JP2003506987A - シリコンオンインシュレータ光導波路を用いたコネクタ型光トランシーバー - Google Patents

シリコンオンインシュレータ光導波路を用いたコネクタ型光トランシーバー

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JP2003506987A
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ミンホ チョイ
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Abstract

(57)【要約】 本コネクタ型光トランシーバーは、光素子（８，９，１０）、シリコンオンインシュレータ(ＳＯＩ)光導波路（７）、及び、上面に光素子（８，９，１０）及びＳＯＩ光導波路（７）を載置され光経路を形成するように整列されるＵ字形凹部（７ａ，８ａ，９ａ，１０ａ）が具備されたシリコンベンチ（６）を有する。ＳＯＩ光導波路（７）は、シリコン基板（７１）、その上面に光導波路部（７５）が備えられたシリコン単結晶層（７３）、及び、前記シリコン基板（７１）と前記単結晶層（７３）との間に形成され前記光導波路部を通過する光が拡散するのを防ぐシリカ薄膜層（７２）を含む。シリコンベンチ（６）は、シリコンベンチ（６）に沿って縦方向に延伸されたＶ字溝（６１）を有し、シリコンベンチ（６）に連結される外部連結端子（１３）を案内するガイドピン（１７）を受容する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はシリコンオンインシュレータ(ＳＯＩ)光導波路を用いたコネクタ型光
トランシーバーに関し、特に、着脱式コネクタを備え、シリコンオンインシュレ
ータ光導波路を用いて光信号を送受信する光トランシーバーに関する。
【０００２】
【従来の技術】
広く普及している（例えば、画像、テキスト及びオーディオデータ等の）情報
交換、及び、大きな割合で拡大し続けると期待されているインターネット通信は
、高速データ送受信への要求を増大させている。その結果、ファイバ光通信線（
以後、光ファイバと呼ぶ）を用いた超高速データ通信ネットワークの結合が活発
に推し進められている。
【０００３】 このような光通信網は、基本的には、光信号を伝達する媒介体である光ファイ
バ、光信号を電気信号に変換し逆に電気信号を光に変換する光トランシーバーモ
ジュール、及び、信号を分配、増幅、変調する機能の素子とにより構成される。
このうち、光通信システムの構築において大事な役割を果たす素子は光トランシ
ーバーモジュールである。しかし、前記光トランシーバーモジュールは極めて高
価なので、光通信網を低廉に拡大するのに費用面において制約になっている。光
トランシーバーモジュールの低価格化を達成するのに障害となる根本的な理由中
の一つは、光ファイバとレーザーダイオードを１ミクロン以下の精度に整列する
のに伴う技術的な難しさと、これを量産化するのに必要な設備に大規模の投資を
必要とするからである。特に、レーザーダイオードと光ファイバを整列するパッ
ケージ工程が光トランシーバーモジュールの全体製造コストの８０％以上を占め
る。
【０００４】 レーザーダイオードと光ファイバの整列は、２つの基本的な方法のうちの１つ
を用いることにより達成される。それらの方法は、アクティブアラインメント(a
ctive alignment)とパッシブアラインメント(passive alignment)である。
【０００５】 アクティブアラインメント方法においては、結合位置は、並置した光ファイバ
に入射されるレーザーダイオード光の量が最大となることによって決定される。
そして、レーザーダイオードと光ファイバは、その決定された結合場所において
、レーザー溶接機またはエポキシ粘着剤を用いた接着により固定される。
【０００６】 パッシブアラインメント方法においては、レーザーダイオードと光ファイバの
結合位置は、レーザーダイオードを駆動せずに決定される。パッシブアライメン
ト方法は、画像処理装置でレーザーダイオードと光ファイバの各位置を認識する
ことによって、または、溶融金属が適度な表面張力を示す現象を用いたフリップ
チップボンディング(flip-chip bonding)によって実現され得る。また、フォト
