JPH0673019B2 - 光感応性組成物 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

「産業上の利用分野」 本発明は、ペルフルオロアルキル基で置換したアゾ化合
物を含有することを特徴とする光導電性組成物に関する
ものである。又、高密度エネルギービームによつて状態
変化を生ぜしめることにより記録再生を行なうヒートモ
ードの光学情報記録媒体に関するものである。 「従来の技術」 電子写真法はすでにカールソンが米国特許第2297691号
明細書に明らかにしたように、画像露光の間に受けた照
射量に応じその電気抵抗が変化する暗所で絶縁性の物質
をコーテイングした支持体よりなる光導電性材料を用い
る。この光導電性材料は一般に適当な間の暗順応の後、
暗所で、まず一様な表面電荷が与えられる。次に、この
材料は照射パターンの種々の部分に含まれる相対エネル
ギーに応じて表面電荷を減らす効果を有する照射のパタ
ーンにより画像露光される。このようにして光導電性物
質層（電子写真感光層）表面に残つた表面電荷又は静電
潜像は次にその表面が適当な検電表示物質、すなわちト
ナーで接触されて可視像となる。 トナーは絶縁液中あるいは乾燥担体中に含まれるが、ど
ちらの場合にも電荷パターンに応じて電子写真感光層表
面上に付着させることができる。付着した表示物質は、
熱、圧力、溶媒蒸気のような公知の手段により定着する
ことができる。又静電潜像は第２の支持体（例えば紙、
フイルムなど）に転写することができる。同様に静電潜
像を第２の支持体に転写し、そこで現像することも可能
である。電子写真法はこの様にして画像を形成するよう
にした画像形成法の一つである。 このような電子写真法において電子写真感光体に要求さ
れる基本的な特性としては、（１）暗所で適当な電位に
帯電できること、（２）暗所において電荷の逸散が少な
いこと、（３）光照射によつて速やかに電荷を逸散せし
めうることなどがあげられる。 従来、電子写真感光体の光導電性素材として用いられて
いるものに、セレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛などが
ある。 しかしこれらの無機物質は、多くの長所を持つていると
同時にさまざまな欠点を有していることは事実である。
例えば、現在広く用いられているセレンは前記（１）〜
（３）の条件は十分に満足するが、製造する条件がむず
かしく、製造コストが高くなり、可撓性がなく、ベルト
状に加工することがむずかしく、熱や機械的の衝撃に鋭
敏なため取扱いに注意を要するなどの欠点もある。硫化
カドミウムや酸化亜鉛は、結合剤としての樹脂に分散さ
せて電子写真感光体として用いられているが、平滑性、
硬度、引張り強度、耐摩擦性などの機械的な欠点がある
ためにそのままでは反復して使用することができない。 近年、これら無機物質の欠点を排除するためにいろいろ
の有機物質を用いた電子写真感光体が提案され、実用に
供されているものもある。例えば、ポリーＮ−ビニルカ
ルバゾールと2,4,7−トリニトロフルオレン−９−オン
とからなる電子写真感光体（米国特許3,484,237）、ポ
リ−Ｎ−ビニルカルバゾールをピリリウム塩系色素で増
感したもの（特公昭48−25658）、有機顔料を主成分と
する電子写真感光体（特開昭47−37543）、染料と樹脂
とからなる共晶錯体を主成分とする電子写真感光体（特
開昭47−10735）などがある。 この様な有機物質を用いた電子写真感光体は、バインダ
ーを適当に選択することによつて塗布で生産できるた
め、極めて生産性が高く、安価な感光体を提供でき、機
械的特性及び可撓性も改善できる。しかも、染料及び有
機顔料の選択によつて感光波長を自在にコントロールで
きる。 しかし反応、有機物質を用いた電子写真感光体は、 光感度が低い。 光感度が高いものは帯電性が悪い。 光感度が高いものは暗所における電荷の逸散（暗減
衰）が大きい。 繰り返し使用時に、光感度、帯電性、暗減衰等の特
性の変動が大きい。 有機顔料を用いた場合は、顔料の分散が難しく塗布
面状が悪い。 等の欠点が有り、電子写真感光体としての要求を充分に
満たすものではなかつた。 本発明者らは前記従来の有機電子写真感光体の持つ欠点
を解消すべく鋭意研究した結果、 ペルフルオロアルキル基で置換した本願のアゾ化合物を
含有する光導電性組成物を用いた電子写真感光体が、驚
くべきことに、前記〜の有機電子写真感光体の持つ
欠点を一挙に解消することを見出し、本発明に到達した
ものである。 本発明の電子写真感光体は、極めて高感度であり、帯電
性に優れ、繰り返し時の特性の変化が小さく、且つ塗布
面状も良好なものである。 一方、従来から高エネルギー密度のビームを情報記録媒
体に照射して透過率・反射率・屈折率等の物性定数を変
化させて記録する記録方法は、極めて高解像力のコント
ラストのある画像を形成し得ること、あとからの情報付
加が可能であること又露光すると同時に記録しうること
等の特徴をもつので、電子計算機の出力や伝送されてく
る時系列信号の記録に適しているなどの利点を有しCOM
（コンピユータ アウトプツト マイクロ）、マイクロ
フアクシミリ、印刷用原版、光デイスク等に応用されて
いる。 例えば、光デイスク技術で用いる記録媒体は、光学的に
検出可能な、約１μ前後の小さなピツトをらせん状又は
円形のトラツク形態にして、高密度情報を記憶すること
ができる。この様なデイスクに情報を書込むには、レー
ザー感応層の表面に集束したレーザーを走査しこのレー
ザー光線が照射された表面のみがピツトを形成し、この
ピツトをらせん状又は円形トラツクの形態で形成する。 ヒートモードの記録方式では、レーザー感応層は、レー
ザー・ビーム照射で熱エネルギーを吸収しその個所に蒸
発又は融解により小さな凹部（ピツト）を形成する。 この様にして光デイスクに記録された情報は、レーザー
をトラツクに沿つて走査し、ピツトが形成された部分と
ピツトが形成されていない部分の光学的変化を読み取る
ことによつて検出される。 この様なヒートモード記録し得る情報記録媒体として
は、従来プラスチツク等の透明な支持体上に金属あるい
は／および金属酸化物半金属誘電体等の薄膜あるいは、
自己酸化性の結合剤と色素を含む薄膜を記録層として設
け、これに保護層が設けられた記録媒体が用いられてき
た。 しかし、従来の、無機物質を主成分とする薄膜は、レー
ザー光に対する反射率が高いために、レーザーの利用効
率が低下し、それ故に高感度特性が得られない、あるい
は記録時のレーザー光の出力が著しく増大する等の問題
点があつた。 一方、一般に有機化合物は、吸収特性が長波長域になる
につれ不安定となり、温度の微かな上昇で分解され易い
等の問題があつた。 従つて、「書込み後直接読取り」能力ドローダイレクト
リード アンド ライト〔DAW（direct read and wri
te）〕を保有する記録媒体に要求される使用レーザー光
に対して吸収効率が大きいこと、記録読み取りの際焦点
制御が充分にできる反射率があること、あるいは、記録
像の安定性等の各種の特性を満足しなければならず、必
ずしも実用性の点から充分に満足できる有機薄膜を含有
する記録媒体が開発されていない。 「本発明が解決しようとする問題点」 本発明者らは、前記の欠点を解消すべく、鋭意研究の結
果、本発明に到達したものである。 本発明の目的は各種の光導電体に適用できる光導電性組
成物を提供することである。更にまた他の目的は高感度
で繰り返し使用における安定な電位特性を有する電子写
真感光体を提供することにある。 本発明の他の目的は、保存性が高く、高感度で且つ充分
なS/N比を有する光学情報記録媒体を提供することであ
