JPH029187A - オプトエレクトロニック集積回路サブアセンブリ - Google Patents

オプトエレクトロニック集積回路サブアセンブリ

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JPH029187A
JPH029187A JP1050196A JP5019689A JPH029187A JP H029187 A JPH029187 A JP H029187A JP 1050196 A JP1050196 A JP 1050196A JP 5019689 A JP5019689 A JP 5019689A JP H029187 A JPH029187 A JP H029187A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 光班夏丘量 本発明はオプトエレクトロニック集積回路（ｏｐｔｏｅ
ｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　ｃｉｒｃ
ｕｉｔ　、　０ＥＩＣ）、より詳細には、個々のチップ
がベース上に搭載され、これらが互いに光学的及び／あ
るいは電気的に接続されたハイブリッド　バージョンの
０ＢＩＣに対するサブアセンブリに関する。これらのチ
ップ自体は、レーザー　ダイオードあるいは光ダイオー
ドのような離散デバイスであることも、ｐｉ−ｎ光ダイ
オードと電界効果形トランジスタ（ｐｉｎＦＥＴ）との
組み合せのような集積デバイスであることも、あるいは
送信回路ないし受信回路のような集積回路であることも
考えられる。
電子技術においては、印刷回路（ＰＣ）ボードは基本的
技術であり、ＴＶ上セツトらコンピュータに至るまで、
また家庭から衛星にいたるまであらゆる所にみられる。
ＰＣボードは個々の電子チップ及び要素を絶縁基板、例
えば、ファイバーガラスあるいはセラミック　ボード上
に堆積された金属化パターンにて相互接続することを可
能にする。この技術は非常に成熟しており、これらボー
ドは比較的簡単にしかも高信頼度に製造でき、コストも
問題ない。これとは対照的に、光学及びオプトエレクト
ロニック技術はまだ幼児期にある。
離散デバイスが市場に氾濫しているが、しかし、これら
要素は典型的には、ハイーチクＩ−Ｖ族化合物プロセス
から製造され、また特別の技術及び装置を用いて金属あ
るいはセラミック　ハウジング内にパフケージ化され、
それだけ値段も高い。
離散デバイスの収率は比較的低く、また、オプトエレク
トロニック要素の集積化は研究中ではあるが、近い将来
を考えるかぎり、さらに収率が低下することが予見され
る。このため、個々の光学及び電子チップを簡単に製造
でき、比較的コストも小さな方法にて、光学的及び電気
的に相互接続及びパッケージ化できる電子デバイスに対
するＰＣボード　アプローチに匹敵する別のアプローチ
に対する必要性が存在する。
光皿皇塁叉 本発明の一面によると、オプトエレクトロ二フク　チッ
プが単結晶半導体ベース上に搭載され、これらがこの半
導体材料上に一緒に形成された導波路及び結合器によっ
て電気的に互いに接続される。このベース上に形成され
た集積回路は、例えば、トランシーバとして機能する。
１つの実施態様においては、単結晶半導体のふたがこの
ベース上に搭載されるが、これは、これら要素を光学的
及び／あるいは電気的に隔離する空胴を含む包囲を形成
する。
もう１つの実施Ｂ様においては、このベース上の導波路
の少なくとも１つがこのふたの下をこの包囲の外側にの
び、これによって、ファイバが包囲を突き抜けることを
要求されることなく導波路に結合できる。
１つの関連する実施態様においては、ファイバを導波路
に整合させるため整合フィクスチャーがこのベースの一
端に搭載される。
さらにもう１つの実施態様においては、半導体レーザー
がこのレーザーを導波路の１つに整合するための溝にか
み合うメサをもつ。
好ましくは、このベース、ふた及びフィクスチャーは集
積回路分野において開発された比較的成熟した技術を活
用できるようにシリコンから製造される。この場合、導
波路はシリカから製造され、０、７−１．６μｍのシン
グル　モード光伝搬の最も−ｉ的なレンジをカバーする
ように設計できる。
この形式の場合、本発明は“シリコン光学ベンチ（ｓｉ
ｌｉｃｏｎ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｂｅｎｃｈ）　”技術を
利用するものであるともみなすことができる。
本発明は、本発明のさまざまな特徴及び目的とともに、
以下の詳細な説明を図面を参照にして読むことによって
簡単に理解できるものである。ここで、図面は説明を完
結にするため略図であり、実寸でないことに注意する。
尖施舅 第１図には単結晶の半導体基板、好ましくは、当分野に
おいて成熟した処理技術及び標準化された市販の装置が
使用できるシリコン基板上に形成されたオプトエレクト
ロニックトランシーバが示される。このトランシーバは
、これが他の回路、例えば、送信機あるいは受信機内に
見ることができる殆んどのオプトエレクトロニック　チ
ップを代表する傾向があるために解説の目的としてのみ
示される。一般に、シリコン　ベース１０は少なくとも
１つの酸化された（例えば、ＳｉＯ□Ｏ層１２を層成２
る）主面１２を持つ。これに加えて、このトランシーバ
はさまざまなオプトエレクトロニック　チップを光学的
に相互接続するためにこのシリコン　ベース上に一緒に
形成された複数のシングル　モードあるいはマルチ　モ
ード　シリカ導波路を含む。−例として、これら導波路
は伝送導波路１４及び光結合器２０及び２３を含む。
導波路１４はレーザー　ダイオード１６を光ファイバ１
８に結合する。シングル　モード　アプリケーションに
対するエバネセント　フィールド結合器として示される
結合器２０は、光ファイバ１８を受信光ダイオード２４
に結合するための導波路セグメント２２及びレーザー１
６をパワーモニタ光ダイオード２８に光学的に結合する
ための導波路セグメント２６を持つ。これもエバネセン
ト　フィールド結合器として示されるもう１つの結合器
２３は、導波路１４からのパワーの一部を後に説明され
る１つの機能である位置２５の所に光テスト　ポイント
を提供するためにタップする。マルチ　モード　アプリ
ケーションに対しては、結合器２０−２３は好ましくは
エバネセントフィールド結合器ではなく周知のＹ−結合
器の形態をもつ。
ベース１０上の酸化層１２はこの上に形成されたさまざ
まな電気コンタクトを電気的に隔離し、また導波路内の
光学モードのエバネセント部分をベースから光学的に隔
