JPH0429338A - Icの搭載用回路基板及びその搭載方法 - Google Patents

Icの搭載用回路基板及びその搭載方法

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JPH0429338A
JPH0429338A JP2134783A JP13478390A JPH0429338A JP H0429338 A JPH0429338 A JP H0429338A JP 2134783 A JP2134783 A JP 2134783A JP 13478390 A JP13478390 A JP 13478390A JP H0429338 A JPH0429338 A JP H0429338A
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chip
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Yasuyuki Tanaka
康行 田中
Chikafumi Omachi
大町 親文
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Nippon Mektron KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明はICチップを回路基板に接続搭載する為のIC
搭載用回路基板に関し、更に詳細に云えば、レーザー光
若しくは赤外線光等の照射光による照射エネルギーの加
熱溶融作用の下で回路基板に形成したバンプとICチッ
プのパッドとを電気的に接続処理する手法に採用して最
適なIC搭載用回路基板及び該回路基板に対するIC7
i載方法に関する。
[従来技術とその問題点」 接合バンプな用いてICチップを回路基板に実装する公
知の方法としては、ICチップのポンディングパッド側
に形成したバンプ或いはチップキャリアテープ側のリー
ドフィンガーに設けたバンプを用いて熱融着又は超音波
ボンディングで接続するタブ方式の他、ICチップ側に
形成したバンプと回路基板の導体パターンを半田で接続
するフリップチップ方式等が一般的なものとして採用さ
れている。
回路基板に対するICチップの斯かる実装手法に於いて
、タブ方式の場合では、ICチップ側にバンプを形成す
る為の手段に多数の工程を要するのでコスト高の問題が
ある。そこで、リードフィンガーの先端にバンプを転写
する方法も採用される傾向にあるが、この手法ではバン
プ製作の為の専用治具のほか、転写ボンディング工程が
必要であって、その上、高密度化にも限度がある。そし
て、この両手法ではリードフィンガーの支持体はない為
その機械的強度は弱く、また、それらリードフィンガー
の間には絶縁体がないので、ボンディング用パッドを千
鳥状に配置することも不可能でありる。更に、リードフ
ィンガーの斯かる突出構造に為にリードフィンガーは変
形し易く、X、Y、z方向とも位置精度を保持すること
は困難である。
他方に於いて、フリップチップ方式の場合では上記同様
ICチップ側にバンプを形成するので、これには多数の
工程を要し、コスト高となる他、回路基板のパッド周辺
に対し半田流れ防止タムを形成する必要があってコスト
高となり、且つ高密度化を図る上でも限界がある。
そこで、絶縁層の一方面に所要の回路導体パタンを形成
し、この回路導体パターンの所要部位に電気的に接合さ
れると共に上記絶縁層を貫通して回路基板外部に突出す
るように半田部材などで構成し得るICパッド接合用バ
ンプを設けたIC搭載用回路基板の構造では、既述の如
き従来法の諸問題を好適1こ解消し得る手段として実用
度は極めて高い。このIC搭載用回路基板にICチップ
を実装するには、回路基板のバンプ上にICチップのパ
ッドを配置させるように両者を位置合せした状態でリフ
ロー炉を通して半田バンプな溶融させることによって、
