JP4480827B2 - トリアリールアミン誘導体の製造方法 - Google Patents

トリアリールアミン誘導体の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4480827B2
JP4480827B2 JP37064199A JP37064199A JP4480827B2 JP 4480827 B2 JP4480827 B2 JP 4480827B2 JP 37064199 A JP37064199 A JP 37064199A JP 37064199 A JP37064199 A JP 37064199A JP 4480827 B2 JP4480827 B2 JP 4480827B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
formula
general formula
represented
different
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP37064199A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000239235A (ja
Inventor
進 鈴鹿
光利 安西
信夫 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hodogaya Chemical Co Ltd
Original Assignee
Hodogaya Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hodogaya Chemical Co Ltd filed Critical Hodogaya Chemical Co Ltd
Priority to JP37064199A priority Critical patent/JP4480827B2/ja
Publication of JP2000239235A publication Critical patent/JP2000239235A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4480827B2 publication Critical patent/JP4480827B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/52Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts

Landscapes

  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子写真方式の複写機、プリンターなどに用いられる電子写真用感光体や有機電界発光素子に材料として使用される電荷輸送材料、およびそれらの中間体として有用なトリアリールアミン誘導体を純度高く得る製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、電子写真用感光体や有機電界発光素子に使用される電荷輸送材料およびその中間体として、トリアリールアミン誘導体が有用な化合物として知られている。これらの化合物はUllmann反応を使用しているのが通常であり、例えば特開昭63−77843号公報、特開昭54−54038号公報、特公昭39−11549号公報、特開平6−192188号公報、特開平8−2689980号公報に記載されている。
【0003】
通常は、アリールハライドとアリールアミンを銅粉、ハロゲン化銅などの銅系触媒及び炭酸ナトリウム、炭酸カリ等のアルカリの存在下で、ニトロベンゼン、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、o−ジクロロベンゼン、N−メチルピロリドン、n−ドデカン等の高級炭化水素、メチルナフタレン、ジメチルナフタレン、スルホラン等の高沸点溶媒を使用し、200℃前後の高温で反応が行われる。
【0004】
以上述べたように、Ullmann反応は高温且つ長時間反応のため、原料及び目的物の虐待や副反応が進行し、その結果、電子写真用感光体及び有機電界発光素子に求められる電荷輸送剤の性能を阻害するような物質が生成する。またこの影響で満足できる収率が得られないのが現状である。さらにこれらの生成物除去のために、カラムクロマトによる分離精製や再結晶及び吸着剤による吸着精製を組み合わせて実施する必要があり、収率をいっそう低下させている。これらの理由により商業上のコスト面でも困難な問題点を有している。
【0005】
これらの問題点を解決するための方法として、Ullmann反応の銅系触媒に着目し、配位子結合銅触媒を採用して反応性を向上させ、反応温度を低下させることにより副反応を抑制、目的物の純度を向上させる方法が特開平9−323959号公報に開示されている。別の方法として、助触媒に3級アミンを添加し、副生物を減少させ、収率を向上させる方法が特開平9−278730号公報に開示されている。これらの方法で所期の目的は達成されるが、高価な材料を使用しなければならないこと、比較的高沸点の有機化合物を添加するため、それを確実に除くための工程等が求められる等の問題点が生じる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者らは、原料及び目的物の虐待や副反応の進行を促進する原因物質が、原料中の不純物の一部や、虐待や副反応の生成物の一部であると考え、これらの原因物質を無力化し、しかも目的物との分離が容易で目的物中に混入しない添加剤について鋭意検討を行った。