離する。
第６図に示されるように、このシリカ導波路は、典型的
には、下側クラッド３２と上側クラッド３４によって包
囲される概むね半円形のコア３０を持つ。このコアの半
円形状は導波路１４（第１図）内のモードをファイバ１
８内のモードとマツチさせ、シングル　モード伝搬のた
めに約５μｍの直径をもつ。好ましくは、下側クラッド
３２はシリコン　ベース１０の表面を酸化することによ
って形成され、コアは化学蒸着によってホスフォシリケ
ート　ガラスを堆積させ、このガラスをコアを形成する
ようにパターン化し、次にパターン化されたコアを半円
の形状が形成されるように流動させることによって形成
される。上側クラフト３４が次にシリカを堆積し、この
シリカ　ガラスを密圧することによって形成される。こ
のタイプの導波路は、光通信に重要な波長レンジ、つま
り、０、７−１．６　ｐ　ｍにおいて、０．０３　ｄ　
Ｂ以下の光学損失をもつ。結合器は第７図に示されるよ
うに、２つのコアを隣に置き、片方の導波路のエバネセ
ント　フィールドが光パワーを片方から他方に移すのに
十分に他方のエバネセント　フィールドと重複するよう
にされる。
上に説明の光学チップに加えて、このトランシーバは電
子回路チップ、例えば、レーザー　ダイオード１６に接
続されたレーザー　ドライバ回路４０及び電気的に受信
光ダイオード２４及びモニタ光ダイオード２８の両方に
接続された受信回路４２を含む。これら光ダイオードの
図示されるような配置は、要求される場合、エコーの相
殺に有効である。ただし、回路４０及び光ダイオード２
８を導波路１４の同一サイドに置き、このクロス　オー
バー電気接続７を回避することもできる。
ただし、導波路のクラッドの厚さがこの接続内の金属に
よる大きな吸収を避けるのに十分に厚いという条件の下
で、このクロス　オーバーを使用することもできる。
以下の議論は主に光学チップ、より詳細には、これらが
シリカ導波路に光学的にいかに結合されるかに向けられ
る。
シリカ導波路の光検出器への結合が第２−５図に示され
る。１つ実施態様においては、第２図及び第４図に示さ
れるように、光検出器２４はベース１０上にフラットに
置かれ、導波路２２の上に下側の電極４４、並びに電極
４４と光ダイオード２４０間に置かれた半田隆起によっ
て持上げられる（第４図）。導波路２２内の光の方向を
変えるめ、溝の軸が導波路の軸を横断するような方法で
コア３０内に溝１１がエツチングされ（第２図）、導波
路の端から遠い方の１つの側壁が反射器１３を形成する
ように金属化される。こうして、導波路の端から放射さ
れてくる光は、この反射器１３に当たり、上向きに光ダ
イオード２４に向うようにされる。
別の方法として、第３図に示されるように、導波路２２
の端を導波路の下が切り取られた不透明の表面１５を形
成するような形状にすることもできる。これは、トータ
ル内部反射（ｔｏｔａｌ　ｔｎｔｅｒ−ｎａｌ　ｒｅｆ
ｌｅｃｔｉｏｎ）として機能し、光を導波路２４に向け
る。
重要なことに、導波路内を伝搬する光の方向をベース１
０から上方向に向けるこれら技術は本発明の重要な機能
、つまり、第１図に示されるようなテスト　ポイント２
５を提供することを可能にする。テスト　ポイント２５
は、第２図及び第３図の光が不透明な反射表面によって
上方に向けられる位置に対応し、これは、アセンブリ機
能あるいは回路動作をモニタするのに使用される。例え
ば、レーザー１６が導波路１４に正しく整合しているか
否かを決定するために、検出器２３は導波路１４からの
光の少量をテスト　ポイント２５に結合する。適当な位
置に光検出器を含むテストヘッドがアセンブリの際にベ
ース１０の上に位置される。レーザーを動作した状態に
し、レーザーと導波路との整合は、テスト　ポイント２
５の所の光学パワーが最大化されることによって達成さ
れる。同様に、ベース１０上に他のテスト　ポイントを
組み込み、さまざまなテスト及び測定の遂行を可能にす
ることができる。これは、トランシーバの動作の際に自
動的に行なうことも、あるいは現場で手操作にて、技術
者がテスト　ポイント上に適当に設計されたテスト　ヘ
ッドを位置し、回路内に故障が発生したか否か知るため
に使用することもできる。
別の方法として、第５図に示されるように、光ダイオー
ドはベース１０上にフラットに横たえる必要はない。第
５図のケースにおいては、ベース１０内に異方的にエツ
チングされたＶ−溝が光ダイオード２４を導波路２２の
端から遠い方の側壁に沿って位置するのに使用される。
この方法だと、導波路の端から放射されてくる光が直接
に光ダイオードに当る。この構成は、光ダイオードの斜
めの方位がスプリアス反射が導波路２２内に反射し、こ
の導波路に結合された他の要素、例えば、レーザーを混
乱させる可能性を少なくするという長所をもつ。
レーザー　ダイオード１６の導波路１４への結合が第８
図及び第９図に示される。ここで説明される整合スキー
ムは光学テスト　ポイント２５と独立して使用すること
も、あるいは必要であればこれとの関連で使用すること
もできる。第８図に示されるように、レーザー　ダイオ
ード】６はこの片方の表面上に形成されたメサ１９を持
ち、ベース１０は導波路１４と軸が整合した溝２１をも
つ。このメサは特に整合の目的でレーザー上に形成する
ことも、あるいは他の目的のためにレーザーの一部分と
して（例えば、リッジ導波路レーザーの導波リッジとし
て）形成することもできる。
いずれにしろ、メサ１９は溝２１によってガイドされ、
レーザー　ダイオードのアクティブ領域１７を導波路１
４に整合する働きをもつ。このメサ及び溝は、導波路へ
の直接的で厳密な整合を与えるように設計することも、
あるいは、必要であれば粗い整合のみを与えるように設
計することもできる。後者の場合は、レーザー　ダイオ
ード１６を別個のレーザーによって光学的にポンプしく
例えば、レーザー　ダイオード１６が１．３μｍＩｎ／
ＩｎＧａＡＳＰデバイスである場合はＮｄ：ＹＡＧレー
ザーによって（図示なし））、導波路１４内に結合され
る光をファイバ１８内に結合される光、あるいはテスト
　ポイント２５内に結合される光をモニタすることによ
って最大化することができる。レーザー　ダイオード１
６の光学ボンピングは、レーザーの上側の金属化層内に
開口２３を与え、ボンピング放射がこのアクティブ領域
を貫通するようにすることによって達成できる。勿論、
例えば、ベースに搭載する前のテストのためのような他
の目的でテストが行なわれ上側の金属化層が必要とされ
ない場合は、これを全て排除し、開口２３を形成する必
要性も排除することもできる。
ファイバ１８は導波路１４に第１０図に示されるように
