JPS5983977A - 高密度マンガン・亜鉛フェライトの製造方法 - Google Patents
高密度マンガン・亜鉛フェライトの製造方法Info
- Publication number
- JPS5983977A JPS5983977A JP57190197A JP19019782A JPS5983977A JP S5983977 A JPS5983977 A JP S5983977A JP 57190197 A JP57190197 A JP 57190197A JP 19019782 A JP19019782 A JP 19019782A JP S5983977 A JPS5983977 A JP S5983977A
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- Japan
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- ferrite
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- zinc ferrite
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、マンガン・亜鉛（Ｍｎ−Ｚｎ ）フェライト
に関するもので、特にその高密度化に関するものである
。
に関するもので、特にその高密度化に関するものである
。
Ｍｎ −Ｚ ｎフェライト自体は周知であシ、オーディ
オ用磁気ヘッド、 ＶＴＲ用磁気ヘッド及びコンピュー
タ用磁気ヘッド等に広く用いられている。近年。
オ用磁気ヘッド、 ＶＴＲ用磁気ヘッド及びコンピュー
タ用磁気ヘッド等に広く用いられている。近年。
高品質化及び高記録密度化の進展に伴って、ヘッド損傷
及びテープ損傷等の原因となる気孔の少ない加工性の良
い小粒径の粒組織を有する緻密なＭｎ−Ｚｎフェライト
が要求されている。
及びテープ損傷等の原因となる気孔の少ない加工性の良
い小粒径の粒組織を有する緻密なＭｎ−Ｚｎフェライト
が要求されている。
従来、高密度フェライトを得るために、真空焼成法、ホ
ットプレス法及び熱間静水圧プレス法（以下ＨＩＰ法と
略称する）等の焼成法や成形法が用いられている。なか
でも、 ＨＩＰ法が気孔消滅効果が大きく、かつ生産性
が良いことから他の方法よシも優れている。このような
ＨＩＰ法によシ高密度フェライトを製造する方法は、特
公昭５４−２７５５８、特開昭５３−５１４９８等によ
シ知られている。
ットプレス法及び熱間静水圧プレス法（以下ＨＩＰ法と
略称する）等の焼成法や成形法が用いられている。なか
でも、 ＨＩＰ法が気孔消滅効果が大きく、かつ生産性
が良いことから他の方法よシも優れている。このような
ＨＩＰ法によシ高密度フェライトを製造する方法は、特
公昭５４−２７５５８、特開昭５３−５１４９８等によ
シ知られている。
しかしながら上記従来のＨＩＰ法によって製造される高
密度フェライトは結晶粒径が約２０μｍ以上に成長する
ため、研削及び研磨等の機械加工工程において生じる歪
によシ結晶粒の脱落を生じ易い。
密度フェライトは結晶粒径が約２０μｍ以上に成長する
ため、研削及び研磨等の機械加工工程において生じる歪
によシ結晶粒の脱落を生じ易い。
したがってこれら脱粒を防ぐため）（ＩＰ後に適当な熱
処理工程を必要とする。
処理工程を必要とする。
また小粒径のＭｎ−Ｚｎフェライトを得る方法としては
ｒ ＣａＯ＋ ５ｉ０２等の結晶成長抑制効果を有する
物質を添加し製造する方法が知られているが、これら添
加物は結晶粒界に析出する傾向を持っておシ、磁気ヘッ
ドのギヤツブ部形成時において、ガラス成分が拡散侵と
うしすぎ実効ギャップ幅の制御困難や、接着強度劣化等
の問題が生じてくる。
ｒ ＣａＯ＋ ５ｉ０２等の結晶成長抑制効果を有する
物質を添加し製造する方法が知られているが、これら添
加物は結晶粒界に析出する傾向を持っておシ、磁気ヘッ
ドのギヤツブ部形成時において、ガラス成分が拡散侵と
うしすぎ実効ギャップ幅の制御困難や、接着強度劣化等
の問題が生じてくる。
本発明は上記問題に鑑み、１０μｍ以下の小粒径を有し
かつ粒界強度を増大せしめ加工性の優れた緻密なＭｎ−
Ｚｎフェライトを提供することを目的とする。
かつ粒界強度を増大せしめ加工性の優れた緻密なＭｎ−
Ｚｎフェライトを提供することを目的とする。
すなわち本発明は、 Ｍｎ−Ｚｎフェライトに焼結促進
効果を有する酸化物Ｉｎ２Ｏ３０，２０ｗｔ％以下。
効果を有する酸化物Ｉｎ２Ｏ３０，２０ｗｔ％以下。
５ｎ０２０．１５ ｗｔ％以下及びＶ２Ｏ５０，１５ｗ
ｔ％以下の少なくとも一種を添加することを特徴とする
ものである。本発明によれば低温焼成可能となり閉空孔
状態で小粒径のＭｎ −Ｚ ｎフェライトが得られ。
ｔ％以下の少なくとも一種を添加することを特徴とする
ものである。本発明によれば低温焼成可能となり閉空孔
状態で小粒径のＭｎ −Ｚ ｎフェライトが得られ。