また、通常は反応が窒素気流下で行われるが、わずかでも不徹底が生じると、原料及び目的物の虐待や副反応の進行が促進されるので、窒素気流の徹底化についても検討を行った。その結果無機亜硫酸系の化合物が、窒素または不活性気体とのコンビネーションによってこれらの性能を発揮することを見い出し、本発明を完成するに至った。本発明は、反応中の窒素または不活性気体の雰囲気を完全なものとし、Ullmann反応の原料および目的物の虐待や副反応の進行を抑制し、しかも目的物との分離が容易で目的物中に混入しない、安価な添加剤を使用する製造方法を提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明はUllmann反応において、一般式(I)で表されるハロゲン化化合物
【化11】
AXa (I)
【0008】
(式中、Aは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基または置換もしくは無置換の芳香族複素環基を表し、Xは臭素原子またはヨウ素原子を表し、aは1〜4の整数を表す)と、一般式(II)で表されるアミノ化合物
【0009】
【化12】
BHb (II)
【0010】
(式中、Bは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素の1級、2級もしくは1級・2級双方を含むアミノ残基、または置換もしくは無置換の芳香族複素環基の1級、2級もしくは1級・2級双方を含むアミノ残基を表し、bは1〜8の整数を表す)と一般式(III)で表される無機塩
【0011】
【化13】
【0012】
M(HwXYz (III)
(式中、Mは1〜3価の金属またはアンモニウム基を表し、wは0または1を表し、xは1または2を表し、x=1のときyは1〜3の整数を、x=2のときyは1〜5の整数を表し、zは1/2、1、3/2、2または3を表す)と、銅系触媒および塩基性物質とを、窒素または不活性気体の雰囲気下150〜250℃で反応することを特徴とする、下記一般式(IV)
【0013】
【化14】
ABc (IV)
【0014】
(式中、AおよびBは前記した定義と同一であり、c=a/bを表す)で表されるトリアリールアミン誘導体の製造方法である。
【0015】
また、本発明は前記した一般式(I)で表されるハロゲン化化合物が、具体的には一般式(V)で表されるヨウ素化化合物
【0016】
【化15】
Figure 0004480827
【0017】
(式中、Ar1は芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、R1、R2、R3はそれぞれ異なって、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、アリール基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ジアリールアミノ基またはジアラルキルアミノ基を表し、d、e、fは同一でも異なってもよくそれぞれ0〜6の整数を表し、gは1または2を表す)であり、前記した一般式(II)で表されるアミノ化合物が具体的には一般式(VI)で表される2級アミノ化合物
【0018】
【化16】
Figure 0004480827
【0019】
(式中、Ar2、Ar3は同一でも異なってもよくそれぞれ芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、R4、R5、R6はそれぞれ異なって、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、アリール基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ジアリールアミノ基またはジアラルキルアミノ基を表し、h、i、jは同一でも異なってもよくそれぞれ0〜6の整数を表し、R7、R8、R9はそれぞれ異なって、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、アリール基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ジアリールアミノ基またはジアラルキルアミノ基を表し、k、l、mは同一でも異なってもよくそれぞれ0〜6の整数を表し、R6とR7が結合基となって環を形成してもよい)であり、前記した一般式(III)で表されるトリアリールアミン誘導体が具体的には一般式(VII)で表されるトリアリールアミン誘導体
【0020】
【化17】
Figure 0004480827
【0021】
(式中、Ar1、Ar2、Ar3、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、d、e、f、h、i、j、k、lおよびmは前記した定義と同一である)であるところの、トリアリールアミン誘導体の製造方法である。
【0022】
さらに、本発明は前記した一般式(I)で表されるハロゲン化化合物が具体的には一般式(VIII)で表されるヨウ素化化合物
【0023】
【化18】
Figure 0004480827
【0024】
