JPH05175524A - 導波路型受光モジュール - Google Patents
導波路型受光モジュールInfo
- Publication number
- JPH05175524A JPH05175524A JP3345126A JP34512691A JPH05175524A JP H05175524 A JPH05175524 A JP H05175524A JP 3345126 A JP3345126 A JP 3345126A JP 34512691 A JP34512691 A JP 34512691A JP H05175524 A JPH05175524 A JP H05175524A
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- waveguide
- receiving element
- substrate
- receiving module
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 導波路型受光モジュールにおいて、導波路と
受光素子を無調整で簡単に固定し得る構造とする。 【構成】 Ｓｉ基板１上に構成された導波路から光が出
射する位置にガイド溝５を形成し、このガイド溝５にＡ
u-Ｓn バンプ８を用いて受光素子４を固定する。 【効果】 導波路と受光素子との間の光軸調整が不要と
なり、生産工程が簡略化される。
受光素子を無調整で簡単に固定し得る構造とする。 【構成】 Ｓｉ基板１上に構成された導波路から光が出
射する位置にガイド溝５を形成し、このガイド溝５にＡ
u-Ｓn バンプ８を用いて受光素子４を固定する。 【効果】 導波路と受光素子との間の光軸調整が不要と
なり、生産工程が簡略化される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、導波路と受光素子とを
備えてなる光デバイスに係り、特に、導波路と受光素子
の固定構造に特徴を有する導波路型受光モジュールに関
する。
備えてなる光デバイスに係り、特に、導波路と受光素子
の固定構造に特徴を有する導波路型受光モジュールに関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、導波路と受光素子とを備える光デ
バイスとしては、図３に示す構造の双方向伝送モジュー
ル用導波路型光合分波器（上塚他、１９９１信学会秋期
大会Ｃ２０１）や、図４に示す構造の石英形導波路型双
方向伝送モジュール（１９９１信学会秋期大会Ｃ１５
７）がある。
バイスとしては、図３に示す構造の双方向伝送モジュー
ル用導波路型光合分波器（上塚他、１９９１信学会秋期
大会Ｃ２０１）や、図４に示す構造の石英形導波路型双
方向伝送モジュール（１９９１信学会秋期大会Ｃ１５
７）がある。
【０００３】これらの図を参照すると、従来のモジュー
ルでは、受光素子と導波路とが互いに独立した状態で配
置されているのが一般的になっている。
ルでは、受光素子と導波路とが互いに独立した状態で配
置されているのが一般的になっている。
【０００４】例えば図３を参照すると、ステム９の内壁
にＬＤ素子１０を配し、非接触型の導波路型合分波器１
１から出射される光がＬＤ素子１０のほぼ中心に照射さ
れる構造を有している。この導波路型合分波器１１への
光の入射は光ファイバ１３により行われ、且つＬＤ素子
１０からの光は、ＰＤ素子１２及び光ファイバ１３を介
して外部に出射される。これら部品１０〜１３はパッケ
ージ１４内に収容され、外部光を遮っている。
にＬＤ素子１０を配し、非接触型の導波路型合分波器１
１から出射される光がＬＤ素子１０のほぼ中心に照射さ
れる構造を有している。この導波路型合分波器１１への
光の入射は光ファイバ１３により行われ、且つＬＤ素子
１０からの光は、ＰＤ素子１２及び光ファイバ１３を介
して外部に出射される。これら部品１０〜１３はパッケ
ージ１４内に収容され、外部光を遮っている。
【０００５】図４に示す石英形導波路型双方向伝送モジ
ュールもほぼ同様の構造を有する。即ち、ＬＤ素子１５
と石英系導波路１７とを一対のレンズ１６を介して対向
させるとともに、導波路１７の入射側にＰＤ素子１８を
配し、これら部品をパッケージ１９内に収容している。
ュールもほぼ同様の構造を有する。即ち、ＬＤ素子１５
と石英系導波路１７とを一対のレンズ１６を介して対向
させるとともに、導波路１７の入射側にＰＤ素子１８を
配し、これら部品をパッケージ１９内に収容している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の構造
では、いずれも導波路と受光素子とが互いに独立した構
造のため、両者の結合効率を最適にするためには相互の
位置関係を光軸を基準として精密に調整する必要があっ
た。そのため、自動化や大量生産ができず、コストが上
昇する問題があった。
では、いずれも導波路と受光素子とが互いに独立した構
造のため、両者の結合効率を最適にするためには相互の
位置関係を光軸を基準として精密に調整する必要があっ
た。そのため、自動化や大量生産ができず、コストが上
昇する問題があった。
【０００７】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的とするところは、自動化による大量生
産、コストダウンが可能となる構造の導波路型受光モジ
ュールを提供することにある。
ので、その目的とするところは、自動化による大量生
産、コストダウンが可能となる構造の導波路型受光モジ
ュールを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の導波路型受光モ
ジュールは、導波路の終端から出射される光の光軸上に
受光素子を配した構造のものにおいて、前記導波路を基
板上に固定するとともに、該導波路の終端面を斜めに形
成して全反射面をなし、この全反射面により反射された
光の出射する位置にガイド溝を設けて前記受光素子をこ