る。 「問題点を解決するための手段」 本発明の光感応性組成物は一般式〔１〕で表わされるア
ゾ化合物を少なくとも１種含有することを特徴とする。 式中の各記号は以下に示す意味を表わす。 A¹は 置換もしくは無置換の炭化水素系または複素系芳
香族環を表わす。 Ｘは ベンゼン環と縮合して置換もしくは無置換の炭
化水素系または複素系芳香族環を形成するために必要な
原子団を表わす。 ｎは ３、４、５または６の整数を表わす。 ｎが３の場合、 Arは、少なくとも１個のペルフルオロアルキル基および
少なくとも１個のハロゲン原子で置換した、炭化水素系
または複素系芳香族（ペルフルオロアルキル基およびハ
ロゲン原子以外の置換基で置換してもよい。）である。 ｎが４、５または６の場合、 Arは、少なくとも１個のペルフルオロアルキル基で置換
した、炭化水素系または複素系芳香族環（ペルフルオロ
アルキル基以外の置換基で置換してもよい。）である。 一般式〔１〕におけるA¹としてはベンゼン、ナフタレン
アントラセン、ピレン、アントラキノンなどの炭化水素
系芳香族環、アントロンなどの多核キノン系芳香族環、
フラン、チオフエン、ピリジン、ベンゾオキサゾール、
ベンゾチアゾール、カルバゾール、フタロシアニンなど
の複素系芳香族環、さらに上記芳香環を直接あるいは芳
香族性または非芳香族性基で結合したもの、例えばトリ
フエニルオキサゾール、トリフエニルチアゾール、トリ
フエニルイミダゾール、トリフエニルセレナゾール、ト
リフエニルアミン、トリフエニルメタン、トリフエニル
ピリジン、トリフエニルトリアゾール、テトラフエニル
チオフエンなどが例示できる。 また、これらの環の置換基としては炭素数１〜６の低級
アルキル基（例えば、メチル基、エチル基等）、炭素数
１〜６の低級アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エト
キシ基等）、炭素数１〜６の低級ハロアルキル基（例え
ば、クロロメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロ
メチル基等）、炭素数１〜６のアルキル基を２個有する
ジアルキルアミノ基（例えばジメチルアミノ基、ジエチ
ルアミノ基等）、ハロゲン原子（例えば、弗素原子、塩
素原子、臭素原子等）、ヒドロキシ基、ニトロ基、シア
ノ基などが例示でき、置換基の個数は１個ないし４個で
あり複数の置換基が結合している場合にはそれらは互い
に同じでも異なつてもよく、任意の組合せをとつてもよ
く、また置換基の結合位置は任意である。 Ｘはヒドロキシ基が結合しているベンゼン環と縮合して
ナフタレン環、アントラセン環などの芳香族環またはイ
ンドール環、カルバゾール環、ベンゾカルバゾール環、
ジベンゾフラン環などの複素環を形成し得る基である。 Ｘが置換基を有する芳香族環または複素環系の場合、置
換基の具体例として前述のA¹における置換基と同じ置換
基をあげることができ、置換基の個数は１個ないし５個
であり、複数の置換基が結合している場合にはそれらは
互いに同じでも異なつてもよく、任意の組合せをとつて
もよく、また置換基の結合位置は任意である。 Arに置換したペルフルオロアルキル基としては、炭素数
１〜12のペルフルオロアルキル基（例えば、トリフルオ
ロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペルフルオロブ
チル基、ペルフルオロヘキシル基等）をあげることがで
きる。 Arに置換したハロゲン原子としては、例えば弗素原子、
塩素原子、臭素原子をあげることができる。 Arの芳香族環としては、ベンゼン、ナフタレン、アント
ラセン、ピレンなどの炭化水素系芳香族環、フラン、チ
オフエン、ピリジンオキサゾール、チアゾール、ベンゾ
オキサゾール、ベンゾチアゾール、カルバゾールなどの
複素系芳香族環などが例示できる。 またArがペルフルオロアルキル基およびハロゲン原子以
外の置換基で更に置換されている場合、置換基の例とし
てヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、炭素数１〜12の
アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基等）、炭素数１〜12のアルコキシ基
（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブ
トキシ基、ペンチルオキシ基、イソプロポキシ基、イソ
ブトキシ基、イソアミルオキシ基、tert−ブトキシ基、
ネオペンチルオキシ基等）、アミノ基、炭素数１〜12の
アルキルアミノ基（例えば、メチルアミノ基、エチルア
ミノ基、プロピルアミノ基等）、炭素数１〜12のジアル
キルアミノ基（例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルア
ミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−エチルアミノ基等）、炭素数
６〜12のアリールアミノ基、（例えば、フエニルアミノ
基、トリルアミノ基等）、炭素数６〜15のアリール基を
２個有するジアリールアミノ基（例えば、ジフエニルア
ミノ基等）、カルボキシル基、アルカリ金属カルボキシ
ラト基（アルカリ金属（陽イオン）の例、Na 、Ｋ 、
Li 等）、アルカリ金属スルホナト基（アルカリ金属
（陽イオン）の例、Na 、Ｋ 、Li 等）、アルキルカ
ルボニル基（例えば、アセチル基、プロピオニル基、ベ
ンジルカルボニル基等）、炭素数６〜12のアリール基を
有するアリールカルボニル基（例えば、ベンゾイル基、
トルオイル基、炭素数１〜12のアルキルチオ基（例え
ば、メチルチオ基、エチルチオ基等）、または炭素数１
〜12のアリールチオ基（例えば、フエニルチオ基、トリ
ルチオ基等）をあげることができ、置換基の個数は１個
ないし３個であり、複数の置換基が結合している場合に
はそれらは互いに同じでも異なつてもよく、任意の組合
せをとつてよく、また置換基の結合位置は任意である。 ｎは３、４、５または６の整数を表わす。 本発明の一般式〔１〕で表わされるアゾ化合物の中で、
光感度の高い光導電性組成物を与えることができるこ
と、あるいは光感度が高く、耐久性に優れた電子写真感
光体を与えることができること、あるいは製造原料化合
物を容易に入手して低コストでアゾ化合物を製造するこ
とができることから、下記一般式〔２〕で表わされるト
リスアゾ化合物および下記一般式〔３〕で表わされるテ
トラキスアゾ化合物が好ましいが、一般式〔２〕および
〔３〕の化合物に限定されるものではない。 一般式〔２〕におけるArおよびＸとしては前記一般式
〔１〕におけるArおよびＸと同じ具体例をあげることが
できる。 一般式〔２〕におけるB¹、B²およびB³としては、前述の
A¹における置換基と同じ基をあげることができ、B¹、B²
およびB³の個数は１個ないし４個であり、複数が結合し
ている場合にはそれらは互いに同じでも異なつてもよ
く、任意の組合わせをとつてもよく、また結合位置は任
意である。 一般式〔２〕におけるＺはＮ−R¹、−Ｏ−Ｓ−または
−Se−を表わす。 R¹としては水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素
数６〜20のアリール基、炭素数１〜12のアルコキシ基を
有するアルコキシカルボニル基、炭素数６〜20のアリー
ルオキシカルボニル基、炭素数１〜20のアシル基があ
る。 R¹が無置換アルキル基の場合、その具体例としてメチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘ
キシル基、イソプロピル基、イソブチル基、イソヘキシ
ル基、ネオペンチル基、tert−ブチル基等をあげること
ができる。 R¹が置換アルキル基の場合、置換基としては、ヒドロキ
シ基、炭素数１〜12のアルコキシ基、シアノ基、炭素数
１〜８のアルキルアミノ基、炭素数１〜８のアルキル基
を２個有するジアルキルアミノ基、ハロゲン原子、炭素
数６〜15のアリール基などがある。その例として、ヒド
ロキシアルキル基（例えばヒドロキシメチル基、２−ヒ
ドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基、２−ヒ
ドロキシプロピル基等）、アルコキシアルキル基（例え
ば、メトキシメチル基、２−メトキシエチル基、３−メ
トキシプロピル基、エトキシメチル基、２−エトキシエ
チル基等）、シアノアルキル基（例えばシアノメチル
基、２−シアノエチル基等）、（アルキルアミノ）アル
キル基（例えば、（メチルアミノ）メチル基、２−（メ
チルアミノ）エチル基、（エチルアミノ）メチル基
等）、（ジアルキルアミノ）アルキル基（例えば、（ジ
メチルアミノ）メチル基、２−（ジメチルアミノ）エチ
ル基等）、ハロゲノアルキル基（例えば、フルオロメチ
ル基、クロロメチル基、ブロモメチル基等）、アラルキ
ル基（例えば、ベンジル基、フエネチル基等）をあげる
ことができる。 R¹が無置換アルコキシカルボニル基の場合、その具体例
としてメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、
プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ベン
ジルオキシカルボニル基等をあげることができる。 R¹が無置換アリール基、無置換アリール、オキシカルボ
ニル基の場合、その具体例としてフエニル基、ナフチル
基、ピリジル基、フエノキシカルボニル基、ナフトキシ
カルボニル基等をあげることができる。 R¹が無置換アシル基の場合、その具体例としてアセチル
基、プロピオニル基、ベンゾイル基、ナフトイル基、ニ
コチノイル基等をあげることができる。 R¹が置換アルコキシカルボニル基、置換アリールオキシ
カルボニル基及び置換アシル基の場合、置換基としては
前述の置換アルキル基の置換基と同じ基及びR¹が無置換
アルキル基である場合のアルキル基の具体例と同じ基を
あげることができ置換基の個数は１個ないし３個であ
り、複数の置換基が結合している場合にはそれらは互い
に同じでも異なつてもよく、任意の組合せをとつてもよ
く、また置換基の結合位置は任意である。 一般式〔３〕におけるArおよびＸとしては前記一般式
〔１〕におけるArおよびＸと同じ具体例をあげることが
できる。 一般式〔３〕におけるＺとしては前述の一般式〔２〕に
おけるＺと同じ具体例をあげることができる。 Q¹は単結合、 （但しｍは１〜３の整数を表わす。）、または芳香族性
を有する２価の有機残基を表わす。 ２価の有機残基の具体例としては以下に示される２価の
有機残基及びその置換体があり、その置換基としては前
述のA¹における置換基の具体例と同じ基をあげることが
できる。 上記具体例中R¹は前述の一般式〔２〕におけるR¹と同じ
具体例をあげることができる。 B⁴、B⁵は、水素原子または電子吸引性基を表わす。電子
吸引性基の具体例としては、ハロゲン原子（例えば、弗
素原子、塩素原子、臭素原子等）、ニトロ基、シアノ
基、アルコキシカルボニル基（メトキシカルボニル基、
エトキシカルボニル基等）をあげることができる。 Q²は２価の芳香族炭素環基、２価の芳香族複素環基また
はこれらの置換体を表わす。その具体例としては、以下
の構造で示される２価の芳香族炭素環基、２価の芳香族
炭素環基及びその置換体がある。 置換体としては前述のA¹における置換基の具体例と同じ
基をあげることができる。 また一般式〔２〕で表わされるトリスアゾ化合物の他
に、下記一般式〔４〕で表わされるトリスアゾ化合物も
有用である。 一般式〔４〕におけるＹは、 または を表わす。 一般式〔４〕におけるＸ及びArは一般式〔２〕における
Ｘ及びArと同じ意味を表わす。 また一般式〔２〕で表わされるトリスアゾ化合物の中
で、下記一般式〔５〕で表わされるトリスアゾ化合物が
さらに好ましいが、一般式〔５〕の化合物に限定される
ものではない。 （式中、Ｚは前述の一般式〔２〕におけるＺと同じ意味
を表わす。Cpはカプラー残基を表わし、 好ましくは、 または である。 Arは前述の一般式〔１〕におけるArと同じ意味を表わ
し、好ましくはベンゼン、ナフタレンを表わす。 また一般式〔３〕で表わされるテトラキスアゾ化合物の
中で、下記一般式〔６〕で表わされるテトラキスアゾ化
合物がさらに好ましいが、一般式〔６〕の化合物に限定
されるものではない。 （式中、Ｚは前述の一般式〔２〕におけるＺと同じ意味
を表わす。 またQ³は単結合、−CH＝CH−、 または を表わす。 Cpは前述の一般式〔５〕におけるCpと同じ具体例をあげ
ることができる。 一般式〔１〕のアゾ化合物の具体例としては次のものが
あげられるが本発明のアゾ化合物が次のものに限定され
るものではない。簡略化のために としてまず次にA¹の構造および置換位置を示す。 次にCpの具体例は第１表に示すカプラー残基である。
（第１表は とArの組み合わせを示し、表中の記号はカプラーNo.を
示す。） 本発明で用いるアゾ化合物は公知の反応を用いることに
よつて容易に製造することができる。例えば前記一般式
〔２〕に示されたトリスアゾ化合物は以下の方法によつ
て合成することができる。 下記一般式〔７〕のR²が水素である化合物を、適当な条
件下、例えば濃硫酸中で濃硝酸あるいは硝酸カリウム等
を用いてニトロ化して一般式〔７〕のR²＝NO₂の化合物
とする。次にこれを適当な条件下、例えばN,N−ジメチ
ルホルムアミド中で鉄粉と希塩酸あるいは塩化第１スズ
と塩酸で還元して一般式〔７〕のR²＝NH₂の化合物とす
る。次にこれを常法に従いジアゾ化して一般式〔７〕の
R²＝N₂ Ｑ （Ｑ はBF₄ 、ClO₄ などのアニオン官
能基を表わす）で表わされるトリスジアゾニウム塩とし
て単離した後、これを適当な溶媒例えばN,N−ジメチル
ホルムアミド中で前述の第１表に示すカプラー（Cp）と
アルカリ例えば酢酸ナトリウム、水酸化ナトリウムの存
在下にカツプリング反応させることにより容易に合成す
ることができる。 （式中、Ｚは一般式〔２〕のＺと同じ意味を表わす。） また一般式〔７〕のR²が水素である化合物はＺが酸素原
子である場合には「ヘミツセ ベリヒテ（Chemishe Ber
ichte）」，103,1572（1970），（J.Heinze and H.Baum
grtel著）等の記載により、Ｚが窒素原子の場合、
「ジヤーナル オブ ザ ケミカル ソサイアテイ（Jo
urnal of the Chemical Society）」，1941,278（A.H.C
ook and D.G.Jones著）等に記載の合成法を用いること
により、Ｚが硫黄原子及びセレン原子の場合、「ヘミツ
セベリヒテ（Chemishe Berichte）」，103,1572（197
0）（J.Heinze等著）、「ヘルベテイカ チミカ アク
タ（Helvetica Chimica Acta）」，28,315（1946），
（P.Karrer and F.Forster著）、「ユストウス リービ
ヒス アナレン デア ヘミエ（Jutus Liebigs Annale
n der Chemie）」，250,294（1889）（G.Hofman著）等
に記載の合成法を用いることにより、容易に合成するこ
とができる。 また第１表に示すカプラーは公知の方法に従つて容易に
