JPH07101911A - 新規なピレン誘導体ならびにその製造方法 - Google Patents
新規なピレン誘導体ならびにその製造方法Info
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- JPH07101911A JPH07101911A JP27136093A JP27136093A JPH07101911A JP H07101911 A JPH07101911 A JP H07101911A JP 27136093 A JP27136093 A JP 27136093A JP 27136093 A JP27136093 A JP 27136093A JP H07101911 A JPH07101911 A JP H07101911A
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- compound
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- Luminescent Compositions (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】 下記一般式（Ｉ）で表わされるピレン誘導
体。 （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は、それぞれハロゲン原子、シ
アノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、アミノ基、
置換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、ある
いはアリール基を表わし、ｌは０〜９の整数、ｍは０〜
４の整数、ｎは０〜５の整数を表わす。Ｒ1、Ｒ2、
Ｒ3、ｍ、ｎの各々は同一でも異なっていてもよい。）
およびその製造中間体、及びそれらの製造方法を提供す
る。 【効果】 これらのピレン誘導体は有機電界発光素子を
構成する発光材料、ホール輸送材料として有用である。
体。 （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は、それぞれハロゲン原子、シ
アノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、アミノ基、
置換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、ある
いはアリール基を表わし、ｌは０〜９の整数、ｍは０〜
４の整数、ｎは０〜５の整数を表わす。Ｒ1、Ｒ2、
Ｒ3、ｍ、ｎの各々は同一でも異なっていてもよい。）
およびその製造中間体、及びそれらの製造方法を提供す
る。 【効果】 これらのピレン誘導体は有機電界発光素子を
構成する発光材料、ホール輸送材料として有用である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、新規で電界発光素子用
材料として有用なピレン誘導体、その製造中間体ならび
にその製造方法に関するものである。
材料として有用なピレン誘導体、その製造中間体ならび
にその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報機器の多様化に伴い、液晶や
プラズマディスプレイ等に続く新たな平面表示素子とし
て、低消費電力でかつ高い発光輝度を有し、自己発光型
であるため鮮明な表示が可能な有機電界発光素子への期
待が高まっている。有機電界発光素子における素子構成
の検討や材料の探索等の多くの研究が行われてきた結
果、最近では、１０Ｖ程度の駆動電圧で１０００ｃｄ／
ｍ2以上の高い発光輝度を有する素子が得られている。
しかし、連続駆動を行った場合、数時間で輝度の低下と
駆動電圧の上昇を引き起こし、実用化する上で十分な耐
久性は得られていない。耐久性が低い原因の一つに、素
子を構成する有機化合物の結晶化が挙げられる。有機Ｅ
Ｌ素子の実用化のためには耐久性の向上が必要不可欠で
あり、そのためにはアモルファス状態の安定性や製膜性
等に優れた新規な材料の開発が望まれている。
プラズマディスプレイ等に続く新たな平面表示素子とし
て、低消費電力でかつ高い発光輝度を有し、自己発光型
であるため鮮明な表示が可能な有機電界発光素子への期
待が高まっている。有機電界発光素子における素子構成
の検討や材料の探索等の多くの研究が行われてきた結
果、最近では、１０Ｖ程度の駆動電圧で１０００ｃｄ／
ｍ2以上の高い発光輝度を有する素子が得られている。
しかし、連続駆動を行った場合、数時間で輝度の低下と
駆動電圧の上昇を引き起こし、実用化する上で十分な耐
久性は得られていない。耐久性が低い原因の一つに、素
子を構成する有機化合物の結晶化が挙げられる。有機Ｅ
Ｌ素子の実用化のためには耐久性の向上が必要不可欠で
あり、そのためにはアモルファス状態の安定性や製膜性
等に優れた新規な材料の開発が望まれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、有機電界発
光素子用材料として、安定した製膜性と発光性能が長時
間にわたって持続する耐久性に優れた電界発光素子用材
料として有用な材料、その製造中間体及びその製造方法
を提供することにある。
光素子用材料として、安定した製膜性と発光性能が長時
間にわたって持続する耐久性に優れた電界発光素子用材
料として有用な材料、その製造中間体及びその製造方法
を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するため鋭意検討した結果、ある特定な構造を有
するピレン誘導体が有効であることを見い出した。すな
わち、本発明によれば、下記一般式（Ｉ）（化１）で表
わされるピレン誘導体が提供され、
を解決するため鋭意検討した結果、ある特定な構造を有
するピレン誘導体が有効であることを見い出した。すな
わち、本発明によれば、下記一般式（Ｉ）（化１）で表
わされるピレン誘導体が提供され、
【化１】 （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は、それぞれハロゲン原子、シ
アノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、アミノ基、
置換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、ある
いはアリール基を表わし、ｌは０〜９の整数、ｍは０〜
４の整数、ｎは０〜５の整数を表わす。Ｒ1、Ｒ2、
Ｒ3、ｍ、ｎの各々は同一でも異なっていてもよい。）
また、下記一般式（ＩＩ）（化２）で表わされるジアミ
