JPS63260006A - 高密度磁性材料 - Google Patents
高密度磁性材料Info
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- JPS63260006A JPS63260006A JP62094814A JP9481487A JPS63260006A JP S63260006 A JPS63260006 A JP S63260006A JP 62094814 A JP62094814 A JP 62094814A JP 9481487 A JP9481487 A JP 9481487A JP S63260006 A JPS63260006 A JP S63260006A
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- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
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- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
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Landscapes
- Magnetic Ceramics (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、特にネジコア、ドラムコア用に適する高密度
のNi−Zn系フェライトに関するものである。
のNi−Zn系フェライトに関するものである。
(従来の技術)
従来、Ni−Zn系フェライトを材料とするネジコア、
ドラムコアは、高周波用コアとして広く用いられている
。この高周波用コアとして要求されている特性は、高い
透磁率、透磁率の良好な温度特性、高い01強度等であ
る。この中で、特に低損失で、強い強度を得るために、
電気抵抗が高く、結晶粒径が小さく、高密度であるコア
が要求されていた。
ドラムコアは、高周波用コアとして広く用いられている
。この高周波用コアとして要求されている特性は、高い
透磁率、透磁率の良好な温度特性、高い01強度等であ
る。この中で、特に低損失で、強い強度を得るために、
電気抵抗が高く、結晶粒径が小さく、高密度であるコア
が要求されていた。
従来では、上記の事を満足させるために、Bi。
03 、 P bO,Vans等を夕景(通常1wt%
未満)添加し、結晶粒径をコントロールし、かつ焼成温
度を上げて密度を上げていた。
未満)添加し、結晶粒径をコントロールし、かつ焼成温
度を上げて密度を上げていた。
また、熱間静水圧成形法(HIP)又はホットプレス法
(HP)等を用いることにより、結晶粒径が小さく、密
度の高い磁性材料を得ることができる。
(HP)等を用いることにより、結晶粒径が小さく、密
度の高い磁性材料を得ることができる。
(発明が解決しようとする問題点)
従来の方法では、焼成温度を上げて密度の高い磁性材料
を得ていた。しかし、焼成温度を高くすると、結晶粒径
が大きく(数μm〜数+μm)なり易く、その結果高周
波でのQが低下してしまった。
を得ていた。しかし、焼成温度を高くすると、結晶粒径
が大きく(数μm〜数+μm)なり易く、その結果高周
波でのQが低下してしまった。
また、HIP又はHP等の技術を用いると、結晶粒径が
小さく、密度が高い磁性材料を得ることができるが、技
術的に高度な技術が必要であり、コスト高となることか
ら、ネジコア、ドラムコアの生産に用いることは、実用
的でなかった。
小さく、密度が高い磁性材料を得ることができるが、技
術的に高度な技術が必要であり、コスト高となることか
ら、ネジコア、ドラムコアの生産に用いることは、実用
的でなかった。
本発明は、上記の事を鑑みて、Ni−Zn系フェライト
において、添加物を調整することにより、Qが高く、密
度の高い磁性材料を提供することを目的とするものであ
る。
において、添加物を調整することにより、Qが高く、密
度の高い磁性材料を提供することを目的とするものであ
る。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、Ni−Zn系フェライトであって、主成分に
対し、Bi2O,、PbO、V2O5のうち少なくとも
1種類以上を、1≦Bi2O3≦20wt%、1≦Pb
O≦20wt%、1≦■20,520wt%の範囲で添
加含有させるものである。
対し、Bi2O,、PbO、V2O5のうち少なくとも
1種類以上を、1≦Bi2O3≦20wt%、1≦Pb
O≦20wt%、1≦■20,520wt%の範囲で添
加含有させるものである。
(作用)
本発明は、Bi、03. PbO,V、0.を従来より
多量に添加するものであり、このBi2O3、PbO,
V2O、は、いずれも他の金属酸化物に比べて低融点で
あることから、フェライトの焼結を促進する。
多量に添加するものであり、このBi2O3、PbO,
V2O、は、いずれも他の金属酸化物に比べて低融点で
