JP6137898B2 - 発光素子、照明装置、発光装置、表示装置、電子機器 - Google Patents
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Description
三重項励起状態を発光に変換するためには、三重項励起状態からの直接発光であるりん光を利用する方法と、三重項励起状態が逆項間交差を経て一重項励起状態となり、一重項励起状態から発光する遅延蛍光を利用する方法などがある。
(実施の形態2)
本実施の形態では実施の形態1又は実施の形態2で説明した発光素子の詳細な構造の例について図1(A)(B)を用いて以下に説明する。
本実施の形態では、実施の形態1及び実施の形態2のいずれかに記載の発光素子を用いた発光装置について説明する。
本実施の形態では、実施の形態1及び実施の形態2のいずれかに記載の発光素子を照明装置として用いる例を図6を参照しながら説明する。図6(B)は照明装置の上面図、図6(A)は図6(B)におけるe−f断面図である。
本実施の形態では、実施の形態1及び実施の形態2のいずれかに記載の発光素子をその一部に含む電子機器の例について説明する。実施の形態1及び実施の形態2のいずれかに記載の発光素子は発光効率の良好な発光素子であるため、当該発光素子を含む本実施の形態における電子機器は消費電力の小さい電子機器とすることができる。
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極101を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。ここで、第1の電極101は、発光素子の陽極として機能する電極である。
発光素子2は発光素子1における発光層113のPCBBiFに換えて、上記構造式(vi)で表される4−フェニル−4’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBA1BP)を用いて作製した。その他の材料、構成はすべて発光素子1と同じである。
比較発光素子1は、発光素子1における発光層113のPCBBiFに換えて、上記構造式(vii)で表される4,4’−ジ(1−ナフチル)−4’’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBNBB)を用いて作製した。その他の材料、構成はすべて発光素子1と同一である。
比較発光素子2は、発光素子1における発光層113のPCBBiFに換えて、上記構造式(viii)で表される4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)を用いて作製した。その他の材料、構成はすべて発光素子1と同一である。
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極101を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。ここで、第1の電極101は、発光素子の陽極として機能する電極である。
発光素子4は、発光素子3における発光層113のPCBiSFに換えて、上記構造式(x)で表されるPCBiFを用いて作製した。その他の材料、構成はすべて発光素子3と同一である。
発光素子5は、発光素子3における発光層113のPCBiSFに換えて、上記構造式(xi)で表されるN−(3−ビフェニル)−N−(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)−9−フェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:mPCBiF)を用いて作製した。その他の材料、構成はすべて発光素子3と同一である。
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極101を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。ここで、第1の電極101は、発光素子の陽極として機能する電極である。
発光素子7は発光層を、4,6mCzP2Pmと上記構造式(xiii)で表されるN−(4−ビフェニル)−N−{4−[(9−フェニル)−9H−フルオレン−9−イル]−フェニル}−9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−アミン(略称:FBiFLP)とを、重量比0.8:0.2(=4,6mCzP2Pm:FBiFLP)となるように40nm共蒸着して形成した以外は、発光素子6と同様に作製した。
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極101を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。ここで、第1の電極101は、発光素子の陽極として機能する電極である。
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極101を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。ここで、第1の電極101は、発光素子の陽極として機能する電極である。
発光素子10は、発光素子9における発光層113のPCBBiFに換えて、上記構造式(xv)で表される9,9−ジメチル−N−フェニル−N−[4−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)フェニル]−フルオレン−2−アミン(略称:PCBAF)を用いて作製した。その他の材料、構成はすべて発光素子9と同一である。
発光素子11は、発光素子9における発光層113のPCBBiFに換えて、上記構造式(x)で表されるN−(4−ビフェニル)−N−(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)−9−フェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:PCBiF)を用いて作製した。その他の材料、構成はすべて発光素子9と同一である。
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極101を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。ここで、第1の電極101は、発光素子の陽極として機能する電極である。
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極101を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。ここで、第1の電極101は、発光素子の陽極として機能する電極である。
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極101を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。ここで、第1の電極101は、発光素子の陽極として機能する電極である。
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極101を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。ここで、第1の電極101は、発光素子の陽極として機能する電極である。
発光素子16は、発光素子15における発光層113のPCBBiFに換えて、上記構造式(xix)で表される4,4’−ジフェニル−4’’−(9−フェニル−9−H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBBi1BP)を用いて作製した。その他の材料、構成はすべて発光素子15と同一である。
発光素子17は、発光素子15における発光層113のPCBBiFに換えて、上記構造式(xx)で表される4−フェニル−4’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBA1BP)を用いて作製した。その他の材料、構成はすべて発光素子15と同一である。
発光素子18は、発光素子15における発光層113のPCBBiFに換えて、上記構造式(xxi)で表されるジ−ビフェニル−4−イル−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)−アミン(略称:PCzBBA1)を用いて作製した。その他の材料、構成はすべて発光素子15と同一である。
2L三口フラスコに、93.2g(0.40mol)の2−ブロモビフェニルを入れ、フラスコ内を一度真空引きした後に窒素置換した。この容器に1.0Lの脱水テトラヒドロフラン(THF)を加えて2−ブロモビフェニルを溶解し、窒素気流下、この溶液を−70℃まで冷却した。この溶液に、280mL(0.44mol)のn−ブチルリチウム(1.6mol/L n−ヘキサン溶液)を、滴下ロートにより10mL/minの速度で滴下して加えた。この溶液を−60℃まで昇温しながら1時間攪拌した。攪拌後、この溶液を−70℃まで冷却した。別途300mLの三口フラスコに、94.0g(0.36mol)の4−ブロモベンゾフェノンと145mLの脱水THFを加え、溶解液を調整した。4−ブロモベンゾフェノンの脱水THF溶液を、−70℃まで冷却した2−ブロモビフェニルとn−ブチルリチウムの混合溶液に、4.2mL/minの速度で滴下した。この溶液を、室温に戻しながら15時間攪拌した。撹拌後、0.6mol/Lの希塩酸を加えて中和し、水層のpHを1に調整し、2Lの分液ロートに移した。この混合物を分液し、水層と有機層に分取した。分取した有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥し、乾燥後この混合物を自然ろ過した。得られたろ液を濃縮したところ、油状物を得た。得られた油状物に1.2Lのn−ヘキサンを加えて加熱し、完全に溶解後冷却し再結晶して固体を析出させた。析出した個体を吸引濾過で濾別し、目的物の白色粉末を129.9g、収率87%で得た。ステップ1の反応スキームを以下に示す。
1H NMR(CDCl3,500MHz):δ(ppm)=2.98(s、1H)6.74(dd、J=8Hz、1Hz、1H)、6.83(br、d、J=6Hz、2H)、7.03(dt、J=7Hz、2.5Hz、2H)、7.11−7.33(m、11H)、7.39(dt、J=7Hz、2.5Hz、2H)。
1Lの三口フラスコに83.1g(0.2mol)、400mLのトルエンと1.9g(0.01mol)のトルエンスルホン酸一水和物を加え、撹拌しながら3時間加熱還流した。加熱還流後室温まで冷却し、84mLの水道水と4.2g(0.05mol)の炭酸水素ナトリウム粉末を加えて中和した。この溶液を分液漏斗に移し、有機層と水層を分取した。分取した有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥し、乾燥後この混合物を自然ろ過した。得られた濾液を、セライト(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531−16855、以下同じ)、アルミナ、フロリジール(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540−00135、以下同じ)にて濾過した。この濾液を濃縮したところ、油状物を得た。この油状物をトルエンとエタノールより再結晶したところ、固体が析出した。析出した個体を吸引濾過で濾別し、目的物の白色粉末を77.0g、収率97%で得た。ステップ2の反応スキームを以下に示す。
1H NMR(CDCl3,500MHz):δ(ppm)=7.07(d、J=9Hz、2H)、7.15−7.29(m、7H)、7.30−7.38(m、6H)、7.76(d、J=8.5Hz、2H)。
300mLの三口フラスコに8.0g(20mmol)の9−フェニル−9−(4−ブロモフェニル)−9H−フルオレン、7.2g(20mmol)のN−(4−ビフェニル)−(9,9−ジメチル)−9H−フルオレン−2−アミンとナトリウムターシャリーブトキシドを入れ、窒素置換した。この容器に100mLのトルエンを加え、撹拌しながら減圧下脱気し、窒素置換した。脱気後、この溶液に、115mg(0.2mmol)のビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)と0.6mL(0.4mmol)のトリターシャリーブチルホスフィンの10%n−ヘキサン溶液を加えて、撹拌下2.5時間加熱還流させた。加熱還流後室温まで冷却し、100mLの水道水を加えて洗浄後、分液ロートに移し有機層と水層を分取した。分取した有機層を3.0gの硫酸マグネシウムで乾燥し、乾燥後この混合物を自然濾過した。得られた濾液を、セライト、アルミナ、フロリジールにて濾過した。この濾液を濃縮したところ、油状物を得た。この油状物をトルエンとエタノールより再結晶したところ、固体が析出した。析出した個体を吸引濾過で濾別し、白色粉末を13.2g、収率97%で得た。ステップ3の合成スキームを以下に示す。
1H NMR(CDCl3,500MHz):δ(ppm)=1.41(s、6H)、7.00(dt、J=2.3Hz、2H)、7.05(dd、J=8Hz、2.5Hz、1H)、7.10(dt、J=2.5Hz、2H)、7.13−7.32(m、8H)、7.35−7.48(m、9H)、7.55−7.59(m、3H)、7.63(d、J=7.5Hz1H)、7.77(d、J=7Hz、2H)。
本参考例では、実施例で使用したN−〔(1,1’−ビフェニル)−4−イル〕−N−〔4−(ジベンゾフラン−4−イル)フェニル〕−9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−アミン(略称:FrBBiF−II)の合成方法について説明する。
1H NMR(CDCl3,500MHz):δ=1.46(s、6H)、7.18(dd、J=8.5、2.5Hz、1H)、7.26−7.48(m、14H)、7.53−7.56(m、2H)、7.60−7.68(m、6H)、7.86−7.91(m、3H)、7.99(d、J=7.5Hz、1H).
本参考例では、実施例で使用した4−[3’−(ジベンゾチオフェン−4−イル)ビフェニル−3−イル]ベンゾフロ[3,2−d]ピリミジン(略称:4mDBTBPBfpm−II)の合成方法について説明する。
まず、3−(ジベンゾチオフェン−4−イル)フェニルボロン酸48g、3−ヨードブロモベンゼン54g、トリス(2−メチルフェニル)ホスフィン(略称:P(o−tolyl)3)1.9g、2M炭酸カリウム水溶液160mL、トルエン800mL、エタノール80mLを、還流管を付けた3L三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換し、80℃まで加熱して溶解させた。この混合液に酢酸パラジウム(II)0.38gを加え、8時間攪拌した。ここで、更にトリス(2−メチルフェニル)ホスフィン0.92g、酢酸パラジウム(II)0.18gを加え、6時間攪拌した。その後、この溶液に水を加えて、トルエンにて有機層を抽出した。得られた有機層を硫酸マグネシウムにて乾燥し、乾燥した後の溶液をろ過した。この溶液の溶媒を留去した後、得られた残渣を熱トルエンに溶かし、セライト(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531−16855以下同じ)、アルミナ、フロリジール(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540−00135以下)同じ、セライトの順で積層したろ過補助剤を通して熱ろ過した。溶媒を留去し、得られた固体をトルエンとメタノールの混合溶媒にて再結晶することにより、白色固体を収率34%で得た。また、ステップ1の合成スキームを下に示す。
上記ステップ1で得た4−(3’−ブロモビフェニル−3−イル)ジベンゾチオフェン30gを、滴下ロートを付けた1L三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。さらにテトラヒドロフラン(脱水)300mLを加えたフラスコを低温槽で−78℃に冷却した後、n−ブチルリチウム(1.6Mヘキサン溶液)50mLを滴下ロートより滴下し、さらに滴下ロートにテトラヒドロフラン(脱水)64mLを入れて反応溶液に流しこんだ。反応溶液を−78℃で1時間攪拌した後、ホウ酸トリメチル11mL滴下し、室温まで昇温してそのまま室温で18時間攪拌した。その後、この溶液に1M塩酸48mLを加え、1時間攪拌した。得られた混合物に水を加え、酢酸エチルにて有機層を抽出した。得られた有機層を、水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥した後の溶液をろ過した。この溶液の溶媒を留去し、得られた固体をトルエンで洗浄することにより、白色固体を収率40%で得た。ステップ2の合成スキームを以下に示す。
上記ステップ2で得た3’−(ジベンゾチオフェン−4−イル)−3−ビフェニルボロン酸2.3g、4−クロロベンゾフロ[3,2−d]ピリミジン1.2g、2M炭酸カリウム水溶液5.4mL、トルエン27mL、エタノール2.7mLを、還流管を付けた100mL三口フラスコに入れ、減圧下で撹拌することで脱気し、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(略称:Pd(PPh3)4)68mgを加え、80℃で2時間加熱し、反応させた。得られた混合物をエタノールで洗浄し、トルエンにて再結晶することにより白色固体を1.8g、収率60%で得た。ステップ3の合成スキームを以下に示す。
本参考例では、実施例で使用したN−(3−ビフェニル)−N−(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)−9−フェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:mPCBiF)の合成方法について説明する。
1H NMR(DMSO−d6,500MHz):δ=1.34(s,6H),6.99−7.02(m,2H),7.25−7.26(m,3H),7.29−7.33(m,4H),7.34−7.45(m,7H),7.49−7.51(m,3H),7.55(tt,J1=7.0Hz,J2=1.5Hz,1H),7.66−7.72(m,6H),8.15(d,J1=2.5Hz,1H),8.20(d,J1=8.0Hz,1H)。
(参考例4)
100mLナスフラスコに、1.0g(6.7mmol)の4,6−ジクロロピリミジンと、5.1g(17mmol)の3−(ジベンゾチオフェン−4−イル)−フェニルボロン酸と3.5g(34mmol)の炭酸ナトリウムと、20mLの1,3−ジメチル−3,4,5,6−テトラヒドロ−2(1H)−ピリミジノン(略称:DMPU)と、10mLの水を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気した。この混合物に56mg(81μmol)のビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)ジクロリドを加え、アルゴン置換した。この反応容器にマイクロ波(2.45GHz 100W)を1時間30分照射することで加熱しながら撹拌した。加熱後、この混合物に水を加え、濾過し、ろ物を得た。得られた固体をジクロロメタンとエタノールで洗浄した。得られた固体にトルエンを加え、セライト(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531−16855)、アルミナ、フロリジール(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540−00135)を通して吸引ろ過し、濾液を濃縮して固体を得た。得られた固体を、トルエンを用いて再結晶し、白色固体を2.52g、収率63%で得た。上記反応の合成スキームを下に示す。
1H NMR(CDCl3,300MHz):δ=7.41−7.51(m,4H),7.58−7.62(m,4H),7.68−7.79(m,4H),8.73(dt,J1=8.4Hz,J2=0.9Hz,2H),8.18−8.27(m,7H),8.54(t,J1=1.5Hz,2H),9.39(d,J1=0.9Hz,1H)。
本参考例では、実施例で用いたN−(1,1’−ビフェニル−4−イル)−9,9−ジメチル−N−[4−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)フェニル]−9H−フルオレン−2−アミン(略称:PCBBiF)の合成方法について説明する。
1L三口フラスコに、N−(1,1’−ビフェニル−4−イル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−アミン45g(0.13mol)と、ナトリウムtert−ブトキシド36g(0.38mol)と、ブロモベンゼン21g(0.13mol)と、トルエン500mLを入れた。この混合物を減圧しながら撹拌することで脱気し、脱気後、フラスコ内を窒素置換した。その後、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)0.8g(1.4mmol)と、トリ(tert−ブチル)ホスフィン(10wt%ヘキサン溶液)12mL(5.9mmol)を加えた。ステップ1の合成スキームを下に示す。
1Lマイヤーフラスコに、N−(1,1’−ビフェニル−4−イル)−9,9−ジメチル−N−フェニル−9H−フルオレン−2−アミン45g(0.10mol)を入れ、トルエン225mLを加えて加熱しながら撹拌して溶解した。この溶液を室温まで放冷した後、酢酸エチル225mLを加えて、N−ブロモこはく酸イミド(略称:NBS)18g(0.10mol)を加えて、2.5時間室温にて撹拌した。撹拌終了後、この混合物を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で3回、飽和食塩水で1回洗浄した。得られた有機層に硫酸マグネシウムを加えて2時間静置し、乾燥した。この混合物を自然濾過して硫酸マグネシウムを除去し、得られた濾液を濃縮したところ、黄色液体を得た。この黄色液体をトルエンと混合し、この溶液をセライト、アルミナ、フロリジールを用いて精製した。得られた溶液を濃縮して淡黄色固体を得た。この淡黄色固体をトルエン/エタノールにて再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量47g、収率89%で得た。ステップ2の合成スキームを下に示す。
1L三口フラスコにN−(1,1’−ビフェニル−4−イル)−N−(4−ブロモフェニル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−アミン41g(80mmol)、9−フェニル−9H−カルバゾール−3−ボロン酸25g(88mmol)を入れ、トルエン240mLとエタノール80mLと炭酸カリウム水溶液(2.0mol/L)120mLを加えて、この混合物を減圧しながら撹拌することで脱気し、脱気後、フラスコ内を窒素置換した。さらに、酢酸パラジウム(II)27mg(0.12mmol)、トリ(オルト−トリル)ホスフィン154mg(0.5mmol)を加え、再度、減圧しながら撹拌することで脱気し、脱気後、フラスコ内を窒素置換した。この混合物を窒素気流下、110℃で1.5時間撹拌した。ステップ3の合成スキームを示す。
1H NMR(CDCl3,500MHz):δ=1,45(s、6H)、7.18(d、J=8.0Hz、1H)、7.27−7.32(m、8H)、7.40−7.50(m、7H)、7.52−7.53(m、2H)、7.59−7.68(m、12H)、8.19(d、J=8.0Hz、1H)、8.36(d、J=1.1Hz、1H)。
102 第2の電極
103 有機化合物を含む層
111 第1の層
112 第2の層
113 発光層
114 電子輸送層
115 電子注入層
201 第1の電極
202 第2の電極
203 有機化合物を含む層
211 第1の層
212 第2の層
213 発光層
214 電子輸送層
215 電子注入層
400 基板
401 第1の電極
403 有機化合物を含む層
404 第2の電極
405 シール材
406 シール材
407 封止基板
412 パッド
420 ICチップ
501 第1の電極
502 第2の電極
511 第1の発光ユニット
512 第2の発光ユニット
513 電荷発生層
601 駆動回路部(ソース線駆動回路)
602 画素部
603 駆動回路部(ゲート線駆動回路)
604 封止基板
