JP7535632B2 - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7535632B2
JP7535632B2 JP2023109865A JP2023109865A JP7535632B2 JP 7535632 B2 JP7535632 B2 JP 7535632B2 JP 2023109865 A JP2023109865 A JP 2023109865A JP 2023109865 A JP2023109865 A JP 2023109865A JP 7535632 B2 JP7535632 B2 JP 7535632B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
light
type host
organic compound
host
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2023109865A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2023118841A (ja
Inventor
舜平 山崎
哲史 瀬尾
智子 沼田
信晴 大澤
英子 吉住
裕史 門間
晴恵 尾坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Publication of JP2023118841A publication Critical patent/JP2023118841A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7535632B2 publication Critical patent/JP7535632B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/27—Combination of fluorescent and phosphorescent emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/80—Composition varying spatially, e.g. having a spatial gradient
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/90—Multiple hosts in the emissive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Indole Compounds (AREA)
  • Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)

Description

有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）現象
を利用した発光素子（以下、有機ＥＬ素子とも記す）に関する。
有機ＥＬ素子の研究開発が盛んにおこなわれている。有機ＥＬ素子の基本的な構成は、一
対の電極間に発光性の有機化合物を含む層（以下、発光層とも記す）を挟んだものであり
、薄型軽量化できる、入力信号に高速に応答できる、直流低電圧駆動が可能である、など
の特性から、次世代のフラットパネルディスプレイ素子として注目されている。また、こ
のような発光素子を用いたディスプレイは、コントラストや画質に優れ、視野角が広いと
いう特徴も有している。さらに、有機ＥＬ素子は面光源であるため、液晶ディスプレイの
バックライトや照明等の光源としての応用も考えられている。
有機ＥＬ素子の発光機構は、キャリア注入型である。すなわち、電極間に発光層を挟んで
電圧を印加することにより、電極から注入された電子および正孔が再結合して発光物質が
励起状態となり、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。そして、励起状態の種類
としては、一重項励起状態と三重項励起状態が可能である。また、発光素子におけるその
統計的な生成比率は、前者は後者の３分の１であると考えられている。
発光性の有機化合物では通常、基底状態が一重項状態である。したがって、一重項励起状
態からの発光は、同じスピン多重度間の電子遷移であるため蛍光と呼ばれる。一方、三重
項励起状態からの発光は、異なるスピン多重度間の電子遷移であるため燐光と呼ばれる。
ここで、蛍光を発する化合物（以下、蛍光性化合物と記す）は室温において、通常、燐光
は観測されず蛍光のみが観測される。したがって、蛍光性化合物を用いた発光素子におけ
る内部量子効率（注入したキャリアに対して発生するフォトンの割合）の理論的限界は、
上記の一重項励起状態と三重項励起状態の比率を根拠に２５％とされている。
一方、燐光を発する化合物（以下、燐光性化合物と記す）を用いれば、理論上、内部量子
効率は１００％にまで高めることが可能となる。つまり、蛍光性化合物に比べて高い発光
効率を得ることが可能になる。このような理由から、高効率な発光素子を実現するために
、燐光性化合物を用いた発光素子の開発が近年盛んにおこなわれている。
特に、燐光性化合物としては、その燐光量子効率の高さゆえに、イリジウム等を中心金属
とする有機金属錯体が注目されており、例えば、特許文献１には、イリジウムを中心金属
とする有機金属錯体が燐光材料として開示されている。
上述した燐光性化合物を用いて発光素子の発光層を形成する場合、燐光性化合物の濃度消
光や三重項－三重項消滅による消光を抑制するために、他の化合物からなるマトリクス中
に該燐光性化合物が分散するように形成することが多い。この時、マトリクスとなる化合
物はホスト、燐光性化合物のようにマトリクス中に分散される化合物はゲストと呼ばれる
。
このような、燐光性化合物をゲストとして用いる発光素子における発光の一般的な素過程
はいくつかあるが、それらについて以下に説明する。
（１）電子及び正孔がゲスト分子において再結合し、ゲスト分子が励起状態となる場合（
直接再結合過程）。
（１－１）ゲスト分子の励起状態が三重項励起状態のとき
ゲスト分子は燐光を発する。
（１－２）ゲスト分子の励起状態が一重項励起状態のとき
一重項励起状態のゲスト分子は三重項励起状態に項間交差し、燐光を発する。
つまり、上記（１）の直接再結合過程においては、ゲスト分子の項間交差効率、及び燐光
量子効率さえ高ければ、高い発光効率が得られることになる。
（２）電子及び正孔がホスト分子において再結合し、ホスト分子が励起状態となる場合（
エネルギー移動過程）。
（２－１）ホスト分子の励起状態が三重項励起状態のとき
ホスト分子の三重項励起のエネルギー準位（Ｔ１準位）がゲスト分子のＴ１準位よりも
高い場合、ホスト分子からゲスト分子に励起エネルギーが移動し、ゲスト分子が三重項励
起状態となる。三重項励起状態となったゲスト分子は燐光を発する。ここで、ホスト分子
の三重項励起エネルギーの準位（Ｔ１準位）への逆エネルギー移動も考慮しなければなら
ず、したがって、ホスト分子のＴ１準位はゲスト分子のＴ１準位よりも高いことが必要で
ある。
（２－２）ホスト分子の励起状態が一重項励起状態のとき
ホスト分子のＳ１準位がゲスト分子のＳ１準位およびＴ１準位よりも高い場合、ホスト
分子からゲスト分子に励起エネルギーが移動し、ゲスト分子が一重項励起状態又は三重項
励起状態となる。三重項励起状態となったゲスト分子は燐光を発する。また、一重項励起
状態となったゲスト分子は、三重項励起状態に項間交差し、燐光を発する。
つまり、上記（２）のエネルギー移動過程においては、ホスト分子の三重項励起エネルギ
ーだけでなく、一重項励起エネルギーがいかにゲスト分子に効率良く移動できるかが重要
となる。
このエネルギー移動過程を鑑みれば、ホスト分子からゲスト分子に励起エネルギーが移動
する前に、ホスト分子自体がその励起エネルギーを光又は熱として放出して失活してしま
うと、発光効率が低下することになる。
＜エネルギー移動過程＞
以下では、分子間のエネルギー移動過程について詳述する。
まず、分子間のエネルギー移動の機構として、以下の２つの機構が提唱されている。ここ
で、励起エネルギーを与える側の分子をホスト分子、励起エネルギーを受け取る側の分子
をゲスト分子と記す。
≪フェルスター機構（双極子－双極子相互作用）≫
フェルスター機構は、エネルギー移動に、分子間の直接的接触を必要としない。ホスト分
子及びゲスト分子間の双極子振動の共鳴現象を通じてエネルギー移動が起こる。双極子振
動の共鳴現象によってホスト分子がゲスト分子にエネルギーを受け渡し、ホスト分子が基
底状態になり、ゲスト分子が励起状態になる。フェルスター機構の速度定数ｋｈ ＊ →ｇを
数式（１）に示す。
Figure 0007535632000001
数式（１）において、νは振動数を表し、ｆ’ｈ（ν）はホスト分子の規格化された発光
スペクトル（一重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は蛍光スペクトル、三重
項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は燐光スペクトル）を表し、εｇ（ν）は
ゲスト分子のモル吸光係数を表し、Ｎはアボガドロ数を表し、ｎは媒体の屈折率を表し、
Ｒはホスト分子とゲスト分子の分子間距離を表し、τは実測される励起状態の寿命（蛍光
寿命や燐光寿命）を表し、ｃは光速を表し、φはホスト分子の発光量子効率（一重項励起
状態からのエネルギー移動を論じる場合は蛍光量子効率、三重項励起状態からのエネルギ
ー移動を論じる場合は燐光量子効率）を表し、Ｋ２は、ホスト分子とゲスト分子の遷移双
極子モーメントの配向を表す係数（０～４）である。なお、ランダム配向の場合はＫ２＝
２／３である。
≪デクスター機構（電子交換相互作用）≫
デクスター機構は、ホスト分子とゲスト分子が軌道の重なりを生じる接触有効距離に近づ
き、励起状態のホスト分子の電子と基底状態のゲスト分子の電子の交換を通じてエネルギ
ー移動が起こる。デクスター機構の速度定数ｋｈ ＊ →ｇを数式（２）に示す。
Figure 0007535632000002
数式（２）において、ｈはプランク定数であり、Ｋはエネルギーの次元を持つ定数であり
、νは振動数を表し、ｆ’ｈ（ν）はホスト分子の規格化された発光スペクトル（一重項
励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は蛍光スペクトル、三重項励起状態からのエ
ネルギー移動を論じる場合は燐光スペクトル）を表し、ε’ｇ（ν）はゲスト分子の規格
化された吸収スペクトルを表し、Ｌは実効分子半径を表し、Ｒはホスト分子とゲスト分子
の分子間距離を表す。
ここで、ホスト分子からゲスト分子へのエネルギー移動効率ΦＥＴは、数式（３）で表さ
れると考えられる。ｋｒはホスト分子の発光過程（ホスト分子の一重項励起状態からのエ
ネルギー移動を論じる場合は蛍光、ホスト分子の三重項励起状態からのエネルギー移動を
論じる場合は燐光）の速度定数を表し、ｋｎは非発光過程（熱失活や項間交差）の速度定
数を表し、τはホスト分子の実測される励起状態の寿命を表す。
Figure 0007535632000003
まず、数式（３）より、エネルギー移動効率ΦＥＴを高くするためには、エネルギー移動
の速度定数ｋｈ ＊ →ｇを、他の競合する速度定数ｋｒ＋ｋｎ（＝１／τ）に比べて遙かに
大きくすれば良いことがわかる。そして、そのエネルギー移動の速度定数ｋｈ ＊ →ｇを大
きくするためには、数式（１）及び数式（２）より、フェルスター機構、デクスター機構
のどちらの機構においても、ホスト分子の発光スペクトル（一重項励起状態からのエネル
ギー移動を論じる場合は蛍光スペクトル、三重項励起状態からのエネルギー移動を論じる
場合は燐光スペクトル）とゲスト分子の吸収スペクトル（通常は、燐光であるので、三重
項励起状態と基底状態とのエネルギー差）との重なりが大きい方が良いことがわかる。
国際公開第２０００／０７０６５５号明細書 米国特許第７５７２５２２号公報
上述したように、燐光性化合物を用いることで高効率の発光素子を得ることができる。エ
ネルギー移動過程を考慮すると、高効率の発光素子の実現のためには、ホスト分子の発光
スペクトルとゲスト分子の吸収スペクトルの重なりを大きくする必要がある。またさらに
、ゲスト分子のＴ１準位からホスト分子のＴ１準位への逆エネルギー移動を抑制するため
に、ホスト分子のＴ１準位はゲスト分子のＴ１準位よりも高くすることが必要である。
一般に、燐光性のゲスト分子として用いられる有機金属錯体（例えばイリジウム錯体）は
比較的長波長の領域に三重項ＭＬＣＴ（Ｍｅｔａｌ ｔｏ Ｌｉｇａｎｄ Ｃｈａｒｇｅ
Ｔｒａｎｓｆｅｒ）遷移に由来する吸収を有しており、励起スペクトルからも、この長
波長領域（主に４５０ｎｍ近辺）の吸収がゲスト分子の発光に大きく寄与すると言える。
したがって、この長波長領域の吸収とホスト分子の燐光スペクトルが大きく重なることが
好ましい。これは、ホスト分子の三重項励起状態から効率よくエネルギー移動が起こり、
ゲスト分子の三重項励起状態が効率よく生成するからである。
一方、ホスト分子のＳ１準位はＴ１準位よりも高いため、Ｓ１準位に対応する蛍光スペク
トルはＴ１準位に対応する燐光スペクトルと比較してかなり短波長領域に観察される。こ
のことはすなわち、ホスト分子の蛍光スペクトルとゲスト分子の長波長領域の吸収（三重
項ＭＬＣＴ遷移に由来する吸収）との重なりが小さくなることを意味しており、ホスト分
子の一重項励起状態からゲスト分子へのエネルギー移動が十分に利用できないことになる
。
すなわち、従来の燐光発光素子では、ホスト分子の一重項励起状態から燐光性ゲスト分子
にエネルギー移動して励起一重項状態を生成し、引き続く項間交差による燐光性化合物の
三重項励起状態の生成という過程を経る確率が非常に低い。
本発明はこのような問題点に鑑みてなされるものであり、本発明の一態様は、新しい原理
に基づいた発光素子を提供する。また、本発明の一態様は、外部量子効率が高い発光素子
を提供する。
本発明の一態様は、燐光性化合物（ゲスト）、第１の有機化合物、及び第２の有機化合物
を含む発光層を一対の電極（第１の電極および第２の電極）間に有し、また、発光層と第
１の電極の間には第１の有機化合物を含有するが、第２の有機化合物を含有しない層（第
１の層）を有し、また、発光層と第２の電極の間には第２の有機化合物を含有するが、第
１の有機化合物を含有しない層（第２の層）を有する発光素子である。
上記において、第１の有機化合物は電子輸送性が正孔輸送性よりも優れており、第２の有
機化合物は正孔輸送性が電子輸送性よりも優れている。そして、第１の有機化合物と第２
の有機化合物は、励起錯体（エキシプレックス）を形成する材料である。この構成では、
エキシプレックスからゲストへのエネルギー移動を経てゲストが励起され、ゲストの励起
状態からの発光が得られる。なお、発光層以外の層が電流の注入により発光する能力を有
してもよい。
エキシプレックスは一重項励起エネルギーと三重項励起エネルギーの差が極めて小さいと
考えられる。換言すれば、エキシプレックスの一重項状態からの発光と三重項状態からの
発光は、極めて近い波長領域に現れる。また、エキシプレックスの発光は通常モノマー状
態と比較して長波長側に観察されるので、長波長領域に現れる燐光性化合物の三重項ＭＬ
ＣＴ遷移に由来する吸収と、エキシプレックスの発光の重なりを大きくすることができる
。このことはすなわち、エキシプレックスの一重項状態、及び三重項状態の双方から、燐
光性化合物に対して効率よくエネルギー移動できることを意味し、発光素子の効率の向上
に寄与することとなる。
さらに、エキシプレックスには基底状態が存在しない。したがって、ゲスト分子の三重項
状態からホスト分子のエキシプレックスへ逆エネルギー移動する過程は存在しないので、
この過程による発光素子の効率低下は起こりえない。
本明細書では、第１の有機化合物および、第２の有機化合物の電子輸送性あるいは正孔輸
送性の特色に着目して、第１の有機化合物、及び第２の有機化合物をそれぞれ、Ｎ型ホス
ト、Ｐ型ホストとも称する。Ｎ型ホスト、Ｐ型ホストのいずれか一方は蛍光を発する材料
であってもよい。また、発光層におけるＮ型ホストおよびＰ型ホストの比率は、いずれも
１０％以上であることが好ましい。
第１の層と発光層あるいは第２の層と発光層との間には、Ｎ型ホストとＰ型ホストの比率
が連続的に変化する領域が設けられていてもよい。なお、発光層内においても、Ｎ型ホス
トとＰ型ホストの比率が連続的に変化するように設定されてもよい。
本発明の他の一態様は、Ｎ型ホストを含むＮ型ホストの層と、Ｐ型ホストを含むＰ型ホス
トの層と、Ｎ型ホストの層とＰ型ホストの層に挟まれ、かつＮ型ホストとＰ型ホストとゲ
ストとを有する領域とを有し、Ｎ型ホストとＰ型ホストがエキシプレックスを形成する材
料であることを特徴とする発光素子である。
また、上記発光素子において、燐光性化合物は、有機金属錯体であることが好ましい。燐
光性化合物は、発光層以外に、第１の層あるいは第２の層、あるいは、発光層と第１の層
との間の領域や発光層と第２の層との間の領域に含まれていてもよい。
本発明の一態様では、発光層は、Ｎ型ホスト分子とＰ型ホスト分子とゲスト分子を有する
。もちろん、分子は規則正しく配列している必要は無く、規則性が極めて少ない状態であ
ってもよい。特に発光層を５０ｎｍ以下の薄膜とする場合には、アモルファス状態となる
ことが好ましく、そのために、結晶化しづらい材料の組み合わせを選択することが好まし
い。また、Ｎ型ホストの層やＰ型ホストの層は２種類以上の異なる化合物より構成されて
もよい。
本発明の一態様の発光素子は、発光装置、電子機器、及び照明装置に適用することができ
る。
適切なＮ型ホストとＰ型ホストの組み合わせにおいては、励起状態となった際にエキシプ
レックスを形成する。なお、エキシプレックスを形成する必要条件は、Ｎ型ホストのＨＯ
ＭＯ準位＜Ｐ型ホストのＨＯＭＯ準位＜Ｎ型ホストのＬＵＭＯ準位＜Ｐ型ホストのＬＵＭ
Ｏ準位であるが、これは十分条件ではない。例えば、Ａｌｑ３とＮＰＢは、上記の条件を
満たすが、エキシプレックスを形成することはない。
これに対し、Ｎ型ホストとＰ型ホストがエキシプレックスを形成できる場合には、上述し
たように、エキシプレックスの一重項状態と三重項状態の双方からゲスト分子へエネルギ
ー移動が生じ、これによってゲスト分子を励起させることが可能であるため、従来の燐光
素子と比較して発光効率が向上する。
ところで、発光素子においては、異なる層の接合を有する場合、界面にエネルギーギャッ
プが生じるため、駆動電圧が増大し、パワー効率が低下する（特許文献２参照）。そこで
、発光素子での異種材料の接合を極力減らすことが好ましい。
上記の態様のいずれかにおいては、後述のようにＮ型ホストとＰ型ホストを混合した発光
層とＮ型ホストの層の界面では正孔に対してバリヤとなる一方、電子に対してはほとんど
障害がなく、また、発光層とＰ型ホストの層の界面では電子に対してバリヤとなる一方、
正孔に対してはほとんど障害がない。このため、電子と正孔は、発光層内あるいはＮ型ホ
ストの層とＰ型ホストの層の間に閉じ込められる。その結果、電子が正極まで到達するこ
とや、正孔が負極まで到達することを阻止でき、発光効率が改善できる。また、エキシプ
レックスは一般的にブロードな発光スペクトルを与えるが、本発明の実施の形態では、ゲ
スト分子が発光するので、半値幅の狭いスペクトルが得られ、その結果、発光の色純度の
高い発光素子が得られる。
本発明の概念図。 本発明の原理を説明する図。 本発明の実施の形態の例を説明する図。 本発明の実施の形態の例を説明する図。 本発明の実施の形態の例を説明する図。 本発明の実施の形態の例を説明する図。 実施例１で得られた発光素子の特性を説明する図。 実施例２で得られた発光素子の特性を説明する図。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。
（実施の形態１）
本実施の形態の一例である発光素子１０１ａは、図１（Ａ）に示されるように、Ｎ型ホス
トを含むＮ型ホストの層１０３と、Ｐ型ホストを含むＰ型ホストの層１０４と、それらに