ノ化合物が提供され、
アノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、アミノ基、
置換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、ある
いはアリール基を表わし、ｌは０〜９の整数、ｍは０〜
４の整数、ｎは０〜５の整数を表わす。Ｒ1、Ｒ2、
Ｒ3、ｍ、ｎの各々は同一でも異なっていてもよい。）
また、下記一般式（ＩＩ）（化２）で表わされるジアミ
ノ化合物が提供され、
【化２】 （式中、Ｒ1、Ｒ2は、それぞれハロゲン原子、シアノ
基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、アミノ基、置換
もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、あるいは
アリール基を表わし、ｌは０〜９の整数、ｍは０〜４の
整数を表わす。但し、Ｒ1、Ｒ2、ｍの各々は同一でも異
なっていてもよい。）また、下記一般式（ＩＩＩ）（化
３）で表わされるジニトロ化合物が提供される。
基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、アミノ基、置換
もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、あるいは
アリール基を表わし、ｌは０〜９の整数、ｍは０〜４の
整数を表わす。但し、Ｒ1、Ｒ2、ｍの各々は同一でも異
なっていてもよい。）また、下記一般式（ＩＩＩ）（化
３）で表わされるジニトロ化合物が提供される。
【化３】 （式中、Ｒ1、Ｒ2は、それぞれハロゲン原子、シアノ
基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、アミノ基、置換
もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、あるいは
アリール基を表わし、ｌは０〜９の整数、ｍは０〜４の
整数を表わす。但し、Ｒ1、Ｒ2、ｍの各々は同一でも異
なっていてもよい。）また、本発明によれば上記一般式
（ＩＩ）（化２）で表わされるジアミン化合物と、下記
一般式（ＩＶ）（化４）
基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、アミノ基、置換
もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、あるいは
アリール基を表わし、ｌは０〜９の整数、ｍは０〜４の
整数を表わす。但し、Ｒ1、Ｒ2、ｍの各々は同一でも異
なっていてもよい。）また、本発明によれば上記一般式
（ＩＩ）（化２）で表わされるジアミン化合物と、下記
一般式（ＩＶ）（化４）
【化４】 （式中、Ｘはハロゲン原子を表わし、Ｒ3はハロゲン原
子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、アミ
ノ基、置換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ
基、あるいはアリール基を表わし、ｎは０〜５の整数を
表わす。）で表わされるハロベンゼン化合物とを反応さ
せることを特徴とする、上記一般式（Ｉ）（化１）で表
わされるピレン誘導体の製造方法が提供され、また、上
記一般式（ＩＩＩ）（化３）で表わされるジニトロ化合
物を還元することを特徴とする、上記一般式（ＩＩ）
（化２）で表わされるジアミン化合物の製造方法が提供
され、更には下記一般式（Ｖ）（化５）で表わされるア
ミノピレン化合物と、下記一般式（ＶＩ）（化６）で表
わされる４’−ハロゲノ−４−ニトロ−１，１’−ビフ
ェニルとを反応させることを特徴とする、上記一般式
（ＩＩＩ）（化３）で表わされるジニトロ化合物の製造
方法が提供される。
子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、アミ
ノ基、置換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ
基、あるいはアリール基を表わし、ｎは０〜５の整数を
表わす。）で表わされるハロベンゼン化合物とを反応さ
せることを特徴とする、上記一般式（Ｉ）（化１）で表
わされるピレン誘導体の製造方法が提供され、また、上
記一般式（ＩＩＩ）（化３）で表わされるジニトロ化合
物を還元することを特徴とする、上記一般式（ＩＩ）
（化２）で表わされるジアミン化合物の製造方法が提供
され、更には下記一般式（Ｖ）（化５）で表わされるア
ミノピレン化合物と、下記一般式（ＶＩ）（化６）で表
わされる４’−ハロゲノ−４−ニトロ−１，１’−ビフ
ェニルとを反応させることを特徴とする、上記一般式
（ＩＩＩ）（化３）で表わされるジニトロ化合物の製造
方法が提供される。
【化５】 （式中、Ｒ1はハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ト
リフルオロメチル基、アミノ基、置換もしくは無置換の
アルキル基、アルコキシ基、あるいはアリール基を表わ
し、ｌは０〜９の整数を表わす。）
リフルオロメチル基、アミノ基、置換もしくは無置換の
アルキル基、アルコキシ基、あるいはアリール基を表わ
し、ｌは０〜９の整数を表わす。）
【化６】 （式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ2はハロゲン原
子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、置換もしくは無置
換のアルキル基、アルコキシ基、あるいはアリール基を
表わし、ｍは０〜４の整数を表わす。）
子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、置換もしくは無置
換のアルキル基、アルコキシ基、あるいはアリール基を
表わし、ｍは０〜４の整数を表わす。）
【０００５】前記一般式（Ｉ）（化１）及び一般式（Ｉ
Ｉ）（化２）、一般式（ＩＩＩ）（化３）、一般式（Ｉ
Ｖ）（化４）、一般式（Ｖ）（化５）、一般式（ＶＩ）
（化６）におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ3としては、具体的には
以下のものが挙げられる。（１）水素原子、ハロゲン原
子、シアノ基、ニトロ基。 （２）アルキル基；好ましくはＣ1〜Ｃ6とりわけＣ1〜
Ｃ4の直鎖または分岐鎖のアルキル基である。 （３）アリール基；芳香族炭化水素基あるいは芳香族複
素環基であり、フェニル、ビフェニル、ターフェニル、
ナフチル、アントリル、アセナフテニル、フルオレニ
ル、フェナントリル、インデニル、ピレニル、ピリジ