605 シール材
607 空間
608 配線
609 FPC(フレキシブルプリントサーキット)
610 素子基板
611 スイッチング用TFT
612 電流制御用TFT
613 第1の電極
614 絶縁物
616 有機化合物を含む層
617 第2の電極
618 発光素子
623 nチャネル型TFT
624 pチャネル型TFT
625 乾燥材
901 筐体
902 液晶層
903 バックライトユニット
904 筐体
905 ドライバIC
906 端子
951 基板
952 電極
953 絶縁層
954 隔壁層
955 有機化合物を含む層
956 電極
1001 基板
1002 下地絶縁膜
1003 ゲート絶縁膜
1006 ゲート電極
1007 ゲート電極
1008 ゲート電極
1020 第1の層間絶縁膜
1021 第2の層間絶縁膜
1022 電極
1024W 発光素子の第1の電極
1024R 発光素子の第1の電極
1024G 発光素子の第1の電極
1024B 発光素子の第1の電極
1025 隔壁
1028 有機化合物を含む層
1029 発光素子の第2の電極
1031 封止基板
1032 シール材
1033 透明な基材
1034R 赤色の着色層
1034G 緑色の着色層
1034B 青色の着色層
1035 黒色層(ブラックマトリックス)
1036 オーバーコート層
1037 第3の層間絶縁膜
1040 画素部
1041 駆動回路部
1042 周辺部
2001 筐体
2002 光源
3001 照明装置
5000 表示領域
5001 表示領域
5002 表示領域
5003 表示領域
5004 表示領域
5005 表示領域
7101 筐体
7103 表示部
7105 スタンド
7107 表示部
7109 操作キー
7110 リモコン操作機
7201 本体
7202 筐体
7203 表示部
7204 キーボード
7205 外部接続ポート
7206 ポインティングデバイス
7210 第2の表示部
7301 筐体
7302 筐体
7303 連結部
7304 表示部
7305 表示部
7306 スピーカ部
7307 記録媒体挿入部
7308 LEDランプ
7309 操作キー
7310 接続端子
7311 センサ
7401 筐体
7402 表示部
7403 操作ボタン
7404 外部接続ポート
7405 スピーカ
7406 マイク
7400 携帯電話機
9033 留め具
9034 スイッチ
9035 電源スイッチ
9036 スイッチ
9037 操作キー
9038 操作スイッチ
9630 筐体
9631 表示部
9631a 表示部
9631b 表示部
9632a タッチパネル領域
9632b タッチパネル領域
9633 太陽電池
9634 充放電制御回路
9635 バッテリー
9636 DCDCコンバータ
9638 コンバータ
9639 ボタン
Claims (7)
- 第1の電極と、
第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられた発光層と、を有し、
前記発光層は、第1の有機化合物と第2の有機化合物とを含み、
前記第1の有機化合物は電子輸送性を有する物質であり、
前記第2の有機化合物は正孔輸送性を有する物質であり、
前記第2の有機化合物は、トリアリールアミン骨格を有し、
前記トリアリールアミン骨格の有する第1のアリール基、第2のアリール基、及び第3のアリール基のうち、前記第1のアリール基はp−ビフェニル骨格を含み、前記第2のアリール基はフルオレン−2−イル骨格を含み、
前記第1の有機化合物と、前記第2の有機化合物とが形成する励起錯体からの発光を発する発光素子。 - 第1の電極と、
第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられた発光層と、を有し、
前記発光層は、第1の有機化合物と第2の有機化合物とを含み、
前記第1の有機化合物は、電子輸送性を有し、
前記第2の有機化合物は、下記式(100)で表され、
前記第1の有機化合物と、前記第2の有機化合物とが形成する励起錯体からの発光を発する発光素子。
- 請求項1または請求項2に記載の発光素子における発光が、遅延蛍光成分を含むことを特徴とする発光素子。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載の発光素子を有する照明装置。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載の発光素子と、前記発光素子を制御する手段を備えた発光装置。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載の発光素子を表示部に有し、前記発光素子を制御する手段を備えた表示装置。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載の発光素子を有する電子機器。
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