JP2003317966A - ゲスト−ホスト・エレクトロルミネッセンス系のためのカルバゾール基材料 - Google Patents
ゲスト−ホスト・エレクトロルミネッセンス系のためのカルバゾール基材料Info
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Abstract
−ホスト発光系を提供すること。 【解決手段】 一態様において、ホスト材料は、窒素に
結合した電子供与性化学種、および1個または複数の炭
素原子に結合した芳香族アミン基もしくはカルバゾール
基をもつカルバゾール・コアを有する化合物を含む。別
の態様において、ホスト材料は、それら自体電子供与性
基で置換されていてもよい、1個または複数のカルバゾ
ール部分に結合する単原子もしくは単環のコアを有する
化合物を含む。開示されたホスト材料は、大きなバンド
・ギャップ・ポテンシャルおよび高エネルギー3重項励
起状態をもつので、それに付随するゲスト材料による短
い波長の燐光の放出が可能となる。
Description
ネッセンス・デバイス(OLED)における発光層(e
missive layer)として有用なゲスト−ホ
スト系を対象とする。より詳細には、本発明は、可視ス
ペクトルの青色領域のような比較的短い発光波長をもつ
蛍光および燐光ゲスト発光体(emitter)を収容
するように構成されたホスト材料を対象とする。特に好
ましい実施形態において、本発明は燐光を発するゲスト
を有するゲスト−ホスト系を対象とする。
ight emitting device、OLE
D)は通常、酸化インジウムスズ(ITO)のような透
明で仕事関数の大きい陽極(anode)、ならびにA
l、Mg、Caおよびこれらの合金のような仕事関数の
小さい陰極(cathode)の間に、発光材料からな
る1層または複数の層を備える。バイアスが電極間に加
えられたとき、正電荷(ホール)および負電荷(電子)
がそれぞれ、陽極および陰極から、通常それぞれの電極
に隣接するホール輸送層および電子輸送層により促進さ
れ、(複数の)発光層に注入される。ホールと電子は発
光層で結合して光を放出する励起子を形成する。荷電種
の移動度に応じて、発光領域の位置は陽極あるいは陰極
により近くなり、ある場合にはホール輸送または電子輸
送層内のこともある。既知の多層構造体が、例えば、
B.R.Hsieh,Ed.,「Organic Li
ghtEmitting Materials and
Devices」Macromolecular S
ymposia,125,1−48(1997)に開示
されており、参照により本明細書に組み込まれる。
着できるものは殆どない。通常、まともな光出力を得る
ためには、電荷輸送する「小さな」分子あるいはポリマ
ーのいずれかである、ホスト材料とそれらを共蒸着する
ことが必要である。
てよく知られるホスト材料には、ホール輸送性4,4'
−N,N'−ジカルバゾール−ビフェニル(CBP)お
よび電子輸送性8−ヒドロキシキノリンアルミニウム
(AlQ3)が含まれ、これらは両方ともOLEDで用
いられてきた。しかし、既知のホスト材料はすべてのゲ
ストに適するホスト材料ではない。スペクトルの青色領
域のようなより短い発光波長をもつゲストに適するホス
ト材料が当技術分野において求められている。当技術分
野においては、燐光を発するゲストを支持することがで
きるホスト材料が特に求められている。
3重項状態、通常、2個の不対電子が同一スピンをもつ
第1励起3重項状態(T1)から、よりエネルギーの低
い状態、通常、全ての電子が対を成す1重項基底状態
(S0)への遷移を含む。OLED材料における燐光の
放出は知られていないわけではないが、1重項遷移に基
づく発光(蛍光)に比べて比較的まれである。同じく、
3重項遷移に基づくOLEDは相対的に未開発である。
スペクトルの青色領域の発光をする極めて小数の燐光ゲ
スト発光体が知られているが、このような発光体は次世
代の発光材料において重要となるであろう。したがっ
て、これらのゲスト発光体を利用するゲスト−ホスト系
に適するホスト材料を開発することは非常に望ましい。
ゲストおよびホスト間の効率的なエネルギー移動ができ
るように、好ましくは、そのゲスト材料のバンド・ギャ
ップがホスト材料のバンド・ギャップの範囲内にあるよ
うに、ホスト材料が選択される。バンド・ギャップある
いはバンド・ギャップ・ポテンシャルは、材料の最高占
有分子軌道(HOMO)と最低非占有分子軌道(LUM
O)の間のエネルギー差として定義される。
ト材料の第1励起3重項状態(T1)は、好ましくは、
ゲストの第1励起3重項状態より高い。蛍光系では、ホ
ストの第1励起1重項状態は通常、ゲストの第1励起1
重項状態より高い。本発明によるホスト−ゲスト系は、
青色領域(500nmより短い)のような比較的短い波
長をもつゲスト発光体を有する場合でさえ、以下の規準
(criteria)を満たす。本明細書では、「燐光
系」(phosphorescent system)
は、発光強度の大部分が、3重項からの遷移によるもの
であり、またいくらかの蛍光放出を全く含まないわけで
はない発光系を意味する。同様に、「蛍光系」(flu
orescent system)は、強度の大部分が
1重項状態からの遷移によるものである発光系を意味す
る。
系は、青色領域に燐光放出波長をもつゲスト発光体、な
らびにゲストの特性発光波長でゲストから主に発光する
ように、十分に高い励起3重項状態(T1)をもつホス
トを含む。
れたカルバゾール誘導体が、発光波長が短いゲスト発光
体にとって優れたホスト系(system)であること
が見出された。これらの化合物は、十分に青色スペクト
ルとなる発光をするゲストから発光ができるように、十
分に大きいバンド・ギャップ、ならびに十分に高いT1
およびS1エネルギー状態をもつ。それらはまた、結晶
化しようとする傾向がより少なく、形態がより強靭なる
というなるさらなる利益をもたらす。
ホストが、次の構造をもつカルバゾール基化合物を含む
ゲスト−ホスト発光系であり、
たR2からR7までの少なくとも1つはホール輸送能力