ペアのタンデムソー溝を介して光学的に結合される。相
対的に狭いＶ−溝５０が導波路１４の光学軸と整合され
、このサイズは、ファイバ１８（第１図）の裸の部分３
１を受けるように設計される。一方、大きなＶ−溝５２
は溝５０と軸が整合され、このサイズは、ファイバ１８
（第１図）のコーティングされた部分３３を受けるよう
に設計される。これらＶ−溝は、最初に、小さな溝に対
する位置をマスクした状態で大きな溝５２を部分的に異
方的にエツチングし、次に、マスクを除去し、大きな溝
と小さな溝のエツチングを同時に完結させる方法によっ
て形成できる。
上に説明の光学サブアセンブリは、第１１図及び第１２
図に示されるように、ベース１０上に搭載されたさまざ
まなチップを包囲するふた７０を提供することによって
完結される。チップとじては、ここでは、簡潔のために
、導波路８ｏによって結合されたレーザー　ダイオード
９及び９４のみが示される。溶接密閉の場合は、このふ
たの周辺をベースに接着させる。密閉作業を簡単にする
ため、ファイバ１８はこの密閉包囲を貫通しない。
かわりに、シリコン　フィクスチャ−７６が■−溝７８
を持ち、これがベース１０内の上記のＶ−溝５０に整合
され、これによってファイバを受けるチャネルが形成さ
れる。このチャネルは、ファイバをガイドし、これを密
閉包囲内に伸びる導波路８０に結合する機能をもつ。導
波路８ｏを収容するためふた内に形成することもできる
が、実際には、密閉を形成するために使用されるシール
剤がノツチを使用することなく導波路を収容ときの雄ね
じの機能を十分に果す。一般に、フィクスチャ−７６と
ふた７０は単一片から作ることもできるが、好ましくは
、示されるように別個に形成される。
第１２図は示されるように、ふた７０はベース１０に平
行にベースの対応する寸法より短かい寸法をもち、この
上に形成されるリードがふたの下から突き出し、これへ
の電気的アクセスが得られるようにされる。解説の目的
で２つのセットのリード７３及び７５のみがここでは示
される。
さらに、ふた７０は本発明の追加の重要な機能、つまり
、第１１図に示されるようなベース１０上のチップの光
学的及び電気的隔離を提供するために使用される。長い
波長（例えば、約１．１−１．６μｍ）における光学隔
離のためには、ふたの内側面が、好ましくは、金属化さ
れる（図示なし）。
実際には、好ましくは金属が堆積される前にシリコンが
酸化される。これより短い波長（例えば、約０．７−０
．９μｍ）に対しては、シリコンがこれらの波長では光
を吸収するために金属化は要求されない。いずれの場合
も、このふた７０にはペアの別個の間隙７２及び７４が
提供され、これらはそれぞれふたがかぶせられたときレ
ーザー９２及び９４を受けるように設計される。こうし
て、デバイスがふたのセグメント（例えば、７７）によ
って分離され、このセグメントによってこれらデバイス
が互いに電気的及び光学的に隔離される。
このふたは、サブアセンブリをパンケージにカプセル化
するときの成形作業の際のチップの保護、チップの電気
的及び／あるいは光学的隔離等のさまざまな役割を果す
。これに加えて、これは、必要であればチップをバシブ
化する目的でこの間隙内に順応コーティングを詰めるの
にも使用できる。
これに加えて、ベース１０　（あるいはフィクスチャー
、あるいは両者）にこの平行エツジに沿って第１２−１
３図に示されるようにＶ−溝を提供し、サブアセンブリ
を装置フレームあるいはランク内に差し込むのに使用さ
れるガイド棒９０を収容することもできる。勿論、この
ガイド棒は、これによって、サブアセンブリがこのフレ
ームあるいはランク装置の一部であるファイバ（例えば
、１８）に自動的に結合されるのを助ける機能をもつ。
このサブアセンブリはオプトエレクトロニック　デバイ
スが（ふたととも、あるいはふたなしに）その上に搭載
され、ファイバに光学的に結合さ・れるベースとともに
使用でき、これは、ベースが集積回路をもつ実施態様に
限定されるものではない。
第１２図においては、■−溝１００が棒９０が収容でき
るようにベースｌＯの平行エツジに沿って形成される。
後者は、ベースに取り付けすることも、あるいは装置フ
レームの一部とすることもできる。別の方法として、第
１３図においては、フィクスチャ−７６がより広くされ
、ベースの幅を横断するようにされる。フィクスチャー
及びベースの平行エツジは、これらが組み立てられたと
き、エツチングされた形状が棒９０を受けるＶ−溝１０
０を形成するようにエツチングされる。製造の点からは
、第１３図の設計の方が製造が簡単である。これは、第
１２図の設計では、ベースの両側からのエツチングが必
要であり、このため、マークの正面と背面との整合が必
要となるためである。
上に説明の構成は単に本発明の原理の応用を理解するた
めに与えられた可能なさまざまな実施態様を解説するた
めのものであり、当業者においては、本発明の精神及び
範囲から逸脱することなく、この他のさまざまな構成を
これら原理に従って考えることができることは明白であ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の１つの実施態様によるオプトエレクト
ロニック　トランシーバ　サブアセンブリの（ふたが除
去された）等大国であり：第２−５図はベースの部分の
断面図であるが、ここでは、集積されたシリカ導波路内
の光が光学テスト　ポイントを提供するため、あるいは
光をオン　ボード光検出器に結合するためにいかにして
上方に偏光されるかが示され； 第６図は第１図のシリコン　ベース上に形成されたシリ
カ導波路の断面図であり； 第７図は第１図のシリコン　ベース上に結合器が形成さ
れる領域内のシリカ導波路のコアの構成を示し； 第８図は第１図の半導体レーザーがこのシリカ導波路に
どのように整合されるか拡大して示した図であり； 第９図は第４図の断面図であり； 第１０図は光ファイバを第１図のシリカ導波路に整合及
び結合するために使用されるタンデムＶ−溝構成を示し
； 第１１図は第１図に示されるタイプのサブアセンブリの
断面図を示す。ただし、簡素化のため２つのデバイス、
つまり、レーザー　ダイオード及び光ダイオードのみが
シリコン　ベース上に示される。この図面は幾つかの造
作を示す。つまり、デバイスを互いに隔離するふた：フ
ァイバが包囲を突き抜けることを要求されないようにふ
たの下側を包囲の外側へとのびる導波路；及びベースの
一端に存在するフ１イバを導波路に整合するための整合
フィクスチャーが示され；そして第１２−１３図はこの
サブアセンブリがいかにして、ＰＣボードの様式で、装
