JPH07169028A - 磁気抵抗効果ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドInfo
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- JPH07169028A JPH07169028A JP34141793A JP34141793A JPH07169028A JP H07169028 A JPH07169028 A JP H07169028A JP 34141793 A JP34141793 A JP 34141793A JP 34141793 A JP34141793 A JP 34141793A JP H07169028 A JPH07169028 A JP H07169028A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3254—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
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- Thin Magnetic Films (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 熱処理（アニール）が不要であり、従来に比
べ特性の良好な磁気抵抗効果ヘッドを提供する。 【構成】 本発明の磁気抵抗効果ヘッドは、下記の合金
組成からなる結晶性軟磁性膜をバイアス膜として用いて
いる。 （Ｎｉx Ｆｅ100-x ）100-y-z Ｍy Ｍｏz ここで、ＭはＮｂ、Ｔａ、ＺｒおよびＨｆのうち少なく
とも一種であり、 ８０≦ｘ≦９０、 ６≦ｙ≦１２、 ０．５≦ｚ≦６．０である。
べ特性の良好な磁気抵抗効果ヘッドを提供する。 【構成】 本発明の磁気抵抗効果ヘッドは、下記の合金
組成からなる結晶性軟磁性膜をバイアス膜として用いて
いる。 （Ｎｉx Ｆｅ100-x ）100-y-z Ｍy Ｍｏz ここで、ＭはＮｂ、Ｔａ、ＺｒおよびＨｆのうち少なく
とも一種であり、 ８０≦ｘ≦９０、 ６≦ｙ≦１２、 ０．５≦ｚ≦６．０である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果ヘッドに
関するものである。
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気センサの高感度化や磁気記録
における高密度化が進められており、これに伴い磁気抵
抗変化を用いた磁気抵抗効果型磁気センサ（以下、ＭＲ
センサという。）や、磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以
下、ＭＲヘッドという。）等のＭＲ素子の開発が盛んに
進められている。ＭＲセンサもＭＲヘッドも、磁性材料
を用いた読み取りセンサ部の抵抗変化により、外部磁界
信号を読み出すものであるが、特にＭＲヘッドでは、再
生出力が記録媒体との相対速度に依存しないことから、
高密度磁気記録においても高い出力が得られるという特
長がある。
における高密度化が進められており、これに伴い磁気抵
抗変化を用いた磁気抵抗効果型磁気センサ（以下、ＭＲ
センサという。）や、磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以
下、ＭＲヘッドという。）等のＭＲ素子の開発が盛んに
進められている。ＭＲセンサもＭＲヘッドも、磁性材料
を用いた読み取りセンサ部の抵抗変化により、外部磁界
信号を読み出すものであるが、特にＭＲヘッドでは、再
生出力が記録媒体との相対速度に依存しないことから、
高密度磁気記録においても高い出力が得られるという特
長がある。
【０００３】ところで、ＭＲヘッドにおいては、素子の
線型応答性と感度を向上させるため、磁気抵抗効果膜に
バイアス磁界を印加する必要があり、それを達成する手
段の一つとして軟磁性膜を使用する方法がある。その方
法は、ＭＲ素子を、磁気抵抗効果膜と、スペーサ金属膜
または絶縁膜と、軟磁性膜とで構成し、軟磁性膜の漏洩
磁界で磁気抵抗効果膜にバイアス磁界を印加するいわゆ
るソフトフィルムバイアス法と呼ばれる方法である。
線型応答性と感度を向上させるため、磁気抵抗効果膜に
バイアス磁界を印加する必要があり、それを達成する手
段の一つとして軟磁性膜を使用する方法がある。その方
法は、ＭＲ素子を、磁気抵抗効果膜と、スペーサ金属膜
または絶縁膜と、軟磁性膜とで構成し、軟磁性膜の漏洩
磁界で磁気抵抗効果膜にバイアス磁界を印加するいわゆ
るソフトフィルムバイアス法と呼ばれる方法である。
【０００４】このソフトフィルムバイアス法に用いられ
る軟磁性膜としては、通常、Ｈk が低く（μが高い）、
ＭＲ変化率が小さく（比抵抗ρが高く、比抵抗変化Δρ
が低い）、望ましくはＢｓが高いという特性が要求され
る。そして、上記のような軟磁性膜としては、特開昭６
３−２３７２０４号公報に開示されているようにＣｏＺ
ｒＭｏやＣｏＺｒＴａからなる非晶質膜を用いるもの、
特開平５−１８２１４９号公報に開示されているように
ＮｉＦｅＮｂ、ＮｉＦｅＺｒ、ＮｉＦｅＣｒからなる結
晶膜を用いるもの等が知られている。
る軟磁性膜としては、通常、Ｈk が低く（μが高い）、
ＭＲ変化率が小さく（比抵抗ρが高く、比抵抗変化Δρ
が低い）、望ましくはＢｓが高いという特性が要求され
る。そして、上記のような軟磁性膜としては、特開昭６
３−２３７２０４号公報に開示されているようにＣｏＺ
ｒＭｏやＣｏＺｒＴａからなる非晶質膜を用いるもの、
特開平５−１８２１４９号公報に開示されているように
ＮｉＦｅＮｂ、ＮｉＦｅＺｒ、ＮｉＦｅＣｒからなる結
晶膜を用いるもの等が知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開昭６３−２３７２０４号のように、軟磁性膜の材料と
