JP2742546B2 - アミノビフェニル化合物 - Google Patents

アミノビフェニル化合物

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子写真用の有機光導電性材料として有用な
新規なアミノビフェニル化合物に関する。
〔従来技術〕
従来、電子写真方式において使用される感光体の有機
光導電性素子としては、例えば、ポリ−N−ビニルカル
バゾール、トリフェニルアミン化合物(米国特許第3,18
0,730号)、ベンジジン化合物(米国特許第3,265,496、
特公昭39−11546号公報、特開昭53−27033号公報)等の
ような数多くの提案がなされている。
ここにいう「電子写真方式」とは一般に光導電性に感
光体を、まず暗所で例えばコロナ放電などにより帯電せ
しめ、ついで画像状露光を行なって露光部の電荷を選択
的に放電させることにより静電潜像を得、更にこの潜像
部をトナーなどを用いた現像手段で可視化して画像を形
成するようにした画像形成法の一つである。このような
電子写真方式における感光体に要求される基本的な特性
としては、1)暗所において適当な電位に帯電させるこ
と、2)暗所における電荷の放電が少ないこと、3)光
照射により速やかに電荷を放電すること、などが挙げら
れる。しかし、従来の光導電性有機材料はこれらの要求
をかならずしも満足していないのが実状である。
一方、アミノビフェニル系化合物としては、N,N−ジ
フェニル−〔1,1′−ビフェニル〕−4−アミン(Helv.
Chim.Acta, 1011P,1923年)、N,N−ビス(4−メトキ
シフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4アミン(J.P
rakt.Chem.317(2)284P,1975年)が知られているが、
これらの化合物は電子写真用の有機光導電性材料として
必ずしも有用なものではなかった。
〔目的〕
本発明の目的は基本的な電子写真特性を全て満足し、
光導電性材料として有用な新規なアミノビフェニル化合
物を提供することである。
〔構成〕
本発明によれば、下記一般式(I) (上式中、R1は水素原子、アルキル基、アルコキシ基又
はアミノ基を表わし、R2,R3及びR4は水素原子、アルキ
ル基又はアルコキシ基を表わし、R1,R2,R3及びR4がすべ
て水素原子である場合及びR1並びにR4が水素原子でR2,R
3が同時に3−メチル基、4−メチル基、並びに4−メ
トキシ基である場合を除く。) で表わされるアミノビフェニル化合物が提供される。
本発明に係る前記一般式(I)で示されるアミノビフ
ェニル化合物は、新規物質であり、このものは、下記一
般式(II)で表わされるハロビフェニル誘導体と下記一
般式(III)で表わされるジフェニルアミン誘導体又は
下記一般式(IV)で表わされるアミノビフェニル誘導体
と下記一般式(V)で表わされるハロベンゼン誘導体及
び銅粉、酸化銅あるいはハロゲン化銅などと縮合反応中
に生ずるハロゲン化水素を中和するのに十分な量のアル
カリ塩を加え、溶媒の存在下又は無溶媒下で、窒素雰囲
気下、150〜250℃程度の温度において反応させることに
より製造することができる。
この場合、アルカリ塩としては、苛性ソーダ、苛性ア
ルカリ、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどを挙げるこ
とができる。また、反応溶媒としてニトロベンゼン、ジ
クロベンゼン、キノリン、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン、1,
3−ジメチル−2−イミダゾリジノンが挙げることがで
きる。
(式中、R1及びR4は前記と同じ。Xはハロゲンを表わ
す) (式中、R2及びR3は前記と同じ) (式中、R1及びR4は前記と同じ) (式中、R2及びR3は前記と同じ。Xはハロゲンを表わ
す。) 本発明で得られる新規なアミノビフェニル化合物は、
電子写真用感光体に於ける光導電性素材として極めて有
用であり、染料やルイス酸などの増感剤によって光学的
あるいは化学的に増感される。更にこのものは、有機顔
料あるいは無機顔料を電荷発生物質とするいわゆる機能
分離型感光体に於ける電荷輸送物質としてとりわけ有用
である。
上記増感剤としては、例えば、メチルバイオレット、
クリスタルバイオレット等のトリアリールメタン染料、
ロースベンガル、エリスロシン、ローダミン等のキサン