置のフレームに差し込むことができるように、ガイド　
ロッドに取り付けられるかを示す。 主要部分の符号の説明〉 ・・・・　シリコンベース ・・・・　主面 ・・・・　伝送導波路 ・・・・　レーザー　タイオード ・・・・　光ファイバ ２３　・・　光結合器 ・・・　受信光ダイオード ２６　・・　導波路セグメント 〈 ２０゜ ２２、 ＦＩＧ、４ ＦＩＧ、　５ ＦＩＧ、２ ＦＩＧ、３ ＦＩＧ、　６ ＦＩＧ、　７ ＦＩＧ、９ ＦＩＧ、　１０ ＦＩＧ、　１３ ＦＩＧ、１１ ＦＩＧ、１２ 手帖にネ市正１与（方式） ％式％ ２、発明の名称 オプトエレクトロニック集積回路 サファセンフリ ３、補正をする者 ・１９件との関係 ４￥許出願人 住 所 アメリカ合衆国、　＋０１１２２　　ニューヨークニュ
ーヨーク、マディソン　アウェニュー名 称 アメリカン テレクラフ テレフィン カムパニ− アンド ４、代 理 人 電話（２１：１）１５６１　（代表） 氏 名 （６４４４）弁理士 岡 部 正 （１）明細書第２８頁第８行目の 「第２−５１’ｌＪを 「第２図〜第５図」と訂正する。 （２）同」−第２９頁第１５行目の 「第１２−１３図」を 「第１２図〜第１３図」と訂正する。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、オプトエレクトロニック集積回路サブアセンブリに
    おいて、該サブアセンブリが１つの主面及び該表面上に
    形成された絶縁層をもつ単結晶半導体ベース、 該表面上に一緒に形成された光導波路、 該ベース上に搭載され、該導波路に光学的 に結合された互いに物理的に離れて位置する少なくとも
    ２つのオプトエレクトロニック チップ、及び 該ベース上の単結晶半導体のふたを含み、 該ふたが該チップを受けるための少なくとも２つの物理
    的に離れた空胴を含み、該空胴が該チップを互いに電気
    的及び光学的に隔離する該ふた内の材料によって分離さ
    れることを特徴とするオプトエレクトロニック集積回路
    サブアセンブリ。 ２、該ふたが該ベースに溶接密封され、該導波路の少な
    くとも１つが該ふたの下からこの外側にのび、さらに、
    該ふたの外側に該少なくとも１つの導波路を光ファイバ
    に結合するための手段が含まれることを特徴とする請求
    項１記載のサブアセンブリ。 ３、該ふたが該表面に平行に該ベースの対応する寸法よ
    り短かな寸法を持ち、さらに、該ベース上に該チップか
    ら該ふたの下を該ふたの外側にのびる電気コンタクトが
    含まれることを特徴とする請求項１記載のサブアセンブ
    リ。 ４、該ベースあるいは該ふたの平行エッジがガイドロッ
    ドを受けるように設計された溝を 含むことを特徴とする請求項１記載のサブアセンブリ。 ５、該導波路がこれへのペアの光学結合器を形成する１
    つの伝送導波路及び１つの二次導波路を含み、 該チップが該結合器の１つに光学的に接続 された受信光検出器、該結合器のもう１つに光学的に結
    合されたモニタ光検出器、及び該伝送導波路の一端に結
    合された１つのレーザーダイオードを含み、さらに 該伝送導波路の他端の所に置かれたファイ バ整合手段が含まれることを特徴とする請求項１記載の
    サブアセンブリ。 ６、該チップの１つが該伝送導波路の一端に光学的に結
    合された１つのレーザーダイオー ドを含み、さらに 該レーザーダイオードから該伝送導波路 に結合される光の一部を抽出するための１つの結合器、
    及び 該結合器の該光の方向を光が該ベースから 上の方向に向かうテストポイントに向ける ための手段が含まれ、これによってこのレーザーの伝送
    導波路への整合がモニタリングされることを特徴とする
    請求項１記載のサブアセンブリ。 ７、１つの主表面を持つ単結晶半導体ベース、該表面上
    に一緒に形成される１つの光導波 路、 該表面上に搭載され該導波路に光学的に結 合された１つのオプトエレクトロニックチ ップ、及び 該ベースに密封され該チップを覆う包囲を 形成する１つの単結晶半導体のふたを含むオプトエレク
    トロニック集積回路サブアセンブリにおいて、 該導波路が該ふたの下からこの外側にのび、さらに 該包囲の外側に該導波路を光ファイバに結 合するための手段が含まれることを特徴とするオプトエ
    レクトロニック集積回路サブアセンブリ。 ８、該ふたが該表面に平行に該ベースの対応する寸法よ
    り短かな寸法を持ち、さらに、 該ベース上に該チップから該ふたの下を該 ふたの外側にのびる電気コンタクトが含まれることを特
    徴とする請求項７記載のサブアセンブリ。 ９、該ベースあるいは該ふたの平行エッジがガイドロッ
    ドを受けるように設計された溝を 含むことを特徴とする請求項７記載のサブアセンブリ。 １０、なかに溝が形成される主面をもつ単結晶半導体ベ
    ース、 該表面上に一緒に該溝と軸が整合するよう に形成された光導波路、及び その上に形成された１つのメサ及び１つの アクティブ領域をもつ半導体レーザーを含むオプトエレ
    クトロニックサブアセンブリに おいて、該メサが該溝内に該アクティブ領域を該導波路
    と整合させるように置かれることを特徴とするオプトエ
    レクトロニック集積回路サブアセンブリ。 １１、該レーザーが対面する主面を持ち、 該メサが該主面の片方の上に位置され、さ らに なかに開口をもつ金属化層が該反対側の面 上に堆積されることを特徴とする請求項１０記載のサブ
    アセンブリ。 １２、単結晶半導体ベース、及び 該ベース上に搭載されたオプトエレクトロ ニックデバイスを含むオプトエレクトロニ ックサブアセンブリにおいて、さらに 該デバイスを光ファイバに光学的に結合す るための手段、及び 該サブアセンブリをガイドするための少な くとも２つの離れた平行のロッドを受けるための手段が
    含まれることを特徴とするオプトエレクトロニック集積
    回路サブアセンブリ。 １３、該ベースがペアの平行のエッジを持ち、該ロッド
    を受けるための手段が該エッジの 個々のなかに形成されたＶ−溝を含み、該ロッドの１つ
    が該溝Ｖ−溝の個々のなかに位置されることを特徴とす
    る請求項１２記載のサブアセンブリ。 １４、該ベースがペアの平行のエッジを持ち、該結合手
    段が該ベースの一端の所に搭載さ れた単結晶半導体フィクスチャーを含み、該フィクスチ
    ャーが該ベースの該ペアの平行エッジに平行のエッジを
    持ち、該エッジがなかに平行のＶ−溝を形成する不透明
