JPH038104A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH038104A JPH038104A JP1289854A JP28985489A JPH038104A JP H038104 A JPH038104 A JP H038104A JP 1289854 A JP1289854 A JP 1289854A JP 28985489 A JP28985489 A JP 28985489A JP H038104 A JPH038104 A JP H038104A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/1875—"Composite" pole pieces, i.e. poles composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers
- G11B5/1877—"Composite" pole pieces, i.e. poles composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers including at least one magnetic thin film
- G11B5/1878—"Composite" pole pieces, i.e. poles composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers including at least one magnetic thin film disposed immediately adjacent to the transducing gap, e.g. "Metal-In-Gap" structure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はメタルインギｔツブ（ｍｅｔａｌ−ｉｎ−ｇａ
ｐ）（ＭＩＧ）フェライト磁気ヘッドに関するものであ
る。特に、本発明は二次パルス効果を抑制するためのタ
ングステン又はタンタルからなる薄肉バリアーを備えた
改良されたＭＩＧヘッドに関するものである。
ｐ）（ＭＩＧ）フェライト磁気ヘッドに関するものであ
る。特に、本発明は二次パルス効果を抑制するためのタ
ングステン又はタンタルからなる薄肉バリアーを備えた
改良されたＭＩＧヘッドに関するものである。
従来技術 および が解決しようとする高保磁力媒体
の到来はＭＩＧフェライト磁気ヘッドに対する興味を再
び新たなものとしでいる。
の到来はＭＩＧフェライト磁気ヘッドに対する興味を再
び新たなものとしでいる。
ＭＩＧフェライト磁気ヘッドにおいては、高磁気モーメ
ント物質の層が追尾端コア面上に堆積され、改良された
書込み特性及び高すニア記録！？廓が達成される。高磁
気モーメント物質の層を一方又１よ両方のコア面上に設
置することにＪ：り改良された読み取り特性が達成され
る。
ント物質の層が追尾端コア面上に堆積され、改良された
書込み特性及び高すニア記録！？廓が達成される。高磁
気モーメント物質の層を一方又１よ両方のコア面上に設
置することにＪ：り改良された読み取り特性が達成され
る。
一つの典型的な形状において、前記フェライトコアは１
ｙｉｎ−Ｉｎフェライトであり、フェライトのコア面上
に堆積された高磁気モーメント物質はセンダストとして
知られるＦｅ−Ｓｉ−ＡＩＪ！合金である。
ｙｉｎ−Ｉｎフェライトであり、フェライトのコア面上
に堆積された高磁気モーメント物質はセンダストとして
知られるＦｅ−Ｓｉ−ＡＩＪ！合金である。
ＭＩＧヘッドはフェライト−金属界面位置において発生
すると思われる、いわゆる「二次電気パルス」を示すこ
とが判明している。これは金属（例えばセンダスト）と
フェライト（例えばＭｎ７０７丁ライト）の間に化学反
応が生じ、前記ノエライＩ〜と高磁気モーメント金属の
間に磁気的に死んだ反応層（すなわち［二次１ニヤツブ
］叉は［擬似ギャップＪ）が生ずるためと考えられる。
すると思われる、いわゆる「二次電気パルス」を示すこ