回路基板にICチップを接続搭載する手法が一般的に採
用される。
しかし、半田バンプのリフロー手段によるICチップと
の接続手法では、リフロー炉を通過する際の熱衝撃によ
ってICチップが損傷を受けること、回路基板とICチ
ップとの熱膨張差によってもICチップの損傷が発生す
る等の問題がある。
「発明の目的及び構成」 本発明は上記事情を考慮し、絶縁層の一方面に形成した
所要の回路導体パターンに於ける所要の部位に電気的に
接合され且つ上記絶縁層貫通して回路基板外部に突出す
るICパッド接合用バンプな備えるような構造のIC搭
載用回路基板にICチップを接続搭載する際に、ICチ
ップに熱衝撃或いは熱応力による悪影響を与えることな
くICチップを斯かる回路基板に良好に搭載することの
可能なIC搭載用回路基板並びにその為の最適なIC搭
載方法を提供するものである。
その為に本発明のIC搭載用回路基板によれば、絶縁層
の一方面に形成された所要の回路導体パターンを備え、
該回路導体パターンに於ける所要の部位に電気的に接合
され且つ上記絶縁層を貫通して回路基板外部に突出する
ICパッド接合用バンプを具備し、上記回路導体パター
ン側には上記バンプに対する加熱溶融の為の照射光を透
過可能な透光性絶縁被覆層を備えるように構成したもの
である。
ここで、上記透光性絶縁被覆層の外面には上記バンプの
位置と対応する個所を除いた他の領域を遮光する為の遮
光用マスク部材を備えることができ、斯かる遮光用マス
ク部材は、上記透光性絶縁被覆層の該当領域に適宜な金
属材料からなる遮光性部材を蒸着して構成することが可
能である他、上記バンプの位置と対応する個所に透孔を
設けた金属板等の遮光性部材で構成し、該遮光性部材を
上記透光性絶縁被覆層の外面に接合して構成することも
好適である。
上記の如きIC搭載用回路基板にICチップを接続搭載
する為の手法としては、絶縁層の一方面に所要の回路導
体パターンを形成すると共に、該回路導体パターンに於
ける所要の部位に電気的に接合され且つ上記絶縁層を貫
通して回路基板外部に突出するICパッド接合用バンプ
な形成すると共に、上記回路導体パターン側には上記バ
ンプに対する加熱溶融の為の照射光を透過可能な透光性
絶縁被覆層を形成してなるIC搭載用回路基板を予め製
作し、上記バンプ上にICチップを配置した状態で上記
透光性絶縁被覆層側から上記バンプ部位に集中的に与え
た照射光の作用で該バンプを加熱溶融しながら上記IC
チップのパッドと該バンプとを電気的に接続する方法を
採用できる。
上記の手法に於いて、上記バンプ部位に対する加熱溶融
用照射光の集中的な供給手段としては、上記IC搭載用
回路基板の透光性絶縁被覆層側に一体的に形成した遮光
用マスク部材を介して行うか又は上記IC搭載用回路基
板の透光性絶縁被覆層側に別体に配置形成した遮光用マ
スク部材を介して行うことことが可能であり、更には光
透過性の良い基材上に形成した上記の如き別体の遮光用
マスク部材を上記透光性絶縁被覆層側に配置して行うこ
とも好適である。
そして、搭載すべきICチップをICホルダーで保持し
ながら上記バンプ上に配置し且つ該ICホルダーによる
上記ICチップに対する予熱状態で上記バンプとICチ
ップのパ・ンドとの接続処理を行う手段の採用も勿論可
能であり、この方式の場合にはICホルダーに対してI
Cチップの上記バンプに対する位置決め機能を具備させ
ることもICの好適な搭載手法である。
「実 施 例」 以下、図示の実施例を参照しながら本発明を更に説明す
る。第1図は本発明の一実施例に従って構成したIC搭
載用回路基板の概念的な要部断面構成図を示し、同図に
於いて】は例えばポリイミドフィルム等の適宜な絶縁樹
脂フィルムからなる可撓性の絶縁層を示し、この絶縁層
1の裏面には接着層を介するか又は介することなく形成
された所要の回路導体パターン2を具備し、後述の如く
搭載すべきICチップとの関連に於いてこの回路導体パ
ターン2の所要部位には一端が該回路導体パターン2に