のガイド溝に挿入固定し、更に、挿入固定された受光素
子が前記基板上に設けられた導波路電極と電気的に接続
してなる。
ジュールは、導波路の終端から出射される光の光軸上に
受光素子を配した構造のものにおいて、前記導波路を基
板上に固定するとともに、該導波路の終端面を斜めに形
成して全反射面をなし、この全反射面により反射された
光の出射する位置にガイド溝を設けて前記受光素子をこ
のガイド溝に挿入固定し、更に、挿入固定された受光素
子が前記基板上に設けられた導波路電極と電気的に接続
してなる。
【０００９】本発明の導波路型受光モジュールは、ま
た、前記基板への受光素子の固定と、前記基板上の導波
路電極と受光素子の電気的接続を、該受光素子に形成し
たＡu-Ｓn バンプを溶融させることにより行う。
た、前記基板への受光素子の固定と、前記基板上の導波
路電極と受光素子の電気的接続を、該受光素子に形成し
たＡu-Ｓn バンプを溶融させることにより行う。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。
する。
【００１１】図１は本発明の一実施例に係る導波路型受
光モジュールの構造斜視図であり、１はＳｉ基板、２は
クラッド層、３はコア層、４は受光素子、５はガイド
溝、６は導波路電極を示す。
光モジュールの構造斜視図であり、１はＳｉ基板、２は
クラッド層、３はコア層、４は受光素子、５はガイド
溝、６は導波路電極を示す。
【００１２】導波路は、Ｓｉ基板１上にＳｉＯ2 をクラ
ッド層２、ＴｉＯ2-ＳｉＯ2 をコア層３として形成され
ている。
ッド層２、ＴｉＯ2-ＳｉＯ2 をコア層３として形成され
ている。
【００１３】導波路の終端は、図１に示すように、斜め
にカットされた全反射面となっており、図示を省略した
光ファイバ等を介して伝送されてきた光はこの全反射面
で反射され、導波路の側方から出射される。
にカットされた全反射面となっており、図示を省略した
光ファイバ等を介して伝送されてきた光はこの全反射面
で反射され、導波路の側方から出射される。
【００１４】光の出射方向の導波路側方のＳｉ基板１上
には、受光素子４を固定するためのガイド溝５と電極６
とが設けられている。このガイド溝５は、受光素子４の
外形より僅かに大きな内径寸法の溝であり、例えば反応
性イオンエッチングによって加工される。ガイド溝５の
深さや位置は、受光素子４を挿入固定したときに導波路
からの出射光が受光面７の中心に入射されるように設定
されている。
には、受光素子４を固定するためのガイド溝５と電極６
とが設けられている。このガイド溝５は、受光素子４の
外形より僅かに大きな内径寸法の溝であり、例えば反応
性イオンエッチングによって加工される。ガイド溝５の
深さや位置は、受光素子４を挿入固定したときに導波路
からの出射光が受光面７の中心に入射されるように設定
されている。
【００１５】図２は本実施例に係る受光モジュールの受
光素子４と導波路電極６との接続過程説明図であり、
（ａ）は接続前、（ｂ）は接続後の状態を示す。
光素子４と導波路電極６との接続過程説明図であり、
（ａ）は接続前、（ｂ）は接続後の状態を示す。
【００１６】これらの図において、斜線で図示した部分
は導体部分であり、黒色で図示した部分は受光素子４に
形成したＡu-Ｓn バンプ８である。
は導体部分であり、黒色で図示した部分は受光素子４に
形成したＡu-Ｓn バンプ８である。
【００１７】Ｓｉ基板１での受光素子４の固定と、導波
路電極６と受光素子４との電気的接続は、図２（ａ）の
状態のＡu-Ｓn バンプ８を、リフロー工程により図２
（ｂ）に示すように溶融することにより行う。
路電極６と受光素子４との電気的接続は、図２（ａ）の
状態のＡu-Ｓn バンプ８を、リフロー工程により図２
（ｂ）に示すように溶融することにより行う。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の導波路型
受光モジュールでは、導波路から光が出射される位置に
受光素子が配置されるように基板上にガイド溝を設け、
このガイド溝に機械的に受光素子を挿入する構造とした
ので、別途光軸調整をすることなく、効率の高い結合を
簡易に実現できる効果がある。
受光モジュールでは、導波路から光が出射される位置に
受光素子が配置されるように基板上にガイド溝を設け、
このガイド溝に機械的に受光素子を挿入する構造とした
ので、別途光軸調整をすることなく、効率の高い結合を
簡易に実現できる効果がある。
【００１９】また、受光素子の基板への固定及び導波路
電極と受光素子との電気的接続を行うときは、Ａu-Ｓn
バンプをリフロー工程で溶融するようにしたので、固定
及び接続作業が単純且つ簡略化される効果がある。した
がって、製造工程の自動化が容易となり、大量生産及び
これによるコストダウンが可能となる。
電極と受光素子との電気的接続を行うときは、Ａu-Ｓn
バンプをリフロー工程で溶融するようにしたので、固定
及び接続作業が単純且つ簡略化される効果がある。した
がって、製造工程の自動化が容易となり、大量生産及び
これによるコストダウンが可能となる。
【図１】本発明の一実施例に係る導波路型受光モジュー
ルの構造斜視図である。
ルの構造斜視図である。
【図２】本実施例に係る受光モジュールの受光素子と導
波路電極との接続過程説明図であり、（ａ）は接続前、
（ｂ）は接続後の状態を示す。
波路電極との接続過程説明図であり、（ａ）は接続前、
（ｂ）は接続後の状態を示す。
【図３】従来例となる双方向伝送モジュール用導波路型
光合分波器の構造図である。
光合分波器の構造図である。
【図４】従来例となる石英形導波路型双方向伝送モジュ
ールの構造図である。
ールの構造図である。
１ Ｓｉ基板 ２ クラッド層 ３ コア層 ４ 受光素子 ５ ガイド溝 ６ 電極 ７ 受光面 ８ Ａu-Ｓn バンプ ９ ステム １０，１５ ＬＤ素子 １１ 導波路型合分波器 １２，１８ ＰＤ素子 １３ 光ファイバ １４，１９ パッケージ １６ レンズ １７ 石英系導波路
Claims (2)
