JPS60111249A - 感光体 - Google Patents

感光体

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JPS60111249A
JPS60111249A JP58218227A JP21822783A JPS60111249A JP S60111249 A JPS60111249 A JP S60111249A JP 58218227 A JP58218227 A JP 58218227A JP 21822783 A JP21822783 A JP 21822783A JP S60111249 A JPS60111249 A JP S60111249A
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一雅 渡邉
Satoru Ikeuchi
池内 覚
Osamu Sasaki
佐々木 收
Hisahiro Hirose
尚弘 廣瀬
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03G5/0664Dyes
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    • G03G5/0679Disazo dyes
    • G03G5/0681Disazo dyes containing hetero rings in the part of the molecule between the azo-groups

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は感光体に関し、詳しくはアゾ化合物を含有する
感光層を有する新規な電子写真感光体に関する。 (従来技術] 従来、感光体としては、セレン、酸化亜鉛、硫化カドミ
ウム等の無機光導電性化合物を主成分とする感光層を有
する無機感光体が広く用いられて来た。しかし、これら
は感度、熱安定性、耐湿性、耐久性等において必ずしも
満足し得るものではない。例えば、セレンは結晶化する
と感光体としての特性が劣化してしまうため、製造上も
難しく、また熱や指紋等が原因となり結晶化し、感光体
としての性能が劣化してしまう。また硫化カドミウムで
は耐湿性や耐久性、酸化亜鉛でも耐久性等に問題がある
。 これら無機感光体の持つ欠点を克服する目的で様々な有
機光導電性化合物を主成分とする感光層を有する有機感
光体の開発・研究が近年盛んに行なわれている。例えば
特公昭50−10496号公報にはポリ−N−ビニルカ
ルバゾールと2.4.7−ドリニ)a−9−フルオレノ
ンを含有する感光層を有する有機感光体の記載がある。 しかしこの感光体は、感度および耐久性において必ずし
も満足できるものではない。このような欠点を改良する
ためにキャリ了発生機能とキャリア輸送機能とを異なる
物質に分担させ、より高性能の有機感光体を開発する試
みがなされている。このようないわゆる機能分離型の電
子写真感光体は、それぞれの材料を広い範囲から選択す
ることができ、任意の性能を有する感光体を比較的容易
に作成し得ることから多くの研究がなされてきた。 このような機能分離型の電子写真感光体において、その
キャリア発生物質として、数多くの化合物が提案されて
いる。無機化合物をキャリア発生物質として用いる例と
しては、例えば、特公昭43−16198号公報に記載
された無定形セレンがあり、これは有機光導電性化合物
と組み合わせて使用されるが、無定形セレンからなるキ
ャリア発生層は熱により結晶化して感光体としての特性
が劣化してしまうという欠点は改良されてはいない。 また有機染料や有機顔料をキャリア発生物質として用い
る電子写真感光体も数多く提案されている。例、tば、
ビスアゾ化合物またはトリス7’/化合物を感光層中に
含有する電子写真感光体として、特開昭64−42’2
42号公報、特開昭57−74’746号公報、特開昭
55−69148号公報がすでに公知である。しかしこ
れらのビスアゾ化合物またはトリスアゾ化合物は、感度
、残留電位あるいは、繰り返し使用時の安定性の特性に
おいて、必ずしも満足し得るものではなく、また、キャ
リア輸送物質の選択範囲も限定されるなど、電子写真プ