接合されると共に他端が絶縁層1を貫通してこの回路基
板外部に突出するように構成されたICパッド接合用バ
ンプ3を備える。
絶縁層1の一方面に設ける回路導体パターン2を構成す
るには、接着層を有する可撓性銅張積層板か若しくは無
接着剤型可撓性銅張積層板に対する周知のフォトリング
ラフィ手段の採用によって任意に回路導体パターン2を
形成できるものであるが、一連の工程によりICパッド
接合用バンプ3を一体的に構成する手法としては、可撓
性絶縁層1と回路導体パターン2の為の導電層との間に
例えば接着剤層を有しない無接着剤可撓性片面導電積層
板等を用意し、該積層板に於ける上記絶縁層1側から上
記導電層に達する穿孔を形成し、メツキ手段でその穿孔
に充填した導電性部材により一端が上記導電層に密着し
他端が該絶縁層lから突出する如きICパッドの為の接
合用バンプ3を形成した後、該接合用バンプ3との関連
に於いて上記導電層に対して所要の回路導体パターン2
を形成するためのパターンニング処理を施すという方法
を基本的に採用することが出来る。
ICパッド接合用バンプ3は上記の如き一層の回路導体
パターン2に対して形成する手法の他、斯かる回路導体
パターンが二層以上となるような多層回路基板に対して
も上記手法を応用してICパッド接合用バンプ3を同様
に具備させることが可能である。このような多層回路基
板に上記の如きICパッド接合用バンプ3を形成する一
手法としては、先ず、外層の回路用導電層を除き内層の
回路用導電層には予め所要の回路導体パターンを形成し
、該内外層各回路用導電層に対して相互の導通を形成す
べき所要部位に於いて上記各導電層にその孔径が例えば
漸次増大するような態様を以って導通用孔を形成した後
、この内外層各回路用導電層を絶縁層の介在下に相互に
積層接合し、次に上記各導電層に相互導通を形成すべき
対応個所の上記各絶縁層を除去して各導電層部分が段状
等に露出する孔部を形成し、該段状孔部に層間導通部材
を形成した後、上記外層の回路用導電層に対して所要の
回路導体パターンニング処理を施し、最後にこの回路基
板外部に突出するような態様で上記層間導通部材上にI
Cパッド接合用バンプ3を形成するという方法を採用す
ることが出来る。
上記の如き手法によって構成可能なICパッド接合用バ
ンプ3は、以下のようにICチップとの接続手段として
レーザー光又は赤外線光等にょろり8射光エネルギーで
このバンプ3を加熱溶融する手法を採用する為に有利な
如く該バンプ3の全部を上記叩射光エネルギーで加熱溶
融可能な半田等の部材で構成することも出来るが、上記
バンプ3に於ける少なくとも半球状突出部分を上記の如
き照射光エネルギーで加熱溶融してICチップとの所要
の接続を図れるように同様な半田部材などで部分的に構
成することも可能である。
ICチップのパッドと電気的に接合する為の斯かるバン
プ3を有する回路導体パターン2の外面にはそれを保護
する為に適当な絶縁被覆層を設けるものであるが、上記
の如く照射光エネルギーの作用でバンプ3を効率よく加
熱溶融可能な如く、エポキシ系、アクリル系又はイミド
系等の適宜な接着剤4を介して透明なポリイミド系フィ
ルム等の適当な透光性絶縁被覆層5を形成するのが好適
である。このような透光性絶縁被覆層5を備える構造に
よって、この被覆層5の下方部位からヤグレーザ−や炭
酸ガスレーザー若しくは赤外線等の高い熱エネルギーを
有する照射光をバンプ3の部位に向けて局部集中的に照
射しながら該バンプ3を加熱溶融してICチップのパッ
ドと迅速な電気的接合処理を施すことが可能となる。ま
た、その加熱溶融用照射光装置の簡易化等を図る上でも
、透光性絶縁被覆層5の側には第2図の如く適当な遮光
用マスク部材6を配設するのが好適である。
即ち、斯かる遮光用マスク部材6は同図に示すように、
透光性絶縁被覆層5の外面部位であってバンプ3の形成
位置と対応する個所の照射開放部6Aを除く他の面にク
ロム、銅又はアルミニウム等の遮光性部材を蒸着手段で
