JPH1074612A - 高透磁率酸化物磁性材料 - Google Patents
高透磁率酸化物磁性材料Info
- Publication number
- JPH1074612A JPH1074612A JP8248552A JP24855296A JPH1074612A JP H1074612 A JPH1074612 A JP H1074612A JP 8248552 A JP8248552 A JP 8248552A JP 24855296 A JP24855296 A JP 24855296A JP H1074612 A JPH1074612 A JP H1074612A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- mol
- mno
- zno
- magnetic material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compounds Of Iron (AREA)
- Magnetic Ceramics (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価な高透磁率酸化物磁性材料を提供するこ
と。 【解決手段】 主成分を、Fe2O3が52〜53mol
%、MnOが24〜28mol%、ZnOが19〜24
mol%とし、副成分として、0.3〜1.5wt%のP
2O5及び0.05wt%以下(0を含まず)のV2O5を
含有させる。
と。 【解決手段】 主成分を、Fe2O3が52〜53mol
%、MnOが24〜28mol%、ZnOが19〜24
mol%とし、副成分として、0.3〜1.5wt%のP
2O5及び0.05wt%以下(0を含まず)のV2O5を
含有させる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高透磁率酸化物磁
性材料に関し、特に、スピネル型Mn−Znフェライト
に関する。
性材料に関し、特に、スピネル型Mn−Znフェライト
に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、技術革新が著しく、電子機器にお
いても、小型化、高性能化が進んでいる。それに伴い、
これらの電子機器に用いられるMn−Znフェライトに
おいても、より高透磁率で、低損失なものが要求されて
いる。
いても、小型化、高性能化が進んでいる。それに伴い、
これらの電子機器に用いられるMn−Znフェライトに
おいても、より高透磁率で、低損失なものが要求されて
いる。
【0003】一般に、高い初透磁率(μi)を有するM
n−Znフェライトの主成分は、Fe2O3が52〜53
mol%、MnOが24〜28mol%、残部ZnO付
近の組成とされており、現在、市販されているものも、
ほぼこの範囲である。
n−Znフェライトの主成分は、Fe2O3が52〜53
mol%、MnOが24〜28mol%、残部ZnO付
近の組成とされており、現在、市販されているものも、
ほぼこの範囲である。
【0004】高μiを達成するためには、上記のような
組成を吟味して、最適な組成を選択することのみなら
ず、結晶粒径を比較的大きくし、均一にすることが必要
である。このためには、焼成温度を高くすることが最も
有効である。
組成を吟味して、最適な組成を選択することのみなら
ず、結晶粒径を比較的大きくし、均一にすることが必要
である。このためには、焼成温度を高くすることが最も
有効である。
【0005】通常のMn−Znフェライトは、混合、仮
焼、解砕、造粒、成形、焼成の工程を経て製造される。
この中で結晶粒径を制御するためには、解砕後の粉末粒
径、及び焼成条件、特に、焼成温度を適切な条件に設定
することが不可欠である。解砕後の粉末粒径に関して
は、光散乱法による累積50%粒径で、0.5〜2.0μ
m程度、そして、焼成温度については、1300〜14
50℃の範囲で行われているのが通例である。
焼、解砕、造粒、成形、焼成の工程を経て製造される。
この中で結晶粒径を制御するためには、解砕後の粉末粒
径、及び焼成条件、特に、焼成温度を適切な条件に設定
することが不可欠である。解砕後の粉末粒径に関して
は、光散乱法による累積50%粒径で、0.5〜2.0μ
m程度、そして、焼成温度については、1300〜14
50℃の範囲で行われているのが通例である。
【0006】しかし、焼成温度をあまり高くしすぎる
と、種々の弊害が発生することが知られている。
と、種々の弊害が発生することが知られている。
【0007】まず、第一点として、異常粒の発生が挙げ
られる。異常粒が発生すると、結晶粒径分布が幅広くな
るのみならず、結晶粒内にポアが取り残される。又、本
来、粒界層の構成成分となる微量添加物も、粒界層の切