ロセスの幅広い要求を十分満足させるものではない。 さらに近年感光体の光源としてArレーザー、H@−%
@レーザー等の気体レーザーや半導体レーザーが使用さ
れ始めている。これらのレーザーはその特徴として時系
列でOH/ 0IFPが可能であり、インテリジェント
コピアをはじめとする画像処理機能を有する複写機やコ
ンピューターのアラートプツト用のプリンターの光源と
して特に有望視されている。中でも半導体レーザーはそ
の性質上音響光学素子等の電気信号/光信号の変換素子
が不要であることや小型・軽量化が可能であることなど
から注目を集めている。しかしこの半導体レーザーは気
体レーザーに比較して低出力であり、また発振波長も長
波長(約’780nm以上ンであることから従来の感光
体では分光感度が短波長側により過ぎており、このまま
では半導体レーザーを光源とする感光体としての使用は
不可能である、(発明の目的λ 本発明の目的性熱および光に対して安定で、かつキャリ
ア発生能に優れた特定のトリスアゾ化合物を含有する感
光体を提供することにある。 本発明の他の目的は、高感度にしてかつ残留電位が小さ
く、また繰り返し使用してもそれらの特性が変化しない
耐久性の優れた電子写真感光体を提供することにある。 本発明の更に他の目的は、広範なキャリア輸送物質との
組み合わせにおいても、有効にキャリア発生物質として
作用し得るトリスアゾ化合物を含有する電子写真感光体
を提供することにある。 本発明の更に他の目的は、半導体レーザー等の長波長光
源に対しても十分の実用感度を有する感光体を提供する
ことにある。 本願発明の更に他の目的は、明細書中の記載からあきら
かになるであろう。 (発明の構成] 本発明者らは、以上の目的を達成すべく鋭意研究を重ね
た結果、下記一般式[I]で示されるトリスアゾ化合物
が感光体の有効成分として働き得ることを見い出し、本
発明を完成したものである。 N=N−Up 式中R,およびR9は水素原子、アルキル基(例えハメ
チル基、エチル基等)、アルコキシ基(例えばメトキシ
基、エトキシ基等)、またはハロゲン原子(例えば弗素
原子、塩素原子等)を表わし、であって、 あって、 R・:水素原子、炭素数1〜4の置換・未置換のアルキ
ル基、および置換・未置換のアラルキル基、置換・未置
換のフェニル基、 R1:水素原子、炭素数1〜4の置換・未置換のアルキ
ル基、置換・未置換の芳香族炭素環基(例えば置換・未
置換のフェニル基、置換・未置換のす7チル基、置換・
未置換のアンスリル基等へまたは置換・未置換の芳香族
複素環基(例えば置換・未置換のカルバゾリル基、置換
・未置換のジベンゾフリル基等λを表わす。 これらの基の置換基としては、例えば炭素数1〜4の置
換・未置換のアルキル基(例えばメチル基、エチル基、
イソプロピル基、3級ブチル基、トリフルオロメチル基
等]、置換・未置換のアラルキル基(例えば、ベンジル
基、フェネチル基等へハロゲン原子(塩素原子、臭素原
子、弗素原子、沃素原子ン、炭素数1〜4の置換・未置
換のアルコキシ基(例えばメトキシ基、エトキシ基、イ
ンプロポキシ基、3級ブトキシ基、2−クロトエトキシ
基等λ、ヒドロキシ基、置換・未置換の了リールオキシ
基(例えば、p−クロトエトキシ基1−す7トキシ基等
2、アシルオキシ基、(例えば、了セチルオキシ基、p
−シアノペンジイルオキシ基等フ、カルボキシ基、その
エステル基(例えば、エトキシカルボニル基、m−ブロ
モフェノキシカルボニル基等ノ、カルバモイル基(例え
ばアミノカルボニル基、3級ブチルアミノカルボニル基
、アニリノカルボニル基等フ、アシル基(例えば、アセ
チル基、0−ニトロベンゾイル基等ノ、スルホ基、スル
ファモイル基(例えば、アミンスルホニル基、3級ブチ
ルアミノスルホニル基、p−トリルアミノスルホニル基
等ン、アミ7基、アシルアミノ基(例えば、アセチルア
ミノ基、ベンゾイルアミノ基等ノ、スルホンアミド基(
例えば、メタンスルホンアミド基、p−トルエンスルホ
ンアミド基等フ、シアノ基、ニトロ基等が挙げられるが
、好ましくは炭素数1〜4の置換・未置換のアルキル基
(例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、n−
ブチル、トリフルオロメチル基等ン、ハロゲン原子(塩
素原子、臭素原子、弗素原子、沃素原子フ、炭素数1−
