JP7342173B2 - 逐次比較型ad変換器、撮像装置、撮像システム、移動体 - Google Patents
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Description
図1の回路ブロック図を参照して、本実施例に係る撮像装置の構成について説明する。撮像装置は図1に示す各構成要素を有する。行列状に配置された複数の画素11によって画素アレイ102が構成される。図1では一例として画素アレイ102が4行3列の画素11を有する場合を説明する。しかし、画素アレイ102の配置はこれに限られない。各画素11は、画素11への入射光に応じた画素信号を生成する。同じ行を構成する複数の画素11は、駆動線に共通に接続される。駆動線を通じて垂直走査回路101から画素11に、画素11の動作を制御するための制御信号が供給される。駆動線は後述する複数の制御線を有する。また、同じ列を構成する複数の画素11は、1つの信号線201に共通に接続される。信号線201を通じて読み出される電圧信号を信号Vvlと表記する。画素11から信号線201に画素信号が読み出された場合に、信号Vvlは画素信号に応じた値となる。
図4は、DAC104の等価回路の詳細を示した図である。図4(A)は第1DAC104-1の等価回路を示している。図4(B)は、第2DAC104-2の等価回路を示している。
デジタル信号Dv2=1110
デジタル信号Dv3=0011
デジタル信号Dv4=1010
となる。これにより、デジタル信号Dv2、Dv3、Dv4のそれぞれは、デジタル信号D1に対する差分を示すデジタル信号となる。
デジタル信号DF=D1+(Dv2+Dv3+Dv4)/4
実施例1では、2回目以降のAD変換として、Nビットのうちの下位nビットである4ビット分のAD変換を行った。この2回目以降のAD変換の対象とするビット数の設定について、本実施例では説明する。
|Nam|≦6σ×√(N-1)
として計算できる。N-1が4であるとすると、
|Nam|≦3.5 (LSB)
として見積もられる。
本実施例の撮像装置について、実施例1と異なる点を中心に説明する。
本実施例の撮像装置について、実施例1と異なる点を中心に説明する。
NAD1:Aビット
NAD2~4:Bビット
SAD1_A:Cビット
SAD2_A~4_A:Dビット
SAD1_B:Eビット
SAD2_B~4_B:Fビット
実施例1~4の撮像装置は、1つの半導体基板に形成された撮像装置に限定されるものでは無く、積層型の撮像装置にも適用可能である。
図11は、本実施例の撮像装置が備える、第1チップ1、第2チップ5を示した図である。第1チップ1は、複数行および複数列に渡って画素11が配された画素アレイを備える画素チップである。また、第2チップ5は、複数行および複数列に渡って、信号処理回路21が配された回路チップである。なお、ここでは画素11と信号処理回路21のみを図示しているが、他に画素11を制御する制御線、画素11が出力する信号を伝送する信号線が適宜、第1チップ1に配される。また、垂直走査回路、タイミングジェネレータ等の駆動回路が適宜、第1チップ1あるいは第2チップ5に配される。
図12は、第1チップ1が備える画素アレイを示した図である。本実施例の画素アレイの画素11は、有効画素、オプティカルブラック画素(OB画素)、リファレンス画素を有する。各画素の構成については後述する。画素アレイは、有効画素領域810、水平OB画素領域812A、垂直OB画素領域812B、リファレンス画素領域815を有する。
図13は、図12において、領域820として示した部分に関する、平面視における、第1チップ1が備える画素11と、第2チップ5が備える信号処理回路21(A)~(C)のレイアウトを示した図である。以下、信号処理回路21(A)~(C)を区別せずに表記する場合には、単に信号処理回路21とする。
図14は、撮像装置の等価回路を示している。図14では、図11に示した画素11のうち、1列目、2列目、N列目の画素11を示している。第1チップ1の画素11は、1列の画素11に対し、4本の信号線201(A)~(D)を有する。なお、以下では信号線201(A)~(D)を区別なく表記する場合には、単に信号線201と表記する。1行目の画素11は信号線201(A)に接続されている。以下、同様に2~4行目の画素11は、順に信号線201(B)~(D)に接続されている。信号線201(A)~(D)は、他の列においても、1列目の画素11と同じように配されている。
図15は、ADC360を有する信号処理回路21の配列の一部と、画素アレイの画素配列の一部とを示す図である。図12で付した符号と同じ部材については、図12で付した符号と同じ符号を図15においても付している。
図16は、図14に示した撮像装置の断面構造を示した図である。図16では、1列目の4行のOB画素15と、5列目の4行のリファレンス画素17とを中心に記載している。図11に示した第1チップ1と第2チップ5は、接合面300で接合されている。
図17(a)は、本実施例の有効画素13、OB画素15の等価回路図である。有効画素13、OB画素15は、光電変換部であるフォトダイオード601a、601bを有する。有効画素13のフォトダイオード601a、601bには、不図示の1つのマイクロレンズと、図13に示した配列に従って設けられたカラーフィルタを透過した光が入射する。つまり、フォトダイオード601aに入射する光と、フォトダイオード601bに入射する光の波長は実質的に同じである。一方、OB画素15のフォトダイオード601a、601bは遮光されている。