断等により、結晶粒内に取り残される。その結果、結晶
粒内が不浄となり、磁壁のなめらかな移動を阻害し、μ
iの低下、及び損失の増大を招くことになる。
られる。異常粒が発生すると、結晶粒径分布が幅広くな
るのみならず、結晶粒内にポアが取り残される。又、本
来、粒界層の構成成分となる微量添加物も、粒界層の切
断等により、結晶粒内に取り残される。その結果、結晶
粒内が不浄となり、磁壁のなめらかな移動を阻害し、μ
iの低下、及び損失の増大を招くことになる。
【0008】第二点としては、亜鉛の揮発が挙げられ
る。亜鉛が揮発すると、表面層と内部層で組成差が生
じ、これにより、内部応力が発生し、先と同様、μiの
低下、損失の増大を招くことになる。
る。亜鉛が揮発すると、表面層と内部層で組成差が生
じ、これにより、内部応力が発生し、先と同様、μiの
低下、損失の増大を招くことになる。
【0009】又、μiの周波数特性を良好とするために
は、高周波数で支配的な渦電流損失を低減することが必
須である。そのため、高抵抗の粒界層を形成するSiO
2,CaO等の微量添加物を添加するのが一般的であ
る。
は、高周波数で支配的な渦電流損失を低減することが必
須である。そのため、高抵抗の粒界層を形成するSiO
2,CaO等の微量添加物を添加するのが一般的であ
る。
【0010】しかしながら、SiO2 は、異常粒の発生
を促進する因子であることより、高抵抗化と組織制御を
同時に実現不可能としている。又、CaOは、昇温過程
における緻密化及び粒成長を著しく阻害するため、所定
のμiを得るために焼成温度を高くし、結晶粒径を大き
くする必要があり、その結果、亜鉛の揮発を生じる焼成
温度で焼成せざるを得ない。さらに、CaOは、P2O5
と反応して第三相を形成するため、粒界層に対するCa
Oの固溶量が低下し、粒界層の電気抵抗の低下を招いて
いる。
を促進する因子であることより、高抵抗化と組織制御を
同時に実現不可能としている。又、CaOは、昇温過程
における緻密化及び粒成長を著しく阻害するため、所定
のμiを得るために焼成温度を高くし、結晶粒径を大き
くする必要があり、その結果、亜鉛の揮発を生じる焼成
温度で焼成せざるを得ない。さらに、CaOは、P2O5
と反応して第三相を形成するため、粒界層に対するCa
Oの固溶量が低下し、粒界層の電気抵抗の低下を招いて
いる。
【0011】又、フェライトは、含有する不純物組成に
その特性が大きく依存する。さらに、高μiを達成する
ためには、不純物の少ない高純度の原料を使用する必要
がある。一般に、市販されている安価な原料中には、P
2O5,SiO2,PbO,Cr2O3等の 不純物が多量に
含有する。特に、P2O5は、0.03wt%程度以下含
有するが、これが著しい異常粒成長を引き起こし、磁気
特性が劣化する。そのため、従来は、これらの安価な酸
化鉄原料を用いて、高μiを有するMn−Znフェライ
トを得ることはできなかった。従って、高価な高純度の
酸化鉄原料を使用する必要があった。
その特性が大きく依存する。さらに、高μiを達成する
ためには、不純物の少ない高純度の原料を使用する必要
がある。一般に、市販されている安価な原料中には、P
2O5,SiO2,PbO,Cr2O3等の 不純物が多量に
含有する。特に、P2O5は、0.03wt%程度以下含
有するが、これが著しい異常粒成長を引き起こし、磁気
特性が劣化する。そのため、従来は、これらの安価な酸
化鉄原料を用いて、高μiを有するMn−Znフェライ
トを得ることはできなかった。従って、高価な高純度の
酸化鉄原料を使用する必要があった。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の技術
的な課題は、上記の欠点を解消し、安価で、高透磁率で
あるMn−Znフェライトからなる酸化物磁性材料を提
供することにある。
的な課題は、上記の欠点を解消し、安価で、高透磁率で
あるMn−Znフェライトからなる酸化物磁性材料を提
供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明者は、種々の検討
を行った結果、52〜53mol%のFe2O3、24〜
28mol%のMnO、19〜24mol%のZnOか
らなるMn−Znフェライトに、副成分として、0.3
〜1.5wt%のP2O5及び0.05wt%以下(0を含
まず)のV2O5を含有するように添加した粉末を、11
50〜1300℃の温度で焼成することにより、結晶粒
径が均一で、その平均結晶粒径が大きく、高透磁率であ
る酸化物磁性材料が得られることを見い出した。
を行った結果、52〜53mol%のFe2O3、24〜
28mol%のMnO、19〜24mol%のZnOか
らなるMn−Znフェライトに、副成分として、0.3
