JPH1072252A - メッキ用フェライト材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】メッキ滲みがなく、温度特性の優れたフェライ
ト材料を得る。 【解決手段】酸化物換算で４５〜５５モル％のＦｅ₂ Ｏ
₃ と、２０〜３５モル％のＺｎＯと、１０〜３５モル％
のＮｉＯからなる主成分１００モル％に対して、０．５
〜５モル％のＢｉ₂ Ｏ₃ を添加するとともに、ＣｕＯの
含有量を３モル％以下としてメッキ用フェライト材料を
構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、メッキを施す製品
に使用するためのメッキ用フェライト材料に関する。

【０００２】

【従来の技術】フェライト材料はインダクター素子等と
して広く使用されている。特にマルチメディアの発展に
伴い、高周波領域で使えるＱ値の高いフェライトを用い
たチップインダクターの必要性は増すばかりである。

【０００３】このチップインダクターを製造する場合
は、図１に示すように、フェライトコア１の端面にＡｇ
ペーストを印刷した後、Ｎｉ等のメッキを施して電極２
を形成する。その後、フェライトコア１に巻き線を施し
た後、巻き線の端部を上記電極２に接続することによっ
てチップインダクターを得ることができる。

【０００４】上記フェライトコアを成すフェライト材料
としては、Ｆｅ₂ Ｏ₃ 、ＮｉＯ、ＺｎＯを主成分とする
Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト材料が用いられている。そし
て、このフェライト材料において、Ｑ値や透磁率を高く
したり、温度変化に伴う特性の変化率を小さくしたり、
焼結性を向上すること等を目的として、さまざまな添加
成分を加えることが行われている。

【０００５】例えば、上記主成分に対し３〜１２モル％
程度のＣｕＯを添加することによって、焼結性を向上さ
せることが行われている（特開平１−１０３９５３号、
１−２２８１０８号、３−２１８９６２号、４−３２３
８０６号、４−３２５４５８号、５−３２６３４３号公
報等参照）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなＮｉ−Ｚｎ系フェライト材料からなるフェライト
コア１にＮｉ等のメッキを施すと、図１（Ｂ）に示すよ
うに、メッキが滲んでしまい、Ａｇペーストを塗布した
所定の範囲以上にメッキが形成されてしまうという問題
点があった。そのため、フェライトコアの端面に形成す
る複数の電極２が、メッキの滲みによって繋がってしま
うという不都合があった。

【０００７】また、上記フェライト材料は温度特性が悪
く、温度変化に伴う特性の変化率が大きいという問題も
あった。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、酸化物換算で
４５〜５５モル％のＦｅ₂ Ｏ₃ と、２０〜３５モル％の
ＺｎＯと、１０〜３５モル％のＮｉＯからなる主成分１
００モル％に対して、０．５〜５モル％のＢｉ₂ Ｏ₃ を
添加したメッキ用フェライト材料を特徴とする。

【０００９】即ち、上述したメッキの滲み現象について
種々実験を行った結果、フェライト材料中に添加するＣ
ｕ成分が原因であることを見出した。つまり、一般にＮ
ｉ等のメッキはＡｇペースト等の導電性のある部分に形
成されるが、フェライト材料中にＣｕ成分が多く含まれ
ていると導通の原因となり、メッキがフェライト材料の
上にも形成されやすくなり、メッキ滲みが生じるのであ
る。また、温度特性の変化についてもＣｕ成分を多く含
むことが原因であることがわかった。

【００１０】そこで、ＣｕＯを減らせば上記のメッキ滲
みの問題を解消できるが、この場合は焼結性が低下する
という問題が生じる。これに対し、本発明では、ＣｕＯ
を減らす代わりにＢｉ₂ Ｏ₃ を添加することによって、
メッキ滲みを防止し、温度特性を向上するとともに焼結
性を向上できることを見出した。

【００１１】ここで、Ｂｉ₂ Ｏ₃ の添加量は０．５〜５
モル％とするが、これは０．５モル％未満では焼結性が
悪く、一方５モル％を超えるとＱ値が低下するためであ
る。

【００１２】また、ＣｕＯの含有量は主成分１００モル
％に対して、３モル％以下とするが、これは３モル％を
超えると、上述したようにメッキ滲みが発生し、温度特
性が悪化するためである。

【００１３】さらに、主成分の組成比を上記範囲とした
理由は以下の通りである。まず、Ｆｅ₂ Ｏ₃ が４５モル
％未満では高透磁率が得られなく、一方Ｆｅ₂ Ｏ₃ が５
５モル％を超えると温度特性が悪化し、Ｑ値が低下す
る。また、ＺｎＯが２０モル％未満では高透磁率が得ら
れず、３５モル％を超えるとＱ値が低下してしまう。さ
らに、ＮｉＯが１０モル％未満ではＱ値が低下し、３５
モル％を超えると高透磁率が得られない。

