
ところ、ほとんど気孔は観察されなかった。
ところ、ほとんど気孔は観察されなかった。
実施例2 実施例1と同組成からなる混合物を実施例1と同様に
混合し、仮焼した後SnO2を0〜3wt%添加し、実施例1
と同様にして成形体を得、実施例1と同条件にて一次焼
結、HIPを行なったものの特性を以下に示す。
混合し、仮焼した後SnO2を0〜3wt%添加し、実施例1
と同様にして成形体を得、実施例1と同条件にて一次焼
結、HIPを行なったものの特性を以下に示す。
μ0.1とB10の意味は、実施例1におけるのと同様であ
る。
る。
上記のように、SnO2添加量を0〜3.0wt%の間で変化
させ、各々の場合について、上記の透磁率及び飽和磁束
密度を測定した。本実施例のような高密度フェライトの
製造において、SnO2は、特に温度特性の調整に用いるこ
とができ、比較的添加量を多くなるのは周知であるが、
本実施例において、SnO2添加量が2.0wt%以上で急激に
透磁率(μ0.1)が劣化するので、添加量を2.0wt%未満
とした。
させ、各々の場合について、上記の透磁率及び飽和磁束
密度を測定した。本実施例のような高密度フェライトの
製造において、SnO2は、特に温度特性の調整に用いるこ
とができ、比較的添加量を多くなるのは周知であるが、
本実施例において、SnO2添加量が2.0wt%以上で急激に
透磁率(μ0.1)が劣化するので、添加量を2.0wt%未満
とした。
尚、この場合も、顕微鏡観察の結果気孔はほとんど観
察されなかった。
察されなかった。
実施例3 実施例1の組成において、仮焼後の粉末にIn2O3を0.5
〜1.0wt%、SnO2を0.5〜2.0wt%同時添加して粉砕混合
し、実施例1と同様にして一次焼結、HIPを行なった場
合の特性を第1図に示す。
〜1.0wt%、SnO2を0.5〜2.0wt%同時添加して粉砕混合
し、実施例1と同様にして一次焼結、HIPを行なった場
合の特性を第1図に示す。
本実施例においても、SnO2添加量が2.0wt%以上で急
激に透磁率(μ0.1)が劣化するので、添加量を2.0wt%
未満とした。
激に透磁率(μ0.1)が劣化するので、添加量を2.0wt%
未満とした。
本実施例の場合も顕微鏡観察の結果、気孔はほとんど
観察されなかった。
観察されなかった。
次に、請求項2記載の発明の具体的な実施例を実施例
4及び5に示す。
4及び5に示す。
実施例4 Fe2O353モル%、MnCO327モル%、ZnO20モル%よりな
る混合物を実施例1と同様に混合し仮焼した後、仮焼後
の粉末にV2O5及びSnO2をそれぞれ0〜0.4wt%、0〜1.5
wt%同時添加して粉砕混合し、以下実施例1と同様にし
て得た成形体を1260℃、4時間一次焼結したあと、1220
℃、1200kg/cm2で2時間HIPしたものの特性を第2図に
示す。
る混合物を実施例1と同様に混合し仮焼した後、仮焼後
の粉末にV2O5及びSnO2をそれぞれ0〜0.4wt%、0〜1.5
wt%同時添加して粉砕混合し、以下実施例1と同様にし
て得た成形体を1260℃、4時間一次焼結したあと、1220
℃、1200kg/cm2で2時間HIPしたものの特性を第2図に
示す。
尚、V2O5及びSnO2のそれぞれが0wt%のとき、即ち、
両者とも無添加のとき、透磁率(μ0.1)は6500、飽和
磁束密度(B10)は4610の値を示した。第2図から明ら
かなように、V2O5を複合添加することにより、透磁率及
び飽和磁束密度の両者共に向上することが分った。
両者とも無添加のとき、透磁率(μ0.1)は6500、飽和
磁束密度(B10)は4610の値を示した。第2図から明ら
かなように、V2O5を複合添加することにより、透磁率及
び飽和磁束密度の両者共に向上することが分った。
実施例5 Fe2O353モル%、MnCO330モル%、ZnO17モル%よりな
る混合物を、実施例1と同様に混合し仮焼した後、仮焼
後の粉末にIn2O3及びV2O5をそれぞれ0.5〜1.0wt%、0
〜1.0wt%同時添加して粉砕混合し、実施例1と同様に
して成形体を得、これを1260℃、4時間一次焼結したあ
と、1220℃、800kg/cm2で2時間HIPした場合の特性を第
3図に示す。
る混合物を、実施例1と同様に混合し仮焼した後、仮焼
後の粉末にIn2O3及びV2O5をそれぞれ0.5〜1.0wt%、0
〜1.0wt%同時添加して粉砕混合し、実施例1と同様に
して成形体を得、これを1260℃、4時間一次焼結したあ
と、1220℃、800kg/cm2で2時間HIPした場合の特性を第
3図に示す。
上記第2図とこの第3図から明らかなように、V2O51.