合成することができる。代表的な合成法を以下に示す
が、この合成法に限定されるものではない。 下記の一般式〔８〕のR³が−COOHであるカルボン酸を、
ベンゼン、クロロホルムなどの有機溶媒中、適当な酸ハ
ロゲン化試薬（例えば、塩化チオニル、塩化オキザリル
等）で酸ハロゲン化し、一般式〔８〕のR³が−CO−Ｘ′
（Ｘ′は塩素原子、臭素原子等を表わす。）の化合物と
する。次にこれを、アセトン、メチルエチルケトンなど
の有機溶媒中、Ar−NH₂（Arは一般式〔１〕のArと同じ
意味を表わす。）で表わされるアミンと縮合することに
より容易に合成することができる。 （式中Ｘは前述の一般式〔１〕のＸと同じ意味を表わ
す。） 合成例 １ （第１表のCp−５の合成） ２−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸47g（0.25mol）をクロ
ロホルム120mlと混合し、この混合液に塩化チオニル22m
l（0.3mol）を加えた。次にこの混合液を油浴上で３時
間加熱還流した。室温に冷却後、溶媒を留去すると黄土
色の固体が得られた。この固体をアセトン150mlに溶解
し、０℃に冷却した後２−アミノ−５−クロロベンゾト
リフルオリド107ml（0.75mol）を滴下した。滴下終了
後、反応混合物を油浴上で３時間加熱還流した。室温に
冷却後、生成した結晶を取し、アセトン洗浄後、エタ
ノール−水より再結晶し、69g（収率76％）の淡黄色結
晶のCp−５を得た。融点は223.5〜224.5℃であつた。 合成例 ２ （一般式〔５〕でＺが酸素原子、Cpが第１表におけるCp
−６であるトリスアゾ化合物の合成） 2,4,5−トリフエニルオキサゾール20g（0.067mol）を濃
硫酸100mlに溶解し、氷冷した。これに硝酸カリウム22.
4g（0.22mol）を徐々に添加した。この際反応温度は５
℃以下を保つた。添加終了後、反応混合物を氷冷下３時
間撹拌し、２の氷水中に注ぎ生成した黄色沈殿を取
し、水洗、エタノール洗浄後、ピリジンより再結晶し2,
4,5−トリス（４′−ニトロフエニル）オキサゾール22.
9g（収率79％）を得た。 次にこの2,4,5−トリス（４′−ニトロフエニル）オキ
サゾール13g（0.03mol）をN,N−ジメチルムアミド500m
l、鉄粉26gと混合し、この混合液に濃塩酸10mlと水30ml
を加えよく撹拌しつつ100℃に加熱した。１時間後、反
応温度を100℃に保ちつつ、飽和炭酸水素ナトリウム水
溶液を用いて中和し反応後のpHを８とし、この反応液を
熱時過した。液を３の氷水中に注ぎ生成した 2,
4,5−トリス（４′−アミノフエニル）オキサゾールの
淡黄色沈殿を取し乾燥した。収量4.47g（収率97％） さらに2,4,5−トリス（４′−アミノフエニルオキサゾ
ール12g（0.035mol）を濃塩酸50ml及び水100mlから調整
した希塩酸に加えて60℃の水浴上で撹拌した後０℃に冷
却し、この溶液に亜硝酸ナトリウム8.0gを水30mlに溶解
した溶液を０℃で約30分間かけて滴下した。その後同温
度で１時間撹拌し、少量の未反応物を別した後、液
に42％硼弗化水素酸50mlを加え析出した結晶を取し
た。この結晶を少量の水で洗つた後、乾燥して、トリス
ジアゾニウム塩のかつ色結晶15.8g（収率71％）を得
た。 次にこうして得られたトリスアゾニウム塩2g（3.13mmo
l）及びカプラーとして、２−ヒドロキシ−３−ナフト
エ酸２′−クロロ−５′−トリフルオロメチルアニリド
（第１表においてCp−６）3.36g（9.2mmol）をN,N−ジ
メチルホルムアミド100mlに溶解し、０℃に冷却した。
この溶液に10％酢酸ナトリウム水溶液10mlを０℃で滴下
した後、室温で２時間撹拌した。 次に、生成した沈殿を取し、300mlの水で洗浄後、ア
セトン200mlで洗浄し、乾燥してトリスアゾ化合物4.2g
（収率95％）を得た。 この化合物の分解温度は270℃以上であつた。 元素分析値及び吸収スペクトルについては以下の通りで
ある。 元素分析値 C₇₅H₄₂Cl₃F₉N₁₀O₇として 計算値 C,61.17％ H,2.87％ Cl,7.22％ F,11.61％ N,9.51％ 実測値 C,61.08％ H,2.76％ Cl,7.33％ F,11.2％ N,9.34％ IR吸収スペクトル （KBr錠剤） アミドの吸収:1680cm^-1 可視吸収スペクトル 吸収極大波長572nm （５％エチレンジアミン含有N,N−ジメチルホルムアミ
ド中） 合成例 ３ （一般式〔５〕でＺが硫黄原子、Cpが第１表におけるCp
−５であるトリスアゾ化合物の合成。） 2,4,5−トリフエニルチアゾール20g（0.064mol）を濃硫
酸100mlに溶解し、氷冷した。これに硝酸カリウム21.4g
（0.212mol）を徐々に添加した。この際反応温度は５℃
以下を保つた。添加終了後、反応混合物を氷冷下３時間
撹拌し、２の氷水中に注ぎ生成した黄色沈殿を取
し、水洗、エタノール洗浄後、DMF−エタノールより再
結晶し、18.5g（収率80％）の2,4,5−トリス（４′−ニ
トロフエニル）チアゾールを得た。 次にこの2,4,5−トリス（４′−ニトロフエニル）チア
ゾール15g（0.034mol）をN,N−ジメチルムアミド500m
l、鉄粉20gと混合し、この混合液に濃塩酸10mlと水30ml
を加えよく撹拌しつつ100℃に加熱した。１時間後、反
応温度を100℃に保ちつつ、飽和炭酸水素ナトリウム水
溶液を用いて中和し反応液のpHを８とし、この反応液を
熱時過した。液を３の氷水中に注ぎ生成した2,4,
5−トリス（４′−アミノフエニル）チアゾールの淡黄
色沈殿を取し乾燥した。収量11.3g（収率94％） さらに2,4,5−トリス（４′−アミノフエニル）チアゾ
ール12g（0.033mol）を濃塩酸60ml及び水180mlから調整
した希塩酸に加えて60℃の水浴上で撹拌した後０℃に冷
却し、この溶液に亜硝酸ナトリウム7.6gを水30mlに溶解
した溶液を０℃で約30分間かけて滴下した。その後同温
度で１時間撹拌し、少量の未反応物を別した後、液
に42％硼弗化水素酸80mlを加え析出した結晶を取し
た。この結晶を少量の水で洗つた後、乾燥して、トリス
ジアゾニウム塩のかつ色結晶17.4g（収率80％）を得
た。 次にこうして得られたトリスジアゾニウム塩2g（3.15mm
ol）及びカプラーとして２−ヒドロキシ−３−ナフトエ
酸２′−トリフルオロメチル−４′−クロロナフトエ酸
アニリド（第１表においてCp−５）3.45g（9.45mmol）
をN,N−ジメチルホルムアミド100mlに溶解し、０℃に冷
却した。この溶液に10％酢酸ナトリウム水溶液100mlを
０℃で滴下した後、室温で２時間撹拌した。 次に、生成した沈殿を取し、300mlの水で洗浄後、ア
セトン200mlで洗浄し、乾燥してテトラキスアゾ化合物
4.33g（収率93％）を得た。 この化合物の分解温度は27℃以上であつた。 元素分析値及び吸収スペクトルについては下記の通りで
ある。 元素分析値 C₇₅H₄₂Cl₃F₉N₁₀O₆Sとして 計算値 C,60.51％ H,2.84％ Cl,7.14％ F,11.49％ N,9.41％ S,2.15％ 実測値 C,60.22％ H,3.02％ Cl,7.01％ F,11.45％ N,9.46％ S,2.09％ IR吸収スペクトル （KBr錠剤） アミドの吸収:1680cm^-1 可視吸収スペクトル 吸収極大波長571nm （５％エチレンジアミン含有N,N−ジメチルホルムアミ
ド中） 本発明の他のアゾ化合物もカプラー及び、対応するジア
ゾニウム塩を変える他は、上記合成例に従がつて合成す