を有する芳香族アミンまたはカルバゾールであり、さら
にゲストは、ホストより小さいバンド・ギャップ・ポテ
ンシャルを有する発光化合物である。好ましい実施形態
において、このホスト−ゲスト系は燐光系であり、ゲス
トはホストより低い第1励起3重項状態をもつ。最も好
ましい実施形態において、ゲスト発光体は、約500n
mより小さいピーク波長をもつ燐光の発光体である。
フェニルであるが、ホストにホール輸送能力を与えるジ
フェニルアミン基で式(I)のカルバゾールを有利に2
置換することができる。次の式(II)は例示である。
ク波長をもつ燐光を放出するトリス(2−フェニルピリ
ジン)イリジウムを含めて、限定なしに、当技術分野に
おいて知られており、今後開発されるものの中から、適
切なゲスト発光材料を選択することができる。好ましい
実施形態において、前記ゲストはスペクトルの青色領域
に燐光を放出する。
ルなどの電子供与性官能基により囲まれた、電子が豊富
で小さなコア(small electron−ric
hcore)を含むホスト−ゲスト系を対象とする。カ
ルバゾール基に結合する、単環または電子供与性置換基
(トリフェニルメタンなど)をもつ1個の炭素原子を有
するホスト化合物は、十分に青色スペクトルとなる発光
をするゲスト材料から発光できるようにするのに十分に
大きいバンド・ギャップと十分に高いT1およびS1エ
ネルギー状態とをもつ。
スで使用されるゲスト−ホスト発光系の1クラスは、ホ
ストおよびゲストを含み、前記ホストが、炭素、ベンゼ
ン、フラン、チオフェン、ピロールおよびテトラフェニ
ルメタンから選択されるコア、ならびにコアに結合する
2個以上のカルバゾール基、または電子供与性官能基で
置換されたカルバゾール基を含む。前記ゲストはホスト
より小さなバンド・ギャップ・ポテンシャルをもつ発光
材料である。蛍光系、すなわち主に1重項遷移に基づく
場合、ホストのS1はゲストのS1より高い。燐光系で
ある場合、ホストのT1はゲストのT1より高い。
により囲まれたベンゼン・コアの例が式(III)とし
て下に示されている。
ルキルおよびアミン基を、限定なしに含む電子供与性基
で2個以上のカルバゾール部分が置換されていてもよ
い。電子供与性フェニル基で置換された、2個のカルバ
ゾール部分を有するベンゼン・コアの例が式(IV)に
示されている。
野において知られておりまた今後開発されるものから、
適切なゲスト発光材料を選択することができる。
解することができるように記載された。添付図と関連さ
せて、その好ましい実施形態についての以下の詳細な説
明を参照することにより、本発明のより完全な理解を得
ることができる。
は、ゲスト発光体化合物がホスト化合物マトリックスに
ドープされている系であると理解されている。全体とし
て、系の発光スペクトルがゲストの発光スペクトルに似
ているような、ゲスト−ホスト系からの発光が得られる
ことが望ましく、最終的な目的は、可視スペクトルの適
当な青、緑あるいは赤色領域での、狭いバンド幅の、高
強度の発光である。
うに、また系で光を生成しないような遷移ができるだけ
少なくなるように、ホストからゲストへ効率的にエネル
ギーが移動することが好ましい。効率的なエネルギー移
動を促進するための第1の方法として、ゲストのバンド
・ギャップがホストのバンド・ギャップの範囲内に入る
ようにすればよい。
移動を促進するための第2の方法は、軌道の整列(al
ignment)に関連する。1重項ホスト/1重項ゲ
スト系では、ホストの発光スペクトルとゲストの吸収ス
ペクトルとの間に重なりがあるとき、効率的なエネルギ
ー移動が起こる。しかし、ホストの発光スペクトルが1
重項に基づき、ゲストの発光スペクトルが3重項に基づ
く場合、この近似は成り立たない。ゲストの励起3重項
状態がホストのそれより高い場合、エキシプレックス
(励起錯体exciplex)の形成が通常起こり、良
好なエネルギー移動は起こらないであろう。これらの状
況では、エネルギー移動を確実に効率的にするために、
ゲストのT1状態より高いT1状態をもつホストを選択
することが通常好ましい。このことは、ゲストの発光波
長がより短くなると実現がより困難になるが、本明細書
における発明者等は、適切な電子供与性基をもつカルバ
ゾール基ホスト材料を供用することにより、このことを
達成できるということを見出した。したがって、本発明
の一態様は、ゲスト発光体のT1エネルギー準位に対す
る、それらのT1エネルギー準位(実測または計算によ
る)により、適切なホスト材料を識別することにある。
計算で、バンド・ギャップならびにT1およびS1状態
を知ることができる。候補となるホストを選別するため
に、計算による方法を有利に用いることができる。本明
細書で計算値が挙げられる場合、計算は、Window
s 2000TM(登録商標)を用いるIBM PC
TMプラットフォームで実施された。構造を描き、Hy
percube,Inc.(Gainesville,
Florida)が市販するHyperchem6.0
TM分子モデル構築ソフトウェアを用いて、予備的な形
状の最適化を実施した。構造ファイルを変換し、Hyp
erchemTM内で利用できるMOPAC 6.0プ
ログラム・インターフェース、およびAM1半経験法
(一般に公開され利用できるアルゴリズム)を用いて、
最終的な形状の最適化を完了した。次に、構造をHyp
erchemTMフォーマットに逆変換し、理論的なH
OMO、T1およびS1励起エネルギー準位を求めるた
めに、ZINDO/S法により、1点CI計算を実施し
た。これらの値の他の適切な数値計算法も当技術分野に
おいて知られているか、あるいは今後開発されることも
ありうる。
するために用いられる。2つの材料を計算で評価するの
に同じ方法を用いると、それらの相対的なT1状態につ
いて、したがって、またホスト材料としての相対的な適
性について、それなりに正確な情報を与えると考えられ
る。しかし、計算による方法は、ホスト材料候補の実際
のT1エネルギー準位を正確には予想しないであろう。
計算による方法を用いて、ホスト材料候補を分析するた