一体的に形成するか若しくは例えばステンレス製シート
を用いて上記態様で該当部位に透孔を穿設して製作し、
これを透光性絶縁被覆層5の裏面に貼着するか又は単に
別体な状態で配置することも出来る。また、透光性絶縁
被覆層5の外面にマスク部材6を配置する手法に代えて
、後述の如く例えば石英ガラス等の良好な光透過性基材
12の上面に上記態様で形成した遮光用マスク部材11
を設けて透光性絶縁被覆層5の外面に配設することもで
き、遮光用マスク部材の配設態様は種々の方式を採用で
きる。
上記の如き遮光用マスク部材6を配設したIC搭載用回
路基板にICチップを接続搭載するには、第3図の如く
バンプ3上にICチップ7のパッド8を接触配置させた
状態でこの回路基板の下方部からヤグレーザ−1炭酸ガ
スレーザー又は赤外線等の高い熱エネルギーの照射光を
供給することとなるが、透光性絶縁被覆層5の裏面は照
射開放部6Aを除く他の部位が遮光用マスク部材6によ
り遮光されている為、その照射光は照射開放部6Aから
バンプ3の部位にのみ集中的に供給される。
従って、ICチップ7は熱的悪影響による損傷等を受け
る虞なく、照射開放部6Aから供給される集中的な熱エ
ネルギーの作用によってバンプ3の加熱溶融下にICチ
ップ7の電極パッド8と良好な電気的接続が達成される
こととなる。
また、第4図に示すICの搭載手法の場合は、石英ガラ
ス等の光透過性の良好な別体の基材12の上面に既述の
如き遮光用マスク部材11を形成した遮光用マスク手段
上に回路基板を載置配装する一方、ICチップ7の為の
真空吸引式ホルダー9を用いて行うICの他の方式を示
す。この搭載方法の場合では、搭載すべきICチ・ンプ
7は真空吸引孔10の吸着作用でICホルダー9によっ
て保持され且つ画像認識装置等との協働で回路基板のバ
ンプ3上に正確に移動しまた適度な予熱作用を受けた状
態でその電極パッド8とバンプ3との位置合せが自動的
に処理されるもので、光透過性基材12の下方部位から
供給される照射光は照射開放部11Aを通って上記態様
と同様にバンプ3の部位のみを効率よく加熱溶融してI
C電極パ・ノド8との所期の接続処理を好適に終了する
ことが可能となる。
「発明の効果」 本発明は以上のとおり、回路導体パターンに於ける所要
部位に電気的に接合され且つ該回路導体パターンを支持
する絶縁層を貫通して回路基板外部に突出するICパッ
ド接合用バンプを形成し、上記回路導体パターン側には
上記バンプに対する加熱溶融の為の照射光を透過可能な
マスク手段を配設可能な透光性絶縁被覆層を形成したI
C搭載用回路基板を構成し、この回路基板に於ける上記
バンプ上にICチップを配置した状態で上記透光性絶縁
被覆層側から上記バンプ部位に集中的に与えた照射光の
作用で該バンプを加熱溶融しながら上記ICチップのパ
ッドと該バンプとを電気的に接続するICの搭載手法に
よって、ICチップに好ましくない熱的損傷を与えるこ
となく回路基板のバンプとICチップのパッドとを良好
な電気・機械的特性で相互接続処理することができる。
接続部位に対する照射光の局部集中的な加熱を行う方式
である為、回路基板並びにICチップの双方に好ましく
ない熱応力を発生させることなく回路基板に対するIC
チップの最適な搭載処理を行うことが可能である。
回路基板に対するICチップの斯がる搭載手法は、バン
プに対するリフロ一方式の加熱溶融接続と異なり、相互
接続に必要なバンプ部位に対する局部集中的な加熱溶融
方式である為、熱的なエネルギー効率は極めて良好であ
り、また装置構成も小型低コストに実現できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に従って構成されたIC搭載
用回路基板の概念的な要部断面構成図、第2図は同じく
他の実施例に従って遮光用マスク部材を具備すべく構成
したIC搭載用回路基板の概念的な要部断面構成図、 第3図はその回路基板によるICチップの接続格結処理