4の置換・未置換のアルコキシ基(例えは、メトキシ基
)エトキシ基、3級ブトキシ基、2−クロルエトキシ基
等ノシアノ基、ニトロ基である。 2は、置換・未置換の芳香族炭素環、または置換・未置
換の芳香族複葉環を形成するに必要な原子群であって、
具体的には例えば置換・未置換のベンゼン環、置換・未
置換のす7タレン環、置換・未置換のインドール環、置
換・未置換のカルノ々ゾール環等を形成する原子群を表
わす。 これらの環を形成する原子群の置換基としては、例えば
R,、R,の置換基として挙げたような一連の置換基が
列挙されるが、好ましくはノ・ロゲン原子(塩素原子、
臭素原子、弗素原子、沃素原子)、スルホ基、スルファ
モイル基(例えばアミノスルホニル基、p−トリルアミ
ノスルホニル基等)である。 R8は、水素原子、置換・未置換のアルキル基、置換・
未iR換のアミン基、カルボキシ基、そのエステル基、
置換・未置換のカルノくモイル基、シアノ基であり好ま
しくは水素原子、炭素数1〜4の置換・未置換のアルキ
ル基(例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、
3級ブチル基、トリフルオロメチル基等)、−シアノ基
である。 Aは置換・未置換の了り−ル基であり、好ましくは置換
・未置換のフェニル基でこれらの基の置換基としては例
えは”@+ Rtの置換基として挙げたような一連の置
換基が列挙されるが、好ましくはハロゲン原子(塩素原
子、臭素原子、弗素原子、沃素原子)、炭素数1〜4の
置換・未置換のアルキル基(例えば、メチル基、エチル
基、イソプロピル基、3級ブチル基、トリフルオロメチ
ル基等)、炭素数1〜4の置換・未置換のアルコキシ基
(例えば、メトキシ基、エトキシ基、インプロポキシ基
、3級ブトキシ基、2−クロルエトキシ基ンである。 R6およびR3は置換・未置換のアルキル基、置換・未
置換のアラルキル基、および置換・未置換のアリール基
を表わすが、好ましくは炭素数1〜4の置換・未置換の
アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、イソプロピ
ル基、3級ブチル基、トリフルオロメチル基等)、Wi
換φ未It 換(7) 7 xニル基(例えば、フェニ
ル基、p−メトキシ7エ4ル基、m−クロルフェニル基
等)を表わす。 すなわち本発明においては、感光体の感光層を構成する
光導電性物質として前記一般式[I]で表わされるトリ
スアゾ化合物を使用することにより、本発明の目的であ
る熱および光に対して安定であり、また電荷保持力、感
度、残留電位等の電子写真特性において優れており、か
つ繰り返し使用した時にも疲労変化が少なく、さらに7
80nm以上の長波長領域において−も十分な感度を有
する優れた感光体を作成することができる。 本発明において使用される前記一般式[I]で表わされ
るトリスアゾ化合物中、好ましくは以下の一般式[1]
で示される原子団である。 (’p+ Rtは一般式[I]のものに同じノ前記一般
式[I]、[II]で示される本発明に有用なジスアゾ
化合物の具体例としては、たとえは次の構造式を有する
ものが挙げられるが、これにょツ1” 本発U’lJ 
ノシスアゾ化合物が限定されるものではない。 A −(1) 〜 (37) 表 (A) A−(3すA−fC4す H=M−Op 表 (B〕 これらの化合物は通常のよく知られた方法の組合せによ
り、合成することができる。以下合成例を示す。 合成例1 例示化合物A−(1)の合成1)中間体フェ
ノキサジンの合成 Pau:Lette Mfillerらの方法(、T、
 Org、Ohem、 Mol。 g4.37 (19159) )に従がって合成した。 0−アミノフェノールpt1agとヨウ素11/をフラ
スコに入れ、270〜290℃で3時間加熱溶融した。 別に水酸化ナトリウム8゛Ogを水4ノに溶かし、これ
に上述の溶融した反応物を少しづつ注いだ。 析出した結晶をP取し、水洗後、トルエンにより熱抽出
した(70〜60℃)。抽出液は100gのシリカゲル
(300メツシユノを通して濾過を行い、P液を減圧下
濃縮し、メタノール1ooa4を加えた。 生じた結晶をP取し少量のメタノールで洗い目的物を得
た。 収量25.0.9 融点152〜154℃ 収率13.
