JPH04261143A - 1―n,n―ジフェニルアミノピレン誘導体の製造法 - Google Patents
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- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- 239000001003 triarylmethane dye Substances 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は電子写真用の有機光導電性材料として有用な1
−N,N−ジフェニルアミノピレン誘導体の製造法に関
するものである。
−N,N−ジフェニルアミノピレン誘導体の製造法に関
するものである。
従来、電子写真方式において使用される感光体の有機光
導電性素材としては、例えば、ポリ−N−ビニルカルバ
ゾール、トリフェニルアミン化合物(米国特許第3,1
80,730号)、ベンジジン化合物(米国特許第3,
265,496、特公昭39−11546号公報、特開
昭53−27033号公報)等のような数多くの提案が
なされている。
導電性素材としては、例えば、ポリ−N−ビニルカルバ
ゾール、トリフェニルアミン化合物(米国特許第3,1
80,730号)、ベンジジン化合物(米国特許第3,
265,496、特公昭39−11546号公報、特開
昭53−27033号公報)等のような数多くの提案が
なされている。
ここにいう「電子写真方式」とは、一般に光導電性の感
光体を、先ず暗所で例えばコロナ放電などにより帯電せ
しめ、次いで画像状露光を行なって露光部の電荷を選択
的に放電させることにより静電潜像を得、更にこの潜像
部をトナーなどを用いた現像手段で可視化して画像を形
成するようにした画像形成法の一つである。このような
電子写真方式における感光体に要求される基本的な特性
としては、1)暗所において適当な電位に帯電されるこ
と、2)暗所における電荷の放電が少ないこと、3)光
照射により速やかに電荷を放電すること、などが挙げら
れる。
光体を、先ず暗所で例えばコロナ放電などにより帯電せ
しめ、次いで画像状露光を行なって露光部の電荷を選択
的に放電させることにより静電潜像を得、更にこの潜像
部をトナーなどを用いた現像手段で可視化して画像を形
成するようにした画像形成法の一つである。このような
電子写真方式における感光体に要求される基本的な特性
としては、1)暗所において適当な電位に帯電されるこ
と、2)暗所における電荷の放電が少ないこと、3)光
照射により速やかに電荷を放電すること、などが挙げら
れる。
前記電子写真方式における感光体に要求される基本的な
特性をすべて満足する材料として本発明者らは特願平1
−77839号にて1−N,N−ジフェニルアミノピレ
ン誘導体を提案した。このものは例えば、1−アミノピ
レン及びハロベンゼン誘導体と反応させることにより製
造することができるが、1−アミノピレンは変異原性テ
スト(エームズテスト)により陽性であることが知られ
ており〔B.N.Ames elai.,proc.N
ati.Acad.Sci.U.S.A.,72,51
38(1975)〕、上記製造法は安全性の面で問題が
ある。
特性をすべて満足する材料として本発明者らは特願平1
−77839号にて1−N,N−ジフェニルアミノピレ
ン誘導体を提案した。このものは例えば、1−アミノピ
レン及びハロベンゼン誘導体と反応させることにより製
造することができるが、1−アミノピレンは変異原性テ
スト(エームズテスト)により陽性であることが知られ
ており〔B.N.Ames elai.,proc.N
ati.Acad.Sci.U.S.A.,72,51
38(1975)〕、上記製造法は安全性の面で問題が
ある。
従って、本発明の目的は製造原料として前記1−アミノ
ピレンを用いることなく、有機光導電性材料として有用
な1−N,N−ジフェニルアミノピレン誘導体を得るこ
とのできる新規な製造法を提供することにある。
ピレンを用いることなく、有機光導電性材料として有用
な1−N,N−ジフェニルアミノピレン誘導体を得るこ
とのできる新規な製造法を提供することにある。
本発明によれば、下記式(I)
(式中、XはBr又はI等のハロゲン原子を表わす。)
で示される1−ハロゲノピレンと下記一般式(II)(
式中R1、R2は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基置
換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基又はフェ
ニル基を表わし、夫々同一でも異なつていてもよい。) で示されるジフェニルアミン誘導体とを反応させること
を特徴とする下記一般式(III)(式中R1、R2は
前記と同じ。) で示される1−N,N−ジフェニルアミノピレン誘導体
の製造法が提供される。