ル、ピリミジル、フラニル、ピロニル、チオフェニル、
キノリル、ベンゾフラニル、ベンゾチオフェニル、イン
ドリル、カルバゾリル、ベンゾオキサゾリル、キノキサ
リル、ベンゾイミダゾリル、ピラゾリル、ジベンゾフラ
ニル、ジベンゾチオフェニル等を表わす。さらにこれら
のアリール基は、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、ト
リフルオロメチル基、ニトロ基、アルキル基、アルコキ
シ基、アミノ基等で置換されていても良い。 （４）アルコキシ基（−ＯＲ4）；Ｒ4は（２）に定義し
たアルキル基を示す。 （５）−ＮＲ5Ｒ6；式中Ｒ5及びＲ6は各々独立に水素原
子、（２）で定義したアルキル基、アセチル基、べンゾ
イル基等のアシル基、または（３）で定義したアリール
基を表わし、またピペリジル基、モルホリル基のよう
に、Ｒ5とＲ6が窒素原子と共同で環を形成してもよい。
またユロリジル基のようにアリール基上の炭素原子と共
同で環を形成してもよい。
Ｉ）（化２）、一般式（ＩＩＩ）（化３）、一般式（Ｉ
Ｖ）（化４）、一般式（Ｖ）（化５）、一般式（ＶＩ）
（化６）におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ3としては、具体的には
以下のものが挙げられる。（１）水素原子、ハロゲン原
子、シアノ基、ニトロ基。 （２）アルキル基；好ましくはＣ1〜Ｃ6とりわけＣ1〜
Ｃ4の直鎖または分岐鎖のアルキル基である。 （３）アリール基；芳香族炭化水素基あるいは芳香族複
素環基であり、フェニル、ビフェニル、ターフェニル、
ナフチル、アントリル、アセナフテニル、フルオレニ
ル、フェナントリル、インデニル、ピレニル、ピリジ
ル、ピリミジル、フラニル、ピロニル、チオフェニル、
キノリル、ベンゾフラニル、ベンゾチオフェニル、イン
ドリル、カルバゾリル、ベンゾオキサゾリル、キノキサ
リル、ベンゾイミダゾリル、ピラゾリル、ジベンゾフラ
ニル、ジベンゾチオフェニル等を表わす。さらにこれら
のアリール基は、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、ト
リフルオロメチル基、ニトロ基、アルキル基、アルコキ
シ基、アミノ基等で置換されていても良い。 （４）アルコキシ基（−ＯＲ4）；Ｒ4は（２）に定義し
たアルキル基を示す。 （５）−ＮＲ5Ｒ6；式中Ｒ5及びＲ6は各々独立に水素原
子、（２）で定義したアルキル基、アセチル基、べンゾ
イル基等のアシル基、または（３）で定義したアリール
基を表わし、またピペリジル基、モルホリル基のよう
に、Ｒ5とＲ6が窒素原子と共同で環を形成してもよい。
またユロリジル基のようにアリール基上の炭素原子と共
同で環を形成してもよい。
【０００６】本発明の前記一般式（化１）で表わされる
有機化合物の具体例を次の表１に示す。
有機化合物の具体例を次の表１に示す。
【表１−（１）】
【表１−（２）】
【０００７】本発明における前記一般式（Ｉ）（化１）
で表わされるピレン誘導体及びその原料である前記一般
式（ＩＩ）（化２）で示されるジアミノ化合物並びに前
記一般式（ＩＩＩ）（化３）で示されるジニトロ化合物
はいずれも新規物質であり、下記の方法によって製造す
ることができる。
で表わされるピレン誘導体及びその原料である前記一般
式（ＩＩ）（化２）で示されるジアミノ化合物並びに前
記一般式（ＩＩＩ）（化３）で示されるジニトロ化合物
はいずれも新規物質であり、下記の方法によって製造す
ることができる。
【０００８】すなわち、前記一般式（Ｉ）で表わされる
ピレン化合物は、前記一般式（ＩＩ）（化２）で示され
るジアミノ化合物と前記一般式（ＩＶ）（化４）で示さ
れるハロベンゼン化合物とを、銅粉、酸化銅あるいはハ
ロゲン化銅等の存在下に、縮合反応中に生じるハロゲン
化水素を中和するのに十分な量のアルカリ塩を加え、溶
媒の存在下あるいは無溶媒下で窒素雰囲気下において１
５０〜２５０℃程度の温度で反応させることによって製
造することができる。この場合、アルカリ塩としては、
苛性ソーダ、苛性カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリ
ウム等を挙げることができる。また、反応溶媒として
は、ニトロベンゼン、ジクロルベンゼン、キノリン、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イ
ミダゾリジン等を挙げることができる。
ピレン化合物は、前記一般式（ＩＩ）（化２）で示され
るジアミノ化合物と前記一般式（ＩＶ）（化４）で示さ
れるハロベンゼン化合物とを、銅粉、酸化銅あるいはハ
ロゲン化銅等の存在下に、縮合反応中に生じるハロゲン
化水素を中和するのに十分な量のアルカリ塩を加え、溶
媒の存在下あるいは無溶媒下で窒素雰囲気下において１
５０〜２５０℃程度の温度で反応させることによって製
造することができる。この場合、アルカリ塩としては、
苛性ソーダ、苛性カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリ
ウム等を挙げることができる。また、反応溶媒として
は、ニトロベンゼン、ジクロルベンゼン、キノリン、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イ
ミダゾリジン等を挙げることができる。
【０００９】また、、前記一般式（ＩＩ）で表わされる
ジアミノ化合物は、前記一般式（ＩＩＩ）で表わされる
ジニトロ化合物を不均一系触媒を用いた水素添加法等で
還元することによって製造することができる。不均一系
触媒としては、白金化合物、ラネーニッケル、あるいは
活性炭、アルミナもしくは硫酸バリウム等に担持された
白金、パラジウム、ロジウム、もしくはルテニウム等が
用いられる。この系では、反応系を密閉系とし、気相部
を一気圧の水素ガスで置換して激しく撹拌することによ
り反応させる。吸収された量に応じて水素ガスが供給さ
れる減圧弁を介して水素ガスを供給する。理論量の水素
ガスを吸収した時点で吸収が停止するので、これを反応
終了とする。この場合、反応温度は室温で良いが、水素
ガスの吸収が遅い場合は加温しても良い。また、反応溶
媒には、メタノール、エタノール、プロパノール、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン、酢酸エチル等を使用する
ことができる。また、他の還元反応としては、鉄−塩
酸、塩化第一錫−塩酸等を還元剤として、有機溶媒中で
加熱する方法を挙げることができる。この場合、反応温
度としては７０〜１２０℃が好ましく、反応は約０．５
〜３時間で完成する。なお、鉄−塩酸還元剤を用いた場
