JP7446182B2 - 基板処理装置及びノイズ影響低減方法 - Google Patents

Description

本開示は、基板処理装置及びノイズ影響低減方法に関する。

基板処理装置において、ヒータ温度の制御が行われることが知られている（例えば特許文献１を参照）。

特開２０１９－２１２６７０号公報

本開示は、ヒータ温度の制御精度を向上させる技術を提供する。

本開示の一態様による基板処理装置は、ヒータ抵抗器に印可される電圧及びヒータ抵抗器を流れる電流のディジタル値を出力するＡＤ変換器と、ＡＤ変換器の出力結果から得られる、ヒータ抵抗器の抵抗値を算出するための算出用電圧及び算出用電流を用いて、ヒータ抵抗器の温度を制御する制御部と、備え、制御部は、ＡＤ変換器の出力結果から得られるディジタル信号と、正規分布ノイズを含むノイズ信号との合成結果に基づいて、算出用電圧及び算出用電流の少なくとも一方を算出する。

本開示によれば、ヒータ温度の制御精度が向上する。

図１は、実施形態に係る基板処理装置の概略構成の例を示す図である。 図２は、静電チャックの平面図の例を示す。 図３は、ヒータ制御部及びヒータの概略構成の例を示す図である。 図４は、ＡＤ変換器のノイズを模式的に示す図である。 図５は、ＡＤ変換器のノイズ分布を模式的に示す図である。 図６は、ノイズ影響低減原理を概念的に示す図である。 図７は、ＡＤ変換器のノイズを模式的に示す図である。 図８は、算出部の機能ブロックの例を示す図である。 図９は、電圧実効値信号の例を示す図である。 図１０は、ノイズ信号の例を示す図である。 図１１は、電圧実効値信号の例を示す図である。 図１２は、基板処理装置において実行される処理（ノイズ影響低減方法）の例を示すフローチャートである。 図１３は、算出部の機能ブロックの例を示す図である。 図１４は、繰り返し処理によるノイズ影響低減の例を示す図である。 図１５は、算出部の機能ブロックの例を示す図である。 図１６は、算出部の機能ブロックの例を示す図である。

以下、図面を参照して本願の開示する基板処理装置及びノイズ影響低減方法について詳細に説明する。なお、本実施形態により、開示する基板処理装置及びノイズ影響低減方法が限定されるものではない。

基板処理装置においてヒータ温度を制御する場合、ヒータ抵抗器の抵抗値を算出することがある。ヒータの抵抗値を算出するための電圧値及び電流値は、ＡＤ変換器の出力結果から得られるが、ＡＤ変換器の出力結果には、ＡＤ変換器のノイズが含まれる。このノイズは、抵抗器の算出精度ひいてはヒータ温度制御精度を低下させる。ヒータ温度の制御精度を向上させる技術が期待されている。

以下に、開示する基板処理装置及びノイズ影響低減方法の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により開示される技術が限定されるものではない。また、各形態は、矛盾のない範囲において適宜組み合わされてよい。

図１は、実施形態に係る基板処理装置の概略構成の例を示す図である。以下、基板処理装置１の各構成について説明する。

基板処理装置１は、チャンバ１０と、排気装置１６と、ゲートバルブ１７と、を備える。図１には、チャンバ１０の横断面が示される。この例では、チャンバ１０は、底壁１１及び側壁１２を含み、略円筒形状を有する。チャンバ１０の材質の例は、アルミニウムである。チャンバ１０の内側表面（底壁１１及び／又は側壁１２の内側表面）は、陽極酸化被膜で被覆されていてよい。チャンバ１０内において基板（この例でウエハＷ）の処理が行われる空間を、処理空間ＰＳと称し図示する。処理空間ＰＳは、チャンバ１０によって外部の雰囲気から隔離される。チャンバ１０の底壁１１には、排気装置１６に接続された排気口１３が形成される。排気装置１６は、排気口１３を介して処理空間ＰＳから気体を排気し、処理空間ＰＳを予め定められた真空度まで減圧する。チャンバ１０の側壁１２には、ゲートバルブ１７に接続された開口部１４が形成される。ゲートバルブ１７は、開口部１４の開放及び閉鎖等を行う。

基板処理装置１は、載置台２０を備える。載置台２０は、チャンバ１０内において、処理空間ＰＳの下方に配置される。載置台２０は、絶縁板２１と、内壁部材２２と、支持台２３と、基材２４と、静電チャック２５と、エッジリング２６とを含む。

絶縁板２１及び内壁部材２２は、ともに絶縁性を有し、載置台２０の他の部分をチャンバ１０から絶縁する。絶縁板２１は、チャンバ１０の底壁１１上に配置される。絶縁板２１は、円盤形状を有する。内壁部材２２は、絶縁板２１の縁部において、絶縁板２１上に配置される。内壁部材２２は、円筒形状を有する。内壁部材２２の材質の例は、石英である。

支持台２３及び基材２４は、内壁部材２２の内側に配置される。支持台２３は、導電性を有し、絶縁板２１上に配置される。基材２４は、支持台２３上に配置される。基材２４の材質の例は、アルミニウムである。基材２４の内部には、後述のチラーユニット３３に接続された冷媒循環流路２４ａが設けられる。

静電チャック２５は、基材２４上に配置される。静電チャック２５は、本体２５１と、電極２５２と、複数のヒータ２５３とを含む。本体２５１は、絶縁性を有する。電極２５２及びヒータ２５３は、本体２５１の内部に埋め込まれる。この例では、静電チャック２５は、複数のヒータ２５３を含む。静電チャック２５には、静電チャック２５上面に至る伝熱ガス供給流路２５ａが貫通形成される。静電チャック２５及び複数のヒータ２５３について、図２も参照して説明する。

図２は、静電チャックの平面図の例を示す。静電チャック２５の上面は、複数の領域２５ｄに分割される。この例では、径方向において３分割、円周方向に８分割される。ただし、分割の態様はとくに限定されない。複数のヒータ２５３の各々は、対応する領域２５ｄに埋め込まれる。ヒータ２５３は、交流電源７１（図１）からの交流電力が供給されたときに、対応する領域２５ｄを中心に静電チャック２５を加熱する。

図１に戻り、エッジリング２６は、静電チャック２５を内側に含むように、内壁部材２２及び基材２４上に配置される。エッジリング２６は、例えば単結晶シリコンで形成される。