リソグラフィ(photolithography)を用いてシリコンベンチ(silicon bench)を３
次元形態に微細加工して、それぞれ異なる機能を有する光素子を同一ベンチ上に
集積化させるという他の方法も提案されている。近年では、処理時間が短くコス
トが低いために、アクティブアライメント方法よりも、そのようなパッシブアラ
イメント方法が利用されることが増えている。
【０００７】 図１は、従来の光ファイバを用いたコネクタ型トランシーバーモジュールを示
す。図１に示すように、この光トランシーバーモジュールは、ＭＴ-ＲＪ(Mechan
ically Transferable Reinforced Jacket)として知られているコネクタ１を使用
している。外部連結端子（図示しない）はコネクタに設けられている２本のガイ
ドピン１５によってガイドされて、コネクタ１に連結される。その結果、コネク
タ１を通過して延長された光ファイバ２により確立された光経路は、外部連結端
子と正確な位置に配置される。
【０００８】 以上のような従来の光トランシーバーは、フリップチップボンディングを用い
てレーザーダイオードとフォトダイオードよりなる光素子をシリコンベンチ３に
整列した後、光ファイバ２を微細加工されたＶ字形溝を有するシリコンベンチ３
に整列して接合する方法で製造されており、光ファイバ２の断面は光結合損失を
阻止するために鏡面に研磨されるべきである。
【０００９】 しかし、従来の光トランシーバーモジュールの構造において使用される光ファ
イバ２は、外径が１２５ミクロンで取扱いが難しい。また切断した断面を鏡面に
研磨するのは高コストである。そして、２本の光ファイバを別々にシリコンベン
チ３に接合しなければならない。このような正確さの要求は高コストを伴って、
トランシーバーモジュールの大量生産の障害となっている。
【００１０】 以上の光ファイバ２の加工の難しさを解決するため、光ファイバの代りにシリ
カ光導波路を用いるＰＬＣ(Planar Lightwave Circuit)方式を使用することが提
案されている。ＰＬＣ方式は、ＰＬＣ基板上に光素子を配置し整列するための構
造を有するシリカＰＬＣ基板を微細加工するために、フレーム加水分解沈澱(Fra
me Hydrolysis Deposition)方式を用いる。しかし、このフレーム加水分解沈澱
方式が高コストであるため、コストダウンには相当な制限がある。
【００１１】 また、従来のフリップチップボンディングを用いたパッシブアラインメント方
法の製造工程では、多数個の他の機能を有する素子、すなわちレーザーダイオー
ド、モニターフォトダイオード、フォトダイオード、ＳＯＩ光導波路などを一つ
のシリコンベンチ上に同時に接合することが困難という問題点がある。そして、
溶融金属の表面張力を用いて素子を整列するフリップチップボンディング技術は
ハンダの溶融時酸化阻止機能が添付されていない場合、溶融金属表面が酸化され
るため、結局表面張力が低下され位置制御機能を失う。従って、ハンダの溶融時
酸化阻止機能を備えるために高価な装備費用が必要となり、結局光トランシーバ
ーモジュールの低価格化が難しいという問題点となる。
【００１２】 このような問題点を解決するため、まずそれぞれの素子を定まった位置に超音
波接合を施して数十ミクロンの位置精度で簡易接合した後、一括的に金属接合す
る方法が提案されたことがあるが、これは超音波接合に時間がかかり、また超音
波接合工程において半導体素子が機械的な衝撃により損傷しやすいという問題点
がある。
【００１３】
【発明の概要】
従って、本発明の目的は、従来の方法に伴う前述したような問題点を解決し、
低廉に製造することのできるコネクタ型光トランシーバーを提供するところにあ
る。
【００１４】 本発明の他の目的は、自動化工程を用いて容易に製造することのできるコネク
タ型光トランシーバーを提供するところにある。
【００１５】 本発明のさらに他の目的は、光ファイバの代わりに平板形のシリコンオンイン
シュレータ光導波路を使用して製造された光トランシーバーを提供するところに
ある。
【００１６】 本発明のさらに他の目的は、光トランシーバーモジュールを構成するために使
用される部品の数の削減及び製造工程の簡単化を達成する光トランシーバーを提
供することにある。