合は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド中で行なうことが
好ましい。
ジアミノ化合物は、前記一般式（ＩＩＩ）で表わされる
ジニトロ化合物を不均一系触媒を用いた水素添加法等で
還元することによって製造することができる。不均一系
触媒としては、白金化合物、ラネーニッケル、あるいは
活性炭、アルミナもしくは硫酸バリウム等に担持された
白金、パラジウム、ロジウム、もしくはルテニウム等が
用いられる。この系では、反応系を密閉系とし、気相部
を一気圧の水素ガスで置換して激しく撹拌することによ
り反応させる。吸収された量に応じて水素ガスが供給さ
れる減圧弁を介して水素ガスを供給する。理論量の水素
ガスを吸収した時点で吸収が停止するので、これを反応
終了とする。この場合、反応温度は室温で良いが、水素
ガスの吸収が遅い場合は加温しても良い。また、反応溶
媒には、メタノール、エタノール、プロパノール、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン、酢酸エチル等を使用する
ことができる。また、他の還元反応としては、鉄−塩
酸、塩化第一錫−塩酸等を還元剤として、有機溶媒中で
加熱する方法を挙げることができる。この場合、反応温
度としては７０〜１２０℃が好ましく、反応は約０．５
〜３時間で完成する。なお、鉄−塩酸還元剤を用いた場
合は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド中で行なうことが
好ましい。
【００１０】さらに、前記一般式（ＩＩＩ）で示される
ジニトロ化合物は前記一般式（Ｖ）で表わされるアミノ
ピレン化合物と前記一般式（ＶＩ）で表わされる４’−
ハロゲノ−４−ニトロ−１，１’−ビフェニルに銅粉あ
るいはハロゲン化銅等と縮合反応中に生じるハロゲン化
水素を中和するのに充分な量のアルカリ塩とを加え、溶
媒存在下または無溶媒下で窒素雰囲気中において加熱す
ることによって製造することができる。この場合、アル
カリ塩としては、苛性ソーダ、苛性カリウム、炭酸ナト
リウム、炭酸カリウム等を挙げることができる。また、
反応溶媒としては、ニトロベンゼン、ジクロルベンゼ
ン、キノリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメ
チル−２−イミダゾリジノン等を挙げることができる。
ジニトロ化合物は前記一般式（Ｖ）で表わされるアミノ
ピレン化合物と前記一般式（ＶＩ）で表わされる４’−
ハロゲノ−４−ニトロ−１，１’−ビフェニルに銅粉あ
るいはハロゲン化銅等と縮合反応中に生じるハロゲン化
水素を中和するのに充分な量のアルカリ塩とを加え、溶
媒存在下または無溶媒下で窒素雰囲気中において加熱す
ることによって製造することができる。この場合、アル
カリ塩としては、苛性ソーダ、苛性カリウム、炭酸ナト
リウム、炭酸カリウム等を挙げることができる。また、
反応溶媒としては、ニトロベンゼン、ジクロルベンゼ
ン、キノリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメ
チル−２−イミダゾリジノン等を挙げることができる。
【００１１】本発明で得られる前記一般式（Ｉ）で示さ
れる新規なピレン誘導体は、上記の通り、縮合反応及び
還元反応によって得られるので、工業的に極めて有利で
ある。また、このものは、真空蒸着法や溶液塗布法等に
よって薄膜化し、陽極及び陰極で直接または間接的に狭
持することにより素子を得ることができ、有機電界発光
素子の構成成分として極めて有用である。
れる新規なピレン誘導体は、上記の通り、縮合反応及び
還元反応によって得られるので、工業的に極めて有利で
ある。また、このものは、真空蒸着法や溶液塗布法等に
よって薄膜化し、陽極及び陰極で直接または間接的に狭
持することにより素子を得ることができ、有機電界発光
素子の構成成分として極めて有用である。
【００１２】
【実施例】以下、実施例に基づいて、本発明をより具体
的に説明する。 実施例１（前記表１の化合物Ｎｏ．４の合成） Ｎ，Ｎ−ビス｛４’−アミノ（１，１’−ビフェニル）
−４−イル｝−１−アミノピレン３．６０ｇ（６．５３
ミリモル）、ｐ−ヨードトルエン４５．００ｇ（０．２
１モル）、銅粉０．４２ｇ及び炭酸カリウム７．２２ｇ
を窒素気流下、エステル管で共沸脱水しながら、２１１
〜２１２℃で５９時間撹拌した。室温まで放冷後、セラ
イトを用いて濾過し、瀘液にクロロホルムを加え、クロ
ロホルム層を水洗し、次いで硫酸マグネシウムで乾燥
し、更に減圧濃縮して、暗褐色の油状物を得た。これを
トルエンとｎ−ヘキサンの混合溶媒から再結晶を行い、
瀘液を数回にわたってシリカゲルカラム精製（トルエン
／Ｎ−ヘキサン（１：１）混合溶媒及びトルエン／シク
ロヘキサン（１：２）混合溶媒）することによって、黄
色結晶の下記構造式（ＶＩＩ）に示されるピレン化合物
１．３４ｇ（収率２２．３％）を得た。
的に説明する。 実施例１（前記表１の化合物Ｎｏ．４の合成） Ｎ，Ｎ−ビス｛４’−アミノ（１，１’−ビフェニル）
−４−イル｝−１−アミノピレン３．６０ｇ（６．５３
ミリモル）、ｐ−ヨードトルエン４５．００ｇ（０．２
１モル）、銅粉０．４２ｇ及び炭酸カリウム７．２２ｇ
を窒素気流下、エステル管で共沸脱水しながら、２１１
〜２１２℃で５９時間撹拌した。室温まで放冷後、セラ
イトを用いて濾過し、瀘液にクロロホルムを加え、クロ
ロホルム層を水洗し、次いで硫酸マグネシウムで乾燥
し、更に減圧濃縮して、暗褐色の油状物を得た。これを
トルエンとｎ−ヘキサンの混合溶媒から再結晶を行い、
瀘液を数回にわたってシリカゲルカラム精製（トルエン
／Ｎ−ヘキサン（１：１）混合溶媒及びトルエン／シク
ロヘキサン（１：２）混合溶媒）することによって、黄
色結晶の下記構造式（ＶＩＩ）に示されるピレン化合物
１．３４ｇ（収率２２．３％）を得た。
【化７】 またこの元素分析値はＣ68Ｈ53Ｎ3として下記の通りで
あった。 この化合物の赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を
図１に示す。
あった。 この化合物の赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を
図１に示す。
【００１３】実施例２（Ｎ，Ｎ−ビス｛４’−アミノ
（１，１’−ビフェニル）−４−イル｝−１−アミノピ
レンの合成） Ｎ，Ｎ−ビス｛４’−ニトロ（１，１’−ビフェニル）
−４−イル｝−１−アミノピレン４．１５ｇ（６．７８
ミリモル）をテトラヒドロフラン８３ｍｌに溶かし、こ
れに５％パラジウム−炭素０．４２ｇを加えて、室温１
６℃、水素圧一気圧で振とう式水素化装置にて水素化を
行った。水素化終了後セライトを用いて濾過し、瀘液を