基板処理装置１は、直流電源３１と、チラーユニット３３と、伝熱ガス供給部３４とを備える。直流電源３１は、静電チャック２５の電極２５２に直流電圧を印加する。チラーユニット３３は、冷媒を予め定められた温度に冷却し、冷媒循環流路２４ａに循環させる。伝熱ガス供給部３４は、伝熱ガス供給流路２５ａを介して、伝熱ガス（例えばＨｅガス）を基板（この例ではウエハＷ）と静電チャック２５の間に供給する。

基板処理装置１は、複数のヒータ制御部７０を含む。複数のヒータ制御部７０の各々は、複数のヒータ２５３それぞれに対応して設けられる。ヒータ２５３には、交流電源７１からの電力が供給される。交流電源７１は、例えば商用電源（実効値が約２００Ｖ、周波数が５０Ｈｚ等）であってよい。ヒータ制御部７０及びヒータ２５３の詳細については、後に図３以降を参照して改めて説明する。

基板処理装置１は、第１高周波電源３５と、第２高周波電源３６とを備える。第１高周波電源３５は、第１整合器３７を介して、第１周波数（例えば１００ＭＨｚ）の高周波電力を基材２４に供給する。第２高周波電源３６は、第２整合器３８を介して、第１周波数よりも低い第２周波数（例えば１３ＭＨｚ）の高周波電力を基材２４に供給する。

基板処理装置１は、シャワーヘッド４０を備える。シャワーヘッド４０は、シャワーヘッド４０の下面が載置台２０に対向するように、かつ、シャワーヘッド４０の下面に沿う平面が載置台２０の上面に沿う平面に対して概ね平行であるように、処理空間ＰＳ内の載置台２０上方に配置される。

シャワーヘッド４０は、絶縁性部材４１と、本体部４２と、上部天板４３とを含む。

絶縁性部材４１は、シャワーヘッド４０の他の部分を、チャンバ１０から絶縁する。絶縁性部材４１は、チャンバ１０の上部に支持される。本体部４２は、導電性を有し、絶縁性部材４１に支持される。本体部４２の材質の例は、アルミニウムであり、表面に陽極酸化処理が施されていてよい。本体部４２及び基材２４は、上部電極及び下部電極（一対の電極）として用いられる。上部天板４３は、本体部４２の下部に配置され、本体部４２に対して着脱自在に本体部４２に支持される。上部天板４３の材質の例は、石英のようなシリコン含有物質である。

本体部４２には、ガス拡散室４２ａと、ガス導入口４２ｂと、ガス流出口４２ｃとが
形成される。ガス拡散室４２ａは、本体部４２内部に形成される。ガス導入口４２ｂは、本体部４２のうちのガス拡散室４２ａよりも上側に形成され、ガス拡散室４２ａに連通する。複数のガス流出口４２ｃは、本体部４２のうちのガス拡散室４２ａより上部天板４３側に形成され、ガス拡散室４２ａに連通する。

上部天板４３には、複数のガス導入口４３ｃが形成される。複数のガス導入口４３ｃは、上部天板４３の上面と下面とを貫通するように形成され、複数のガス流出口４２ｃにそれぞれ連通する。

基板処理装置１は、処理ガス供給源５１と、弁５２と、マスフローコントローラ５３（ＭＦＣ）とを備える。

処理ガス供給源５１は、配管５４を介して、シャワーヘッド４０の本体部４２のガス導入口４２ｂに接続される。

マスフローコントローラ５３は、配管５４の途中に設けられる。弁５２は、配管５４のうちのマスフローコントローラ５３とガス導入口４２ｂとの間に設けられる。弁５２の開閉により、処理ガス供給源５１からガス導入口４２ｂへの処理ガスの供給量が調整される。

基板処理装置１は、可変直流電源５５と、ローパスフィルタ５６（ＬＰＦ）と、スイッチ５７とを備える。可変直流電源５５は、電路５８を介してシャワーヘッド４０の本体部４２に電気的に接続される。ローパスフィルタ５６とスイッチ５７とは、電路５８の途中に設けられる。スイッチ５７の開閉により、シャワーヘッド４０への直流電圧の印加が切替えられる。

基板処理装置１は、リング磁石６１を備える。リング磁石６１は、処理空間ＰＳのうちのシャワーヘッド４０と載置台２０との間の領域に磁場を発生させる。リング磁石６１は、チャンバ１０を内側に含むようにチャンバ１０と同心円状に配置される。リング磁石６１は、図示しない回転機構を介して回転自在にチャンバ１０に支持される。リング磁石６１は、例えば永久磁石から形成される。

基板処理装置１は、デポシールド６２と、デポシールド６３と、導電性部材６４とを備える。デポシールド６２は、チャンバ１０の側壁１２の内周面にエッチング副生物（デポ）が付着することを防止する。デポシールド６２は、チャンバ１０の側壁１２の内周面を覆うように配置され、チャンバ１０に対して着脱自在にチャンバ１０に支持される。デポシールド６３は、内壁部材２２の外周面にエッチング副生物が付着することを防止する。デポシールド６３は、内壁部材２２の外周面を覆うように配置される。導電性部材６４は、チャンバ１０内の異常放電を抑制する。導電性部材６４は、導電性部材６４が配置される高さが、静電チャック２５に載置されたウエハＷが配置される高さと略同じになるように、処理空間ＰＳに配置され、デポシールド６２に支持される。導電性部材６４は、グランドに電気的に接続される。

基板処理装置１は、制御装置５を備える。制御装置５は、基板処理装置１の各構成を制御することによって、基板処理装置１の全体制御を行う。制御装置５は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）等を含んで構成されるコンピュータによって実現される。

以上説明した基板処理装置１によって行われる基板処理（プラズマエッチング）の動作概要を説明する。ゲートバルブ１７の制御により、開口部１４が開放される。開口部１４を介してウエハＷが処理空間ＰＳに搬入され、載置台２０に載置される。直流電源３１によって電極２５２に直流電圧が印加され、クーロン力により、ウエハＷが静電チャック２５に保持される。ゲートバルブ１７の制御により、開口部１４が閉鎖する。排気装置１６の制御により、処理空間ＰＳの雰囲気が予め定められた真空度になるように真空引きされる。弁５２の制御により、予め定められた量の処理ガスが、処理ガス供給源５１からガス導入口４２ｂに供給される。処理ガスはさらに複数のガス流出口４２ｃと、ガス導入口４３ｃとを介してチャンバ１０の処理空間ＰＳにシャワー状に供給される。