【００１７】 本発明のさらの他の目的は、シリコンベンチに固定的に搭載されるＭＴ-ＲＪ
コネクタを使用することなく、前述した目的の各々を実現する光トランシーバー
を提供することにある。
【００１８】 前述した目的を達成するために、本発明に係るコネクタ型光トランシーバーは
、複数の光素子と、シリコン基板と、その上面に光導波路部が備えられたシリコ
ン単結晶層と、前記シリコン基板と前記単結晶層との間に形成され前記光導波路
部を通過する光が拡散するのを防ぐシリカ薄膜層を含むシリコンオンインシュレ
ータ(ＳＯＩ)光導波路と、その上面に前記複数の光素子及び前記光導波路を載置
するＵ字形凹部が形成され、光経路をなすよう整列されたシリコンベンチとを有
する。
【００１９】 本発明の具体的な一例としては、前記シリコンベンチは、シリコンベンチに沿
って縦方向に延伸し、光トランシーバーに連結される外部連結端子を案内するガ
イドピンを受容するＶ字溝を有する。
【００２０】 本発明の具体的な例としては、前記それぞれの光導波路部は、前記シリコン単
結晶層の上面に一体的に突出され形成された、光信号を通過させる縦長の突出部
を有する。
【００２１】 本発明の光トランシーバーは、シリコンベンチが、光トランシーバーに連結さ
れる外部連結端子に連結するためのガイドピンを受容するＶ字溝を具備するよう
な構成である。
【００２２】
【発明の実施の形態】
図２は、本発明に関わるコネクタ型光トランシーバーの一実施の形態を示す。
光トランシーバーモジュールは、光経路を構成するために、従来のトランシーバ
ーモジュールで用いられていた光ファイバやシリカ光導波路の代わりに、ＳＯＩ
光導波路を用いる。
【００２３】 図２に示すように、光トランシーバーモジュールは、シリコンウェーハを水酸
化カリウム(ＫＯＨ)エッチング溶液を使用して精密に加工したシリコンベンチ６
を含む。シリコンベンチ６の上面には、中央に、例えば光導波路７、レーザーダ
イオード８、及び、フォトダイオード９及び１０等の種々の光素子を各々が搭載
されるＵ字形の凹部が具備されている。微細通路６ａ及び６ｂが、Ｕ字形の凹部
に隣接して形成され、これにより、トランシーバーモジュールの光経路がそれに
沿って延伸され、連続した経路が形成される。２本のガイド溝６１は、各々、シ
リコンベンチ６１の上面のシリコンベンチ６の両側に形成される。２本のガイド
ピン（図６及び図７に示す）は、各々ガイド溝６１に受け入れられる。ガイドピ
ン１７の作用によって、光トランシーバーモジュールは、外部連結端子に容易に
着脱される。
【００２４】 図４はＳＯＩ光導波路７がシリコンベンチ６に自動整列される原理を図式的に
示している。微細加工されたＵ字形凹部７ａは光導波路７を収容する。前記のＵ
字形凹部７ａは、底と前記の底を囲む傾斜する側壁を形成する台形の端面を形成
する。この傾斜面は５４．７度に形成するのが望ましい。典型的には、Ｕ字形凹
部７ａは、深さ３０ミクロン、底の幅９５０ミクロン、長さ１５００ミクロンに
微細加工される。前記ＳＯＩ光導波路７は、前記Ｕ字形凹部７ａに数十ミクロン
の精度を有するピックアンドプレース(pick ＆ place)装備を用いて容易にして
正確に載置できる。このような動作と台形の端面によって、ＳＯＩ光導波路７は
シリコンベンチ６の上に自動整列できる。すなわち、ＳＯＩ光導波路７が図４の
点線で示したようにＵ字形凹部７ａに不正確に受け入れられても、光導波路は、
Ｕ字形凹部の傾斜した側壁に従って実線で示したように正確な位置に移動される
。同様な方法で、発光源であるレーザーダイオード８と、該レーザーダイオード
８の強度を調節する機能を果たすモニターフォトダイオード１０と、受光機能を
有するフォトダイオード９等をそれぞれその対応するＵ字形凹部７ａに容易に整
列させ得る。
【００２５】 このような全ての整列素子は、それぞれ１ミクロン以下の精度を有するようフ
ォトリソグラフィ(Photolithography)を用いてパターンを加工され、水酸化カリ
ウム(ＫＯＨ)エッチング溶液で温度と時間を調節して加工された後、非接触３次
元測定器を使用して最終にその大きさを調節されて形成される。
【００２６】 前記レーザーダイオード８は、１３１０ｎｍの波長帯域を有するＩｎＰひずみ
マルチ量子ウェル(strained multi-quantum well)構造を有する素子であって、