7襲2)中間体 アセチルフェノキサジンの合成フェノ
キサジン23.8 i (0,13モルノを氷酢酸50
1Llに分散し、無水酢@BOmlを加えて2時間加熱
還流した。反応後、減圧下溶媒を蒸発乾固させ、残金に
メタノールsodを加えて懸濁洗浄、精製した。 収量25.2I 融点143〜144℃ 収率86%す
中間体 2,7−ジニトロアセチルフエノキサジンの合
成 F、Kehrmannら(Ber、Vol 36 、 
475 (1903ツノに従って合成した。 アセチルフェノキサジン24.8 g(0,1]、モル
ノを氷酢酸300dに溶かし、25℃で濃硝酸(d=]
、、42)3omlを滴下した。同温度で3時間攪拌し
た後、無水酢酸30コを加え、更に室温で1時間攪拌し
た。反応後、水200 al+を加え、生じた結晶をf
取し、水、メタノールで洗って目的物を得た。 収量22.5.ji+ 融点185〜19Q℃ 収率7
0%リ 中間体 2,7−ジニトロフェノキサジンの合
成 2.7−ジニトロアセチルフェノキサジン22.5gを
エタノール250111/濃塩酸50Mに分散し、5時
間加熱還流した。反応後、更に濃塩酸5c)mJを加え
、放冷後生じた結晶をr過した。赤色の目的物15.5
gを鞠だ。  ≠弘 収率84.4% 融点260℃以上黒化5)中間
体 2.7−シニトロー1O−p−ニトロフェニルフェ
ノキサジンの合成 ジニトロフェノキサジン8.5 g(!: p−ニトロ
ヨードベンゼン1z、oJをニトロベンゼン50TrL
tに混合し、これに炭酸カリウム10g、銅粉0.5 
jiを加えて200〜21Q℃で15時間反応させた。 反応後、水蒸気蒸留によってニトロベンゼンを留去し、
粗結晶をr取した。これにクロロホルム3.04を加え
、熱時に抽出した。抽出液をシリカゲル(200メツシ
ユ)50gを通してf過を行い、r液を濃縮した。少量
の酢酸エチルを使用して結晶化させ、酢酸エチルで懸濁
し、洗った。ついでメタノール50IIL11アセトン
50m1.水酸化ナトリウム311.水15Mの混液の
中で充分懸濁攪拌し、未反応の原料をのぞいた。更に水
、ついでメタノールで洗って目的とする中間体2.7−
シニトロー10− p−ニトロフェニルフェノキサジン
3.9 jjを得た。 収率31.6% 融点285〜290℃リ 中間体 2
,7−ジアミツー1O−p−アミノフェニルフェノキサ
ジンおよび 例示化合物A −(1)の合成 2.7−シニトロー1O−p−ニトロフェニルフェノキ
サジン2.0 、!1It−濃塩酸100.プに分散し
、これに塩化第1スズ(2水和物)215gを加え、3
時間加熱還流した。放冷後、結晶をP取し、5ゴの希塩
酸で洗浄して、2.7−ジ了ミノ−10−p−アミノフ
ェニルフェノキサジン−スズ錯体を得た。 上記のトリアミノ体−スズ錯体全量を濃硫酸20rnl
に溶かし、これにあらかじめ調整したニトロシル硫酸(
濃硫酸8ゴ 亜硝酸す) IJウム1.4 gJを0〜
5℃で滴下した。滴下後向温度で1一時間−攪拌し、こ
れを六フッ化リンアンモニウム10.litをふくむ氷
水500コの中に注いだ。生じた結晶をf取し、ヘキサ
ゾニウムのヘキサフルオロホスフェート塩を得た。この
結晶をN、N−ジメチルホルムアミド100ゴに溶解し
、次のカップリング反応の滴下液上した。 次に2−ヒドロキシ−3−(2−メチル−4−メトキシ
フェニルカルバモイルツーベンゾ[、]カルバゾール(
ナフトールASSR、ヘキスト製)5.89とトリエタ
ノールアミン゛1omlを250ゴのN。 N−ジメチルホルムアミドに溶解し、氷冷しながらON
5℃でこれに上述のヘキサアゾニウム塩溶液を滴下した
。更に2時間同温度で攪拌した後、室温にて一夜放置し
、生じた結晶をf取した。この結晶を200m1のN、
N−ジメチルホルムアミドにより2回、llのアセトン
により2回洗浄した後、乾燥して化合物A −(1) 