してＣｏＺｒＭｏ等をを用いると、特性の良好なものが
得られるが、２５０℃程度でアニールする必要があるた
め、デバイス化するプロセスが複雑になるという問題点
がある。また、このアニールを、磁気抵抗効果膜、スペ
ーサ膜および軟磁性膜の積層の後に行なうと、書名
「Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．」Ｖｏｌ．６３，No. ８
（発行日：１９８８年４月１５日）の第４０２３頁にも
開示があるように、磁気抵抗効果膜とスペーサ膜および
／またはスペーサ膜と軟磁性膜の界面で拡散がおこり、
特性劣化が生じるという問題がある。
開昭６３−２３７２０４号のように、軟磁性膜の材料と
してＣｏＺｒＭｏ等をを用いると、特性の良好なものが
得られるが、２５０℃程度でアニールする必要があるた
め、デバイス化するプロセスが複雑になるという問題点
がある。また、このアニールを、磁気抵抗効果膜、スペ
ーサ膜および軟磁性膜の積層の後に行なうと、書名
「Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．」Ｖｏｌ．６３，No. ８
（発行日：１９８８年４月１５日）の第４０２３頁にも
開示があるように、磁気抵抗効果膜とスペーサ膜および
／またはスペーサ膜と軟磁性膜の界面で拡散がおこり、
特性劣化が生じるという問題がある。
【０００６】また、上記特開平５−１８２１４９号のよ
うに、軟磁性膜の材料として、ＮｉＦｅＮｂやＮｉＦｅ
Ｚｒを用いると、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．６
９，No. ８（発行日：１９９１年４月１５日）の第５６
３１頁にも開示があるように、ＮｂやＺｒの添加量が少
ないとＭＲ変化率が高くなってしまい、一方、多いとＢ
ｓが低下してしまい、ＢｓおよびＭＲ変化率の両者がと
もに満足できる値を得られないという問題がある。さら
に、軟磁性膜の材料として、上記特開平５−１８２１４
９号の残りのＮｉＦｅＣｒを用いると、Ｊ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．５２，No. ３（発行日：１９８１年
３月）の第２１０７頁にも開示があるように、磁歪制御
がむずかしいため、軟磁性特性が必ずしもよくないとい
う問題がある。
うに、軟磁性膜の材料として、ＮｉＦｅＮｂやＮｉＦｅ
Ｚｒを用いると、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．６
９，No. ８（発行日：１９９１年４月１５日）の第５６
３１頁にも開示があるように、ＮｂやＺｒの添加量が少
ないとＭＲ変化率が高くなってしまい、一方、多いとＢ
ｓが低下してしまい、ＢｓおよびＭＲ変化率の両者がと
もに満足できる値を得られないという問題がある。さら
に、軟磁性膜の材料として、上記特開平５−１８２１４
９号の残りのＮｉＦｅＣｒを用いると、Ｊ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．５２，No. ３（発行日：１９８１年
３月）の第２１０７頁にも開示があるように、磁歪制御
がむずかしいため、軟磁性特性が必ずしもよくないとい
う問題がある。
【０００７】本発明は、熱処理（アニール）が不要であ
り、従来に比べＢｓの低下を極力防ぎつつ、μとρが高
く、ＭＲ変化率が低い磁気抵抗効果ヘッドを提供するこ
とを目的とするものである。
り、従来に比べＢｓの低下を極力防ぎつつ、μとρが高
く、ＭＲ変化率が低い磁気抵抗効果ヘッドを提供するこ
とを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（７）の本発明により達成される。 （１）下記の合金組成からなる結晶性軟磁性膜をバイア
ス膜として用いたことを特徴とする磁気抵抗効果ヘッ
ド。 （Ｎｉx Ｆｅ100-x ）100-y-z Ｍy Ｍｏz ここで、ＭはＮｂ、Ｔａ、ＺｒおよびＨｆのうち少なく
とも一種であり、 ８０≦ｘ≦９０、 ６≦ｙ≦１２、 ０．５≦ｚ≦６．０である。 （２）上記（１）において、８０≦ｘ≦９０、７≦ｙ≦
１０および１≦ｚ≦５である磁気抵抗効果ヘッド。 （３）磁気抵抗効果膜、高抵抗金属膜および軟磁性膜を
積層した磁気抵抗効果素子の軟磁性膜として、上記
（１）または（２）の軟磁性膜を用いた磁気抵抗効果ヘ
ッド。 （４）磁気抵抗効果膜、絶縁膜および軟磁性膜を積層し
た磁気抵抗効果素子の軟磁性膜として、上記（１）また
は（２）の軟磁性膜を用いた磁気抵抗効果ヘッド。 （５）上記（３）または（４）の磁気抵抗効果膜が、Ｎ
ｉＦｅ合金膜である磁気抵抗効果ヘッド。 （６）前記ＮｉＦｅ合金膜におけるＦｅの含有率が１８
〜２０原子％である上記（５）の磁気抵抗効果ヘッド。 （７）上記（３）または（４）の磁気抵抗効果膜が、非
磁性薄膜を介して積層された少なくとも２層の磁性薄膜
で構成された多層磁気抵抗効果膜である磁気抵抗効果ヘ
ッド。
（１）〜（７）の本発明により達成される。 （１）下記の合金組成からなる結晶性軟磁性膜をバイア
ス膜として用いたことを特徴とする磁気抵抗効果ヘッ
ド。 （Ｎｉx Ｆｅ100-x ）100-y-z Ｍy Ｍｏz ここで、ＭはＮｂ、Ｔａ、ＺｒおよびＨｆのうち少なく
とも一種であり、 ８０≦ｘ≦９０、 ６≦ｙ≦１２、 ０．５≦ｚ≦６．０である。 （２）上記（１）において、８０≦ｘ≦９０、７≦ｙ≦
１０および１≦ｚ≦５である磁気抵抗効果ヘッド。 （３）磁気抵抗効果膜、高抵抗金属膜および軟磁性膜を
積層した磁気抵抗効果素子の軟磁性膜として、上記
（１）または（２）の軟磁性膜を用いた磁気抵抗効果ヘ
ッド。 （４）磁気抵抗効果膜、絶縁膜および軟磁性膜を積層し
た磁気抵抗効果素子の軟磁性膜として、上記（１）また