減圧濃縮して粗収物を得た。これをシリカゲルカラム処
理（トルエン／酢酸エチル（１：２）混合溶媒）し、メ
タノールで還流攪拌して、下記構造式（ＶＩＩＩ）で示
されるジアミノ化合物３．６４ｇ（収率９８．４％）を
得た。
（１，１’−ビフェニル）−４−イル｝−１−アミノピ
レンの合成） Ｎ，Ｎ−ビス｛４’−ニトロ（１，１’−ビフェニル）
−４−イル｝−１−アミノピレン４．１５ｇ（６．７８
ミリモル）をテトラヒドロフラン８３ｍｌに溶かし、こ
れに５％パラジウム−炭素０．４２ｇを加えて、室温１
６℃、水素圧一気圧で振とう式水素化装置にて水素化を
行った。水素化終了後セライトを用いて濾過し、瀘液を
減圧濃縮して粗収物を得た。これをシリカゲルカラム処
理（トルエン／酢酸エチル（１：２）混合溶媒）し、メ
タノールで還流攪拌して、下記構造式（ＶＩＩＩ）で示
されるジアミノ化合物３．６４ｇ（収率９８．４％）を
得た。
【化８】 得られた化合物の元素分析値はＣ40Ｈ29Ｎ3として下記
の通りであった。 この化合物の赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を
図２に示す。
の通りであった。 この化合物の赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を
図２に示す。
【００１４】実施例３（Ｎ，Ｎ−ビス｛４’−ニトロ
（１，１’−ビフェニル）−４−イル｝−１−アミノピ
レンの合成） １−アミノピレン３．００ｇ（１３．８１ミリモル）、
４’−ヨード−４−ニトロ−１，１’−ビフェニル８．
９８ｇ（２７．６２ミリモル）、銅粉０．８８ｇ及び炭
酸カリウム１５．２７ｇにニトロベンゼン７５ｍｌを加
え、窒素気流下、エステル管で共沸脱水しながら、２０
５℃で６時間攪拌した。室温まで放冷後、セライトを用
いて濾過し、瀘液から減圧下にてニトロベンゼンを留去
した後、残渣物をクロロホルムで抽出、水洗し、硫酸マ
グネシウムによる乾燥後減圧濃縮して粗収物を得た。こ
れをシリカゲルカラム処理（トルエン）し、エタノール
／トルエン混合溶媒から再結晶して下式に示されるジニ
トロ化合物４．２５ｇ（収率５０．３％）を得た。融点
は２６３．０〜２６４．０℃であった。
（１，１’−ビフェニル）−４−イル｝−１−アミノピ
レンの合成） １−アミノピレン３．００ｇ（１３．８１ミリモル）、
４’−ヨード−４−ニトロ−１，１’−ビフェニル８．
９８ｇ（２７．６２ミリモル）、銅粉０．８８ｇ及び炭
酸カリウム１５．２７ｇにニトロベンゼン７５ｍｌを加
え、窒素気流下、エステル管で共沸脱水しながら、２０
５℃で６時間攪拌した。室温まで放冷後、セライトを用
いて濾過し、瀘液から減圧下にてニトロベンゼンを留去
した後、残渣物をクロロホルムで抽出、水洗し、硫酸マ
グネシウムによる乾燥後減圧濃縮して粗収物を得た。こ
れをシリカゲルカラム処理（トルエン）し、エタノール
／トルエン混合溶媒から再結晶して下式に示されるジニ
トロ化合物４．２５ｇ（収率５０．３％）を得た。融点
は２６３．０〜２６４．０℃であった。
【化９】 またこの化合物の元素分析値はＣ40Ｈ25Ｎ3Ｏ4として下
記の通りであった。 この化合物の赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を
図３に示す。
記の通りであった。 この化合物の赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を
図３に示す。
【００１５】実施例４（前記表１の化合物Ｎｏ．２の合
成） Ｎ，Ｎ−ビス｛４’−アミノ（１，１’−ビフェニル）
−４−イル｝−１−アミノピレン５．００ｇ（９．０６
ミリモル）、オルトヨ−ドトルエン５５．００ｇ（０．
２５モル）、銅粉０．５８ｇ及び炭酸カリウム１０．０
２ｇを窒素気流下、エステル管で共沸脱水しながら、２
０３〜２０４℃で５３時間撹拌した。室温まで放冷後、
セライトを用いて濾過し、濾液を減圧濃縮した後クロロ
ホルムにて溶解し、クロロホルム層を水洗した。次いで
硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して、黄褐色の油
状物を得た。これを数回にわたりシリカゲルカラム精製
（トルエン／シクロヘキサン（１：２）混合溶媒）を用
い、メタノール洗浄を行うことによって黄色粉末の下式
に示されるアミノピレン化合物４．６５ｇ（収率５６．
３％）を得た。融点は１８７．０〜１９７．０℃であっ
た。
成） Ｎ，Ｎ−ビス｛４’−アミノ（１，１’−ビフェニル）
−４−イル｝−１−アミノピレン５．００ｇ（９．０６
ミリモル）、オルトヨ−ドトルエン５５．００ｇ（０．
２５モル）、銅粉０．５８ｇ及び炭酸カリウム１０．０
２ｇを窒素気流下、エステル管で共沸脱水しながら、２
０３〜２０４℃で５３時間撹拌した。室温まで放冷後、
セライトを用いて濾過し、濾液を減圧濃縮した後クロロ
ホルムにて溶解し、クロロホルム層を水洗した。次いで
硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して、黄褐色の油
状物を得た。これを数回にわたりシリカゲルカラム精製
（トルエン／シクロヘキサン（１：２）混合溶媒）を用
い、メタノール洗浄を行うことによって黄色粉末の下式
に示されるアミノピレン化合物４．６５ｇ（収率５６．
３％）を得た。融点は１８７．０〜１９７．０℃であっ
た。
【化１０】 また、この元素分析値はＣ68Ｈ53Ｎ3として下記の通り
であった。 この化合物の赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を図
４に示す。
であった。 この化合物の赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を図
４に示す。
【００１６】実施例５（前記表１の化合物Ｎｏ．１０の
合成） Ｎ，Ｎ−ビス｛４’−アミノ（１，１’−ビフェニル）
−４−イル｝−１−アミノピレン４．７０ｇ（８．５２
ミリモル）、４−ヨ−ドアニソール５０．００ｇ（０．
２１モル）、銅粉０．５４ｇ及び炭酸カリウム９．４２
ｇを窒素気流下、エステル管で共沸脱水しながら、２１
４〜２１５℃で４４時間撹拌した。室温まで放冷後、セ
ライトを用いて濾過し、濾液を減圧濃縮した後クロロホ
ルムにて溶解し、クロロホルム層を水洗した。次いで硫
酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して、赤褐色の油状
物を得た。これをシリカゲルカラム精製（トルエン）
し、酢酸エチルとエタノールの混合溶媒から再沈殿を行
い、メタノール洗浄を行うことによって黄色粉末の下式
に示されるアミノピレン化合物５．２５ｇ（収率６３．