〜1.5wt%のP2O5及び0.05wt%以下(0を含
まず)のV2O5を含有するように添加した粉末を、11
50〜1300℃の温度で焼成することにより、結晶粒
径が均一で、その平均結晶粒径が大きく、高透磁率であ
る酸化物磁性材料が得られることを見い出した。
【0014】即ち、本発明は、主成分として、52〜5
3mol%のFe2O3、24〜28mol%のMnO、
19〜24mol%のZnOからなり、副成分として、
0.3〜1.5wt%のP2O5及び0.05wt%以下
(0を含まず)のV2O5を含有することを特徴とする高
透磁率酸化物磁性材料である。
3mol%のFe2O3、24〜28mol%のMnO、
19〜24mol%のZnOからなり、副成分として、
0.3〜1.5wt%のP2O5及び0.05wt%以下
(0を含まず)のV2O5を含有することを特徴とする高
透磁率酸化物磁性材料である。
【0015】本発明によれば、従来法より粒成長が促進
され、かつ結晶粒径が均一となるため、低温での焼成が
可能となり、亜鉛が揮発する温度より低温で焼成するこ
とが可能となる。よって、比表面積の大きな小型の製品
でも、優れた特性が得られ、製品間の特性ばらつきを解
消でき、低コストで優れた材料を得ることが可能とな
る。
され、かつ結晶粒径が均一となるため、低温での焼成が
可能となり、亜鉛が揮発する温度より低温で焼成するこ
とが可能となる。よって、比表面積の大きな小型の製品
でも、優れた特性が得られ、製品間の特性ばらつきを解
消でき、低コストで優れた材料を得ることが可能とな
る。
【0016】加えて、焼成体の組織は、従来法での組織
に比べ、粒内ポア数が少なくなっている。その結果、磁
壁の移動が滑らかとなり、高μi、低損失を得るのに有
利となっている。又、粒界層にV2O5及びP2O5が高濃
度に析出することにより、粒界層の高比抵抗化が実現さ
れ、渦電流損失の低減が図れ、μiの周波数特性が良好
となる。
に比べ、粒内ポア数が少なくなっている。その結果、磁
壁の移動が滑らかとなり、高μi、低損失を得るのに有
利となっている。又、粒界層にV2O5及びP2O5が高濃
度に析出することにより、粒界層の高比抵抗化が実現さ
れ、渦電流損失の低減が図れ、μiの周波数特性が良好
となる。
【0017】更に、従来、ある程度(0.03wt%程
度以下)のP2O5を含有しているため、著しい異常粒成
長が発生し、使用することができなかった安価な原料で
も、更にP2O5を添加して、多量(0.3〜1.5wt
%)のP2O5を含有させることによって使用が可能とな
る。
度以下)のP2O5を含有しているため、著しい異常粒成
長が発生し、使用することができなかった安価な原料で
も、更にP2O5を添加して、多量(0.3〜1.5wt
%)のP2O5を含有させることによって使用が可能とな
る。
【0018】ここで、本発明におけるP2O5の添加によ
る粒成長の促進、及び粒内ポア数の減少、高比抵抗の粒
界層の形成のメカニズムについては、詳細は不明である
が、本来、0.2wt%程度以下のP2O5は、著しく粒
成長を促進させ、異常粒成長を引き起こすが、さらにP
2O5を添加して0.3〜1.5wt%の範囲のP2O5を含
有させることによって、P2O5は、1100℃以上では
液相で存在することから、固相焼結より液相焼結が支配
的となり、より低温で緻密化及び粒成長が完了し、異常
粒成長が抑制されたものと思われる。
る粒成長の促進、及び粒内ポア数の減少、高比抵抗の粒
界層の形成のメカニズムについては、詳細は不明である
が、本来、0.2wt%程度以下のP2O5は、著しく粒
成長を促進させ、異常粒成長を引き起こすが、さらにP
2O5を添加して0.3〜1.5wt%の範囲のP2O5を含
有させることによって、P2O5は、1100℃以上では
液相で存在することから、固相焼結より液相焼結が支配
的となり、より低温で緻密化及び粒成長が完了し、異常
粒成長が抑制されたものと思われる。
【0019】ここで、本発明において、主成分組成の範
囲をFe2O3が52〜53mol%、MnOが24〜2
8mol%、ZnOが19〜24mol%としたのは、
Fe2O3が52mol%未満、MnOが28mol%を
越えると、十分なμiが得られず、Fe2O3が53mo
l%を越え、MnOが24mol%未満であると、キュ
リー温度が低く、実用的でないためである。
囲をFe2O3が52〜53mol%、MnOが24〜2
8mol%、ZnOが19〜24mol%としたのは、
Fe2O3が52mol%未満、MnOが28mol%を
越えると、十分なμiが得られず、Fe2O3が53mo
l%を越え、MnOが24mol%未満であると、キュ
リー温度が低く、実用的でないためである。
【0020】又、本発明において、P2O5を0.3〜1.