は（２）の軟磁性膜を用いた磁気抵抗効果ヘッド。 （５）上記（３）または（４）の磁気抵抗効果膜が、Ｎ
ｉＦｅ合金膜である磁気抵抗効果ヘッド。 （６）前記ＮｉＦｅ合金膜におけるＦｅの含有率が１８
〜２０原子％である上記（５）の磁気抵抗効果ヘッド。 （７）上記（３）または（４）の磁気抵抗効果膜が、非
磁性薄膜を介して積層された少なくとも２層の磁性薄膜
で構成された多層磁気抵抗効果膜である磁気抵抗効果ヘ
ッド。
【０００９】
【発明の作用および効果】Ｎｉ−Ｆｅ系合金に、Ｎｂ等
とＭｏを本発明の範囲で複合添加することにより、Ｂｓ
の低下をできるだけ抑えて、μおよびρが高く、ＭＲ変
化率が低い磁気抵抗効果ヘッド用軟磁性膜を形成するこ
とができる。
とＭｏを本発明の範囲で複合添加することにより、Ｂｓ
の低下をできるだけ抑えて、μおよびρが高く、ＭＲ変
化率が低い磁気抵抗効果ヘッド用軟磁性膜を形成するこ
とができる。
【００１０】本発明の軟磁性膜においては、熱処理（ア
ニール）する必要がないため、各膜の界面における拡散
が抑えられ、ＭＲ膜の特性が劣化することがない。ま
た、近年、特に注目されている巨大磁気抵抗を示す磁性
多層膜は、熱処理でＭＲ特性の劣化が比較的大きいの
で、本軟磁性膜を用いて有効である。
ニール）する必要がないため、各膜の界面における拡散
が抑えられ、ＭＲ膜の特性が劣化することがない。ま
た、近年、特に注目されている巨大磁気抵抗を示す磁性
多層膜は、熱処理でＭＲ特性の劣化が比較的大きいの
で、本軟磁性膜を用いて有効である。
【００１１】
【具体的構成】以下、本発明の磁気抵抗効果ヘッドに用
いられる磁気抵抗効果素子について具体的に説明する。
いられる磁気抵抗効果素子について具体的に説明する。
【００１２】図１は、本発明の磁気抵抗効果ヘッドに用
いられる磁気抵抗効果素子の概略斜視図である。図１に
おいて、符号１は磁気抵抗効果素子を示し、この磁気抵
抗効果素子１は、磁気抵抗効果膜２、非磁性のスペーサ
膜３および軟磁性膜４を順に積層してなるものである。
いられる磁気抵抗効果素子の概略斜視図である。図１に
おいて、符号１は磁気抵抗効果素子を示し、この磁気抵
抗効果素子１は、磁気抵抗効果膜２、非磁性のスペーサ
膜３および軟磁性膜４を順に積層してなるものである。
【００１３】上記磁気抵抗効果膜２は、Ｎｉ−Ｆｅ合金
等で形成され、総厚で２０〜１０００Ａ程度の厚さに設
定される。この磁気抵抗効果膜２は、厚いほどＭＲ変化
率が高くなるが、同時に、抵抗が低くなるため磁気抵抗
効果素子としての出力が低下するので、上記のように適
正な範囲の厚さとする。
等で形成され、総厚で２０〜１０００Ａ程度の厚さに設
定される。この磁気抵抗効果膜２は、厚いほどＭＲ変化
率が高くなるが、同時に、抵抗が低くなるため磁気抵抗
効果素子としての出力が低下するので、上記のように適
正な範囲の厚さとする。
【００１４】上記磁気抵抗効果膜２がＮｉ−Ｆｅ合金で
形成されるとき、Ｆｅの含有率は、１８〜２０原子％の
範囲に設定することが望ましい。
形成されるとき、Ｆｅの含有率は、１８〜２０原子％の
範囲に設定することが望ましい。
【００１５】上記磁気抵抗効果膜２は、非磁性薄膜を介
して積層された少なくとも２層の磁性薄膜で構成された
多層磁気抵抗効果膜（多層膜）であってもよく、この場
合は、例えば図２の断面図に示したように、交互に周期
的に設けられた磁性薄膜５と非磁性薄膜６とを有する。
すなわち、磁性薄膜と非磁性薄膜を組み合わせたものが
繰り返し積層されている。
して積層された少なくとも２層の磁性薄膜で構成された
多層磁気抵抗効果膜（多層膜）であってもよく、この場
合は、例えば図２の断面図に示したように、交互に周期
的に設けられた磁性薄膜５と非磁性薄膜６とを有する。
すなわち、磁性薄膜と非磁性薄膜を組み合わせたものが
繰り返し積層されている。
【００１６】本発明の多層膜の磁性薄膜５に用いる磁性
体の種類は特に制限されないが、具体的には、Ｆｅ，Ｎ
ｉ，Ｃｏが好ましく，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｎｄ，
Ｔｂ，Ｔｍ，Ｃｅ，Ｇｄ等も用いることができる。ま
た、これらの元素を含む合金や化合物、例えば、Ｆｅ−
Ｓｉ，Ｆｅ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｏ，Ｆｅ−Ａｌ，Ｆｅ−Ａ
ｌ−Ｓｉ（センダスト等），Ｆｅ−Ｙ等も用いることが
できる。
体の種類は特に制限されないが、具体的には、Ｆｅ，Ｎ
ｉ，Ｃｏが好ましく，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｎｄ，
Ｔｂ，Ｔｍ，Ｃｅ，Ｇｄ等も用いることができる。ま
た、これらの元素を含む合金や化合物、例えば、Ｆｅ−
Ｓｉ，Ｆｅ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｏ，Ｆｅ−Ａｌ，Ｆｅ−Ａ
ｌ−Ｓｉ（センダスト等），Ｆｅ−Ｙ等も用いることが
できる。
【００１７】各磁性薄膜の膜厚の上限は、２００A であ
る。一方、磁性薄膜の厚さの下限は特にないが、４A 未
満ではキューリー点が室温より低くなって実用性がなく
なってくる。また、厚さを４A 以上とすれば、膜厚を均
一に保つことが容易となり、膜質も良好となる。また、
飽和磁化の大きさが小さくなりすぎることもない。膜厚
を２００A より大としても効果は落ちないが、膜厚の増
加に伴って効果が増大することもなく、膜の作製上無駄
が多く、不経済である。
る。一方、磁性薄膜の厚さの下限は特にないが、４A 未
満ではキューリー点が室温より低くなって実用性がなく
なってくる。また、厚さを４A 以上とすれば、膜厚を均
一に保つことが容易となり、膜質も良好となる。また、
飽和磁化の大きさが小さくなりすぎることもない。膜厚
を２００A より大としても効果は落ちないが、膜厚の増