挟まれたＮ型ホストとＰ型ホストを共に有する層（以下、発光層１０２という）を有する
。発光層１０２にはゲスト分子１０５が分散している。
図１（Ｂ）には発光素子１０１ａにおける、Ｎ型ホストの濃度（図中にＮと表記）とＰ型
ホストの濃度（図中にＰと表記）の分布を示す。発光素子１０１ａにおいては、発光層１
０２でのＮ型ホストの濃度は８０％で、Ｐ型ホストの濃度は２０％である。すなわち、発
光層１０２では、Ｎ型ホスト：Ｐ型ホスト＝４：１である。この比率は、Ｎ型ホスト、Ｐ
型ホストの輸送特性等を考慮して決定されるとよいが、発光層においては、Ｎ型ホスト、
Ｐ型ホストの濃度はいずれも１０％以上であることが好ましい。
ゲスト分子１０５は、図１（Ｃ）に示されるように、発光層１０２に分散しているが、こ
れに限らず、Ｎ型ホストの層１０３の一部やＰ型ホストの層１０４の一部に分散されてい
ても良い。なお、図中、Ｇはゲストの濃度分布を表す。
また、Ｎ型ホストの層１０３においては、Ｐ型ホストの濃度は極めて低く、０．１％以下
であり、Ｐ型ホストの層１０４においては、Ｎ型ホストの濃度は極めて低く、０．１％以
下である。もちろん、発光層１０２とＮ型ホストの層１０３との界面、および発光層１０
２とＰ型ホストの層１０４との界面は必ずしも濃度変化が急峻なものである必要は無い。
図１（Ｄ）には、本実施の形態の別の発光素子１０１ｂの例を示す。発光素子１０１ｂは
、発光素子１０１ａと同様な、Ｎ型ホストの層１０３と、Ｐ型ホストの層１０４と、発光
層１０２を有し、発光層１０２にはゲスト分子１０５が分散している。
発光素子１０１ａと異なる点は、発光層１０２とＮ型ホストの層１０３との間に、Ｎ型ホ
ストの濃度とＰ型ホストの濃度が緩やかに変化する領域（以下、Ｎ型遷移領域１０６とい
う）が設けられていることと、発光層１０２とＰ型ホストの層１０４との間に、Ｎ型ホス
トの濃度とＰ型ホストの濃度が緩やかに変化する領域（以下、Ｐ型遷移領域１０７という
）が設けられていることである。
なお、Ｎ型遷移領域１０６とＰ型遷移領域１０７のいずれか一方を有しない構造であって
もよい。また、Ｎ型遷移領域１０６やＰ型遷移領域１０７は発光機能を有する場合もある
。したがって、Ｎ型遷移領域１０６やＰ型遷移領域１０７も広い意味での発光層と考えて
もよい。その場合には発光層１０２は、主たる発光層と考えてもよい。Ｎ型遷移領域１０
６やＰ型遷移領域１０７の厚さは、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下とするとよい。
図１（Ｅ）にはＮ型ホストおよびＰ型ホストの濃度分布を示すが、Ｎ型遷移領域１０６や
Ｐ型遷移領域１０７では、Ｎ型ホストの濃度およびＰ型ホストの濃度は連続的に変化する
。また、ゲスト分子１０５は、図１（Ｆ）に示されるように、発光層１０２のみならず、
Ｎ型遷移領域１０６やＰ型遷移領域１０７中に含まれていても良く、さらには、Ｎ型ホス
トの層１０３やＰ型ホストの層１０４の一部に含まれるように設けてもよい。もちろん、
ゲスト分子１０５を発光層１０２にのみ設けてもよい。
図１（Ｇ）には、本実施の形態の他の発光素子１０１ｃを示す。発光素子１０１ｃでは、
図１（Ｈ）に示すようにＮ型ホストの層１０３とＰ型ホストの層１０４に挟まれた領域に
おいて、Ｎ型ホストの濃度とＰ型ホストの濃度が連続的に変化する。この場合、発光素子
１０１ａや発光素子１０１ｂにおける発光層（あるいは主たる発光層）を定義することは
困難であるが、Ｎ型ホストとＰ型ホストが混合されており、かつ、Ｎ型ホスト、Ｐ型ホス
トのいずれの濃度も１０％以上である領域は広い意味での発光層と呼べる。
また、ゲストの濃度は、図１（Ｉ）に示されるように、広い意味での発光層に含まれるよ
うに設定すればよい。なお、図１においてはＰ型ホスト層１０４は発光層１０２を挟んで
Ｎ型ホスト層１０３の上に設けられている。しかしながらこの構造は便宜的であり、逆の
構成、すなわち、Ｎ型ホスト層１０３がＰ型ホスト層１０４の上に位置する構造も本発明
の形態に含まれることが容易に理解される。
上記の発光素子１０１ａのエネルギー準位を図２（Ａ）を用いて説明する。上述のように
Ｎ型ホスト、Ｐ型ホストのＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位には、Ｎ型ホストのＨＯＭＯ
準位＜Ｐ型ホストのＨＯＭＯ準位＜Ｎ型ホストのＬＵＭＯ準位＜Ｐ型ホストのＬＵＭＯ準
位という関係がある。
一方、Ｎ型ホストとＰ型ホストが混合された発光層１０２においては、ホールはＰ型ホス
トのＨＯＭＯ準位を利用して輸送され、電子はＮ型ホストのＬＵＭＯ準位を利用して輸送
されるので、キャリア移動の観点から見ると、ＨＯＭＯ準位はＰ型ホストのＨＯＭＯ準位
と、ＬＵＭＯ準位はＮ型ホストのＬＵＭＯ準位と見なすことができる。その結果、発光層
１０２とＰ型ホストの層１０４の界面においては、ＬＵＭＯ準位にギャップが生じるため
、電子の移動にとって障壁となる。同様に、発光層１０２とＮ型ホストの層１０３の界面
においては、ＨＯＭＯ準位にギャップが生じるため、正孔の移動にとって障壁となる。
一方で、発光層１０２とＰ型ホストの層１０４の界面においては、ＨＯＭＯ準位が連続で
あるため、正孔の移動にとっては障壁が無く、発光層１０２とＮ型ホストの層１０３の界
面においても、ＬＵＭＯ準位が連続であるため、電子の移動にとっては障壁が無い。
その結果、電子は、Ｎ型ホストの層１０３から発光層１０２へは移動しやすいが、発光層
１０２とＰ型ホストの層１０４との間にあるＬＵＭＯ準位のギャップにより、発光層１０
２からＰ型ホストの層１０４への移動は妨げられる。
同様に、正孔は、Ｐ型ホストの層１０４から発光層１０２へは移動しやすいが、発光層１
０２とＮ型ホストの層１０３との間にあるＨＯＭＯ準位のギャップにより、発光層１０２
からＮ型ホストの層１０３への移動は妨げられる。この結果、発光層１０２に電子と正孔
を閉じ込めることができる。
また、上記の発光素子１０１ｂのエネルギー準位を図２（Ｂ）を用いて説明する。上述の
ように発光層１０２、Ｎ型ホストの層１０３、Ｐ型ホストの層１０４のＨＯＭＯ準位およ
びＬＵＭＯ準位は図２（Ａ）と同じであるが、Ｎ型遷移領域１０６、Ｐ型遷移領域１０７
には注意が必要である。これらの領域では、Ｎ型ホストの濃度とＰ型ホストの濃度が連続
的に変化する。
しかしながら、無機半導体材料（例えば、ＧａｘＩｎ１－ｘＮ（０＜ｘ＜１））の伝導帯
や価電子帯が組成の変化に伴って連続的に変化する場合とは異なり、混合有機化合物のＬ
ＵＭＯ準位やＨＯＭＯ準位が連続的に変化することはほとんど無い。これは、有機化合物
の電気伝導がホッピング伝導という無機半導体とは異なる方式であるためである。
例えば、Ｎ型ホストの濃度が低下し、Ｐ型ホストの濃度が上昇すると、電子は伝導しにく
くなるが、それは、ＬＵＭＯ準位が連続的に上昇するためではなく、Ｎ型ホスト分子同士
の距離が長くなるために移動確率が低下するため、および、近傍のＰ型ホストの高いＬＵ
ＭＯ準位へホッピングするためのエネルギーがさらに必要とされるためであると理解され
る。
したがって、Ｎ型遷移領域１０６においては、そのＨＯＭＯはＮ型ホストのＨＯＭＯとＰ
型ホストのＨＯＭＯの混合状態であり、より詳細には、発光層１０２に近い部分では、Ｐ
型ホストのＨＯＭＯである確率が高いが、Ｎ型ホストの層１０３に近づくにつれ、Ｎ型ホ
ストのＨＯＭＯである確率が高くなる。Ｐ型遷移領域でも同様である。
しかし、このようなＮ型遷移領域１０６、Ｐ型遷移領域１０７があったとしても、発光層
１０２とＰ型ホストの層１０４の界面においては、ＬＵＭＯ準位にギャップが生じるため
、電子の移動にとって障壁となり、発光層１０２とＮ型ホストの層１０３の界面において
は、ＨＯＭＯ準位にギャップが生じるため、正孔の移動にとって障壁となることは図２（
Ａ）と同じである。
ただし、図２（Ａ）のような濃度変化が急峻な界面では、例えば、電子はその界面に集中
的に滞留する確率が高いため、界面付近が劣化しやすくなるという問題がある。これに対
し、図２（Ｂ）のように界面があいまいな状態では、電子の滞留する部分は確率的に決ま
るため、特定の部分が劣化することはない。すなわち、発光素子の劣化を緩和し、信頼性
を高めることができる。
一方、発光層１０２とＰ型遷移領域１０７の界面、およびＰ型遷移領域１０７とＰ型ホス
トの層１０４の界面においては、ＨＯＭＯ準位が連続であるため、正孔の移動にとっては
障壁が無く、発光層１０２とＮ型遷移領域１０６の界面、およびＮ型遷移領域１０６とＮ
型ホストの層１０３の界面においては、ＬＵＭＯ準位が連続であるため、電子の移動にと
っては障壁が無い。
その結果、電子は、Ｎ型ホストの層１０３から発光層１０２へは移動しやすいが、Ｐ型遷
移領域１０７にあるＬＵＭＯ準位のギャップにより、発光層１０２からＰ型ホストの層１
０４への移動は妨げられる。同様に、正孔は、Ｐ型ホストの層１０４から発光層１０２へ
は移動しやすいが、Ｎ型遷移領域１０６にあるＨＯＭＯ準位のギャップにより、発光層１
０２からＮ型ホストの層１０３への移動は妨げられる。
この結果、発光層１０２に電子と正孔を閉じ込めることができる。また、Ｎ型ホストの層
１０３とＰ型ホストの層１０４との間のＮ型ホストの濃度とＰ型ホストの濃度が連続的に
変化する発光素子１０１ｃでも、同様な考えにより、効率的に電子と正孔をＮ型ホストの
層１０３とＰ型ホストの層１０４との間に閉じ込めることができる。
次に、ゲスト分子１０５の励起過程について説明する。ここでは、発光素子１０１ａを例
に取り説明するが、発光素子１０１ｂおよび発光素子１０１ｃでも同様である。上述の通
り、励起過程には、直接再結合過程とエネルギー移動過程がある。
図２（Ｃ）は直接再結合過程を説明する図であるが、負極に接続したＮ型ホストの層１０
３からは電子が、正極に接続したＰ型ホストの層１０４からは正孔が、ぞれぞれ、発光層
１０２のＬＵＭＯおよびＨＯＭＯに注入される。発光層１０２にはゲスト分子１０５が存
在するため、適切な条件の下では、ゲスト分子のＬＵＭＯおよびＨＯＭＯに電子および正
孔を注入することでゲスト分子を励起状態（分子内励起子、エキシトン）とすることがで
きる。
しかしながら、発光層１０２にまばらに存在するゲスト分子のＬＵＭＯとＨＯＭＯに電子
と正孔を効率よく注入することは技術的に困難であるため、その過程の確率は十分に高く
ない。効率をより高めるには、ゲストのＬＵＭＯをＮ型ホストのＬＵＭＯよりも０．１電
子ボルト乃至０．３電子ボルト低くすることにより、ゲスト分子に電子を優先的にトラッ
プさせるとよい。ゲストのＨＯＭＯをＰ型ホストのＨＯＭＯよりも０．１電子ボルト乃至
０．３電子ボルト高くしても同様の効果が得られる。なお図２（Ｃ）では、ゲストのＨＯ
ＭＯはＰ型ホストのＨＯＭＯよりも低いが、ゲストのＬＵＭＯはＮ型ホストとＰ型ホスト
のＬＵＭＯよりも十分に低いので、電子は効率よくトラップされる。
ゲストのＬＵＭＯをＮ型ホストのＬＵＭＯよりも０．５電子ボルト以上低くする（あるい
はゲストのＨＯＭＯをＰ型ホストのＨＯＭＯよりも０．５電子ボルト以上高くする）と、
電子（正孔）のトラップの確率は高まるが、発光層１０２の導電性が低下し、また、負極
側（正極側）のゲスト分子のみが集中的に励起されるため好ましくない。
図２（Ｄ）は、本発明にしたがってＮ型ホストとＰ型ホストを適切に選択し、エキシプレ
ックスを形成させる場合を説明する図である。発光層１０２に、上記と同様に電子と正孔
が注入された場合、電子と正孔がゲスト分子で出会う確率よりも、発光層１０２内の隣接
しているＮ型ホスト分子とＰ型ホスト分子で出会う確率の方が高い。そのような場合には
、エキシプレックスを形成する。ここで、エキシプレックスに関して詳説する。
エキシプレックスは、励起状態における異種分子間の相互作用によって形成される。エキ
シプレックスは、比較的深いＬＵＭＯ準位をもつ有機化合物（Ｎ型ホスト）と、浅いＨＯ
ＭＯ準位をもつ有機化合物（Ｐ型ホスト）間との間で形成しやすいことが一般に知られて
いる。
エキシプレックスからの発光波長は、Ｎ型ホストとＰ型ホストのＨＯＭＯ準位とＬＵＭＯ
準位間のエネルギー差に依存する。エネルギー差が大きいと発光波長は短くなり、エネル
ギー差が小さいと発光波長は長くなる。そして、Ｎ型ホストの分子とＰ型ホストの分子に
よりエキシプレックスが形成された場合、エキシプレックスのＬＵＭＯ準位はＮ型ホスト
に由来し、ＨＯＭＯ準位はＰ型ホストに由来する。
したがって、エキシプレックスのエネルギー差は、Ｎ型ホストのエネルギー差、及びＰ型
ホストのエネルギー差よりも小さくなる。つまり、Ｎ型ホスト、Ｐ型ホストのそれぞれの
発光波長に比べて、エキシプレックスの発光波長は長波長となる。
エキシプレックスの形成過程は大きく分けて２つの過程が考えられる。
≪エレクトロプレックス（ｅｌｅｃｔｒｏｐｌｅｘ）≫
本明細書において、エレクトロプレックスとは、基底状態のＮ型ホスト及び基底状態のＰ
型ホストから、直接、形成されたエキシプレックスを指す。例えば、Ｎ型ホストのアニオ
ンとＰ型ホストのカチオンから、直接、形成されたエキシプレックスがエレクトロプレッ
クスである。
前述の通り、従来の有機化合物の発光過程のうちエネルギー移動過程においては、電子及
びホールがホスト分子中で再結合（励起）し、励起状態のホスト分子からゲスト分子に励
起エネルギーが移動し、ゲスト分子が励起状態に至り、発光する。
ここで、ホスト分子からゲスト分子に励起エネルギーが移動する前に、ホスト分子自体が
発光する、又は励起エネルギーが熱エネルギーとなると、励起エネルギーを失活する。特
に、ホスト分子が一重項励起状態である場合は、三重項励起状態である場合に比べて励起
寿命が短いため励起エネルギーの失活が起こりやすい。励起エネルギーの失活は、発光素
子の劣化および寿命の低下につながる要因の一つである。
しかし、Ｎ型ホスト分子及びＰ型ホスト分子がキャリアを持った状態（カチオン又はアニ
オン）からエレクトロプレックスを形成すれば、励起寿命の短い一重項励起子の形成を抑
制することができる。つまり、一重項励起子を形成することなく、直接エキシプレックス
を形成する過程が存在しうる。これにより、Ｎ型ホスト分子あるいはＰ型ホスト分子の一
重項励起エネルギーの失活も抑制することができる。したがって、寿命が長い発光素子を
実現することができる。
このようにしてホスト分子の一重項励起状態の発生を抑制し、その代わりに生じたエレク
トロプレックスからゲスト分子にエネルギー移動をおこなって発光効率が高い発光素子を
得る概念はこれまでにないものである。
≪励起子によるエキシプレックスの形成≫
もう一つの過程としては、Ｎ型ホスト分子及びＰ型ホスト分子の一方が一重項励起子を形
成した後、基底状態の他方と相互作用してエキシプレックスを形成する素過程が考えられ
る。エレクトロプレックスとは異なり、この場合は一旦、Ｎ型ホスト分子あるいはＰ型ホ
スト分子の一重項励起状態が生成してしまうが、これは速やかにエキシプレックスに変換
されるため、一重項励起エネルギーの失活を抑制することができる。したがって、ホスト
分子が励起エネルギーを失活することを抑制することができる。
なお、Ｎ型ホスト、Ｐ型ホストのＨＯＭＯ準位の差、及びＬＵＭＯ準位の差が大きい場合
（具体的には差が０．３ｅＶ以上）、電子は優先的にＮ型ホスト分子に入り、ホールは優
先的にＰ型ホスト分子に入る。この場合、一重項励起子を経てエキシプレックスが形成さ
れる過程よりも、エレクトロプレックスが形成される過程の方が優先されると考えられる
。
なお、エネルギー移動過程の効率を高めるには、ＭＬＣＴ遷移に由来する吸収の重要性を
考慮すると、上述のフェルスター機構、デクスター機構のいずれにおいても、Ｎ型ホスト
（又はＰ型ホスト）単独の発光スペクトル（あるいはそれに相当するエネルギー差）とゲ
ストの吸収スペクトルとの重なりよりも、エレクトロプレックス、及びあるいはエキシプ
レックスの発光スペクトルとゲストの吸収スペクトルとの重なりを大きくすることがよい
。
また、エネルギー移動効率を高めるためには、濃度消光が問題とならない程度にゲストの
濃度を高めることが好ましく、Ｎ型ホストとＰ型ホストの総量に対して、ゲストの濃度は
重量比で１％乃至９％とするとよい。
なお、上述の直接励起再結合過程でも、エネルギー移動過程でも、Ｎ型ホストおよびＰ型
ホスト中に存在するゲスト分子を、Ｎ型ホストとＰ型ホストのエキシプレックス及びある
いはエレクトロプレックスからのエネルギー移動によって励起状態とする概念は従来知ら
れておらず、本明細書ではこの概念をＧｕｅｓｔ Ｃｏｕｐｌｅｄ ｗｉｔｈ Ｃｏｍｐ
ｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｈｏｓｔｓ（ＧＣＣＨ）と呼ぶ。この概念を利用することで、本実
施の形態においては、キャリアの閉じこめと発光層へのキャリア注入障壁の低減が同時に
達成されるのみならず、ホスト分子のエキシプレックスを形成し、その一重項励起状態と
三重項励起状態の双方からのエネルギー移動過程を利用することができるので、高効率か
つ低電圧駆動（すなわちパワー効率の非常に高い）の発光素子が得られる。
（実施の形態２）
本実施の形態の発光装置の一例を図３（Ａ）に示す。図３（Ａ）に示される発光装置は実
施の形態１で説明した発光素子１０１（実施の形態１で説明した発光素子１０１ａ、発光
素子１０１ｂ、発光素子１０１ｃ等）を負極１０８、正極１０９ではさんだものである。
なお、負極１０８と正極１０９の少なくとも一方は透明であることが好ましい。この発光
装置は適切な基板上に設けられてもよい。
発光素子１０１においては、発光層１０２をはさむＮ型ホストの層１０３、Ｐ型ホストの
層１０４が、それぞれ電子輸送層、正孔輸送層として機能し、また、上述の通り、それぞ
れ正孔、電子を阻止する機能を有するため、電子輸送層や正孔輸送層に相当する層を別途
設ける必要が無い。そのため、図３（Ａ）に示す発光装置は作製工程を簡略化できる。
発光素子１０１は、実施の形態１で説明したようにゲストとＮ型ホスト及びＰ型ホストを
有する。Ｎ型ホスト（あるいはＰ型ホスト）は、２種以上の物質を用いることができる。
ゲストとしては、有機金属錯体が好ましく、イリジウム錯体が特に好ましい。なお、上述
のフェルスター機構によるエネルギー移動を考慮すると、燐光性化合物の最も長波長側に
位置する吸収帯のモル吸光係数は、２０００Ｍ－１・ｃｍ－１以上が好ましく、５０００
Ｍ－１・ｃｍ－１以上が特に好ましい。
このような大きなモル吸光係数を有する化合物としては、例えば、ビス（３，５－ジメチ
ル－２－フェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：
［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）２（ｄｐｍ）］、下記化学式、化１参照）や、（アセチルアセ
トナト）ビス（４，６－ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ
（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］、下記化学式、化２参照）などが挙げられる。特に、［Ｉ
ｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］のように、モル吸光係数が５０００Ｍ－１・ｃｍ－１以
上に達する材料を用いると、外部量子効率が３０％程度に達する発光素子が得られる。
Ｎ型ホストとしては、π電子欠如型複素芳香環を有する化合物が挙げられる。すなわち、
炭素よりも電気陰性度の大きいヘテロ原子（窒素やリンなど）を環の構成元素として含有
する、６員環の芳香環を有する化合物が挙げられる。例えば、２－［３－（ジベンゾチオ
フェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤ
Ｂｑ－ＩＩ）、２－［４－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ、
ｈ］キノキサリン（略称：２ＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［４－（３，６－ジフェニル