３％）を得た。融点は１６８．０〜１７８．０であっ
た。
合成） Ｎ，Ｎ−ビス｛４’−アミノ（１，１’−ビフェニル）
−４−イル｝−１−アミノピレン４．７０ｇ（８．５２
ミリモル）、４−ヨ−ドアニソール５０．００ｇ（０．
２１モル）、銅粉０．５４ｇ及び炭酸カリウム９．４２
ｇを窒素気流下、エステル管で共沸脱水しながら、２１
４〜２１５℃で４４時間撹拌した。室温まで放冷後、セ
ライトを用いて濾過し、濾液を減圧濃縮した後クロロホ
ルムにて溶解し、クロロホルム層を水洗した。次いで硫
酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して、赤褐色の油状
物を得た。これをシリカゲルカラム精製（トルエン）
し、酢酸エチルとエタノールの混合溶媒から再沈殿を行
い、メタノール洗浄を行うことによって黄色粉末の下式
に示されるアミノピレン化合物５．２５ｇ（収率６３．
３％）を得た。融点は１６８．０〜１７８．０であっ
た。
【化１１】 また、この元素分析値はＣ68Ｈ53Ｎ3Ｏ4として下記の通
りであった。 この化合物の赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を図
５に示す。
りであった。 この化合物の赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を図
５に示す。
【００１７】応用例１ 表面抵抗２０Ω／□のＩＴＯ陽極を有するガラス基板上
に下記構造式（ＸＩＩ）（化１２）で示されるトリフェ
ニルアミン誘導体より成る厚さ４０ｎｍのホール輸送
層、前記表１の化合物Ｎｏ．４より成る厚さ１５ｎｍの
発光層、下記構造式（ＸＩＩＩ）（化１３）で示される
オキサジアゾール誘導体より成る厚さ２０ｎｍの電子輸
送層、下記構造式（ＸＩＶ）（化１４）で示されるＡｌ
ｑ3より成る厚さ２５ｎｍの電子注入層、原子比１０：
１のＭｇＡｇ合金より成る厚さ２００ｎｍの陰極を順次
真空蒸着により積層して、電界発光素子を作製した。蒸
着時の真空度は約０．７×１０-6Ｔｏｒｒであり、基板
温度は室温である。この様にして作製した素子の陽極及
び陰極にリード線を介して直流電源を接続したところ、
電流密度１００ｍＡ／ｃｍ2において印加電圧が９．７
Ｖであり、緑色の明瞭な発光が長時間にわたって確認さ
れた。この時の発光波長は、５０２ｎｍにピークを有
し、輝度は１１５０ｃｄ／ｍ2であった。なお、この素
子は一か月室温保存後においても明瞭な発光が認められ
た。
に下記構造式（ＸＩＩ）（化１２）で示されるトリフェ
ニルアミン誘導体より成る厚さ４０ｎｍのホール輸送
層、前記表１の化合物Ｎｏ．４より成る厚さ１５ｎｍの
発光層、下記構造式（ＸＩＩＩ）（化１３）で示される
オキサジアゾール誘導体より成る厚さ２０ｎｍの電子輸
送層、下記構造式（ＸＩＶ）（化１４）で示されるＡｌ
ｑ3より成る厚さ２５ｎｍの電子注入層、原子比１０：
１のＭｇＡｇ合金より成る厚さ２００ｎｍの陰極を順次
真空蒸着により積層して、電界発光素子を作製した。蒸
着時の真空度は約０．７×１０-6Ｔｏｒｒであり、基板
温度は室温である。この様にして作製した素子の陽極及
び陰極にリード線を介して直流電源を接続したところ、
電流密度１００ｍＡ／ｃｍ2において印加電圧が９．７
Ｖであり、緑色の明瞭な発光が長時間にわたって確認さ
れた。この時の発光波長は、５０２ｎｍにピークを有
し、輝度は１１５０ｃｄ／ｍ2であった。なお、この素
子は一か月室温保存後においても明瞭な発光が認められ
た。
【化１２】
【化１３】
【化１４】
【００１８】応用例２ 表面抵抗２０Ω／□のＩＴＯ陽極を有するガラス基板上
に前記構造式（ＸＩＩ）（化１２）で示されるトリフェ
ニルアミン誘導体より成る厚さ４０ｎｍのホール輸送
層、前記表１の化合物Ｎｏ．２より成る厚さ１５ｎｍの
発光層、前記構造式（ＸＩＩＩ）（化１３）で示される
オキサジアゾール誘導体より成る厚さ２０ｎｍの電子輸
送層、前記構造式（ＸＩＶ）（化１４）で示されるＡｌ
ｑ3より成る厚さ２５ｎｍの電子注入層、原子比１０：
１のＭｇＡｇ合金より成る厚さ２００ｎｍの陰極を順次
真空蒸着により積層して、電界発光素子を作製した。蒸
着時の真空度は約０．７×１０-6Ｔｏｒｒであり、基板
温度は室温である。この様にして作製した素子の陽極及
び陰極にリード線を介して直流電源を接続したところ、
電流密度１００ｍＡ／ｃｍ2において印加電圧が９．０
Ｖであり、緑色の明瞭な発光が長時間にわたって確認さ
れた。この時の発光波長は、５００ｎｍにピークを有
し、輝度は１７００ｃｄ／ｍ2であった。なお、この素
子は一か月室温保存後においても明瞭な発光が認められ
た。
に前記構造式（ＸＩＩ）（化１２）で示されるトリフェ
ニルアミン誘導体より成る厚さ４０ｎｍのホール輸送
層、前記表１の化合物Ｎｏ．２より成る厚さ１５ｎｍの
発光層、前記構造式（ＸＩＩＩ）（化１３）で示される
オキサジアゾール誘導体より成る厚さ２０ｎｍの電子輸
送層、前記構造式（ＸＩＶ）（化１４）で示されるＡｌ
ｑ3より成る厚さ２５ｎｍの電子注入層、原子比１０：
１のＭｇＡｇ合金より成る厚さ２００ｎｍの陰極を順次
真空蒸着により積層して、電界発光素子を作製した。蒸
着時の真空度は約０．７×１０-6Ｔｏｒｒであり、基板
温度は室温である。この様にして作製した素子の陽極及
び陰極にリード線を介して直流電源を接続したところ、
電流密度１００ｍＡ／ｃｍ2において印加電圧が９．０
Ｖであり、緑色の明瞭な発光が長時間にわたって確認さ
れた。この時の発光波長は、５００ｎｍにピークを有
し、輝度は１７００ｃｄ／ｍ2であった。なお、この素
子は一か月室温保存後においても明瞭な発光が認められ
た。
【００１９】応用例３ 表面抵抗２０Ω／□のＩＴＯ陽極を有するガラス基板上
に前記構造式（ＸＩＩ）（化１２）で示されるトリフェ
ニルアミン誘導体より成る厚さ４０ｎｍのホール輸送
層、前記表１の化合物Ｎｏ．１０より成る厚さ１５ｎｍ
の発光層、下記構造式（ＸＶ）（化１５）で示されるオ
キサジアゾール誘導体より成る厚さ２０ｎｍの電子輸送
層、前記構造式（ＸＩＩ）（化１２）で示されるＡｌｑ
3より成る厚さ２５ｎｍの電子注入層、原子比１０：１
のＭｇＡｇ合金より成る厚さ２００ｎｍの陰極を順次真
空蒸着により積層して、電界発光素子を作製した。蒸着
時の真空度は約０．７×１０-6Ｔｏｒｒであり、基板温
度は室温である。この様にして作製した素子の陽極及び
陰極にリード線を介して直流電源を接続したところ、電
流密度１００ｍＡ／ｃｍ2において印加電圧が１２．３
Ｖであり、緑色の明瞭な発光が長時間にわたって確認さ
れた。この時の発光波長は、５２１ｎｍにピークを有
し、輝度は１０００ｃｄ／ｍ2であった。なお、この素
子は一か月室温保存後においても明瞭な発光が認められ