加に伴って効果が増大することもなく、膜の作製上無駄
が多く、不経済である。
【００１８】用いる非磁性薄膜６は、磁性薄膜間の磁気
相互作用を弱める役割をはたす材料であり、その種類に
特に制限はなく各種金属ないし半金属非磁性体や非金属
非磁性体から適宜選択すればよい。金属非磁性体として
は、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕやこれらの合金を用いることが好
ましく，Ｐｔ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｍｏ，Ｚｎ，Ｎｂ，Ｔａ，
Ｖ，Ｈｆ，Ｓｂ，Ｚｒ，Ｇａ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｐｂ等やこ
れらの合金も用いることができる。半金属非磁性体とし
ては、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｃ，Ｂ等やこれらに別の元素を添加
したものを用いることができる。非金属非磁性体として
は、ＳｉＯ2 ，ＳｉＯ，ＳｉＮ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｎＯ，
ＭｇＯ，ＴｉＮ等やこれらに別の元素を添加したものを
用いることができる。
相互作用を弱める役割をはたす材料であり、その種類に
特に制限はなく各種金属ないし半金属非磁性体や非金属
非磁性体から適宜選択すればよい。金属非磁性体として
は、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕやこれらの合金を用いることが好
ましく，Ｐｔ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｍｏ，Ｚｎ，Ｎｂ，Ｔａ，
Ｖ，Ｈｆ，Ｓｂ，Ｚｒ，Ｇａ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｐｂ等やこ
れらの合金も用いることができる。半金属非磁性体とし
ては、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｃ，Ｂ等やこれらに別の元素を添加
したものを用いることができる。非金属非磁性体として
は、ＳｉＯ2 ，ＳｉＯ，ＳｉＮ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｎＯ，
ＭｇＯ，ＴｉＮ等やこれらに別の元素を添加したものを
用いることができる。
【００１９】非磁性薄膜の厚さは、２００A 以下が望ま
しい。一般に膜厚が２００A を超えると、抵抗は非磁性
薄膜により決定してしまい、スピン散乱を設ける割合が
小さくなってしまい、その結果、磁気抵抗変化率が小さ
くなってしまう。一方、膜厚が小さすぎると、磁性薄膜
間の磁気相互作用が大きくなり過ぎ、両磁性薄膜の磁化
方向が相異なる状態が生じにくくなるとともに、連続膜
の形成が困難となるので、膜厚は４A 以上が好ましい。
しい。一般に膜厚が２００A を超えると、抵抗は非磁性
薄膜により決定してしまい、スピン散乱を設ける割合が
小さくなってしまい、その結果、磁気抵抗変化率が小さ
くなってしまう。一方、膜厚が小さすぎると、磁性薄膜
間の磁気相互作用が大きくなり過ぎ、両磁性薄膜の磁化
方向が相異なる状態が生じにくくなるとともに、連続膜
の形成が困難となるので、膜厚は４A 以上が好ましい。
【００２０】以上のうちでは、磁性薄膜としては、Ｎ
ｉ、ＣｏおよびＦｅの少なくとも一種を含み、非磁性薄
膜としては、Ｃｕ、ＡｇおよびＡｕの少なくとも一種を
含むものが望ましい。
ｉ、ＣｏおよびＦｅの少なくとも一種を含み、非磁性薄
膜としては、Ｃｕ、ＡｇおよびＡｕの少なくとも一種を
含むものが望ましい。
【００２１】なお、磁気抵抗効果膜２自体の膜厚や、磁
性薄膜や非磁性薄膜の膜厚は、透過型電子顕微鏡、走査
型電子顕微鏡、オージェ電子分光分析等により測定する
ことができる。また、薄膜の結晶構造は、Ｘ線回折や高
速電子線回折等により確認することができる。
性薄膜や非磁性薄膜の膜厚は、透過型電子顕微鏡、走査
型電子顕微鏡、オージェ電子分光分析等により測定する
ことができる。また、薄膜の結晶構造は、Ｘ線回折や高
速電子線回折等により確認することができる。
【００２２】本発明の多層磁気抵抗効果膜において、磁
性薄膜／非磁性薄膜ユニットの繰り返し積層回数ｎに特
に制限はなく、目的とする磁気抵抗変化率等に応じて適
宜選択すればよいが、十分な磁気抵抗変化率を得るため
には、ｎを３以上にするのが好ましい。また、積層数を
増加するに従って、抵抗変化率も増加するが、生産性が
悪くなり、さらにｎが大きすぎると素子全体の抵抗が低
くなりすぎて実用上の不便が生じることから、通常、ｎ
を５０以下とするのが好ましい。なお、長周期構造は、
小角Ｘ線回折パターンにて、くり返し周期に応じた１次
２次ピーク等の出現により確認することができる。
性薄膜／非磁性薄膜ユニットの繰り返し積層回数ｎに特
に制限はなく、目的とする磁気抵抗変化率等に応じて適
宜選択すればよいが、十分な磁気抵抗変化率を得るため
には、ｎを３以上にするのが好ましい。また、積層数を
増加するに従って、抵抗変化率も増加するが、生産性が
悪くなり、さらにｎが大きすぎると素子全体の抵抗が低
くなりすぎて実用上の不便が生じることから、通常、ｎ
を５０以下とするのが好ましい。なお、長周期構造は、
小角Ｘ線回折パターンにて、くり返し周期に応じた１次
２次ピーク等の出現により確認することができる。
【００２３】用いるスペーサ膜３としては、高抵抗金属
膜あるいは絶縁膜が好ましい。その膜厚は、高抵抗金属
膜のとき５０〜５００Ａに設定され、絶縁膜のときに
は、２０〜４００Ａの範囲に設定されることが望まし
い。このスペーサ膜３の厚さが、上記の範囲未満である