伝熱ガス供給部３４の制御により、伝熱ガスが伝熱ガス供給流路２５ａ（静電チャック２５とウエハＷとの間）に供給される。チラーユニット３３の制御により、予め定められた温度に冷却された冷媒が、冷媒循環流路２４ａを循環し、静電チャック２５が冷却される。ヒータ制御部７０により、ヒータ２５３の温度が目標温度（設定温度）になるように、ヒータ２５３の温度が制御される。

第１高周波電源３５及び第２高周波電源３６の制御により、載置台２０の基材２４に高周波電力が供給される。処理空間ＰＳのうちの載置台２０とシャワーヘッド４０との間の領域には、プラズマが発生する。可変直流電源５５及びスイッチ５７の制御により、可変直流電源５５から予め定められた大きさの直流電圧がシャワーヘッド４０に印加される。ウエハＷは、処理空間ＰＳに発生したプラズマによりエッチングされる。プラズマの例は、ＣＣＰ（Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、Ｒａｄｉａｌ Ｌｉｎｅ Ｓｌｏｔ Ａｎｔｅｎｎａ、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ Ｐｌａｓｍａ）、ＨＷＰ（Ｈｅｌｉｃｏｎ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）等である。

ウエハＷのエッチング後、第１高周波電源３５及び第２高周波電源３６の制御により、載置台２０の基材２４への高周波電力の供給が停止される。可変直流電源５５及びスイッチ５７の制御により、シャワーヘッド４０への直流電圧の印加が停止される。ゲートバルブ１７の制御により、開口部１４が開放される。直流電源３１の制御により、静電チャック２５によるウエハＷの保持が解除される。ウエハＷは、開口部１４を介してチャンバ１０の処理空間ＰＳから搬出される。プラズマエッチングにおいては、ウエハＷの温度が予め定められた温度に適切に調整され、エッチングされる。

ヒータ制御部７０及びヒータ２５３についてさらに説明する。以下では、複数のヒータ制御部７０及び複数のヒータ２５３のうちの一組のヒータ制御部７０及びヒータ２５３について説明するが、他のヒータ制御部７０及びヒータ２５３の組についても同様の説明が可能である。

図３は、ヒータ制御部及びヒータの概略構成の例を示す図である。ヒータ制御部７０は、交流電源７１とヒータ２５３との間に電気的に接続される。ヒータ２５３は、ヒータ抵抗器２５３ａを含む。ヒータ抵抗器２５３ａは、印加される電力、すなわちヒータ抵抗器２５３ａに印加される電圧及びヒータ抵抗器２５３ａを流れる電流によって加熱される。ヒータ抵抗器２５３ａの材質の例は、タングステンである。ヒータ制御部７０は、交流電源７１からの電力を用いてヒータ抵抗器２５３ａを加熱する。交流電源７１からヒータ抵抗器２５３ａに至る主な電力経路を、電力線ＰＬと称し図示する。図３において、後述の算出部７７の算出結果であるヒータ抵抗器２５３ａの抵抗値が、ヒータ抵抗値Ｒとして図示される。後述の変換部７８の変換結果であるヒータ抵抗器２５３ａの温度が、ヒータ温度Ｔとして図示される。なお、ヒータ温度Ｔは、ヒータ２５３の温度と同じものとして扱う。

ヒータ制御部７０は、スイッチ７２と、抵抗器７３ａと、抵抗器７３ｂと、増幅器７３ｃと、ＡＤ変換器７３ｄ（ＡＤＣ：Analog to Digital Converter）と、抵抗器７４ａと、増幅器７４ｃと、ＡＤ変換器７４ｄと、制御部７５とを含む。ヒータ制御部７０は、これらの構成要素が設けられた基板（ヒータ制御基板）であってよい。

ヒータ制御部７０のうち、スイッチ７２及び抵抗器７４ａは、交流電源７１とヒータ抵抗器２５３ａとの間において、電力線ＰＬ上に直列に設けられる。スイッチ７２の例は、トライアック（双方向三端子サイリスタ）である。抵抗器７４ａの抵抗値は非常に小さく（例えば１００ｍΩ程度）、抵抗器７４ａで発生する電圧降下は交流電源７１の電圧に対して非常に小さい。すなわち、スイッチ７２の通電時には、交流電源７１の電圧に応じた電圧が、ヒータ抵抗器２５３ａに印加される。また、交流電源７１からの電流に応じた電流が、ヒータ抵抗器２５３ａを流れる。

ヒータ制御部７０は、ヒータ抵抗器２５３ａの温度が設定温度に近づくように、スイッチ７２の通電期間を制御する。通電期間は、交流電源７１の１／２周期における通電期間であってよい。スイッチ７２の通電期間の制御により、交流電源７１からヒータ抵抗器２５３ａに供給される電力、ひいてはヒータ温度Ｔが制御される。制御において、ヒータ温度Ｔをモニタするために、ヒータ抵抗値Ｒが算出される。ヒータ抵抗値Ｒがヒータ温度Ｔの変化に対して既知の態様で変化するからである。

ヒータ抵抗値Ｒの算出は、ヒータ抵抗器２５３ａに印加される電圧と、ヒータ抵抗器２５３ａを流れる電流とに基づいて行われる。

ヒータ抵抗器２５３ａに印可される電圧は、抵抗器７３ａ、抵抗器７３ｂ、増幅器７３ｃ及びＡＤ変換器７３ｄによって検出される。抵抗器７３ａ及び抵抗器７３ｂは、互いに直列接続され、交流電源７１の電圧を分圧するように設けられる。この分圧された電圧は、増幅器７３ｃを介して取り出され、ＡＤ変換器７３ｄによってディジタル値として出力される。抵抗器７３ａ、抵抗器７３ｂ、増幅器７３ｃ及びＡＤ変換器７３ｄは、ディジタル値が抵抗器７３ａ及び抵抗器７３ｂの両端に発生する実際の電圧の大きさに対応する値を示す（算出等する）ように設計される。ＡＤ変換器７３ｄがディジタル値として出力するこの電圧を、出力電圧Ｖと称し図示する。出力電圧Ｖは、例えば数十μｓｅｃ程度の間隔で繰り返し出力される。