ＨＩＰ処理を行なうことにより平均粒径１０μｍ以下の
高密度フェライトを得ることができる。
高密度フェライトを得ることができる。
上記１ｎ２０３．５ｎ０２ 、 Ｖ２Ｏ５の添加量が上
記上限値を越えると、−次焼成での粒径が１０μｍ以上
となり高密度磁気記録用の磁気ヘッドには不適当となる
。
記上限値を越えると、−次焼成での粒径が１０μｍ以上
となり高密度磁気記録用の磁気ヘッドには不適当となる
。
なお、これら添加物の添加量の更に好ましい範囲は”２
０５が０．０２〜０．０８ ｗｔ％、Ｉ ｎ ２０３が
０．０２〜０．１０ｗｔ％、ＳｎＯ２が０．０２〜０．
１０ ｗｔｑｂである。
０５が０．０２〜０．０８ ｗｔ％、Ｉ ｎ ２０３が
０．０２〜０．１０ｗｔ％、ＳｎＯ２が０．０２〜０．
１０ ｗｔｑｂである。
以下２本発明の実施例について説明する。
実施例−１゜
主成分として酸化鉄５２．０ ｍｏｂ ％ 、炭酸マン
ガン２８ ｍｏｔ％、酸化亜鉛２０．０ ｍｏｔ％に秤
量されたＭｎ−Ｚｎフェライト原料中に、副成分として
Ｉｎ２Ｏ３゜５ｎ０２ ＋及びＶ２Ｏ５を添加しぎ一ル
ミルにて２４時時間式混合し、濾過乾燥後９００℃、２
時間大気中にて仮焼成を行なう。次にボールミルにて２
０時間粉砕し粒径１μｍの粉体とし、このフェライト粉
体を５０Ｘ３０Ｘ１０ｍｍのブロックに成形し。
ガン２８ ｍｏｔ％、酸化亜鉛２０．０ ｍｏｔ％に秤
量されたＭｎ−Ｚｎフェライト原料中に、副成分として
Ｉｎ２Ｏ３゜５ｎ０２ ＋及びＶ２Ｏ５を添加しぎ一ル
ミルにて２４時時間式混合し、濾過乾燥後９００℃、２
時間大気中にて仮焼成を行なう。次にボールミルにて２
０時間粉砕し粒径１μｍの粉体とし、このフェライト粉
体を５０Ｘ３０Ｘ１０ｍｍのブロックに成形し。
１１６０℃、３時間、０１係の酸素を含む窒素雰囲気中
にて１次焼結した。冷却は純窒素雰囲気で行った。この
−次焼結体の平均粒径の値を第−表に示す。
にて１次焼結した。冷却は純窒素雰囲気で行った。この
−次焼結体の平均粒径の値を第−表に示す。
以下余白
これら−次焼結体の相対密度は無添加の試料を除きすべ
て９６係以上あり閉空孔状態であることが確認された。
て９６係以上あり閉空孔状態であることが確認された。
次いでこれら一次焼結体試料を１１４０℃、１時間、圧
力８００ ｋｇ１ｃｍ２のＡｒガス中でＨＩＰ処理し。
力８００ ｋｇ１ｃｍ２のＡｒガス中でＨＩＰ処理し。
各試料について、平均粒径及び相対密度を測定した。こ
の結果を第２表中■に示す。
の結果を第２表中■に示す。
無添加の試料は１次焼結体の相対密度が９３．６チと小
さく、閉空孔状態であったため、 Ｉ（ＩＰ効果がみら
れず緻密化されなかった。また、 Ｉｎ２Ｏ！、が０、
１０ ｗｔ％以下、ＳｎＯ２が０、ｌ ｗｔ％以下ｒ
Ｖ２Ｏ５が０．１ｗｔ％以下の範囲において、平均粒径
１０μｍ以下の緻密なＭｎ−Ｚｎフェライトが得られる
ことが判明した。
さく、閉空孔状態であったため、 Ｉ（ＩＰ効果がみら
れず緻密化されなかった。また、 Ｉｎ２Ｏ！、が０、
１０ ｗｔ％以下、ＳｎＯ２が０、ｌ ｗｔ％以下ｒ
Ｖ２Ｏ５が０．１ｗｔ％以下の範囲において、平均粒径
１０μｍ以下の緻密なＭｎ−Ｚｎフェライトが得られる
ことが判明した。
実施例−２゜
実施例−１と同じ１次焼結体試料を１１００℃。
２時間、圧力１０００ ｋｇ７ｃｍ２のＡｒガス中でＨ
ＩＰ処理し、各試料について平均粒径及び相対密度を測
定した。この結果を第２表中■に示す。この表から明ら
かなように、■ｎ２０３０２Ｗｔチ以下、５ｎｏ２０．
１．５ｗｔｑ６以下、■２０５ｏ１５ｗｔ％以下の範囲
において。
ＩＰ処理し、各試料について平均粒径及び相対密度を測
定した。この結果を第２表中■に示す。この表から明ら
かなように、■ｎ２０３０２Ｗｔチ以下、５ｎｏ２０．
１．５ｗｔｑ６以下、■２０５ｏ１５ｗｔ％以下の範囲
において。
平均粒径１０μｍ以下の小粒径の緻密なＭｎ−Ｚｎフェ
ライトが得られることが判明した。
ライトが得られることが判明した。
以下余白
く第２表＞ ［Ｐ体の平均粒径と相対密度おいて
、０．２ｗｔ％以下好ましくは０．０２〜Ｑ、 ｌ ｗ
ｔ％のＩｎ２Ｏ，＋ ０．１５ ｗｔ％以下好ましくは
０．０２〜０．１ｗｔ％の５ｎ０２ ｒ及び０．１５
ｗｔ％以下好ましくは０．０２〜０．０８ ｗｔ％のＶ
２Ｏ５を少くとも一種以上含有させたもので、低温焼成
にて製造された１次焼結体をＨＩＰ処理することによシ
平均粒径１１０１Ｉ以下の高密度フェライトを、熱処理
することなく、容易に製造可能である。
、０．２ｗｔ％以下好ましくは０．０２〜Ｑ、 ｌ ｗ
ｔ％のＩｎ２Ｏ，＋ ０．１５ ｗｔ％以下好ましくは
０．０２〜０．１ｗｔ％の５ｎ０２ ｒ及び０．１５
ｗｔ％以下好ましくは０．０２〜０．０８ ｗｔ％のＶ
２Ｏ５を少くとも一種以上含有させたもので、低温焼成
にて製造された１次焼結体をＨＩＰ処理することによシ
平均粒径１１０１Ｉ以下の高密度フェライトを、熱処理
することなく、容易に製造可能である。
Claims (1)