(式中、Ar4は芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、R10、R11、R12はそれぞれ異なって、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、アリール基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ジアリールアミノ基またはジアラルキルアミノ基を表し、n、o、pはそれぞれ同一でも異なってもよく0〜6の整数を表す)であり、前記した一般式(II)で表されるアミノ化合物が具体的には一般式(IX)で表される1級アミノ化合物
【0025】
【化19】
Figure 0004480827
【0026】
(式中、Ar5は芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、R13、R14、R15はそれぞれ異なって、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、アリール基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ジアリールアミノ基またはジアラルキルアミノ基を表し、q、r、sはそれぞれ同一でも異なってもよく0〜6の整数を表し、tは1または2を表す)であり、前記した一般式(III)で表されるトリアリールアミン誘導体が、具体的には一般式(X)で表されるトリアリールアミン誘導体
【0027】
【化20】
Figure 0004480827
【0028】
(式中、Ar4、Ar5、R10、R11、R12、R13、R14、R15、n、o、p、q、r、sおよびtは前記した定義と同一である)である、トリアリールアミン誘導体の製造方法である。
【0029】
一般式(I)で表されるハロゲン化化合物、一般式(II)で表されるアミノ化合物および一般式(IV)で表されるトリアリールアミン誘導体における置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、アリール基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ジアリールアミノ基またはジアラルキルアミノ基が挙げられる。
【0030】
本発明の製造方法によれば、窒素または不活性気体の雰囲気と安価な無機亜硫酸系の化合物とのコンビネーションによって、反応中の窒素または不活性気体の雰囲気をより完全なものとすることができる。また、原料中の不純物の一部や、虐待や副反応の生成物の一部を無力化することができるので、原料および目的物の虐待や副反応の進行を防ぐことができる。この場合還元性物質の還元力が強いと、新たな副反応の問題が生ずることになり、還元力が弱過ぎても目的が十分に達成されない。さらに、無機亜硫酸系の化合物は目的物との分離が容易で目的物中に混入しないので、電荷輸送剤の性能を阻害するような不純物の生成や混入を防止することができる。以上のことから、収率を向上させ、後の精製工程を容易なものにすることができる。
【0031】
【発明の実施の形態】
本発明において、用いられるヨウ素化化合物としては、ヨードベンゼン、p−ヨードトルエン、m−ヨードトルエン、o−ヨードトルエン、p−ブロモベンゼン、m−ブロモベンゼン、1−ヨードナフタレン、9−ヨードアントラセン、1−ヨードピレン、1−ヨードビフェニル、1−ヨード−3−フェニルビフェニル、2−ヨードフルオレン、9,9−ジメチル−2−ヨードフルオレン等のモノハライド、4,4'−ジヨードビフェニル、3,3'−ジメトキシ−4,4'−ジヨードビフェニル、2,7−ジヨード−9,9−ジメチルフルオレン、1,5−ジヨードナフタレン、4,4'−ジヨード−2−フェニルビフェニル等のジハライドが挙げられる。
【0032】
本発明の原料として使用される芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を有する1級アミン、2級アミンの具体例としてはアニリン、p-メチルアニリン、2,4−ジメチルアニリン、3,4,5−トリメチルアニリン、m−アニシジン、4−メトキシ−2−メチルアニリン、5,6,7,8−テトラヒドロナフチル−2−アミン等のアニリン類、2,2'−ジメチルベンジジン、2,2'−ジエトキシベンジジン等のベンジジン類、1,1−ビス(4−アミノフェニル)メタン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、1,1−ビス(4−アミノフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス(4−アミノフェニル)シクロペンタン等のジアミン類、4,4'−ジメチルジフェニルアミン、3,3',4,4'−テトラメチルジフェニルアミン、4−メトキシ−2−メチルジフェニルアミン、2,4−ジメチルジフェニルアミン、N−ビフェニル−4−メチル−アニリン、N−ナフチル−1−アニリン、N−ピレノ−1−アニリン、3,4−ジフェニルジフェニルアミン、N−フルオレノ−2−アニリン、N−(9,9−ジメチルフルオレノ−2−アニリン等のジアリールアミン類が挙げられる。
【0033】
