DE3701013A1 - Verfahren zum mikroloeten - Google Patents
Verfahren zum mikroloetenInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Mikrolöten gemäß dem
Gattungsbegriff des Anspruchs 1.
Bisher werden elektronische Kleinstbauteile wie Chips, Chip-Kondensato
ren, IC′s etc. mit Silberleitklebern, mit Weichloten bzw. Lot-Preforms
oder eutektisch im Ofen unter Infrarotlicht in relativ langen Prozeßzei
ten auf Schaltungs- bzw. Leiterplatten gebondet, gelötet oder geklebt.
Letzteres ist besonders bei thermisch empfindlichen Halbleiterchips be
vorzugt worden. Die hierfür verwendeten Silberleitkleber auf Epoxidharz
basis sind hinsichtlich der chemischen Reinheit und der Wärmebeständig
keit zwischenzeitlich erheblich verbessert worden. Dennoch ist eine Zer
setzung beziehungsweise ein "Gasen" bei hoher Dauerbelastung sowie auch
eine Korrosion durch Feuchtigkeit immer gegeben, so daß mit Siliciumni
tridschichten passiviert wird, was den Nachteil wegen der geringen auf
zutragenden Dicke der Schichten jedoch nicht wesentlich beseitigt.
Beim Verlöten muß die gesamte Schaltung mit dem IC erhitzt werden. Ist
nun eine spätere Verlötung - beispielsweise beim Verkapseln - notwendig,
so muß die Chip-Fügeverbindung daher entsprechend höherschmelzend sein.
Höherschmelzende Weichlote - wie beispielsweise Gold-Zinn-Legierungen -
erfordern aber auch hohe Lottemperaturen und damit ergibt sich eine hohe
thermische Belastung der Schaltung. Diese führte dazu, daß man zum soge
nannten "Dampfphasenlöten" übergegangen ist. Doch auch hiermit ist keine
problemlose Lösung geschaffen worden, denn es tritt nun ein Wegschwemmen
und Aufrichten der Chips und anderer Bauelemente auf.
Einen Ausweg würde das eutektische "Die Bonden" bieten, aber dieses Ver
fahren ist apparativ aufwendig, erfordert einwandfrei vergoldete und ge
glättete Chip-Kontaktflächen und bedingt eine hohe thermische Beanspru
chung, so daß es für SMD-Schaltungen und thermisch empfindliche Chips
nicht einsetzbar ist.
Auch ein lokales Aufheizen mit einem Laser zum Mikrolöten brachte zwar
allgemein eine thermische Entlastung, aber die Gefahr einer Schädigung
der IC′s durch die lokale Überhitzung ist auch hier gegeben.
Erst das von der Anmelderin entwickelte Verfahren zum Mikrolöten, bei
dem mit Hilfe eines Nd:YAG-Laserstrahls eine Lötstelle und das darauf
aufzubringende Lot erhitzt wird, wobei die Wärmeabstrahlung des erhitz
ten Lotes mit einem Infrarot-Detektor gemessen und aus dem Meßsignal die
beim Erreichen des Lot-Schmelzpunktes entstehende Unstetigkeit zur Un
terbrechung des Erhitzungsvorganges führt, bringt hier die Beseitigung
aller bisherigen Probleme.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, dieses im Gat
tungsbegriff des Anspruchs 1 spezifizierte Verfahren so zu konzipieren,
daß es optimal für Chip- und IC-Verlötungen oder IC-Verklebungen auf
Substrate und Hybride anwendbar ist und sämtliche Chips einer SMD-Schal
tung ohne Schädigung aufgelötet werden können.
Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 aufgezeigten Maßnahmen ge
löst. In den Unteransprüchen sind Weiterbildungen und Ausgestaltungen an
gegeben und in der nachfolgenden Beschreibung ist ein Ausführungsbei
spiel beschrieben und in den Figuren der Zeichnung grafisch erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 ein Schemabild über den Aufbau der Anlage zur Durchführung des
Verfahrens zum Laser-Mikrolöten;
Fig. 2 eine schematische Darstellung des Ablaufplanes zum Lötvorgang
mit Parameterermittlung;
Fig. 3 ein Diagramm bezüglich des Temperaturverlaufs beim Lasermikrolö
ten;
Fig. 4 ein weiteres Diagramm des Temperaturverlaufs beim Laser-Die Bon
den.