1.3 gを得た。 収率17%(トリニドp体から) この化合物は元紫分析により確認された。 (化学式は0゜3H6?Nl301゜)元 素 OHN 実測値(1) 72.9B 4.52 12.01計算
値6%) 73.17 4.42 11.93合合成2
 例示化合物A −(15)の合成2−ヒト四キシ−3
−(2,4−ジメチル7エ二ルカルバモイルノナフタレ
ン(ナフトールASMX〕4.39とトリエタノールア
ミンlomJを200mjのN、N−ジメチルホルムア
ミドに浴かし、水冷しなから0〜5℃でこれに合成例1
で述べたヘキサゾニウム境溶液を滴下した。更に2時間
、同温度で攪拌した後、室温にて一夜放置し、生じた結
晶を1取した。この結晶を200dのIJ、N−ジメチ
ルホルム了ミドにより2回、11の7七トンにより2回
洗浄したのち乾燥して化合物A −(15)1.81を
得た。 収率29.1%(トリニドp体より) この化合物は元素分析により確認された。 (化学式は0yeHssN+oOy )元素 OHN 実測値(支)) ’74.18 4.95 11.61
計算値(イ) 74.36 4.E13 11.56本
発明のトリスアゾ化合物は優れた光導電性を有し、これ
を用いて電子写真感光体を製造する場合、導電性支持体
上に本発明のトリスアゾ化合物を結着剤中に分散した感
光層を設けることにより製造することができる。また他
の方法として、本発明のトリスアゾ化合物の持つ光導電
性のうち、特に優れたキャリア発生能を利用するキャリ
ア発生物質として用い、これと組み合せて有効に作用し
得るキャリア輸送物質と共に用いることにより、積層型
、あるいは分散型のいわゆる機能分離型の電子写真感光
体とすることも可能である。また本発明で用いられるト
リスアゾ化合物は前記一般式[i]で表わされるトリス
アゾ化合物の中から単独あるいは2種以上の組み合せで
用いることができ又、他のトリスアゾ化合物あるいはジ
スアゾ化合物との組み合せで使用してもよい。 電子写真感光体の機械的構成は種々の形態か知られてい
るが、本発明の電子写真感光体はそれらのいずれの形態
をもとり得る。 通常は、第1図〜第6図の形態である。第1図および第
3図では、導電性支持体l上に前述のトリスアゾ化合物
を主成分とするキャリア発生*2と、キャリア輸送物質
を主成分として含有するキャリア輸送層3との積層体よ
り成る感光層4を設ける。第2図および第4図に示すよ
うにこの感光層4は、導電性支持体上に設けた中間層5
を介して設けてもよい。このように感光層4を二層構成
としたときに最も優れた電子写真特性を有する電子写真
感光体が得られる。また本発明においては、第5図およ
び第6図に示すように前記キャリア発生物質7をキャリ
ア輸送物質を主成分とする層6中に分散せしめて成る感
光層4を導電性支持体1上に直接、あるいは中間層5を
介して設けてもよい。 本発明のトリスアゾ化合物をキャリア発生物質として用
いた場合、これと組み合わせて用いられるキャリア輸送
物質としてはトリニトロフルオレノンあるいはテトラニ
トロフルオレノンなどの電子を輸送しやすい電子受容性
物質のはかポリ−N−ビニルカルバゾールに代表される
ような複累環化合物を側鎖に有する重合体、トリアゾー
ル誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導
体、ピラゾリン誘導体、ボリアリールアルカン誘導体、
フェニレンジアミン誘導体、ヒドラゾン誘導体、アミノ
W換カルフン誘導体、トリアリールアミン誘導体、カル
バゾール誘導体、スチルベン誘導体、等の正孔を輸送し
やすい電子供与性物質が挙げられるが、本発明に用いら
れるキャリア輸送物質はこれらに限定されるものではな
い。 二層構成の感光層4を構成するキャリア発生層2は導電
性支持体1、もしくはキャリア輸送層3上に直接、ある
いは必要に応じて接着層もしくはバリヤ一層などの中間
層を設けた上に例えば次の方法によって形成することが
できる。 M−1))ジスアゾ化合物を適当な溶媒に溶解した溶液
を、あるいは必要に応じて結着剤を加え混合溶解した溶