とが判明している。これは金属（例えばセンダスト）と
フェライト（例えばＭｎ７０７丁ライト）の間に化学反
応が生じ、前記ノエライＩ〜と高磁気モーメント金属の
間に磁気的に死んだ反応層（すなわち［二次１ニヤツブ
］叉は［擬似ギャップＪ）が生ずるためと考えられる。
カシワラ（注口日本人名）等の「メタルインギ１Ｆツブ
磁気ギセツブ内の金属／フェライト界面のオージェ分光
分析Ｊ （インタマグ／ＭＭＭ会清、パンクーパ、プリ
ティフシ１コロンビア州、論文ＥＥ−Ｉ［，１９８８）
なる記事において金属がピンダスト−Ｃある時、見掛は
十二次パルスを発生する前記反応層はＡｌ２Ｏ３及びＳ
ｉＯ２から構成され（いることが報告されている。加え
るに、カシワラ等はセンダストの代りに別の高磁気モー
メン１〜金ａ （Ｆｅ−Ｇａ−５１−Ｒｕ合金）を用い
た所Ｇａ Ｏ及びＳ ｉ ０２からなる反応層が冑ら
３ れることを報告した。二次パルスの問題点を解決するた
めに、カシワラ等はフェライトと金属の間に薄肉の二酸
化ケイ素又は酸窒化ケイ素のバリアを用いることを示唆
した。カシｌクラ等によりこれらのバリアーは金属とＭ
ｎ−Ｚｎフ１ライトの間の反応を減少ザることが報告さ
れた。前記バリアーは金属がセンダストの時より授１属
がＦｃＧ ａ −Ｓ ｉ −Ｒｕ合金である時に４すｈ
効であるように見えた。
磁気ギセツブ内の金属／フェライト界面のオージェ分光
分析Ｊ （インタマグ／ＭＭＭ会清、パンクーパ、プリ
ティフシ１コロンビア州、論文ＥＥ−Ｉ［，１９８８）
なる記事において金属がピンダスト−Ｃある時、見掛は
十二次パルスを発生する前記反応層はＡｌ２Ｏ３及びＳ
ｉＯ２から構成され（いることが報告されている。加え
るに、カシワラ等はセンダストの代りに別の高磁気モー
メン１〜金ａ （Ｆｅ−Ｇａ−５１−Ｒｕ合金）を用い
た所Ｇａ Ｏ及びＳ ｉ ０２からなる反応層が冑ら
３ れることを報告した。二次パルスの問題点を解決するた
めに、カシワラ等はフェライトと金属の間に薄肉の二酸
化ケイ素又は酸窒化ケイ素のバリアを用いることを示唆
した。カシｌクラ等によりこれらのバリアーは金属とＭ
ｎ−Ｚｎフ１ライトの間の反応を減少ザることが報告さ
れた。前記バリアーは金属がセンダストの時より授１属
がＦｃＧ ａ −Ｓ ｉ −Ｒｕ合金である時に４すｈ
効であるように見えた。
ＭＩＧヘッドにお１ノる二次ギャップの問題は又シレン
等による「バー７０イ／（？ンダストＭＩＧヘッド」
（磁石に関するＩ Ｅ Ｅ Ｅ、 トランザクション、
２４巻２号、ρ１８０２〜１８０４．１９８８）及びエ
ンツ等の米国特許第４．７６４．８３２号においてｔ３
議論された。これらの引用文献の両者において提案され
た解決策はフェライトコア面とピンダスト層の間にパー
マロイ（Ｎ１［：ｅ）の居を設けることであった。この
パーマロイ層の厚さは５００〜２０，０００人（オング
ストローム）である。
等による「バー７０イ／（？ンダストＭＩＧヘッド」
（磁石に関するＩ Ｅ Ｅ Ｅ、 トランザクション、
２４巻２号、ρ１８０２〜１８０４．１９８８）及びエ
ンツ等の米国特許第４．７６４．８３２号においてｔ３
議論された。これらの引用文献の両者において提案され
た解決策はフェライトコア面とピンダスト層の間にパー
マロイ（Ｎ１［：ｅ）の居を設けることであった。この
パーマロイ層の厚さは５００〜２０，０００人（オング
ストローム）である。
エクスタインの米国特許第４．７０４．７８８号はＭＩ
Ｇヘッドのフェライト」アとセンダスト層の間の界面に
おｌプる擬似ギャップの問題を議論している。前記エッ
クスタインの特許はセンダスト合金層を１（［１１する
以前にフェライト上に薄肉固着層をＪｆｆ Ｉ する段
階を含む製造り法を示唆している。前記エクスタインの
特許は、しかしながら、薄肉固着層の組成を開示してい
ない。
Ｇヘッドのフェライト」アとセンダスト層の間の界面に
おｌプる擬似ギャップの問題を議論している。前記エッ
クスタインの特許はセンダスト合金層を１（［１１する
以前にフェライト上に薄肉固着層をＪｆｆ Ｉ する段
階を含む製造り法を示唆している。前記エクスタインの
特許は、しかしながら、薄肉固着層の組成を開示してい