- １、 マンガン・亜鉛フェライトにおいて、 ０．２０
ｗｔ％以下のＩｎ２Ｏ３＊ ０．１５ ｗｔ％以下のＳ
ｎＯ２および０、１５ ｗｔ％以下のｖ２０．の少なく
とも一種を添加したことを特徴とする高密度マンガン・
亜鉛フェライト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57190197A JPS5983977A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 高密度マンガン・亜鉛フェライトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57190197A JPS5983977A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 高密度マンガン・亜鉛フェライトの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5983977A true JPS5983977A (ja) | 1984-05-15 |
| JPS6224380B2 JPS6224380B2 (ja) | 1987-05-28 |
Family
ID=16254059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57190197A Granted JPS5983977A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 高密度マンガン・亜鉛フェライトの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5983977A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61280602A (ja) * | 1985-06-06 | 1986-12-11 | Tohoku Metal Ind Ltd | 高密度フエライトの製造方法 |
| JPS62278162A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-12-03 | 株式会社トーキン | 高密度酸化物フェライト組成物とその製造方法 |
| JPS63211605A (ja) * | 1987-02-26 | 1988-09-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フエライト単結晶の製造方法 |
| JPH01253210A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | Ngk Insulators Ltd | 多結晶フェライト材料及びその製造法 |
| JPH03141611A (ja) * | 1989-10-27 | 1991-06-17 | Tokin Corp | 微粒組織Ｍｎ―Ｚｎフェライト材料及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-10-29 JP JP57190197A patent/JPS5983977A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61280602A (ja) * | 1985-06-06 | 1986-12-11 | Tohoku Metal Ind Ltd | 高密度フエライトの製造方法 |
| JPS62278162A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-12-03 | 株式会社トーキン | 高密度酸化物フェライト組成物とその製造方法 |
| JPH0345032B2 (ja) * | 1986-05-23 | 1991-07-09 | Tokin Corp | |
| JPS63211605A (ja) * | 1987-02-26 | 1988-09-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フエライト単結晶の製造方法 |
| JPH01253210A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | Ngk Insulators Ltd | 多結晶フェライト材料及びその製造法 |
| JPH03141611A (ja) * | 1989-10-27 | 1991-06-17 | Tokin Corp | 微粒組織Ｍｎ―Ｚｎフェライト材料及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6224380B2 (ja) | 1987-05-28 |
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