ヒータ抵抗器２５３ａを流れる電流は、抵抗器７４ａ、増幅器７４ｃ及びＡＤ変換器７４ｄによって検出される。抵抗器７４ａの両端には、ヒータ抵抗器２５３ａを流れる電流の大きさに応じた電圧が発生する。この電圧は、増幅器７４ｃを介して取り出され、ＡＤ変換器７４ｄによってディジタル値として出力される。抵抗器７４ａ、増幅器７４ｃ及びＡＤ変換器７４ｄは、ディジタル値が抵抗器７４ａを流れる実際の電流の大きさに対応する値を示す（算出等する）ように設計される。ＡＤ変換器７４ｄがディジタル値として出力するこの電流を、出力電流Ｉと称し図示する。出力電流Ｉは、ヒータ抵抗器２５３ａとヒータ抵抗器２５３ａを流れる電流から算出される電圧としてディジタル電圧値に変換して検出される検出電流である。出力電流Ｉは、例えば数十μｓｅｃ程度の間隔で繰り返し出力される。

上述の出力電圧Ｖ及び出力電流Ｉは、一定期間にわたって出力される複数の値（信号）であってよい。一定期間の最小単位は、交流電源７１の１／２周期であってよい。この場合、一定期間は、交流電源７１の１／２周期の整数倍でありうる。

制御部７５は、出力電圧Ｖ及び出力電流Ｉに基づいて、スイッチ７２を制御する。図３に示される例では、制御部７５は、算出部７６と、算出部７７と、変換部７８と、比較制御部７９とを含む。

算出部７６は、出力電圧Ｖ及び出力電流Ｉから、ヒータ抵抗値Ｒを算出するための電圧及び電流を算出する。ヒータ抵抗値Ｒを算出するための電圧を、算出用電圧と称する。ヒータ抵抗値Ｒを算出するための電流を、算出用電流と称する。以下では、算出用電圧及び算出用電流が出力電圧Ｖの実効値及び出力電流Ｉの実効値である場合について説明する。

算出部７６は、出力電圧Ｖ及び出力電流Ｉから、出力電圧Ｖの実効値及び出力電流Ｉの実効値を算出する。出力電圧Ｖの実効値及び出力電流Ｉの実効値は、例えば交流電源７１の半周期ごとに繰り返し算出される。算出された複数の実効値を示す信号を、実効値信号と称する。具体的に、出力電圧Ｖの実効値信号を、電圧実効値信号Ｖｒｍｓと称する。出力電流Ｉの実効値信号を、電流実効値信号Ｉｒｍｓと称する。

算出部７６は、後述の原理により、電圧実効値信号Ｖｒｍｓに含まれるＡＤ変換器７３ｄのノイズの影響、及び、電流実効値信号Ｉｒｍｓに含まれるＡＤ変換器７４ｄのノイズの影響が低減されるように、電圧実効値信号Ｖｒｍｓ及び電流実効値信号Ｉｒｍｓを算出する。算出部７６のさらなる詳細については、後に図８以降を参照して説明する。

算出部７７は、算出部７６によって算出された電圧実効値信号Ｖｒｍｓ及び電流実効値信号Ｉｒｍｓを用いて、ヒータ抵抗値Ｒを算出する。ヒータ抵抗値Ｒは、電圧実効値信号Ｖｒｍｓに示される電圧実効値を、電流実効値信号Ｉｒｍｓに示される電流実効値で除算することによって算出される。電圧実効値は、例えば、電圧実効値信号Ｖｒｍｓに示される一つの値であってもよいし、電圧実効値信号Ｖｒｍｓに示される複数の値の平均値であってもよい。電流実効値は、例えば、電流実効値信号Ｉｒｍｓに示される一つの値であってもよいし、電流実効値信号Ｉｒｍｓに示される複数の値の平均値であってもよい。

変換部７８は、算出部７７によって算出されたヒータ抵抗値Ｒを、ヒータ温度Ｔに変換する。例えば、例えば、ヒータ抵抗値Ｒからヒータ温度Ｔを算出するための多項式を用いてヒータ温度Ｔが算出されてよい。ヒータ抵抗値Ｒとヒータ温度Ｔとを対応付けて記述したデータテーブルを参照してヒータ温度Ｔが算出されてもよい。なお、ヒータ温度Ｔに応じて変化するヒータ抵抗値Ｒの範囲はかなり狭く（例えば１％程度）、ヒータ抵抗値Ｒの算出は、ノイズ等の外乱の影響を受けやすい。この意味においても、ヒータ抵抗値Ｒの算出精度を向上させることは、ヒータ温度Ｔの制御精度を向上させるために重要である。

比較制御部７９は、変換部７８の変換結果であるヒータ温度Ｔと、設定値ＳＶとを比較する。設定値ＳＶは、ヒータ抵抗器２５３ａの目標温度であり、例えばヒータ制御部７０の外部から与えられる。比較結果の例は、ヒータ温度Ｔと設定値ＳＶとの差分である。比較制御部７９は、比較結果に基づいて、スイッチ７２を制御する。例えば、比較制御部７９は、比較結果に示される上述の差分が小さくなるように、スイッチ７２の通電期間を制御する。例えばスイッチ７２がトライアックの場合、比較制御部７９は、通電期間を制御するためのゲートトリガ電圧を生成し、トライアックに供給する。

以上のようにして、制御部７５は、出力電圧Ｖ及び出力電流Ｉを用いて、ヒータ温度Ｔを制御する。制御部７５は、例えばＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等を用いて実現される。この場合、算出部７６、算出部７７、変換部７８及び比較制御部７９がＦＰＧＡで実現されてよい。算出部７６、算出部７７及び変換部７８がＦＰＧＡで実現され、比較制御部７９がＣＰＵで実現されてもよい。

以上説明したヒータ制御部７０において、ＡＤ変換器７３ｄによって出力される出力電圧Ｖは、ＡＤ変換器７３ｄのノイズを含む。ＡＤ変換器７４ｄによって出力される出力電流Ｉは、ＡＤ変換器７４ｄのノイズを含む。ＡＤ変換器のノイズについて、図４及び図５を参照して説明する。

図４は、ＡＤ変換器のノイズを模式的に示す図である。グラフの横軸は出力回数を示し、グラフの縦軸は出力値（カウント値）を示す。ここでは、ＡＤ変換器の出力値の範囲は、０～２１５００とする。ＡＤ変換器の入力は０であり、これは、例えばＡＤ変換器の一対の入力端子をショートした状態を意味する。図４に示されるように、ＡＤ変換器の入力が０の場合でも、ＡＤ変換器がおよそ±１０の範囲内の値を出力することが分かる。この出力値のバラツキが、ＡＤ変換器のノイズである。

ＡＤ変換器のノイズは正規分布で表される事は既知であるが、これについて、図５を参照して説明する。

図５は、ＡＤ変換器のノイズ分布を模式的に示す図である。グラフの横軸は出力値を示し、グラフの縦軸は出力値の発生頻度を示す。平均値である０を中心とした正規分布に近い態様で出力値が分布していることが分かる。正規分布は、例えば以下の式（１）で表される。μは平均値であり、σは標準偏差である。

ＡＤ変換器のノイズが上記の式（１）のように正規分布で近似されるので、その分散σ^２を小さくすることで出力電圧Ｖと出力電流Ｉが受けるＡＤ変換ノイズの影響を低減できる。これについて、図６を参照して説明する。

図６は、ノイズ影響低減原理を概念的に示す図である。グラフの横軸は出力値を示し、グラフの縦軸は確率密度を示す。グラフ線Ｃ１は、平均値μ＝０．０、分散σ^２＝７．７９５の確率密度分布を示す。グラフ線Ｃ２は、グラフ線Ｃ１の確率密度分布を２乗したうえで、ピークがもともとのグラフ線Ｃ１のピークと揃うように所与の倍率（この例では倍率＝４．４２）を乗じて得られた確率密度分布を示す。グラフ線Ｃ２に示される確率密度分布の幅は、グラフ線Ｃ１に示される確率密度分布の幅よりも小さくなり、したがって、分散σ^２が小さくなっている。

上記の原理に基づけば、ＡＤ変換器の出力結果から得られる複数の値を示すディジタル信号と、正規分布信号との乗算等によって、ＡＤ変換器のノイズの影響を低減できる。ディジタル信号の例は、前述の電圧実効値信号Ｖｒｍｓ及び電流実効値信号Ｉｒｍｓである。正規分布信号の例は、ホワイトノイズ（白色雑音）を含むノイズ信号である。例えば、ディジタル信号と同じ（あるいは同程度の）ピークを有するとともにホワイトノイズを含むノイズ信号を準備し、ディジタル信号とそのノイズ信号とを乗算して平方根することで、ディジタル信号に含まれるＡＤ変換器のノイズの影響を低減することができる。ノイズの影響が低減されたディジタル信号の例が図７に示される。図７に示されるように、図４よりも、出力値のバラツキが抑制される。

図３に戻り、算出部７６は、上述の原理を利用して、ＡＤ変換器７３ｄのノイズの影響及びＡＤ変換器７４ｄのノイズの影響を低減する。算出部７６の詳細について、図８を参照して説明する。

図８は、算出部の機能ブロックの例を示す図である。図８の下側に示されるように、出力電圧Ｖに関する要素として、算出部７６は、実効値算出部７６１Ｖと、平均値算出部７６２Ｖと、ノイズ生成部７６３Ｖと、加算部７６４Ｖと、乗算部７６５Ｖと、平方根算出部７６６Ｖとを含む。

実効値算出部７６１Ｖは、出力電圧Ｖから、電圧実効値信号Ｖｒｍｓを算出する。実効値算出部７６１Ｖによって算出された電圧実効値信号Ｖｒｍｓの例が、図９に示される。ＡＤ変換器７３ｄの出力する出力電圧Ｖから算出された電圧実効値信号Ｖｒｍｓは、ＡＤ変換器７３ｄのノイズ（に起因するノイズ）を含むため、バラつきを有する。実効値算出部７６１Ｖによって算出された電圧実効値信号Ｖｒｍｓは、平均値算出部７６２Ｖ及び乗算部７６５Ｖに送られる。

平均値算出部７６２Ｖは、実効値算出部７６１Ｖによって算出された電圧実効値信号Ｖｒｍｓの平均値を算出する。平均値の例は、移動平均値である。実効値算出部７６１Ｖによって算出される平均値を、平均値Ｖａと称し図示する。

ノイズ生成部７６３Ｖは、正規分布ノイズを生成する。正規分布ノイズの例は、前述のホワイトノイズである。ノイズ生成部７６３Ｖによって生成された正規分布ノイズを、正規分布ノイズＶｎと称し図示する。正規分布ノイズＶｎの平均値は、例えば０又は０付近の値に設定されてよい。正規分布ノイズＶｎの分散は、ＡＤ変換器７３ｄのノイズの分散と同程度かそれよりも小さい値に設定されてよい。

加算部７６４Ｖは、平均値算出部７６２Ｖによって算出された平均値Ｖａと、ノイズ生成部７６３Ｖによって生成された正規分布ノイズＶｎとを加算する。これにより、平均値Ｖａに正規分布ノイズＶｎが重畳されたノイズ信号Ｖａ＋Ｖｎが生成される。生成されたノイズ信号Ｖａ＋Ｖｎの例が、図１０に示される。ノイズ信号Ｖａ＋Ｖｎは、電圧実効値信号Ｖｒｍｓとほぼ同じピークを有する。加算部７６４Ｖによって生成されたノイズ信号Ｖａ＋Ｖｎは、乗算部７６５Ｖに送られる。

乗算部７６５Ｖは、電圧実効値信号Ｖｒｍｓと、加算部７６４Ｖによって生成されたノイズ信号Ｖａ＋Ｖｎとを乗算する。この乗算は、電圧実効値信号Ｖｒｍｓとノイズ信号Ｖａ＋Ｖｎとの合成の一態様である。乗算結果は、電圧実効値信号Ｖｒｍｓとノイズ信号Ｖａ＋Ｖｎとの合成結果の一態様である。乗算結果は、平方根算出部７６６Ｖに送られる。

平方根算出部７６６Ｖは、乗算部７６５Ｖの乗算結果を平方根することによって、電圧実効値信号Ｖｒｍｓを改めて算出する。この平方根の算出も、電圧実効値信号Ｖｒｍｓとノイズ信号Ｖａ＋Ｖｎとの合成の一態様である。算出結果は、電圧実効値信号Ｖｒｍｓとノイズ信号Ｖａ＋Ｖｎとの合成結果の一態様である。この合成結果に基づく電圧実効値信号Ｖｒｍｓでは、前述のノイズ影響低減原理により、ＡＤ変換器７３ｄのノイズの影響が低減されている。ノイズの影響が低減された電圧実効値信号Ｖｒｍｓの例が、図１１に示される。すなわち、図１１に例示されるように、図９と比較して、電圧値のバラツキが低減される。ノイズ影響低減後の電圧実効値信号Ｖｒｍｓが、先に図３を参照して説明した算出部７７に送られる。

図８の上側に示されるように、出力電流Ｉに関連する要素として、算出部７６は、実効値算出部７６１Ｉと、平均値算出部７６２Ｉと、ノイズ生成部７６３Ｉと、加算部７６４Ｉと、乗算部７６５Ｉと、平方根算出部７６６Ｉとを含む。これらについては、上述の実効値算出部７６１Ｖ、平均値算出部７６２Ｖ、ノイズ生成部７６３Ｖ、加算部７６４Ｖ、乗算部７６５Ｖ及び平方根算出部７６６Ｖと同様であるので、説明は省略する。関連する符号について説明すると、平均値算出部７６２Ｉによって算出された平均値を、平均値Ｉａと称し図示する。ノイズ生成部７６３Ｉによって生成されたノイズを、正規分布ノイズＩｎと称し図示する。加算部７６４Ｉによって生成された信号を、ノイズ信号Ｉａ＋Ｉｎと称し図示する。

以上説明した基板処理装置１では、算出部７６により、電圧実効値信号Ｖｒｍｓに含まれるＡＤ変換器７３ｄのノイズ及び電流実効値信号Ｉｒｍｓに含まれるＡＤ変換器７４ｄのノイズの影響が低減される。その結果、後段の算出部７７による電圧実効値信号Ｖｒｍｓ及び電流実効値信号Ｉｒｍｓを用いたヒータ抵抗値Ｒの算出精度、変換部７８によるヒータ温度Ｔの変換精度、ひいては比較制御部７９によるヒータ温度Ｔの制御精度が向上する。

図１２は、基板処理装置において実行される処理（ノイズ影響低減方法）の例を示すフローチャートである。

ステップＳ１において、ＡＤ変換器を用いて電圧及び電流のディジタル値を取得する。すなわち、先に図３を参照して説明したように、ＡＤ変換器７３ｄを用いて出力電圧Ｖを取得し、ＡＤ変換器７４ｄを用いて出力電流Ｉを取得する。

ステップＳ２において、ディジタル信号と、ノイズ信号との合成結果に基づいて、実効値信号を算出する。すなわち、先に図８の下側を参照して説明したように、実効値算出部７６１Ｖを用いて、電圧実効値信号Ｖｒｍｓ（ディジタル信号の一例）を算出する。平均値算出部７６２Ｖ、ノイズ生成部７６３Ｖ及び加算部７６４Ｖを用いて、ノイズ信号Ｖａ＋Ｖｎを生成する。乗算部７６５Ｖを用いて、電圧実効値信号Ｖｒｍｓと、ノイズ信号Ｖａ＋Ｖｎとを乗算する。平方根算出部７６６Ｖを用いて、乗算部７６５Ｖの乗算結果を平方根することにより、改めて電圧実効値信号Ｖｒｍｓを算出する。同様に、先に図８の上側を参照して説明したように、電流実効値信号Ｉｒｍｓを算出する。

ステップＳ３において、ヒータ抵抗値Ｒを算出する。すなわち、先に図３を参照して説明したように、算出部７７を用いて、先のステップＳ２で算出された電圧実効値信号Ｖｒｍｓ及び電流実効値信号Ｉｒｍｓからヒータ抵抗値Ｒを算出する。

ステップＳ４において、ヒータ抵抗値Ｒをヒータ温度Ｔに変換する。すなわち、先に図３を参照して説明したように、変換部７８を用いて、先のステップＳ３で算出されたヒータ抵抗値Ｒをヒータ温度Ｔに変換する。

ステップＳ５において、ヒータ温度Ｔを制御する。すなわち、先に図３を参照して説明したように、比較制御部７９を用いて、先のステップＳ４で変換されたヒータ温度Ｔが設定値ＳＶに近づくように、スイッチ７２を制御する。

以上の処理によれば、ステップＳ２において、電圧実効値信号Ｖｒｍｓに含まれるＡＤ変換器７３ｄのノイズの影響及び電流実効値信号Ｉｒｍｓに含まれるＡＤ変換器７４ｄのノイズの影響が低減される。その結果、後のステップＳ３でのヒータ抵抗値Ｒの算出精度、ステップＳ４でのヒータ温度Ｔの変換精度、ひいてはステップＳ５でのヒータ温度Ｔの制御精度が向上する。

以上説明した実施形態は、全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。上記実施形態は、多様な形態で具現化され得る。上記実施形態は、請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてよい。

上記実施形態では、算出部７６において、乗算部７６５Ｖによる乗算及び平方根算出部７６６Ｖによる平方根の算出が１回だけ行われる例について説明した。乗算部７６５Ｉ及び平方根算出部７６６Ｉについても同様である。ただし、これらの乗算及び算出が２回以上繰り返し行われてもよい。これについて、図１３を参照して説明する。

図１３は、算出部の機能ブロックの例を示す図である。図１３の下側に示されるように、出力電圧Ｖに関して、算出部７６Ａは、算出部７６（図８）と比較して、ノイズ生成部７６３Ｖに代えてノイズ生成部７６３ＶＡを含む点、並びに、乗算部７６５Ｖ－２、平方根算出部７６６Ｖ－２、乗算部７６５Ｖ－３、平方根算出部７６６Ｖ－３、乗算部７６５Ｖ－４及び平方根算出部７６６Ｖ－４をさらに含む点において相違する。

ノイズ生成部７６３ＶＡは、正規分布ノイズＶｎの他に、正規分布ノイズＶｎ２、正規分布ノイズＶｎ３及び正規分布ノイズＶｎ４を生成する。正規分布ノイズＶｎ、正規分布ノイズＶｎ２、正規分布ノイズＶｎ３及び正規分布ノイズＶｎ４の分散をそれぞれ分散σ^２ｎ、分散σ^２ｎ_２、分散σ^２ｎ_３、分散σ^２ｎ_４とすると、分散σ^２ _ｎ＞分散σ^２ _ｎ２＞分散σ^２ｎ_３＞分散σ^２ｎ_４となるように各分散値が設定されてよい。

乗算部７６５Ｖ－２は、平方根算出部７６６Ｖの算出結果と、ノイズ信号Ｖａ＋Ｖｎ２とを乗算する。平方根算出部７６６Ｖ－２は、乗算部７６５Ｖ－２の乗算結果の平方根を算出する。乗算部７６５Ｖ－３は、平方根算出部７６６Ｖ－２の算出結果と、ノイズ信号Ｖａ＋Ｖｎ３とを乗算する。平方根算出部７６６Ｖ－３は、乗算部７６５Ｖ－３の乗算結果の平方根を算出する。乗算部７６５Ｖ－４は、平方根算出部７６６Ｖ－３の算出結果と、ノイズ信号Ｖａ＋Ｖｎ４とを乗算する。平方根算出部７６６Ｖ－４は、乗算部７６５Ｖ－４の乗算結果の平方根を算出する。

このようにして、乗算部による乗算と平方根算出部による算出とが複数回（この例では４回）繰り返し実行される。繰り返し処理を経ることで、処理が１回だけ実行される場合よりも、ノイズの影響をさらに低減させることができる。これについて、図１４を参照して説明する。

図１４は、繰り返し処理によるノイズ影響低減の例を示す図である。グラフの横軸は、半波実効値計算の試行回数を示す。グラフの縦軸は、電圧値を示す。グラフ線Ｄ１は、処理前の電圧値、すなわち実効値算出部７６１Ｖの算出結果から得られる電圧値を示す。グラフ線Ｄ１は、処理が１回だけ実行された場合の電圧値、すなわち平方根算出部７６６Ｖの算出結果から得られる電圧値を示す。グラフ線Ｄ２は、処理が２回実行された場合の電圧値、すなわち平方根算出部７６６Ｖ－２の算出結果から得られる電圧値を示す。グラフ線Ｄ３は、処理が３回実行された場合の電圧値、すなわち平方根算出部７６６－３Ｖの算出結果から得られる電圧値を示す。グラフ線Ｄ４は、処理が４回実行された場合の電圧値、すなわち平方根算出部７６６Ｖ－４の算出結果から得られる電圧値を示す。繰り返し処理の回数が増加するにつれて、電圧値のバラツキが小さくなりノイズの影響が低減されることが分かる。

図１３に戻り、図１３の上側に示されるように、出力電流Ｉに関して、算出部７６Ａは、算出部７６（図８）と比較して、ノイズ生成部７６３Ｉに代えてノイズ生成部７６３ＩＡを含む点、並びに、乗算部７６５Ｉ－２、平方根算出部７６６Ｉ－２、乗算部７６５Ｉ－３、平方根算出部７６６Ｉ－３、乗算部７６５Ｉ－４及び平方根算出部７６６Ｉ－４をさらに含む点において相違する。これらについては、上述の乗算部７６５Ｖ－２、平方根算出部７６６Ｖ－２、乗算部７６５Ｖ－３、平方根算出部７６６Ｖ－３、乗算部７６５Ｖ－４及び平方根算出部７６６Ｖ－４と同様であるので、説明は省略する。関連する符号について説明すると、ノイズ生成部７６３ＩＡによって生成されたノイズを、正規分布ノイズＩｎ、正規分布ノイズＩｎ２、正規分布ノイズＩｎ３及び正規分布ノイズＩｎ４と称し図示する。これらの分散の大小関係は、正規分布ノイズＶｎ、正規分布ノイズＶｎ２、正規分布ノイズＶｎ３及び正規分布ノイズＶｎ４と同様に設定されてよい。

なお、繰り返し処理の実行回数は、図１３に例示される４回に限らず、２回、３回又は５回以上の任意の数であってよい。

上記実施形態では、電圧実効値信号Ｖｒｍｓ及び電流実効値信号Ｉｒｍｓの両方のノイズの影響を低減する例について説明した。ただし、電圧実効値信号Ｖｒｍｓ及び電流実効値信号Ｉｒｍｓの一方のノイズの影響だけを低減してもよい。これについて、図１５及び図１６を参照して説明する。

図１５に例示される算出部７６Ｂは、算出部７６（図８）と比較して、平均値算出部７６２Ｉ、ノイズ生成部７６３Ｉ、加算部７６４Ｉ、乗算部７６５Ｉ及び平方根算出部７６６Ｉを備えない点において相違する。電圧実効値信号Ｖｒｍｓは、これまで説明したようにノイズの影響が低減された後、算出部７７（図３）に送られる。電流実効値信号Ｉｒｍｓは、ノイズの影響が低減されることなく、算出部７７に送られる。この場合でも、電圧実効値信号Ｖｒｍｓのノイズの影響が低減される分だけ、ヒータ温度Ｔの制御精度が向上する。

図１６に例示される算出部７６Ｃは、算出部７６（図８）と比較して、平均値算出部７６２Ｖ、ノイズ生成部７６３Ｖ、加算部７６４Ｖ、乗算部７６５Ｖ及び平方根算出部７６６Ｖを備えない点において相違する。電圧実効値信号Ｖｒｍｓは、ノイズの影響が低減されることなく、算出部７７（図３）に送られる。電流実効値信号Ｉｒｍｓは、これまで説明したようにノイズの影響が低減された後、算出部７７に送られる。この場合でも、電流実効値信号Ｉｒｍｓのノイズの影響が低減される分だけ、ヒータ温度Ｔの制御精度が向上する。

上記実施形態では、ヒータ抵抗値Ｒの算出用電圧及び算出用電流が、電圧実効値及び電流実効値である例について説明した。ただし、電圧及び電流の実効値に限らず、ヒータ抵抗値Ｒを算出可能なあらゆる形態の電圧及び電流が算出用電圧及び算出用電流として用いられてよい。ノイズ影響低減対象であるディジタル信号も、電圧実効値信号Ｖｒｍｓ及び電流実効値信号Ｉｒｍｓに限らず、算出用電圧及び算出用電流の形態に応じたさまざまな形態の信号であってよい。