ない。
ボータ等の米国特許第４，６７０，８０７号は一つのＭ
ＩＧヘッドを示しており、フェライトコアの各々と対応
するセンダスト層の間に遷移領域が存在することを示し
ている。前記ボータ等の特ｎはレングス１−層の相対的
厚味を修整してより良い周波数応答を達成でることを示
唆している。前記遷移領域をガラス又はチタンから作り
、フェライト］７とセンダスト層の間の付着をより良好
なものにし易くすることも示唆されでいる。
ＩＧヘッドを示しており、フェライトコアの各々と対応
するセンダスト層の間に遷移領域が存在することを示し
ている。前記ボータ等の特ｎはレングス１−層の相対的
厚味を修整してより良い周波数応答を達成でることを示
唆している。前記遷移領域をガラス又はチタンから作り
、フェライト］７とセンダスト層の間の付着をより良好
なものにし易くすることも示唆されでいる。
クリＶマの米国特γＦ第４，７４２，４１２号及び第４
，７６８，１１８号はセンダスト層と追尾するフェライ
トコアの間にり［］−ム又はチタンの薄肉層を備えたＭ
ＩＧヘッドについて説明している。この薄肉層は２００
〜５００人の厚味を有している。
，７６８，１１８号はセンダスト層と追尾するフェライ
トコアの間にり［］−ム又はチタンの薄肉層を備えたＭ
ＩＧヘッドについて説明している。この薄肉層は２００
〜５００人の厚味を有している。
従来技術によって可能となったよりも良好な二次パルス
現象の抑υ１が出来る改良されたＭＩＧへラドに対する
要求１．Ｌ引続いて存在する。
現象の抑υ１が出来る改良されたＭＩＧへラドに対する
要求１．Ｌ引続いて存在する。
課題を解決するための一段
本発明は、改良されたＭ ｒ Ｇヘッドにして、（タン
グステン又はタンタルのような）耐火金属の薄肉バリア
ーがフェライトコア面と（センダスｉ〜のような）高磁
気モーメント物質からなる金属層の間に形成されている
Ｍ Ｉ Ｇヘッドを提供する。
グステン又はタンタルのような）耐火金属の薄肉バリア
ーがフェライトコア面と（センダスｉ〜のような）高磁
気モーメント物質からなる金属層の間に形成されている
Ｍ Ｉ Ｇヘッドを提供する。
タングステン及びタンタルは極めて小ざな厚味の連続膜
を形成しており、フェライトと高磁気モーメント物質の
間における効果的な拡散バリアを提供している。前記拡
散バリアは慣用のＭＩＧヘッドにＪ３ける二次パルス現
象を誘起するフェライトセンダスト界面における反応層
の形成を抑制力る。
を形成しており、フェライトと高磁気モーメント物質の
間における効果的な拡散バリアを提供している。前記拡
散バリアは慣用のＭＩＧヘッドにＪ３ける二次パルス現
象を誘起するフェライトセンダスト界面における反応層
の形成を抑制力る。
実施例
第１図において、メタルインギャップ（ｍｃｔａｌ−ｎ
−ｏａｐ） （Ｍ ［Ｇ） ６１気ヘッド１０ＬＪ
ｉ形’７Ｉ＞イト部材１２とＣ形フェライト部材１４を
含んでおり、これらはηいに結合されて、巻線孔１６及
びトランスデユーサギャップ領域１８を備えた１〜ラン
スデューザヘッドを画成しく”いる。コイル２０がＣ形
フェライト部材１４の一部分のまわりに巻付けられてい
る。
−ｏａｐ） （Ｍ ［Ｇ） ６１気ヘッド１０ＬＪ
ｉ形’７Ｉ＞イト部材１２とＣ形フェライト部材１４を
含んでおり、これらはηいに結合されて、巻線孔１６及
びトランスデユーサギャップ領域１８を備えた１〜ラン
スデューザヘッドを画成しく”いる。コイル２０がＣ形
フェライト部材１４の一部分のまわりに巻付けられてい
る。
磁気ヘッド１０のギャップ領域１８は第２図においてよ
り詳細に示されている。Ｉ形コア部材１２の面１２Ａは
薄肉のバリアー２２によって覆われている。センダスト
合金のような高コンプライアンスの磁気材料の層２４が
バリアー２２の十に堆４Ｉ４されている。
り詳細に示されている。Ｉ形コア部材１２の面１２Ａは
薄肉のバリアー２２によって覆われている。センダスト
合金のような高コンプライアンスの磁気材料の層２４が
バリアー２２の十に堆４Ｉ４されている。
同様にして、Ｃ形フｌライト部材１４の反対側面１４Ａ
ｌ．：Ｊ３いて、バリアー２６はセンダスト層２８を面