    の表面を持ち、そして 該ロッドの１つが該溝の個々のなかに位置 できることを特徴とする請求項１２記載のサブアセンブ
    リ。 １５、該フィクスチャーとなかにＶ−溝をもつ主面をも
    つ該ベースが該ファイバを受けるチャネルが形成される
    ように互いに軸を整合して配置されることを特徴とする
    請求項１４記載のサブアセンブリ。 １６、該ロッドの該Ｖ−溝内に取り付けるための手段が
    含まれることを特徴とする請求項１３ないし１４記載の
    サブアセンブリ。 １７、１つの主面及び該表面上に形成された１つの絶縁
    層をもつ単結晶シリコンベース、 該表面上に一緒に形成された光導波路、及 び 該ベース上に搭載され、該導波路に光学的 に結合された物理的に互いに離れて位置する少なくとも
    ２つのオプトエレクトロニック チップを含むオプトエレクトロニック集積回路サブアセ
    ンブリにおいて、さらに 該ベース上に単結晶シリコンのふたが含ま れ、該ふたが該チップを受けるための少なくとも２つの
    物理的に離れた空胴を含み、該空胴が該チップを互いに
    電気的及び光学的に隔離する該ふた内の材料によって分
    離され、 該導波路の少なくとも１つが該ふたの下か らこの外側にのび、 該ふたの外側に該少なくとも１つの導波路 を光ファイバに結合するための手段が含まれ、該ふたが
    該表面に平行に該ベースの対応す る寸法より小さい寸法をもち、さらに 該ベース上に該チップから該ふたの下をこ の外側にのびる電気コンタクトが含まれることを特徴と
    するオプトエレクトロニック集積回路サブアセンブリ。 １８、該導波路がこれへのペアの光学結合器を形成する
    １つの伝送導波路及び１つの二次導波路を含み、 該チップが該結合器の１つに光学的に接続 された受信光検出器、該結合器のもう１つに光学的に結
    合された１つのモニタ光検出器、及び該伝送導波路の一
    端に結合されたレーザーダイオードを含むことを特徴と
    する請求 項１７記載のサブアセンブリ。 １９、該ベースがなかに溝が形成される主面を持ち、 該導波路の１つが該溝と軸的に整合され、 該レーザーがその上に形成されたメサを持 ち、該メサが該溝内に該アクティブ領域を該１つの導波
    路と整合させるように位置されることを特徴とする請求
    項１８記載のサブアセンブリ。 ２０、該ベースがペアの平行エッジ及び該エッジの個々
    のなかに形成されたＶ−溝を持ち、該サブアセンブリに
    対するガイドロッドが該 溝内に位置されることを特徴とする請求項１７記載のサ
    ブアセンブリ。 ２１、該ベースがペアの平行のエッジを持ち、該結合手
    段が該ベースの一端の所に搭載さ れた単結晶シリコンフィクスチャーを含み、該フィクス
    チャーが該ベースの該ペアの平行エッジに平行のペアの
    エッジを持ち、該エッジがなかに平行のＶ−溝を形成す
    る不透明の表面を持ち、該サブアセンブリのためのガイ
    ドロッドが該溝内に位置されることを特徴 とする請求項１７記載のサブアセンブリ。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05175523A (ja) * 1991-12-24 1993-07-13 Nec Corp 導波路と受光素子の固定構造
JPH05175524A (ja) * 1991-12-26 1993-07-13 Nec Corp 導波路型受光モジュール
JP2001203419A (ja) * 2000-01-21 2001-07-27 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
JP2003066290A (ja) * 2001-08-29 2003-03-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 光通信モジュール
JP2003069054A (ja) * 2001-08-29 2003-03-07 Sumitomo Electric Ind Ltd 光通信モジュール
JP2004336025A (ja) * 2003-04-14 2004-11-25 Fujikura Ltd 光モジュール、光モジュール実装基板、光伝送モジュール、双方向光伝送モジュール、光モジュールの製造方法
JP2008065287A (ja) * 2006-08-10 2008-03-21 Matsushita Electric Works Ltd 光電気変換装置
JP2014186263A (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光導波路素子およびその製造方法

Families Citing this family (123)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4741796A (en) * 1985-05-29 1988-05-03 Siemens Aktiengesellschaft Method for positioning and bonding a solid body to a support base
DE3834335A1 (de) * 1988-10-08 1990-04-12 Telefunken Systemtechnik Halbleiterschaltung
US5073003A (en) * 1988-12-23 1991-12-17 At&T Bell Laboratories Optoelectronic device package method and apparatus
US4998803A (en) * 1989-04-13 1991-03-12 Tacan Corporation Mounting structure for optical and electro-optical components and method of making same
US4969712A (en) * 1989-06-22 1990-11-13 Northern Telecom Limited Optoelectronic apparatus and method for its fabrication
FR2659148B1 (fr) * 1990-03-01 1993-04-16 Commissariat Energie Atomique Procede de connexion entre une fibre optique et un microguide optique.