た。
に前記構造式（ＸＩＩ）（化１２）で示されるトリフェ
ニルアミン誘導体より成る厚さ４０ｎｍのホール輸送
層、前記表１の化合物Ｎｏ．１０より成る厚さ１５ｎｍ
の発光層、下記構造式（ＸＶ）（化１５）で示されるオ
キサジアゾール誘導体より成る厚さ２０ｎｍの電子輸送
層、前記構造式（ＸＩＩ）（化１２）で示されるＡｌｑ
3より成る厚さ２５ｎｍの電子注入層、原子比１０：１
のＭｇＡｇ合金より成る厚さ２００ｎｍの陰極を順次真
空蒸着により積層して、電界発光素子を作製した。蒸着
時の真空度は約０．７×１０-6Ｔｏｒｒであり、基板温
度は室温である。この様にして作製した素子の陽極及び
陰極にリード線を介して直流電源を接続したところ、電
流密度１００ｍＡ／ｃｍ2において印加電圧が１２．３
Ｖであり、緑色の明瞭な発光が長時間にわたって確認さ
れた。この時の発光波長は、５２１ｎｍにピークを有
し、輝度は１０００ｃｄ／ｍ2であった。なお、この素
子は一か月室温保存後においても明瞭な発光が認められ
た。
【化１５】
【００２０】〔比較例〕発光層に前記表１の化合物Ｎ
ｏ．４の代わりに下記構造式（ＸＶＩ）（化１６）で示
される化合物を用いた以外は、応用例と同様にして電界
発光素子を作製した。この素子を同様にした発光させた
ところ、青緑色の発光が認められた。しかし、この素子
は、一か月室温保存後においては発光は認められなかっ
た。
ｏ．４の代わりに下記構造式（ＸＶＩ）（化１６）で示
される化合物を用いた以外は、応用例と同様にして電界
発光素子を作製した。この素子を同様にした発光させた
ところ、青緑色の発光が認められた。しかし、この素子
は、一か月室温保存後においては発光は認められなかっ
た。
【化１６】
【００２１】
【発明の効果】本発明に係る前記一般式（Ｉ）（化１）
で示される新規なピレン誘導体は、有機電界発光素子を
構成する発光材料あるいはホール輸送材料として良好な
製膜性を有し、また低電圧駆動においても長時間にわた
って高輝度の発光が可能であり、有機電界発光素子の構
成成分として有用な物質である。
で示される新規なピレン誘導体は、有機電界発光素子を
構成する発光材料あるいはホール輸送材料として良好な
製膜性を有し、また低電圧駆動においても長時間にわた
って高輝度の発光が可能であり、有機電界発光素子の構
成成分として有用な物質である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施例１で得られたピレン化合物の赤外吸収
スペクトル図（ＫＢｒ錠剤法）。
スペクトル図（ＫＢｒ錠剤法）。
【図２】 実施例２で得られたジアミノ化合物の赤外吸
収スペクトル図（ＫＢｒ錠剤法）。
収スペクトル図（ＫＢｒ錠剤法）。
【図３】 実施例３で得られたジニトロ化合物の赤外吸
収スペクトル図（ＫＢｒ錠剤法）。
収スペクトル図（ＫＢｒ錠剤法）。
【図４】 実施例４で得られたピレン化合物の赤外吸収
スペクトル図（ＫＢｒ錠剤法）。
スペクトル図（ＫＢｒ錠剤法）。
【図５】 実施例５で得られたピレン化合物の赤外吸収
スペクトル図（ＫＢｒ錠剤法）。
スペクトル図（ＫＢｒ錠剤法）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０９Ｋ 11/06 Ｚ 9159−4Ｈ // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ (72)発明者 左近 洋太 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (6)
- 【請求項１】 下記一般式（Ｉ）（化１）で表わされる
ピレン誘導体。 【化１】 （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は、それぞれハロゲン原子、シ
アノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、アミノ基、
置換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、ある
いはアリール基を表わし、ｌは０〜９の整数、ｍは０〜
４の整数、ｎは０〜５の整数を表わす。Ｒ1、Ｒ2、
Ｒ3、ｍ、ｎの各々は同一でも異なっていてもよい。） - 【請求項２】 下記一般式（ＩＩ）（化２）で表わされ
るジアミノ化合物。 【化２】 （式中、Ｒ1、Ｒ2は、それぞれハロゲン原子、シアノ
基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、アミノ基、置換
もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、あるいは
アリール基を表わし、ｌは０〜９の整数、ｍは０〜４の
整数を表わす。但し、Ｒ1、Ｒ2、ｍの各々は同一でも異
なっていてもよい。） - 【請求項３】 下記一般式（ＩＩＩ）（化３）で表わさ
れるジニトロ化合物。 【化３】 （式中、Ｒ1、Ｒ2は、それぞれハロゲン原子、シアノ
基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、アミノ基、置換
もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、あるいは
アリール基を表わし、ｌは０〜９の整数、ｍは０〜４の
整数を表わす。但し、Ｒ1、Ｒ2、ｍの各々は同一でも異
なっていてもよい。） - 【請求項４】 請求項２記載の一般式（ＩＩ）（化２）
で表わされるジアミン化合物と、下記一般式（ＩＶ）
（化４）。 【化４】 （式中、Ｘはハロゲン原子を表わし、Ｒ3はハロゲン原
子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、アミ
ノ基、置換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ
基、あるいはアリール基を表わし、ｎは０〜５の整数を
表わす。）で表わされるハロベンゼン化合物とを反応さ
せることを特徴とする、請求項１記載の一般式（Ｉ）
（化１）で表わされるピレン誘導体の製造方法。 - 【請求項５】 請求項３記載の一般式（ＩＩＩ）（化
３）で表わされるジニトロ化合物を還元することを特徴
とする、請求項２記載の一般式（ＩＩ）（化２）で表わ
されるジアミン化合物の製造方法。 - 【請求項６】 下記一般式（Ｖ）（化５）で表わされる
アミノピレン化合物と、下記一般式（ＶＩ）（化６）で
表わされる４’−ハロゲノ−４−ニトロ−１，１’−ビ
フェニルとを反応させることを特徴とする、請求項３記
載の一般式（ＩＩＩ）（化３）で表わされるジニトロ化
合物の製造方法。 【化５】 （式中、Ｒ1はハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ト