チン染料、メチレンブルー等のチアジン染料、2,4,7−
トリニトロ−9−フルオレン、2,4−ジニトロ−9−フ
ルオレノン等が挙げられる。
また有機顔料としてはシーアイピグメントブルー25
(CI No.21180)、シーアイピグメントレッド41(CI
No.21200)、シーアイピグメントレッド3(CI No.452
10)等のアゾ系顔料、シーアイピグメントブルー16(CI
No.74100)等のフタロシアニン系顔料、シーアイバッ
トブラウン5(CI No.73410)、シーアイバッドダイ
(CI No.73030)等のインジゴ系顔料、アルゴスカーレ
ットB、インダンスレンスカーレットR等のペリレン系
顔料が挙げられる。又、セレン、セレン−テルル、硫化
カドミウム、α−シリコン等の無機顔料も使用できる。
〔効果〕
本発明に係る前記一般式(I)で示される新規なアミ
ノビフェニル化合物は、前記したように光導電性素材と
して有効に機能し、また染料やルイス酸などの増感剤に
よって光学的あるいは化学的に増感されることから、電
子写真用感光体の感光層の電荷輸送物質等として好適に
使用され、特に電荷発生層と電荷輸送層を二層に区分し
たいわゆる機能分離型感光層における電荷輸送物質とし
て有用なものである。
〔実 施 例〕
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例1 ジフェニルアミン42.70g(0.253mol),4−ヨード4′
−メチルビフェニル81.73g(0.278mol)、炭酸カリウム
38.42g(0.278mol)及び銅粉0.10gにニトロベンゼン600
mlを加え窒素気流下、エステル管で共沸脱水しながら20
8〜209℃で15時間撹拌した。室温まで放冷した後セライ
トを用いて濾過し、濾液を減圧下でニトロベンゼンを留
去した後、残渣をトルエンで抽出、水洗し、ついで硫酸
マグネシウムで乾燥し更に減圧濃縮して暗褐色の油状物
を得た。これをシリカゲルカラム処理(溶離液;トルエ
ン−n−ヘキサン混合溶媒)し、エタノール−酢酸エチ
ル混合溶媒から再結晶して、無色針状結晶のN,N−ビス
(フェニル)−〔4′−メチル−1,1′−ビフェニル〕
−4−アミン52.98g(収率59.9%)を得た。融点は104.
0〜105.0℃であった。元素分析値はC25H21Nとして下記
の通りであった。
C% H% N% 実測値 89.27 6.10 4.02 計算値 89.51 6.31 4.18 実施例2〜22 実施例1と同様な条件で種々のアミノビフェニル化合
物を得た。得られた化合物の構造、融点及び元素分析値
を表−1に示す。
実施例23 N,N−ビス(4−メチルフェニル)−〔4′−ニトロ
−1,1′−ビフェニル〕−4−アミン10.94gを1,4−ジオ
キサン100mlに溶かし、これに5%パラジウム−炭素2.2
0gを加え、27℃、水素圧1気圧で振とう式水素化装置で
水素化した。水素化終了後セライトを用いて濾過し、減
圧濃縮し、薄褐色の結晶を得た。これをシリカゲルカラ
ム処理(溶離液 トルエン−酢酸エチル混合溶媒)し、
エタノールから再結晶して、無色針状結晶のN,N−ビス
(4−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,
4′−ジアミン7.90g(収率78.1%)を得た。融点は157.
0〜157.8℃であった。
4 元素分析値はC26H24N2として下記の通りであった。
C% H% N% 実測値 85.57 6.51 7.56 計算値 85.67 6.64 7.69 応用例 電荷発生物質として下記ビスアゾ化合物7.5部 及びポリエステル樹脂〔(株)東洋紡績製バイロン20
0〕の0.5%テトラヒドロフラン溶液500部をボールミル
中で粉砕混合し、得られた分散液をアルミニウム蒸着ポ
リエステルフィルム上にドクターブレードで塗布し、自
然乾燥して約1μm厚の電荷発生層を形成した。次にポ
リカーボネート樹脂〔(株(帝人製パンライトK−130
0〕1部とテトラヒドロフラン8部の樹脂溶液に、電荷
輸送物質として実施例3の化合物1部を溶解し、この溶
液を前記電荷発生層上にドクターブレードで塗布し、80
℃で2分間、ついで120℃で5分間乾燥して厚さ約20μ
mの電荷輸送層を形成して感光体Aを作成した。
次に、こうして得られた積層型電子写真感光体Aの可
視域での感度を調べるため、この感光体に静電複写紙試
験装置〔(株)川口電機製作所製SP428型〕を用いて暗