液を塗布する方法。 M−27)リスアゾ化合物eボールミル、ホモミキサー
等によって分散媒中で微細粒子とし、必要に応じて結着
剤を加え混合分散した分散液を塗布する方法。 キャリア発生層の形成に使用される溶媒あるいは分散媒
としては、n−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレ
ンジアミン、インプロパツールアミン、トリエタノール
アミン、トリエチレンジアミン、N、N−ジメチルホル
ム了ミド、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム
、1,2−ジクロロエタン、ジクロロメタン、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン、メタノール、エタノール、イ
ソプロパツール、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジ□メチル
スルホキシド等が挙げられる。 キャリア発生層あるいはキャリア輸送層に結着剤を用い
る場合は任意のものを用いることができるが、疎水性で
かつ誘電率が高く、電気絶縁性のフィルム形成性高分子
重合体を用いるのが好ましい。このような高分子重合体
としては、たとえば次のものを挙げることができる′が
スこれらに限定されるものではない。 P−1)ポリカーボネート P−2)ポリエステル P−3)メタクリル樹脂 P−4)アクリル樹脂 P−5)ポリ塩化ビニ。 P−6ノ ポリ塩化ビニリデン P−7)ポリスチレン P−8)ポリビニルアセテート P−9)スチレン−ブタジェン共重合体P−1り塩化ビ
ニリデン−アクリロニトリル共重合体 P −11)塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体P−1幻
塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体 P −13)シリコン樹脂 P −14)シリフン−アルキッド樹脂P−15ノフェ
ノールーホルムアルデヒド樹脂P −167スチレンー
アルキツド樹脂P −17)ポリ−N−ビニルカルバゾ
ールP −18)ポリビニルブチラール これらの結着剤は、単独であるいは2種以上の混合物と
して用いることができる。 このようにして形成されるキャリア発生層2の厚さは、
0.01μff1〜20μmであることが好ましいが、
更に好ましくは0.05μm〜5μmである。またキャ
リア発生層あるいは感光層が分散系の場合アゾ化合物の
粒径は6μm以下であることが好ましく、更に好ましく
は1μm以下である。 本発明の電子写真感光体に用いられる導電性支持体とし
ては、合金を含めた金属板、金属ドラムまたは導電性ポ
リマー、酸化インジウム等の導電性化合物や合金を含め
たアルミニウム、パラジウム、金等の金属薄層を塗布、
蒸着あるいはラミネートして導電性化を達成した紙、プ
ラスチックフィルム等が挙げられる。接着層あるいはバ
リヤ一層などの中間層としては、前記結着剤として用い
られる高分子重合体のほか、ポリビニルアルコール、エ
チルセルロース、カルボキシメチルセルロースなどの有
機高分子物質または酸化アルミニウムなどが用いられる
。 本発明の電子写真感光体は以上のような構成であって、
後述する実施例からも明らかなように、帯電特性、感度
特性、画像形成特性に優れており、特に繰り返し使用し
たときにも疲労劣化が少なく、耐久性が優れたものであ
る。 以下、本発明の実施例で具体的に説明するが、これによ
り本発明の実施態様が限定されるものではない。 (実施例) 実施例1 例示化合物A−(9)2.litとポリカーボネート樹
脂[パンライトL−1250J(量大化成社製〕2II
とを1,2−ジクロロエタン11’oa/に加え、ボー
ルミルで12時間分散した。この分散液をアルミニウム
を蒸着したポリエステルフィルム上に、乾燥時の膜厚が
1μmになるように塗布し、キャリア発生層とし、更に