Die Fig. 1 der Zeichnung veranschaulicht den Aufbau der Einrichtung zur
Durchführung des eingangs spezifizierten Verfahrens so deutlich, daß er
hier nur kurz aufgeführt zu werden braucht. Ein Laser, vorzugsweise ein
Nd:YAG-Laser 10, richtet seinen Lötstrahl 11 auf ein Werkstück 12, das
auf einem XY-Koordinatentisch 13 eingespannt ist. Im Bereich des Werk
stückes 12 ist ein Infrarot-Detektor 15 angeordnet, der die von der Löt
stelle ausgehende Wärmestrahlung 14 mißt und die Meßergebnisse über die
Signalleitung 15 a an einen mit einem Verstärker für den Strahlungspyro
meter 16, und einem A/D-Wandler 17 versehenen Rechner 18 leitet. Dieser
Rechner 18 ist mit einem entsprechenden Software-Programm zur Messung
und Steuerung ausgerüstet. Er steuert nun einerseits den Laser 10 und
andererseits den XY-Koordinatentisch 13 entsprechend den einlaufenden
Meßergebnissen und dem eingegebenen Programm. Über eine Rechnerschnitt
stelle 19 wird die Zwei-Koordinatenstreckensteuerung 20 entsprechend den
Erfordernissen verstellt bzw. der Streckenvorschub gesteuert.
Der Laser 10 erhält seine Kommandos vom Rechner über den D/A-Wandler 21,
den Schalter zur Steuerung 22 und das Versorgungsgerät 23. Der phasen
weise Ablauf des Lötvorganges ist in Fig. 2 der Zeichnung schematisch
dargestellt.
Mit Hilfe dieser Apparatur können nun nicht nur einzelne Chips, wie beim
eutektischen Bonden, sondern alle Chips aufgelötet und gebondet werden.
Dies ermöglicht der Koordinatentisch. Hierbei ist anzuführen, daß in
wenigen Sekunden sämtliche Chips einer SMD-Schaltung auflötbar sind. Bei
Aluminiumoxid-Hybriden werden die Chips wie beim Bonden aufgesetzt und -
was wesentlich ist - von unten, d.h. durch das Substrat, das für Nd:YAG-
Laserlicht (1,06 µm) eine hohe Durchlässigkeit hat, bestrahlt.
Die relativ zum Lot geringe Wärmeleitfähigkeit des Substrates ermöglicht
eine lokalisierte Erhitzung und eine schonende thermische Behandlung der
schaltungsaktiven Chip-Oberfläche. Nunmehr ist es möglich, Lötungen und
Bondungen bei planaren Chip-Bauelementen durchzuführen, da diese nur an
ihrer Oberseite beim Bestrahlen optisch und thermisch gefährdet sind,
was aber nun nicht mehr erfolgt.
Der vorstehend erläuterte Laserlötprozeß ist, wie aufgeführt, voll auto
matisierbar, erlaubt eine exakt im Mikrobereich durchzuführende Positio
nierung und kann auch in hermetisch abgeschlossenen Räumen oder Behäl
tern unter größter Reinheit bei Verwendung von Schutz- oder Formiergas
durchgeführt werden. Letzteres ist besonders vorteilhaft für elektroni
sche Mikrochips, denn die Verlötungen können ohne festes Flußmittel -
eben durch die Verwendung von reduzierendem Formiergas - durchgeführt
werden. Die Diagramme gemäß den Fig. 3 und 4 dürften für sich selbst
sprechen.
Claims (4)
1. Verfahren zum Mikrolöten bei dem mit Hilfe eines Nd:YAG-Laser
strahles eine Lötstelle und das darauf aufzubringende Lot erhitzt wird,
wobei die Wärmeabstrahlung der erhitzten Lötstelle mit einem Infrarotde
tektor gemessen und aus dem Meßsignal die beim Erreichen des Lot-
Schmelzpunktes entstehende Unstetigkeit ermittelt und der Erhitzungsvor
gang für die Lötstelle abgebrochen wird, dadurch gekenn
zeichnet, daß elektronische Mikrobauteile, insbesondere in Form
oberflächenmontierter Schaltungen, Chips, Chip-Kondensatoren und IC-Ele
menten mittels des Nd:YAG-Laserstrahles zeit- und temperaturgesteuert
unter Ausnützung der Durchlässigkeit der üblichen Mikroelektronik- oder
Keramiksubstrate für Laserlicht durch ein Substrat hindurch, also auch
von der Rückseite her, verlötet bzw. gebondet werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1 dadurch gekennzeich
net, daß der Nd:YAG-Laserstrahl (11) durch den eingekoppelten IR-De
tektor (15) über einen Rechner mit Software-Programm (18), das eine auf
tretende Unstetigkeit (Δ T/Δ t) beim Aufheizen bzw. Löt/Schmelzvorgang
der Lotpaste, Lotpreforms oder beim Benetzen und Härten von leitenden
Klebern zur Steuerung heranzieht, abgeschaltet wird.
3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Verlötungen oder Bondungen unter reduzieren
dem Formiergas erfolgen.
4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Verlötungen oder Bondungen in sterilen luft
dicht abgeschlossenen Räumen oder Behältern erfolgen.
Priority Applications (1)
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DE19873701013 DE3701013A1 (de) | 1987-01-15 | 1987-01-15 | Verfahren zum mikroloeten |
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ID=6318880
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