5wt%としたのは、0.3wt%未満であると、異常
粒成長が著しく、1.5wt%を越えると、焼成体の変
形等が著しいためである。
5wt%としたのは、0.3wt%未満であると、異常
粒成長が著しく、1.5wt%を越えると、焼成体の変
形等が著しいためである。
【0021】又、V2O5を0.05wt%以下(0を含
まず)としたのは、この範囲を越えた場合、著しく結晶
粒径が不均一となり、磁気特性が劣化するからである。
まず)としたのは、この範囲を越えた場合、著しく結晶
粒径が不均一となり、磁気特性が劣化するからである。
【0022】亜鉛の揮発量に関しては、焼成時の焼成温
度と酸素分圧の関係により決定され、焼成温度が一定で
あれば、酸素分圧が高いほど揮発量は少ないことが知ら
れている。よって、酸素分圧を高くすることにより、亜
鉛の揮発量を抑え、結晶粒径を大きくすることができる
が、分圧を高くし過ぎると、十分な密度が得られないだ
けでなく、μiが低くなることから、酸素分圧との関係
で1300℃程度が望ましい上限の焼成温度である。
度と酸素分圧の関係により決定され、焼成温度が一定で
あれば、酸素分圧が高いほど揮発量は少ないことが知ら
れている。よって、酸素分圧を高くすることにより、亜
鉛の揮発量を抑え、結晶粒径を大きくすることができる
が、分圧を高くし過ぎると、十分な密度が得られないだ
けでなく、μiが低くなることから、酸素分圧との関係
で1300℃程度が望ましい上限の焼成温度である。
【0023】
【発明の実施の形態】酸化鉄原料を、MnO及びZnO
の原料粉末と共に、所定の組成となるように、ボールミ
ルで混合する。得られた混合粉末を大気中で仮焼する。
更に、この仮焼粉末にP2O5及びV2O5を添加し、ボー
ルミルにて粉砕する。得られた粉末にバインダーを添加
し、スプレー造粒を行う。その後、所定のトロイダル形
状に成形し、所定の条件で焼成する。
の原料粉末と共に、所定の組成となるように、ボールミ
ルで混合する。得られた混合粉末を大気中で仮焼する。
更に、この仮焼粉末にP2O5及びV2O5を添加し、ボー
ルミルにて粉砕する。得られた粉末にバインダーを添加
し、スプレー造粒を行う。その後、所定のトロイダル形
状に成形し、所定の条件で焼成する。
【0024】
【実施例】以下に、本発明の実施例を詳細に説明する。
【0025】(実施例1)一般に販売されている高純度
の酸化鉄原料を用いて、52.5mol%Fe2O3−2
5mol%MnO−22.5mol%ZnOの組成とな
るように、MnO及びZnOの原料粉末と共に、ボール
ミルで混合し、この混合粉末を大気中1000℃で仮焼
した。更に、この仮焼粉末にP2O5を0.1〜2.0wt
%及びV2O5を0.04wt%含有するように添加し、
ボールミルにて80時間粉砕し、平均粉末粒径を1.0
μmとした。得られた粉末にポリビニルアルコール(P
VA)をバインダーとして添加し、スプレー造粒を行っ
た。
の酸化鉄原料を用いて、52.5mol%Fe2O3−2
5mol%MnO−22.5mol%ZnOの組成とな
るように、MnO及びZnOの原料粉末と共に、ボール
ミルで混合し、この混合粉末を大気中1000℃で仮焼
した。更に、この仮焼粉末にP2O5を0.1〜2.0wt
%及びV2O5を0.04wt%含有するように添加し、
ボールミルにて80時間粉砕し、平均粉末粒径を1.0
μmとした。得られた粉末にポリビニルアルコール(P
VA)をバインダーとして添加し、スプレー造粒を行っ
た。
【0026】その後、2ton/cm2の圧力で外径2
5mm、内径15mm、高さ5mmのトロイダル形状
(形状A)及び外径10mm、内径6mm、高さ1mm
のトロイダル形状(形状B)に成形し、1200℃の温
度で1%O2−99%N2雰囲気中2時間保持し、焼成し
た。
5mm、内径15mm、高さ5mmのトロイダル形状
(形状A)及び外径10mm、内径6mm、高さ1mm
のトロイダル形状(形状B)に成形し、1200℃の温
度で1%O2−99%N2雰囲気中2時間保持し、焼成し
た。
【0027】(比較例)高純度のFe2O3、MnO及び
ZnO原料を用いて、ボールミルで混合し、52.5m
ol%Fe2O3−25mol%MnO−22.5mol
%ZnOの混合粉末を得た。この混合粉末を大気中10
00℃で仮焼した。更に、この粉末に0.03wt%の
SiO2、0.01wt%のCaOを添加し、ボールミル
にて80時間粉砕し、平均粉末粒径を1.0μmとし
た。得られた粉末にPVAをバインダーとして添加し、
スプレー造粒を行った。