る事ができる。 本発明の電子写真感光体は前記一般式で表わされるアゾ
化合物を１種又は２種以上含有する電子写真感光層を有
する。各種の形態の電子写真感光体が知られているが、
本発明の電子写真感光体はそのいずれのタイプの感光体
であつてもよいが通常下に例示したタイプの電子写真感
光体構造をもつ。 （ａ）導電性支持体上に、アゾ化合物をバインダーある
いは電荷担体輸送媒体中に分散させて成る電子写真感光
層を設けたもの。 （ｂ）導電性支持体上に、アゾ化合物を主成分とする電
荷担体発生層を設け、その上に電荷担体輸送媒体層を設
けたもの。 本発明のアゾ化合物は光導電性物質として作用し、光を
吸収すると極めて高い効率で電荷担体を発生し、発生し
た電荷担体は、アゾ化合物を媒体として輸送することも
できるが、電荷担体輸送化合物を媒体として輸送させた
方が更に効果的である。 タイプ（ａ）の電子写真感光体を作成するにはアゾ化合
物の微粒子をバインダー溶液もしくは電荷担体輸送化合
物とバインダーを溶解した溶液中に分散せしめ、これを
導電性支持体上に塗布乾燥すればよい。この時の電子写
真感光層の厚さは３〜30μ、好ましくは５〜20μがよ
い。 タイプ（ｂ）の電子写真感光体を作成するには導電性支
持体上にアゾ化合物を真空蒸着するか、アミン等の溶媒
に溶解せしめて塗布するか、あるいはアゾ化合物の微粒
子を適当な溶剤もしくは必要があればバインダーを溶解
せしめた溶剤中に分散して塗布乾燥した後、その上に電
荷担体輸送化合物及びバインダーを含む溶液を塗布乾燥
して得られる。この時の電荷担体発生層となるアゾ化合
物層の厚みは４μ以下、好ましくは２μ以下がよく、電
荷担体輸送媒体層の厚みは３〜30μ、好ましくは５〜20
μがよい。 （ａ）及び（ｂ）のタイプの感光体で用いられるアゾ化
合物はボールミル、サンドミル、振動ミル等の分散機に
より粒径５μ以下、好ましくは２μ以下に粉砕して用い
られる。 タイプ（ａ）の電子写真感光体において使用されるアゾ
化合物の量は少な過ぎると感度が悪く、多すぎると帯電
性が悪くなつたり、電子写真感光層の強度が弱くなつた
り、電子写真感光層中のアゾ化合物の占める割合はバイ
ンダーに対し0.01〜２重量倍、好ましくは0.05〜１重量
倍がよく、必要に応じて添加する電荷担体輸送化合物の
割合はバインダーに対し0.1〜２重量倍、好ましくは0.3
〜1.3重量倍の範囲がよい。またそれ自身バインダーと
して使用できる電荷担体輸送化合物の場合には、アゾ化
合物の添加量はバインダーに対し0.01〜0.5重量倍使用
するのが好ましい。 またタイプ（ｂ）の電子写真感光体において電荷担体発
生層となるアゾ化合物含有層を塗布形成する場合、バイ
ンダー樹脂に対するアゾ化合物の使用量は0.1重量倍以
上が好ましくそれ以下だと十分な感光性が得られない。
電荷担体輸送媒体中の電荷担体体輸送化合物の割合はバ
インダーに対し0.2〜２重量倍、好ましくは0.2〜1.3重
量倍が好ましい。それ自身バインダーとして使用できる
高分子電荷担体輸送化合物を使用する場合、他のバイン
ダーは無くとも使用できる。 またタイプ（ｂ）の感光体において特願昭59−53183
号、特願昭59−109906号、特願昭59−118414号各明細書
に記載されているように、電荷担体発生層中にヒドラゾ
ン化合物、オキシム化合物等の電荷担体輸送化合物を添
加することができる。 本発明の電子写真感光体を作成する場合、バインダーと
共に可塑剤あるいは増感剤などの添加剤を使用してもよ
い。 本発明の電子写真感光体において使用される導電性支持
体としては、アルミニウム、銅、亜鉛等の金属板、ポリ
エステル等のプラスチツクシートまたはプラスチツクフ
イルムにアルミニウム、酸化インジウム、SnO₂等の導電
材料を蒸着、もしくは分散塗布したもの、あるいは導電
処理した紙等が使用される。 バインダーとしては疎水性で、かつ誘電率が高く、電気
絶縁性のフイルム形成性高分子重合体を用いるのが好ま
しい。この様な高分子重合体としては例えば次のものを
挙げることができるが勿論これらに限定されるものでは
ない。 ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエステルカーボ
ネート、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニ
ル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリビニルア
セテート、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリ
デン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビ
ニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン
酸共重合体、シリコン樹脂、シリコン−アルキツド樹
脂、フエノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−ア
ルキツド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール これらの結着剤は、単独であるいは２種以上の混合物と
して用いることができる。 可塑剤としてはビフエニル、塩化ビフエニル、ｏ−テル
フエニル、ｐ−テルフエニル、ジブチルフタレート、ジ
メチルグリコールフタレート、ジオクチルフタレート、
トリフエニル燐酸、メチルナフタリン、ベンゾフエノ
ン、塩素化パラフインポリプロピレン、ポリスチレン、
ジラウリルチオジプロピオネート、3,5−ジニトロサリ
チル酸、各種フルオロ炭化水素類等が挙げられる。 その他、電子写真感光体の表面性をよくするために、シ
リコンオイル等を加えてもよい。 増感剤としては、クロラニル、テトラシアノエチレン、
メチルバイオレツト、ローダミンＢ、シアニン染料、メ
ロシアニン染料、ピリリウム染料、チアピリリウム染料
等が挙げられる。 電荷担体を輸送する化合物として一般に電子を輸送する
化合物と正孔を輸送する化合物との二種類に分類される
が、本発明の電子写真感光体には両者とも使用すること
ができる。電子を輸送する化合物としては電子吸引性基
を有する化合物、例えば2,4,7−トリニトロ−９−フル
オレノン、2,4,5,7−テトラニトロ−９−フルオレノ
ン、９−ジシアノメチレン−2,4,7−トリニトロフルオ
レノン、９−ジシアノメチレン−2,4,5,7−テトラニト
ロフルオレノン、テトラニトロカルバゾールクロラニ
ル、2,3−ジクロル−5,6−ジシアノベンゾキノン、2,4,
7−トリニトロ−9,10−フエナントレンキノン、テトラ
クロロ無水フタール酸、テトラシアノエチレン、テトラ
シアノキノジメタン等をあげることができる。 正孔を輸送する化合物としては、電子供与基を有する化
合物、例えば高分子のものでは、 （１）特公昭34−10966号公報記載のポリビニルカルバ
ゾールおよびその誘導体、 （２）特公昭43−18674号公報、特公昭43−19192号公報
記載のポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポ
リ−２−ビニル−４−（４′−ジメチルアミノフエニ
ル）−５−フエニル−オキサゾール、ポリ−３−ビニル
−Ｎ−エチルカルバゾールなどのビニル重合体、 （３）特公昭43−19193号公報記載のポリアセナフチレ
ン、ポリインデン、アセナフチレンとスチレンの共重合
などのような共重合体、 （４）特公昭56−13940号公報などに記載のピレン〜ホ
ルムアルデヒド樹脂、ブロムピレン〜ホルムアルデヒド