あることから、フェライトの焼結を促進する。
それらにより、フェライトの結晶が大きく成長しない間
に焼結を完了させ、密度を上げるものである。
に焼結を完了させ、密度を上げるものである。
また、Bi2O,、PbO、V2Os の添加量が20
wt%を超えると、コアが変形し実用的でなく、1wt
%未満であると、密度を上げる効果が少ない。
wt%を超えると、コアが変形し実用的でなく、1wt
%未満であると、密度を上げる効果が少ない。
(実施例)
Fe、0.を49.5mo1%、N10を47.0mo
1%、CuOを3mo1%を秤量、混合した混合粉を8
50〜1 、000℃にて仮焼し、その後1〜3μmに
微粉砕した。次いで、ソノ微粉砕粉に、Bi2O3、P
bO,V2O,の各々を0 、1 、5 、10.15
.20,25讐t%添加し、乳鉢で混合し、計21点の
原料を作成した。その原料にポリビニールアルコール(
PVA)の10%水溶液を8%rt%添加、混練し、造
粒を行った後、約15g秤量し金型中に投入して、約2
ton/cJの圧力で圧縮成形した。そして、その成形
体を大気巾約1 、000℃にて焼成し、トロイダルコ
ア(外径30nm、内径20m、高さ8m)の試料を得
た。この各試料について、密度dsとQを測定した結果
を第1図〜第3図に示す。
1%、CuOを3mo1%を秤量、混合した混合粉を8
50〜1 、000℃にて仮焼し、その後1〜3μmに
微粉砕した。次いで、ソノ微粉砕粉に、Bi2O3、P
bO,V2O,の各々を0 、1 、5 、10.15
.20,25讐t%添加し、乳鉢で混合し、計21点の
原料を作成した。その原料にポリビニールアルコール(
PVA)の10%水溶液を8%rt%添加、混練し、造
粒を行った後、約15g秤量し金型中に投入して、約2
ton/cJの圧力で圧縮成形した。そして、その成形
体を大気巾約1 、000℃にて焼成し、トロイダルコ
ア(外径30nm、内径20m、高さ8m)の試料を得
た。この各試料について、密度dsとQを測定した結果
を第1図〜第3図に示す。
第1図は、Bi、0.の添加量を変えた場合のdsとQ
の変化を示すグラフであり、第2図は、PbOの添加量
を変えた場合のdsとQの変化を示すグラフであり、第
3図は、V2O,の添加量を変えた場合のdsとQの変
化を示すグラフである。この第1図〜第3図により、本
発明によりds及びQが向上していることがわかる。
の変化を示すグラフであり、第2図は、PbOの添加量
を変えた場合のdsとQの変化を示すグラフであり、第
3図は、V2O,の添加量を変えた場合のdsとQの変
化を示すグラフである。この第1図〜第3図により、本
発明によりds及びQが向上していることがわかる。
また、上記の実施例とほぼ同様の製造工程であって、B
i2O3、PbO、V2O,の各々を10wt%添加し
たものと、無添加のものとの焼成温度を変えた場合のd
sとQとの変化を第4図〜第6図に示す。
i2O3、PbO、V2O,の各々を10wt%添加し
たものと、無添加のものとの焼成温度を変えた場合のd
sとQとの変化を第4図〜第6図に示す。
この第4図〜第6図から明らかなように、本発明により
、低い焼成温度で、高いds及びQを得ることができる
。
、低い焼成温度で、高いds及びQを得ることができる
。
また、第1表に、dsが5g/ad以上となる場合の結
晶粒径、焼成温度及びBi2O3、PbO,V2O5の
添加量の表を示す。
晶粒径、焼成温度及びBi2O3、PbO,V2O5の
添加量の表を示す。
この第1表から明らかなように、本発明の材料は、低い
焼成温度で高いdsを得ることができ、しかもそのとき
の結晶粒径も小さいため、高いQを得ることができ、又
高周波特性にも優れている。
焼成温度で高いdsを得ることができ、しかもそのとき
の結晶粒径も小さいため、高いQを得ることができ、又
高周波特性にも優れている。
尚、透磁率については、従来材とほぼ同等であった。
(発明の効果)
本発明の、高密度磁性材料は、従来より低い焼成温度に
て高い密度及び高いQを得ることができ。
て高い密度及び高いQを得ることができ。
そのため結晶粒径も小さく、高周波特性に優れた材料で
あり、産業上極めて有益なものである。
あり、産業上極めて有益なものである。
第1図〜第3図は、各々Bi、O,,PbO、V2Os
のそれぞれの添加量を変えたときのds及びQの変化を
示すグラフであり、第4図〜第6図は、各々Bi□03
− P bo a V 20s のそれぞれを10讐t
%添加したものと無添加のものとの焼成温度を変えたと
きのdsとQの変化を示すグラフである。 第1図 ”203 (wtX) 第2図 第3図 第4図
のそれぞれの添加量を変えたときのds及びQの変化を
示すグラフであり、第4図〜第6図は、各々Bi□03
− P bo a V 20s のそれぞれを10讐t
%添加したものと無添加のものとの焼成温度を変えたと
きのdsとQの変化を示すグラフである。 第1図 ”203 (wtX) 第2図 第3図 第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ni−Zn系フェライトであって、主成分に対し、Bi
