JPH04275262A - ジピレニルアミン誘導体及びその製造法 - Google Patents
ジピレニルアミン誘導体及びその製造法Info
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- JPH04275262A JPH04275262A JP5947591A JP5947591A JPH04275262A JP H04275262 A JPH04275262 A JP H04275262A JP 5947591 A JP5947591 A JP 5947591A JP 5947591 A JP5947591 A JP 5947591A JP H04275262 A JPH04275262 A JP H04275262A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子写真用の有機光導
電性材料として有用な、新規なジピレニルアミン誘導体
及びその製造法に関する。
電性材料として有用な、新規なジピレニルアミン誘導体
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【0002】
【従来の技術】従来、電子写真方式において使用される
感光体の有機光導電性素材としては、例えば、ポリ−N
−ビニルカルバゾール、トリフェニルアミン化合物(米
国特許第3,180,730号)、ベンジジン化合物(
米国特許第3,265,496、特公昭39−1154
6号公報、特開昭53−27033号公報)等のような
数多くの提案がなされている。ここにいう「電子写真方
式」とは、一般に光導電性の感光体を、先ず暗所で例え
ばコロナ放電などにより帯電せしめ、次いで画像状露光
を行なって露光部の電荷を選択的に放電させることによ
り静電潜像を得、更にこの潜像部をトナーなどを用いた
現像手段で可視化して画像を形成するようにした画像形
成法の一つである。このような電子写真方式における感
光体に要求される基本的な特性としては、1)暗所にお
いて適当な電位に帯電されること、2)暗所における電
荷の放電が少ないこと、3)光照射により速やかに電荷
を放電すること、などが挙げられる。
感光体の有機光導電性素材としては、例えば、ポリ−N
−ビニルカルバゾール、トリフェニルアミン化合物(米
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6号公報、特開昭53−27033号公報)等のような
数多くの提案がなされている。ここにいう「電子写真方
式」とは、一般に光導電性の感光体を、先ず暗所で例え
ばコロナ放電などにより帯電せしめ、次いで画像状露光
を行なって露光部の電荷を選択的に放電させることによ
り静電潜像を得、更にこの潜像部をトナーなどを用いた
現像手段で可視化して画像を形成するようにした画像形
成法の一つである。このような電子写真方式における感
光体に要求される基本的な特性としては、1)暗所にお
いて適当な電位に帯電されること、2)暗所における電
荷の放電が少ないこと、3)光照射により速やかに電荷
を放電すること、などが挙げられる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光導電性有機材料は、これらの要求を必ずしも満足して
いないのが実状である。従って、本発明の目的は、基本
的な電子写真特性を全て満足し、光導電性材料として有
用な、新規なジピレニルアミン誘導体及びその工業的に
有利な製造法を提供することにある。
光導電性有機材料は、これらの要求を必ずしも満足して
いないのが実状である。従って、本発明の目的は、基本
的な電子写真特性を全て満足し、光導電性材料として有
用な、新規なジピレニルアミン誘導体及びその工業的に
有利な製造法を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、下記化
1(一般式I)
1(一般式I)
【化1】
(式中、Rは水素原子、置換もしくは無置換のアルキル
基、置換もしくは無置換 のアルコキシ基、置換もし
くは無置換のフェニル基、ハロゲン原子を表わし、
nは1〜5整数を表わす。又、nが2以上の場合Rは夫
々同一でも異なってい てもよい。)で示されるジピ
レニルアミン誘導体が提供される。
基、置換もしくは無置換 のアルコキシ基、置換もし
くは無置換のフェニル基、ハロゲン原子を表わし、
nは1〜5整数を表わす。又、nが2以上の場合Rは夫
々同一でも異なってい てもよい。)で示されるジピ
レニルアミン誘導体が提供される。
【0005】また、本発明によれば、下記化2(一般式
II)
II)
【化2】
(式中、R及びNは前記と同じ。)で示されるアミノベ
ンゼン誘導体と下記化3(一般式III)
ンゼン誘導体と下記化3(一般式III)
【化3】
(式中、Xは臭素あるいはヨウ素を表わす。)で示され
るハロゲノピレンとを反応させることを特徴とする前記
化1(一般式I)で示されるジピレニルアミン誘導体の
製造法が提供される。
るハロゲノピレンとを反応させることを特徴とする前記
化1(一般式I)で示されるジピレニルアミン誘導体の