- 【請求項１】 導波路の終端から出射される光の光軸上
に受光素子を配した構造の導波路型受光モジュールにお
いて、 前記導波路を基板上に固定するとともに、該導波路の終
端面を斜めに形成して全反射面をなし、この全反射面に
より反射された光の出射する位置にガイド溝を設けて前
記受光素子をこのガイド溝に挿入固定し、更に、挿入固
定された受光素子が前記基板上に設けられた導波路電極
と電気的に接続されていることを特徴とする導波路型受
光モジュール。 - 【請求項２】 前記基板への受光素子の固定と、前記基
板上の導波路電極と受光素子の電気的接続は、該受光素
子に形成したＡu ーＳn バンプを溶融させることにより
行うことを特徴とする導波路型受光モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3345126A JP2755274B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 導波路型受光モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3345126A JP2755274B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 導波路型受光モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175524A true JPH05175524A (ja) | 1993-07-13 |
| JP2755274B2 JP2755274B2 (ja) | 1998-05-20 |
Family
ID=18374465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3345126A Expired - Lifetime JP2755274B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 導波路型受光モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2755274B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07169989A (ja) * | 1993-10-20 | 1995-07-04 | Japan Energy Corp | 半導体放射線検出器およびその製造方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55140238A (en) * | 1979-04-20 | 1980-11-01 | Hitachi Ltd | Tape carrier type semiconductor device |
| JPS55165646A (en) * | 1979-06-13 | 1980-12-24 | Citizen Watch Co Ltd | Mounting method for ic |
| JPS6027176A (ja) * | 1983-07-25 | 1985-02-12 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
| JPH029187A (ja) * | 1988-03-03 | 1990-01-12 | American Teleph & Telegr Co <Att> | オプトエレクトロニック集積回路サブアセンブリ |
| JPH0255304A (ja) * | 1988-08-22 | 1990-02-23 | Hitachi Cable Ltd | 光集積回路 |
| JPH039575A (ja) * | 1989-06-06 | 1991-01-17 | Fujitsu Ltd | 光検知器用コールドアパーチャ |
-
1991
- 1991-12-26 JP JP3345126A patent/JP2755274B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55140238A (en) * | 1979-04-20 | 1980-11-01 | Hitachi Ltd | Tape carrier type semiconductor device |
| JPS55165646A (en) * | 1979-06-13 | 1980-12-24 | Citizen Watch Co Ltd | Mounting method for ic |
| JPS6027176A (ja) * | 1983-07-25 | 1985-02-12 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
| JPH029187A (ja) * | 1988-03-03 | 1990-01-12 | American Teleph & Telegr Co <Att> | オプトエレクトロニック集積回路サブアセンブリ |
| JPH0255304A (ja) * | 1988-08-22 | 1990-02-23 | Hitachi Cable Ltd | 光集積回路 |
| JPH039575A (ja) * | 1989-06-06 | 1991-01-17 | Fujitsu Ltd | 光検知器用コールドアパーチャ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07169989A (ja) * | 1993-10-20 | 1995-07-04 | Japan Energy Corp | 半導体放射線検出器およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2755274B2 (ja) | 1998-05-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980204 |