式中R1、R2は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基置
換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基又はフェ
ニル基を表わし、夫々同一でも異なつていてもよい。) で示されるジフェニルアミン誘導体とを反応させること
を特徴とする下記一般式(III)(式中R1、R2は
前記と同じ。) で示される1−N,N−ジフェニルアミノピレン誘導体
の製造法が提供される。
上式一般式(III)で示される1−N,N−ジフェニ
ルアミノピレン誘導体は具体的には式(I)で示される
1−ハロゲノピレンと一般式(II)で示されるジフェ
ニルアミン誘導体及び銅粉、酸化銅あるいはハロゲン化
銅などと縮合反応中に生ずるハロゲン化水素を中和する
のに充分な量のアルカリ塩を加え、溶媒の存在下又は無
溶媒下で、窒素雰囲気下、150〜250℃程度の温度
において反応させることにより製造することができる。
ルアミノピレン誘導体は具体的には式(I)で示される
1−ハロゲノピレンと一般式(II)で示されるジフェ
ニルアミン誘導体及び銅粉、酸化銅あるいはハロゲン化
銅などと縮合反応中に生ずるハロゲン化水素を中和する
のに充分な量のアルカリ塩を加え、溶媒の存在下又は無
溶媒下で、窒素雰囲気下、150〜250℃程度の温度
において反応させることにより製造することができる。
この場合、アルカリ塩としては、苛性ソーダ、苛性カリ
ウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどを挙げること
ができる。また、反応溶媒としては、ニトロベンゼン、
ジクロルベンゼン、キノリン、N,N−ジメチルホルム
アミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン
、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノンなどを挙げ
ることができる。
ウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどを挙げること
ができる。また、反応溶媒としては、ニトロベンゼン、
ジクロルベンゼン、キノリン、N,N−ジメチルホルム
アミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン
、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノンなどを挙げ
ることができる。
尚、式(I)で示される原料のうち、1−ヨードピレン
はピレンを適当なヨウ素化試薬で直接ヨウ素化すること
により容易に製造することができる。
はピレンを適当なヨウ素化試薬で直接ヨウ素化すること
により容易に製造することができる。
この場合ヨウ素化試薬としては例えば、ヨウ素−過ヨウ
素酸、ヨウ素−ヨウ素酸、ヨウ化イオウ−硝酸、ヨウ素
−過塩素酸銀、ヨウ素−トリフリオル酢酸銀、ヨウ素−
無水硫酸、塩化ヨウ素等を挙げることができる。また、
1−ブロモピレンはorganicSyntheses
483に準じて容易に製造できる。
素酸、ヨウ素−ヨウ素酸、ヨウ化イオウ−硝酸、ヨウ素
−過塩素酸銀、ヨウ素−トリフリオル酢酸銀、ヨウ素−
無水硫酸、塩化ヨウ素等を挙げることができる。また、
1−ブロモピレンはorganicSyntheses
483に準じて容易に製造できる。
また、一般式(II)及び(III)におけるR1及び
R2の具体例としてハロゲン原子としては、フッ素、塩
素、臭素が挙げられ、アルキル基としては、メチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基などの低級アルキル基
が、またアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基などの低級アルコキシ基が挙げられる
。更に、アルキル基における置換基としては、フェニル
基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリールオキシ基な
どが挙げられ、またフェニル基における置換基としては
、低級アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基など)、低級アルコキシ基(例えば、
メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基など)及びハロ
ゲン原子(例えば臭素、塩素、フッ素)が挙げられる。
R2の具体例としてハロゲン原子としては、フッ素、塩
素、臭素が挙げられ、アルキル基としては、メチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基などの低級アルキル基