有機金属化学気相蒸着(Metal Organic Chemical Vapor Deposition、ＭＯＣＶＤ
)装置を用いて薄膜成長し、その外郭の大きさを硫酸と塩酸溶液を混合した溶液
でエッチングした後切断して精度０．５ミクロンに制御したものである。前記モ
ニターフォトダイオード１０とフォトダイオード９は、通常の切断方法であるス
クライビングエンドブレーキング（scoring and breaking）法を使用して５ミク
ロンほどの精度で加工する。
【００２７】 図３は、光導波路７をさらに詳しく示した図であって、本発明の実施例による
光導波路７はＳｉーＧｅ素子の基板として使用されるＳＯＩウェーハを用いて加
工することが望ましい。図３に示したように前記光導波路７はシリコン基板７１
と前記シリコン基板上のシリカ薄膜層７２、及び前記シリカ薄膜層７２上のシリ
コン単結晶層７３を含む。一対の接合部７４と一対の光導波路部７５は前記のシ
リコン単結晶層７３の上に形成される。前記シリコン基板７１とシリコン単結晶
層７３の間に配置したシリコン薄膜層７２は、望ましく０．２ミクロンほどの厚
さを有するように形成され、光導波路部７５に導波された光がシリコン基板７１
に拡散されることを防ぐよう作用する。前記接合部７４と光導波路部７５は前記
シリコン単結晶層７３上に、フォトリソグラフィ及び水酸化カリウム(ＫＯＨ)エ
ッチング工程を経て形成する。前記光導波路部７５は、レーザーダイオード９、
フォトダイオード１０を連結端子１３と光結合させるもので、光が転送される主
な光経路として機能する。
【００２８】 ＳＯＩ光導波路７がシリコンベンチ６に金属接合される接合部７４は、光導波
路部７５と同様な方法で加工されるが、各接合部７４の上面にはクロムと金を約
０．６ミクロンの厚さに蒸着させる。光導波路部７５と空気層との屈折率の差は
極めて大きいため、光導波路部７５の上部を再びクラッド層に被覆する必要はな
い。最終的に加工されたＳＯＩ光導波路７は、幅９５０ミクロン、長さ１５００
ミクロンの大きさを有し、光送受信のための二つの光導波路部７５の間隔は外部
連結端子１３の光ファイバ間の間隔である７５０ミクロンに製造することが望ま
しい。
【００２９】 以上のような光導波路７は、シリコンベンチ６と通常の平板形の金属接合を施
して固定させる。図４に示したように、シリコンベンチ６の上に蒸着させたＡｕ
-Ｓｎ合金層よりなるハンダ１２を、溶融温度２８０度以上に昇温及び冷却する
ことにより金属接合を行う。レーザーダイオード８を含んだ他の光素子も前記Ｓ
ＯＩ光導波路７と同一の方法で整列した後、一括的に金属接合工程を施す。従っ
て、別の酸化阻止機能なしで、窒素雰囲気下で一括的にハンダの溶融点以上に昇
温、冷却を行うだけで金属接合を施すことができるので、結局、光送受信モジュ
ールの集積化及び低価格化を達成することができる。
【００３０】 本発明のように、ＳＯＩ光導波路７、レーザーダイオード８などの光素子をシ
リコンベンチ６に自動整列させた後金属接合を用いて接合させれば、温度変化に
よる熱衝撃を阻止することができ、量産時においても光ファイバより取り扱いし
易く、シリカ導波路より低価格であり、微細加工されたシリコンベンチ６を用い
て集積化を図れる。
【００３１】 また、光ファイバでは外部と遮断する機能である溶接シーリング(hermetic se
aling)が難しいが、ＳＯＩ光導波路７は平板状を有するので、シーリングが容易
である。そして、このようなＳＯＩ光導波路７は、光スイッチ、波長多重モジュ
ール、マルチチップ(multi-chip)モジュールなどが集積化されたモジュールの製
造にも応用できる。
【００３２】 一方、本発明では光トランシーバーモジュールにコネクタを固着する代り、シ
リコンベンチ６に直接にガイドピンを装着できるようＶ字形溝を加工する方法を
使用して部品を節減し、工程を単純化し、光結合損失を最小化した。
【００３３】 図５では一括的に接合された光素子が相互間に光結合されている状態を図式的
に示している。レーザーダイオード８は電気信号を光信号に変換して光を出力し
、レーザーダイオード８から出力された光はＳＯＩ光導波路７に入射され、ＳＯ
Ｉ光導波路７を出てきた光は再び外部連結端子１３の光ファイバ１４に集束され
る。連結端子１３の中心には直径１２５ミクロンの光ファイバ１４が固定されて
いる。また、レーザーダイオード８の裏部分から出力された光はシリコンベンチ
６のＡｕ蒸着された層から反射されモニターフォトダイオード１０に集束される
。モニターフォトダイオード１０は、この光を電気信号に変換して、レーザーダ
イオード８の動作を制御し、光の強度を調節するよう動作する。前記光素子は微
細シリコンベンチ６の上に集積化、小型化される。
【００３４】 図６はシリコンベンチ６の上に集積化されている光素子を、外部の衝撃、湿気
及び不純物と分離するために微細加工されたシリコンカバー１１を用いて覆う構
造を示す。図６に示したようにシリコンカバー１１はこの中央部にＵ字形凹部１
１aが形成され、これはシリコンベンチ６の上に載置されたＳＯＩ光導波路７を
覆う。また、シリコンカバー１１は、前記Ｕ字形凹部１１aの両側に形成された
Ｖ字形溝１１ｂ、１１ｂ’を有し、これらはシリコンベンチ６の上に載置された
ガイドピン１７を覆う。前記シリコンカバー１１は、シリコンベンチ６に熱硬化
性エポキシ樹脂１６で接合される。シリコンベンチ６のガイドピン溝６１に整列
されたガイドピン１７は、光トランシーバーモジュールと外部連結端子１３の結
合を案内する。ガイドピン１７は、常にシリコンベンチ６に固定されるため、光
トランシーバーモジュールと外部連結端子１３の間の堅固な結合が維持できる。
また、外部連結端子１３はプラスチック材料で造られるため、シリコンベンチ６
は接触或いは細かい衝突により損傷することがない。
【００３５】 図７は、本発明の実施例により製造された、連結端子１３が着脱自在な光通信
用１５５Ｍｂｐｓ級光トランシーバーモジュールを示している。着脱された状態
の連結端子１３と共に、内部に光素子が自動整列され光結合された状態のシリコ
ンベンチ６とシリコンカバー１１を示しており、ガイドピン１７は外部連結端子
１３と連結される。連結端子１３をガイドピン１７を通してシリコンベンチ６に
連結させることにより簡単に連結でき、この時の光結合損失は通常２ｄＢ以下で
ある。 本発明に係る光トランシーバーモジュールのレーザーダイオードと最終に連結
された外部光ファイバとの光結合損失は、約１１ｄＢ程度である。
【００３６】 以上説明したように、本発明の方法を使用すると、多数個の素子を簡単に自動
整列することができ、集積化、小型化、底価格化を図った光トランシーバーモジ
ュールの製造が可能である。 以上、実施例を挙げて本発明について説明したが、本発明は前述した実施例に
限らず、本発明の技術思想及び技術範囲内で各種の変形及び改良が可能であり、
本発明に係る効果は光通信分野において多様に変形利用され得る。
【００３７】
【産業上の利用可能性】
本発明に係るコネクタ型光トランシーバーモジュールは、光ファイバを使用す
る代り、平板形のシリコンオンインシュレータ光導波路を使用するもので、その
製造コストが低廉であり、かつ容易に製造工程を自動化することができる効果を
奏でる。
【００３８】 また、光トランシーバーモジュールに従来のＭＴ-ＲＪ(Mechanically Transfe
rable Reinforced Jacket)コネクタを固着する代り、シリコンベンチにＶ字形溝
を形成して直接にガイドピンを装着することにより部品を節減し、光トランシー
バーモジュールの製造工程を単純化する効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、従来の光ファイバを用いたコネクタ型光トランシーバーモジュールの
斜視図である。
【図２】 図２は、本発明の実施例によるシリコンオンインシュレータ光導波路を用いた
コネクタ型光トランシーバーモジュールの分解斜視図である。
【図３】 図３は、本発明のシリコンオンインシュレータ光導波路の斜視図である。
【図４】 図４は、本発明の実施例に従ったシリコンベンチ上のシリコンオンインシュレ
ータ光導波路の自動整列の原理を示す断面図である。
【図５】 図５は、本発明の原理を用いて整列された光素子による光経路を示す、図２の
Ｖ-Ｖ線に沿った断面図である。
【図６】 図６は、図７のＶＩ-ＶＩ線に沿った断面図である。
【図７】 図７は、本発明の実施例に従った、コネクタ型光トランシーバーの外部連結端
子への連結を示す斜視図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｂ 10/28 (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，Ｅ Ａ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ， ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，Ｇ Ｅ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ， ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，Ｍ Ｗ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ， ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，Ｚ Ｗ (72)発明者 コウ ハンユン リパブリック オブ コリア 121−240 ソウル市 マポ−ク ヨンナン−ドン 566−44 (72)発明者 チョイ ミンホ リパブリック オブ コリア 134−788 ソウル市 カンドン−ク ミョンギ−ドン ジュウコンアパート911−1206 (72)発明者 キム ドンヨル リパブリック オブ コリア 137−130 ソウル市 ソウチョ−ク ヤンジァエ−ド ン ５−21 フーヤングビルディング２階 Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA02 BA11 BA24 DA03 DA12 DA13 5K002 AA05 BA13 BA31 BA33

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の光素子と、 シリコン基板と、その上面に光導波路部が備えられたシリコン単結晶層と、前
    記シリコン基板と前記単結晶層との間に形成され前記光導波路部を通過する光が
    拡散するのを防ぐシリカ薄膜層を含むシリコンオンインシュレータ(ＳＯＩ)光導
    波路と、 その上面に前記複数の光素子及び前記光導波路を載置するＵ字形凹部が形成さ
    れ、光経路をなすよう整列されたシリコンベンチと を有するコネクタ型光トランシーバー。
  2. 【請求項２】 前記シリコンベンチは、光トランシーバーに連結される外部連結端子を案内す
    るガイドピンを受容するための、縦方向に延伸されたＶ字溝を有する 請求項１に記載の光トランシーバー。
  3. 【請求項３】 前記それぞれの光導波路部は、前記シリコン単結晶層の上面に一体的に突出さ
    れ形成された、送受信される光信号を通過させる縦長の突出部を有する 請求項１または２に記載の光トランシーバー。
  4. 【請求項４】 前記シリコンオンインシュレータ光導波路は、導波路の外部に前記シリコン単
    結晶層から一体的に突出された縦長の接合部であって、前記シリコンオンインシ
    ュレータ光導波路を前記シリコンベンチに接合するもので、金属でコーティング
    されている接合部 を有する請求項３に記載のコネクタ型光トランシーバー。
  5. 【請求項５】 前記複数の光素子及び前記ＳＯＩ光導波路は、シリコンベンチの上に蒸着させ
    たハンダ層をハンダ層の溶融温度以上に加熱し、溶融したハンダ層を冷却するこ
    とにより、同時に前記シリコンベンチに金属接合される 請求項４に記載の光トランシーバー。
  6. 【請求項６】 前記ハンダ層はＡｕ-Ｓｎ合金層を含む 請求項５に記載の光トランシーバー。
  7. 【請求項７】 記複数の光素子と前記ＳＯＩ光導波路を覆うシリコンカバー をさらに有する請求項１または２に記載の光トランシーバー。
  8. 【請求項８】 前記シリコンカバーは、熱硬化性エポキシ樹脂を用いてシリコンベンチと接合
    される 請求項７に記載の光トランシーバー。
JP2001516002A 1999-08-05 1999-08-25 シリコンオンインシュレータ光導波路を用いたコネクタ型光トランシーバー Pending JP2003506987A (ja)

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