窒素または不活性気体の雰囲気とのコンビネーションで使用される無機亜硫酸系の化合物としては、チオ硫酸ナトリウム、亜ジチオン酸ナトリウム、ピロ亜硫酸カリウム、ピロ亜硫酸アンモニウム、ピロ亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カリウム、亜硫酸アンモニウム、亜硫酸亜鉛、亜硫酸カルシウム、亜硫酸ストロンチウム、亜硫酸セシウム、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸マグネシウム、亜硫酸バリウム、亜硫酸リチウム、亜硫酸水素カリウム、亜硫酸水素アンモニウム、亜硫酸水素カルシウム、亜硫酸水素ナトリウム等の化合物が使用できる。中でも好ましいのはピロ亜硫酸ナトリウム、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸水素ナトリウムである。これらの無機亜硫酸系の化合物は、単独でまたは2種以上を併用して使用することができる。また、これらの使用量は芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を有する1級アミン、2級アミンに対して0.01〜1モル比であり、好ましくは0.02〜0.5モル比である。
【0034】
銅系触媒としては、銅粉、塩化銅、臭化銅又はヨウ化銅等が、ヨウ素化化合物に対し0.01〜5モル比使用される。好ましくは銅粉をヨウ素化化合物に対し、0.02〜1モル比で使用する。
必要により、助触媒としてヨウ素、ヨウ化カリウム等を使用することもできる。
【0035】
Ullmann反応では必要により不活性溶媒を使用できる。具体的にはN−メチルピロリドン、スルホラン、ジメチルスルホキシド、メチルナフタレン、ジメチルナフタレン、o−ジクロロベンゼン、ドデカン、ウンデカン、トリデカン等である。好ましくは少量の前記溶媒をアミン類の5〜15%(wt%で)を加える。反応温度は180〜250℃であるが好ましくは200〜220℃である。また反応の進行とともに副生する水は反応中に除去しなくてもよいが、好ましくは系外に除去しながら行うのが望ましい。
【0036】
反応終了後、触媒の銅粉および塩基性物質を中心とする無機物を除くため、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒、ジメチルスルホキシド、N,N-ジメチルホルムアミド等の水溶性溶媒を使用し、十分に生成物であるトリアリールアミン類を抽出し、場合によっては加熱溶解させて、ろ過して不溶解物を除去する。得られたろ液は、メタノール、エタノール、n−ヘキサン、シクロヘキサン等を加えて晶析(水溶性溶媒の場合には、水で晶析も可能)で、収率良く純度の高い粗結晶を得ることができる。
【0037】
さらに電子写真用感光体の電荷輸送剤に求められる性能を十分に発揮する純度に仕上げるには、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒に溶解後、活性白土、酸性白土、活性アルミナ、シリカゲル、活性炭などを単独又は組み合わせて使用し、吸着後、ろ過し、再結晶又はメタノール、エタノール、n−ヘキサン、シクロヘキサン等の溶媒にて晶析により、高純度、高収率で電子写真感光体の電荷輸送剤を製造することが出来る。本発明の製造方法は例示化合物のみに限定されるものではなく、アミン化合物とハロゲン化化合物との反応のUllmann反応に広く適用できる。
【0038】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。実施例中の部は重量部を表わし、濃度はWt%を表す。
【0039】
[実施例1]
ジフェニルアミン160部(0.97モル)、ヨードベンゼン356部(1.74モル)、炭酸カリウム134部(0.97モル)、銅粉3.9部(0.06モル)、亜硫酸水素ナトリウム3.1部(0.03モル)を加え、系内を十分に窒素置換した後、加熱し200〜205℃で12時間反応後、減圧下にてヨードベンゼン160部を回収した後、トルエン810部で50℃にて溶解後活性白土45.5部を加え不純物を吸着し、無機物を除去するためろ過した。続いて減圧にてトルエン608部を回収し、メタノール777部を加え70℃で1時間還流後冷却し、ろ過し、さらにメタノール156部で洗浄し、乾燥してトリフェニルアミン211部、収率91.0%、mp128〜129℃で得た。
【0040】
[比較例1]
実施例1の条件の内、亜硫酸水素ナトリウムを除いた条件で実施した。
【0041】
実施例1と比較例1を比較すると[表1]の様になる。(不純物Aは0.5%以上含有されていると電子写真感光体の電荷輸送剤としての性能を阻害する。)このことから、本発明が収率の向上及び電荷輸送剤としての純度を十分確保できる優れた製造方法であることが判明した。
【0042】
【表1】
Figure 0004480827
【0043】
[実施例2]
4,4'−ジメチルジフェニルアミン236.7(1.2モル)、1−ヨードナフタレン245部(1.0モル)、炭酸カリ207部(1.5モル)、銅粉12.6部(0.2モル)、亜硫酸水素ナトリウム20.8部(0.2モル)、ドデカン10部を加え、系内を十分に窒素置換した後、加熱し200〜220℃で22時間、副生する水を除去しながら反応後、120℃に冷却しトルエン810部で50℃にて溶解後、活性白土45.5部を加えて不純物を吸着し、無機物を除去するためろ過した。続いて減圧にてトルエン608部を回収し、メタノール777部を加え70℃で1時間還流後冷却し、ろ過し、さらにメタノール156部で洗浄し、乾燥してN,N−ジトリル−1−ナフチルアミン287.5部、収率89.0%を得た。
【0044】
[実施例3〜7]
実施例2において1−ヨードナフタレンの代わりに2−ヨードフルオレン、2−ヨード−9,9−ジメチルフルオレン、1−ヨードピレン、4−ヨード−4'−エチルビフェニル、4−ヨード−4'−メトキシビフェニルを使用し、他は実施例2と同様にして実施した。