その上に、キャリア輸送層として(下記構造式(K−1
))6flをポリカーボネート樹脂[パンライトlt−
1250J 10flとを1,2−ジクロロエタンll
0M/に溶解した液を乾燥後の膜厚が15μmになるよ
うに塗布して、キャリア輸送層を形成し、本発明の電子
写真感光体を作成した。 以上のようにして得られた感光体を(e4.)用ロ電機
製作所製BP−428型静電紙試験機を用いて、以下の
特性評価を行なった。帯電圧−6KVで5秒間帯電した
後、5秒間暗放誼し、次いで感光体表面での照度が35
1tllになるようにハロゲンランプ光を照射して、表
面電位を手分に減衰させるのに要する露光量(半減g光
量)ya+をめた。また301ux−secの露光量で
露光した後の表面電位(残留電位L■をめた。さらに同
様の測定を100回繰り返して行なった。結果は第1表
に示す通りである。 第 1 表 比較例1 キャリア発生物質として下記ジスアゾ化合物(G−1)
を用いた他は、実施例1と同様にして比CG−1) この比較用電子写真感光体について、実施例1と同様に
して測定を行なったところ、第2表に示す結果を得た。 第 2 表 以上の結果から明らかなように、本発明の電子写真感光
体は、比較用電子写真感光体に比べ、感度、残留電位お
よび繰り返しの安定性において極めて優れたものである
。 実施例2 ポリエステルフィルム上にアルミニウム箔をラミネート
して成る導電性支持体上に、塩化ビニル−酢酸ビニル−
無水マレイン酸共重合体[エスレツクMP−10J(種
水化学社製〕より成る厚さ0.05μmの中間層を設け
、その上に例示化合物A−(1512gを1.2−ジク
ロロエタン110tdに混合し、ボールミルで24時間
分散した分散液を乾燥後の膜厚が0.5μmになるよう
にして塗布し、キャリア発生層を形成した。このキャリ
ア発生層の上に4−メトキシトリフェニルアミン6gと
メタクリル樹脂「アクリベット」(三菱レイヨン社製〕
10、litとを1.2−ジクロロエタン70aJに溶
解した液を、乾燥後の膜厚が10μmになるように塗布
してキャリア輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体
を作成した。 この電子写真感光体について実施例1と同様の測定を行
なったところ第1回目について3+= 2.01uX’
sec、yu=ovの結果を得た。 実施例3 実施例2で用いた中間層を設けた導電性支持体上に、例
示化合物A −(33)の1%エチレンジアミン溶液を
乾燥後の膜厚が0.3μmになるように塗布し、キャリ
ア発生層を形成した。 次いでその上に (K−2) 01H6 上記化合物(K−2)6fiとポリエステル1M脂「パ
イロン200J(東洋紡績社製)logとを1゜2−ジ
クロロエタン7oll/に溶解し、この溶液を乾燥後の
膜厚が12μmになるように塗布してキャリア輸送層を
形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。 この電子写真感光体について実施例1と同様の第 3 
表 実施例4 実施例3において例示化合物五−(3りを例示化合物A
 −(IQ)に代えた他は同様にしてキャリア発生層を
形成した。この上に (K−3J (化合物(K−3ツノ6gとポリカーボネート[パンラ
イトL−1250J (密入化成社製) 101とを、
1,2−ジクロロエタン7oInlに溶解した液を乾燥
後の膜厚が10μmになるように塗布してキャリア輸送
層を杉戎し、本発明の電子写真感光体を作成した。 この電子写真感光体について、実施例1と同様にして測
定を行なったところEi = 2.71ux−secお
よびVR=OVであった。 実施例5 − ft径10C)+Hのアルミニウム製ドラムの表面に塩
化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体[エス
レックMP−10J(種水化学社製〕より成る厚さ0.