製造法が提供される。
【0006】また、本発明によれば、下記化4(一般式
IV)
IV)
【化4】
(式中、R,nは前記と同じ。)で示されるN−フェニ
ル−1−アミノピレン誘導体と前記化3(一般式III
)で示されるハロゲノピレンとを反応させることを特徴
とする前記化1(一般式I)で示されるジピレニルアミ
ン誘導体の製造法が提供される。
ル−1−アミノピレン誘導体と前記化3(一般式III
)で示されるハロゲノピレンとを反応させることを特徴
とする前記化1(一般式I)で示されるジピレニルアミ
ン誘導体の製造法が提供される。
【0007】前記一般式(I),(II),(IV)に
おいてRの具体例としてのアルキル基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基などの低級アルキ
ル基が、またアルコキシ基としては、メトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基などの低級アルコキシ基が挙げら
れる。更に、アルキル基、アルコキシ基における置換基
としては、フェニル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、
アリールオキシ基などが挙げられ、またフェニル基にお
ける置換基としては、低級アルキル基(例えば、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基など)、低級アル
コキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキ
シ基など)及びハロゲン原子(例えば臭素、塩素、フッ
素)が挙げられる。また前記一般式(III)のXの具
体例としては臭素、ヨウ素が挙げられる。
おいてRの具体例としてのアルキル基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基などの低級アルキ
ル基が、またアルコキシ基としては、メトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基などの低級アルコキシ基が挙げら
れる。更に、アルキル基、アルコキシ基における置換基
としては、フェニル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、
アリールオキシ基などが挙げられ、またフェニル基にお
ける置換基としては、低級アルキル基(例えば、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基など)、低級アル
コキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキ
シ基など)及びハロゲン原子(例えば臭素、塩素、フッ
素)が挙げられる。また前記一般式(III)のXの具
体例としては臭素、ヨウ素が挙げられる。
【0008】本発明に係る前記一般式(I)で示される
ジピレニルアミン誘導体は、新規物質であり、このもの
は、前記したように一般式(II)で表わされるアミノ
ベンゼン誘導体と一般式(III)で表わされるハロゲ
ノピレン又は一般式(IV)で表わされるN−フェニル
−1−アミノピレン誘導体と一般式(III)で表わさ
れるハロゲノピレンとを好ましくは銅粉、酸化銅あるい
はハロゲン化銅などと縮合反応中に生ずるハロゲン化水
素を中和するのに充分な量のアルカリ塩を加え、溶媒の
存在下又は無溶媒下で、窒素雰囲気下、150〜250
℃程度の温度において反応させることにより製造するこ
とができる。
ジピレニルアミン誘導体は、新規物質であり、このもの
は、前記したように一般式(II)で表わされるアミノ
ベンゼン誘導体と一般式(III)で表わされるハロゲ
ノピレン又は一般式(IV)で表わされるN−フェニル
−1−アミノピレン誘導体と一般式(III)で表わさ
れるハロゲノピレンとを好ましくは銅粉、酸化銅あるい
はハロゲン化銅などと縮合反応中に生ずるハロゲン化水
素を中和するのに充分な量のアルカリ塩を加え、溶媒の
存在下又は無溶媒下で、窒素雰囲気下、150〜250
℃程度の温度において反応させることにより製造するこ
とができる。
【0009】この場合、アルカリ塩としては、苛性ソー
ダ、苛性カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなど
を挙げることができる。また、反応溶媒としては、ニト
ロベンゼン、ジクロルベンゼン、キノリン、N,N−ジ
メチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチ
ルピロリドン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノ
ンなどを挙げることができる。
ダ、苛性カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなど
を挙げることができる。また、反応溶媒としては、ニト
ロベンゼン、ジクロルベンゼン、キノリン、N,N−ジ
メチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチ
ルピロリドン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノ
ンなどを挙げることができる。
【0010】本発明で得られる新規なジピレニルアミン
誘導体は、電子写真用感光体に於ける光導電性素材とし
て極めて有用であり、染料やルイス酸などの増感剤によ
って光学的あるいは化学的に増感される。更にこのもの
は、有機顔料あるいは無機顔料を電荷発生物質とする、
所謂機能分離型感光体に於ける電荷輸送物質としてとり
わけ有用である。
誘導体は、電子写真用感光体に於ける光導電性素材とし
て極めて有用であり、染料やルイス酸などの増感剤によ
って光学的あるいは化学的に増感される。更にこのもの
は、有機顔料あるいは無機顔料を電荷発生物質とする、
所謂機能分離型感光体に於ける電荷輸送物質としてとり
わけ有用である。
【0011】上記増感剤としては、例えば、メチルバイ
オレット、クリスタルバイオレット等のトリアリールメ
タン染料、ローズベンガル、エリスロシン、ローダミン
等のキサンチン染料、メチレンブルー等のチアジン染料
、2,4,7−トリニトロ−9−フルオレノン、2,4
−ジニトロ−9−フルオレノン等が挙げられる。また、
有機顔料としてはシーアイピグメントブルー25(CI
No.21180)、シーアイピグメントレッド41
(CI No.21200)、シーアイピグメントレッ
ド3(CI No.45210)等のアゾ系顔料、シー
アイピグメントブルー16(CI No.74100)
等のフタロシアニン系顔料、シーアイバットブラウン5
(CI No.73410)、シーアイバットダイ(C
I No.73030)等のインジゴ系顔料、アルゴス
カーレットB、インダンスレンスカーレットR等のペリ
レン系顔料が挙げられる。また、セレン、セレン−テル
ル、硫化カドミウム、α−シリコン等の無機顔料も使用
できる。
オレット、クリスタルバイオレット等のトリアリールメ
タン染料、ローズベンガル、エリスロシン、ローダミン
等のキサンチン染料、メチレンブルー等のチアジン染料
、2,4,7−トリニトロ−9−フルオレノン、2,4
−ジニトロ−9−フルオレノン等が挙げられる。また、
有機顔料としてはシーアイピグメントブルー25(CI
No.21180)、シーアイピグメントレッド41
(CI No.21200)、シーアイピグメントレッ
ド3(CI No.45210)等のアゾ系顔料、シー
アイピグメントブルー16(CI No.74100)
等のフタロシアニン系顔料、シーアイバットブラウン5
(CI No.73410)、シーアイバットダイ(C
I No.73030)等のインジゴ系顔料、アルゴス
カーレットB、インダンスレンスカーレットR等のペリ
レン系顔料が挙げられる。また、セレン、セレン−テル
ル、硫化カドミウム、α−シリコン等の無機顔料も使用
できる。
【0012】
【発明の効果】請求項1に係る一般式(I)で示される
新規なジピレニルアミン誘導体は、前記したように光導
電性素材として有効に機能し、また染料やルイス酸など
の増感剤によって光学的あるいは化学的に増感されるこ
とから、電子写真用感光体の感光層の電荷輸送物質等と
して好適に使用され、特に電荷発生層と電荷輸送層を二
層に区分した、所謂機能分離型感光層における電荷輸送
物質として有用なものである。また、請求項2乃至3の
製造方法は、前記一般式(I)で示される新規なジピレ
ニルアミン誘導体を簡便かつ安価に得ることができるの
で工業的に極めて有用なものである。
新規なジピレニルアミン誘導体は、前記したように光導
電性素材として有効に機能し、また染料やルイス酸など
の増感剤によって光学的あるいは化学的に増感されるこ
とから、電子写真用感光体の感光層の電荷輸送物質等と
して好適に使用され、特に電荷発生層と電荷輸送層を二
層に区分した、所謂機能分離型感光層における電荷輸送
物質として有用なものである。また、請求項2乃至3の
製造方法は、前記一般式(I)で示される新規なジピレ
ニルアミン誘導体を簡便かつ安価に得ることができるの
で工業的に極めて有用なものである。
【0013】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明する
。
。
【0014】実施例1
P−トルイジン1.07g(10.0mmol)、1−
ヨードピレン6.56g(20.0mmol)、炭酸カ
リウム5.53g、銅粉0.64g及びニトロベンゼン
50mlを窒素気流下、エステル管で共沸脱水しながら
、207℃で6.5時間撹拌した。室温まで放冷した後
、セライトを用いて濾過し、濾液を減圧濃縮してニトロ
ベンゼンを留去した。得られた残渣にクロロホルムを加
え、クロロホルム層を水洗し、次いで硫酸マグネシウム
で乾燥し、更に減圧濃縮して暗褐色油状物を得た。これ
をシリカゲルカラム処理〔溶離液;トルエン/n−ヘキ
サン(1:2)混合溶媒〕し、エタノール/DMF混合
溶媒から再結晶して、黄色板状晶の下式で示されるN,
N−ジ(1−ピレニル)−P−トルイジン1.33g(
収率26.2%)を得た。融点は272.5〜273.