と充分な絶縁がとれず、一方上記範囲をこえると磁路が
長くなり効率が悪くなる。
膜あるいは絶縁膜が好ましい。その膜厚は、高抵抗金属
膜のとき５０〜５００Ａに設定され、絶縁膜のときに
は、２０〜４００Ａの範囲に設定されることが望まし
い。このスペーサ膜３の厚さが、上記の範囲未満である
と充分な絶縁がとれず、一方上記範囲をこえると磁路が
長くなり効率が悪くなる。
【００２４】上記高抵抗金属膜の材料としては、Ｔｉ、
Ｔａ、Ｈｆ等やあるいはその合金をを好ましく用いるこ
とができる。一方、絶縁膜としては、Ａｌ2 Ｏ3 膜等を
好ましく用いることができる。ここで、高抵抗金属膜の
比抵抗は５０〜８００μΩ・ｃｍ、また絶縁膜の比抵抗
は１×１０6 μΩ・ｃｍが好ましい。
Ｔａ、Ｈｆ等やあるいはその合金をを好ましく用いるこ
とができる。一方、絶縁膜としては、Ａｌ2 Ｏ3 膜等を
好ましく用いることができる。ここで、高抵抗金属膜の
比抵抗は５０〜８００μΩ・ｃｍ、また絶縁膜の比抵抗
は１×１０6 μΩ・ｃｍが好ましい。
【００２５】本発明においては、上記軟磁性膜４をバイ
アス膜として用いる。そして、この軟磁性膜４は、下記
の組成の結晶性合金で形成される。 （Ｎｉx Ｆｅ100-x ）100-y-z Ｍy Ｍｏz ここで、ＭはＮｂ、Ｔａ、ＺｒおよびＨｆのうち少なく
とも一種であり、８０≦ｘ≦９０（原子％）、６≦ｙ≦
１２（原子％）、０．５≦ｚ≦６．０（原子％）である
ことが必要である。上記ｘ、ｙ、ｚは、８０≦ｘ≦９０
（原子％）、７≦ｙ≦１０（原子％）、１≦ｚ≦５（原
子％）が好ましく、特に、７．５≦ｙ≦９．００（原子
％）、２≦ｚ≦４（原子％）であると、極めて好ましい
結果が得られる。
アス膜として用いる。そして、この軟磁性膜４は、下記
の組成の結晶性合金で形成される。 （Ｎｉx Ｆｅ100-x ）100-y-z Ｍy Ｍｏz ここで、ＭはＮｂ、Ｔａ、ＺｒおよびＨｆのうち少なく
とも一種であり、８０≦ｘ≦９０（原子％）、６≦ｙ≦
１２（原子％）、０．５≦ｚ≦６．０（原子％）である
ことが必要である。上記ｘ、ｙ、ｚは、８０≦ｘ≦９０
（原子％）、７≦ｙ≦１０（原子％）、１≦ｚ≦５（原
子％）が好ましく、特に、７．５≦ｙ≦９．００（原子
％）、２≦ｚ≦４（原子％）であると、極めて好ましい
結果が得られる。
【００２６】ｘの値が上記範囲を外れると、磁歪が大き
くなるため良好な軟磁性が得られなくためである。ｙに
関しては、６未満であるとμが低く、軟磁性が劣化し、
１２をこえると、Ｂｓが低くなるとともに、ＭＲ変化率
が大きくなってしまう。最後に、ｚに関しては、０．５
未満であるとＭＲ変化率が大きくなってしまい、６．０
をこえるとＢｓが低くなってしまう。また、ＭはＮｂ、
Ｔａ、ＺｒおよびＨｆの１ないし４種であってよいが、
特にＮｂを５０原子％以上、特に９０〜１００原子％含
むものが好ましい。
くなるため良好な軟磁性が得られなくためである。ｙに
関しては、６未満であるとμが低く、軟磁性が劣化し、
１２をこえると、Ｂｓが低くなるとともに、ＭＲ変化率
が大きくなってしまう。最後に、ｚに関しては、０．５
未満であるとＭＲ変化率が大きくなってしまい、６．０
をこえるとＢｓが低くなってしまう。また、ＭはＮｂ、
Ｔａ、ＺｒおよびＨｆの１ないし４種であってよいが、
特にＮｂを５０原子％以上、特に９０〜１００原子％含
むものが好ましい。
【００２７】上記軟磁性膜４の膜厚は、１００〜７００
Ａ程度に設定される。その理由は、これよりも薄いと、
膜が飽和してしまい、効率よく磁気抵抗効果膜にバイア
ス磁場を印加できず、一方これよりも厚いと、ヘッドの
寸法が大きくなりすぎて、分解能が劣化する原因とな
る。なお、軟磁性膜４はｆｃｃ結晶構造をもち、通常
（１１１）配向性をもっている。
Ａ程度に設定される。その理由は、これよりも薄いと、
膜が飽和してしまい、効率よく磁気抵抗効果膜にバイア
ス磁場を印加できず、一方これよりも厚いと、ヘッドの
寸法が大きくなりすぎて、分解能が劣化する原因とな
る。なお、軟磁性膜４はｆｃｃ結晶構造をもち、通常
（１１１）配向性をもっている。
【００２８】以上の各膜の形成方法には特に制限はな
く、真空蒸着法、スパッタ法、イオンビームスパッタ法
などで行なうことができる。この成膜に際しては、膜面
に平行な磁界強度１０〜２００Ｏｅ程度の１軸磁場中で
成膜することが好ましい。
く、真空蒸着法、スパッタ法、イオンビームスパッタ法
などで行なうことができる。この成膜に際しては、膜面
に平行な磁界強度１０〜２００Ｏｅ程度の１軸磁場中で
成膜することが好ましい。
【００２９】このように成膜された軟磁性膜は、５００
０Ｇ以上、一般に５０００〜８０００Ｇ程度、好ましく
は６０００〜８０００ＧのＢｓと、１０００以上、例え
ば１２００〜２０００程度、好ましくは１７５０〜２０
００の５ＭＨｚのμと、１〜１０ＯｅのＨｋをもつ。そ
して、その−１００〜１００Ｏｅの磁場下でのＭＲ変化
率は０．２５％以下、例えば０．１〜０．２５％、好ま
しくは０．１〜０．２％、特に０．１〜０．１５％であ
り、比抵抗ρは６５μΩ・ｃｍ以上、例えば６５〜１５
０μΩ・ｃｍ程度である。
０Ｇ以上、一般に５０００〜８０００Ｇ程度、好ましく
は６０００〜８０００ＧのＢｓと、１０００以上、例え
ば１２００〜２０００程度、好ましくは１７５０〜２０
００の５ＭＨｚのμと、１〜１０ＯｅのＨｋをもつ。そ
して、その−１００〜１００Ｏｅの磁場下でのＭＲ変化
率は０．２５％以下、例えば０．１〜０．２５％、好ま
しくは０．１〜０．２％、特に０．１〜０．１５％であ
り、比抵抗ρは６５μΩ・ｃｍ以上、例えば６５〜１５
０μΩ・ｃｍ程度である。
【００３０】以上の構造の磁気抵抗変化素子を備えるＭ
Ｒヘッドを構成するには、例えば、図３の断面図に示し
たような構造とすればよい。
Ｒヘッドを構成するには、例えば、図３の断面図に示し
たような構造とすればよい。