リフルオロメチル基、アミノ基、置換もしくは無置換の
アルキル基、アルコキシ基、あるいはアリール基を表わ
し、ｌは０〜９の整数を表わす。） 【化６】 （式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ2はハロゲン原
子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、トリフルオロメチ
ル基、置換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ
基、あるいはアリール基を表わし、ｍは０〜４の整数を
表わす。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27136093A JP3549555B2 (ja) | 1993-10-04 | 1993-10-04 | 新規なピレン誘導体ならびにその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27136093A JP3549555B2 (ja) | 1993-10-04 | 1993-10-04 | 新規なピレン誘導体ならびにその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07101911A true JPH07101911A (ja) | 1995-04-18 |
| JP3549555B2 JP3549555B2 (ja) | 2004-08-04 |
Family
ID=17498991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27136093A Expired - Fee Related JP3549555B2 (ja) | 1993-10-04 | 1993-10-04 | 新規なピレン誘導体ならびにその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3549555B2 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1174079A (ja) * | 1997-06-20 | 1999-03-16 | Nec Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US6013384A (en) * | 1997-01-27 | 2000-01-11 | Junji Kido | Organic electroluminescent devices |
| US6396209B1 (en) | 1998-12-16 | 2002-05-28 | International Manufacturing And Engineering Services Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| US6423429B2 (en) | 1998-03-02 | 2002-07-23 | Junji Kido | Organic electroluminescent devices |
| US6459199B1 (en) | 1996-05-15 | 2002-10-01 | Chemipro Kasei Kaisha, Limited | Multicolor organic EL element having plurality of organic dyes, method of manufacturing the same, and display using the same |
| US6589673B1 (en) | 1999-09-29 | 2003-07-08 | Junji Kido | Organic electroluminescent device, group of organic electroluminescent devices |
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| WO2005108348A1 (ja) | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 芳香族アミン誘導体、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子及び芳香族アミン誘導体の製造方法 |
| CN1321104C (zh) * | 2002-08-28 | 2007-06-13 | 富士胶片株式会社 | 1，3，6，8－四取代的芘化合物，使用该化合物的有机电致发光元件和有机电致发光显示器 |
| US7326473B2 (en) | 1998-02-17 | 2008-02-05 | Junji Kido | Organic electroluminescent devices |
| EP1978574A2 (en) | 2007-04-05 | 2008-10-08 | Yamagata Promotional Organization for Industrial Technology | Organic electroluminescent device |
| US7656084B2 (en) | 2004-03-03 | 2010-02-02 | Seiko Epson Corporation | Method of producing laminated type organic electroluminescent element and display apparatus |
| JP4480827B2 (ja) * | 1998-12-25 | 2010-06-16 | 保土谷化学工業株式会社 | トリアリールアミン誘導体の製造方法 |
| US8558451B2 (en) | 2003-10-17 | 2013-10-15 | Junji Kido | Organic electroluminescent device |
| US9203046B2 (en) | 2003-10-17 | 2015-12-01 | Junji Kido | Organic electroluminescent device and production process thereof |
-
1993
- 1993-10-04 JP JP27136093A patent/JP3549555B2/ja not_active Expired - Fee Related
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