ZnO原料を用いて、ボールミルで混合し、52.5m
ol%Fe2O3−25mol%MnO−22.5mol
%ZnOの混合粉末を得た。この混合粉末を大気中10
00℃で仮焼した。更に、この粉末に0.03wt%の
SiO2、0.01wt%のCaOを添加し、ボールミル
にて80時間粉砕し、平均粉末粒径を1.0μmとし
た。得られた粉末にPVAをバインダーとして添加し、
スプレー造粒を行った。
【0028】その後、2ton/cm2の圧力で外径2
5mm、内径15mm、高さ5mmのトロイダル形状
(形状A)、及び外径10mm、内径6mm、高さ1m
mのトロイダル形状(形状B)に成形し、1400℃の
温度で1%O2−99%N2雰囲気中2時間保持し、焼成
した。
5mm、内径15mm、高さ5mmのトロイダル形状
(形状A)、及び外径10mm、内径6mm、高さ1m
mのトロイダル形状(形状B)に成形し、1400℃の
温度で1%O2−99%N2雰囲気中2時間保持し、焼成
した。
【0029】表1に、実施例1と比較例で得られた焼成
体の磁気特性、画像解析装置で切片長から求めた平均結
晶粒径、及び比抵抗を示した。なお、μi,tanδ/
μiは、10kHz−室温での値を示した。
体の磁気特性、画像解析装置で切片長から求めた平均結
晶粒径、及び比抵抗を示した。なお、μi,tanδ/
μiは、10kHz−室温での値を示した。
【0030】
【表1】
【0031】表1より、比較例(試料名10A,10
B)と比べ、P2O5量が0.3〜1.5wt%の範囲の本
発明(試料名2A,2B,3A,3B,4A,4B)で
優れた磁気特性を示していることがわかる。つまり、比
抵抗が高く、損失係数であるtanδ/μi及びμiが
著しく改善していることがわかる。
B)と比べ、P2O5量が0.3〜1.5wt%の範囲の本
発明(試料名2A,2B,3A,3B,4A,4B)で
優れた磁気特性を示していることがわかる。つまり、比
抵抗が高く、損失係数であるtanδ/μi及びμiが
著しく改善していることがわかる。
【0032】又、比較例では、比表面積の大きいB形状
で磁気特性が劣化しているが、本発明では、比表面積の
大小(試料の大小)によらず、優れた磁気特性を示して
いる。
で磁気特性が劣化しているが、本発明では、比表面積の
大小(試料の大小)によらず、優れた磁気特性を示して
いる。
【0033】図1に、本発明(試料名3A)の試料と比
較例(試料名10A)の試料のμiの周波数特性を示
す。図1より、比較例に比べ、本発明において、μiが
高く、かつμiの周波数特性が高周波数まで伸びている
ことがわかる。
較例(試料名10A)の試料のμiの周波数特性を示
す。図1より、比較例に比べ、本発明において、μiが
高く、かつμiの周波数特性が高周波数まで伸びている
ことがわかる。
【0034】(実施例2)一般に販売されている高純度
の酸化鉄原料を用いて、52.5mol%Fe2O3−2
5mol%MnO−22.5mol%ZnOの組成とな
るように、MnO及びZnOの原料粉末と共に、ボール
ミルで混合し、この混合粉末を大気中1000℃で仮焼
した。更に、この仮焼粉末にP2O5を1.0wt%及び
V2O5を0.005〜0.1wt%含有するように添加
し、ボールミルにて80時間粉砕し、平均粉末粒径を
1.0μmとした。得られた粉末にPVAをバインダー
として添加し、スプレー造粒を行った。
の酸化鉄原料を用いて、52.5mol%Fe2O3−2
5mol%MnO−22.5mol%ZnOの組成とな
るように、MnO及びZnOの原料粉末と共に、ボール
ミルで混合し、この混合粉末を大気中1000℃で仮焼
した。更に、この仮焼粉末にP2O5を1.0wt%及び
V2O5を0.005〜0.1wt%含有するように添加
し、ボールミルにて80時間粉砕し、平均粉末粒径を
1.0μmとした。得られた粉末にPVAをバインダー
として添加し、スプレー造粒を行った。
【0035】その後、この造粒粉末を実施例1と同様に
して、成形、焼成した。
して、成形、焼成した。
【0036】表2に、実施例2で得られた焼成体の磁気
特性、画像解析装置で切片長から求めた平均結晶粒径、
及び比抵抗を示した。また、比較例の値も併せて示し
た。なお、μi,tanδ/μiは、10kHz−室温
での値を示した。
特性、画像解析装置で切片長から求めた平均結晶粒径、
及び比抵抗を示した。また、比較例の値も併せて示し
た。なお、μi,tanδ/μiは、10kHz−室温
での値を示した。
【0037】
【表2】