－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：
２ＣｚＰＤＢｑ－ＩＩＩ）、７－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジ
ベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）及び、６－［３－（
ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６
ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）のような電子を受け取りやすいベンゾキノキサリン骨格を有す
る化合物（ベンゾキノキサリン誘導体）のうちいずれか一を用いればよい。
またＰ型ホストとしては、芳香族アミン（窒素原子に少なくとも一つの芳香環が結合した
化合物）やカルバゾール誘導体が挙げられる。例えば、４，４’－ジ（１－ナフチル）－
４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：
ＰＣＢＮＢＢ）、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェ
ニル（略称：ＮＰＢまたはα－ＮＰＤ）、及び、４－フェニル－４’－（９－フェニル－
９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）のような
正孔を受け取りやすい化合物を用いればよい。ただし、これらに限定されることなく、Ｐ
型ホストとＮ型ホストがエキシプレックスを形成できる組み合わせであればよい。
正極１０９としては、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上の）金属、合金、導
電性化合物、及びこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸
化インジウム－酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素又は酸化
珪素を含有した酸化インジウム－酸化スズ、酸化インジウム－酸化亜鉛、酸化タングステ
ン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）等が挙げられる。これらの導電性
金属酸化物膜は、通常スパッタリング法により成膜されるが、ゾル－ゲル法などを応用し
て作製しても構わない。
例えば、酸化インジウム－酸化亜鉛膜は、酸化インジウムに対し１～２０ｗｔ％の酸化亜
鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、Ｉ
ＷＺＯ膜は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５～５ｗｔ％、酸化亜鉛を０
．１～１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができ
る。この他、グラフェン、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄
、コバルト、銅、パラジウム、又は金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げら
れる。
但し、発光素子１０１のうち、正極に接して形成される層が、後述する有機化合物と電子
受容体（アクセプター）とを混合してなる複合材料を用いて形成される場合には、正極に
用いる物質は、仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およ
びこれらの混合物などを用いることができる。例えば、アルミニウム、銀、アルミニウム
を含む合金（例えば、Ａｌ－Ｓｉ）等も用いることもできる。正極は、例えばスパッタリ
ング法や蒸着法（真空蒸着法を含む）等により形成することができる。
負極１０８は、仕事関数の小さい（好ましくは３．８ｅＶ以下の）金属、合金、電気伝導
性化合物、及びこれらの混合物などを用いて形成することが好ましい。具体的には、元素
周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウムやセシウム等のアルカリ金
属、およびカルシウム、ストロンチウム等のアルカリ土類金属、マグネシウム、およびこ
れらを含む合金（例えば、Ｍｇ－Ａｇ、Ａｌ－Ｌｉ）、ユーロピウム、イッテルビウム等
の希土類金属およびこれらを含む合金などを用いることができる。
但し、発光素子１０１のうち、負極に接して形成される層が、後述する有機化合物と電子
供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いる場合には、仕事関数の大小に関わら
ず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム－酸化スズ等
様々な導電性材料を用いることができる。なお、負極を形成する場合には、真空蒸着法や
スパッタリング法を用いることができる。また、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布
法やインクジェット法などを用いることができる。
本実施の形態の発光装置の一例を図３（Ｂ）に示す。図３（Ｂ）に示す発光装置は、図３
（Ａ）に示す発光装置において発光素子１０１と負極１０８の間に電子注入層１１３を、
また、発光素子１０１と正極１０９の間に正孔注入層１１４を設けたものである。
電子注入層１１３、正孔注入層１１４を設けることにより負極１０８、正極１０９から発
光素子１０１に電子および正孔を効率よく注入でき、エネルギー利用効率が高まる。ここ
で、発光素子１０１と電子注入層１１３、正孔注入層１１４を有する積層体をＥＬ層１１
０という。
正孔注入層１１４は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質とし
ては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウ
ム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀
酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物を用いることができる。ま
た、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）
等のフタロシアニン系の化合物を用いることができる。
また、低分子の有機化合物である４，４’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ
）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（３－メ
チルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４
，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニ
ル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’－ビス（Ｎ－｛４－［Ｎ’－（３－メチルフェニル）－
Ｎ’－フェニルアミノ］フェニル｝－Ｎ－フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰ
Ｄ）、１，３，５－トリス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミ
ノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル
）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，
６－ビス［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－
フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３－［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－（
９－フェニルカルバゾール－３－イル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：Ｐ
ＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。
さらに、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマーを含む）を用いることもできる。例え
ば、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４－ビニルトリフェニル
アミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ－（４－｛Ｎ’－［４－（４－ジフェニルアミ
ノ）フェニル］フェニル－Ｎ’－フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称
：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フ
ェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）などの高分子化合物が挙げられる。ま
た、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥ
ＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等
の酸を添加した高分子化合物を用いることができる。
また、正孔注入層１１４として、有機化合物と電子受容体（アクセプター）とを混合して
なる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子受容体によって有機化合物に
正孔が発生するため、正孔注入性および正孔輸送性に優れている。この場合、有機化合物
としては、発生した正孔の輸送に優れた材料（正孔輸送性の高い物質）であることが好ま
しい。
複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香
族炭化水素、ポリマー（オリゴマー、デンドリマーを含む）など、種々の化合物を用いる
ことができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合
物であることが好ましい。具体的には、１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する
物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら
以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化合物を具体
的に列挙する。
複合材料に用いることのできる有機化合物としては、例えば、ＴＤＡＴＡ、ＭＴＤＡＴＡ
、ＤＰＡＢ、ＤＮＴＰＤ、ＤＰＡ３Ｂ、ＰＣｚＰＣＡ１、ＰＣｚＰＣＡ２、ＰＣｚＰＣＮ
１、１，３，５－トリ（ジベンゾチオフェン－４－イル）ベンゼン（略称：ＤＢＴ３Ｐ－
ＩＩ）、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略
称：ＮＰＢまたはα－ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジ
フェニル－［１，１’－ビフェニル］－４，４’－ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４－フェ
ニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡ
ＦＬＰ）等の芳香族アミン化合物や、４，４’－ジ（Ｎ－カルバゾリル）ビフェニル（略
称：ＣＢＰ）、１，３，５－トリス［４－（Ｎ－カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略
称：ＴＣＰＢ）、９－［４－（Ｎ－カルバゾリル）］フェニル－１０－フェニルアントラ
セン（略称：ＣｚＰＡ）、９－フェニル－３－［４－（１０－フェニル－９－アントリル
）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、１，４－ビス［４－（Ｎ－カ
ルバゾリル）フェニル］－２，３，５，６－テトラフェニルベンゼン等のカルバゾール誘
導体を用いることができる。
また、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ｔ－
ＢｕＤＮＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（１－ナフチル）アントラセン、９
，１０－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２－ｔ
ｅｒｔ－ブチル－９，１０－ビス（４－フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ－Ｂ
ｕＤＢＡ）、９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０－
ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラセン（
略称：ｔ－ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０－ビス（４－メチル－１－ナフチル）アントラセン
（略称：ＤＭＮＡ）、９，１０－ビス［２－（１－ナフチル）フェニル］－２－ｔｅｒｔ
－ブチルアントラセン、９，１０－ビス［２－（１－ナフチル）フェニル］アントラセン
、２，３，６，７－テトラメチル－９，１０－ジ（１－ナフチル）アントラセン等の芳香
族炭化水素化合物を用いることができる。
さらに、２，３，６，７－テトラメチル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン、
９，９’－ビアントリル、１０，１０’－ジフェニル－９，９’－ビアントリル、１０，
１０’－ビス（２－フェニルフェニル）－９，９’－ビアントリル、１０，１０’－ビス
［（２，３，４，５，６－ペンタフェニル）フェニル］－９，９’－ビアントリル、アン
トラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１－テトラ（ｔｅｒｔ－ブ
チル）ペリレン、ペンタセン、コロネン、４，４’－ビス（２，２－ジフェニルビニル）
ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０－ビス［４－（２，２－ジフェニルビニル）
フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等の芳香族炭化水素化合物を用いることが
できる。
また、電子受容体としては、７，７，８，８－テトラシアノ－２，３，５，６－テトラフ
ルオロキノジメタン（略称：Ｆ４－ＴＣＮＱ）、クロラニル等の有機化合物や、周期表に
おける第４族乃至第８族に属する金属などの遷移金属の酸化物を挙げることができる。具
体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、
酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中で
も特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好まし
い。
なお、上述したＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ、ＰＴＰＤＭＡ、Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ等のポリマーと、
上述した電子受容体を用いて複合材料を形成し、正孔注入層１１４に用いてもよい。
電子注入層１１３は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層１１３には、リ
チウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、
リチウム酸化物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用
いることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることがで
きる。
また、電子注入層１１３には、電子輸送性の高い物質を用いることもできる。電子輸送性
の高い物質としては、Ａｌｑ３、トリス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム
（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（
略称：ＢｅＢｑ２）、ＢＡｌｑ、Ｚｎ（ＢＯＸ）２、ビス［２－（２－ヒドロキシフェニ
ル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などの金属錯体が挙げられる。
また、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４
－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３－ビス［５－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェ
ニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、３
－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－５－（４－ビフェニリル）－１，
２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－
（４－エチルフェニル）－５－（４－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾール（略称
：ｐ－ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（
略称：ＢＣＰ）、４，４’－ビス（５－メチルベンゾオキサゾール－２－イル）スチルベ
ン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。
また、ポリ（２，５－ピリジン－ジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９－ジヘキシ
ルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（ピリジン－３，５－ジイル）］（略称：ＰＦ
－Ｐｙ）、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（２，２
’－ビピリジン－６，６’－ジイル）］（略称：ＰＦ－ＢＰｙ）のようなポリマーを用い
ることもできる。ここに述べた物質は、主に１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有
する物質である。
なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子注入層１１３
として用いてもよい。これらの電子輸送性の高い物質は、後述する電子輸送層にも用いる
ことができる。
あるいは、電子注入層１１３に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複
合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が
発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物として
は、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述し
た電子輸送層を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。
電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には
、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグ
ネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金
属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バ
リウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いること
もできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることも
できる。
本実施の形態の発光装置の一例を図３（Ｃ）に示す。図３（Ｃ）に示す発光装置は、図３
（Ｂ）に示す発光装置において発光素子１０１と電子注入層１１３の間に電子輸送層１１
１を、また、発光素子１０１と正孔注入層１１４の間に正孔輸送層１１２を設けたもので
ある。
上述のように、発光素子１０１内のＮ型ホストの層１０３およびＰ型ホストの層１０４は
、それぞれ、電子輸送層および正孔輸送層としての機能も有するが、発光素子１０１に、
より効果的に電子や正孔を注入するには、別途、電子輸送層１１１と正孔輸送層１１２を
設けるとよい。
電子輸送層１１１は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層１１１には、上
述した電子輸送性の高い物質を用いることができる。また、電子輸送層は、単層のものだ
けでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
正孔輸送層１１２は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質とし
ては、ＮＰＢ、ＴＰＤ、ＢＰＡＦＬＰ、４，４’－ビス［Ｎ－（９，９－ジメチルフルオ
レン－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４
’－ビス［Ｎ－（スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ―フェニルアミノ］
ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物を用いることができる。ここに
述べた物質は、主に１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、
電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、
正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以
上積層したものとしてもよい。
また、正孔輸送層１１２には、ＣＢＰ、ＣｚＰＡ、ＰＣｚＰＡのようなカルバゾール誘導
体や、ｔ－ＢｕＤＮＡ、ＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈのようなアントラセン誘導体を用いても良
い。また、正孔輸送層１１２には、ＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ、ＰＴＰＤＭＡ、Ｐｏｌｙ－ＴＰ
Ｄなどの高分子化合物を用いることもできる。
上述した正孔注入層１１４、正孔輸送層１１２、発光素子１０１、電子輸送層１１１、電
子注入層１１３は、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法等の方法で
形成することができる。なお、ＥＬ層１１０は必ずしもこれらの層を全て有する必要は無
い。
また、図３（Ｄ）に示すように、正極１０９と負極１０８との間に複数のＥＬ層１１０ａ
、１１０ｂが積層されていても良い。この場合、ＥＬ層１１０ａ、１１０ｂはそれぞれ少
なくとも図３（Ａ）に示した発光素子１０１、あるいは図３（Ｂ）乃び図３（Ｃ）で説明
した構造を有する。積層されたＥＬ層１１０ａとＥＬ層１１０ｂとの間には、電荷発生層
１１５を設ける。電荷発生層１１５は上述の正孔注入性の高い物質や複合材料で形成する
ことができる。また、電荷発生層１１５は複合材料からなる層と他の材料からなる層との
積層構造でもよい。
この場合、他の材料からなる層としては、電子供与性物質と電子輸送性の高い物質とを含
む層や、透明導電膜からなる層などを用いることができる。また、一方のＥＬ層で燐光発
光、他方で蛍光発光を得ても良い。この燐光発光は上述のＥＬ層の構造を用いて得ること
ができる。
また、それぞれのＥＬ層の発光色を異なるものにすることで、発光装置全体として、所望
の色の発光を得ることができる。例えば、ＥＬ層１１０ａの発光色とＥＬ層１１０ｂの発
光色を補色の関係になるようにすることで、全体として白色発光する発光装置を得ること
も可能である。また、３つ以上のＥＬ層を有する発光装置の場合でも同様である。
あるいは、図３（Ｅ）に示すように、正極１０９と負極１０８との間に、正孔注入層１１
４、正孔輸送層１１２、発光素子１０１、電子輸送層１１１、電子注入バッファー層１１
６、電子リレー層１１７、及び負極１０８と接する複合材料層１１８を有するＥＬ層１１
０を形成しても良い。
負極１０８と接する複合材料層１１８を設けることで、特にスパッタリング法を用いて負
極１０８を形成する場合には、ＥＬ層１１０が受けるダメージを低減することができるた
め好ましい。複合材料層１１８は、前述の、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター
性物質を含有させた複合材料を用いることができる。
さらに、電子注入バッファー層１１６を設けることで、複合材料層１１８と電子輸送層１
１１との間の注入障壁を緩和することができるため、複合材料層１１８で生じた電子を電
子輸送層１１１に容易に注入することができる。
電子注入バッファー層１１６には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およ
びこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸
リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲ
ン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を
含む））等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。
また、電子注入バッファー層１１６が、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで形
成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、０．００１以上０．１以下
の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。電子輸送性の高い物質としては、先に
説明した電子輸送層１１１の材料と同様の材料を用いて形成することができる。
また、ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこ
れらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチ
ウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化
物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む
））の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロ
セン等の有機化合物を用いることもできる。
さらに、電子注入バッファー層１１６と複合材料層１１８との間に、電子リレー層１１７
を形成することが好ましい。電子リレー層１１７は、必ずしも設ける必要は無いが、電子
輸送性の高い電子リレー層１１７を設けることで、電子注入バッファー層１１６へ電子を
速やかに送ることが可能となる。
複合材料層１１８と電子注入バッファー層１１６との間に電子リレー層１１７が挟まれた
構造は、複合材料層１１８に含まれるアクセプター性物質と、電子注入バッファー層１１
６に含まれるドナー性物質とが相互作用を受けにくく、互いの機能を阻害しにくい構造で
ある。したがって、駆動電圧の上昇を防ぐことができる。
電子リレー層１１７は、電子輸送性の高い物質を含み、電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ
準位は、複合材料層１１８に含まれるアクセプター性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送層
１１１に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位との間となるように形成する。
また、電子リレー層１１７がドナー性物質を含む場合には、当該ドナー性物質のドナー準
位も複合材料層１１８におけるアクセプター性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送層１１１
に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位との間となるようにする。具体的なエネ
ルギー準位の数値としては、電子リレー層１１７に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵ
ＭＯ準位は－５．０ｅＶ以上、好ましくは－５．０ｅＶ以上－３．０ｅＶ以下とするとよ
い。
電子リレー層１１７に含まれる電子輸送性の高い物質としてはフタロシアニン系の材料又
は金属－酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。
電子リレー層１１７に含まれるフタロシアニン系材料としては、具体的にはＣｕＰｃ、Ｓ
ｎＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ ｔｉｎ（ＩＩ） ｃｏｍｐｌｅｘ）、ＺｎＰｃ
（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ ｚｉｎｃ ｃｏｍｐｌｅｘ）、ＣｏＰｃ（Ｃｏｂａｌ
ｔ（ＩＩ）ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ， β－ｆｏｒｍ）、ＦｅＰｃ（Ｐｈｔｈａｌ
ｏｃｙａｎｉｎｅ Ｉｒｏｎ）及びＰｈＯ－ＶＯＰｃ（Ｖａｎａｄｙｌ ２，９，１６，
２３－ｔｅｔｒａｐｈｅｎｏｘｙ－２９Ｈ，３１Ｈ－ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）の
いずれかを用いることが好ましい。
電子リレー層１１７に含まれる金属－酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としては
、金属－酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることが好ましい。金属－酸素の二重結
合はアクセプター性（電子を受容しやすい性質）を有するため、電子の移動（授受）がよ
り容易になる。また、金属－酸素の二重結合を有する金属錯体は安定であると考えられる
。したがって、金属－酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることにより発光装置の寿
命を向上させることができる。
金属－酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としてはフタロシアニン系材料が好まし
い。具体的には、ＶＯＰｃ（Ｖａｎａｄｙｌ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、ＳｎＯ
Ｐｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ ｔｉｎ（ＩＶ） ｏｘｉｄｅ ｃｏｍｐｌｅｘ）
及びＴｉＯＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ ｔｉｔａｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ ｃｏ
ｍｐｌｅｘ）などは、アクセプター性が高いため好ましい。
なお、上述したフタロシアニン系材料としては、フェノキシ基を有するものが好ましい。
具体的にはＰｈＯ－ＶＯＰｃのような、フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体が好
ましい。フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体は、溶媒に容易に溶けるため、扱い
やすく、また、成膜に用いる装置のメンテナンスが容易になるという利点を有する。
電子リレー層１１７はさらにドナー性物質を含んでいても良い。ドナー性物質としては、
アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属及びこれらの化合物（アルカリ金属化合物
（酸化リチウムなどの酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウムなどの炭酸塩
を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、又は希土
類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン
（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセンなどの有機化合物を用いるこ
とができる。電子リレー層１１７にこれらドナー性物質を含ませることによって、電子の
移動が容易となり、発光装置をより低電圧で駆動することが可能になる。
電子リレー層１１７にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質としては上記
した材料の他、複合材料層１１８に含まれるアクセプター性物質のアクセプター準位より
高いＬＵＭＯ準位を有する物質を用いることができる。具体的なエネルギー準位としては
、－５．０ｅＶ以上、好ましくは－５．０ｅＶ以上－３．０ｅＶ以下の範囲にＬＵＭＯ準
位を有する物質を用いることが好ましい。このような物質としては例えば、ペリレン誘導
体や、含窒素縮合芳香族化合物などが挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安
定であるため、電子リレー層１１７を形成する為に用いる材料として、好ましい材料であ
る。
ペリレン誘導体の具体例としては、３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボン酸二無水
物（略称：ＰＴＣＤＡ）、３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボキシリックビスベン
ゾイミダゾール（略称：ＰＴＣＢＩ）、Ｎ，Ｎ’－ジオクチル－３，４，９，１０－ペリ
レンテトラカルボン酸ジイミド（略称：ＰＴＣＤＩ－Ｃ８Ｈ）、Ｎ，Ｎ’－ジヘキシル－
３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：Ｈｅｘ ＰＴＣ）等が挙
げられる。
また、含窒素縮合芳香族化合物の具体例としては、ピラジノ［２，３－ｆ］［１，１０］
フェナントロリン－２，３－ジカルボニトリル（略称：ＰＰＤＮ）、２，３，６，７，１
０，１１－ヘキサシアノ－１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン（略称
：ＨＡＴ（ＣＮ）６）、２，３－ジフェニルピリド［２，３－ｂ］ピラジン（略称：２Ｐ
ＹＰＲ）、２，３－ビス（４－フルオロフェニル）ピリド［２，３－ｂ］ピラジン（略称
：Ｆ２ＰＹＰＲ）等が挙げられる。
その他にも、７，７，８，８－テトラシアノキノジメタン（略称：ＴＣＮＱ）、１，４，
５，８－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（略称：ＮＴＣＤＡ）、パーフルオロペン
タセン、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン（略称：Ｆ１６ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ’－ビ
ス（２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８－ペンタデカフルオ
ロオクチル）－１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：ＮＴＣＤ
Ｉ－Ｃ８Ｆ）、３’，４’－ジブチル－５，５’’－ビス（ジシアノメチレン）－５，５
’’－ジヒドロ－２，２’：５’，２’’－テルチオフェン）（略称：ＤＣＭＴ）、メタ
ノフラーレン（例えば、［６，６］－フェニルＣ６１酪酸メチルエステル）等を用いるこ
とができる。
なお、電子リレー層１１７にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質とドナ
ー性物質との共蒸着などの方法によって電子リレー層１１７を形成すれば良い。
なお、先に説明したように、発光素子１０１内のＮ型ホストの層１０３およびＰ型ホスト
の層１０４は、それぞれ、電子輸送層および正孔輸送層としての機能も有するため、電子
輸送層１１１、正孔輸送層１１２の一方あるいは双方を設けなくともよい。その際には、
Ｎ型ホストの層１０３が電子輸送層１１１として機能する。
上述した発光装置は、正極と負極との間に与えられた電位差により電流が流れ、ＥＬ層１
１０（あるいは１１０ａ、１１０ｂ）において正孔と電子とが再結合することにより発光
する。そして、この発光は、正極または負極のいずれか一方または両方を通って外部に取
り出される。従って、正極または負極のいずれか一方、または両方が可視光に対する透光
性を有する電極となる。
なお、正孔ブロック層を発光素子１０１に組み合わせてもよい。
本実施の形態で示した発光装置を用いて、パッシブマトリクス型の発光装置や、トランジ
スタによって発光装置の駆動が制御されたアクティブマトリクス型の発光装置を作製する
ことができる。また、該発光装置を電子機器又は照明装置等に適用することができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１で説明した発光素子１０１ａ等を製造するための装置と
作製方法について説明する。図４（Ａ）に示す製造装置は、真空チャンバー２０１内に、
第１の蒸発源２０２、第２の蒸発源２０３、第３の蒸発源２０４を有する。第１乃至第３
の蒸発源２０２～２０４は、いずれも図４（Ｃ）に示されるように線状の開口部２２３を
有し、抵抗加熱方式で内部の有機化合物を蒸発させることができる。
ここでは、第１の蒸発源２０２はＮ型ホストを蒸発させ、第２の蒸発源２０３はゲストを
蒸発させ、第３の蒸発源２０４はＰ型ホストを蒸発させるものとする。また、第１乃至第
３の蒸発源２０２～２０４には、それぞれシャッターを設けてもよい。さらに、各蒸発源
の温度は独立に制御して有機化合物の蒸気圧を適切に制御できるようにするとよい。例え
ば、Ｎ型ホストの蒸発量を、Ｐ型ホストの蒸発量の４倍とし、また、ゲストの蒸発量をＰ
型ホストの蒸発量の１％となるように設定してもよい。
さらに、例えば、第１の蒸発源２０２と第３の蒸発源２０４では有機化合物を比較的、広
い角度範囲に飛散させ、これに対し、第２の蒸発源２０３では、より狭い範囲に飛散させ
るように、各蒸発源の開口部２２３の形状や大きさ等を異ならせてもよい。あるいは、図
４（Ａ）に示すように各蒸発源の開口部２２３の向きを異なるように設定してもよい。
また、真空チャンバー２０１内には１枚以上の基板、好ましくは２枚以上の基板（図２（
Ａ）では基板２０５～２０７）を配置し、図のように左から右へ（すなわち、蒸発源の開
口部２２３の方向と略直角な方向に）適切な速度で移動するようにするとよい。なお、各
蒸発源と基板２０５～２０７の距離を異ならせてもよい。
図４（Ａ）に示す製造装置において、２０８に示す部分では主として、第１の蒸発源２０
２から飛散するＮ型ホストが堆積する。また、２０９に示す部分では第１の蒸発源２０２
から飛散するＮ型ホスト、第２の蒸発源２０３から飛散するゲスト、第３の蒸発源２０４
から飛散するＰ型ホストが一定の比率で堆積する。さらに、２１０に示す部分では、主と
して、第３の蒸発源２０４から飛散するＰ型ホストが堆積する。
したがって、基板２０５～２０７が左から右へ移動する間に、最初にＮ型ホストの層１０
３が形成され、次いで、発光層１０２が形成され、さらにＰ型ホストの層１０４が形成さ
れる。発光素子１０１ｂのように、Ｎ型ホストの層１０３と発光層１０２の間にＮ型遷移
領域１０６、Ｐ型ホストの層１０４と発光層１０２の間にＰ型遷移領域１０７が形成され
ることもある。あるいは、発光素子１０１ｃのように、発光層とＮ型ホストの層１０３の
間、あるいは発光層とＰ型ホストの層１０４の間に明確な境界が形成されない場合もある
。
図４（Ｂ）に示す製造装置は、図４（Ａ）に示す製造装置を改良したものである。すなわ
ち、真空チャンバー２１１内に、第１の蒸発源２１２、第２の蒸発源２１３、第３の蒸発
源２１４、第４の蒸発源２１５、第５の蒸発源２１６を有する。ここでは、第１の蒸発源
２１２および第２の蒸発源２１３はＮ型ホストを蒸発させ、第３の蒸発源２１４はゲスト
を蒸発させ、第４の蒸発源２１５および第５の蒸発源２１６はＰ型ホストを蒸発させるも
のとする。
図４（Ａ）に示す製造装置と同様に、各蒸着源の開口部２２３の形状や大きさ、各蒸着源
の位置や向きは互いに異なってもよい。また、真空チャンバー２１１内には１枚以上の基
板、好ましくは２枚以上の基板（図２（Ｂ）では基板２１７～２１９）を配置し、図のよ
うに左から右へ適切な速度で移動するようにするとよい。
図４（Ｂ）に示す製造装置において、２２０に示す部分では主として、第１の蒸発源２１
２から飛散するＮ型ホストが堆積する。また、２２１に示す部分では第２の蒸発源２１３
から飛散するＮ型ホスト、第３の蒸発源２１４から飛散するゲスト、第４の蒸発源２１５
から飛散するＰ型ホストが一定の比率で堆積する。さらに、２２２に示す部分では、主と
して、第５の蒸発源２１６から飛散するＰ型ホストが堆積する。
図４（Ｂ）に示す製造装置では、発光素子１０１ａのように発光層１０２とＮ型ホストの
層１０３との界面や発光層１０２とＰ型ホストの層１０４との界面における、濃度変化を
急峻にすることができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、Ｎ型ホストとして用いることのできる２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩとＰ
型ホストとして用いることのできるＰＣＢＮＢＢと、そのエキシプレックスについて説明
する。２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ、ＰＣＢＮＢＢ、およびこれらを用いる際にゲストとし
て適切な［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］、［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）２（ｄｐｍ）
］の主な物性値は表１の通りである。
Figure 0007535632000006
２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩとＰＣＢＮＢＢが混合された領域では、ＬＵＭＯ準位は、－２
．７８ｅＶ、ＨＯＭＯ準位は－５．４６ｅＶとなる。これらは、それぞれ、２ｍＤＢＴＰ
ＤＢｑ－ＩＩとＰＣＢＮＢＢのエキシプレックスのＬＵＭＯ準位、ＨＯＭＯ準位と同じで
ある。そして、ゲストである［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）２（ｄｐｍ）］のＬＵＭＯ準位、
ＨＯＭＯ準位も同じレベルである。
一方、［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］のＬＵＭＯ準位、ＨＯＭＯ準位は、ともにこ
れより低いため、［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］は電子をトラップしやすいことが
わかる。このため、［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］をゲストに用いた場合には、［
Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）２（ｄｐｍ）］を用いた場合より直接再結合過程の確率が高いこ
とが示唆される。
また、［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）２（ｄｐｍ）］も［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］
も三重項励起状態のエネルギー準位（Ｔ１準位）は２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩやＰＣＢＮ
ＢＢの三重項励起状態のエネルギー準位よりも０．１電子ボルト以上低いので、［Ｉｒ（
ｍｐｐｒ－Ｍｅ）２（ｄｐｍ）］や［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］が三重項励起状
態となった後、その状態が２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩやＰＣＢＮＢＢの三重項励起状態に
移動する確率は小さい。特に［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］では、０．１８電子ボ
ルト以上も低いので、［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］の方が［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍ
ｅ）２（ｄｐｍ）］よりも発光効率が高いことが示唆される。
図５（Ａ）は２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩの分子構造を示す。一般に、ベンゼン環のような
６員環芳香環の構成原子に、窒素原子のような炭素よりも電気陰性度が大きい原子（ヘテ
ロ原子）を導入するとヘテロ原子に環上のπ電子が引きつけられ、芳香環は電子不足とな
りやすい。図の点線で囲まれた部分Ａはπ電子が不足している部位を示し、この部分で電
子をトラップしやすい。一般に６員環のヘテロ芳香族化合物はＮ型ホストとなりやすい。
図５（Ｂ）はＰＣＢＮＢＢの分子構造を示す。一般に、窒素原子が、ベンゼン環のような
芳香環の外側にあって環と結合すると、窒素原子の非共有電子対がベンゼン環に供与され
て電子過剰となり電子を放出しやすくなる（すなわち、正孔をトラップしやすくなる）。
図において点線で囲まれた部分Ｂはπ電子が過剰となっている部位を示し、この部分で電
子を放出（正孔をトラップ）しやすい。一般に芳香族アミン化合物はＰ型ホストとなりや
すい。
また、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩとＰＣＢＮＢＢのＬＵＭＯの間には０．４７電子ボルト
、ＨＯＭＯの間には０．４２電子ボルトという比較的大きなギャップが存在する。このギ
ャップが電子や正孔の障壁となり、キャリアが再結合することなく発光層を突き抜けるこ
とを防ぐことができる。このような障壁の高さは０．３電子ボルト以上、好ましくは、０
．４電子ボルト以上あるとよい。
Ｎ型ホストとＰ型ホストがエキシプレックスを形成するかどうかはフォトルミネッセンス
を測定すればよい。また、得られるエキシプレックスのフォトルミネセンスのスペクトル
がゲストの吸収スペクトルと重なるとフェルスター機構によるエネルギー移動過程が起こ
りやすいといえる。
図６（Ａ）および図６（Ｂ）に［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］のジクロロメタン溶
液の紫外可視吸収スペクトル（吸収スペクトル０）を示す。吸収スペクトルの測定には、
紫外可視分光光度計（（株）日本分光製 Ｖ５５０型）を用い、ジクロロメタン溶液（０
．０９３ｍｍｏｌ／Ｌ）を石英セルに入れ、室温で測定をおこなった。
また、同じく図６（Ａ）および図６（Ｂ）に、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩの薄膜のフォト
ルミネッセンス・スペクトル（発光スペクトル１）、ＰＣＢＮＢＢの薄膜のフォトルミネ
ッセンス・スペクトル（発光スペクトル２）、及び２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩとＰＣＢＮ
ＢＢの混合材料の薄膜のフォトルミネッセンス・スペクトル（発光スペクトル３）を示す
。混合材料の薄膜における２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩとＰＣＢＮＢＢの比は０．８：０．
２であった。
図６（Ａ）において、横軸は、波長（ｎｍ）を示し、縦軸は、モル吸光係数ε（Ｍ－１・
ｃｍ－１）及び発光強度（任意単位）を示す。図６（Ｂ）において、横軸は、エネルギー
（ｅＶ）を示し、縦軸は、モル吸光係数ε（Ｍ－１・ｃｍ－１）及び発光強度（任意単位
）を示す。
図６（Ａ）の吸収スペクトル０から、［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］が、５２０ｎ
ｍ付近にブロードな吸収帯を有することがわかる。この吸収帯が、発光に強く寄与する吸
収帯であると考えられる。
発光スペクトル３は、発光スペクトル１、発光スペクトル２よりも長波長（低エネルギー
）側にピークを有する。そして、発光スペクトル３のピークは、発光スペクトル１、発光
スペクトル２のピークに比べて、［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］の吸収帯と近い位
置に存在する。具体的には、［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］の吸収スペクトル０の
ピークと発光スペクトル３のピークの差は０．０２ｅＶであった。
２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ及びＰＣＢＮＢＢの混合材料の発光スペクトルは、単体の発光
スペクトルよりも長波長（低エネルギー）側にピークを有することがわかった。このこと
から、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩとＰＣＢＮＢＢを混合することで、エキシプレックスが
形成されることが示唆された。また、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ及びＰＣＢＮＢＢ単体に
由来する発光ピークは観測されず、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ及びＰＣＢＮＢＢが個別に
励起されたとしても、ただちにエキシプレックスを形成することを意味する。
該混合材料の発光スペクトルのピークは、［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］の吸収ス
ペクトル０において発光に強く寄与すると考えられる吸収帯と重なりが大きい。よって、
２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩとＰＣＢＮＢＢと［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］を有す
る発光素子では、エキシプレックスからゲスト分子へのエネルギー移動効率が高いことが
示唆される。
本実施例では、本発明の一態様の発光素子を作製し、その特性評価をおこなった。本実施
例の発光素子では、Ｎ型ホストとして２ＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩを用い、Ｐ型ホストとして
はＰＣＢＡ１ＢＰを用いた。
本実施例で作製した発光素子の層構造は、上方より基板に向って、負極、電子注入層、電
子輸送層、第１の層（Ｎ型ホストの層）、発光層（Ｎ型ホストとＰ型ホストを共に有する
層）、第２の層（Ｐ型ホストの層）、正孔注入層、正極という構造を有する。
これらを含めて、本実施例で用いた材料の化学式（構造式）を以下に示す。なお、既に説
明した材料については省略する。
以下に、本実施例の発光素子の作製方法を示す。まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含む
インジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法にて成膜し、正極を形成した。なお
、その膜厚は１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。
次に、基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００
℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒おこなった。その後、１０－４Ｐａ程
度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において
、１７０℃で３０分間の真空焼成をおこなった後、基板を３０分程度放冷した。
次に、正極が形成された面が下方となるように、正極が形成された基板を真空蒸着装置内
に設けられた基板ホルダーに固定し、約１０－４Ｐａの減圧下、正極上に、ＤＢＴ３Ｐ－
ＩＩと酸化モリブデン（ＶＩ）を共蒸着することで、正孔注入層を形成した。その膜厚は
、４０ｎｍとし、ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩと酸化モリブデンの比率は、重量比で４：２（＝ＤＢ
Ｔ３Ｐ－ＩＩ：酸化モリブデン）となるように調節した。
次に、正孔注入層上にＰＣＢＡ１ＢＰよりなる第２の層を２０ｎｍの膜厚となるように蒸
着法により成膜した。
さらに、ＰＣＢＡ１ＢＰと２ＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩと［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）
］）を共蒸着し、第２の層上に発光層を形成した。ここで、２ＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ、Ｐ
ＣＢＡ１ＢＰ及び［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］］の重量比は、０．８：０．２：
０．０５となるように調節した。また、発光層の膜厚は４０ｎｍとした。
次に、発光層上に各発光素子の２ＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩを膜厚１０ｎｍとなるよう蒸着法
により成膜し、第１の層を形成した。
次に、第１の層上に、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）を膜厚２０ｎｍとなる
ように成膜し、電子輸送層を形成した。
さらに、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍの膜厚で蒸着し、電子注入
層を形成した。
最後に、負極として、アルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着した。このよう
にして、発光素子を作製した。なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法
を用いた。以上により得られた発光素子の素子構造を表２に示す。
Figure 0007535632000008
窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する
作業をおこなった後、発光素子の動作特性について測定をおこなった。なお、測定は室温
（２５℃に保たれた雰囲気）でおこなった。
図７（Ａ）に得られた発光素子の輝度の電流密度依存性を、図７（Ｂ）に輝度の電圧依存
性を、図７（Ｃ）に電流効率の輝度依存性を示す。また、得られた発光素子の主要な特性
を表３に示す。約１０００ｃｄ／ｍ２の輝度を得るための電圧が極めて低く（２．６Ｖ
）、また、パワー効率が７０％以上の高効率な発光素子が得られた。
Figure 0007535632000009
本実施例では、本発明の一態様の発光素子を作製し、その測定をおこなった。本実施例で
は、Ｎ型ホストとして２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩを用い、Ｐ型ホストとしてはＰＣＢＡ１
ＢＰを用い、発光素子を作製した。
本実施例で作製した発光素子の層構造は、実施例１の発光素子と同じである。また、用い
る材料は既に説明した材料である。さらに、作製方法はＮ型ホストが異なる以外の点は実
施例１と同様である（すなわち、実施例１の２ＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩを２ｍＤＢＴＰＤＢ
ｑ－ＩＩで置き換えただけである）ので詳細は省略する。なお、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－Ｉ
Ｉの構造を以下に示す。
得られた発光素子の素子構造を表４に示す。
Figure 0007535632000011
図８（Ａ）に得られた発光素子の輝度の電流密度依存性を、図８（Ｂ）に輝度の電圧依存
性を、図８（Ｃ）に電流効率の輝度依存性を示す。また、得られた発光素子の主要な特性
を表５に示す。約１０００ｃｄ／ｍ２の輝度を得るための電圧が極めて低く（２．７Ｖ
）、また、外部量子効率が２５％以上の高効率な発光素子が得られた。従来の発光素子で
は、取り出し効率に起因して外部量子効率の上限は２０％程度であると言われているが、
ＧＣＣＨというコンセプトを用いることで、２５％を超える外部量子効率の発光素子が得
られる。
Figure 0007535632000012
１０１ 発光素子
１０１ａ 発光素子
１０１ｂ 発光素子
１０１ｃ 発光素子
１０２ 発光層
１０３ Ｎ型ホストの層
１０４ Ｐ型ホストの層
１０５ ゲスト分子
１０６ Ｎ型遷移領域
１０７ Ｐ型遷移領域
１０８ 負極
１０９ 正極
１１０ ＥＬ層
１１０ａ ＥＬ層
１１０ｂ ＥＬ層
１１１ 電子輸送層
１１２ 正孔輸送層
１１３ 電子注入層
１１４ 正孔注入層
１１５ 電荷発生層
１１６ 電子注入バッファー層
１１７ 電子リレー層
１１８ 複合材料層
２０１ 真空チャンバー
２０２ 第１の蒸発源
２０３ 第２の蒸発源
２０４ 第３の蒸発源
２０５ 基板
２０６ 基板
２０７ 基板
２１１ 真空チャンバー
２１２ 第１の蒸発源
２１３ 第２の蒸発源
２１４ 第３の蒸発源
２１５ 第４の蒸発源
２１６ 第５の蒸発源
２１７ 基板
２１８ 基板
２１９ 基板
２２３ 開口部

Claims (5)

  1. 第１の電極と第２の電極との間に、発光層と、第１の層と、第２の層と、を有し、
    前記第１の層は、前記第１の電極と前記発光層との間に設けられ、
    前記第２の層は、前記第２の電極と前記発光層との間に設けられ、
    前記発光層は、燐光性化合物と、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を有し、
    前記第１の有機化合物は、ヘテロ原子を環の構成元素として含有する６員環の芳香環を有する化合物であり、
    前記第２の有機化合物は、カルバゾール誘導体であり、
    前記第１の有機化合物のＴ１準位は、前記燐光性化合物のＴ１準位よりも０．１電子ボルト以上高く、
    前記第２の有機化合物のＴ１準位は、前記燐光性化合物のＴ１準位よりも０．１電子ボルト以上高く、
    前記第１の層は、前記第１の有機化合物を有し、
    前記第２の層は、前記第２の有機化合物を有し、
    前記第１の層は、前記第２の有機化合物を有さず、
    前記第２の層は、前記第１の有機化合物を有さず、
    前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物とは、励起状態においてエキシプレックスを形成する組み合わせである発光装置。
  2. 請求項１において、
    前記第１の層と前記発光層との間あるいは前記第２の層と前記発光層との間には、前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物の比率が連続的に変化する領域が設けられている発光装置。
  3. 第１の電極と第２の電極との間に、第１の層と、第２の層と、を有し、
    前記第１の層は、第１の有機化合物を有し、
    前記第２の層は、第２の有機化合物を有し、
    前記第１の層は、前記第２の有機化合物を有さず、
    前記第２の層は、前記第１の有機化合物を有さず、
    前記第１の層と前記第２の層との間に、前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物と燐光性化合物とを有する領域を有し、
    前記第１の有機化合物は、ヘテロ原子を環の構成元素として含有する６員環の芳香環を有する化合物であり、
    前記第２の有機化合物は、カルバゾール誘導体であり、
    前記第１の有機化合物のＴ１準位は、前記燐光性化合物のＴ１準位よりも０．１電子ボルト以上高く、
    前記第２の有機化合物のＴ１準位は、前記燐光性化合物のＴ１準位よりも０．１電子ボルト以上高く、
    前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物とは、励起状態においてエキシプレックスを形成する組み合わせである発光装置。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
    前記第１の有機化合物及び前記第２の有機化合物の少なくとも一方が、蛍光性化合物である発光装置。
  5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
    前記燐光性化合物が、有機金属錯体である発光装置。
JP2023109865A 2011-03-30 2023-07-04 発光装置 Active JP7535632B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011074272 2011-03-30
JP2011074272 2011-03-30
JP2020070855A JP2020174178A (ja) 2011-03-30 2020-04-10 発光装置
JP2021187726A JP7308908B2 (ja) 2011-03-30 2021-11-18 発光装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021187726A Division JP7308908B2 (ja) 2011-03-30 2021-11-18 発光装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2024128722A Division JP2024149668A (ja) 2011-03-30 2024-08-05 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2023118841A JP2023118841A (ja) 2023-08-25
JP7535632B2 true JP7535632B2 (ja) 2024-08-16

Family

ID=46926024

Family Applications (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012076169A Active JP6033567B2 (ja) 2011-03-30 2012-03-29 発光素子
JP2016209373A Active JP6415511B2 (ja) 2011-03-30 2016-10-26 発光素子、発光装置
JP2018187384A Active JP6691587B2 (ja) 2011-03-30 2018-10-02 発光装置
JP2020070855A Withdrawn JP2020174178A (ja) 2011-03-30 2020-04-10 発光装置
JP2021187726A Active JP7308908B2 (ja) 2011-03-30 2021-11-18 発光装置
JP2023109865A Active JP7535632B2 (ja) 2011-03-30 2023-07-04 発光装置

Family Applications Before (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012076169A Active JP6033567B2 (ja) 2011-03-30 2012-03-29 発光素子
JP2016209373A Active JP6415511B2 (ja) 2011-03-30 2016-10-26 発光素子、発光装置
JP2018187384A Active JP6691587B2 (ja) 2011-03-30 2018-10-02 発光装置
JP2020070855A Withdrawn JP2020174178A (ja) 2011-03-30 2020-04-10 発光装置
JP2021187726A Active JP7308908B2 (ja) 2011-03-30 2021-11-18 発光装置

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8853680B2 (ja)
JP (6) JP6033567B2 (ja)
KR (3) KR101994671B1 (ja)
CN (2) CN103518268B (ja)
DE (2) DE112012001504B4 (ja)
TW (2) TWI517472B (ja)
WO (1) WO2012132809A1 (ja)

Families Citing this family (99)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102345510B1 (ko) 2011-02-16 2021-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자
CN105932170B (zh) 2011-02-16 2018-04-06 株式会社半导体能源研究所 发光元件
TWI617064B (zh) 2011-02-28 2018-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置
US8969854B2 (en) 2011-02-28 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting layer and light-emitting element
DE112012001364B4 (de) 2011-03-23 2017-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lichtemittierendes Element
KR102310048B1 (ko) 2011-04-07 2021-10-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자
TWI532822B (zh) 2011-04-29 2016-05-11 半導體能源研究所股份有限公司 利用磷光之發光裝置，電子裝置及照明裝置
KR102025266B1 (ko) 2011-04-29 2019-09-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유기 금속 착체, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
JP2013147490A (ja) 2011-12-23 2013-08-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd イリジウム錯体、発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置
KR101803537B1 (ko) 2012-02-09 2017-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자
CN104471733B (zh) 2012-03-14 2017-06-09 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置、电子设备及照明装置
JP2013232629A (ja) 2012-04-06 2013-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
JP6158542B2 (ja) 2012-04-13 2017-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
JP6158543B2 (ja) 2012-04-13 2017-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
CN107039593B (zh) * 2012-04-20 2019-06-04 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置
JP6076153B2 (ja) 2012-04-20 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、表示装置、電子機器及び照明装置
KR101909775B1 (ko) 2012-04-20 2018-10-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
US8994013B2 (en) 2012-05-18 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device
US8921549B2 (en) 2012-06-01 2014-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organometallic complex, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
JP2014043437A (ja) 2012-08-03 2014-03-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 有機化合物、発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置
KR102137376B1 (ko) 2012-08-03 2020-07-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
TWI587557B (zh) 2012-08-03 2017-06-11 半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、發光裝置、顯示裝置、電子裝置及照明設備
TWI638472B (zh) 2012-08-03 2018-10-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件
DE112013007782B3 (de) 2012-08-03 2022-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung
JP6312960B2 (ja) 2012-08-03 2018-04-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、照明装置及び複素環化合物
US9142710B2 (en) 2012-08-10 2015-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device
KR20140038886A (ko) * 2012-09-21 2014-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자
KR20210152006A (ko) 2013-01-10 2021-12-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기 및 조명 장치
JP6137898B2 (ja) * 2013-03-26 2017-05-31 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、照明装置、発光装置、表示装置、電子機器
KR102034819B1 (ko) * 2013-03-26 2019-10-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유기 화합물, 발광 소자, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기 및 조명 장치
KR102178256B1 (ko) 2013-03-27 2020-11-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
US10043982B2 (en) * 2013-04-26 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device
WO2014185434A1 (en) 2013-05-16 2014-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
CN105283461B (zh) 2013-06-14 2018-07-17 株式会社半导体能源研究所 有机金属铱配合物、发光元件、发光装置以及照明装置
WO2015029808A1 (en) 2013-08-26 2015-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display module, lighting module, light-emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device
KR102639622B1 (ko) 2013-12-02 2024-02-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 표시 모듈, 조명 모듈, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
KR102289329B1 (ko) 2013-12-02 2021-08-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
KR102088883B1 (ko) * 2013-12-02 2020-03-16 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
US9666822B2 (en) * 2013-12-17 2017-05-30 The Regents Of The University Of Michigan Extended OLED operational lifetime through phosphorescent dopant profile management
KR20150130224A (ko) 2014-05-13 2015-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
KR102520463B1 (ko) 2014-05-30 2023-04-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 표시 장치, 및 전자 기기
TWI849490B (zh) 2014-05-30 2024-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件，發光裝置，電子裝置以及照明裝置
DE102015213426B4 (de) 2014-07-25 2022-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co.,Ltd. Licht emittierendes Element, Licht emittierende Vorrichtung, elekronisches Gerät, Beleuchtungsvorrichtung und organische Verbindung
KR102353647B1 (ko) 2014-08-29 2022-01-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
WO2016051309A1 (en) 2014-09-30 2016-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device
KR102409803B1 (ko) 2014-10-10 2022-06-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
KR102344729B1 (ko) * 2014-12-15 2021-12-31 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR101706752B1 (ko) * 2015-02-17 2017-02-27 서울대학교산학협력단 호스트, 인광 도펀트 및 형광 도펀트를 포함하는 유기발광소자
US10062861B2 (en) 2015-02-24 2018-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device
US10903440B2 (en) 2015-02-24 2021-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
TWI814143B (zh) 2015-03-09 2023-09-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、顯示裝置、電子裝置及照明設備
TWI836636B (zh) * 2015-03-09 2024-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件，顯示裝置，電子裝置，與照明裝置
JP6697299B2 (ja) 2015-04-01 2020-05-20 株式会社半導体エネルギー研究所 有機金属錯体、発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
CN104795432A (zh) 2015-05-04 2015-07-22 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管器件及显示装置
TWI837587B (zh) 2015-05-21 2024-04-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、顯示裝置、電子裝置、及照明裝置
WO2016185321A1 (en) 2015-05-21 2016-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device
WO2016193845A1 (en) 2015-05-29 2016-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device
DE102015108826A1 (de) * 2015-06-03 2016-12-08 Osram Oled Gmbh Organisches lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organisch lichtemittierenden Bauelements
KR102655709B1 (ko) 2015-07-21 2024-04-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
KR102616411B1 (ko) 2015-07-23 2023-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
US10700288B2 (en) 2015-07-24 2020-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, and lighting system
CN111710788B (zh) 2015-08-07 2023-07-21 株式会社半导体能源研究所 发光元件、显示装置、电子设备及照明装置
TWI564294B (zh) 2015-08-24 2017-01-01 國立清華大學 載子產生材料與有機發光二極體
TW201721922A (zh) * 2015-09-30 2017-06-16 半導體能源研究所股份有限公司 發光元件，顯示裝置，電子裝置，及照明裝置
KR20170038681A (ko) 2015-09-30 2017-04-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
US10405217B2 (en) * 2015-09-30 2019-09-03 The Nielsen Company (Us), Llc Methods and apparatus to measure wireless networks indoors
US9967884B2 (en) * 2015-11-10 2018-05-08 Netgear, Inc. Dedicated backhaul for whole home coverage
KR102431636B1 (ko) * 2015-11-26 2022-08-10 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
WO2017093843A1 (en) 2015-12-01 2017-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
US10096658B2 (en) * 2016-04-22 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device
US10998516B2 (en) 2016-05-06 2021-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device
US10756286B2 (en) 2016-05-06 2020-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device
KR102341030B1 (ko) 2016-05-20 2021-12-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
CN105895821B (zh) * 2016-07-01 2017-12-29 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管及其制造方法和显示装置
KR20180010136A (ko) 2016-07-20 2018-01-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유기 화합물, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
WO2018033820A1 (en) 2016-08-17 2018-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
US10270039B2 (en) 2016-11-17 2019-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device
WO2018100476A1 (en) 2016-11-30 2018-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
US10276801B2 (en) 2017-01-25 2019-04-30 Industrial Technology Research Institute Triazine-based compound and light emitting device
US11686611B2 (en) 2017-02-24 2023-06-27 Vestel Elektronik Sanayi Ve Ticaret A.S. Acousto-optic transducer, array and method
US10600981B2 (en) * 2017-08-24 2020-03-24 Universal Display Corporation Exciplex-sensitized fluorescence light emitting system
WO2019087003A1 (en) 2017-11-02 2019-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device
US11462696B2 (en) 2018-01-19 2022-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
WO2019171197A1 (ja) 2018-03-07 2019-09-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、表示装置、電子機器、有機化合物及び照明装置
WO2019234562A1 (ja) 2018-06-06 2019-12-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、表示装置および電子機器
CN110920253B (zh) 2018-09-19 2021-01-22 精工爱普生株式会社 打印头控制电路、打印头及液体喷出装置
JP7341172B2 (ja) 2019-02-06 2023-09-08 株式会社半導体エネルギー研究所 発光デバイス、電子機器及び照明装置
CN109904351B (zh) * 2019-03-18 2021-11-09 苏州大学 白色有机发光二极管，其制备方法以及有机发光显示器
CN110148677A (zh) * 2019-06-05 2019-08-20 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光器件、显示面板及显示装置
US11659758B2 (en) 2019-07-05 2023-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display unit, display module, and electronic device
CN110635061A (zh) * 2019-10-23 2019-12-31 昆山国显光电有限公司 一种显示面板及显示装置
KR20210056259A (ko) 2019-11-08 2021-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
KR20210076220A (ko) * 2019-12-12 2021-06-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 장치
CN111584728B (zh) * 2020-05-22 2022-08-19 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法和显示面板
CN111883680B (zh) * 2020-08-06 2023-08-01 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件和显示装置
CN113013344B (zh) * 2021-02-24 2023-09-29 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN113299844B (zh) * 2021-05-31 2023-03-17 昆山国显光电有限公司 一种有机电致发光器件和显示装置
CN114373877B (zh) * 2021-12-31 2023-08-29 昆山国显光电有限公司 一种有机电致发光器件和显示装置
CN115696944B (zh) * 2022-10-31 2024-01-05 京东方科技集团股份有限公司 一种发光层、发光器件及显示装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002305085A (ja) 2001-02-01 2002-10-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 有機発光素子および前記素子を用いた表示装置
JP2003317966A (ja) 2002-04-25 2003-11-07 Canon Inc ゲスト−ホスト・エレクトロルミネッセンス系のためのカルバゾール基材料
JP2006203172A (ja) 2004-12-22 2006-08-03 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子
JP2007042875A (ja) 2005-08-03 2007-02-15 Fujifilm Holdings Corp 有機電界発光素子
JP2007134677A (ja) 2005-10-11 2007-05-31 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
JP2010140917A (ja) 2010-03-25 2010-06-24 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
JP2010238937A (ja) 2009-03-31 2010-10-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置
JP2011001349A (ja) 2009-05-20 2011-01-06 Tosoh Corp ２−アミノカルバゾール化合物及びその用途
JP7085972B2 (ja) 2018-12-12 2022-06-17 大成建設株式会社 水域における生物種モニタリング方法

Family Cites Families (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2773297B2 (ja) * 1989-09-28 1998-07-09 日本電気株式会社 有機薄膜ｅｌ素子
JPH06107648A (ja) 1992-09-29 1994-04-19 Ricoh Co Ltd 新規なオキサジアゾール化合物
JPH06145658A (ja) 1992-04-14 1994-05-27 Ricoh Co Ltd 電界発光素子
US5420288A (en) 1992-04-14 1995-05-30 Ricoh Company, Ltd. Electroluminescent device comprising oxadiazole compounds luminescent material, oxadiazole compounds for the device, and method of producing oxadiazole compounds
JPH0665569A (ja) 1992-06-20 1994-03-08 Ricoh Co Ltd 電界発光素子
JP3341090B2 (ja) 1992-07-27 2002-11-05 株式会社リコー オキサジアゾール誘導体ならびにその製造法
JPH0785972A (ja) * 1993-09-20 1995-03-31 Toshiba Corp 有機ｅｌ素子
US5597890A (en) 1993-11-01 1997-01-28 Research Corporation Technologies, Inc. Conjugated polymer exciplexes and applications thereof
US5409783A (en) 1994-02-24 1995-04-25 Eastman Kodak Company Red-emitting organic electroluminescent device
US5709492A (en) 1994-04-27 1998-01-20 Sakura Color Products Corp. Liquid applicator
JPH0963770A (ja) * 1995-08-24 1997-03-07 Kemipuro Kasei Kk 単層型白色発光有機ｅｌ素子
DE19638770A1 (de) * 1996-09-21 1998-03-26 Philips Patentverwaltung Organisches elektrolumineszentes Bauelement mit Exciplex
US6097147A (en) 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
JP2000133453A (ja) * 1998-10-22 2000-05-12 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
DE60031729T2 (de) 1999-05-13 2007-09-06 The Trustees Of Princeton University Lichtemittierende, organische, auf elektrophosphoreszenz basierende anordnung mit sehr hoher quantenausbeute
SG115435A1 (en) 2000-12-28 2005-10-28 Semiconductor Energy Lab Luminescent device
JP4076769B2 (ja) * 2000-12-28 2008-04-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電気器具
TW519770B (en) * 2001-01-18 2003-02-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and manufacturing method thereof
JP4047015B2 (ja) * 2001-01-18 2008-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電気器具
TWI225312B (en) * 2001-02-08 2004-12-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
ITTO20010692A1 (it) 2001-07-13 2003-01-13 Consiglio Nazionale Ricerche Dispositivo elettroluminescente organico basato sull'emissione di ecciplessi od elettroplessi e sua realizzazione.
US6869695B2 (en) * 2001-12-28 2005-03-22 The Trustees Of Princeton University White light emitting OLEDs from combined monomer and aggregate emission
US6863997B2 (en) 2001-12-28 2005-03-08 The Trustees Of Princeton University White light emitting OLEDs from combined monomer and aggregate emission
JP3933591B2 (ja) * 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
ITBO20020165A1 (it) * 2002-03-29 2003-09-29 Consiglio Nazionale Ricerche Dispositivo elettroluminescente organico con droganti cromofori
US6951694B2 (en) 2002-03-29 2005-10-04 The University Of Southern California Organic light emitting devices with electron blocking layers
TWI314947B (en) 2002-04-24 2009-09-21 Eastman Kodak Compan Organic light emitting diode devices with improved operational stability
KR100902988B1 (ko) 2002-08-26 2009-06-15 라이트온 테크놀러지 코포레이션 백색광 발광 다이오드의 제조 방법
JP4522862B2 (ja) 2002-11-13 2010-08-11 株式会社半導体エネルギー研究所 キノキサリン誘導体、有機半導体素子および電界発光素子
JP4574606B2 (ja) 2002-11-13 2010-11-04 株式会社半導体エネルギー研究所 電界発光素子
TWI316827B (en) 2003-02-27 2009-11-01 Toyota Jidoshokki Kk Organic electroluminescent device
JP4531342B2 (ja) 2003-03-17 2010-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 白色有機発光素子および発光装置
TW588568B (en) * 2003-05-06 2004-05-21 Au Optronics Corp Organic light emitting device
US20080217604A1 (en) 2003-08-29 2008-09-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic Semiconductor Film, Electron Device Using the Same and Manufacturing Method Therefor
US7175922B2 (en) * 2003-10-22 2007-02-13 Eastman Kodak Company Aggregate organic light emitting diode devices with improved operational stability
WO2005073338A2 (en) 2003-12-04 2005-08-11 Massachusetts Institute Of Technology Fluorescent, semi-conductive polymers, and devices comprising them
KR100773524B1 (ko) * 2003-12-24 2007-11-07 삼성에스디아이 주식회사 이핵 유기 금속 착물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
DE102004038199A1 (de) 2004-08-05 2006-03-16 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH LED mit niedriger Farbtemperatur
US20060134464A1 (en) 2004-12-22 2006-06-22 Fuji Photo Film Co. Ltd Organic electroluminescent element
JP2007073620A (ja) 2005-09-05 2007-03-22 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
CN101321773B (zh) 2005-12-05 2015-02-25 株式会社半导体能源研究所 有机金属配合物和使用它的发光元件、发光设备和电子设备
KR101511788B1 (ko) * 2005-12-12 2015-04-13 호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤 ｍ-카르바졸릴페닐기를 함유하는 화합물
KR101255233B1 (ko) * 2006-02-20 2013-04-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 금속 착물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
WO2007108403A1 (en) 2006-03-21 2007-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Quinoxaline derivative, and light-emitting element, light-emitting device, electronic device using the quinoxaline derivative
DE602007008642D1 (de) 2006-03-21 2010-10-07 Semiconductor Energy Lab Metallorganischer Komplex und lichtemittierendes Element, lichtemittierende Vorrichtung und den metallorganischen Komplex verwendende elektronische Vorrichtung
JP5238227B2 (ja) 2006-12-27 2013-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 有機金属錯体および有機金属錯体を用いた発光素子、発光装置、並びに電子機器
EP2573075B1 (en) * 2007-02-21 2014-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and quinoxaline derivative
US8513678B2 (en) * 2007-05-18 2013-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
CN103319540B (zh) 2007-05-18 2016-01-13 株式会社半导体能源研究所 有机金属配合物，包含该有机金属配合物的组合物和发光元件
US8034465B2 (en) * 2007-06-20 2011-10-11 Global Oled Technology Llc Phosphorescent oled having double exciton-blocking layers
TWI479712B (zh) * 2007-10-19 2015-04-01 Semiconductor Energy Lab 發光裝置
CN101803058B (zh) 2007-10-19 2012-07-11 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光设备和电子设备
US20090191427A1 (en) * 2008-01-30 2009-07-30 Liang-Sheng Liao Phosphorescent oled having double hole-blocking layers
WO2009157498A1 (en) * 2008-06-25 2009-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organometallic complex, and lighting apparatus, and electronic device using the organometallic complex
JP5325707B2 (ja) 2008-09-01 2013-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子
JP5497284B2 (ja) 2008-12-08 2014-05-21 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 白色有機電界発光素子
US9040718B2 (en) 2009-01-22 2015-05-26 The University Of Rochester Hybrid host materials for electrophosphorescent devices
JP2010254671A (ja) 2009-03-31 2010-11-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd カルバゾール誘導体、発光素子用材料、発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置
US20100295445A1 (en) * 2009-05-22 2010-11-25 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device
US8766269B2 (en) 2009-07-02 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and electronic device
KR101351410B1 (ko) * 2009-09-29 2014-01-14 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자
WO2011042443A1 (en) 2009-10-05 2011-04-14 Thorn Lighting Ltd. Multilayer organic device
JP2011153269A (ja) 2010-01-28 2011-08-11 Nara Institute Of Science & Technology 白色発光性高分子複合材料およびその製造方法
TWI591065B (zh) 2010-03-01 2017-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 雜環化合物、發光元件、發光裝置、電子裝置、及照明裝置
EP2366753B1 (en) 2010-03-02 2015-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting Element and Lighting Device
JP5324513B2 (ja) 2010-03-31 2013-10-23 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
JP5602555B2 (ja) 2010-05-17 2014-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置
KR101436288B1 (ko) 2010-10-22 2014-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 화합물
KR102345510B1 (ko) 2011-02-16 2021-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자
WO2012111680A1 (en) 2011-02-16 2012-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting body, light-emitting layer, and light-emitting device
CN105932170B (zh) 2011-02-16 2018-04-06 株式会社半导体能源研究所 发光元件
US8969854B2 (en) 2011-02-28 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting layer and light-emitting element
TWI617064B (zh) 2011-02-28 2018-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置
DE112012001364B4 (de) 2011-03-23 2017-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lichtemittierendes Element
KR102310048B1 (ko) 2011-04-07 2021-10-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자
TWI613195B (zh) 2011-08-25 2018-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光元件，發光裝置，電子裝置，照明裝置以及新穎有機化合物

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002305085A (ja) 2001-02-01 2002-10-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 有機発光素子および前記素子を用いた表示装置
JP2003317966A (ja) 2002-04-25 2003-11-07 Canon Inc ゲスト−ホスト・エレクトロルミネッセンス系のためのカルバゾール基材料
JP2006203172A (ja) 2004-12-22 2006-08-03 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子
JP2007042875A (ja) 2005-08-03 2007-02-15 Fujifilm Holdings Corp 有機電界発光素子
JP2007134677A (ja) 2005-10-11 2007-05-31 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
JP2010238937A (ja) 2009-03-31 2010-10-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置
JP2011001349A (ja) 2009-05-20 2011-01-06 Tosoh Corp ２−アミノカルバゾール化合物及びその用途
JP2010140917A (ja) 2010-03-25 2010-06-24 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
JP7085972B2 (ja) 2018-12-12 2022-06-17 大成建設株式会社 水域における生物種モニタリング方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE112012007314B3 (de) 2018-05-03
JP2017038079A (ja) 2017-02-16
JP2023118841A (ja) 2023-08-25
KR20200078708A (ko) 2020-07-01
TWI517472B (zh) 2016-01-11
JP2020174178A (ja) 2020-10-22
US20150021579A1 (en) 2015-01-22
JP2012216829A (ja) 2012-11-08
TW201605093A (zh) 2016-02-01
CN103518268B (zh) 2016-05-18
DE112012001504B4 (de) 2017-09-21
KR102128592B1 (ko) 2020-06-30
KR101994671B1 (ko) 2019-07-02
JP6691587B2 (ja) 2020-04-28
CN105702873B (zh) 2017-11-24
KR102255816B1 (ko) 2021-05-24
US8853680B2 (en) 2014-10-07
KR20190071002A (ko) 2019-06-21
TW201244211A (en) 2012-11-01
DE112012001504T5 (de) 2014-05-15
WO2012132809A1 (en) 2012-10-04
JP7308908B2 (ja) 2023-07-14
KR20140051124A (ko) 2014-04-30
US9269920B2 (en) 2016-02-23
JP6033567B2 (ja) 2016-11-30
TWI553934B (zh) 2016-10-11
CN105702873A (zh) 2016-06-22
JP6415511B2 (ja) 2018-10-31
CN103518268A (zh) 2014-01-15
US20120248421A1 (en) 2012-10-04
JP2022020818A (ja) 2022-02-01
JP2019036739A (ja) 2019-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7535632B2 (ja) 発光装置
US12108658B2 (en) Light-emitting device
JP6935481B2 (ja) 発光素子
JP2024149668A (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230724

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240709

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240805

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7535632

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150