が、またアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基などの低級アルコキシ基が挙げられる
。更に、アルキル基における置換基としては、フェニル
基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリールオキシ基な
どが挙げられ、またフェニル基における置換基としては
、低級アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基など)、低級アルコキシ基(例えば、
メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基など)及びハロ
ゲン原子(例えば臭素、塩素、フッ素)が挙げられる。
本発明で得られる構造式(III)で示される1−N,
N−ジフェニルアミノピレン誘導体は、電子写真用感光
体に於ける光導電性素材として極めて有用であり、染料
やルイス酸などの増感剤によって光学的あるいは化学的
に増感される。更にこのものは、有機顔料あるいは無機
顔料を電荷発生物質とする、所謂機能分離型感光体に於
ける電荷輸送物質としてとりわけ有用である。
N−ジフェニルアミノピレン誘導体は、電子写真用感光
体に於ける光導電性素材として極めて有用であり、染料
やルイス酸などの増感剤によって光学的あるいは化学的
に増感される。更にこのものは、有機顔料あるいは無機
顔料を電荷発生物質とする、所謂機能分離型感光体に於
ける電荷輸送物質としてとりわけ有用である。
上記増感剤としては、例えば、メチルバイオレット、ク
リスタルバイオレット等のトリアリールメタン染料、ロ
ーズベンガル、エリスロシン、ローダミン等のキサメチ
ン染料、メチレンブルー等のチアジン染料、2,4,7
−トリニトロ−9−フルオレノン、2,4−ジニトロ−
9−フルオレノン等が挙げられる。
リスタルバイオレット等のトリアリールメタン染料、ロ
ーズベンガル、エリスロシン、ローダミン等のキサメチ
ン染料、メチレンブルー等のチアジン染料、2,4,7
−トリニトロ−9−フルオレノン、2,4−ジニトロ−
9−フルオレノン等が挙げられる。
また、有機顔料としてはシーアイピグメントブルー25
(CI No.21180)、シーアイピグメントレッ
ド41(CI No.21200)、シーアイピグメン
トレッド3(CINo.45210)等のアゾ系顔料、
シーアイピグメントブルー16(CI No.7410
0)等のフタロシアニン系顔料、シーアイバットブラウ
ン5(CI No.73410)、シーアイバットダイ
(CI No.73030)等のインジゴ系顔料、アル
ゴスカーレットB、インダンスレンスカーレットR等の
ペリレン系顔料が挙げられる。また、セレン、セレン−
テルル、硫化カドミウム、α−シリコン等の無機顔料も
使用できる。
(CI No.21180)、シーアイピグメントレッ
ド41(CI No.21200)、シーアイピグメン
トレッド3(CINo.45210)等のアゾ系顔料、
シーアイピグメントブルー16(CI No.7410
0)等のフタロシアニン系顔料、シーアイバットブラウ
ン5(CI No.73410)、シーアイバットダイ
(CI No.73030)等のインジゴ系顔料、アル
ゴスカーレットB、インダンスレンスカーレットR等の
ペリレン系顔料が挙げられる。また、セレン、セレン−
テルル、硫化カドミウム、α−シリコン等の無機顔料も
使用できる。
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。
実施例1
1−N,N−ビス(4−メチルフェニル)アミノピレン
の製造 1−ヨードピレン1.64g(5.00ミリモル)、4
,4′−ジメチルジフェニルアミン1.97g(10.
0ミリモル)、炭酸カリウム1.38g(10.0ミリ
モル)銅粉0.32g及びニトロベンゼン20mlを窒
素気流下、208℃の温度で、2時間還流撹拌をおこな
った。放冷後、セライトを用いて濾過した後、ニトロベ
ンゼンを減圧下留去し残渣をクロロホルムにて抽出、水
洗、硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して暗褐色油
状物を得た。これをシリカゲルカラム処理(ワコーゲル
C−300:溶離液トルエン/n−ヘキサン=(1/3
)vol)を2回おこない黄色結晶1.57g(収率7
8.9%)を得た。mp179.0〜180.0℃、更
にエタノール−酢酸エチル混合溶媒から2回再結晶して
、黄色リン片状晶の1−N,N−ビス(4−メチルフェ
ニル)アミノピレン0.94g(収率47.2%)を得
た。mp180.5〜1.0℃元素分析値はC30H2
3Nとして下記の通りであっこの化合物の赤外吸収スペ
クトル(KBr錠剤法)を第1図に示す。
の製造 1−ヨードピレン1.64g(5.00ミリモル)、4
,4′−ジメチルジフェニルアミン1.97g(10.