【００３１】図３において、符号１０はＭＲヘッドを示
し、このＭＲヘッド１０は、上記磁気抵抗効果素子１に
所定の形状の電極１１が形成されたものが絶縁層１２内
に埋め込まれ、この絶縁層１２の上下面に上部および下
部シールド層１３、１４が形成された構造を有してい
る。
し、このＭＲヘッド１０は、上記磁気抵抗効果素子１に
所定の形状の電極１１が形成されたものが絶縁層１２内
に埋め込まれ、この絶縁層１２の上下面に上部および下
部シールド層１３、１４が形成された構造を有してい
る。
【００３２】このようなＭＲヘッドの製造にあたって
は、フォトリソグラフ、エッチング等の微細加工技術を
必要とする。
は、フォトリソグラフ、エッチング等の微細加工技術を
必要とする。
【００３３】
【実施例】以下、本発明を具体的実施例によりさらに詳
細に説明する。
細に説明する。
【００３４】実施例１ イオンビームスパッタ装置を用い、以下の条件でコーニ
ング７０５９ガラス基板Ｓ上に、基板を水冷し、回転さ
せながら、軟磁性膜を形成した。
ング７０５９ガラス基板Ｓ上に、基板を水冷し、回転さ
せながら、軟磁性膜を形成した。
【００３５】直径７インチのＮｉ−１８wt％Ｆｅターゲ
ットを用い、その上に５ｍｍ角または１０ｍｍ角のＮｂ
チップおよびＭｏチップを置いて、膜面に平行に６０Ｏ
ｅの１軸磁場を印加しながらスパッタし、軟磁性膜を作
製した。このとき、ＮｂチップおよびＭｏチップを置く
位置やビーム電圧、ビーム電流を制御し、軟磁性膜４の
組成を本発明の範囲で変化させ、実施例１ないし８とし
た。
ットを用い、その上に５ｍｍ角または１０ｍｍ角のＮｂ
チップおよびＭｏチップを置いて、膜面に平行に６０Ｏ
ｅの１軸磁場を印加しながらスパッタし、軟磁性膜を作
製した。このとき、ＮｂチップおよびＭｏチップを置く
位置やビーム電圧、ビーム電流を制御し、軟磁性膜４の
組成を本発明の範囲で変化させ、実施例１ないし８とし
た。
【００３６】スパッタ室内は、先ず２×１０-7Torrまで
排気した後、Ａｒガスを導入し、１．４×１０-4Torrの
圧力とした後スパッタを行なった。イオンビーム条件
は、ビーム電圧３００Ｖ、ビーム電流３０ｍＡとした。
また、成膜速度は、０．２〜１．０Ａ／Ｓｅｃ．であっ
た。
排気した後、Ａｒガスを導入し、１．４×１０-4Torrの
圧力とした後スパッタを行なった。イオンビーム条件
は、ビーム電圧３００Ｖ、ビーム電流３０ｍＡとした。
また、成膜速度は、０．２〜１．０Ａ／Ｓｅｃ．であっ
た。
【００３７】以上の条件で、厚さ５００Ａの軟磁性膜を
形成した。軟磁性膜の組成を表１に示した。膜組成は、
蛍光Ｘ線分析で調べた。
形成した。軟磁性膜の組成を表１に示した。膜組成は、
蛍光Ｘ線分析で調べた。
【００３８】
【表１】
【００３９】比較例１および２として、Ｍｏを添加しな
いものを、また、比較例３としてＭｏの含有量が本発明
範囲をこえるものを、比較例４としてＮｂの含有量が本
発明範囲をこえるものをそれぞれ作製した。これらの比
較例の組成も表１に示した。
いものを、また、比較例３としてＭｏの含有量が本発明
範囲をこえるものを、比較例４としてＮｂの含有量が本
発明範囲をこえるものをそれぞれ作製した。これらの比
較例の組成も表１に示した。
【００４０】上記実施例および比較例の試料について、
Ｂｓ（Ｇａｕｓｓ）、ＭＲ変化率（％）、ρ（μΩ・ｃ
ｍ）、μ5Mz を測定した。それらの結果も表１に示し
た。
Ｂｓ（Ｇａｕｓｓ）、ＭＲ変化率（％）、ρ（μΩ・ｃ
ｍ）、μ5Mz を測定した。それらの結果も表１に示し
た。
【００４１】Ｂｓ測定は、ＶＳＭによって行なった。μ
の測定は、８の字コイル法で５ＭＨｚのμを測定した。
ρおよびΔρの測定は、実施例の試料から０．５×１０
mmの形状のサンプルを作成し、外部磁界を面内に電流と
垂直方向になるようにかけながら、−１００Oe〜１００
Oeまで変化させたときのρを直流４端子法により測定し
た。ＭＲ変化率は、次式により計算した：ＭＲ変化率＝
Δρ／ρ×１００（％）。なお、実施例の各サンプルと
も（１１１）配向性を示した。
の測定は、８の字コイル法で５ＭＨｚのμを測定した。
ρおよびΔρの測定は、実施例の試料から０．５×１０
mmの形状のサンプルを作成し、外部磁界を面内に電流と
垂直方向になるようにかけながら、−１００Oe〜１００
Oeまで変化させたときのρを直流４端子法により測定し
た。ＭＲ変化率は、次式により計算した：ＭＲ変化率＝
Δρ／ρ×１００（％）。なお、実施例の各サンプルと
も（１１１）配向性を示した。
【００４２】上記表１から分かるように、ＮｂおよびＭ
ｏを本発明範囲で添加した実施例においては、特に、Ｍ
Ｒ変化率が低く、μが大きい軟磁性膜が得られる。特
に、Ｍｏを添加しない比較例１の特性と、実施例中で最
も特性のよい実施例３の特性とを比較してみると、本実
施例においては、Ｂｓこそ２０００程度減少したものの
６５００Ｇａｕｓｓと十分満足のゆく値であり、ＭＲ変
化率とΔρが約三分の一程度に減少し、μが倍増し、ρ
が維持状態のバランスのよい良好な特性となった。
ｏを本発明範囲で添加した実施例においては、特に、Ｍ
Ｒ変化率が低く、μが大きい軟磁性膜が得られる。特
に、Ｍｏを添加しない比較例１の特性と、実施例中で最
も特性のよい実施例３の特性とを比較してみると、本実
施例においては、Ｂｓこそ２０００程度減少したものの
６５００Ｇａｕｓｓと十分満足のゆく値であり、ＭＲ変
化率とΔρが約三分の一程度に減少し、μが倍増し、ρ
が維持状態のバランスのよい良好な特性となった。
【００４３】次に、以下述べる方法で、実施例３と比較
例１の軟磁性膜を用いてＭＲヘッドを作製し、再生特性
を調べた。
例１の軟磁性膜を用いてＭＲヘッドを作製し、再生特性
を調べた。
【００４４】ＭＲヘッドの作製にあたっては、まず、直
径３インチ、厚み２．８ｍｍのＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ複合
セラミックス基板上に、Ａｌ2 Ｏ3 膜を約３０μｍスパ
ッタし、その後、このＡｌ2 Ｏ3 膜を１０μｍになるよ
うに研磨した。次いで、この研磨したＡｌ2 Ｏ3 膜上に
下部シールド膜として、Ｎｉ−２０原子％Ｆｅ膜を２μ
ｍスパッタし、フォトリソグラフィーで所定の形状に微
細加工した。続いて、下部絶縁膜としてＡｌ2 Ｏ3 膜を
０．３μｍスパッタ成膜した。その上に、実施例３に示
す組成のＮｉＦｅＮｂＭｏ軟磁性膜または比較例１に示
す組成のＮｉＦｅＮｂ軟磁性膜、高抵抗金属膜としてＴ
ａ膜、磁気抵抗効果膜としてＮｉ−１８原子％Ｆｅ膜を
各々２６０Ａ、１５０Ａ、３２０Ａ連続してスパッタ成
膜し、次いで、フォトリソグラフィーで所定の形状に加
工した。その後、Ａｕ蒸着膜を用いて電極部を所定の形
状に形成し、続いて上部絶縁Ａｌ2 Ｏ3 膜を０．３μｍ
形成した後、更に上部シールド膜を下部シールド膜と同
様の方法で形成し、実施例および比較例の磁気抵抗効果
ヘッドとした。
径３インチ、厚み２．８ｍｍのＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ複合
セラミックス基板上に、Ａｌ2 Ｏ3 膜を約３０μｍスパ
ッタし、その後、このＡｌ2 Ｏ3 膜を１０μｍになるよ
うに研磨した。次いで、この研磨したＡｌ2 Ｏ3 膜上に
下部シールド膜として、Ｎｉ−２０原子％Ｆｅ膜を２μ
ｍスパッタし、フォトリソグラフィーで所定の形状に微
細加工した。続いて、下部絶縁膜としてＡｌ2 Ｏ3 膜を
０．３μｍスパッタ成膜した。その上に、実施例３に示
す組成のＮｉＦｅＮｂＭｏ軟磁性膜または比較例１に示
す組成のＮｉＦｅＮｂ軟磁性膜、高抵抗金属膜としてＴ
ａ膜、磁気抵抗効果膜としてＮｉ−１８原子％Ｆｅ膜を
各々２６０Ａ、１５０Ａ、３２０Ａ連続してスパッタ成
膜し、次いで、フォトリソグラフィーで所定の形状に加
工した。その後、Ａｕ蒸着膜を用いて電極部を所定の形
状に形成し、続いて上部絶縁Ａｌ2 Ｏ3 膜を０．３μｍ
形成した後、更に上部シールド膜を下部シールド膜と同
様の方法で形成し、実施例および比較例の磁気抵抗効果
ヘッドとした。
【００４５】これらの実施例および比較例の磁気抵抗効
果ヘッドにつき、それらの出力特性を、次のような方法
で評価した。
果ヘッドにつき、それらの出力特性を、次のような方法
で評価した。
【００４６】（１） 交流５０Ｈｚ磁界中で、ＭＲ曲線
を調べた。
を調べた。
【００４７】（２） 誘導型パーマロイ薄膜ヘッドを用
いて、保磁力２０００ＯｅのＣｏＰｔＣｒ薄膜媒体に信
号を記録した。その後、作製した磁気抵抗効果ヘッドで
信号を再生し、出力特性を調べた。
いて、保磁力２０００ＯｅのＣｏＰｔＣｒ薄膜媒体に信
号を記録した。その後、作製した磁気抵抗効果ヘッドで
信号を再生し、出力特性を調べた。
【００４８】図４に実施例３の組成の軟磁性膜を用いて
作製した磁気抵抗効果ヘッドのＭＲ曲線を、図５に比較
例１の組成の軟磁性膜を用いて作製した磁気抵抗効果ヘ
ッドのＭＲ曲線をそれぞれ示した。これらの図から分か
るように、実施例３の組成の軟磁性膜を用いて作製した
磁気抵抗効果ヘッドでは、約５０Ｏｅのバイアス磁界が
かかり、綺麗なＭＲ曲線が得られた。これに対し、比較
例１の組成の軟磁性膜を用いて作製した磁気抵抗効果ヘ
ッドでは、軟磁性膜のＭＲ変化率が０．４％と高いた
め、それに起因して第二のピークが現れてしまった。
作製した磁気抵抗効果ヘッドのＭＲ曲線を、図５に比較
例１の組成の軟磁性膜を用いて作製した磁気抵抗効果ヘ
ッドのＭＲ曲線をそれぞれ示した。これらの図から分か
るように、実施例３の組成の軟磁性膜を用いて作製した
磁気抵抗効果ヘッドでは、約５０Ｏｅのバイアス磁界が
かかり、綺麗なＭＲ曲線が得られた。これに対し、比較
例１の組成の軟磁性膜を用いて作製した磁気抵抗効果ヘ
ッドでは、軟磁性膜のＭＲ変化率が０．４％と高いた
め、それに起因して第二のピークが現れてしまった。
【００４９】次に、実施例３の組成の軟磁性膜を用いて
作製した磁気抵抗効果ヘッドで得られた再生波形をオシ
ログラフィで調べた結果を図６に、比較例１の組成の軟
磁性膜を用いて作製した磁気抵抗効果ヘッドで得られた
再生波形をオシログラフィで調べた結果を図７にそれぞ
れ示した。これらの図から分かるように、実施例による
磁気抵抗効果ヘッドでは、シャープで対称性のよい出力
波形が得られたが、比較例１による磁気抵抗効果ヘッド
では、上記の第二のピークの影響でシャープな波形が得
られず、ブロード化するとともに、ベースラインのノイ
ズも大きかった。
作製した磁気抵抗効果ヘッドで得られた再生波形をオシ
ログラフィで調べた結果を図６に、比較例１の組成の軟
磁性膜を用いて作製した磁気抵抗効果ヘッドで得られた
再生波形をオシログラフィで調べた結果を図７にそれぞ
れ示した。これらの図から分かるように、実施例による
磁気抵抗効果ヘッドでは、シャープで対称性のよい出力
波形が得られたが、比較例１による磁気抵抗効果ヘッド
では、上記の第二のピークの影響でシャープな波形が得
られず、ブロード化するとともに、ベースラインのノイ
ズも大きかった。
【００５０】そこで、各実施例、比較例の磁気抵抗効果
ヘッドとしての評価を○、×で表中に表記する。各実施
例とも実施例３と同様すぐれた特性が得られたが、比較
例２、４では比較例１と同様ブロードでベースラインに
ノイズの多い出力波形しか得られなかった。また、比較
例３では、バイアスが有効にかからず、０磁場付近での
直線性に劣り、図６、７の上下のピークが非対称とな
り、対称性の極めて悪い出力しか得られなかった。
ヘッドとしての評価を○、×で表中に表記する。各実施
例とも実施例３と同様すぐれた特性が得られたが、比較
例２、４では比較例１と同様ブロードでベースラインに
ノイズの多い出力波形しか得られなかった。また、比較