US5023881A (en) * 1990-06-19 1991-06-11 At&T Bell Laboratories Photonics module and alignment method
US5124281A (en) * 1990-08-27 1992-06-23 At&T Bell Laboratories Method of fabricating a photonics module comprising a spherical lens
US5039190A (en) * 1990-09-07 1991-08-13 At&T Bell Laboratories Apparatus comprising an optical gain device, and method of producing the device
JPH04152725A (ja) * 1990-10-17 1992-05-26 Hitachi Ltd マスタークロック分配方法およびそれを用いた装置
DE4111095C1 (ja) * 1991-04-05 1992-05-27 Ant Nachrichtentechnik Gmbh, 7150 Backnang, De
US5263111A (en) * 1991-04-15 1993-11-16 Raychem Corporation Optical waveguide structures and formation methods
US5182787A (en) * 1991-04-29 1993-01-26 At&T Bell Laboratories Optical waveguide structure including reflective asymmetric cavity
US5534442A (en) * 1991-05-10 1996-07-09 Northern Telecom Limited Process of providing uniform photoresist thickness on an opto-electronic device
US5125054A (en) * 1991-07-25 1992-06-23 Motorola, Inc. Laminated polymer optical waveguide interface and method of making same
US5179609A (en) * 1991-08-30 1993-01-12 At&T Bell Laboratories Optical assembly including fiber attachment
JP2976642B2 (ja) * 1991-11-07 1999-11-10 日本電気株式会社 光結合回路
DE4142340A1 (de) * 1991-12-20 1993-06-24 Siemens Ag Optoelektronischer ic
JP3024354B2 (ja) * 1992-01-27 2000-03-21 日本電気株式会社 半導体レーザ
AU670922B2 (en) * 1992-01-28 1996-08-08 British Telecommunications Public Limited Company Alignment of integrated optical components
US5189296A (en) * 1992-04-03 1993-02-23 International Business Machines Corporation Optical receiver having a low capacitance integrated photodetector
DE4212208A1 (de) * 1992-04-10 1993-10-14 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung optischer Polymerbauelemente mit integrierter Faser-Chip-Kopplung in Abformtechnik
JPH05333231A (ja) * 1992-05-29 1993-12-17 Furukawa Electric Co Ltd:The 光導波路と光ファイバの接続方法
DE4232608C2 (de) * 1992-09-29 1994-10-06 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum Herstellen eines Deckels für eine integriert optische Schaltung
US6090635A (en) * 1992-11-17 2000-07-18 Gte Laboratories Incorporated Method for forming a semiconductor device structure having a laser portion
US5355386A (en) * 1992-11-17 1994-10-11 Gte Laboratories Incorporated Monolithically integrated semiconductor structure and method of fabricating such structure
DE4300652C1 (de) * 1993-01-13 1994-03-31 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung einer hybrid integrierten optischen Schaltung und Vorrichtung zur Emission von Lichtwellen
US5329392A (en) * 1993-03-19 1994-07-12 At&T Bell Laboratories Optical communication system with multiple fiber monitoring
GB9306136D0 (en) * 1993-03-24 1993-05-12 Plessey Telecomm Opto-electronic circuits
US5359686A (en) * 1993-03-29 1994-10-25 Motorola, Inc. Interface for coupling optical fibers to electronic circuitry
JP2546506B2 (ja) * 1993-07-27 1996-10-23 日本電気株式会社 光半導体素子と光導波路の結合構造およびその結合方法
JP3302458B2 (ja) * 1993-08-31 2002-07-15 富士通株式会社 集積化光装置及び製造方法
ES2078863B1 (es) * 1993-09-10 1996-08-01 Telefonica Nacional Espana Co Cabeza optica fotodetectora.
US5559914A (en) * 1993-10-19 1996-09-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Components for optical circuits and method of manufacturing the same
EP0654866A3 (en) * 1993-11-23 1997-08-20 Motorola Inc Carrier for connecting a semiconductor cube and manufacturing method.
US5415730A (en) * 1993-12-14 1995-05-16 At&T Corp. Metal coated optical fiber techniques
ES2100791B1 (es) * 1994-02-03 1997-12-16 Telefonica Nacional Espana Co Dispositivo optoelectronico de fotodetectores en guiaonda con diversidad de polarizacion.
SE503905C2 (sv) * 1994-03-16 1996-09-30 Ericsson Telefon Ab L M Förfarande för framställning av en optokomponent samt optokomponent
SE513183C2 (sv) * 1994-03-18 2000-07-24 Ericsson Telefon Ab L M Förfarande för framställning av en optokomponent samt kapslad optokomponent
WO1996000996A1 (en) * 1994-06-30 1996-01-11 The Whitaker Corporation Planar hybrid optical amplifier
US5479540A (en) * 1994-06-30 1995-12-26 The Whitaker Corporation Passively aligned bi-directional optoelectronic transceiver module assembly
FI945124A0 (fi) * 1994-10-31 1994-10-31 Valtion Teknillinen Spektrometer
DE4440935A1 (de) * 1994-11-17 1996-05-23 Ant Nachrichtentech Optische Sende- und Empfangseinrichtung
JPH08166523A (ja) * 1994-12-13 1996-06-25 Hitachi Ltd 光アセンブリ
DE4445835C2 (de) * 1994-12-22 2000-01-13 Bosch Gmbh Robert Thermooptischer Schalter, insbesondere Richtkoppler, sowie Verfahren zu seiner Herstellung
AUPN258095A0 (en) * 1995-04-21 1995-05-18 Unisearch Limited Low temperature fabrication of silica-based pecvd channel waveguides
JP3356581B2 (ja) * 1995-05-12 2002-12-16 松下電器産業株式会社 光回路部品及びその製造方法
EP1018050B1 (en) * 1995-06-30 2001-12-12 The Whitaker Corporation Apparatus for aligning an optoelectronic device
JP3147141B2 (ja) * 1995-08-30 2001-03-19 株式会社日立製作所 光アセンブリ
US5933551A (en) * 1995-09-29 1999-08-03 The Whitaker Corp. Bidirectional link submodule with holographic beamsplitter
US5611008A (en) * 1996-01-26 1997-03-11 Hughes Aircraft Company Substrate system for optoelectronic/microwave circuits
US5701372A (en) * 1996-10-22 1997-12-23 Texas Instruments Incorporated Hybrid architecture for integrated optic switchable time delay lines and method of fabricating same
IT1286385B1 (it) * 1996-11-19 1998-07-08 Italtel Spa Procedimento per realizzare l'accoppiamento in un dispositivo optoelettronico tra una fibra ottica ed una guida d'onda e dispositivo
SE508068C2 (sv) * 1996-12-19 1998-08-24 Ericsson Telefon Ab L M Mikroreplikering i metall
GB2315595B (en) * 1997-02-07 1998-06-10 Bookham Technology Ltd Device for re-directing light fromoptical waveguide
DE19748989A1 (de) * 1997-11-06 1999-07-15 Daimler Chrysler Ag Optisches Sende/Empfangsmodul
US6117794A (en) * 1998-01-16 2000-09-12 Lucent Technologies, Inc. Method for improved metal oxide bonding of optical elements
US6072815A (en) * 1998-02-27 2000-06-06 Litton Systems, Inc. Microlaser submount assembly and associates packaging method