の態様説明図、そして、 第4図は遮光用透過性手段とICホルダーとを用いた伯
のIC搭載方法を説明する図である。 l ・  可  撓  性  絶  縁  層2 回路
導体パターン 3:  ICパッド接合用バンプ 4 :  被  覆  用  接  着  剤5 透光
性絶縁被覆層 6 遮光用マスク部材 7:ICチ   ッ   プ 8:ICパ     ッ      ド9 ・   I
Cホ  ル  ダ 10 ・  真   空   吸   引   孔第 図 第 図 第 図 +1111

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)絶縁層の一方面に形成された所要の回路導体パタ
    ーンを備え、該回路導体パターンに於ける所要の部位に
    電気的に接合され且つ上記絶縁層を貫通して回路基板外
    部に突出するICパッド接合用バンプを備え、上記回路
    導体パターン側には上記バンプに対する加熱溶融の為の
    照射光を透過可能な透光性絶縁被覆層を備えるように構
    成したことを特徴とするIC搭載用回路基板。
  2. (2)前記透光性絶縁被覆層の外面には上記バンプの位
    置と対応する個所を除く他の領域を遮光する為の遮光用
    マスク部材を備えることを特徴とする請求項(1)に記
    載のIC搭載用回路基板。
  3. (3)前記遮光用マスク部材は上記透光性絶縁被覆層の
    該当領域に遮光性部材を蒸着して構成したことを特徴と
    する請求項(2)に記載のIC搭載用回路基板。
  4. (4)前記遮光用マスク部材は上記バンプの位置と対応
    する個所に透孔を設けた遮光性部材で構成され、該遮光
    性部材を上記透光性絶縁被覆層の外面に接合するように
    構成したことを特徴とする請求項(2)に記載のIC搭
    載用回路基板。
  5. (5)絶縁層の一方面に所要の回路導体パターンを形成
    すると共に、該回路導体パターンに於ける所要の部位に
    電気的に接合され且つ上記絶縁層を貫通して回路基板外
    部に突出するICパッド接合用バンプを形成し、上記回
    路導体パターン側には上記バンプに対する加熱溶融の為
    の照射光を透過可能な透光性絶縁被覆層を形成してなる
    IC搭載用回路基板を製作し、上記バンプ上にICチッ
    プを配置した状態で上記透光性絶縁被覆層側から上記バ
    ンプ部位に集中的に与えた照射光の作用で該バンプを加
    熱溶融しながら上記ICチップのパッドと該バンプとを
    電気的に接続することを特徴とするICの搭載方法。
  6. (6)前記バンプ部位に対する加熱溶融用照射光の集中
    的な供給が上記IC搭載用回路基板の透光性絶縁被覆層
    側に一体形成の遮光用マスク部材を介して行われる請求
    項(5)のICの搭載方法。
  7. (7)前記バンプ部位に対する加熱溶融用照射光の集中
    的な供給が上記IC搭載用回路基板の透光性絶縁被覆層
    側に別体に配置形成した遮光用マスク部材を介して行わ
    れる請求項(5)のICの搭載方法。
  8. (8)光透過性の良い基材上に形成した前記遮光用マス
    ク部材を上記IC搭載用回路基板の透光性絶縁被覆層側
    に配置して行われる請求項(7)に記載のICの搭載方
    法。
  9. (9)前記ICチップをICホルダーで保持しながら上
    記バンプ上に配置し且つ該ICホルダーによる上記IC
    チップに対する予熱状態で上記バンプとICチップのパ
    ッドとの前記接続処理を行う請求項(5)〜(8)のい
    ずれかに記載のICの搭載方法。
  10. (10)前記ICホルダーはICチップの上記バンプに
    対する位置決めを行う請求項(9)に記載したICの搭
    載方法。
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