05μmの中間層を設け、その上に例示化合物A−(1
)4J7を1,2−ジクロロエタン400Mに混合し、
ボールミル分散機で24時間分散した分散液を乾燥後の
膜厚が0.6μmになるようにして塗布し、キャリア発
生層を形成した。 さらにこの上に、(下記化合物(K−4))30gとポ
リカーボネート樹脂[コービロンS −1000J(三
菱方ス化学社製)3agとを1,2−ジクロロエタン (K−4−) 400dにhmし、乾燥後の膜厚が13μmになるよう
に塗布してキャリア輸送層を形成し、ドラム状の電子写
真感光体を作成した。 このようにして作成した感光体を電子写真複写機[U−
BixV2J(小西六写真工業社製〕の改造機に装着し
、meを複写したところコントラストが高く、原画に忠
実でかつ鮮明な複写画像を得た。また、これは10,0
00回繰り返しても変わることはなかった。 比較例2 実施例5において例示化合物A−(υを下記の構造式で
表わされるビスアゾ化合物(G−2)に代えた他は、実
施例5と同様にしてドラム状の比較用感光体を作成し、
実施例5と同様にして複写画像を評価したところ、カブ
リか多い画像しか得られなかった。また、腹写を繰り返
していくに従い、複写画像のコントラストが低下し、2
000 回(G−2) 実施例6 直径100mgのアルミニウム製ドラムの表面に、塩化
ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体「エスレ
ツクM?−10J(種水化学社製2よりなる厚さ0.0
5μmの中間層を設け、その上に例示化合物(2)4g
を1,2−ジクロロエタン400ゴに混合し、ボールミ
ル分散機で24時曲分散した分散液を乾燥後の膜厚が0
.5μmになるようにして塗布し、キャリア発生層を形
成した。 さらにその上に4−メチル−4′−スチリルトリフェニ
ルアミン3QIIとポリカーボネート仙腸[パンライト
xJ−1250」(密入化成社製)50gと全1.2−
ジクロロエタン400IR1に溶解し、乾燥後の膜厚が
12μmになるように塗布してキャリア輸送層を形成し
、ドラム上の電子写真感光体を作成した。 この感光体の780nmにおける分光感度は0.98μ
J/cd(半減露光R)であった。 次にこの感光体を感光体表面でのレーザー元強度が0.
85mWとなる半導体レーザー(780nm )を装置
した実#機により実写テストを行なった。 感光体の表面を一6KVに帯電した後、レーザー露光し
一350vのバイアス電圧で反転現像したところ、カブ
リのない良好な画像が得られた。 また、これはNo、OOO回縁管)返しても変わること
はなかった。 実施例7 実施例(6)において例示化合物(A−(2))に代え
て、例示化合物(A−(3))、(A−(4)ノ、(A
−(5))・ (A−(7)ノを用いた他は同様にして
ドラム状の感光体を得た。 ツレぞれのIer元体の780nmにおける分光感度第
 4 表 次に実施例(6)に記した実験機による実写テストにお
いてもそれぞれ、の感光体はカブリの無い良好な画像を
与え、これらは10,000回繰り返しても変わらなか
った。
【図面の簡単な説明】
第i図〜第6図はそれぞれ本発明電子写真感光体の機械
的構成例について示す断面図であって図中の1〜7はそ
れぞれ以下の事を表わす。 1・・・・・・導電性支持体、 2・・・・・・キャリア発生層、 3・・・・・・キャリア輸送層、 4・・・・・・感光層、 5・・・・−・中間層、 6・・・・・・キャリア喘送物質を含有する層、′l・
・・・・・キャリア発生物質。 代理人 桑原銭美 第1図 ′j45図 第2図 も4−口

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 υ 導電性支持体上に下記一般式[I]で示すトリスア
    ゾ化合物を含有する感光層を有することを特徴とする感
    光体。 一般式[Iコ H==H−Op [式中・現およびR2は水素原子、アルキル基アルコキ
    シ基、またはハロゲン原子を表わし、Op : σH であって 2:置換・未置換の芳香族炭素環または置換・未置換の
    芳香族複素環を構成するのに必要な原子群、 Y:置換・未置換のカルバモイル基または置換・未置換
    のスルファモイル基、 R1:水素原子、置換・未置換のアルキル基、置換・未
    置換のアミン基、置換・未置換のカルバモイル基、カル
    ボキシ基およびそのエステル基、またはシアノ基、 A:置換・未置換のアリール基、 R4およびR3:置換・未置換のアルキル基、置換・未
    置換のアラルキル基、または置換・未置換のアリール基
    を表わす。] 2ノ 前記感光層かキャリア輸送物質とキャリア発生物
    質とを含有し、当該キャリア発生物質が前記一般式[I
    ]で表わされるトリスアゾ化合物である特許請求の範囲
    第1項記載の電子写真感光体。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61238063A (ja) * 1985-04-15 1986-10-23 Fuji Photo Film Co Ltd 光感応性組成物
US5034294A (en) * 1989-02-09 1991-07-23 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member with compound having electron donor and acceptor portions
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