【0045】
[比較例2〜7]
実施例2〜5において、亜硫酸水素ナトリウムを除いた系で実施した。
【0046】
実施例2〜5および比較例2〜5の結果を[表2]に示した。収率の向上および電荷輸送剤としての純度を十分確保できる優れた製造方法であることが判明した。
【0047】
【表2】
Figure 0004480827
【0048】
[実施例8]
1,1−ビス(4−アミノフェニル)シクロヘキサン53.3部(0.2モル)、p−ヨードトルエン218部(1モル)、炭酸カリウム138部(1モル)、銅粉7.6部(0.12モル)と亜硫酸ナトリウム2.1部(0.017モル)、ドデカン10部を加え、系内を十分に窒素置換した後、加熱し200〜220℃で9.5時間反応後、120℃に冷却しトルエン566部で溶解後、50℃にてろ過し、ろ液に活性白土106部を加えて不純物を吸着し、無機物を除去するためろ過した。さらに活性白土53部とマイクロビ−ズ53部で吸着処理し、ろ過後メタノール395部を加えて、70℃で1時間還流後冷却し、ろ過し、さらにメタノール156部で洗浄し、乾燥して1,1−ビス(4−ジ−4'−トリルアミノフェニル)シクロヘキサンを収量91.3部、収率72.8%、mp183〜184.7℃で得た。
高速液体クロマトグラフで、分析機器:TOSOHUV−8000、記録計SIC−12、カラム:Inertsil ODS-2 :4.6×250mm、溶質溶媒:THF/メタノール=10/90、流量:0.9ml/min、検出波長254nmの条件で分析したところHPLC純度は97.0%の高純度であった。
【0049】
[比較例8]
実施例8において、亜硫酸ナトリウムを除いた系で実施例8と同様に実施した。収量86.6部、収率68.9%、mp182〜183.5℃、HPLC純度96.5%であった。
本発明の製造方法が収率の向上、および電荷輸送剤としての純度を十分確保できる優れた製造方法であることが判明した。
【0050】
[実施例9]
実施例8の1,1−ビス(4−アミノフェニル)シクロヘキサンの代わりに4,4'−ジアミノ−3,3'−ジメチルビフェニルを用いて同様に実施した。
【0051】
[比較例9]
実施例9において、亜硫酸ナトリウムを除いた系で実施例9と同様に実施した。
結果を[表3]に示す。本発明が収率の向上および電荷輸送剤としての純度を十分確保できる優れた製造方法であることがわかる。
【0052】
【表3】
Figure 0004480827
【0053】
[実施例10]
3,3'−ジメチルジフェニルアミン473部(2.4モル)、4,4'−ジヨードビフェニル406部(1.0モル)、炭酸カリウム345.5(2.5モル)、銅粉25.4(0.4モル)と亜硫酸水素ナトリウム20.8部(0.2モル)、ドデカン20部を加え、系内を十分に窒素置換した後、加熱し200〜220℃で20時間反応後、120℃に冷却しトルエン1600部で溶解後、50℃にてろ過し、溶液に活性白土470部を加えて不純物を吸着し、無機物を除去するためろ過した。さらに活性白土470部で吸着処理し、ろ過後メタノール1600部を加えて、70℃で1時間還流後冷却し、ろ過し、さらにメタノール160部で洗浄し、乾燥して4,4'−(3,3'−ジメチル−ジフェニルアミノ)ビフェニルを収量430.7部、収率85.0%、mp151.0〜152.0℃得た。
高速液体クロマトグラフで、分析機器:TOSOHUV−8000、記録計SIC−12、カラム:Inertsil ODS-2 :4.6×250mm、溶質溶媒:THF/メタノ−ル=10/90、流量:0.9ml/min、検出波長254nmの条件で分析したHPLC純度は99.5%の高純度であった。
【0054】
[比較例10]
実施例9において、亜硫酸水素ナトリウムを除いた系で実施例9と同様に実施した。結果は以下の通りであった。
収量382.5部、収率75.5%、mp148〜150℃、HPLC純度98.7%。
実施例と比較例を比較すると、本発明が収率の向上及び電荷輸送剤としての純度を十分確保できる優れた製造方法であることが判明した。
【0055】
[実施例11〜19]
実施例10の3,3'−ジメチルジフェニルアミンの代わりに2,4−ジメチルジフェニルアミン、2−メチル−4−メトキジフェニルアミン、4−メトキシジフェニルアミン、4−n−ブチルジフェニルアミン、4−iso−ブチルジフェニルアミン、4,4−ジメチルジフェニルアミン、N−ビフェニルアニリン、N−1,2,3,4−テトラヒドロナフト−6−イルアニリン、N−1',2',3',4'−テトラヒドロナフト−5'−イル−2,4−ジフェニルアニリンを使用し、実施例10と同様に処理した。
【0056】
[比較例11〜19]
実施例11〜19において、亜硫酸水素ナトリウムを除いた系で実施例11〜19と同様に実施した。結果を[表4]に示す。
【0057】
【表4】
Figure 0004480827
【0058】
以上実施例と比較例を比較すると、本発明の製造方法が収率の向上及び電荷輸送剤としての純度を十分確保できる優れた製造方法であることが判明した。
【0059】
【発明の効果】
本発明の製造方法は、窒素または不活性気体と無機亜硫酸系の化合物とのコンビネーションによって、窒素気流の徹底化を行うので、原料および目的物の虐待や副反応の進行を促進する原因物質を無力化し、それらの反応の進行を抑制することができる。無機亜硫酸系の化合物は安価であり、しかも目的物との分離が容易なので、目的物中に混入することがない。本発明の製造方法によれば高収率で純度の高い目的物が得られ、電荷輸送剤の性能を阻害するような物質を含有しない電荷輸送剤を安価に得ることができる。