0wt%以下を複合添加することにより、透磁率及び飽和
磁束密度を両者共に良好な値が得られることが分った。
0wt%以下を複合添加することにより、透磁率及び飽和
磁束密度を両者共に良好な値が得られることが分った。
また、実施例4および5のいずれの場合も顕微鏡観察
の結果、気孔はほとんど観察されなかった。
の結果、気孔はほとんど観察されなかった。
以上実施例で示したように、本発明は、Mn−Znフェラ
イトの製造において、粉末に適量の添加物を入れること
によってHIP後の特性を飛躍的に向上させることが可能
となるため、このようにして得られた材料はディジタル
磁気ヘッド用として要求される特性を充分満足すると考
えられる。
イトの製造において、粉末に適量の添加物を入れること
によってHIP後の特性を飛躍的に向上させることが可能
となるため、このようにして得られた材料はディジタル
磁気ヘッド用として要求される特性を充分満足すると考
えられる。
また、本発明において、SnO2及びIn2O3の量の上限を2
wt%未満に限定したのは、実施例でわかる様に、2wt以
上で急激に透磁率が劣化するからである。
wt%未満に限定したのは、実施例でわかる様に、2wt以
上で急激に透磁率が劣化するからである。
またHIP処理の圧力を800〜1600kg/cm2に限定したのは
800kg/cm2以下の圧力では十分な効果が得られず気孔が
残存しやすく、高密度が得られないためであり、また16
00kg/cm2を越えるとHIP時の歪が大きくなりすぎて特性
が劣化するためである。
800kg/cm2以下の圧力では十分な効果が得られず気孔が
残存しやすく、高密度が得られないためであり、また16
00kg/cm2を越えるとHIP時の歪が大きくなりすぎて特性
が劣化するためである。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明の製造方法を用いれば、
高透時率で、高飽和磁束を持ち、且つ超精密加工に耐え
得る高密度のフェライトを得ることができる。
高透時率で、高飽和磁束を持ち、且つ超精密加工に耐え
得る高密度のフェライトを得ることができる。
第1図、第2図、及び第3図はいずれも本発明の実施例
で得られる高密度フェライトの添加材料の量による特性
の変化を示す図である。
で得られる高密度フェライトの添加材料の量による特性
の変化を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−83977(JP,A) 特開 昭58−55371(JP,A) 特開 昭58−45616(JP,A)
Claims (2)
- 【請求項1】Fe2O351.0〜54.0モル%、Mn26.0〜31.0モ
ル%、ZnO14.0〜22.0モル%組成のMn−Znフェライトに
おいて、In2O30.25wt%以上〜2.0wt%未満及びSnO20.25
wt%以上〜2.0wt%未満の少なくとも1種類を添加した
粉末の成形体を窒素雰囲気中で一次焼結した後、800〜1
600kg/cm2の圧力で熱間静水圧プレスすることを特徴と
する高密度フェライトの製造方法。 - 【請求項2】Fe2O351.0〜54.0モル%、Mn26.0〜31.0モ
ル%、ZnO14.0〜22.0モル%組成のMn−Znフェライトに
おいて、In2O30.25wt%以上〜2.0wt%未満及びSnO20.25
wt%以上〜2.0wt%未満の少なくとも1種類とV2O51.0wt
%以下を複合添加した粉末の成形体を窒素雰囲気中で一
次焼結した後、800〜1600kg/cm2の圧力で熱間静水圧プ
レスすることを特徴とする高密度フェライトの製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60121475A JP2561815B2 (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | 高密度フエライトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60121475A JP2561815B2 (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | 高密度フエライトの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61280602A JPS61280602A (ja) | 1986-12-11 |
JP2561815B2 true JP2561815B2 (ja) | 1996-12-11 |
Family
ID=14812071
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60121475A Expired - Fee Related JP2561815B2 (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | 高密度フエライトの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2561815B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01253210A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | Ngk Insulators Ltd | 多結晶フェライト材料及びその製造法 |
JP3635410B2 (ja) * | 1992-12-28 | 2005-04-06 | Tdk株式会社 | マンガン−亜鉛系フェライトの製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5983977A (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-15 | 東北金属工業株式会社 | 高密度マンガン・亜鉛フェライトの製造方法 |
-
1985
- 1985-06-06 JP JP60121475A patent/JP2561815B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61280602A (ja) | 1986-12-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |