JPH02119153A - 集積回路用ボンディング方法 - Google Patents

集積回路用ボンディング方法

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JPH02119153A
JPH02119153A JP1140233A JP14023389A JPH02119153A JP H02119153 A JPH02119153 A JP H02119153A JP 1140233 A JP1140233 A JP 1140233A JP 14023389 A JP14023389 A JP 14023389A JP H02119153 A JPH02119153 A JP H02119153A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ 本発明は、一般に、集積回路パッケージのリード線への
集積回路端子パッドのボンディング方法に関連したもの
である。とりわけ、本発明は、テープ自動化ボンディン
グ（ＴＡＢ）テープに関連して用いるのに適した一点ボ
ンド処理に関するものである。
［発明の技術的背景及びその問題点］ 集積回路を製造する総費用には、多くの要素がからんで
くる０例えば、各回路素子に用いられる精製シリコン材
料のコストは、重大な要素になる。
しかし、こうした集積回路素子は、全て、いったん生産
されるとなれば、他の回路コンポーネントに対してと同
様、互いに対しても相互接続を施して、アセンブルされ
たパッケージを形成しなければならないという事実に対
して、別の重要な費用面での考察を行なうことになる。
プロセスの各段階において、そのプロセスの残存数を減
らす一連のステップの実施時には、故障率に関連したコ
ストについても考慮しなければならない。このことは、
基本的な製造方法のほとんどは、それぞれ、ある程度の
付随した歩どまりの損失を特徴とした、一連の操作を必
要とすることがよくあるため、集積回路の製造に関して
はとりわけよくあてはまる。
例えば、製造プロセスの各酸化物除去及び拡散スチップ
毎に、摩損が生じる。これは、例えば、もとのシリコン
の欠陥、スライスの不完全なりリーニング、不均一なフ
ォトレジストの塗布及び除去、拡散傾城におけるほこり
の粒子及び他の望ましくない不純物の両方または一方の
存在、エツチングプロセスに対する不完全な制御、及び
、集積回路素子の機械的破損といった、さまざまな原因
によるものである。こうした各操作における損失は、わ
ずかかもしれないが、例えば、１ないし２パーセントか
もしれないが、通常、極めて多くの順次操作があるため
、製造プロセスの終了まで、すなわち、スライスにスク
ライビングを施してチップを形成し、さらに、それらを
分類するまでに、歩どまりはかなり少なくなる可能性が
ある。回路によって最終歩どまりが１０〜４０％になる
ことも、全く異常ではない。
さらに、その製造後、アセンブリ工程において集積回路
素子が損傷を受けることもあり得るし、さらに仕様に合
致しないユニットのために最終テストの時点で損失が生
じることがあるかもしれない。従って、最終歩どまりは
、やはり、製造する集積回路のタイプによって、例えば
、５〜２０％といった低さになる可能性もある。個別（
ｄｉｓｃｒｅｔｅ）コンポーネントの電子アセンブリに
おシナる歩どまりと比較すると、こうした歩どまりは許
容できないほどの低さであるとみなされる。しかしなが
ら、たった１つのスライスで、５００までの回路を同時
に製造することができるため、全体的な経済性としては
、最°終コストが、対応する個別コンポーネントのアセ
ンブリに比べて、やはり、かなり低くなるものと思われ
る。
さらに、集積回路の製造が完了しても、こうした全ての
集積回路素子を、適正に取り付け、ある種の導電性の高
い材料に、よる導管を利用して、しっかり相互接続する
必要が残されている。こうした相互接続は、全ての集積
回路製造工程にとって基本的なものである。こうした相
互接続を行なうにつＩ、ｚでは、材料の適合性の問題も
生じることになる。すなわち、時には、異なる、不適合
な材料を互いに適合させなければならないこともある０
例えば、銅の導線とアルミニウムのパッドには必ずしも
適合するものではないが、他の回路の機能に対する考慮
と関連して、それ自体の効果が得られるように各材料が
選択された可能性があり、従って、この２つの素子は、
集積回路装置内のあるポイントで、互いに、電気的かつ
機械的に連係させなければならないかもしれない、従っ
て、こうした接続を行う方法を作成する場合、インター
フェース材料を導入して、そうしなければ不適合な２つ
以上の素子を、それぞれ、互いに適合させるようにしな
ければならないこともある。集積回路技術の場合、この
ために、さまざまな熱超音波ボンディング処理及び熱圧
縮ボンディング処理の両方または一方に関連して、金と
スズがよく用いられる。
例えば、集積回路の領域における熱圧縮ボンディングの
最初期に実施された応用例の１つは、いわゆる“ポール
ボンディング゛処理であった。その場合、直径が約１ミ
ルの金のワイヤが毛細管ニードルの中に通され、毛細管
の先端から現われる時、水素ガスの微小な炎が該ワイヤ
を横切るようにする。この炎によってワイヤの端部が溶
解し、溶融した金の小さな溶滴が形成される。次に、ボ
ンディングを施すべきパッドと共に、電気的アセンブリ
を加熱する。次に、毛細管を下げて、ワイヤ端部のボー
ルがチップの熱パッドと接触するようにする。この下げ
るプロセスは、毛細管の先端が実際に金のボールを押し
て、平らにするような形で進めることが可能である。圧
力と温度のこの組合せによって、金と、例えば、アルミ
ニウムまたはアルミ合金のボンディングパッドとの所望
のボンディングが行われることになる０次に、毛細管が
、固定された金のワイヤ上に持ち上げられ、ワイヤが溶
接され得る端子まで水平方向に移動される。毛細管は、
さらに、持ち上げられ、ワイヤは、水素ガスの炎で切断
される。この作用で新たな金のボールが形成されること
になり；この結果、この操作を繰り返す準備が整うこと
になる。この方法は、有効ではあるが、緩慢で、かつ、
厄介である。このため、これらの問題をまぬがれる代替
方法が開発された。通常、代替方法のほとんどは、リー
ド線／チップ接続プロセスに先だって、通常、″゛バン
プｂｕｍｐ）　’”と呼ばれる金の溶滴を付着させるこ
とを必要とするものである。こうした金のバンプは、チ
ップの端子パッドと、チップに接続すべきリード線すな
わち銅線の下側の両方に設けられた。
本特許開示の直接ボンディングプロセスの長所のいくつ
かについて完全に理解するためには、まず、これらの代
替方法の複雑さ、とりわけ、チップ上に金のバンプを形
成することに関連した複雑さをある程度理解しなければ
ならない。一般に、これらの方法は“金のバンプボンデ
ィング°または“金のバンプの熱圧縮ボンディング°゛
と呼ばれている。これらは、これまでに、リード線／パ
ッドボンディングの精密な局部化、位置決め、接続、及
び、分離を実現する可能性の最も高い手段の１つである
ことが証明されている。このボンディング技法の複雑さ
については、このボンディングテクノロジーで利用され
る主たるステップのシーケンスを検討することによって
最もよく理解することができるが、これは、その理解が
、本特許開示によって得られるプロセスの生産性、質、
精度、及び、信顛性における改善を立証するのに役立つ
ためである。
このため、第１図から第３図には、先行技術による典型
的な金のバンプの形成方法が示されている。この場合、
集積回路チップｌＯは、絶縁基板１２上に形成されたチ
タニウム薄膜１４の上に、さらに、チラチナ薄膜１６が
形成された構成をとるものとして示されている。第１図
に示すように、プラチナ薄膜１６には、さらに、有機フ
ォトレジスト１８が塗布される。第２図には、さらに、
フォトマスクを利用して有機フォトレジスト１８にパタ
ーン形成を施し、金のバンプを形成するための開口部２
２を備えたダミーウェーハを作製する方法が示されてい
る。さらに、第３図に示すように、チタニウム薄膜１４
とプラチナ薄膜１６をメツキ電極として用いてメツキす
ることにより、金のバンプ２０が形成される。次に、有
機溶媒を用いて有機フォトレジスト１８を除去し、有機
フォトレジスト１８の軟化及び変態を防止し、また、金
のバンプ２０または熱圧縮ボンディングのためのツール
への有機フォトレジストの接着を防止する。この防止ス
テップは、こうした接着が、半導体素子のボンディング
パッドへの金のバンプのボンディングに悪影響を及ぼす
ことになるため、重要である。第４図に示すように、再
度、金のバンプ２０を形成するために、有機フォトレジ
ストを再度、塗布し、パターン形成し、除去しなければ
ならない。この先行技術による方法の場合、有機フォト
レジスト１８はメツキのためのマスクとして用いられる
ため、除去ステップは、最初のボンディング前に行わな
ければならない。
さらに、これは、有機フォトレジスト１８の塗布ステッ
プ後に、上述のステップを反復する必要がある。従って
、この先行技術による方法は、有機フォトレジスト１８
の材料費と時間の両方において不経済であり、こうした
複雑な操作を実施するための装置が必要になる。
明らかに、金のバンプを作製することがこれはどまでに
複雑であるため、この技法を改良しようとする数多くの
試みがなされてきた。例えば、米国特許第４．６７６．
８６４号には、メツキ操作のためのヤスクとしてのフォ
トレジストを除去するステップがないことを特徴とする
、ボンディング方法が教示されている。一般に、このプ
ロセスには：（１ンダミーウエーハに形成された導電層
に所定のパターンを有するフォトレジストの薄膜を形成
すること、（２）前記ダミーウェーハの表面全体に耐熱
性の絶縁層を堆積させること、（３）前記フォトレジス
トの薄膜と、それに堆積した前記耐熱性の絶縁層を一緒
に除去し、それによって、開口部が形成されるようにす
ること、（４）マスクとして前記耐熱性の絶縁層を利用
し、メツキ電極として前記導電層を利用してメツキを行
なうことにより、前記開口部に金のバンプを形成するこ
と、（５）前記ダミーウェーハから内部リード線へ前記
バンプを移すこと、及び、（６）半導体素子のボンディ
ングパッドに内部リード線の前記バンプの熱圧縮ボンデ
ィングを施すことが含まれている。この方法は、それ自
体の複雑性がなければなりたたないものであることは明
らかである。
さらに、こうした金のバンプによるボンディング技法に
は、全て、ある程度の空間的及び機械的欠陥がある。こ
れらの多くは、こうした金の°“バンプ１の上部形状が
、はぼ半円形または四分の三田形をなすことがよくある
という事実によるものである。このことは、バンプが、
一般に、円形またはフラットなリボン状テープに接続さ
れるため、結合の問題を助長することになる。このため
、例えば、はぼフラットなリボン状テープを金の溶滴の
ようなほぼ球状のものの上から押しつける場合、時には
、テープがボールの上部からスライドオフして、非対称
になるか、さもなければ、一方の側に、または、もう一
方の側に傾斜してずれるといったことも起りがちである
。こうした非対称または傾斜によって、さらに、テープ
がパッド以外のｒ、ｃ、チップの部品に接触するという
可能性もある。テープは、例えば、１．Ｃ，チップの他
の部品及び隣接するリード線の両方または一方と接触す
る可能性がある。
さらに、こうした金のバンプは、明白な経済的な理由の
ため、できるだけ小さくしておかねばならないため、高
さが１インチの場合約１０′００分の０．５未満が一般
的である。このため、リード線とリードテープの両方ま
たは一方がこうした金のバンプの上部に押しつけられる
時、リボンまたはワイヤは、力が加えられ、アルミニウ
ムパッド以外の１．Ｃ，チップ部品と接触する領域でた
るんだり□、さもなければ、変形したりする可能性があ
る。
当該技術においては周知のように、こうしたリード線は
、とりわけ、Ｉ、　　Ｃ，ダイのエツジ（例えば、第７
図のポイント２５）と望ましくない接触を生じることに
なりがちであ名、また、こうした接触は、電気信号の明
確な通過にとって非常な障害となる。
当該技術の熟練者には、やはり明らかなように、これに
ついては、しばしば、１インチの１万分の１を十分に下
まわる許容差を有する間隔をあけて、こうした集積回路
の接続を行なうことに関連した要件や問題が、かなりの
ものになる。さらに、こうした厳しい許容・差は、決し
て、こうした接続を電気的に安定させ、機械的に強固な
ものにするという要件を減じるものではない。
さらにいくつかの困難な電気的接続（例・えば、銅線と
アルミニウムのパッド）の実施に関する上記間Ｈに答え
て、ミネソタ州にあるＭｉｎｎｅｓｏｔａ？ｌｉｎｆｎ
ｇ　ａｎｄ　Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ　（３Ｍ　）
　Ｃｏｍｐａｎｙ　ｏｆＭｉｎｎｅａｐｏｌ　ｉｓで製
造されるタイプのテープ自動化ボンディング（ＴＡＢ）
がつくり出された。一般に、これらのテープは、金また
はスズのコーティングを施した薄い銅のリボンで構成さ
れる。従って、例えば、ＴＡＢテープのボンドに金のコ
ーティングを施すと、アマルガム化が不要のため、より
簡単に溶解して、金のバンプを形成することになる。
また、こうしたＴＡＢテープ／ボンディングパッドの接
続を行なう場合、２つのボンディング方法が広く利用さ
れてきた。１つの方法は、熱圧縮ボンディングによって
、半導体素子のボンディングパッドにあらかじめ形成さ
れている金のバンプに内部リード線を接続することから
成る。もう１つの方法の場合、内部リード線にあらかじ
め形成された金のバンプが、半導体素子のボンディング
パッドに対して熱圧縮ボンディングされる。第５図及び
第６図には、これら２つのプロセスの概要が示されてい
る。
ただし、これらのプロセスについては、いくつかの欠点
がある。前述のように、前者は、半導体素子に金のバン
プを直接形成するため、前述の技術的に困難なプロセス
を必要とする。このプロセスは、かなり高価でもある。
従って、従来の集積回路チップの接続にはあまり用いら
れていない。
後者の方法の場合、基本的に、半導体素子に金のバンプ
を直接形成するという困難なプロセスが回避される。金
のバンプは、内部リード線にあらかじめ形成される。一
般に、この接続方法は、チップ上に金のバンプを付着さ
せる上述の方法に比べて安価である。ただし、この方法
の場合にも、こうした接続を行なう毎に、非常に高価な
材料−合一の溶滴が必要になる。さらに、このプロセス
についても、それ自体歩どまりの損失が付随する“パン
ピングプロセス”を加えることによって、ＴＡＢテープ
のコストが増すことになる。
上述の理由にもかかわらず、こうした集積回路を接続す
ることの全体的な成果には、必然的に、一連の絶対に必
要な操作を含めなければならず、また、各操作は、いく
つかの考慮すべき空間的問題、機械的強度の問題、及び
、電気的問題、及び、それらの関係に対処しなければな
らない。例えば、接続すべき少なくとも２つの素子、例
えば、リード線と接触パッドは、極めて精密な寸法及び
許容差で、互いに対し精密に位置決めしなければならな
い。リード線の意図したものではない接触は、電気信号
の損失または歪曲を意味するものであり、単なる電力の
損失を意味するものではない。従って、こうしたリード
線／パッドをより正確に、かつ、よりうまく接続する能
力は、極めて重要であり価値のある利点である。
本技術の熟練者には、やはり明らかなように、電気技術
は、金のような中間ボンディング材料を必要としない、
さまざまなボンディング技法をこれまで用いてきたが、
以下に開示のプロセスは、程度だけでなく、概念におい
ても異なるものである。例えば、以前の先行技術による
プロセスの場合、材料は、どんなに堅く不浸透性のかた
まりのように見えるものであろうと、浅いが、予測可能
な深さまで侵入させられた。これを行なうための最もす
ぐれた、広く用いられた技法の１つは、集積回路に関連
し、気相から高温でドーパントを固体のシリコン基板内
に拡散させるというものである。実際の拡散は、固体の
結晶格子の原子を振動させることによって″促進される
ことがよくある。
この振動によって、さらに、原子間の距離の微視的な変
化が誘発される。比較的密度の高いパックされた気体分
子、とりわけ、熱的に強（かくはんされた気体分子の雲
の下でこれが生じると、この結晶の表面層を気体物質の
原子が浸入し、ある浅い深さまで浸透することになる。
こうした浸透量は、通常、どんなものであれ、このプロ
セスを助長するため用いられる機械的かくはんによって
、また、分子レベルにおけるステアリン酸に関する問題
によって決まることになる。同様に、この技術における
熟練者にはやはり明らかなように、延長された時間期間
について、十分にかみ合った表面に沿って２つの異なる
材料をクランプすると、一方の材料のもう一方の材料に
対する浸透性または相互性が得られることになる。
こうした固体／固体ボンディングの場合、周知のように
、インターフェース材料の親密性を大幅に助長し、導電
性と粒間会合を最大にして、これにより、金のような異
物に顛らずにこうしたボンディングが行われるようにす
るため、何らかの、慎重な物理的作用力を加えることが
できる。これら物理的作用力は、通常： １）約１２００°Ｃまでの加熱温度の利用、２）結晶格
子における原子の慣性モーメントによって決まる周波数
、及び、格子の原子間距離に近似した振幅を備えた、超
音波振動によって得られる振動の利用、 ３）拡散を促進するため、所望のボンドのインターフェ
ースに対し垂直に加えられる直接的な機械的圧力の利用
で構成される。
しかしながら、これらのボンディング技術は、一般に、
アルミニウムボンディングパッドに対するＴＡＢリード
線のボンディングにはこれまで用いられておらず、一方
で、とりわけ、内部リード線にダウンセットが組み込ま
れた。
［発明の目的コ 本発明は、とりわけ、集積回路装置の生産に特に関連し
た電気的接続に特に関連して金のバンプを用いることな
く、いくつかの固体の直接的ボンディングを行うプロセ
スを提供することを目的とする。
［発明の概要］ 本書に開示のプロセスは、いずれにしても金のバンプは
用いずに、また、上述の先行技術による金のバンプ技法
と比較して、機械的強度または導電性をあまり損なうこ
となく、ＴＡＢテープ／ボンディング接続を可能にする
ものである。さらに、本書に開示のプロセスを実施する
のに必要なエネルギー及び力は、より簡単に加えること
ができ、その一方で、かみ合う対の接触について十分に
絶縁した状態に保つと同時に、こうした接続を施される
素子と、他の回路素子、とりわけ、集積回路のダイの上
端と、隣接するリード線の両方または一方との間におけ
る望ましくない接触は回避される０本書に開示のプロセ
スは、また、単一のボンディング操作において、３つ以
上の材料（例えば、銅、金、及び、アルミニウム）のボ
ンディングにとりわけよく適したものである。
さらに詳述すると、本特許開示は、テープ自動化ボンデ
ィング（ＴＡＢ）テープ上の内部リード線のような金属
リード線と、一般に、ボンディングパッドとの、とりわ
け、集積回路のダイに配置されたアルミニウム及びアル
ミニウム合金のボンディングパッドとのボンディングを
可能にするプロセスを教示するものである。本発明は、
また、とりわけ、金属テープリードとＩＣダイの他の無
関係部分との望ましくない接触が生じないようにして、
こうした接続を行う技術に関連したものである。基本的
に、この方法には、一般に、ボンディングツールによっ
て、とりわけ、超音波ボンディングツールによって作ら
れる金属リード線に施されるダウンセット操作が必要と
される。出願人は、本書に開示のプロセスを、今後は、
ＴＡＢ対パッドボンディングＴ　Ａ　Ｂ　−ＴＯ−Ｐ　
Ａ　Ｄ　Ｂｏｎｄｉ−ｎｇ″と称することにする。
本書に開示のＴＡＢ対パフドボンディングプロセスを用
いると、金のバンプテクノロジーに対する前述の難点の
多くが解消されることになる。まず第１に、それによっ
て、金のバンプのコストが解消される。それによって、
また、ＴＡＢテープ／ボンディングパッド接続を行なう
場合の操作速度、位置決め、粒間拡散の整合性が改善さ
れることになる。これによって、さらに、ボンドにおけ
る、より一貫した電気特性が得られ、一般に、先行技術
による金のバンプボンディング技法に比べ、ウェーハ１
つ当たりのうまく仕上がる集積回路数が多（なるように
なる。
二のプロセスには、また、プロセス全体の改善に役立つ
、いくつかの空間的、機械的操作が必要になる。これら
には、ダイに設けられた導電性接触パッドの中心にでき
るだけ近くなる適正な位置決めが行えるように精確な位
置に導体を並置し、この導体を特定の位置における特定
の素子に対し正確に取りつけることが含まれる。この技
法による集積回路の取付けは、また、熱によって補助す
るのが望ましい。
本特許開示の“発明の実施例”セクションにおいてさら
に詳述するように、このプロセスは、出願人が発見した
、通常、集積回路チップを集積回路パッケージの他の素
子に相互接続し、同時に、ＴＡＢテープが、集積回路チ
ップの無関係な部分、さもなければ、望ましくない部分
と物理的または電気的接触を生じないように保証するた
めに用いられるボンディングパッド（例えば、アルミニ
ウム及びアルミニウム合金で作られたボンディングパッ
ド）に対し、ＴＡＢテープの直接的なボンディングが可
能であるという事実を考慮したものである、空間的観点
から、１インチの少なくとも１０００分の１の高さから
ＴＡＢテープを曲げて、ボンディングパッドに接触する
ように押しつけ、同時に、接触した素子に超音波音響エ
ネルギのバーストを加える。
リード線が、１インチの１０００分の１〜７の高さから
曲げられる場合、このプロセスは最もよく作用すること
になる。パッドに接触するようにリード線を押しつける
ボンディングツールのヘッドは、ＴＡＢテープの幅より
広くなるのが望ましい。ボンディングツールのヘッドは
、ＴＡＢテープの幅の約１．５倍〜約２倍が望ましい。
同様に、ＴＡＢテープの幅が厚さを超えると、最良の結
果を助長することになる。ＴＡＢテープは、幅が厚さの
約１．５倍〜２倍になるのが望ましい。−船釣なＴＡＢ
テープの幅は、約２ミルである。さらに、ボンディング
ツールのヘッド幅は、ボンディングツールのヘッドが押
しつけるＴＡＢテープの幅を趨えることが望ましい。
ボンディングツールによって加えられる力は、用いられ
る材料や、他のボンディングプロセスのパラメータによ
って変動する可能性がある。ただし、はとんどの応用の
場合、この加えられる力は、約２０〜約１２０グラムの
間で変動するのが普通である０例えば、２ミルの幅の金
メツキを施したＴＡＢテープのリード線の場合、約３０
〜約６０グラムの力が望ましい。
超音波エネルギーも、さまざまな他のプロセスパラメー
タによって変動する可能性がある。しかしながら、出願
人の発見によれば、約４０〜約５００ミリ秒の期間、約
４０〜７０ＫＨ２の周波数で、約２０〜約１５０マイク
ロインチの超音波振幅であれば、はとんどのボンディン
グ操作にとって十分である。
従って、例えば、金で被覆したＴＡＢテープ／アルミニ
ウムボンディングパッドの接続の場合、１００ミリ秒間
、１００マイクロインチの振幅（ｅｘｃｕ−ｒｓｉｏｎ
）セツティングにセットされた、Ｈｕｇｈｅｓ　Ａｉｒ
ｃｒａｆｔ　Ｃｏｍｐａｎｙ製、Ｈｕｇｈｅｓボンダー
（モデル２４６０）によって生じる超音波エネルギーに
よって、非常に強力な、もしくは適合するボンドが得ら
れる。
該プロセスの極めて望ましい実施例の場合、パッドに取
りつけられているＴＡＢテープリード線の長軸に沿って
、超音波エネルギーが加えられる。
これが行われると、テープとパッドとの間で結果的に誘
起される相対運動によって、この軸に沿った２つの表面
の縦方向（ｌｏｎｇｉｔｕｄｉｎａｌ　）における急速
な“ワイピングが生しることになる。この縦方向のワイ
ピングは、材料の並置された表面が超音波エネルギーの
バーストを受けるので、該表面の間隙に格子原子をより
うまくもぐり込ませやすくする働きをする。
超音波エネルギーを加える前に、接触パッドを加熱して
おけば（例えば、約２０〜約２００°Ｃの温度に）、こ
のプロセスの全体的な結果も、幾分改善されることにな
る。最後に、ボンディング操作の完了後、結果得られる
ボンドにまたエポキシ樹脂のような絶縁材料でコーティ
ングを施せば、電気的にも、また、外的機械的応力に対
しても、それらをより有効に絶縁することができる。
従って、より明確な言い方をすれば、本発明は：（ａ）
ＴＡＢテープのリード線とボンディングパッドとのアラ
イメントをとること；　（ｂ）テープのリード線を曲げ
て、ボンディングパッドと物理的に接触させること；　
（Ｃ）超音波エネルギーを加えて、ボンディングパッド
に対しテープ自動化ボンディングリード線を振動させ、
その結果、テープリード線とボンディングパッドとのボ
ンディングが行なわれるようにすることから成るプロセ
スによって、テープ自動化ボンディング（ＴＡＢ）テー
プと集積回路ダイのボンディングパッドとのボンディン
グを行なうことに関するものである。リード線は、集積
回路の製造技術で用いられる任意の金属（例えば、銅、
金、銀等）から作ることが可能である。ただし、それが
とりわけ適しているのは、まわりに金のカバリングを施
された銅のコアからなるテープ自動化ボンディング（Ｔ
ＡＢ）テープのボンディングである。このプロセスは、
さらに、ボンディングを施されたテープリード線とボン
ディングパッドのまわりに、エポキシ樹脂材料のような
絶縁材料によるカバリングを施すことも含めることが可
能である。
該プロセスのさらにいくつかの特定バージョンには：　
（ａ）幅が厚さを超えるテープ自動化ボンディングチー
ブのリード線とボンディングパッドとのアライメントを
とること；　（ｂ）ボンディングパッドを周囲温度を超
えて加熱すること；　（Ｃ）ヘッドの幅がテープ自動化
ボンディングテープのリード線の幅より広いボンディン
グツールを用いて、テープリード線を曲げ、ボンディン
グパッドと物理的に接触させること；　（ｄ）ボンディ
ングツールを介して超音波エネルギーを加え、その縦軸
にほぼ沿って、ボンディングパッドに対しテープ自動化
ボンディングリード線を振動させ、その結果、テープリ
ード線とボンディングパッドとのボンディングを行なう
ことが含まれる。この場合、やはり、銅のコアまたはリ
ボンのまわりに金のカバリングを施したもの、あるいは
、銅のコアのまわりにスズのカバリングまたはコーティ
ングを施したものから成るＴＡＢテープが、最も望まし
い。
このプロセスのさらに固有のパラメータの場合でも：　
（ａ）まわりに金のコーティングを施された銅のコアか
ら成り、幅が厚さの少なくとも１．０倍であるテープ自
動化ボンディングテープリード線と、幅がテープリード
線の幅を超え、アルミニウムとアルミニウム合金とから
成るグループから選択される材料で作られており、テー
プリード線が、ボンディングパッドの上方、１インチの
約１０００分の１〜約１０００分の７の位置につくよう
にアライメントのとられたボンディングパッドとのアラ
イメントをとること；　（ｂ）ボンディングパッドを摂
氏約２０〜約２００度まで加熱すること；　（Ｃ）ヘッ
ドの幅がテープ自動化ボンディングテープのリード線の
幅より約１．０〜２倍広いボンディングツールを用いて
、テープリード線を下方へ曲げ、約２０〜約１２０グラ
ムの力でボンディングパッドに物理的に押しつけること
；（ｄ）ボンディングツールを通して、約１０〜約５０
０ミリ秒の期間、約４０〜７０ＫＨ２の周波数で、約２
０〜約１５０マイクロインチの超音波励振を加え、ボン
ディングパッドに対し、テープ自動化ボンディングリー
ド線をほぼその縦軸に沿って振動させ、これにより、テ
ープリード線とボンディングチーブとのボンディングを
行うことが含まれる。
［発明の実施例］ 前述のように、第１図〜第４図には、集積回路チップに
“金のバンプ”を付着する、−船釣な先行技術によるプ
ロセスが示されている。第５図には、金のバンプを備え
た、こうした先行技術による集積回路（１，Ｃ，）のダ
イをさらに簡略化したものが示されている。第６図は、
第５図に示す１、Ｃ，ダイへの金のバンプの付着と、リ
ード線に対する金のバンプの付着を対照したものである
。
どちらの場合も、当該技術における熟練者には、やはり
明らかなように、第５図及び第６図に示す１、　　Ｃ，
ダイには、第７図に示すボンディングパッド２６のよう
なボンディングパッドを設けることも可能である。
第７図は、第５図及び第６図に示す金のバンプのボンデ
ィング技法の対照を意図したものである。
第７図には、本書に開示のプロセスが、集積回路のダイ
１０のボンディングパッド２６に対するリード線２４の
ボンディングをどのように可能にするかを示すものであ
る。指示された“ボンディング作用”は、ボンディング
ツールによって加えられる圧力及び超音波エネルギーを
含めるように意図したものである。
第８図は、それぞれのボンディングパッドに取りつげら
れる一連のリード線２４に関する斜視図を示したもので
ある。第８図は、一連のこうした接続に関する実際の写
真をデジタル化再生したものである。数ある中で第８図
は、相対寸法が、本発明の超音波ボンディングを行なう
上で１つの役割−を果たす、本発明の望ましい実施例を
表わすものである０例えば、図示によれば、リード線２
４の幅Ｗは前記リード線の厚さ已に比べて大きい。図示
されてはいないが、ボンディングツールのヘッド幅Ｗは
、リード線の幅Ｗを超えるのが望ましい。
パッド２６の上方におけるリード線２４の初期レベルの
高さｈは、１インチの約１０００分の１〜約１０００分
の７が望ましく、最も望ましいのは、約１０００分の１
〜約１０００分の４である。これは、通常、１インチの
約１０００分の１．５未満である典型的な金のバンブの
高さ（第５図のアイテム２５）とよい対照をなすものと
いえよう。さらに、出願人の発見によれば、こうした高
さから下方へリード線２４を曲げると、リード線２４が
パッド２６に対して構える姿勢角度が増すことになる。
この増した角度シータは、リード線２４とＩ、Ｃ，ダイ
１０のパッド２６以外の部品との接触が、決して生じな
いようにするのを助けることになる。
最後に、本技術の熟練者には明らかなように、本特許請
求の範囲及び精神を逸脱することなく、上述のプロセス
に対しさまざまな修正を加えることが可能である。単な
る例示であるが、変更可能な材料の種類を変更すること
によって、例えば、銅のリード線は、本開示で強調した
金でカバーしたリード線やスズでカバーしたリード線に
取って代ることが可能であり、これによって、プロセス
に修正を加えることが可能になる。
［発明の効果］ 以上に説明したように、本発明を用いることにより、電
気的性能の優れた、信頼性の高いボンディングを、簡単
に、かつ安価に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第３図は金のバンブを１．Ｃ，ダイに結合さ
せる従来の方法を説明するための図、第４図は、金のバ
ンブへ取付けられるＴＡＢテープのようなリード線を示
す図、第５図は第４図に示す従来技術による集積回路素
子の簡略板を示す図、第６図は第５図に示すのとは別の
従来のボンディング技術を説明するための図、第７図は
本発明のプロセスによる結果を示す図、第８図は本発明
のプロセスによってアルミニウムのパッドに取付けられ
たリード線を示す斜視図である。 ｔｏ：３ｃ、　　ダイ　　２４：リード線２６：ボンデ
ィングパッド

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）ＴＡＢテープのリード線と集積回路ダイのボンデ
    ィングパッドとのアライメントをとる段階と、 前記ＴＡＢテープのリード線を曲げて前記 ボンディングパッドに物理的に接触させる段階と、 超音波エネルギーを与えて前記ボンディン グパッドに対し前記ＴＡＢテープのリード線を振動させ
    、これによって前記ＴＡＢテープのリード線を前記ボン
    ディングパッドにボンディングする段階と、 を備えて成る集積回路用ボンディング方法。
  2. （２）幅が厚さより大きいＴＡＢテープのリード線と集
    積回路ダイのボンディングパッドとのアライメントをと
    る段階と、 前記ボンディングパッドを周囲温度を超え て加熱する段階と、 ヘッドの幅が前記ＴＡＢテープのリード線 の幅より広いボンディングツールを用いて前記ＴＡＢテ
    ープのリード線を曲げて、前記ボンディングパッドに物
    理的に接触させる段階と、 前記ボンディングツールを介して超音波エ ネルギーを与えて前記ＴＡＢテープのリード線をほぼそ
    の長手方向軸に沿って前記ボンディングパッドに対し振
    動させて、これによって前記ＴＡＢテープのリード線を
    前記ボンディングパッドにボンディングする段階と、 を備えて成る集積回路用ボンディング方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0817189B2 (ja) * 1989-01-13 1996-02-21 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
US5229646A (en) * 1989-01-13 1993-07-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device with a copper wires ball bonded to aluminum electrodes
JP2751450B2 (ja) * 1989-08-28 1998-05-18 セイコーエプソン株式会社 テープキャリアの実装構造及びその実装方法
US7198969B1 (en) 1990-09-24 2007-04-03 Tessera, Inc. Semiconductor chip assemblies, methods of making same and components for same
US5679977A (en) * 1990-09-24 1997-10-21 Tessera, Inc. Semiconductor chip assemblies, methods of making same and components for same
US5148266A (en) * 1990-09-24 1992-09-15 Ist Associates, Inc. Semiconductor chip assemblies having interposer and flexible lead
US20010030370A1 (en) * 1990-09-24 2001-10-18 Khandros Igor Y. Microelectronic assembly having encapsulated wire bonding leads
US5148265A (en) 1990-09-24 1992-09-15 Ist Associates, Inc. Semiconductor chip assemblies with fan-in leads
US5521425A (en) * 1990-12-21 1996-05-28 Hewlett-Packard Company Tape automated bonded (TAB) circuit
US5342807A (en) * 1991-06-04 1994-08-30 Micron Technology, Inc. Soft bond for semiconductor dies
US5336649A (en) * 1991-06-04 1994-08-09 Micron Technology, Inc. Removable adhesives for attachment of semiconductor dies
US5173451A (en) * 1991-06-04 1992-12-22 Micron Technology, Inc. Soft bond for semiconductor dies
FR2678773B1 (fr) * 1991-07-05 1997-03-14 Thomson Csf Procede de cablage entre des sorties de boitier et des elements d'hybride.
US5244140A (en) * 1991-09-30 1993-09-14 Texas Instruments Incorporated Ultrasonic bonding process beyond 125 khz
US5201454A (en) * 1991-09-30 1993-04-13 Texas Instruments Incorporated Process for enhanced intermetallic growth in IC interconnections
JP2558976B2 (ja) * 1991-11-08 1996-11-27 松下電器産業株式会社 電子部品の電極とリードとの接合方法
US5240166A (en) * 1992-05-15 1993-08-31 International Business Machines Corporation Device for thermally enhanced ultrasonic bonding with localized heat pulses
US5801432A (en) * 1992-06-04 1998-09-01 Lsi Logic Corporation Electronic system using multi-layer tab tape semiconductor device having distinct signal, power and ground planes
US5854085A (en) * 1992-06-04 1998-12-29 Lsi Logic Corporation Multi-layer tab tape having distinct signal, power and ground planes, semiconductor device assembly employing same, apparatus for and method of assembling same
JPH0653277A (ja) * 1992-06-04 1994-02-25 Lsi Logic Corp 半導体装置アセンブリおよびその組立方法
US5249728A (en) * 1993-03-10 1993-10-05 Atmel Corporation Bumpless bonding process having multilayer metallization
US5567981A (en) * 1993-03-31 1996-10-22 Intel Corporation Bonding pad structure having an interposed rigid layer
KR0152901B1 (ko) * 1993-06-23 1998-10-01 문정환 플라스틱 반도체 패키지 및 그 제조방법
US5397921A (en) * 1993-09-03 1995-03-14 Advanced Semiconductor Assembly Technology Tab grid array
US5677203A (en) * 1993-12-15 1997-10-14 Chip Supply, Inc. Method for providing known good bare semiconductor die
US5427301A (en) * 1994-05-06 1995-06-27 Ford Motor Company Ultrasonic flip chip process and apparatus
US5504652A (en) * 1994-09-16 1996-04-02 Apple Computer, Inc. Unitary heat sink for integrated circuits
US5591649A (en) * 1995-01-19 1997-01-07 Texas Instruments Incorporated Process of removing a tape automated bonded semiconductor from bonded leads
US5597470A (en) * 1995-06-18 1997-01-28 Tessera, Inc. Method for making a flexible lead for a microelectronic device
JP3074518B2 (ja) * 1995-12-05 2000-08-07 株式会社新川 被覆ワイヤのワイヤボンディング方法
JP3218382B2 (ja) * 1995-12-05 2001-10-15 株式会社新川 被覆ワイヤのワイヤボンディング方法
JP3558459B2 (ja) * 1996-02-08 2004-08-25 沖電気工業株式会社 インナーリード接続方法
US6043100A (en) * 1996-04-19 2000-03-28 Weaver; Kevin Chip on tape die reframe process
FR2749974B1 (fr) 1996-06-13 1998-08-14 Bull Sa Procede de montage d'un circuit integre sur un support et support en resultant
US5994222A (en) * 1996-06-24 1999-11-30 Tessera, Inc Method of making chip mountings and assemblies
ES2159406T3 (es) * 1997-01-16 2001-10-01 Ford Motor Co Metodo para impurificar hilo metalico de conexion.
US5921460A (en) * 1997-06-05 1999-07-13 Ford Motor Company Method of soldering materials supported on low-melting substrates
US5930666A (en) * 1997-10-09 1999-07-27 Astralux, Incorporated Method and apparatus for packaging high temperature solid state electronic devices
JPH11260863A (ja) * 1998-03-09 1999-09-24 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置用接続端子とその製造方法
US5897341A (en) * 1998-07-02 1999-04-27 Fujitsu Limited Diffusion bonded interconnect
US7124927B2 (en) * 1999-02-25 2006-10-24 Reiber Steven F Flip chip bonding tool and ball placement capillary
US20060261132A1 (en) * 1999-02-25 2006-11-23 Reiber Steven F Low range bonding tool
US20080197172A1 (en) * 1999-02-25 2008-08-21 Reiber Steven F Bonding Tool
US20070131661A1 (en) * 1999-02-25 2007-06-14 Reiber Steven F Solder ball placement system
US7032802B2 (en) * 1999-02-25 2006-04-25 Reiber Steven F Bonding tool with resistance
US7389905B2 (en) 1999-02-25 2008-06-24 Reiber Steven F Flip chip bonding tool tip
US20060071050A1 (en) * 1999-02-25 2006-04-06 Reiber Steven F Multi-head tab bonding tool
DE19916177B4 (de) * 1999-04-10 2006-01-26 Sokymat Gmbh Verfahren zum Kontaktieren des Halbleiterchips und Halbleiterchip mit drahtförmigen Anschlußstücken
JP2001014625A (ja) * 1999-06-28 2001-01-19 Internatl Business Mach Corp <Ibm> スライダとリード線の超音波接合方法、及び接合検査方法
KR100537717B1 (ko) * 1999-08-18 2005-12-20 삼성전자주식회사 빔 리드 본딩 방법
US6405429B1 (en) 1999-08-26 2002-06-18 Honeywell Inc. Microbeam assembly and associated method for integrated circuit interconnection to substrates
JP3943838B2 (ja) * 2001-01-29 2007-07-11 矢崎総業株式会社 金属同士の接合方法
US20040105244A1 (en) * 2002-08-06 2004-06-03 Ilyas Mohammed Lead assemblies with offset portions and microelectronic assemblies with leads having offset portions
WO2004084294A1 (en) * 2003-03-18 2004-09-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a semiconductor device, semiconductor device obtained by means of said method, and device for carrying outsuch a method
US7038305B1 (en) * 2003-07-15 2006-05-02 Altera Corp. Package for integrated circuit die
US7265032B2 (en) * 2003-09-30 2007-09-04 Intel Corporation Protective layer during scribing
US7615851B2 (en) * 2005-04-23 2009-11-10 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system
US20070085085A1 (en) * 2005-08-08 2007-04-19 Reiber Steven F Dissipative pick and place tools for light wire and LED displays
US20090250506A1 (en) * 2008-02-28 2009-10-08 General Dynamics Advanced Information Systems Apparatus and methods of attaching hybrid vlsi chips to printed wiring boards

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS525835A (en) * 1975-07-04 1977-01-17 Hitachi Metals Ltd Mixture of asphalt
JPS5349948A (en) * 1976-10-18 1978-05-06 Seiko Epson Corp Semiconductor device
JPS5352365A (en) * 1976-10-23 1978-05-12 Seiko Epson Corp Semiconductor device
JPS54121670A (en) * 1978-03-15 1979-09-20 Hitachi Ltd Semiconductor device and its manufacture
JPS5762550A (en) * 1980-10-01 1982-04-15 Nec Corp Semiconductor device
JPS5887834A (ja) * 1981-11-20 1983-05-25 Ricoh Elemex Corp 半導体装置の樹脂封止方法
JPS61212032A (ja) * 1985-03-15 1986-09-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4189825A (en) * 1975-06-04 1980-02-26 Raytheon Company Integrated test and assembly device
CA1037237A (en) * 1976-10-01 1978-08-29 Jean M. Dupuis Apparatus for preforming wire leads and alignment for bonding
GB2157494B (en) * 1981-06-18 1986-10-08 Stanley Bracey A hermetic package for tab bonded silicon die
JPS61260648A (ja) * 1985-05-15 1986-11-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の実装方法
DE3877821T2 (de) * 1987-05-20 1993-08-26 Hewlett Packard Co Automatisches filmtraegerbonden ohne hoecker.

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS525835A (en) * 1975-07-04 1977-01-17 Hitachi Metals Ltd Mixture of asphalt
JPS5349948A (en) * 1976-10-18 1978-05-06 Seiko Epson Corp Semiconductor device
JPS5352365A (en) * 1976-10-23 1978-05-12 Seiko Epson Corp Semiconductor device
JPS54121670A (en) * 1978-03-15 1979-09-20 Hitachi Ltd Semiconductor device and its manufacture
JPS5762550A (en) * 1980-10-01 1982-04-15 Nec Corp Semiconductor device
JPS5887834A (ja) * 1981-11-20 1983-05-25 Ricoh Elemex Corp 半導体装置の樹脂封止方法
JPS61212032A (ja) * 1985-03-15 1986-09-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2647499B2 (ja) 1997-08-27
EP0344970A2 (en) 1989-12-06
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US4842662A (en) 1989-06-27

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