5℃であった。元素分析値はC39H25Nとした下記
の通りであった。
ヨードピレン6.56g(20.0mmol)、炭酸カ
リウム5.53g、銅粉0.64g及びニトロベンゼン
50mlを窒素気流下、エステル管で共沸脱水しながら
、207℃で6.5時間撹拌した。室温まで放冷した後
、セライトを用いて濾過し、濾液を減圧濃縮してニトロ
ベンゼンを留去した。得られた残渣にクロロホルムを加
え、クロロホルム層を水洗し、次いで硫酸マグネシウム
で乾燥し、更に減圧濃縮して暗褐色油状物を得た。これ
をシリカゲルカラム処理〔溶離液;トルエン/n−ヘキ
サン(1:2)混合溶媒〕し、エタノール/DMF混合
溶媒から再結晶して、黄色板状晶の下式で示されるN,
N−ジ(1−ピレニル)−P−トルイジン1.33g(
収率26.2%)を得た。融点は272.5〜273.
5℃であった。元素分析値はC39H25Nとした下記
の通りであった。
【化1】
この化合物の赤外吸収スペクトル(KBr錠剤法)を図
1に示す。
1に示す。
【0015】実施例2
実施例1と同様な条件で、ジピレニルアミン誘導体を得
た。得られた化合物の化学構造式、融点及び元素分析値
を表1に示す。また赤外吸収スペクトル(KBr錠剤法
)を図2に示す。
た。得られた化合物の化学構造式、融点及び元素分析値
を表1に示す。また赤外吸収スペクトル(KBr錠剤法
)を図2に示す。
【表1】
【0016】実施例3
N−フェニル−1−アミノピレン0.55g(1.9m
mol)、1−ヨードピレン0.92g(2.8mmo
l)、炭酸カルシウム0.52g、銅粉0.12g及び
ニトロベンゼン15mlを窒素気流下、エステル管で共
沸脱水しながら207℃で6時間撹拌した。室温まで放
冷した後、セライトを用いて濾過し、濾液を減圧濃縮し
てニトロベンゼンを留去した。得られた残渣をメタノー
ル次いで水、更にメタノールにて結晶洗浄をおこない、
暗緑色粗結晶0.89g(96%)を得た。これをN,
N−ジメチルホルムアミド(DMF)にて再結晶をして
坂色結晶の下式で示されるN,N−ジ(1−ピレニル)
アニリン0.46g(収率49%)を得た。融点は28
0℃以上であった。元素分析値はC38H23Nとして
下記の通りであった。
mol)、1−ヨードピレン0.92g(2.8mmo
l)、炭酸カルシウム0.52g、銅粉0.12g及び
ニトロベンゼン15mlを窒素気流下、エステル管で共
沸脱水しながら207℃で6時間撹拌した。室温まで放
冷した後、セライトを用いて濾過し、濾液を減圧濃縮し
てニトロベンゼンを留去した。得られた残渣をメタノー
ル次いで水、更にメタノールにて結晶洗浄をおこない、
暗緑色粗結晶0.89g(96%)を得た。これをN,
N−ジメチルホルムアミド(DMF)にて再結晶をして
坂色結晶の下式で示されるN,N−ジ(1−ピレニル)
アニリン0.46g(収率49%)を得た。融点は28
0℃以上であった。元素分析値はC38H23Nとして
下記の通りであった。
【化1】
この化合物の赤外吸収スペクトル(KBr錠剤法)を図
3に示す。
3に示す。
【0017】応用例
電荷発生物質として下記ビスアゾ化合物
7.5部
7.5部
【化5】
及びポリエステル樹脂〔(株)東洋紡績製バイロン20
0〕の0.5%テトラヒドロフラン溶液500部をボー
ルミル中で粉砕混合し、得られた分散液をアルミニウム
蒸着ポリエステルフィルム上にドクターブレードで塗布
し、自然乾燥して約1μm厚の電荷発生層を形成した。 次に、ポリカーボネート樹脂〔(株)帝人製パンライト
K−1300〕1部とテトラヒドロフラン14部の樹脂
溶液に、電荷輸送物質として実施例2の化合物1部を溶
解し、この溶液を前記電荷発生層上にドクターブレード
で塗布し、80℃で2分間、次いで120℃で5分間乾
燥して厚さ約20μmの電荷輸送層を形成して感光体を
作成した。
0〕の0.5%テトラヒドロフラン溶液500部をボー
ルミル中で粉砕混合し、得られた分散液をアルミニウム
蒸着ポリエステルフィルム上にドクターブレードで塗布
し、自然乾燥して約1μm厚の電荷発生層を形成した。 次に、ポリカーボネート樹脂〔(株)帝人製パンライト
K−1300〕1部とテトラヒドロフラン14部の樹脂
溶液に、電荷輸送物質として実施例2の化合物1部を溶
解し、この溶液を前記電荷発生層上にドクターブレード
で塗布し、80℃で2分間、次いで120℃で5分間乾
燥して厚さ約20μmの電荷輸送層を形成して感光体を
作成した。
【0018】次に、こうして得られた積層型電子写真感
光体の可視域での感度を調べるため、この感光体に静電
複写紙試験装置〔(株)川口電機製作所製SP428型
〕を用いて暗所で−6KVのコロナ放電を20秒間行な
って帯電させた後、感光体の表面電位Vm(v)を測定
し、更に20秒間暗所に放置した後、表面電位Vo(v