１４Ａから分離している。センダスト層２４と２８の間
にはギｔ・ツブ酸化物３０が形成されており、磁気ヘッ
ド１０の一次ギャップを画成している。
ｌ．：Ｊ３いて、バリアー２６はセンダスト層２８を面
１４Ａから分離している。センダスト層２４と２８の間
にはギｔ・ツブ酸化物３０が形成されており、磁気ヘッ
ド１０の一次ギャップを画成している。
バリアー２２及び２６の目的はフェライト１２及びセン
ダスト層２４間並びにフェライト部材１４及びセンダス
ト層２８間のそれぞれの界面において反応層が出来るの
を防止することである。カジャワラ等及びシレン等の記
事及び１ンツ（［ｎｚ）等の特許において、慣用のＭ
ｒ Ｇヘッドにおいてはフエライ１〜コアとセンダスト
層間の界面において非磁性体反応層が形成することは二
次パルスを発生する二次ギｔ・ツブを誘起するというこ
とが報告されている。前記二次パルス現象は通常のＭＩ
Ｇ磁気ヘッドの全体的性能を劣化させる。
ダスト層２４間並びにフェライト部材１４及びセンダス
ト層２８間のそれぞれの界面において反応層が出来るの
を防止することである。カジャワラ等及びシレン等の記
事及び１ンツ（［ｎｚ）等の特許において、慣用のＭ
ｒ Ｇヘッドにおいてはフエライ１〜コアとセンダスト
層間の界面において非磁性体反応層が形成することは二
次パルスを発生する二次ギｔ・ツブを誘起するというこ
とが報告されている。前記二次パルス現象は通常のＭＩ
Ｇ磁気ヘッドの全体的性能を劣化させる。
本発明においては、バリアー２２及び２６は高融点耐火
金属すなわちタングステン及びタンタルから形成されて
いる。タングステン及びタンタルは極めて小さな厚味（
約５０人もの小ささ）において連続膜を形成している。
金属すなわちタングステン及びタンタルから形成されて
いる。タングステン及びタンタルは極めて小さな厚味（
約５０人もの小ささ）において連続膜を形成している。
両金属は高い融点を備えており、ＭｆＧ磁気ヘッドが典
型的に処理される温度範囲（０℃〜約９００℃）におい
ては相変換を受けない。
型的に処理される温度範囲（０℃〜約９００℃）におい
ては相変換を受けない。
本発明の場合、バリアー２２及び２６は約５０〜１５０
Ａの厚味を備えており、好ましくは約１ｏＯ人である。
Ａの厚味を備えており、好ましくは約１ｏＯ人である。
この厚味は二次パルス現象を顕茗に減少するのに有効で
あることが判明している。
あることが判明している。
第３図は第２図の実施例と類似した、本発明の代替的実
施例を示しており、類似の記号が類似の要素を示すのに
用いられている。、第３図の実施例が第２図の実施例と
異なる点は、単一のセンダスト合金層のみが設けられて
おり、これがバリアー２２によってコア而１２Ａから分
離されているということである。ギャップ酸化物３０は
センダスト層２４をしてＣ形コア部材１４のコア而１４
Ａから分１１１ｔ！しめている。バリアー２２は（例え
ばタングステン又はタンタルのような）耐火金属であり
、約５０〜１５０人の厚味を備えている。
施例を示しており、類似の記号が類似の要素を示すのに
用いられている。、第３図の実施例が第２図の実施例と
異なる点は、単一のセンダスト合金層のみが設けられて
おり、これがバリアー２２によってコア而１２Ａから分
離されているということである。ギャップ酸化物３０は
センダスト層２４をしてＣ形コア部材１４のコア而１４
Ａから分１１１ｔ！しめている。バリアー２２は（例え
ばタングステン又はタンタルのような）耐火金属であり
、約５０〜１５０人の厚味を備えている。
前記タングステン及びタンタルバリアーの有効性を示す
ために、Ａ−ジエ電子分光法を用いた試論が行なわれた
。これらの試験においては異なる材質からなるバリアー
がＭ ｎ −Ｚ ｎフェライト基板とセンダスト合金層
の間の相方作用に及ば１効果が測定された。第４図に例
示するように、バリアー４０がＭｎ−Ｚｎ！！休４２体
表面上に」「積された。次にセンダスト４４の層がバリ
アー４０上に堆積された。
ために、Ａ−ジエ電子分光法を用いた試論が行なわれた
。これらの試験においては異なる材質からなるバリアー
がＭ ｎ −Ｚ ｎフェライト基板とセンダスト合金層