0ミリモル)、炭酸カリウム1.38g(10.0ミリ
モル)銅粉0.32g及びニトロベンゼン20mlを窒
素気流下、208℃の温度で、2時間還流撹拌をおこな
った。放冷後、セライトを用いて濾過した後、ニトロベ
ンゼンを減圧下留去し残渣をクロロホルムにて抽出、水
洗、硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して暗褐色油
状物を得た。これをシリカゲルカラム処理(ワコーゲル
C−300:溶離液トルエン/n−ヘキサン=(1/3
)vol)を2回おこない黄色結晶1.57g(収率7
8.9%)を得た。mp179.0〜180.0℃、更
にエタノール−酢酸エチル混合溶媒から2回再結晶して
、黄色リン片状晶の1−N,N−ビス(4−メチルフェ
ニル)アミノピレン0.94g(収率47.2%)を得
た。mp180.5〜1.0℃元素分析値はC30H2
3Nとして下記の通りであっこの化合物の赤外吸収スペ
クトル(KBr錠剤法)を第1図に示す。
尚、原料として1−アミノピレン及び4−ヨードトルエ
ンを用いて上記と同様な製造条件で得られた1−N,N
−ビス(4−メチルフェニル)アミノピレンとの混融試
験をおこなった結果、融点は180.5−181.0℃
であった。
ンを用いて上記と同様な製造条件で得られた1−N,N
−ビス(4−メチルフェニル)アミノピレンとの混融試
験をおこなった結果、融点は180.5−181.0℃
であった。
又、原料である1−ヨードピレンの変異原性をテストし
たところ陰性であった。
たところ陰性であった。
実施例2
1−N,N−ビス(4−メチルフェニル)アミノピレン
の製造 1−ブロモピレン0.30g(1.1mmol)、4,
4′−ジメチルジフェニルアミン0.42g(2.2m
mol)、炭酸カリウム0.30g、銅粉0.10g及
びニトロベンゼン20mlを窒素気流下、エステル管で
共沸脱水しながら、20時間20分還流撹拌した。室温
まで放冷した後、セライトを用いて濾過した。濾液を減
圧濃縮して得られた残渣をトルエンにて抽出、水洗し、
硫酸マグネシウムで乾燥して更に減圧濃縮にてトルエン
を留去して暗褐色の油状物を得た。これをシリカゲルカ
ラム処理(溶離液、トルエン/n−ヘキサン(1:3)
混合溶媒)し、エタノールから再結晶して、黄色葉状結
晶の1−N,N−ビス(4−メチルフェニル)アミノピ
レン0.16g(収率37%)を得た。融点は180.
5〜181.0℃であった。元素分析値はC30H23
Nとして下記の通りであった。
の製造 1−ブロモピレン0.30g(1.1mmol)、4,
4′−ジメチルジフェニルアミン0.42g(2.2m
mol)、炭酸カリウム0.30g、銅粉0.10g及
びニトロベンゼン20mlを窒素気流下、エステル管で
共沸脱水しながら、20時間20分還流撹拌した。室温
まで放冷した後、セライトを用いて濾過した。濾液を減
圧濃縮して得られた残渣をトルエンにて抽出、水洗し、
硫酸マグネシウムで乾燥して更に減圧濃縮にてトルエン
を留去して暗褐色の油状物を得た。これをシリカゲルカ
ラム処理(溶離液、トルエン/n−ヘキサン(1:3)
混合溶媒)し、エタノールから再結晶して、黄色葉状結
晶の1−N,N−ビス(4−メチルフェニル)アミノピ
レン0.16g(収率37%)を得た。融点は180.
5〜181.0℃であった。元素分析値はC30H23
Nとして下記の通りであった。
得られた化合物と実施例1で得られた1−N,N−ビス
(4−メチルフェニル)アミノピレンの赤外吸収スペク
トル(KBr錠剤法)を比較したところ一致した。
(4−メチルフェニル)アミノピレンの赤外吸収スペク
トル(KBr錠剤法)を比較したところ一致した。
また混融試験をおこなったところ融点は180.5〜1
81.0℃であった。
81.0℃であった。
応用例
電荷発生物質として下記ヒスアゾ化合物7.5部及びポ
リエステル樹脂〔(株)東洋紡績製バイロン200〕の
0.5%テトラヒドロフラン溶液500部をボールミル
中で粉砕混合し、得られた分散液をアルミニウム蒸着ポ
リエステルフィルム上にドクターブレードで塗布し、自
然乾燥して約1μm厚の電荷発生層を形成した。次に、
ポリカーボネート樹脂〔(株)帝人製パンライトK−1
300〕1部とテトラヒドロフラン8部の樹脂溶液に、
電荷輸送物質として実施例1で得られた化合物1部を溶
解し、この溶液を前記電荷発生層上にドクターブレード
で塗布し、80℃で2分間、次いで120℃で5分間乾
燥して厚さ約20μmの電荷輸送層を形成して感光体を
作成した。
リエステル樹脂〔(株)東洋紡績製バイロン200〕の
0.5%テトラヒドロフラン溶液500部をボールミル
中で粉砕混合し、得られた分散液をアルミニウム蒸着ポ
リエステルフィルム上にドクターブレードで塗布し、自
然乾燥して約1μm厚の電荷発生層を形成した。次に、
ポリカーボネート樹脂〔(株)帝人製パンライトK−1
300〕1部とテトラヒドロフラン8部の樹脂溶液に、
電荷輸送物質として実施例1で得られた化合物1部を溶
解し、この溶液を前記電荷発生層上にドクターブレード
で塗布し、80℃で2分間、次いで120℃で5分間乾
燥して厚さ約20μmの電荷輸送層を形成して感光体を
作成した。
次に、こうして得られた積層型電子写真感光体の可視域
での感度を調べるため、この感光体に静電複写紙試験装
置〔(株)川口電機製作所製SP428型〕を用いて暗