めには、化合物は、妥当な比較をするために、構造が類
似していなければならないとも考えられている。
入された電荷が高いパーセンテージで結果として可視光
のフォトンを生成するように、ホスト材料はデバイス内
の電荷輸送(ホールまたは電子)を可能にする。本明細
書において記載され、特許請求されるゲスト−ホスト系
は全て、ホール輸送能力により特徴づけられるホスト材
料を有し、これはそのアリールアミンあるいはカルバゾ
ールの枝によりもたらされる。
系のホスト材料は、それに結合した、ホール輸送性カル
バゾールあるいはアリールアミン部分を有するカルバゾ
ール・コアを含む。カルバゾール・コアの窒素原子に電
子供与性化学種が結合して、より高いエネルギーの励起
S1あるいはT1状態をホスト材料がもつようになって
いる。このように、下の式(I)において、R1に対す
る適当な電子供与性基を、置換もしくは無置換アルキル
電子供与性基ならびに置換、無置換、もしくはヘテロ置
換芳香族電子供与性基から選択することができる。適切
な電子供与基には、限定ではないが、C1〜C8の分岐
もしくは直鎖のアルキル、フェニル、
もしくはアリールアミン基であり、これらは、有利に
は、それら自体電子供与性基で置換されていてもよい。
方法を見出すことができる。例えば、3,6−ジ(ジフ
ェニルアミノ)−9−アルキルカルバゾールの製造方法
が、S.Grivalevicus,et al.,
「3,6−Di(diphenylamino)−9−
alkylcarbazoles:novel hol
e transporting molecular
glasses」Synthetic Metals,
122(2001)311−314に開示されており、
参照により本明細書に組み込まれる。R1のそこに開示
されているアルキル基を、他の電子供与性基で置換する
ことは可能である。ゲスト−ホスト・ルミネッセンス系
におけるホスト材料としてのこれらの材料の適合性は、
これまで探求されておらず、これらの用途のために適当
なカルバゾール含有材料を選択する規準は系統的に利用
されてこなかった。最も好ましいホール輸送性基は、次
の好ましい実施形態におけるようにジフェニルアミン基
である。
本発明のこの実施形態による化合物をスキーム1に従っ
て製造した。
を、乾燥した窒素充填フラスコに入れ、窒素で2回フラ
ッシュした。25mLの無水テトラヒドロフラン(TH
F)、ならびに10mLの1.0Mカリウムブトキシド
のTHF溶液を、1mLの硫酸ジメチルと共に加えた。
この混合物を一夜還流した。次に混合物を攪拌しながら
メタノールに注ぎ、生成物(2)を固体として回収し
た。
413gの銅粉末、2.21gの炭酸カリウム、および
0.204gの18−クラウン−6エーテルと共に、
1.226gの化合物2を、乾燥、窒素充填フラスコに
入れ、窒素で2回フラッシュした。35mLの1,2−
ジクロロベンゼンを加え、混合物を2日間還流した。還
流後、固体を濾別し、塩化メチレンで洗浄し、棄てた。
反応溶液と塩化メチレンを合わせて、この混合物の容積
を、回転させながら減圧にして減らした。減容された溶
液を放置し、結晶が生成した。溶液と固体を分離し、溶
液を、溶離液として最初に1:4の酢酸エチル/ヘキサ
ン溶液を、次に塩化メチレンを用いて、塩基性アルミナ
・カラムに通して溶出させた。発光性の紫色のフラクシ
ョンを合わせた。結晶を塩化メチレンに溶解し、塩化メ
チレンを用いて塩基性アルミナ・カラムに通して溶出さ
せた。発光性の紫色のフラクションを合わせた。フラク
ションを回転させながら減圧にして濃縮し、酢酸エチル
に注ぎ、化合物3を析出させた。
スト−ホスト系は、コアに結合したカルバゾール基と共
に、電子が豊富で小さなコアを有するホスト化合物を含
む。適切なコア物質には、べンゼン、フラン、チオフェ
ン、ピロールおよびテトラフェニルメタンが含まれる。
するホスト化合物の例は、トリカルバゾールベンゼン
(TCB)である。
ベンゼン、2.763gのK2CO 3、1.734gの
カルバゾール、および0.6255gのCu粉末を合わ
せて、乾燥、窒素充填フラスコに入れ、窒素で3回フラ
ッシュした。40mLのニトロベンゼンを加え、混合物
をセットして3日間還流した。還流後、高温の溶液を濾
紙で減圧濾過し、次に120mLのメタノールを加え
た。沈殿物の形の生成物を濾過により得た。
離液として8:2の塩化メチレン/ヘキサン溶液を用い
て、中性アルミナ・カラムを通して溶出させた。そのフ
ラクションを乾固させ、1:4のクロロホルム/ヘキサ
ン溶液で再結晶した。
ゾール基を電子供与性基で置換してもよい。例は、次の
構造をもつ1,4−ジ(3−フェニルカルバゾリル)ベ
ンゼンである。
バゾール基に結合する電子供与性基は、カルバゾール基
の電子供与能力を高め、このことが転じて全体として材
料のT1状態を高くすると考えられている。いくつかの
例において、1個または複数のカルバゾール基に結合す
る基は、通常は電子供与性であると言われていても、そ
の全体としての効果はカルバゾールの電子供与能力を低
下させることであるような共役度をもつ。したがって、
下記の化合物(IX)および(X)の縮合ベンゼン環の
ような基は、カルバゾール基では好ましくない置換基で
ある。
間体である、3−フェニル−1,2,4−トリヒドロ−
カルバゾールを次にようにして合成した。フラスコに、
フェニルヒドラジン(2.16g、2mmol)、4−
フェニルシクロヘキサノン(3.48g、2mmo
l)、1mLのHClおよび20mLの酢酸を加えた。
この混合物をN2のもとで一夜還流した。冷却後、生成
物を濾過し、水で洗浄し、メタノールから再結晶した。
得られた収量は2.8g(56%)であった。示差走査
熱量測定(DSC)による測定では、この化合物は13
1℃の融点(Tm)を示した。
チャコールを用い、250℃で30分かけて脱水素し
て、3410cm−1(NH)のIR(ニート)ピー
ク、およびDSCにより測定された融点Tm=221℃
をもつ3−フェニル−カルバゾールを得た。
(0.729g、3mmol)、1,4−ジヨードベン
ゼン(0.495g、1.5mmol)、同粉末(0.