【００１４】また、上記主成分及び添加成分以外の成分
としては、ＭｎＯを０．１５重量％以下、ＳｉＯ₂ 、Ａ
ｌ₂ Ｏ₃ 、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｋ₂ Ｏ、Ｓ等をそれぞれ
０．０５重量％以下の範囲で含んでいても良い。

【００１５】以上のような本発明のフェライト材料の製
造方法は、上記組成範囲となるように各原料を調合し、
ボールミル等で粉砕混合した後、スプレードライヤー等
で造粒し、得られた粉体をプレス成形によって所定形状
に成形し、必要に応じて切削加工を施した後、９５０〜
１１５０℃の範囲で焼成することによって得ることがで
きる。

【００１６】そして、上記本発明のフェライト材料を用
いて、図１に示すようなボビン状のフェライトコア１を
形成すれば、端面にＡｇペーストを印刷してＮｉ等のメ
ッキを施して電極２を形成する際に、メッキの滲みがな
く、電極２同士が繋がってしまうという不都合を防止で
きる。

【００１７】また、本発明のフェライト材料は、図１に
示すようなボビン状に限らず、トロイダルコアとするこ
ともできる。

【００１８】さらに、本発明においてメッキ用フェライ
ト材料とは、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｓｎ等の金属のメッキを施す
ような製品に用いるフェライト材料のことである。メッ
キを施すような製品としては、具体的に、表面実装用の
インダクター、電源用トランス等があり、本発明のフェ
ライト材料はこれらの用途に好適に用いることができ
る。

【００１９】

【実施例】以下本発明の実施例を説明する。

【００２０】Ｆｅ₂ Ｏ₃ 、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯの成
分を表１に示す割合となるように秤量し、振動ミルにて
混合した後８００〜９００℃で仮焼した。この仮焼粉末
に、表１に示す割合でＢｉ₂ Ｏ₃ を添加し、ボールミル
にて粉砕した後、バインダーを加えて造粒し、トロイダ
ルコア及びボビン状コアの形状に成形し、９５０〜１１
５０℃で焼成した。

【００２１】トロイダルコアに直径０．２ｍｍの被膜銅
線を７回巻いて、１００ｋＨｚでの透磁率μ、１ＭＨｚ
でのＱ値、相対温度係数αμを測定した。なお、相対温
度係数αμは−２５〜８０℃の間の透磁率μを測定し、
Δμ／（μ・ΔＴ）により求めた。また、ボビン状コア
に対して、図１に示すように端面にＡｇペーストを印刷
した後、Ｎｉのメッキを施し、メッキ滲みの有無を観察
した。これらの結果は表２に示す通りである。

【００２２】この結果より、ＣｕＯが３モル％を超える
もの（Ｎｏ．１〜３）では、メッキ滲みが発生した。ま
たＢｉ₂ Ｏ₃ が０．５モル％未満のもの（Ｎｏ．４）で
は焼結性が悪く、焼成温度が１３００℃と高かった。ま
た、主成分の組成が本発明の範囲外であるもの（Ｎｏ．
８〜１３）では、透磁率が低いか、Ｑ値が低いか、相対
温度係数が大きい等の不都合があった。

【００２３】これらに対し、本発明実施例（Ｎｏ．６、
７、１４〜１６）では、透磁率が５００以上、Ｑ値が１
８以上と高く、相対温度係数が１４×１０^-6／℃以下と
小さく、しかもメッキ滲みは観察されず、優れた結果を
示した。

【００２４】

【表１】

【００２５】

【表２】

【００２６】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、酸化物
換算で４５〜５５モル％のＦｅ₂ Ｏ₃と、２０〜３５モ
ル％のＺｎＯと、１０〜３５モル％のＮｉＯからなる主
成分１００モル％に対して、０．５〜５モル％のＢｉ₂
Ｏ₃ を添加するとともに、ＣｕＯの含有量を３モル％以
下としてメッキ用フェライト材料を構成したことによっ
て、メッキ滲みがなく、温度特性の優れたフェライト材
料を得ることができる。

【００２７】したがって、このフェライト材料を用い
て、フェライトコア等のメッキを施す用途に用いれば、
メッキ滲みがないことから所定位置に良好にメッキを施
すことができ、歩留りを向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）は本発明のフェライト材料を用いたフェ
ライトコアを示す斜視図、（Ｂ）はフェライトコアの端
面図である。

【符号の説明】

１：フェライトコア ２：電極

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】酸化物換算で４５〜５５モル％のＦｅ₂ Ｏ
   ₃ と、２０〜３５モル％のＺｎＯと、１０〜３５モル％
   のＮｉＯからなる主成分１００モル％に対して、Ｂｉ₂
   Ｏ₃ を０．５〜５モル％添加したことを特徴とするメッ
   キ用フェライト材料。