_2O_3、PbO、V_2O_5のうち少なくとも1
種類以上を下記の範囲で添加含有したことを特徴とする
高密度磁性材料。 1≦Bi_2O_3≦20wt% 1≦PbO≦20wt% 1≦V_2O_5≦20wt%
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62094814A JPH0680613B2 (ja) | 1987-04-16 | 1987-04-16 | 高密度磁性材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62094814A JPH0680613B2 (ja) | 1987-04-16 | 1987-04-16 | 高密度磁性材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63260006A true JPS63260006A (ja) | 1988-10-27 |
JPH0680613B2 JPH0680613B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=14120523
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62094814A Expired - Lifetime JPH0680613B2 (ja) | 1987-04-16 | 1987-04-16 | 高密度磁性材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0680613B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01179402A (ja) * | 1988-01-07 | 1989-07-17 | Tdk Corp | インダクタ用磁心 |
JPH02224043A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-09-06 | Nec Corp | キャッシュメモリ |
JPH04180610A (ja) * | 1990-11-15 | 1992-06-26 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層チップインピーダンス素子 |
US5874020A (en) * | 1996-11-25 | 1999-02-23 | Nec Corporation | Ni-Zn base ferrite |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4840954A (ja) * | 1971-10-05 | 1973-06-15 | ||
JPS4843716A (ja) * | 1971-10-06 | 1973-06-23 | ||
JPS52102597A (en) * | 1976-02-24 | 1977-08-27 | Tohoku Metal Ind Ltd | Oxide magnetic material |
JPS5567565A (en) * | 1978-11-10 | 1980-05-21 | Murata Manufacturing Co | Oxide magnetic material |
JPS5916307A (ja) * | 1982-07-19 | 1984-01-27 | Nippon Ferrite Ltd | 回転トランス用フエライトコアとその製造方法 |
JPS59121157A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-13 | 日立金属株式会社 | 高周波磁性材料 |
JPS60210572A (ja) * | 1984-04-04 | 1985-10-23 | 日本電気株式会社 | 低温焼結酸化物磁性材料 |
-
1987
- 1987-04-16 JP JP62094814A patent/JPH0680613B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
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JPS4840954A (ja) * | 1971-10-05 | 1973-06-15 | ||
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US5874020A (en) * | 1996-11-25 | 1999-02-23 | Nec Corporation | Ni-Zn base ferrite |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0680613B2 (ja) | 1994-10-12 |
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