19g、3mmol)、K2CO3(0.828g、6
mmol)、および18−クラウン−6エーテル(60
mg、0.23mmol)を、冷却器を取付け乾燥した
丸底フラスコに入れた。この系を少なくとも2回、脱気
およびN2パージした。N 2のもとで、1,2−ジクロ
ロベンゼン(6mL、b.p.180℃)を加え、混合
物を2日間還流した。高温溶液をシリカ床で濾過して、
固体を除いた。濾液をメタノールに滴下し、沈澱を濾過
し、メタノールで洗浄した。生成物である1,4−ジ
(3−フェニルカルバゾリル)−ベンゼンをトルエンか
ら再結晶して精製した。実測の収量は0.50g(60
%)であった;Tm=277℃。
フェニルトリカルバゾリル)トリフェニルアミン(3−
ph CTPA)である。
ているかあるいは今後開発されるかのいずれかである、
何らかの可視発光波長を有する、蛍光および燐光発光体
が含まれる。ディスプレイ用途では、可視スペクトルの
赤、緑あるいは青色部分にピークがある発光体が特に好
ましい。本明細書に記載された計算による方法を用い
て、候補となるホスト材料を、その材料そのものを合成
する前に、選択することが可能である。しかし、計算に
よる方法は、類似の物質の間でのT1のエネルギー準位
に関する傾向についてのみ信頼しうる情報を与え、特定
の化合物に対する実際のT1準位を与えないということ
を認めなければならない。
切な蛍光ドーパントが、B.R.Hsieh,Ed.,
「Organic Light Emitting M
aterials and Devices」Macr
omolecular Symposia,125,1
−48(1997)に記載されており、参照により本明
細書に組み込まれる。
ppy3は、緑色の燐光を発し、実施例で用いられてい
る。一連の青色燐光発光体が、WO 01/39234
に開示されており、次の構造をもち、
たはSであり;nは1から3の整数であり;またR1か
らR8は独立に、水素、アリールまたはアルキルであ
る。WO 01/39234は、参照により本明細書に
組み込まれる。
構造をもつ、標準的なホストであるCBPとの比較で例
示することができる。
それ以下のゲスト発光体に対しては、CBPがこの波長
に発光ピークをもつので、通常適切なホストではない。
本明細書における発明者等は、カルバゾール部分に電子
供与性基を付けるか、あるいはそれに結合するカルバゾ
ール部分をもつ、電子が豊富で小さなコアを用いること
により、より短い波長の発光性ゲストを収容するよう
に、ゲストに対するホストの第1の1重項または3重項
励起状態が高くなるということを見出した。
ル)ベンゼン(CCP)は次の構造をもち、
以外は、CBPに似ている。CCPの励起3重項状態は
CBPのそれより高い。CCPを、より低い第1の励起
1重項あるいは3重項状態をもつゲストと共に、ゲスト
−ホスト系のホストとして用いることは本発明の範囲内
にある。
oene,et al.,「Asymmetric T
riaryldiamines as Thermal
lyStable Hole Transportin
g Layers forOrganic Light
Emitting Devices」Chem.Ma
ter. Vol.10,No.8,2235−225
0(1998)に記載されており、参照により本明細書
に組み込まれる。
構造をもつ、1,4−ビス−ジベンゾカルバゾリルジフ
ェニル(db−CBP)を、Ullmanのカップリン
グ反応を用いて調製した。
の化合物を用いることは、ビフェニル・コアのために、
本発明の範囲外であろう。また、カルバゾール基上の縮
合ベンゼン環はカルバゾール基の電子供与性を弱め、T
1を低くする。
1,4−ビス−(ジベンゾカルバゾリル)ベンゼン(d
b−CCP)を調製した。
ルバゾールの電子供与性を低下させるので、ゲスト−ホ
スト系のホスト材料としてこの化合物を使用することは
好ましいことではないであろう。このような材料は、5
00nmより短い(青色領域にある)特性発光波長をも
つ発光体に対する良好なホストではないかもしれない
が、赤または緑色のゲスト発光体に対しては適切なホス
トでありうる。
の化合物を、Irppy3ゲスト発光体ドーパントを用
いてOLEDで試験した。全ての有機層を、10−4P
aで、酸化インジウム・スズ(ITO)上に、ULVA
C加熱蒸着チャンバで加熱蒸着により蒸着した。日本の
同仁化学研究所から購入した、N,N'−ビス(1−ナ
フチル)−N,N'−1−ジフェニル−1,1'−ビフェ
ニル−4,4'−ジアミン(α−NPB)の層を40n
mの厚さに蒸着し、続いて、ホスト材料にドープされた
Irppy3(5%wt/wt)からなる厚さ40nm
の発光層、厚さ10nmのバソクプロイン(Batho
cuproine、BCP)からなる励起子ブロック
層、および厚さ400nmのAlQ3・Irppy3か
らなる電子輸送層を蒸着し、AlQ3およびBCPは日
本の同仁化学研究所から入手した。150nmのアルミ
ニウムで被覆された10nmのアルミニウム−リチウム
合金(AlLi)(Li 1.8wt%)をカソードと
して蒸着した。
ssion)を、日立 F−4500分光蛍光光度計で
光ルミネッセンスを用いて測定した。結果が、各化合物
に対するルミネッセンス効率、T1測定値(最大値)、
T1測定値(ピーク)およびHOMO計算値を含めて、
下の表2にまとめられている。傾向を示すT1の計算値
もまた与えられている。
BPより優れたホスト材料が、電子が豊富なコアにカル
バゾール基を付けることにより得られ、電子供与性基を
そのカルバゾール基に付けることによりさらに有利にそ
れを修飾することができる。
子が豊富で小さなコアを有するホスト材料化合物を次の
式により表すことができ、
バゾールまたは置換されたカルバゾールである。適切な
ゲストは、このホスト化合物より低い第1励起3重項状
態をもつ、約500nmより短い波長の燐光発光体であ
りうる。
ず、本発明の限定であると見なされるべきでなく、本発
明は特許請求の範囲により限定される。
Claims (16)
- 【請求項1】 ゲストおよびホストを含んだ、有機発光
デバイスに使用するためのゲスト−ホスト発光系であっ
て、 前記ホストが次の構造を有するカルバゾール基化合物を
含み、 【化1】 式中、R1が電子供与性基であり、 R2からR7の少なくとも1つが、ホール輸送能力をも
つ、芳香族アミンまたはカルバゾール部分であり、 前記ゲストが前記ホストより小さいバンド・ギャップを
有する発光化合物であることを特徴とするゲスト−ホス
ト発光系。 - 【請求項2】 前記ゲストが燐光発光体であり、前記ホ
ストより低い第1励起3重項状態をもつことを特徴とす
る請求項1に記載のゲスト−ホスト発光系。 - 【請求項3】 前記ゲストによる発光が、約500nm
より短い波長で起こることを特徴とする請求項1に記載
のゲスト−ホスト発光系。 - 【請求項4】 前記ゲストが蛍光発光体であり、前記ホ
ストより低い第1励起1重項状態をもつことを特徴とす
る請求項1に記載のゲスト−ホスト発光系。 - 【請求項5】 前記ゲスト−ホスト発光系による発光
が、実質的に前記ゲストの特性発光波長で起こることを
特徴とする請求項1に記載のゲスト−ホスト発光系。 - 【請求項6】 R1が、置換および無置換アルキル電子
供与性基、ならびに置換、無置換およびヘテロ置換芳香
族電子供与性基からなる群から選択されることを特徴と
する請求項1に記載のゲスト−ホスト発光系。 - 【請求項7】 R1が、アルキル基および芳香族基から
なる群から選択されることを特徴とする請求項1に記載
のゲスト−ホスト発光系。 - 【請求項8】 R1が、C1〜C8の分岐または直鎖の
アルキル、フェニル、 【化2】 からなる群から選択されることを特徴とする請求項1に
記載のゲスト−ホスト発光系。 - 【請求項9】 前記カルバゾール基化合物が次の構造 【化3】 を有することを特徴とする請求項1に記載のゲスト−ホ
スト発光系。 - 【請求項10】 ホストおよびゲストを含んだ、有機発
光デバイスに使用するためのゲスト−ホスト発光系であ
って、 前記ホストが、炭素、ベンゼン、フラン、チオフェン、
ピロールおよびテトラフェニルメタンからなる群から選
択されるコア、ならびに前記コアに結合する、2個以上
のカルバゾール基または電子供与性基で置換されたカル
バゾール基を含み、 前記ゲストが前記ホストより小さいバンド・ギャップ・
ポテンシャルを有する発光物質であるゲスト−ホスト発
光系。 - 【請求項11】 前記カルバゾール基の少なくとも1つ
が、フェニル電子供与性基、アルキル電子供与性基、お
よびアミン電子供与性基からなる群から選択される少な
くとも1つの電子供与性基で置換されていることを特徴
とする請求項10に記載のゲスト−ホスト発光系。 - 【請求項12】 前記ゲストが燐光発光体であり、前記
ホストより低い第1励起3重項状態をもつことを特徴と
する請求項10に記載のゲスト−ホスト発光系。 - 【請求項13】 前記ゲストが蛍光発光体であり、前記
ホストより低い第1励起1重項状態をもつことを特徴と
する請求項10に記載のゲスト−ホスト発光系。 - 【請求項14】 前記ゲストによる発光が、500nm
より短い波長で起こることを特徴とする請求項10に記
載のゲスト−ホスト発光系。 - 【請求項15】 前記ホストが次の式 【化4】 からなる群から選択される化合物を含むことを特徴とす
る請求項10に記載のゲスト−ホスト発光系。 - 【請求項16】 ホストおよびゲストを含んだ、有機発
光デバイスに使用するためのゲスト−ホスト発光系であ
って、 前記ホストが次式からなる群から選択される化合物を含
み、 【化5】 式中、AはO、SまたはNであり、 少なくとも2つのRはカルバゾールまたは置換カルバゾ
ールであり、 前記ゲストが約500nmより短い波長を有する燐光発
光体であり、 前記ホストは前記ゲストより高い第1励起3重項状態を
有することを特徴とするゲスト−ホスト発光系。
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---|---|---|---|
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---|---|
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---|---|
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Cited By (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004171808A (ja) * | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
JP2004178896A (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-24 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
WO2004101517A1 (ja) * | 2003-05-16 | 2004-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | カルバゾール誘導体、有機半導体素子、発光素子および電子機器 |
JP2005154421A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-06-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | カルバゾール誘導体、発光素子、および発光装置 |
WO2005076669A1 (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2005076668A1 (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2005079118A1 (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2006056841A (ja) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Mitsui Chemicals Inc | アミン化合物、および該アミン化合物を含有する有機電界発光素子 |
WO2006038767A1 (en) * | 2004-08-23 | 2006-04-13 | Lg Chem. Ltd. | New luminescent material and organic electroluminescent device using the same |
JP2006120905A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
JP2006199679A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-08-03 | Pioneer Electronic Corp | 有機化合物、電荷輸送材料および有機電界発光素子 |
KR100696006B1 (ko) * | 2004-12-14 | 2007-03-15 | 에스케이씨 주식회사 | 청색 인광 발광용 호스트 화합물 및 이를 이용한유기전기발광소자 |
JP2007197429A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | オキサジアゾール誘導体、およびオキサジアゾール誘導体を用いた発光素子、発光装置、並びに電子機器 |
JP2008205488A (ja) * | 2008-03-22 | 2008-09-04 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
JP2008252094A (ja) * | 2008-03-22 | 2008-10-16 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
WO2011148909A1 (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-01 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US8198801B2 (en) | 2004-03-19 | 2012-06-12 | Lg Chem, Ltd. | Materials for injecting or transporting holes and organic electroluminescence devices using the same |
WO2012111580A1 (en) * | 2011-02-16 | 2012-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
KR20130004780A (ko) * | 2011-07-04 | 2013-01-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 청색 인광 화합물 및 이를 사용한 유기전계발광소자 |
US8389735B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-03-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxadiazole derivative, and light emitting element, light emitting device, and electronic device using the oxadiazole derivative |
KR20140075600A (ko) * | 2012-12-11 | 2014-06-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 전자기기, 및 조명 장치 |
JP2014157992A (ja) * | 2013-02-18 | 2014-08-28 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機エレクトロルミネッセンス素子の評価方法 |
KR20140136027A (ko) * | 2012-03-14 | 2014-11-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
US9029558B2 (en) | 2011-08-18 | 2015-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Carbazole compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
JP5738501B1 (ja) * | 2007-03-23 | 2015-06-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機化合物 |
JP2015129113A (ja) * | 2013-11-14 | 2015-07-16 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 有機エレクトロルミネセンス材料、及びデバイス |
KR101922602B1 (ko) | 2012-02-09 | 2018-11-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
KR20190086585A (ko) * | 2011-04-07 | 2019-07-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
US10879482B2 (en) | 2011-03-25 | 2020-12-29 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
JP7308908B2 (ja) | 2011-03-30 | 2023-07-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US11871592B2 (en) | 2011-03-23 | 2024-01-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
Families Citing this family (60)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6863997B2 (en) * | 2001-12-28 | 2005-03-08 | The Trustees Of Princeton University | White light emitting OLEDs from combined monomer and aggregate emission |
CN1643105A (zh) | 2002-03-15 | 2005-07-20 | 出光兴产株式会社 | 有机电致发光装置用材料以及使用这种材料制备的有机电致发光装置 |
EP2765174B1 (en) * | 2002-11-26 | 2018-05-30 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, and display and illuminator |
JP4707082B2 (ja) * | 2002-11-26 | 2011-06-22 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置 |
JP4158562B2 (ja) * | 2003-03-12 | 2008-10-01 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
JP4401665B2 (ja) * | 2003-03-20 | 2010-01-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電界発光素子 |
EP1464691B1 (en) * | 2003-03-26 | 2013-10-02 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, illuminator, and display |
US20040247933A1 (en) * | 2003-06-03 | 2004-12-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Bipolar asymmetric carbazole-based host materials for electrophosphorescent guest-host OLED systems |
WO2005056628A2 (en) * | 2003-09-17 | 2005-06-23 | The Regents Of The University Of California | Methods and devices comprising soluble conjugated polymers |
US7830085B2 (en) * | 2003-10-06 | 2010-11-09 | The Regents Of The University Of California | White electrophosphorescence from semiconducting polymer blends |
US20060251918A1 (en) * | 2003-12-11 | 2006-11-09 | Toshihiro Iwakuma | Organic electroluminescent device material and organic electroluminescent device using same |
US7011871B2 (en) * | 2004-02-20 | 2006-03-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Charge transport compounds and electronic devices made with such compounds |
DE112005002132T5 (de) * | 2004-09-03 | 2008-03-06 | The Regents Of The University Of California, Oakland | Lösliche konjugierte Polymere |
US7622486B2 (en) * | 2004-09-23 | 2009-11-24 | Reddy Us Therapeutics, Inc. | Pyridine compounds, process for their preparation and compositions containing them |
US7803468B2 (en) * | 2004-09-29 | 2010-09-28 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent element |
KR20070091319A (ko) * | 2005-01-05 | 2007-09-10 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 방향족 아민 유도체 및 이를 이용한 유기 전기발광 소자 |
KR20070108392A (ko) * | 2005-03-04 | 2007-11-09 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 디카르바졸 방향족 아민 중합체 및 전자 장치 |
WO2006101016A1 (en) | 2005-03-23 | 2006-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material, light emitting element and light emitting device |
WO2006104221A1 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anthracene derivative, material for light emitting element, light emitting element, light emitting device, and electronic device |
CN100357271C (zh) * | 2005-06-22 | 2007-12-26 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 以9-苯基咔唑为核的空穴传输材料及其制备方法 |
WO2007026626A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Carbazole derivative, material for light emitting element, light emitting element, light emitting device, and electronic device |
US7588839B2 (en) * | 2005-10-19 | 2009-09-15 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device |
EP1956022B1 (en) * | 2005-12-01 | 2012-07-25 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | Compound for organic electroluminescent element and organic electroluminescent element |
KR101372847B1 (ko) * | 2006-02-04 | 2014-03-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 폴리비닐피롤계 호스트, 이를 포함한 발광층, 및 상기발광층을 구비한 유기 전계 발광 소자 |
US9112170B2 (en) * | 2006-03-21 | 2015-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
US7731377B2 (en) * | 2006-03-21 | 2010-06-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Backlight device and display device |
WO2008026614A1 (en) * | 2006-08-30 | 2008-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for synthesizing anthracene derivative and anthracene derivative, light emitting element, light emitting device, electronic device |
KR20080047209A (ko) * | 2006-11-24 | 2008-05-28 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 화합물 및 이를 구비한 유기 발광 소자 |
DE102007002714A1 (de) * | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Merck Patent Gmbh | Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
US20080286445A1 (en) * | 2007-05-17 | 2008-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composition, and method of fabricating light-emitting element |
KR101005160B1 (ko) * | 2007-05-30 | 2011-01-04 | 신닛테츠가가쿠 가부시키가이샤 | 유기 전계 발광 소자용 화합물 및 유기 전계 발광 소자 |
KR20100058563A (ko) * | 2007-08-17 | 2010-06-03 | 조지아 테크 리서치 코오포레이션 | 이리듐 착화합물을 포함한 노보넨계 공중합체 |
KR101420475B1 (ko) * | 2007-11-19 | 2014-07-16 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 모노벤조크리센 유도체, 이것을 포함하는 유기 전계 발광 소자용 재료, 및 이것을 사용한 유기 전계 발광 소자 |
WO2010005066A1 (en) * | 2008-07-08 | 2010-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Carbazole derivative, light-emitting element material, light-emitting element, and light-emitting device |
TWI385235B (zh) * | 2008-07-22 | 2013-02-11 | Ind Tech Res Inst | 有機化合物及包含其之有機電激發光裝置 |
US8632893B2 (en) | 2008-07-22 | 2014-01-21 | Industrial Technology Research Institute | Organic compound and organic electroluminescence device employing the same |
ATE517088T1 (de) * | 2008-09-19 | 2011-08-15 | Semiconductor Energy Lab | Carbazolderivat und herstellungsverfahren dafür |
EP2206716A1 (en) | 2008-11-27 | 2010-07-14 | Solvay S.A. | Host material for light-emitting diodes |
CN102186860A (zh) | 2008-10-16 | 2011-09-14 | 索尔维公司 | 用于发光二极管的n-苯基咔唑基主体材料 |
CN102471679A (zh) * | 2009-07-10 | 2012-05-23 | 第一毛织株式会社 | 用于有机光电装置的化合物及有机光电装置 |
US8617720B2 (en) | 2009-12-21 | 2013-12-31 | E I Du Pont De Nemours And Company | Electroactive composition and electronic device made with the composition |
TWI503314B (zh) * | 2010-02-12 | 2015-10-11 | Ind Tech Res Inst | 有機化合物及包含其之有機電激發光裝置 |
CN102190618B (zh) * | 2010-03-17 | 2013-09-11 | 财团法人工业技术研究院 | 有机化合物及包含其的有机电致发光装置 |
KR101188280B1 (ko) | 2010-06-08 | 2012-10-05 | 덕산하이메탈(주) | 카바졸과 방향족 아민 유도체를 포함하는 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 단말 |
TWI549942B (zh) | 2010-08-26 | 2016-09-21 | 首威公司 | N-苯基三咔唑類 |
EP2433928A1 (en) | 2010-08-26 | 2012-03-28 | Solvay SA | N-phenyl triscarbazole |
CN103261158B (zh) * | 2010-10-11 | 2016-05-04 | 索尔维公司 | N-环烷基烷基三咔唑 |
JP2012195572A (ja) | 2011-02-28 | 2012-10-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光層および発光素子 |
US9287512B2 (en) | 2011-03-08 | 2016-03-15 | Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. | Organic electroluminescent compounds, layers and organic electroluminescent device using the same |
CN106369416B (zh) | 2012-03-14 | 2020-03-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、发光装置、显示装置、电子设备以及照明装置 |
JP6076153B2 (ja) | 2012-04-20 | 2017-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、表示装置、電子機器及び照明装置 |
US8916897B2 (en) | 2012-05-31 | 2014-12-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
KR102204794B1 (ko) | 2012-08-10 | 2021-01-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기 및 조명 장치 |
TWI569492B (zh) * | 2014-12-22 | 2017-02-01 | 昱鐳光電科技股份有限公司 | 有機發光元件 |
KR20170101128A (ko) | 2016-02-26 | 2017-09-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 유기 화합물, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
US10228619B2 (en) | 2017-03-31 | 2019-03-12 | The Regents Of The University Of California | Photopatterned growth of electronically active brush polymers for light emitting diode displays |
