JP2005239703A - 2,7−ビス(カルバゾール−9−イル)フルオレン類。 - Google Patents
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Abstract
【課題】 従来化合物より高ガラス転移温度を有する耐熱性に優れた新規な2,7−ビス(カルバゾール−9−イル)フルオレン類及びそれを用いた有機電界発光素子を提供すること。
【解決手段】 式(1):
【化1】
(式中、R1及びR2はそれぞれ互いに同じであっても異なっていてもよく、炭素数1〜4のアルキル基を示す。R3及びR4はそれぞれ互いに同じであっても異なっていてもよく、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を示す。但し、R3及びR4のうちいずれか一つは炭素数1〜4のアルキル基を示す。)で表される2,7−ビス(カルバゾール−9−イル)フルオレン類[以下、2,7−ビス(カルバゾール−9−イル)フルオレン類(1)という]及びそれを用いた有機電界発光素子。
【選択図】 図1
【解決手段】 式(1):
【化1】
(式中、R1及びR2はそれぞれ互いに同じであっても異なっていてもよく、炭素数1〜4のアルキル基を示す。R3及びR4はそれぞれ互いに同じであっても異なっていてもよく、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を示す。但し、R3及びR4のうちいずれか一つは炭素数1〜4のアルキル基を示す。)で表される2,7−ビス(カルバゾール−9−イル)フルオレン類[以下、2,7−ビス(カルバゾール−9−イル)フルオレン類(1)という]及びそれを用いた有機電界発光素子。
【選択図】 図1
Description
本発明は、機能材料として有用な2,7−ビス(カルバゾール−9−イル)フルオレン類及びそれを用いた有機電界発光素子に関する。
近年、情報機器の多様化に伴って、ブラウン管よりも低消費電力で空間専有面積の小さい平面型表示素子に関するニーズが高くなり、特に自発光型で表示が鮮明且つエネルギー変換効率の高い有機電界発光素子に対する注目が集まり、様々な材料並びに有機電界発光素子の提案がなされてきた。
有機電界発光素子の基本構造としては、例えばガラスやプラスティックなどの透明基板上に陽極を設け、その上に正孔輸送層及び発光と電子輸送を兼ねた発光電子輸送層を順次積層し、その上に陰極を設けた構造となっているか、あるいは発光層と電子輸送層とを別異の化合物層として設け、透明基板上に設けた陽極の上に正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を順次積層し、その上に陰極を設けた構造となっている。また、必要に応じて、発光層と電子輸送層との間にホールブロッキング層を設けることができる。
係る有機電界発光素子の両電極間に電圧を印加すると、正孔輸送、発光、電子輸送の各層に電流が流れ、発光層において正孔と電子の再結合により発光現象が生じ、発光した光のうち透明電極及び透明基板を厚さ方向に透過した光が外部に照射されて、10V前後の電圧の印加により100〜1000カンデラ/m2といった極めて高輝度の発光が得られることから、次世代ディスプレイ素子の有力候補として注目されている。
従来の有機電界発光素子は一重項励起状態からの蛍光を利用した有機電界蛍光発光素子である。一方、一重項励起状態からの蛍光に加えて三重項励起状態からのリン光を併せて利用することで、蛍光を利用する場合に主に熱に変わっていたエネルギーを発光に使えるため、発光効率の大幅な改善が期待できる有機電界リン光発光素子が盛んに検討されている。例えば、強いリン光発光を示す白金錯体やイリジウム錯体を発光材料として用いた有機電界リン光発光素子が報告されている。
かかる発光材料が発光層中に単独又は高濃度で存在する場合には、発光分子どうしが接近することにより発光分子間で相互作用が生じ、「濃度消光」と呼ばれる発光効率低下現象が起こるため、通常、発光波長が発光材料の光吸収波長付近にある適当な有機化合物[以下、ホスト材という]と発光材料を混ぜ、それを発光層として用いる。即ちホスト材中に発光材料を比較的低濃度で分散させることにより、前記「濃度消光」を抑制させ、発光効率を向上させる。ホスト材には、該ホスト材自身の励起によって得られた励起エネルギーを効率的に発光材料に移動させる性質も必要であり、代表的なものとして4,4'−ビス(カルバゾール−9−イル)−ビフェニル[以下、CBPと略記する]が使用されている(例えば、特許文献1、2、3及び非特許文献1参照)。
ところで、この様な有機電界発光素子材料には耐熱性がさらに要求され、その指標のひとつとしてガラス転移温度が挙げられる。高いガラス転移温度を有する材料は、それらを用いた有機電界発光素子に高耐熱性を付与するためにより好ましい。
CBPのガラス転移温度を窒素雰囲気及び昇温速度10 ℃/min条件下、示差走査熱量計を用いて測定したところ観測されず、このためCBPは真空蒸着による製膜時において容易に結晶化し安定な膜を形成することが難しく、その熱的安定性において未だ満足し得るものではない。現在ではより一層改良された有機電界発光素子を得るために、少しでも高いガラス転移温度を有する新規なホスト材が望まれている。
特開2004−139819
特開2002−246184
特開2001−313178
Nature,403,750−753(2000)
本発明は、従来化合物より高ガラス転移温度を有する耐熱性に優れた新規な2,7−ビス(カルバゾール−9−イル)フルオレン類及びそれを用いた有機電界発光素子を提供することを課題とする。
本発明者は上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、カルバゾール部位に少なくとも一つのアルキル基を導入した新規な2,7−ビス(カルバゾール−9−イル)フルオレン類が従来化合物より高いガラス転移温度を示すことを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は式(1):
本発明により有機電界発光素子のホスト材として耐熱性に優れた2,7−ビス(カルバゾール−9−イル)フルオレン類(1)を提供することが可能となり、本発明化合物は高いガラス転移温度を有するため成膜性にも優れており、高耐熱性を有する有機電界発光素子を提供することができる。
以下、本発明を具体的に説明する。
式(1)において、R1及びR2で表されるアルキル基としては、例えば、炭素数1〜4の直鎖又は分枝鎖状の脂肪族炭化水素残基が挙げられ、具体的には、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基等を例示できる。R3及びR4で表されるアルキル基としては、例えば、炭素数1〜4の直鎖又は分枝鎖状の脂肪族炭化水素残基が挙げられ、具体的には、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基等を例示できる。
式(1)において、R1及びR2で表されるアルキル基としては、例えば、炭素数1〜4の直鎖又は分枝鎖状の脂肪族炭化水素残基が挙げられ、具体的には、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基等を例示できる。R3及びR4で表されるアルキル基としては、例えば、炭素数1〜4の直鎖又は分枝鎖状の脂肪族炭化水素残基が挙げられ、具体的には、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基等を例示できる。
2,7−ビス(カルバゾール−9−イル)フルオレン類(1)の具体例としては、例えば、2,7−ビス(2−メチルカルバゾ−ル−9−イル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレン、2,7−ビス(3−メチルカルバゾ−ル−9−イル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレン、2,7−ビス(2,6−ジメチルカルバゾ−ル−9−イル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレン又は2,7−ビス(3,6−ジメチルカルバゾ−ル−9−イル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレン等を挙げることができる。
2,7−ビス(カルバゾール−9−イル)フルオレン類(1)は、例えば式(2):
2,7−ジハロゲノフルオレン類(2)の使用量は、カルバゾール類(3)1モルに対して通常0.1〜1モル、好ましくは0.4〜0.6モルである。
反応に使う溶媒としては、ベンゼン、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素溶媒が挙げられるが、トルエンが好ましい。溶媒の使用量は、カルバゾール類(3)1重量部に対して通常15〜30重量部である。
使用されるパラジウム触媒は、酢酸パラジウム、トリス(ジベンジリデンアセトン)二パラジウム[以下、Pd2(DBA)3という]、塩化パラジウムが挙げられるが、2,7−ビス(カルバゾール−9−イル)フルオレン類(1)の収率の点からPd2(DBA)3が好ましい。パラジウム触媒の使用量は、カルバゾール類(3)1モルに対して通常1〜10モル%好ましくは3〜5モル%である。
使用されるホスフィンとしては、2,2’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−1,1’−ビナフチル(BINAP)、1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン(DPPF),ジシクロヘキシルホスフィノビフェニル、ジ−tert−ブチルホスフィノビフェニル等が例示されるが、ジ−tert−ブチルホスフィノビフェニルが、ビス(カルバゾリル)ビアリール類の収率の点から好ましい。ホスフィンの使用量はカルバゾール類(3)1モルに対して通常2〜10モル%、好ましくは4〜8モル%である。
使用する塩基としては、アルコキシカリウム、アルコキシナトリウムが挙げられる。アルコキシ基としては、炭素数1〜6の直鎖又は分枝鎖状の脂肪族炭化水素残基を有するアルコキシ基であり、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ノルマルプロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、ノルマルペンチルオキシ基、ノルマルヘキシルオキシ基等を例示でき、特にtert−ブトキシ基が好ましい。塩基の使用量は、カルバゾール類(3)1モルに対して通常1〜5当量、好ましくは2〜3当量である。
反応温度は、通常50℃〜120℃好ましくは70℃〜100℃である。反応時間は、反応温度によって変化するが、通常0.5〜1時間程度で充分である。
反応終了後の反応混合物からは抽出、濃縮により、粗製の2,7−ビス(カルバゾール−9−イル)フルオレン類(1)を単離することができる。
粗製の2,7−ビス(カルバゾール−9−イル)フルオレン類(1)を精製するにあたり、それを溶解させるのに使用する溶媒として用いられる化合物を例示すると、トルエン、キシレン、炭素数1又は2の脂肪族ハロゲン化物、アミド類及びジメチルスルホキシド等が挙げられ、これらを単一または混合して用いることができる。
炭素数1又は2の脂肪族ハロゲン化物としては、例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン、1,1−ジクロロエタン、1,1,1−トリクロロエタン等が、アミド類としては、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等が例示される。
上記の粗製の2,7−ビス(カルバゾール−9−イル)フルオレン類(1)の溶液から精製された2,7−ビス(カルバゾール−9−イル)フルオレン類(1)の結晶析出に使用する溶媒として用いられる化合物を例示すると、アルコール類、エーテル類、ケトン類、芳香族炭化水素類、脂肪族炭化水素類が挙げられる。
アルコール類としては、例えば、メタノール、エタノール、ノルマルプロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ノルマルブチルアルコール、tert−ブチルアルコール等が、エーテル類としては、例えば、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、ジエチルエーテル等が、ケトン類としては、例えば、アセトン、エチルメチルケトン等が、芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等が、脂肪族炭化水素としては、ペンタン、ヘキサン、メチルシクロヘキサン、へプタン等がそれぞれ例示できる。
粗製の2,7−ビス(カルバゾール−9−イル)フルオレン類(1)を溶解させるのに使用する溶媒の使用量は特に限定されないが、2,7−ビス(カルバゾール−9−イル)フルオレン類(1)1重量部に対して、通常5〜100重量部、好ましくは30〜70重量部となるようにするのがよい。
また結晶析出に使用する溶媒の使用量は、2,7−ビス(カルバゾール−9−イル)フルオレン類(1)1重量部に対して100〜300重量部程度、好ましくは150〜250重量部となるようにするのがよい。
次に2,7−ビス(カルバゾール−9−イル)フルオレン類(1)を用いた有機電界発光素子について説明する。
図1は本発明の有機電界発光素子の一実施形態を示す概念図である。
この例で示す有機電界発光素子は、透明基板(a)上に、導電性材料からなる透明な陽極(b)、有機化合物からなる正孔輸送層(c)、有機化合物などからなる発光層(d)、有機化合物などからなるホールブロッキング層(e)、有機化合物などからなる電子輸送層(f)及び透明な陰極(g)が順次積層された構造からなっている。
ここで、透明基盤(a)としては通常ガラス、透明プラスティックなどが使用される。
また、この例においては、陽極(b)としては厚さ110nm程度に積層された導電性材料であるITOが、正孔輸送層(c)としては厚さ50nm程度に成膜したα−NPDを含む有機化合物層が、発光層(d)としては20nm程度の厚さに成膜した2,7−ビス(カルバゾール−9−イル)フルオレン類(1)に対して6重量%のIr(ppy)3と2,7−ビス(カルバゾール−9−イル)フルオレン類(1)を含む有機化合物層が、ホールブロッキング層(e)としては10nm程度の厚さに成膜したBCPを含む有機化合物層が、電子輸送層(f)としては50nm程度の厚さに成膜したAlq3を含む有機化合物層がそれぞれ形成され、陰極(g)として110nm程度の厚さに成膜したMgAg/Agが積層されている。
なお、正孔輸送層、ホールブロッキング層及び電子輸送層として使用される化合物は前記例示化合物に限られず、従来から当該分野において使用されている各種の化合物が適宜使用され、また、各層にはそれぞれの目的に照らして当該化合物以外の他の有機化合物が含まれていても良い。
同様に上記各層の厚みについても、上記に限定されず、適宜最適の厚みとなるように設定される。
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例になんら限定されるものではない。
なお、以下の実施例において、ガラス転移温度(Tg)の測定には島津製作所社製の島津示差走査熱量計DSC−60を使用し、最大外部量子効率(φELmax)の測定にはアジレント・テクノロジー・インク社製のAgilent 4155C semiconductor parameter analyzer及びニューポート社製のMulti−function optical meterを使用し、リン光発光量子効率(φPL)の測定にはLabaphere社製の積分球IS−060、Kimmon Electric社製のHe−CdレーザーIK5651R−G及び浜松ホトニクス社製のPMA−11を使用した。
実施例1
2,7−ビス(2−メチルカルバゾ−ル−9−イル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレンの合成
2,7−ビス(2−メチルカルバゾ−ル−9−イル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレンの合成
1H−NMR(CDCl3) δ:1.60(s,6H),6.31(s,6H),7.25−7.34(m,4H),7.38−7.49(m,6H),7.63(dd,J=1.8,8.0Hz,2H),7.66(d,J=1.8Hz,2H),7.96−7.98(m,4H),8.13(d,J=7.7Hz,2H)
13C−NMR(CDCl3) δ:21.4,21.4,27.1,27.1,47.3,109.5,109.5,109.7,109.7,119.7,119.7,120.2,120.2,120.2,120.2,121.2,121.2,121.3,121.3,123.2,123.2,123.5,123.5,125.8,125.8,125.9,125.9,127.2,127.2,129.3,129.3,137.1,137.1,137.4,137.4,139.2,139.2,141.0,141.0,155.5,155.5
MS m/z:552(M+)
Tg 134℃
13C−NMR(CDCl3) δ:21.4,21.4,27.1,27.1,47.3,109.5,109.5,109.7,109.7,119.7,119.7,120.2,120.2,120.2,120.2,121.2,121.2,121.3,121.3,123.2,123.2,123.5,123.5,125.8,125.8,125.9,125.9,127.2,127.2,129.3,129.3,137.1,137.1,137.4,137.4,139.2,139.2,141.0,141.0,155.5,155.5
MS m/z:552(M+)
Tg 134℃
実施例2
2,7−ビス(3−メチルカルバゾ−ル−9−イル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレンの合成
2,7−ビス(3−メチルカルバゾ−ル−9−イル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレンの合成
1H−NMR(CDCl3) δ:1.62(s,6H),2.51(s,6H),7.13(d,J=8.0Hz,2H),7.27−7.30(m,4H),7.38−7.46(m,4H),7.59(dd,J=1.8Hz,2H),7.66(d,J=1.8Hz,2H),8.00(d,J=8.0,2H),8.04(d,J=8.0Hz,2H),8.12(d,J=8.0Hz,2H)
13C−NMR(CDCl3) δ: 22.2,22.2,27.0,27.0,47.4,109.6,109.6,109.9,109.9,119.8,119.8,120.0,120.0,120.0,120.0,121.1,121.1,124,121.4,121.6,121.6,123.5,123.5,125.4,125.4,126.1,126.1,128.1,128.2,136.2,136.2,137.0,137.0,137.6,137.6,140.9,140.9,141.3,141.3,155.6,155.6
MS m/z:552(M+)
Tg 142℃
13C−NMR(CDCl3) δ: 22.2,22.2,27.0,27.0,47.4,109.6,109.6,109.9,109.9,119.8,119.8,120.0,120.0,120.0,120.0,121.1,121.1,124,121.4,121.6,121.6,123.5,123.5,125.4,125.4,126.1,126.1,128.1,128.2,136.2,136.2,137.0,137.0,137.6,137.6,140.9,140.9,141.3,141.3,155.6,155.6
MS m/z:552(M+)
Tg 142℃
実施例3
2,7−ビス(2,6−ジメチルカルバゾ−ル−9−イル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレンの合成
2,7−ビス(2,6−ジメチルカルバゾ−ル−9−イル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレンの合成
1H−NMR(CDCl3) δ:1.61(s,6H),2.50(s,6H),2.66(s,6H),7.11(d,J=8.0,2H),7.22(dd,J=1.4,8.0Hz,2H),7.25−7.26(m,2H),7.34(d,J=8.0Hz,2H),7.57(dd,J=1.8,8.0Hz,2H),7.65(d,J=1.8Hz,2H),7.91(s,2H),7.98(d,J=8.0Hz,2H),8.00(d,J=8.0Hz, 2H)
13C−NMR(CDCl3) δ: 21.4,21.4,22.2,22.2,27.0,27.0,47.3,109.3,109.3,109.8,109.8,119.9,119.9,120.0,120.0,120.9,120.9,121.1,121.1,121.2,121.2,121.4,121.4,123.6,123.6,125.9,125.9,126.6,126.6,129.2,129.2,136.0,136.0,137.1,137.1,137.4,137.4,139.2,139.2,141.5,141.5,155.5,155.5
MS m/z:580(M+)
Tg 143℃
13C−NMR(CDCl3) δ: 21.4,21.4,22.2,22.2,27.0,27.0,47.3,109.3,109.3,109.8,109.8,119.9,119.9,120.0,120.0,120.9,120.9,121.1,121.1,121.2,121.2,121.4,121.4,123.6,123.6,125.9,125.9,126.6,126.6,129.2,129.2,136.0,136.0,137.1,137.1,137.4,137.4,139.2,139.2,141.5,141.5,155.5,155.5
MS m/z:580(M+)
Tg 143℃
実施例4
2,7−ビス(3,6−ジメチルカルバゾ−ル−9−イル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレンの合成
2,7−ビス(3,6−ジメチルカルバゾ−ル−9−イル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレンの合成
1H−NMR(CDCl3) δ:1.59(s,6H),2.56(s,12H),7.24−7.27(m,4H),7.38(d,J=8.0Hz,4H),7.57(dd,J=1.8,8.0Hz,4H),7.65(d,J=1.8Hz,2H),7.93(d,J=0.76Hz,2H),7.95(d,J=8.0Hz,2H)
13C−NMR(CDCl3) δ:21.4,21.4,21.4,21.4,27.1,27.1,47.3,109.4,109.4,109.4,109.4,120.2,120.2,120.2,120.2,121.1,121.1,121.2,121.2,121.2,121.2,123.4,123.4,125.7,125.7,125.7,125.7,127.1,127.1,127.1,127.1,129.1,129.1,129.1,129.1,137.3,137.3,137.3,139.3,139.3,139.3,155.5,155.5
MS m/z:580(M+)
Tg 145℃
比較例1
4,4‘−ビス(カルバゾール−9−イル)−ビフェニルの合成
4,4‘−ビス(カルバゾール−9−イル)−ビフェニルの合成
Tg N.O.(Not Observed)
実施例5
ITO薄膜がコートされているガラス基板(三容真空工業株式会社製)の上に、真空蒸着法により正孔輸送層としてα−NPDの層を50nm積層した。その上に発光層としてIr(ppy)3を6重量%ドーピングした実施例1で得られた2,7−ビス(2−メチルカルバゾ−ル−9−イル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレンの層を20nm積層し、ホールブロッキング層としてBCPの層を10nm、さらに電子輸送層としてAlq3の層を50nm蒸着した。最後にこの有機層の上に陰極として、マグネシウムと銀を共蒸着し、110nmのMgAg/Ag層を蒸着して素子を完成させた。この素子に電圧を印加したところ良好な発光特性が得られ、最大外部量子効率3.9%、リン光量子収率72±1%がそれぞれ観測された。
ITO薄膜がコートされているガラス基板(三容真空工業株式会社製)の上に、真空蒸着法により正孔輸送層としてα−NPDの層を50nm積層した。その上に発光層としてIr(ppy)3を6重量%ドーピングした実施例1で得られた2,7−ビス(2−メチルカルバゾ−ル−9−イル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレンの層を20nm積層し、ホールブロッキング層としてBCPの層を10nm、さらに電子輸送層としてAlq3の層を50nm蒸着した。最後にこの有機層の上に陰極として、マグネシウムと銀を共蒸着し、110nmのMgAg/Ag層を蒸着して素子を完成させた。この素子に電圧を印加したところ良好な発光特性が得られ、最大外部量子効率3.9%、リン光量子収率72±1%がそれぞれ観測された。
実施例6〜8
実施例5における2,7−ビス(2−メチルカルバゾ−ル−9−イル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレンをそれぞれ表1に示す化合物に代える以外は実施例5に準ずる方法で素子を作成した。その時の最大外部量子効率およびリン光量子収率を表1に示す。
実施例5における2,7−ビス(2−メチルカルバゾ−ル−9−イル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレンをそれぞれ表1に示す化合物に代える以外は実施例5に準ずる方法で素子を作成した。その時の最大外部量子効率およびリン光量子収率を表1に示す。
(a):透明基盤
(b):陽極
(c):正孔輸送層
(d):発光層
(e):ホールブロッキング層
(f):電子輸送層
(g):陰極
(b):陽極
(c):正孔輸送層
(d):発光層
(e):ホールブロッキング層
(f):電子輸送層
(g):陰極
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004233823A JP2005239703A (ja) | 2004-01-30 | 2004-08-10 | 2,7−ビス(カルバゾール−9−イル)フルオレン類。 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004022559 | 2004-01-30 | ||
JP2004233823A JP2005239703A (ja) | 2004-01-30 | 2004-08-10 | 2,7−ビス(カルバゾール−9−イル)フルオレン類。 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005239703A true JP2005239703A (ja) | 2005-09-08 |
Family
ID=35021806
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004233823A Pending JP2005239703A (ja) | 2004-01-30 | 2004-08-10 | 2,7−ビス(カルバゾール−9−イル)フルオレン類。 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2005239703A (ja) |
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2004
- 2004-08-10 JP JP2004233823A patent/JP2005239703A/ja active Pending
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