所で−6KVのコロナ放電を20秒間行なって帯電させ
た後、感光体の表面電位Vm(v)を測定し、更に20
秒間暗所に放置した後、表面電位Vo(v)を測定した
。次いで、タングステンランプ光を感光体表面での照度
が4.5luxになるように照射して、V0が1/2に
なるまでの露光量E1/2(lux−sec)及び30
秒間照射後の残留表面電位Vr(v)を測定した。結果
を表−1に示す。
での感度を調べるため、この感光体に静電複写紙試験装
置〔(株)川口電機製作所製SP428型〕を用いて暗
所で−6KVのコロナ放電を20秒間行なって帯電させ
た後、感光体の表面電位Vm(v)を測定し、更に20
秒間暗所に放置した後、表面電位Vo(v)を測定した
。次いで、タングステンランプ光を感光体表面での照度
が4.5luxになるように照射して、V0が1/2に
なるまでの露光量E1/2(lux−sec)及び30
秒間照射後の残留表面電位Vr(v)を測定した。結果
を表−1に示す。
以上の説明から明らかなように、本発明の製造法により
前記一般式(III)で示される1−N,N−ジフェニ
ルアミノピレン誘導体が容易に得ることができ、またこ
のものは電子写真用の有機光導電性材料として有用なも
のである。
前記一般式(III)で示される1−N,N−ジフェニ
ルアミノピレン誘導体が容易に得ることができ、またこ
のものは電子写真用の有機光導電性材料として有用なも
のである。
第1図は実施例で得られた1−N,N−ビス(4−メチ
ルフェニル)アミノピレンの赤外線吸収スペクトル図(
KBr錠剤法)である。 特許出願人 株式会社 リコー 代理人 弁理士 池浦敏明 (ほか1名)
ルフェニル)アミノピレンの赤外線吸収スペクトル図(
KBr錠剤法)である。 特許出願人 株式会社 リコー 代理人 弁理士 池浦敏明 (ほか1名)
Claims (1)
- 【請求項1】下記式(I) (式中、Xはハロゲン原子を示す。) で示される1−ハロゲノピレンと下記一般式(II)(
式中R1、R2は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基置
換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基又はフェ
ニル基を表わし、夫々同一でも異なつていてもよい。) で示されるジフェニルアミン誘導体とを反応させること
を特徴とする下記一般式(III)(式中R1、R2は
前記と同じ。) で示される1−N,N−ジフェニルアミノピレン誘導体
の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32172390A JPH04261143A (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-26 | 1―n,n―ジフェニルアミノピレン誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2-309958 | 1990-11-15 | ||
JP30995890 | 1990-11-15 | ||
JP32172390A JPH04261143A (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-26 | 1―n,n―ジフェニルアミノピレン誘導体の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04261143A true JPH04261143A (ja) | 1992-09-17 |
Family
ID=26566128
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32172390A Pending JPH04261143A (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-26 | 1―n,n―ジフェニルアミノピレン誘導体の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04261143A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004217638A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-08-05 | Hodogaya Chem Co Ltd | 電子製品材料の製造方法 |
JP4480827B2 (ja) * | 1998-12-25 | 2010-06-16 | 保土谷化学工業株式会社 | トリアリールアミン誘導体の製造方法 |
CN109280011A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-01-29 | 棓诺(苏州)新材料有限公司 | Oled中间体2-溴芘的合成法 |
-
1990
- 1990-11-26 JP JP32172390A patent/JPH04261143A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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