の間の相方作用に及ば１効果が測定された。第４図に例
示するように、バリアー４０がＭｎ−Ｚｎ！！休４２体
表面上に」「積された。次にセンダスト４４の層がバリ
アー４０上に堆積された。
これらの試験において、バリアー４０及びセンゲス１−
層４４ばスパッタリング堆積技法を用いピロ応力状態で
堆積が行なわれた。バリアー４０に用いられた材質はタ
ングステン、タンタル及びパーマロイを含んでいた。試
験に用いられた１１ｒ１記タングステン及びタンタルバ
リアーは１００人の厚さであった。試験に用いられたパ
ーマロイバリアーは２５ＯＡの厚さであった。前記セン
ダスト合金層４４の成分は８３％のＦｅ、１１％の３ｉ
及び６％の△ｌであり、センダスト層４４の厚味は約３
００人であった。第４図に示した態様で形成された試料
は６５０℃で２時間の熱的焼鈍が施された。オージェＪ
？分光法が次に試料に対して用いられた。オージェ電子
分光払の手順にはＪｆｆｌ ｌｄ ａれた層をゆっくり
とスパッタ除去し、どの原ｒ−Ｊ！Ｉ！が存在しでいる
かを分析することが含まれていた。
層４４ばスパッタリング堆積技法を用いピロ応力状態で
堆積が行なわれた。バリアー４０に用いられた材質はタ
ングステン、タンタル及びパーマロイを含んでいた。試
験に用いられた１１ｒ１記タングステン及びタンタルバ
リアーは１００人の厚さであった。試験に用いられたパ
ーマロイバリアーは２５ＯＡの厚さであった。前記セン
ダスト合金層４４の成分は８３％のＦｅ、１１％の３ｉ
及び６％の△ｌであり、センダスト層４４の厚味は約３
００人であった。第４図に示した態様で形成された試料
は６５０℃で２時間の熱的焼鈍が施された。オージェＪ
？分光法が次に試料に対して用いられた。オージェ電子
分光払の手順にはＪｆｆｌ ｌｄ ａれた層をゆっくり
とスパッタ除去し、どの原ｒ−Ｊ！Ｉ！が存在しでいる
かを分析することが含まれていた。
６５０℃゛ぐ２時間の熱的焼鈍を実施した後、１００人
厚０タングステンバリアーと１００人〃のタンタルバリ
アーの両習は＋ｍ記センダス１−とフェライトの界面に
おりるアルミニウム酸化物の形成を抑制していた。これ
と対照的に、２５０ＡＩｇの前記パーマ０イ（ＮｉＦｅ
）バリアーは界面でのアルミニウム酸化物の形成を防什
するのには十分でなかった。
厚０タングステンバリアーと１００人〃のタンタルバリ
アーの両習は＋ｍ記センダス１−とフェライトの界面に
おりるアルミニウム酸化物の形成を抑制していた。これ
と対照的に、２５０ＡＩｇの前記パーマ０イ（ＮｉＦｅ
）バリアーは界面でのアルミニウム酸化物の形成を防什
するのには十分でなかった。
第３図に示す形状を協えたＭＩＧｌａ気ヘッドが何のバ
リアーをも持たない類似のＭＵＧヘッド並びにＭＩＧ形
状を「みえない標準のフェライトヘッドと比較された。
リアーをも持たない類似のＭＵＧヘッド並びにＭＩＧ形
状を「みえない標準のフェライトヘッドと比較された。
前記二次パルスは一次及び二次パルスの両方を観察する
ためのデジタイジングオシロスコープを用いて一次パル
スに対する比率として測定された。試験された前記非Ｍ
ＩＧヘッドは何らの二次パルスを生じない形状を備えて
いたので、測定システム内の騒音の程度を承り（ＩＣ１
が得られた。
ためのデジタイジングオシロスコープを用いて一次パル
スに対する比率として測定された。試験された前記非Ｍ
ＩＧヘッドは何らの二次パルスを生じない形状を備えて
いたので、測定システム内の騒音の程度を承り（ＩＣ１
が得られた。
（本発明のバリアーを右するか右−しない）前記ＭＩＧ
ヘッドは前記非〜ＩＩＧヘッドとくらべてずつと改１聾
された電気的囚イに関する結果を示した。
ヘッドは前記非〜ＩＩＧヘッドとくらべてずつと改１聾
された電気的囚イに関する結果を示した。
このことはくｅンダスト合金という）高い磁気し一メン
ト物質の層を添加したことに予測されていた６重大な事
であるが、本発明に係る前記規整されたＭＩＧヘッドは
バリアーの無いＭＩＧヘッドが示した二次パルスにくら
べて顕著に抑υ１された二次パルスをホしていた。
ト物質の層を添加したことに予測されていた６重大な事
であるが、本発明に係る前記規整されたＭＩＧヘッドは