US6240113B1 (en) 1998-02-27 2001-05-29 Litton Systems, Inc. Microlaser-based electro-optic system and associated fabrication method
US5981975A (en) * 1998-02-27 1999-11-09 The Whitaker Corporation On-chip alignment fiducials for surface emitting devices
US6085007A (en) * 1998-02-27 2000-07-04 Jiang; Ching-Long Passive alignment member for vertical surface emitting/detecting device
WO1999045612A1 (en) * 1998-03-05 1999-09-10 Laser Power Corporation Coupled cavity laser source for telecommunications
US6275317B1 (en) 1998-03-10 2001-08-14 Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. Hybrid integration of a wavelength selectable laser source and optical amplifier/modulator
JP3211770B2 (ja) * 1998-05-11 2001-09-25 日本電気株式会社 固体レーザ装置及びそれを備えた固体レーザ増幅器
US6172997B1 (en) 1998-06-16 2001-01-09 Aculight Corporation Integrated semiconductor diode laser pumped solid state laser
JP2000028865A (ja) * 1998-07-09 2000-01-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザモジュール
US6393183B1 (en) * 1998-08-13 2002-05-21 Eugene Robert Worley Opto-coupler device for packaging optically coupled integrated circuits
SE514478C2 (sv) * 1998-12-15 2001-02-26 Ericsson Telefon Ab L M Optisk mottagar- och sändarmodul
JP2000208853A (ja) * 1999-01-12 2000-07-28 Oki Electric Ind Co Ltd 光ファイバ増幅装置用導波路装置及び光ファイバ増幅装置
JP3637228B2 (ja) * 1999-02-09 2005-04-13 住友電気工業株式会社 光送受信モジュール
JP2000241642A (ja) * 1999-02-17 2000-09-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 光送受信モジュール
US6285043B1 (en) * 1999-11-01 2001-09-04 The Boeing Company Application-specific optoelectronic integrated circuit
JP3680738B2 (ja) * 2001-01-24 2005-08-10 日本電気株式会社 波長多重光通信モジュール
US7345316B2 (en) * 2000-10-25 2008-03-18 Shipley Company, L.L.C. Wafer level packaging for optoelectronic devices
US6932519B2 (en) 2000-11-16 2005-08-23 Shipley Company, L.L.C. Optical device package
US6827503B2 (en) * 2000-12-01 2004-12-07 Shipley Company, L.L.C. Optical device package having a configured frame
US6883977B2 (en) 2000-12-14 2005-04-26 Shipley Company, L.L.C. Optical device package for flip-chip mounting
US6547445B2 (en) 2001-02-06 2003-04-15 Teradyne, Inc. High-density fiber optic backplane
US6907150B2 (en) * 2001-02-07 2005-06-14 Shipley Company, L.L.C. Etching process for micromachining crystalline materials and devices fabricated thereby
US20030021572A1 (en) * 2001-02-07 2003-01-30 Steinberg Dan A. V-groove with tapered depth and method for making
US6885786B2 (en) * 2001-02-07 2005-04-26 Shipley Company, L.L.C. Combined wet and dry etching process for micromachining of crystalline materials
US6608950B2 (en) * 2001-02-14 2003-08-19 Northrop Grumman Corporation Integrated optoelectronic device and method for making same
US6964804B2 (en) * 2001-02-14 2005-11-15 Shipley Company, L.L.C. Micromachined structures made by combined wet and dry etching
US20020195417A1 (en) * 2001-04-20 2002-12-26 Steinberg Dan A. Wet and dry etching process on <110> silicon and resulting structures
DE10144207B4 (de) * 2001-04-30 2008-05-15 Mergeoptics Gmbh Anordnung mit mindestens zwei unterschiedlichen elektronischen Halbleiterschaltungen und Verwendung der Anordnung zur schnellen Datenübertragung
US6709989B2 (en) 2001-06-21 2004-03-23 Motorola, Inc. Method for fabricating a semiconductor structure including a metal oxide interface with silicon
US6623177B1 (en) * 2001-07-09 2003-09-23 Emc Corporation Systems and methods for providing fiber optic communications between circuit boards
EP1278086A1 (de) * 2001-07-18 2003-01-22 Alcatel Kugellinse und opto-elektronisches Modul mit derselben
US20030015770A1 (en) * 2001-07-20 2003-01-23 Motorola, Inc. Optical waveguide trenches in composite integrated circuits
US6693298B2 (en) 2001-07-20 2004-02-17 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating epitaxial semiconductor on insulator (SOI) structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form same
KR100439088B1 (ko) * 2001-09-14 2004-07-05 한국과학기술원 상호 자기 정렬된 다수의 식각 홈을 가지는 광결합 모듈및 그 제작방법
GB2379995B (en) * 2001-09-21 2005-02-02 Kamelian Ltd An optical coupling
US6818464B2 (en) * 2001-10-17 2004-11-16 Hymite A/S Double-sided etching technique for providing a semiconductor structure with through-holes, and a feed-through metalization process for sealing the through-holes
US6574399B2 (en) * 2001-11-02 2003-06-03 Corning Incorporated Ceramic waferboard for integration of optical/optoelectronic/electronic components
US6856735B2 (en) * 2001-11-06 2005-02-15 Chromux Technologies, Inc. Tap couplers for fiber optic arrays
FR2836559B1 (fr) 2002-02-28 2004-06-04 Schneider Electric Ind Sa Dispositif de couplage optique, sonde optique et dispositif de communication comportant un tel dispositif de couplage
JP2003303975A (ja) * 2002-04-08 2003-10-24 Opnext Japan Inc モニタ用フォトダイオード付光モジュール。
US6657272B2 (en) * 2002-04-19 2003-12-02 Triquint Technology Holding Co. Off-axis silicon substrate for optimized optical coupling
US7440179B2 (en) * 2002-05-29 2008-10-21 Alphion Corporation SOA-MZI device fault isolation
US6839935B2 (en) * 2002-05-29 2005-01-11 Teradyne, Inc. Methods and apparatus for cleaning optical connectors
US6762941B2 (en) 2002-07-15 2004-07-13 Teradyne, Inc. Techniques for connecting a set of connecting elements using an improved latching apparatus
EP1385277B1 (en) * 2002-07-22 2005-06-08 Agilent Technologies, Inc. - a Delaware corporation - Transmission of supervisory data in an optical communication system
US6832858B2 (en) * 2002-09-13 2004-12-21 Teradyne, Inc. Techniques for forming fiber optic connections in a modularized manner
US6806202B2 (en) 2002-12-03 2004-10-19 Motorola, Inc. Method of removing silicon oxide from a surface of a substrate
US7042562B2 (en) * 2002-12-26 2006-05-09 Amphenol Corp. Systems and methods for inspecting an optical interface
TW595137B (en) * 2003-03-11 2004-06-21 Delta Electronics Inc Active assembly apparatus of planer lightguide circuit
EP1479648A3 (en) 2003-05-23 2005-10-19 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Etching process for micromachining crystalline materials and devices fabricated thereby
US6985645B2 (en) * 2003-09-24 2006-01-10 International Business Machines Corporation Apparatus and methods for integrally packaging optoelectronic devices, IC chips and optical transmission lines