Claims (4)

  1. 一般式(I)で表されるハロゲン化化合物
    【化1】
    AXa (I)
    (式中、Aは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基または置換もしくは無置換の芳香族複素環基を表し、Xは臭素原子またはヨウ素原子を表し、aは1〜4の整数を表す)と、一般式(II)で表されるアミノ化合物
    【化2】
    BHb (II)
    (式中、Bは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素の1級、2級もしくは1級・2級双方を含むアミノ残基、または置換もしくは無置換の芳香族複素環基の1級、2級もしくは1級・2級双方を含むアミノ残基を表し、bは1〜8の整数を表す)と一般式(III)で表される無機塩
    【化3】
    M(HwXYz (III)
    (式中、Mは1〜3価の金属またはアンモニウム基を表し、wは0または1を表し、xは1または2を表し、x=1のときyは1〜3の整数を、x=2のときyは1〜5の整数を表し、zは1/2、1、3/2、2または3を表す)と、銅系触媒および塩基性物質とを、窒素または不活性気体の雰囲気下150〜250℃で反応することを特徴とする、下記一般式(IV)
    【化4】
    ABc (IV)
    (式中、AおよびBは前記した定義と同一であり、c=a/bを表す)で表されるトリアリールアミン誘導体の製造方法。
  2. 前記したハロゲン化化合物が一般式(V)で表されるヨウ素化化合物
    Figure 0004480827
    (式中、Ar1は芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、R1、R2、R3はそれぞれ異なって、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、アリール基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ジアリールアミノ基またはジアラルキルアミノ基を表し、d、e、fは同一でも異なってもよくそれぞれ0〜6の整数を表し、gは1または2を表す)であり、前記したアミノ化合物が一般式(VI)で表される2級アミノ化合物
    Figure 0004480827
    (式中、Ar2、Ar3は同一でも異なってもよくそれぞれ芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、R4、R5、R6はそれぞれ異なって、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、アリール基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ジアリールアミノ基またはジアラルキルアミノ基を表し、h、i、jは同一でも異なってもよくそれぞれ0〜6の整数を表し、R7、R8、R9はそれぞれ異なって、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、アリール基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ジアリールアミノ基またはジアラルキルアミノ基を表し、k、l、mは同一でも異なってもよくそれぞれ0〜6の整数を表し、R6とR7が連結基となって環を形成してもよい)であり、前記したトリアリールアミン誘導体が一般式(VII)で表されるトリアリールアミン誘導体
    Figure 0004480827
    (式中、Ar1、Ar2、Ar3、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、d、e、f、h、i、j、k、lおよびmは前記した定義と同一である)である、請求項1記載のトリアリールアミン誘導体の製造方法。
  3. 前記したハロゲン化化合物が一般式(VIII)で表されるヨウ素化化合物
    Figure 0004480827
    (式中、Ar4は芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、R10、R11、R12はそれぞれ異なって、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、アリール基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ジアリールアミノ基またはジアラルキルアミノ基を表し、n、o、pはそれぞれ同一でも異なってもよく0〜6の整数を表す)であり、前記したアミノ化合物が一般式(IX)で表される1級アミノ化合物
    Figure 0004480827
    (式中、Ar5は芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、R13、R14、R15はそれぞれ異なって、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、アリール基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ジアリールアミノ基またはジアラルキルアミノ基を表し、q、r、sはそれぞれ同一でも異なってもよく0〜6の整数を表し、tは1または2を表す)であり、前記したトリアリールアミン誘導体が一般式(X)で表されるトリアリールアミン誘導体