樹脂、エチルカルバゾール〜ホルムアルデヒド樹脂など
の縮合樹脂。 （５）特公昭56−90883号及び特開昭56−161550号明細
書に記載された各種のトリフエニルメタンポリマー。 または低分子のものでは、 （６）米国特許第3112197号明細書などに記載されてい
るトリアゾール誘導体、 （７）米国特許第3189447号明細書などに記載されてい
るオキサジアゾール誘導体、 （８）特公昭37−16096号公報などに記載されているイ
ミダゾール誘導体、 （９）米国特許第3615402号、同第3820989号、同354254
4号、特公昭45−555号、特公昭51−10983号、特開昭51
−93224号、特開昭55−108667号、特開昭55−156953
号、特開昭56−3656号明細書、公報などに記載のポリア
リールアルカン誘導体、 （10）米国特許第3180729号、米国特許第4278746号、特
開昭55−88064号、特開昭55−88065号、特開昭49−1055
37号、特開昭55−51086号、特開昭56−80051号、特開昭
56−88141号、特開昭57−45545号、特開昭54−112637
号、特開昭55−74546号明細書、公報などに記載されて
いるピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体。 （11）米国特許第3615404号明細書、特公昭51−10105
号、特開昭54−83435号、特開昭54−110836号、特開昭5
4−119925号、特公昭46−3712号、特公昭47−28336号明
細書、公報などに記載されているフエニレンジアミン誘
導体 （12）米国特許第3567450号、特公昭49−35702号、西独
国特許（DAS）1110518号、米国特許第3180703号、米国
特許第3240597号、米国特許第3658520号、米国特許第42
32103号、米国特許第4175961号、米国特許第4012376
号、特開昭55−144250号、特開昭56−119132号、特公昭
39−27577号、特開昭56−22437号明細書、公報などに記
載されているアリールアミン誘導体、 （13）米国特許第4047948号、米国特許第4047949号、米
国特許第4265990号、米国特許4273846号、米国特許4299
897号、米国特許4306008号明細書に記載のベンジジン誘
導体、 （14）米国特許第3526501号明細書記載のアミノ置換カ
ルコン誘導体、 （15）米国特許第3542546号明細書などに記載のN,N−ビ
カルバジル誘導体、 （16）米国特許第3257203号明細書などに記載のオキサ
ゾール誘導体、 （17）特開昭56−46234号明細書などに記載のスチリル
アントラセン誘導体、 （18）特開昭54−110838号明細書などに記載されている
フルオレノン誘導体。 （19）米国特許第3717462号、特開昭54−59143号（米国
特許第4150987号に対応）、特開昭55−52063号、特開昭
55−52064号、特開昭55−46760、特開昭55−85495号、
特開昭57−11350号、特開昭57−148749号、特開昭57−1
04144号明細書などに開示されているヒドラゾン誘導体
などがある。 なお本発明において、電荷担体を輸送する化合物は
（１）〜（19）にあげられた化合物に限定されず、これ
まで公知の全ての電荷担体輸送化合物を用いることがで
きる。 これらの電荷輸送材料は場合により２種類以上を併用す
ることも可能である。 なお、以上のようにして得られる感光体には、導電性支
持体と感光層の間に、必要に応じて接着層またはバリヤ
層を設けることができる。これらの層に用いられる材料
としては、前記バインダーに用いられる高分子重合体の
ほか、ゼラチン、カゼイン、ポリビニルアルコール、エ
チルセルロース、カルボキシメチルセルロース、特開昭
59−84247号、に記載の塩化ビニリデン系ポリマーラテ
ツクス、特開昭59−114544号に記載のスチレン−ブタジ
エン系ポリマーラテツクスまたは酸化アルミニウムなど
であり、これらの層の厚さは１μｍ以下が好ましい。 以上本発明の電子写真用感光体について詳細に説明した
が、本発明の電子写真感光体は一般に感度が高く耐久性
が優れているような特徴を有している。 本発明の電子写真感光体は電子写真複写機のほかレーザ
ー、ブラウン管を光源とするプリンターの感光体などの
分野に広く応用する事ができる。 本発明のアゾ化合物を含む光導電性組成物はビデオカメ
ラの撮像管の光導電層として、また公知の信号転送や走
査を行う一次元または二次元配列された半導体回路の上
の全面に設けられた受光層（光導電層）を有する固体撮
像素子の光導電層として用いることができる。また、 「ジヤーナル オブ アプライド フイジツクス（Jour
nal of Applied Physics）」,49（12）,5982（1978），
（A.K.Ghosh,Tom Feng著）に記載されている様に、太陽
電池の光導電層としても用いることができる。 また本発明のアゾ化合物は、光電気泳動システムにおけ
る光導電性着色粒子及び乾式または湿式の電子写真現像
剤における着色粒子としても用いることができる。 また本発明のアゾ化合物を、特公昭37−17162号、特開
昭55−19063号、特開昭55−161250号、特開昭57−14765
6号各明細書に開示されているように、オキサジアゾー
ル誘導体、ヒドラゾン誘導体などの前述の電荷担体輸送
性化合物とともにフエノール樹脂などのアルカリ可溶性
樹脂液中に分散し、アルミニウムなどの導電性支持体上
に塗布、乾燥後、画像露光、トナー現像、アルカリ水溶
液によるエツチングにより、高解像力、高耐久性、高感
度の印刷版が得られる他、プリント回路を作成すること
もできる。 次に、本発明の光感応性組成物を、光学情報記録媒体と
して用いる例について述べる。 即ち、本発明の光学情法記録媒体は、支持体上に少なく
とも本発明のアゾ化合物を含有する有機薄膜を形成する
ことで構成されるが、該有機薄膜は、前述の化合物を真
空蒸着塗布等の種々の方法を用いて形成することができ
る。 塗布法を用いる場合には、その有機溶媒としては、アル
コール類（例えばメタノール、エタノール、イソプロパ
ノール等）、ケトン類（例えばアセトン、メチルエチル
ケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン
等）アミド類（例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、
N,N−ジメチルアセトアミド等）、エステル類（例え
ば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等）、エーテ
ル類（例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン、モノ
グライム、ジグライム等）、ハロゲン化炭化水素類（例
えば、塩化メチレン、クロロホルム、メチルクロロホル
ム、四塩化炭素、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼ
ン等）等を単独あるいは混合して用いることができる。
該色素のバインダーとしては、公知の天然あるいは合成
樹脂の中から選択することができ、具体的には、セルロ
ーズ樹脂（例えば、ニトロセルローズ、リン酸セルロー
ズ、酢酸セルローズ、酪酸セルローズ、メチルセルロー
ズ、エチルセルローズ、ブチルセルローズ等）、アクリ
ル樹脂（例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリブチ
ルメタクリレート、ポリブチルアクリレート、ポリメタ
クリル酸、ポリアクリルアミド、ポリメタクリルアミ
ド、ポリアクリロニトリル等）、ビニル樹脂（例えば、
ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル、ポリ
ビニルアルコール、ポリビニルピロリドン等）、ポリカ
ーボネート類、ポリエステル類、ポリアミド樹脂、エポ
キシ樹脂、フエノール樹脂、ポリオレフイン樹脂（例え
ば、ポリエチレン、ポリプロピレン等）あるいは合成共
重合体樹脂等を用いることができる。塗布は、スプレ
ー、ローラーコーテイング、スピンナーコーテイング、
ブレードコーテイング等の汎用のコーテイング法を用い
て行なうことができる。 樹脂とともにに有機薄膜を形相する場合、テトラキスア
ゾ化合物の含有量は、薄膜中において５〜90重量％で好
ましくは15〜80重量％であり、残りはバインダーであ
る。又有機薄膜の蒸着膜厚又は乾燥膜厚は10μｍ以下で
好ましくは２μｍ以下である。 更に有機薄膜中に必要に応じて退色防止剤、着色剤を含
有させることができる。 本発明において使用される支持体の材料は、当該業者に
は公知のものであり、使用レーザー光に対して透明又は
不透明のいずれでも良い。具体的には、ガラス、石英、
セラミツクス、紙、金属類、プラスチツク類（例えば、
アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポ
リオレフイン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミド樹
脂、ポリカーボネート樹脂等）等を挙げることができ
る。 支持体側からレーザー光の照射で書込み記録する場合
は、そのレーザー光に対して透明でなければならず、こ
れに対して支持体と反対側即ち、記録層の表面から書込
み記録をする場合には、レーザー光に対して透明である
必要はない。しかし読出し再生を透過光で行なう場合
は、読出しレーザー光に対して透明でなければならな
い。一方読出し再生を反射光で行なう場合には、読出し
レーザー光に対して透明又は不透明のいずれでも良い。
又、支持体には必要に応じて凹凸で形成される案内溝を
設けても良いし、又、例えば柴外線硬化樹脂等から成る
下引き層を設けても良い。 本発明の光学情報記録媒体は、基本的には、上述した支
持体上に、有機薄膜を設けたものであるが、必要に応じ
て、支持体と有機薄膜の間に、アルミニウム、銀、クロ
ム、スズ等の反射性金属の蒸着層又はラミネート層等の
反射層を設けることができる。 情報の記録は、有機薄膜上に集束されたレーザー光線の
照射によつて熱作用による有機薄膜へのピツト形成によ
つて行なわれる。ピツトの深さを有機薄膜の膜厚と同一
にすると、ピツト領域における反射率を増加させること
ができる。情報の再生は、書込みに用いたレーザー光線
と同一の波長を有するが、強度の小さいレーザー光線を
用いれば読出し光がピツト領域で大きく反射されるが、
非ピツト領域においては吸収されることとなり、このピ
ツト形成部と非ピツト形成部からの反射光の差を検出す
ることによつて行なわれる。又、他の方法は、有機薄膜
が吸収する第１の波長のレーザー光線で実時間記録を行
ない、再生に有機薄膜を実質的に透過する第２の波長の
レーザー光線を用いることもできる。再生用レーザー光
線が、ピツト形成部と非ピツト形成部における異なる薄
厚によつて生じる反射相の変化に応答することによつて
行なわれる。 又、上述した様な同一構成の２枚の記録媒体を有機薄膜
同士が対向する様に配置した構成の記録媒体とすること
もできる。 これの場合には、有機薄膜が外気と遮断されるため、ゴ
ミの付着、キズの発生、有害ガスとの接触から保護でき
ることから記録層の保存は著しく向上される。 本発明の光学情報記録媒体に適用されるレーザー光は、
Arレーザー、He−Neレーザー、He−Cdレーザー等のガス
レーザーも可能である。 「実施例」 次に本発明を実施例により具体的に説明するが、これに
より本発明が実施例に限定されるものではない。なお実
施例中「部」とあるのは「重量部」を示す。 実施例 １ 合成例２で合成した一般式〔５〕で示され、Ｚが酸素原
子、Cpが第１表のCp−６であるトリスアゾ化合物１部と
4,4′−ビス（ジエチルアミノ）−2,2′−ジメチルトリ
フエニルメタン５部とビスフエノールＡのポリカーボネ
ート５部とをジクロロメタン95部に加え、これをボール
ミル中で粉砕、混合して調液し、この塗布液をワイヤー
ラウンドロツドを用いて導電性透明支持体（100μｍの
ポリエチレンテレフタレートフイルムの表面に酸化イン
ジウムの蒸着膜を設けたもの。表面抵抗10³Ω）上に塗
布、乾燥して、厚さ約８μｍの単層型電子写真感光層を
有する電子写真感光体を調製した。 この電子写真感光体について、静電複写紙試験装置（川
口電機（株）製SP−428型）を用いて＋5KVのコロナ放電
により＋400Vに帯電させ、ついで色温度2854゜Kのタン
グステンランプによつてその表面が4luxになる様して光
を照射し、その表面電位が初期表面電位の半分に減衰す
るのに要する時間を求め、半減露光量E₅₀（lux・sec）
を測定したところ1.6lux.secであつた。 実施例 ２〜44 実施例１において、合成例２で合成したトリスアゾ化合
物の代りに、第２表に示すアゾ化合物を用いる他は実施
例１と同様にして、単層構成の電子写真感光体を作製
し、実施例１と同様にして正帯電による半減露光量E₅₀
を測定した。得られた結果を第２表に示す。 第２表においてアゾ化合物は前述の化合物No.と第１表
のCpNo.の組み合わせで示す。 実施例45 合成例３で合成した一般式〔５〕で示され、Ｚが硫黄原
子、Cpが第１表におけるCp−５であるトリスアゾ化合物
５部と、ポリエステル樹脂（商品名：バイロン200,東洋
紡績（株）製）５部をテトラヒドロフラン50部に溶かし
た液と共にボールミルで、20時間分散した後、ワイヤー
ラウンドロツドを用いて、導電性支持体（75μｍのポリ
エチレンフテレタレートフイルムの表面にアルミニウム
の蒸着膜を設けたもの。表面電気抵抗４×10²Ω）上に
塗布、乾燥して、厚さ0.5μｍの電荷発生層を作成し
た。 次に電荷発生層の上に下記構造式

〔９〕で表わされるヒ
ドラゾン化合物3.6部とビスフエノールＡのポリカーボ
ネート４部とをジクロロメタン13.3部1,2−ジクロロエ
タン26.6部に溶解した溶液をワイヤーラウンドロツドを
用いて塗布乾燥し、厚さ11μｍの電荷輸送層を形成させ
て２層からなる電子写真感光層を有する電子写真感光体
を作成した。 この感光体を−6KVのコロナ放電により５秒間帯電せし
めた時の表面電位V₀、及び30秒間暗所に放置した時の表
面電位V₃₀を測定し、次いで、タングステンランプの光
を感光体表面における照度を30luxになるようにして光
を照射し、その表面電位が、表面電位V₃₀の半分に減衰
するのに要する露光量E₅₀及び60lux.secの露光量で露光
した時の表面電位（残留電位）Ｖ_Ｒをそれぞれ測定し
た。 また同様の測定を5000回繰り返して行なつた。結果は第
３表に表す通りである。 比較例 1,2 実施例45において用いたトリスアゾ化合物（一般式
〔５〕で示されＺが硫黄原子、Cpが第１表におけるCp−
５）の代りに下記構造式〔10〕、（特開昭58−123541号
明細書に記載）、〔11〕（特願昭59−30918号明細書に
記載）を用いる他は実施例45と同様にして２層構成の電
子写真感光体を作製し、実施例45と同様にして表面電位
V₀,V₃₀、半減露光量E₅₀及び残留電位Ｖ_Ｒを測定した。
また実施例45と同様にして5000回繰り返した結果を第４