GB0327661D0 (en) * 2003-11-28 2003-12-31 Qinetiq Ltd Optical Amplifier
US7681306B2 (en) * 2004-04-28 2010-03-23 Hymite A/S Method of forming an assembly to house one or more micro components
US7246954B2 (en) * 2004-08-09 2007-07-24 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Ltd. Pte. Opto-electronic housing and optical assembly
ATE426828T1 (de) 2005-03-31 2009-04-15 Pgt Photonics Spa Verfahren zur herstellung eines umlenkspiegels in optischen wellenleiterbauelementen
US7471855B2 (en) * 2005-07-13 2008-12-30 Alcatel-Lucent Usa Inc. Monlithically coupled waveguide and phototransistor
CN1878035B (zh) * 2006-06-05 2010-04-14 四川飞阳科技有限公司 混和集成硅基光电信号处理芯片
US8269344B2 (en) * 2008-03-28 2012-09-18 Broadcom Corporation Method and system for inter-chip communication via integrated circuit package waveguides
TWI398971B (zh) * 2009-05-27 2013-06-11 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝結構
US8977088B2 (en) 2010-07-30 2015-03-10 Tyco-Electronics Corporation Interposer with alignment features
US8262297B2 (en) 2010-07-30 2012-09-11 Tyco Electronics Corporation Body having a dedicated lens for imaging an alignment feature
US20160274318A1 (en) 2012-03-05 2016-09-22 Nanoprecision Products, Inc. Optical bench subassembly having integrated photonic device
CN106842440A (zh) * 2012-03-05 2017-06-13 纳米精密产品股份有限公司 用于耦合光纤输入/输出的具有结构化反射表面的耦合装置
US8995805B2 (en) * 2012-04-20 2015-03-31 Micron Technology, Inc. Method and apparatus providing a coupled photonic structure
US9647419B2 (en) * 2014-04-16 2017-05-09 Apple Inc. Active silicon optical bench
US20220196942A1 (en) * 2020-12-23 2022-06-23 Intel Corporation Active optical coupler

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5756807A (en) * 1980-09-24 1982-04-05 Canon Inc Thin film waveguide type head

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5041559A (ja) * 1973-08-02 1975-04-16
US4114177A (en) * 1975-05-01 1978-09-12 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Optically coupled device with diffusely reflecting enclosure
NL7505629A (nl) * 1975-05-14 1976-11-16 Philips Nv Inrichting voor het koppelen van een lichtbron met een optische vezel.
US4079404A (en) * 1976-12-30 1978-03-14 International Business Machines Corporation Self-aligning support structure for optical components
US4130343A (en) * 1977-02-22 1978-12-19 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Coupling arrangements between a light-emitting diode and an optical fiber waveguide and between an optical fiber waveguide and a semiconductor optical detector
US4136928A (en) * 1977-05-06 1979-01-30 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Optical integrated circuit including junction laser with oblique mirror
US4186994A (en) * 1978-04-21 1980-02-05 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Arrangement for coupling between an electrooptic device and an optical fiber
FR2426347A1 (fr) * 1978-05-18 1979-12-14 Thomson Csf Source laser a semi-conducteur et son procede de fabrication
US4210923A (en) * 1979-01-02 1980-07-01 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Edge illuminated photodetector with optical fiber alignment
US4425146A (en) * 1979-12-17 1984-01-10 Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation Method of making glass waveguide for optical circuit
DE3142918A1 (de) * 1981-10-29 1983-05-11 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Opto-elektrische koppelanordnung
US4500165A (en) * 1982-04-02 1985-02-19 Codenoll Technology Corporation Method and apparatus for aligning optical fibers
DE3381070D1 (de) * 1982-07-19 1990-02-08 Toshiba Kawasaki Kk Sendeempfangsmodul fuer optische nachrichtenuebermittlung.
FR2546311B1 (fr) * 1983-05-17 1986-03-28 France Etat Procede et dispositif de connexion entre une fibre optique et un composant d'optique integree comportant un guide d'onde
US4611886A (en) * 1983-12-29 1986-09-16 At&T Bell Laboratories Integrated optical circuit package
US5009476A (en) * 1984-01-16 1991-04-23 Texas Instruments Incorporated Semiconductor layer with optical communication between chips disposed therein
CA1255382A (en) * 1984-08-10 1989-06-06 Masao Kawachi Hybrid optical integrated circuit with alignment guides
JPS61242069A (ja) * 1985-04-19 1986-10-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 混成光集積回路およびその製造方法
DE3531734A1 (de) * 1985-09-05 1987-03-12 Siemens Ag Einrichtung zur positionierung eines halbleiterlasers mit selbstjustierender wirkung fuer eine anzukoppelnde glasfaser
JPS6273437A (ja) * 1985-09-26 1987-04-04 Mitsubishi Electric Corp 光学式ヘツド装置
EP0219359B1 (en) * 1985-10-16 1990-03-07 BRITISH TELECOMMUNICATIONS public limited company Fabry-perot interferometer
DE3687162D1 (de) * 1985-12-10 1993-01-07 Siemens Ag Integriert-optischer multiplex-demultiplex-modul fuer die optische nachrichtenuebertragung.
JP3171676B2 (ja) * 1992-06-30 2001-05-28 前田建設工業株式会社 場所打ちコンクリート水平部材の架設工法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5756807A (en) * 1980-09-24 1982-04-05 Canon Inc Thin film waveguide type head

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05175523A (ja) * 1991-12-24 1993-07-13 Nec Corp 導波路と受光素子の固定構造
JPH05175524A (ja) * 1991-12-26 1993-07-13 Nec Corp 導波路型受光モジュール
JP2001203419A (ja) * 2000-01-21 2001-07-27 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
JP2003066290A (ja) * 2001-08-29 2003-03-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 光通信モジュール
JP2003069054A (ja) * 2001-08-29 2003-03-07 Sumitomo Electric Ind Ltd 光通信モジュール
JP2004336025A (ja) * 2003-04-14 2004-11-25 Fujikura Ltd 光モジュール、光モジュール実装基板、光伝送モジュール、双方向光伝送モジュール、光モジュールの製造方法
JP2008065287A (ja) * 2006-08-10 2008-03-21 Matsushita Electric Works Ltd 光電気変換装置
US8575529B2 (en) 2006-08-10 2013-11-05 Panasonic Corporation Photoelectric converter providing a waveguide along the surface of the mount substrate
JP2014186263A (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光導波路素子およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE68918133D1 (de) 1994-10-20
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