バリアーの無いＭＩＧヘッドが示した二次パルスにくら
べて顕著に抑υ１された二次パルスをホしていた。
オージェ電子分光テスト及び電気的テストの結果による
と、フェライ１〜コア面とセンダストのような高磁気モ
ーメント物質の間の拡散バリアとしてタングステン又は
タンタルの薄肉層を用いることは、二次パルス現象を誘
起する可能刊のある反応層がセンダスト／ノＩライト界
面に形成されることを防止するのに特に有効であるとい
うことが判明した。
と、フェライ１〜コア面とセンダストのような高磁気モ
ーメント物質の間の拡散バリアとしてタングステン又は
タンタルの薄肉層を用いることは、二次パルス現象を誘
起する可能刊のある反応層がセンダスト／ノＩライト界
面に形成されることを防止するのに特に有効であるとい
うことが判明した。
本発明は好ましい実施例に関して記述されてきたが、当
業者ならば本発明の精神及び範囲から離脱することなく
形態及び詳細において変更を施づことが可能なることを
理解されよう。
業者ならば本発明の精神及び範囲から離脱することなく
形態及び詳細において変更を施づことが可能なることを
理解されよう。
第１図は本発明のＭＩＧ磁気ヘッドの側面図である。
第２図はギャップ領域を示す、第１図ＭＩＧ磁気ヘッド
の拡大された部分図である。 第３図は本発明の別の実施例を示す図であり、この場合
高磁気モーメント金ｊ１層及びバリアーがフェライトコ
アの一方の而のみに適用されでいる。 第４図はオージェ電子分光法を用いて、バリアーの有効
性を分析するためＭ ｎ−Ｚ ｎフェライト基体上にタ
ンタル及びタングステンバリアＥｍびにけンダスト層を
堆積する様子を示した線図である。 １２．１４・・・フェライト部材、１８・・・ギャップ
領域、２０・・・：Ｊイル、２２・・・薄肉バリアー、
２４゜２８・・・高磁気モーメント物質からイＣる府、
２６・・・バリアー、３０・・・ギ１１ツブ醒化物。
の拡大された部分図である。 第３図は本発明の別の実施例を示す図であり、この場合
高磁気モーメント金ｊ１層及びバリアーがフェライトコ
アの一方の而のみに適用されでいる。 第４図はオージェ電子分光法を用いて、バリアーの有効
性を分析するためＭ ｎ−Ｚ ｎフェライト基体上にタ
ンタル及びタングステンバリアＥｍびにけンダスト層を
堆積する様子を示した線図である。 １２．１４・・・フェライト部材、１８・・・ギャップ
領域、２０・・・：Ｊイル、２２・・・薄肉バリアー、
２４゜２８・・・高磁気モーメント物質からイＣる府、
２６・・・バリアー、３０・・・ギ１１ツブ醒化物。
Claims (18)
- （１）磁気ヘッドであつて、 第一の面を備えた第一のフェライトコア部材と、前記第
一の面と反対側にかつこれと隔置されて配置された第二
の面を備えた第二のフェライトコア部材と、 前記第一の面上に堆積され、約５０Å（オングストロー
ム）〜約１５０Åの厚味を備えた耐火金属からなる第一
のバリアーと、 前記第一のバリア層上に堆積された高磁気モーメント物
質からなる第一の層と、 高磁気モーメント物質からなる前記第一の層と前記第二
の面の間に配設された非磁化変換ギャップ物質とを有す
る磁気ヘッド。 - （２）請求項１に記載の磁気ヘッドにおいて、前記耐火
金属がタングステンであることを特徴とする磁気ヘッド
。 - （３）請求項１に記載の磁気ヘッドにおいて、前記耐火
金属がタンタルであることを特徴とする磁気ヘッド。 - （４）請求項１に記載の磁気ヘッドにおいて、前記第一
のバリア層が約１００Åの厚さを備えていることを特徴
とする磁気ヘッド。 - （５）請求項１に記載の磁気ヘッドにおいて、高磁気モ
ーメント物質の第一の層がＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金である
ことを特徴とする磁気ヘッド。 - （６）請求項５に記載の磁気ヘッドにおいて、前記第一
のフェライトコア部材はＭｎ−Ｚｎフェライトであるこ
とを特徴とする磁気ヘッド。 - （７）請求項６に記載の磁気ヘッドにおいて、前記耐火
金属がタングステンであることを特徴とする磁気ヘッド
。 - （８）請求項第６項に記載の磁気ヘッドにおいて、前記
耐火金属がタンタルであることを特徴とする磁気ヘッド
。 - （９）請求項１に記載の磁気ヘッドにおいて、更に 前記第二の面上に堆積され、約５０Å〜約１５０Åの厚
味を備えた耐火金属からなる第二のバリア層と、 前記第二のバリア層上に堆積された、高磁気モーメント
物質からなる第二の層が含まれ、前記非磁化変換ギャッ
プ物質は高磁気モーメント物質からなる前記第一及び第
二の層間に配置されていることを特徴とする磁気ヘッド
。 - （１０）請求項第９項に記載の磁気ヘッドにおいて、前
記第一及び第二のバリア層がタングステンであることを
特徴とする磁気ヘッド。 - （１１）請求項９に記載の磁気ヘッドにおいて、前記第
一及び第二のバリア層がタンタルであることを特徴とす
る磁気ヘッド。 - （１２）請求項９に記載の磁気ヘッドにおいて、高磁気
モーメント物質からなる前記第一及び第二の層がＦｅ−
Ｓｉ−Ａｌ合金であることを特徴とする磁気ヘッド。 - （１３）磁気ヘッドであつて、 互いに対面している第一及び第二の面を備えた第一及び
第二のコア部材を有し、前記第一の面には高磁気モーメ
ント物質からなる第一の層のクラッディングが施されて
いるフェライト磁気コアと、前記第一及び第二の面の間
に設けた非磁化変換ギャップと、 前記コア部材の一方のまわりに設けた巻線と、前記第一
の面と高磁気モーメント物質からなる前記第一の層の間
に設けた第一の金属拡散バリア層にして、該層はタング
ステンとタンタルからなるグループから選んだ一つの金
属からなっているバリア層とを有する磁気ヘッド。 - （１４）請求項第１３項に記載の磁気ヘッドにおいて、
前記第一の金属拡散バリアは約５０Å〜約１５０Åの厚
味を備えていることを特徴とする磁気ヘッド。 - （１５）請求項１３に記載の磁気ヘッドにおいて、前記
第一の金属拡散バリアがタングステンであることを特徴
とする磁気ヘッド。 - （１６）請求項１３に記載の磁気ヘッドにおいて、前記
第一の金属拡散バリアがタンタルであることを特徴とす
る磁気ヘッド。 - （１７）請求項１３に記載の磁気ヘッドにおいて、前記
高磁気モーメント物質がＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金であるこ
とを特徴とする磁気ヘッド。 - （１８）請求項１３に記載の磁気ヘッドにおいて、更に 前記第二の面上に設けた、高磁気モーメント物質からな
る第二の層によるクラツデイングと、前記第二の面と高
磁気モーメント物質からなる前記第二の層の間に設けた
第二の金属拡散バリア層にして、該バリアはタングステ
ン及びタンタルからなるグループより選んだ一つの金属
よりなつているバリア層が含まれていることを特徴とす
る磁気ヘッド。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US359162 | 1989-05-31 | ||
| US07/359,162 US5001589A (en) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | Tungsten and tantalum diffusion barriers for Metal-In-Gap magnetic heads |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH038104A true JPH038104A (ja) | 1991-01-16 |
| JPH0619812B2 JPH0619812B2 (ja) | 1994-03-16 |
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| JP (1) | JPH0619812B2 (ja) |
| CN (1) | CN1021491C (ja) |
| DE (1) | DE68923366T2 (ja) |
| HK (1) | HK96596A (ja) |
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