    Figure 0004480827
    (式中、Ar4、Ar5、R10、R11、R12、R13、R14、R15、n、o、p、q、r、sおよびtは前記した定義と同一である)である、請求項1記載のトリアリールアミン誘導体の製造方法。
  4. 前記した一般式(III)で表される無機塩が、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸水素ナトリウム、ピロ亜硫酸ナトリウムである、請求項1〜請求項3記載のトリアリールアミン誘導体の製造方法。
JP37064199A 1998-12-25 1999-12-27 トリアリールアミン誘導体の製造方法 Expired - Lifetime JP4480827B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP37064199A JP4480827B2 (ja) 1998-12-25 1999-12-27 トリアリールアミン誘導体の製造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10-368390 1998-12-25
JP36839098 1998-12-25
JP37064199A JP4480827B2 (ja) 1998-12-25 1999-12-27 トリアリールアミン誘導体の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000239235A JP2000239235A (ja) 2000-09-05
JP4480827B2 true JP4480827B2 (ja) 2010-06-16

Family

ID=26581997

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP37064199A Expired - Lifetime JP4480827B2 (ja) 1998-12-25 1999-12-27 トリアリールアミン誘導体の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4480827B2 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1252034C (zh) * 1999-09-30 2006-04-19 出光兴产株式会社 胺化合物和使用该化合物的有机电致发光元件
JP4536365B2 (ja) * 2002-12-27 2010-09-01 保土谷化学工業株式会社 電子製品材料の製造方法
JP5261870B2 (ja) * 2004-10-20 2013-08-14 三菱化学株式会社 アミン化合物の製造方法
JP4857546B2 (ja) * 2004-11-02 2012-01-18 三菱化学株式会社 トリアリールアミン化合物の製造方法
EA200801063A1 (ru) * 2005-10-11 2008-12-30 Кемтура Корпорейшн Диароматические амины
CN101121668B (zh) * 2007-09-28 2011-01-19 中北大学 4,4’-二甲基三苯胺的合成方法
JP5587302B2 (ja) 2009-12-16 2014-09-10 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
CN104230720A (zh) * 2014-07-23 2014-12-24 常州创索新材料科技有限公司 一种合成n,n’,n",n"’-四(3-甲基苯基)-联苯胺方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6377843A (ja) * 1986-09-18 1988-04-08 Fuji Xerox Co Ltd N,n,n′,n′−テトラアリ−ルベンジジン化合物の製造方法
JPH0426659A (ja) * 1990-05-21 1992-01-29 Nippon Jiyouriyuu Kogyo Kk 含フッ素n,n,n’,n’―テトラアリールベンジジン誘導体およびその製造方法
JPH04173770A (ja) * 1990-11-08 1992-06-22 Nippon Jiyouriyuu Kogyo Kk フッ素化置換基含有トリフェニルアミン誘導体およびその製造方法
JPH04225940A (ja) * 1990-05-21 1992-08-14 Nippon Jiyouriyuu Kogyo Kk 含フッ素n,n,n′,n′−テトラアリールベンジジン誘導体およびその製造方法
JPH04261143A (ja) * 1990-11-15 1992-09-17 Ricoh Co Ltd 1―n,n―ジフェニルアミノピレン誘導体の製造法
JPH06192188A (ja) * 1992-12-25 1994-07-12 Copyer Co Ltd 2−n,n−ジアリ−ルアミノ−9,9−ジアルキルフルオレンの製造方法