【0038】表2より、比較例(試料名10A,10
B)と比べ、V2O5量が0.05wt%以下の範囲の本
発明(試料名11A,11B,12A,12B,13
A,13B,14A,14B)で優れた磁気特性を示し
ていることがわかる。又、本発明では、比表面積の大小
(試料の大小)によらず、優れた磁気特性を示してい
る。
B)と比べ、V2O5量が0.05wt%以下の範囲の本
発明(試料名11A,11B,12A,12B,13
A,13B,14A,14B)で優れた磁気特性を示し
ていることがわかる。又、本発明では、比表面積の大小
(試料の大小)によらず、優れた磁気特性を示してい
る。
【0039】(実施例3)一般に販売されている高純度
の酸化鉄原料を用いて、51.6〜53.4mol%Fe
2O3、23.1〜29.0mol%MnO、残部ZnOの
組成となるよう、MnO及びZnOの原料粉末と共に、
ボールミルで混合し、この混合粉末を大気中1000℃
で仮焼した。更に、この仮焼粉末にP2O5を1.0wt
%、V2O5を0.04wt%含有するように添加し、ボ
ールミルにて80時間粉砕し、平均粉末粒径を1.0μ
mとした。得られた粉末にPVAをバインダーとして添
加し、スプレー造粒を行った。
の酸化鉄原料を用いて、51.6〜53.4mol%Fe
2O3、23.1〜29.0mol%MnO、残部ZnOの
組成となるよう、MnO及びZnOの原料粉末と共に、
ボールミルで混合し、この混合粉末を大気中1000℃
で仮焼した。更に、この仮焼粉末にP2O5を1.0wt
%、V2O5を0.04wt%含有するように添加し、ボ
ールミルにて80時間粉砕し、平均粉末粒径を1.0μ
mとした。得られた粉末にPVAをバインダーとして添
加し、スプレー造粒を行った。
【0040】その後、この造粒粉末を実施例1と同様に
して、成形、焼成した。
して、成形、焼成した。
【0041】表3に、実施例3で得られた焼成体の磁気
特性及び比抵抗を示す。また、比較例の値も併せて示し
た。なお、μi,tanδ/μiは、10kHz−室温
での値を示した。
特性及び比抵抗を示す。また、比較例の値も併せて示し
た。なお、μi,tanδ/μiは、10kHz−室温
での値を示した。
【0042】
【表3】
【0043】表3より、Fe2O3量が52〜53mol
%、MnOが24〜28mol%、残部ZnOの範囲の
本発明(試料名22A,22B,23A,23B,24
A,24B)で優れた磁気特性を示していることがわか
る。又、本発明では、比表面積の大小によらず、優れた
磁気特性を示している。
%、MnOが24〜28mol%、残部ZnOの範囲の
本発明(試料名22A,22B,23A,23B,24
A,24B)で優れた磁気特性を示していることがわか
る。又、本発明では、比表面積の大小によらず、優れた
磁気特性を示している。
【0044】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、安価
で、高透磁率である酸化物磁性材料が提供できた。
で、高透磁率である酸化物磁性材料が提供できた。
【図1】本発明(試料名3A)と比較例(試料名10
A)の初透磁率μiの周波数特性を示す図。
A)の初透磁率μiの周波数特性を示す図。
1 本発明(試料名3A) 2 比較例(試料名10A)
Claims (1)
- 【請求項1】 主成分として、52〜53mol%のF
e2O3、24〜28mol%のMnO、19〜24mo
l%のZnOからなり、副成分として、0.3〜1.5w
t%のP2O5及び0.05wt%以下(0を含まず)の
V2O5を含有することを特徴とする高透磁率酸化物磁性
材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8248552A JPH1074612A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 高透磁率酸化物磁性材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8248552A JPH1074612A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 高透磁率酸化物磁性材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1074612A true JPH1074612A (ja) | 1998-03-17 |
Family
ID=17179876