MPX回路350(A)は、1列の画素11に対応して配される複数の信号線201(A)~(D)の信号を順次、ADC360(A)に出力する。図18では、MPX回路350(A)が出力する信号を、Row_nとして示している。nは、MPX回路350(A)がADC360(A)に出力する信号が対応する画素行を示している。つまり、Row_1がHighレベルであれば、MPX回路350(A)はADC360(A)に1行目の画素11が信号線201(A)に出力した信号を出力していることを示す。
時刻t1に、垂直走査回路は1行目の画素11に出力する信号PSEL(1)をHighレベルにする。
以下、N信号のAD変換について説明する。図18では、実施例4で説明した、N信号の複数回のAD変換を1つのAD変換ブロックとして纏めて示している。
時刻t10に、垂直走査回路は、1行目の画素11に出力する信号PTXA、PTXBをHighレベルとする。これにより、フォトダイオード601a、601bが蓄積した電荷が、転送トランジスタ603a、603bを介してFD部605に転送される。FD部605では、フォトダイオード601a、601bのそれぞれの電荷が加算される。これにより、FD部605は、フォトダイオード601a、601bのそれぞれの電荷を加算した電荷に対応する電圧となる。仮に、フォトダイオード601aのみの電荷によるFD部605の電圧に基づいて増幅トランジスタ607が出力する信号をA信号とする。また、仮に、フォトダイオード601bのみの電荷によるFD部605の電圧に基づいて増幅トランジスタ607が出力する信号をB信号とする。この表記に従うと、フォトダイオード601a、601bのそれぞれの電荷を加算した電荷に対応するFD部605の電圧に基づいて増幅トランジスタ607が出力する信号はA信号とB信号を加算したA+B信号とみなすことができる。各列の信号線201(A)には、1行目の画素11のA+B信号が出力されている。
以下、A+B信号のAD変換について説明する。図18では、実施例1~4で説明した、A+B信号の複数回のAD変換を1つのAD変換ブロックとして纏めて示している。
本実施例の撮像装置では、図15を参照しながら説明したように、水平OB画素領域812Aに接続される信号処理回路21が、水平OB画素領域812Aに、平面視において重なっている。
図19の動作は、撮像装置が焦点検出用の信号と、撮像用の信号を出力する動作である。
図18に示した動作と同じである。
図18に示した動作と同じである。
時刻t9に、垂直走査回路は、1行目の画素11に出力する信号PTXAをHighレベルとする。これにより、フォトダイオード601aが蓄積した電荷が、転送トランジスタ603aを介してFD部605に転送される。これにより、FD部605は、フォトダイオード601aの電荷に対応する電圧となる。各列の信号線201(A)には、1行目の画素11のA信号が出力される。このA信号は、複数のフォトダイオードのうちの一部のみのフォトダイオードの信号に基づく第1信号である。この第1信号は、焦点検出用の信号として用いることができる。
以下、A信号のAD変換について説明する。図19では、実施例4で説明した、A信号の複数回のAD変換を1つのAD変換ブロックとして纏めて示している。
時刻t18に、垂直走査回路は、1行目の画素11に出力する信号PTXA、PTXBをHighレベルとする。これにより、フォトダイオード601a、601bが蓄積した電荷が、転送トランジスタ603a、603bを介してFD部605に転送される。これにより、信号線201(A)には、1行目の画素11のA+B信号が出力される。
時刻t26に、MPX回路350(A)は信号線201(A)の信号、すなわち1行目の画素11のA+B信号をADC360(A)に出力する。ADC360(A)は、1行目の画素11のA+B信号をデジタル信号に変換する。
図19に示した動作では、以下のように、複数の動作を並行して行っている。
(1)1行目の画素11に対応するN信号の読出しと2行目の画素11に対応するN信号の読出しとの並行動作
(2)1行目の画素11に対応するN信号のAD変換と、2行目の画素11に対応するN信号の読み出しとの並行動作
(3)4行目の画素11に対応するN信号のAD変換と、1行目の画素11に対応するA信号の読み出しとの並行動作
(4)1行目の画素11に対応するA信号の読出しと、2行目の画素11に対応するA信号の読出しとの並行動作
(5)1行目の画素11に対応するA信号のAD変換と、2行目の画素11に対応するA信号の読出しとの並行動作
(6)4行目の画素11に対応するA信号のAD変換と、1行目の画素11に対応するA+B信号の読み出しとの並行動作
(7)1行目の画素11に対応するA+B信号の読出しと、2行目の画素11に対応するA+B信号の読出しとの並行動作
(8)1行目の画素11に対応するA+B信号のAD変換と、2行目の画素11に対応するA信号の読出しとの並行動作
図20は、本実施例による撮像システム500の構成を示すブロック図である。本実施例の撮像システム500は、上述の各実施例で述べた撮像装置のいずれかの構成を適用した撮像装置200を含む。撮像システム500の具体例としては、デジタルスチルカメラ、デジタルカムコーダー、監視カメラ等が挙げられる。図20に、上述の各実施例のいずれかの撮像装置を撮像装置200として適用したデジタルスチルカメラの構成例を示す。
本実施例の撮像システム及び移動体について、図21及び図22を用いて説明する。
本発明は、上記実施例に限らず種々の変形が可能である。
105 比較器
107 AD変換器
Claims (20)
- 複数の光電変換部を各々が備える複数の画素と、
逐次比較型AD変換器とを備える撮像装置であって、
前記複数の画素の各々は、前記複数の光電変換部のうちの一部のみの光電変換部の電荷に基づく第1信号と、前記複数の光電変換部の電荷に基づく第2信号とを出力し、
前記逐次比較型AD変換器は、前記第1信号に対し、少なくとも2回のAD変換を行い、前記第2信号に対し、少なくとも2回のAD変換を行い、