所で−6KVのコロナ放電を20秒間行なって帯電させた
後、感光体の表面電位Vm(v)を測定しさらに20秒間暗
所に放置した後、表面電位Vo(v)を測定した。ついで
たングステンランプ光を感光体表面での照度が4.5luxに
なるように照射してVoが1/2になるまでの露光量E 1/2
(lux・sec)および30秒間照射後の残留表面電位Vr
(v)を測定した。結果を表−3に示す。
比較例1 電荷輸送物質としてN,N−ジフェニル−〔1,1′−ビフ
ェニル〕−4−アミン(比較感光体B)及び4,4′,4″
−トリメチルトリフェニルアミン(比較感体C)のもの
を用いた以外は応用例とまったく同様に操作して電子写
真特性を測定した。結果を表−4に示す。
また、感光体Aと比較感光体Bのくり返し疲労特性を
知るために応用例で用いた装置で−7.5KVでの帯電と30l
uxでの露光をくり返して残留表面電位V′rの変化を測
定した。結果を第7図に示した。
以上表−3及び表−4、第7図より本発明の化合物を
用いた感光体Aに比べ、比較感光体Bは電子写真感度
(E 1/2)が低く、疲労による残留電位(V′r)の上
昇が認められる。また比較感光体Cは同様に感度(E 1/
2)が低く、初期特性において高い残留電位(Vr)を示
すことがわかる。
比較例2 電荷輸送物質としてN,N−ジエチル−N′,N′−ビス
(4−メチルフェニル)−(1,1′−ビフェニル)−4,
4′−ジアミンを用い、応用例とまったく同様に操作し
て感光体を作成した(比較感光体D)。応用例で用いた
装置で−7.5KVでの帯電と30luxでの露光をくり返して、
Vo(v)の変化を測定した。結果を第8図に示した。
第8図より本発明の化合物を用いた感光体Aに比べ比
較感光体DはVo(v)の著しい低下が認められる。
〔効果〕
以上の説明から明らかなように、本発明の前記一般式
(I)で示されるアミノビフェニル化合物は電子写真用
の有機光導電性材料として有効なものである。
【図面の簡単な説明】
第1図から第6図は各々実施例3,7,11,15,20及び22で得
られたアミノビフェニル化合物の赤外線吸収スペクトル
図(KBr錠剤法)である。 第7図は本発明の感光体と比較用の感光体の残留表面電
位と疲労時間の関係を示すグラフであり、第8図は本発
明の感光体と比較用の感光体の表面電位と疲労時間の関
係を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋本 充 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株 式会社リコー内 (56)参考文献 特開 昭61−132953(JP,A) Chem.Ber.,105(3) (1972)P.880−906 J.Chem.Soc.,Perki n Jrars.1,(18)(1972) P.2391−2394

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式(I) (上式中、R1は水素原子、アルキル基、アルコキシ基又
    はアミノ基を表わし、R2,R3及びR4は水素原子、アルキ
    ル基又はアルコキシ基を表わし、R1,R2,R3及びR4がすべ
    て水素原子である場合及びR1並びにR4が水素原子でR2,R
    3が同時に3−メチル基、4−メチル基、並びに4−メ
    トキシ基である場合を除く。) で表わされるアミノビフェニル化合物。
JP63247034A 1988-02-19 1988-09-30 アミノビフェニル化合物 Expired - Lifetime JP2742546B2 (ja)

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US5495049A (en) * 1993-03-22 1996-02-27 Fuji Xerox Co., Ltd. Triarylamine compounds useful in electrophotographic photoreceptors

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Chem.Ber.,105(3)(1972)P.880−906
J.Chem.Soc.,Perkin Jrars.1,(18)(1972)P.2391−2394

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