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8248552A Pending JPH1074612A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 高透磁率酸化物磁性材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1074612A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004063117A1 (ja) * | 2003-01-10 | 2004-07-29 | Tdk Corporation | フェライト材料の製造方法及びフェライト材料 |
JP2016540710A (ja) * | 2013-09-25 | 2016-12-28 | ビーワイディー カンパニー リミテッドByd Company Limited | 波吸収材料及びその調製方法 |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP8248552A patent/JPH1074612A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004063117A1 (ja) * | 2003-01-10 | 2004-07-29 | Tdk Corporation | フェライト材料の製造方法及びフェライト材料 |
US7481946B2 (en) | 2003-01-10 | 2009-01-27 | Tdk Corporation | Method for producing ferrite material and ferrite material |
JP2016540710A (ja) * | 2013-09-25 | 2016-12-28 | ビーワイディー カンパニー リミテッドByd Company Limited | 波吸収材料及びその調製方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7294284B2 (en) | Method for producing Mn-Zn ferrite | |
JP4826093B2 (ja) | フェライト、電子部品及びそれらの製造方法 | |
KR100298511B1 (ko) | 망간-아연계 페라이트 | |
JP3907642B2 (ja) | フェライト材料及びフェライト材料の製造方法 | |
JP2000351625A (ja) | Mn−Znフェライトの製造方法 | |
JPH06310320A (ja) | 酸化物磁性体材料 | |
JP2003068516A (ja) | Mn−Zn−Ni系フェライトおよびその製造方法 | |
JPH1074612A (ja) | 高透磁率酸化物磁性材料 | |
JP2006165479A (ja) | フェライトコア、およびラインフィルタ | |
JPH1064718A (ja) | 高透磁率酸化物磁性材料 | |
JPH11307336A (ja) | 軟磁性フェライトの製造方法 | |
JPH09219306A (ja) | 低損失酸化物磁性材料およびその製造方法 | |
JP2556917B2 (ja) | 電源用高周波低損失フェライトの製造方法 | |
JP2802839B2 (ja) | 酸化物軟質磁性材料 | |
JPH09223619A (ja) | 高透磁率酸化物磁性材料 | |
JP2007197253A (ja) | MnZnフェライトの製造方法 | |
JPH09306718A (ja) | フェライト磁性材料とその製造方法 | |
JP2005170763A (ja) | MnZn系フェライト、その製造方法及び電子部品 | |
JPH09115719A (ja) | 高透磁率酸化物磁性材料及びその製造方法 | |
JPH06333724A (ja) | 微細結晶粒を有するフェライト焼結体およびその製造方法 | |
JP2620959B2 (ja) | 低損失酸化物磁性材料 | |
JPH10177912A (ja) | 低損失酸化物磁性材料及びその製造方法 | |
JPH09237709A (ja) | 低損失酸化物磁性材料およびその製造方法 | |
JP2939035B2 (ja) | 酸化物軟質磁性材料 | |
JP2706975B2 (ja) | Mn―Zn系フェライト材料の製造方法 |