)を測定した。次いで、タングステンランプ光を感光体
表面での照度が4.5luxになるように照射して、V
oが1/2になるまでの露光量E1/2(lux・se
c)及び30秒間照射後の残留表面電位Vr(v)を測
定した結果は以下のようであった。 Vm=−1489(V)、Vo=−1297(V)E1
/2=0.76(lux・sec)
光体の可視域での感度を調べるため、この感光体に静電
複写紙試験装置〔(株)川口電機製作所製SP428型
〕を用いて暗所で−6KVのコロナ放電を20秒間行な
って帯電させた後、感光体の表面電位Vm(v)を測定
し、更に20秒間暗所に放置した後、表面電位Vo(v
)を測定した。次いで、タングステンランプ光を感光体
表面での照度が4.5luxになるように照射して、V
oが1/2になるまでの露光量E1/2(lux・se
c)及び30秒間照射後の残留表面電位Vr(v)を測
定した結果は以下のようであった。 Vm=−1489(V)、Vo=−1297(V)E1
/2=0.76(lux・sec)
【図1】実施例1で得られたジピレニルアミン誘導体の
赤外線吸収スペクトル図(KBr錠剤法)である。
赤外線吸収スペクトル図(KBr錠剤法)である。
【図2】実施例2で得られたジピレニルアミン誘導体の
赤外線吸収スペクトル図(KBr錠剤法)である。
赤外線吸収スペクトル図(KBr錠剤法)である。
【図3】実施例3で得られたジピレニルアミン誘導体の
赤外線吸収スペクトル図(KBr錠剤法)である。
赤外線吸収スペクトル図(KBr錠剤法)である。
Claims (3)
- 【請求項1】 下記一般式化1 【化1】 (式中、Rは水素原子、置換もしくは無置換のアルキル
基、置換もしくは無置換 のアルコキシ基、置換もし
くは無置換のフェニル基、ハロゲン原子を表わし、
nは1〜5整数を表わす。又、nが2以上の場合Rは夫
々同一でも異なってい てもよい。)で示されるジピ
レニルアミン誘導体。 - 【請求項2】 下記一般式化2 【化2】 (式中、R及びnは前記と同じ。)で示されるアミノベ
ンゼン誘導体と下記一般式化3 【化3】 (式中、Xはハロゲンを表わす。)で示されるハロゲノ
ピレンとを反応させることを特徴とする一般式化1【化
1】 (R,nは前記と同じ)で示されるジピレニルアミン誘
導体の製造法。 - 【請求項3】 下記一般式化4 【化4】 (式中、R,nは前記と同じ。)で示されるN−フェニ
ル−1−アミノピレン誘導体と下記一般式化3【化3】 (式中、Xは前記と同じ)で示されるハロゲノピレンと
を反応させることを特徴とする下記一般式化1【化1】 (式中、R,nは前記と同じ)で示されるジピレニルア
ミン誘導体の製造法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05947591A JP3156852B2 (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | ジピレニルアミン誘導体及びその製造法 |
US07/842,993 US5356742A (en) | 1991-03-01 | 1992-02-28 | Dipyrenylamine derivatives and electrophotographic photoconductor comprising the same |
US08/242,463 US5403950A (en) | 1991-03-01 | 1994-05-13 | Dipyrenylamine derivatives useful in electrophotographic photoconductors |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04275262A true JPH04275262A (ja) | 1992-09-30 |
JP3156852B2 JP3156852B2 (ja) | 2001-04-16 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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---|---|
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- 1991-03-01 JP JP05947591A patent/JP3156852B2/ja not_active Expired - Fee Related
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---|---|
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