US10211400B2 (en) | 2017-03-31 | 2019-02-19 | Dow Global Technologies Llc | Photopatterned growth of electronically active brush polymers for light emitting diode displays |
CN107492597B (zh) * | 2017-08-10 | 2018-11-27 | 长春海谱润斯科技有限公司 | 一种顶发射有机发光器件 |
KR20200108955A (ko) | 2019-03-11 | 2020-09-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 헤테로시클릭 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
CN112321630A (zh) * | 2019-12-27 | 2021-02-05 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 电子给体化合物及其制备方法、发光器件和显示装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002100476A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-04-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 発光素子及びアゾール化合物 |
JP2002117978A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-04-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 発光素子及びイリジウム錯体 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02311591A (ja) * | 1989-05-25 | 1990-12-27 | Mitsubishi Kasei Corp | 有機電界発光素子 |
EP0406762B1 (en) * | 1989-07-04 | 1994-09-28 | Mitsubishi Chemical Corporation | Organic electroluminescent device |
US5443922A (en) * | 1991-11-07 | 1995-08-22 | Konica Corporation | Organic thin film electroluminescence element |
JP3787185B2 (ja) * | 1995-04-28 | 2006-06-21 | アヴェンティス・リサーチ・ウント・テクノロジーズ・ゲーエムベーハー・ウント・コー・カーゲー | 配線基板の配線の欠陥を検出する装置 |
US6242115B1 (en) * | 1997-09-08 | 2001-06-05 | The University Of Southern California | OLEDs containing thermally stable asymmetric charge carrier materials |
US6150043A (en) * | 1998-04-10 | 2000-11-21 | The Trustees Of Princeton University | OLEDs containing thermally stable glassy organic hole transporting materials |
US6057048A (en) * | 1998-10-01 | 2000-05-02 | Xerox Corporation | Electroluminescent (EL) devices |
US6458475B1 (en) * | 1999-11-24 | 2002-10-01 | The Trustee Of Princeton University | Organic light emitting diode having a blue phosphorescent molecule as an emitter |
US6660410B2 (en) * | 2000-03-27 | 2003-12-09 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence element |
-
2002
- 2002-04-25 US US10/131,382 patent/US20030205696A1/en not_active Abandoned
-
2003
- 2003-04-18 JP JP2003114193A patent/JP3780264B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002100476A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-04-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 発光素子及びアゾール化合物 |
JP2002117978A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-04-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 発光素子及びイリジウム錯体 |
Cited By (68)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004171808A (ja) * | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
JP2004178896A (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-24 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
JP4558510B2 (ja) * | 2003-05-16 | 2010-10-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | カルバゾール誘導体、発光素子および電子機器 |
WO2004101517A1 (ja) * | 2003-05-16 | 2004-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | カルバゾール誘導体、有機半導体素子、発光素子および電子機器 |
US7504162B2 (en) | 2003-05-16 | 2009-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Carbazole derivative, organic semiconductor element, light emitting element, and electronic device |
JPWO2004101517A1 (ja) * | 2003-05-16 | 2006-07-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | カルバゾール誘導体、有機半導体素子、発光素子および電子機器 |
JP2005154421A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-06-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | カルバゾール誘導体、発光素子、および発光装置 |
WO2005076668A1 (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2005076669A1 (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
CN100591183C (zh) * | 2004-02-09 | 2010-02-17 | 出光兴产株式会社 | 有机电致发光元件 |
JP5179720B2 (ja) * | 2004-02-09 | 2013-04-10 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JPWO2005076669A1 (ja) * | 2004-02-09 | 2007-10-18 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US8470455B2 (en) | 2004-02-13 | 2013-06-25 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
US7906226B2 (en) | 2004-02-13 | 2011-03-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
US8105701B2 (en) | 2004-02-13 | 2012-01-31 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
JPWO2005079118A1 (ja) * | 2004-02-13 | 2007-10-25 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2005079118A1 (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US8198801B2 (en) | 2004-03-19 | 2012-06-12 | Lg Chem, Ltd. | Materials for injecting or transporting holes and organic electroluminescence devices using the same |
WO2006038767A1 (en) * | 2004-08-23 | 2006-04-13 | Lg Chem. Ltd. | New luminescent material and organic electroluminescent device using the same |
US7422802B2 (en) | 2004-08-23 | 2008-09-09 | Lg Chem, Ltd. | Luminescent material and organic electroluminescent device using the same |
JP2006056841A (ja) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Mitsui Chemicals Inc | アミン化合物、および該アミン化合物を含有する有機電界発光素子 |
JP2007513217A (ja) * | 2004-08-23 | 2007-05-24 | エルジー・ケム・リミテッド | 新規の発光物質及びこれを用いた有機発光素子 |
JP2006120905A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
KR100696006B1 (ko) * | 2004-12-14 | 2007-03-15 | 에스케이씨 주식회사 | 청색 인광 발광용 호스트 화합물 및 이를 이용한유기전기발광소자 |
US8324403B2 (en) | 2004-12-24 | 2012-12-04 | Pioneer Corporation | Organic compound, charge-transporting material, and organic electroluminescent element |
JP2006199679A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-08-03 | Pioneer Electronic Corp | 有機化合物、電荷輸送材料および有機電界発光素子 |
US9048436B2 (en) | 2005-12-28 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxadiazole derivative, and light emitting element, light emitting device, and electronic device using the oxadiazole derivative |
US8389735B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-03-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxadiazole derivative, and light emitting element, light emitting device, and electronic device using the oxadiazole derivative |
JP2007197429A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | オキサジアゾール誘導体、およびオキサジアゾール誘導体を用いた発光素子、発光装置、並びに電子機器 |
US8686159B2 (en) | 2005-12-28 | 2014-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxadiazole derivative, and light emitting element, light emitting device, and electronic device using the oxadiazole derivative |
US9136479B2 (en) | 2007-03-23 | 2015-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic compound, anthracene derivative, and light-emitting element, light-emitting device, and electronic device using the anthracene derivative |
JP5738501B1 (ja) * | 2007-03-23 | 2015-06-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機化合物 |
JP2008252094A (ja) * | 2008-03-22 | 2008-10-16 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
JP2008205488A (ja) * | 2008-03-22 | 2008-09-04 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
JPWO2011148909A1 (ja) * | 2010-05-24 | 2013-07-25 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US8710493B2 (en) | 2010-05-24 | 2014-04-29 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent element |
WO2011148909A1 (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-01 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US9538607B2 (en) | 2011-02-16 | 2017-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
US11812626B2 (en) | 2011-02-16 | 2023-11-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
KR101812673B1 (ko) | 2011-02-16 | 2017-12-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
US11038135B2 (en) | 2011-02-16 | 2021-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
US8994263B2 (en) | 2011-02-16 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
KR101793880B1 (ko) | 2011-02-16 | 2017-11-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
WO2012111580A1 (en) * | 2011-02-16 | 2012-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
US10403839B2 (en) | 2011-02-16 | 2019-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
US11871592B2 (en) | 2011-03-23 | 2024-01-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
US10879482B2 (en) | 2011-03-25 | 2020-12-29 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
JP7308908B2 (ja) | 2011-03-30 | 2023-07-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
KR102159895B1 (ko) | 2011-04-07 | 2020-09-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
KR20190086585A (ko) * | 2011-04-07 | 2019-07-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
KR20200062381A (ko) * | 2011-04-07 | 2020-06-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
KR102154694B1 (ko) | 2011-04-07 | 2020-09-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
KR101944860B1 (ko) * | 2011-07-04 | 2019-02-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 청색 인광 화합물 및 이를 사용한 유기전계발광소자 |
KR20130004780A (ko) * | 2011-07-04 | 2013-01-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 청색 인광 화합물 및 이를 사용한 유기전계발광소자 |
US9799834B2 (en) | 2011-08-18 | 2017-10-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Carbazole compound light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
US9029558B2 (en) | 2011-08-18 | 2015-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Carbazole compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
US11495763B2 (en) | 2012-02-09 | 2022-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
KR101922602B1 (ko) | 2012-02-09 | 2018-11-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
US10326093B2 (en) | 2012-02-09 | 2019-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
US11997860B2 (en) | 2012-02-09 | 2024-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
US10693093B2 (en) | 2012-02-09 | 2020-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
KR102153512B1 (ko) | 2012-03-14 | 2020-09-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
KR20140136027A (ko) * | 2012-03-14 | 2014-11-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
KR102206340B1 (ko) * | 2012-12-11 | 2021-01-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 전자기기, 및 조명 장치 |
JP2014135483A (ja) * | 2012-12-11 | 2014-07-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置 |
KR20140075600A (ko) * | 2012-12-11 | 2014-06-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 전자기기, 및 조명 장치 |
JP2014157992A (ja) * | 2013-02-18 | 2014-08-28 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機エレクトロルミネッセンス素子の評価方法 |
JP2015129113A (ja) * | 2013-11-14 | 2015-07-16 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 有機エレクトロルミネセンス材料、及びデバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3780264B2 (ja) | 2006-05-31 |
US20030205696A1 (en) | 2003-11-06 |
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