JPH07101911A (ja) * 1993-10-04 1995-04-18 Ricoh Co Ltd 新規なピレン誘導体ならびにその製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6377843A (ja) * 1986-09-18 1988-04-08 Fuji Xerox Co Ltd N,n,n′,n′−テトラアリ−ルベンジジン化合物の製造方法
JPH0426659A (ja) * 1990-05-21 1992-01-29 Nippon Jiyouriyuu Kogyo Kk 含フッ素n,n,n’,n’―テトラアリールベンジジン誘導体およびその製造方法
JPH04225940A (ja) * 1990-05-21 1992-08-14 Nippon Jiyouriyuu Kogyo Kk 含フッ素n,n,n′,n′−テトラアリールベンジジン誘導体およびその製造方法
JPH04173770A (ja) * 1990-11-08 1992-06-22 Nippon Jiyouriyuu Kogyo Kk フッ素化置換基含有トリフェニルアミン誘導体およびその製造方法
JPH04261143A (ja) * 1990-11-15 1992-09-17 Ricoh Co Ltd 1―n,n―ジフェニルアミノピレン誘導体の製造法
JPH06192188A (ja) * 1992-12-25 1994-07-12 Copyer Co Ltd 2−n,n−ジアリ−ルアミノ−9,9−ジアルキルフルオレンの製造方法
JPH07101911A (ja) * 1993-10-04 1995-04-18 Ricoh Co Ltd 新規なピレン誘導体ならびにその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000239235A (ja) 2000-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH09323959A (ja) アリールアミンの製造方法及びウルマン縮合方法
JP2005306869A (ja) ヨード芳香族化合物を調製する方法及びヨード芳香族化合物の使用
JP4163274B2 (ja) アリールアミンの調製方法
JP4480827B2 (ja) トリアリールアミン誘導体の製造方法
JPS61183251A (ja) 4‐ニトロジフエニルアミン類の製造方法
EP1593665A1 (en) Method for producing aromatic diamine derivative
JP5651483B2 (ja) 芳香族アミノ化合物の製造方法
JP2684409B2 (ja) シアノ基および/またはハロゲン原子で置換されたアニリン類の製造方法およびその製造のために使用される化合物
JP2702262B2 (ja) ビス(3‐アミノフェノキシ)化合物の製造方法
JP4536365B2 (ja) 電子製品材料の製造方法
JP3262313B2 (ja) 電荷輸送化合物の製造方法及び得られた電荷輸送化合物を含有する電子写真感光体
JPS61167649A (ja) 4‐ニトロジフエニルアミンの製造方法
JPH07233106A (ja) モノヨウ素化芳香族化合物の製造方法
US20150158820A1 (en) Crystals containing unsaturated carboxylic acid amide compound and method for producing same
JP5546872B2 (ja) N,n,n’,n’−テトラアリールベンジジン誘導体の製造方法
JP2003055320A (ja) 芳香族ジアミン誘導体の製造方法
JPS597699B2 (ja) インドリン類の製造方法
JP3148556B2 (ja) 2−ビスアリールアミノ−9,9−ジアルキルフルオレンの製造方法
JP3890543B2 (ja) グアニジン類の製造方法
JP4389548B2 (ja) フルオレン骨格を有するアリールアミン誘導体と芳香族炭化水素との包接化合物、及びアリールアミン誘導体の分離精製方法。
JP2872444B2 (ja) 銅化合物含有ビス(4−アミノフェニル)スルホン系化合物の精製方法
JP4063420B2 (ja) 電子吸引基を有する芳香族アミノ化合物の製造方法
JPH11282180A (ja) 電荷輸送化合物の製造方法及び得られた電荷輸送化合物を含有する電子写真感光体
JPS5822022B2 (ja) フエニレンジアミン異性体混合物の処理方法
JP3647915B2 (ja) 2−アミノ−5−ニトロフェニル酢酸及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061211

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100216

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100316

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100317

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4480827

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140326

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term