前記第1信号に対する2回目のAD変換のビット数が、前記第2信号に対する2回目のAD変換のビット数よりも少ないことを特徴とする撮像装置。 - 前記第1信号に対する2回目のAD変換のビット数が、前記第1信号に対する1回目のAD変換のビット数よりも少ないことを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 前記第2信号に対する2回目のAD変換のビット数が、前記第2信号に対する1回目のAD変換のビット数よりも少ないことを特徴とする請求項1または2に記載の撮像装置。
- 前記第2信号に対する2回目のAD変換のビット数が、前記第2信号に対する1回目のAD変換のビット数よりも少ないことを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 前記第1信号に対する2回目のAD変換のビット数が、前記第2信号に対する2回目のAD変換のビット数よりも少ないことを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 前記第1信号に対する1回目のAD変換のビット数が、前記第2信号に対する1回目のAD変換のビット数よりも少ないことを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 前記第2信号に対する2回目のAD変換のビット数が、前記第1信号の1回目のAD変換のビット数よりも少ないことを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 前記第1信号に対する2回目のAD変換のビット数が、前記第2信号の1回目のAD変換のビット数よりも少ないことを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 前記複数の画素の各々は、ノイズレベルの信号であるノイズ信号を出力し、
前記逐次比較型AD変換器は、前記ノイズ信号に対し、少なくとも2回のAD変換を行い、
前記ノイズ信号に対する2回目のAD変換のビット数が、前記第1信号に対する2回目のAD変換のビット数よりも少ないことを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記ノイズ信号に対する2回目のAD変換のビット数が、前記ノイズ信号に対する1回目のAD変換のビット数よりも少ないことを特徴とする請求項9に記載の撮像装置。
- 前記第1信号に対する2回目のAD変換のビット数が、前記ノイズ信号に対する1回目のAD変換のビット数よりも少ないことを特徴とする請求項9または10に記載の撮像装置。
- 前記第2信号に対する2回目のAD変換のビット数が、前記ノイズ信号に対する1回目のAD変換のビット数よりも少ないことを特徴とする請求項9~11のいずれか1項に記載の撮像装置。
- AD変換のビット数が、少ない方から、前記ノイズ信号に対する2回目のAD変換、前記第1信号に対する2回目のAD変換、前記第2信号に対する2回目のAD変換、前記ノイズ信号に対する1回目のAD変換、前記第1信号に対する1回目のAD変換、前記第2信号に対する1回目のAD変換の順であることを特徴とする請求項9に記載の撮像装置。
- 前記複数の画素が第1チップに配され、前記逐次比較型AD変換器が第2チップに配され、前記第1チップと前記第2チップとが積層された請求項1~13のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 遮光された光電変換部を有する遮光画素を前記第1チップがさらに有し、
前記遮光画素と、前記逐次比較型AD変換器が、平面視において、重なるように設けられていることを特徴とする請求項14に記載の撮像装置。 - 前記複数の画素のうちの1つの画素が備える前記複数の光電変換部が1つのマイクロレンズに対応して配されていることを特徴とする請求項1~15のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 前記複数の画素の各々はフローティングディフージョン部を備え、
前記複数の光電変換部のうちの一部のみの光電変換部の電荷に基づく第1信号が前記フローティングディフージョン部に保持された状態で、前記複数の光電変換部のうちの別の一部のみの光電変換部の電荷が前記フローティングディフージョン部に転送されることで前記第2信号が生成されることを特徴とする請求項1~16のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記逐次比較型AD変換器は前記第1信号と前記第2信号の一方ずつと比較信号との比較を行う比較器を備え、
前記第1信号の1回目のAD変換の後、前記比較信号にオフセットを付与して前記第1信号の2回目のAD変換を行い、
前記第2信号の1回目のAD変換の後、前記比較信号にオフセットを付与して前記第2信号の2回目のAD変換を行うことを特徴とする請求項1~17のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 請求項1~18のいずれか1項に記載の撮像装置と、
前記撮像装置が出力する信号を処理することによって画像を生成する信号処理部とを有することを特徴とする撮像システム。 - 請求項1~18のいずれか1項に記載の撮像装置と、
前記撮像装置からの信号に基づく視差画像から、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段と、を有する移動体であって、
前記距離情報に基づいて前記移動体を制御する制御手段をさらに有することを特徴とする移動体。
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