表に示す。 以上の結果から明らかなように、本願のアゾ化合物を含
有する本発明の電子写真感光体は、ペルフルオロアルキ
ル基で置換していないアゾ化合物を含有した比較例の電
子写真感光体に比べ表面電位、感度、残留電位の点で、
また繰り返し使用時の安定性において極めて優れたもの
である。 実施例46〜104 実施例45において、合成例３で合成したトリスアゾ化合
物の代りに、第５表に示すアゾ化合物を用いる他は実施
例45と同様にして二層構成の電子写真感光体を作製し、
実施例45と同様にして半減露光量E₅₀を測定した。その
結果を第５表に示す。 第５表において、アゾ化合物は前述の化合物No.と第１
表のCp−No.の組み合わせで示す。 実施例105 合成例３で合成した一般式〔５〕で表わされＺが硫黄原
子、Cpが第１表のCp−５であるトリスアゾ化合物５部と
実施例45で用いたヒドラゾン化合物

〔９〕40部とベンジ
ルメタクリレートとメタアクリル酸のコポリマー
（〔η〕30℃メチルエチルケトン＝0.12、メタアクリル
酸含有32.9％）100部とをジクロロメタン660部に添加
し、超音波分散させた。 この分散液を砂目立てした厚さ0.25mmのアルミニウム版
上に塗布、乾燥し乾燥膜厚6mmの電子写真感光層を有す
る電子写真感光性印刷版材料を調製した。 この試料を暗所でコロナ放電（＋6KV）することによ
り、感光層の表面電位を約＋600Vに帯電させた後、色温
度2854゜Kのタングステン光を試料面に照度2.0luxで露
光した所、半減露光量は2.0lux.secであつた。 つぎに、この試料を暗所で表面電位を約＋400Vに帯電さ
せた後、ポジ画像の透過原稿と密着させて画像露光し
た。これをIsoper H（エツソスタンダード社、石油系溶
剤）1000部中に微粒子状に分散されたポリメチルメタア
クリレート（トナー）５部及び大豆油レシチン0.01部を
添加することによつて作製したトナーを含む液体現像液
中に浸漬し、鮮明なポジのトナー画像を得ることができ
た。 更に100℃で30秒間加熱してトナー画像を定着した。こ
の印刷版材料をメタ珪酸ナトリウム水和物70部をグリセ
リン140部、エチレングリコール550部、および150部に
溶解した液に約１分間浸漬し、水流で軽くブラツシング
しながら洗うことにより、トナーの付着していない部分
の電子写真感光層を除去し、刷版が得られた。 また液体現像液の代わりに、得られた静電潜像を、ゼロ
ツクス3500用トナー（富士ゼロツクス（株）製）を用い
て磁気ブラシ現像した後80℃で30秒間加熱、定着した。
次にアルカリ溶液でトナー付着してない部分の感光層を
除去することによつても、刷版が得られた。 このようにして作製した刷版をハマダスター600CDオフ
セツト印刷機を用いて常法により印刷した所地汚れのな
い非常に鮮明な印刷物を５万枚印刷することができた。 実施例 106 ニトロセルロース溶液（ダイセル化学工業製、メチルエ
チルケトン25wt％溶液）10g、合成例２で合成したトリ
スアゾ化合物3.0g及びテトラヒドロフラン100gを混合
し、十分に分散した。この分散液をアクリル基板にスピ
ンナーコーテイング法（1000rpm）で塗布した後、温度8
0℃で２時間乾燥した（膜厚0.3μｍ）。この様にして作
製した記録媒体をターンテーブル上に取り付け、ターン
テーブルをモーターで1800r.p.m.に回転しながら、スポ
ツトサイド1.0μｍに集束した10mW及び8MHzのヘリウム
−ネオン レーザー光（発振波長633nm）を記録層面に
トラツク状で照射して記録を行なつた。この記録された
記録層の表面を走査型電子顕微鏡で観察した所、鮮明な
ピツトが認められた。 更に、この記録媒体に低出力にした上記レーザー光を入
射し、反射光の検知を行なつた所、充分なS/N比を有す
る波長が得られた。 比較例 3,4 実施例45において用いたトリスアゾ化合物（一般式
〔５〕で示されＺが硫黄原子、Cpが第１表におけるCp−
５）の代りに下記構造式〔12〕、〔13〕（特願昭59−30
918号明細書に記載）で表わされるトリスアゾ化合物を
用いる他は実施例45と同様にして２層構成の電子写真感
光体を作製し、実施例45と同様にして表面電位V₀、
V₃₀、半減露光E₅₀及び残留電位Ｖ_Ｒを測定した。また実
施例45と同様にして同様の測定を5000回繰り返した結果
を第６表に示す。 以上の結果から明らかなように、本発明のアゾ化合物を
含有する本発明の電子写真感光体は、ペルフルオロアル
キル基で置換していないアゾ化合物またはハロゲン原子
だけで置換したアゾ化合物を含有する比較例の電子写真
感光体に比べ表面電位、感度、残留電位、感度、残留電
位の点でまた繰り返し使用時の安定性において極めて優
れたものである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１６ 7215−5Ｄ (56)参考文献 特開 昭60−111249（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−111250（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−118843（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−202443（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−214367（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−226754（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−204841（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−31340（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−69072（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−84654（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−124354（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−41642（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−69148（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】下記の一般式〔１〕で表わされるアゾ化合
   物を少なくとも１種含有することを特徴とする光感応性
   組成物。 式中の各記号は以下に示す意味を表わす。 A¹は 置換もしくは無置換の炭化水素系または複素系芳
   香族環を表わす。 Ｘは ベンゼン環と縮合して置換もしくは無置換の炭
   化水素系または複素系芳香族環を形成するために必要な
   原子団を表わす。 ｎは ３、４、５または６の整数を表わす。 ｎが３の場合、 Arは、少なくとも１個のペルフルオロアルキル基および
   少なくとも１個のハロゲン原子で置換した、炭化水素系
   または複素系芳香族（ペルフルオロアルキル基およびハ
   ロゲン原子以外の置換基で置換してもよい。）である。 ｎが４、５または６の場合、 Arは、少なくとも１個のペルフルオロアルキル基で置換
   した、炭化水素系または複素系芳香族環（ペルフルオロ
   アルキル基以外の置換基で置換してもよい。）である。