例３では、バイアスが有効にかからず、０磁場付近での
直線性に劣り、図６、７の上下のピークが非対称とな
り、対称性の極めて悪い出力しか得られなかった。
【００５１】なお、以上の説明においては結晶質軟磁性
膜、高抵抗金属膜、磁気抵抗効果膜の順序で積層する場
合のみ示したが、磁気抵抗効果膜、高抵抗金属膜、結晶
質軟磁性膜の順序で積層したＭＲヘッドについても同様
の結果が得られた。
膜、高抵抗金属膜、磁気抵抗効果膜の順序で積層する場
合のみ示したが、磁気抵抗効果膜、高抵抗金属膜、結晶
質軟磁性膜の順序で積層したＭＲヘッドについても同様
の結果が得られた。
【００５２】また、以上の結果は、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆの
単独使用や、これらとＮｂの併用でも同様に実現した
が、Ｎｂ単独、あるいはＮｂ５０原子％以上の場合が最
も良好な結果が得られた。
単独使用や、これらとＮｂの併用でも同様に実現した
が、Ｎｂ単独、あるいはＮｂ５０原子％以上の場合が最
も良好な結果が得られた。
【００５３】以上詳細に説明したように、本発明によれ
ば、再生能力が極めて良好な磁気抵抗効果ヘッドを得る
ことができる。
ば、再生能力が極めて良好な磁気抵抗効果ヘッドを得る
ことができる。
【図１】本発明の磁気抵抗効果ヘッドに用いられる磁気
抵抗効果素子の概略斜視図である。
抵抗効果素子の概略斜視図である。
【図２】本発明の磁気抵抗効果ヘッドに用いられる磁性
多層膜の概略断面図である。
多層膜の概略断面図である。
【図３】本発明の磁気抵抗効果ヘッドの１例を示す概略
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明の磁気抵抗効果ヘッドの１例によるＭＲ
曲線のグラフ図である。
曲線のグラフ図である。
【図５】比較例の磁気抵抗効果ヘッドによるＭＲ曲線の
グラフ図である。
グラフ図である。
【図６】本発明の磁気抵抗効果ヘッドの１例による出力
波形のグラフ図である。
波形のグラフ図である。
【図７】比較例の磁気抵抗効果ヘッドによる出力波形の
グラフ図である。
グラフ図である。
１ 磁気抵抗効果素子 ２ 磁気抵抗効果膜 ３ スペーサ膜 ４ 軟磁性膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 篠浦 治 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 下記の合金組成からなる結晶性軟磁性膜
をバイアス膜として用いたことを特徴とする磁気抵抗効
果ヘッド。 （Ｎｉx Ｆｅ100-x ）100-y-z Ｍy Ｍｏz ここで、ＭはＮｂ、Ｔａ、ＺｒおよびＨｆのうち少なく
とも一種であり、 ８０≦ｘ≦９０、 ６≦ｙ≦１２、 ０．５≦ｚ≦６．０である。 - 【請求項２】 請求項１において、８０≦ｘ≦９０、７
≦ｙ≦１０および１≦ｚ≦５である磁気抵抗効果ヘッ
ド。 - 【請求項３】 磁気抵抗効果膜、高抵抗金属膜および軟
磁性膜を積層した磁気抵抗効果素子の軟磁性膜として、
請求項１または２の軟磁性膜を用いた磁気抵抗効果ヘッ
ド。 - 【請求項４】 磁気抵抗効果膜、絶縁膜および軟磁性膜
を積層した磁気抵抗効果素子の軟磁性膜として、請求項
１または２の軟磁性膜を用いた磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項５】 請求項３または４の磁気抵抗効果膜が、
ＮｉＦｅ合金膜である磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項６】 前記ＮｉＦｅ合金膜におけるＦｅの含有
率が１８〜２０原子％である請求項５の磁気抵抗効果ヘ
ッド。 - 【請求項７】 請求項３または４の磁気抵抗効果膜が、
非磁性薄膜を介して積層された少なくとも２層の磁性薄
膜で構成された多層磁気抵抗効果膜である磁気抵抗効果
ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34141793A JPH07169028A (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34141793A JPH07169028A (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07169028A true JPH07169028A (ja) | 1995-07-04 |
Family
ID=18345914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34141793A Withdrawn JPH07169028A (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07169028A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100268191B1 (ko) * | 1996-09-23 | 2000-10-16 | 포만 제프리 엘 | 고자화,고저항률,낮은고유이방성및제로에가까운자기변형을갖는소프트인접층을포함하는자기저항센서 |
-
1993
- 1993-12-10 JP JP34141793A patent/JPH07169028A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100268191B1 (ko) * | 1996-09-23 | 2000-10-16 | 포만 제프리 엘 | 고자화,고저항률,낮은고유이방성및제로에가까운자기변형을갖는소프트인접층을포함하는자기저항센서 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010306 |