上記実施形態では、交流電源７１が商用電源である例について説明した。ただし、商用電源に限らず、ヒータ抵抗器２５３ａの加熱用電力を供給可能なさまざまな電源が、交流電源７１として用いられてよい。

上記実施形態では、ヒータ制御部７０の制御対象が、静電チャック２５に設けられたヒータ２５３である例について説明した。ただし、基板処理装置１内のあらゆる箇所に設けられうるヒータが、ヒータ制御部７０の制御対象に含まれてよい。

上記実施形態では、基板処理装置１の処理対象がウエハＷのような半導体基板である例について説明した。ただし、基板処理装置１の処理対象は半導体基板に限定されない。例えば、液晶、有機ＥＬ等の基板も、基板処理装置１の処理対象となりうる。

以上説明した基板処理装置１は、例えば次のように特定される。なお、以下では、ＡＤ変換器７３ｄ及び／又はＡＤ変換器７４ｄを、ＡＤ変換器７３ｄ等と称する。出力電圧Ｖ及び／出力電流Ｉを、出力電圧Ｖ等と称する。電圧実効値信号Ｖｒｍｓ及び／又は電流実効値信号Ｉｒｍｓを、電圧実効値信号Ｖｒｍｓ等と称する。平均値Ｖａ及び／又は平均値Ｉａを、平均値Ｖａ等と称する。正規分布ノイズＶｎ及び／又は正規分布ノイズＩｎを、正規分布ノイズＶｎ等と称する。ノイズ信号Ｖａ＋Ｖｎ及び／又はノイズ信号Ｉａ＋Ｉｎを、ノイズ信号Ｖａ＋Ｖｎ等と称する。

図１～図１６等を参照して説明したように、基板処理装置１は、ＡＤ変換器７３ｄ等と、制御部７５とを備える。ＡＤ変換器７３ｄ等は、ヒータ抵抗器２５３ａに印可される電圧及びヒータ抵抗器２５３ａを流れる電流のディジタル値（出力電圧Ｖ等）を出力する。制御部７５は、ＡＤ変換器７３ｄ等の出力結果から得られる、ヒータ抵抗器２５３ａの抵抗値（ヒータ抵抗値Ｒ）を算出するための算出用電圧及び算出用電流（例えば電圧実効値及び電流実効値）を用いて、ヒータ抵抗器２５３ａの温度（ヒータ温度Ｔ）を制御する。制御部７５は、ＡＤ変換器７３ｄ等の出力結果から得られるディジタル信号（例えば電圧実効値信号Ｖｒｍｓ等）と、正規分布ノイズＶｎ等（例えばホワイトノイズ）を含むノイズ信号Ｖａ＋Ｖｎ等との合成結果に基づいて、算出用電圧及び算出用電流の少なくとも一方を算出する。

上記の基板処理装置１では、ＡＤ変換器７３ｄ等の出力結果から得られるディジタル信号と、ノイズ信号Ｖａ＋Ｖｎ等との合成結果に基づいて、ヒータ抵抗器２５３ａの抵抗値を算出するための算出用電圧及び算出用電流の少なくとも一方が算出される。これにより、算出用電圧及び算出用電流の少なくとも一方に含まれるＡＤ変換器７３ｄ等のノイズの影響が低減される。その結果、ヒータ抵抗器２５３ａの抵抗値の算出精度、ひいては、ヒータ抵抗器２５３ａの温度の制御精度を向上させることができる。

図８等を参照して説明したように、ノイズ信号Ｖａ＋Ｖｎ等は、ディジタル信号の平均値Ｖａ等に正規分布ノイズＶｎ等が重畳されたノイズ信号Ｖａ＋Ｖｎ等であり、制御部７５による算出は、ディジタル信号の平均値Ｖａ等と、正規分布ノイズＶｎ等との加算を含んでよい。これにより、ディジタル信号との合成に適した、ディジタル信号とほぼ同じ大きさのピークを有するノイズ信号を生成することができる。

図８等を参照して説明したように、制御部７５による算出は、ディジタル信号と、ノイズ信号Ｖａ＋Ｖｎ等との乗算を含んでよい。制御部７５による算出は、ディジタル信号と、ノイズ信号Ｖａ＋Ｖｎ等との乗算結果の平方根の算出を含んでもよい。例えばこのようにして、ディジタル信号とノイズ信号とを合成することができる。

図１３等を参照して説明したように、制御部７５による算出は、ディジタル信号と、ノイズ信号Ｖａ＋Ｖｎ等との乗算及び乗算結果の平方根の算出それぞれの繰り返しを含んでよい。繰り返しの数が増加するにつれて、ノイズ信号に含まれる正規分布ノイズＶｎ等の分散σ^２が小さくなってよい。このような繰り返し処理を実行することで、ノイズの影響をさらに低減することができる。

図１等を参照して説明したように、ヒータ抵抗器２５３ａは、基板（例えばウエハＷ）の載置台２０に設けられてよい。ヒータ抵抗器２５３ａは、載置台２０に含まれる静電チャック２５に埋め込まれてもよい。これにより、基板を支持する載置台２０、また、載置台２０上に基板を保持する静電チャック２５の温度を制御することができる。

図１３等を参照して説明したノイズ影響低減方法も、本開示の一態様である。すなわち、ノイズ影響低減方法は、ヒータ抵抗器２５３ａに印可される電圧、及び、ヒータ抵抗器２５３ａを流れる電流を、ＡＤ変換器７３ｄ等を用いてディジタル値で取得するステップＳ１と、ステップＳ１の取得結果から得られるディジタル信号と、正規分布ノイズＶｎ等を含むノイズ信号Ｖａ＋Ｖｎ等との合成結果に基づいて、ヒータ抵抗器２５３ａの抵抗値を算出するための算出用電圧及び算出用電流の少なくとも一方を算出するステップＳ２とを含む。この方法によれば、これまで説明したように、算出用電圧及び算出用電流の少なくとも一方に含まれるＡＤ変換器７３ｄ等のノイズの影響を低減することができる。したがって、ヒータ抵抗器２５３ａの温度の制御精度を向上させることができる。

１ 基板処理装置
２０ 載置台
２５ 静電チャック
７３ｄ ＡＤ変換器
７４ｄ ＡＤ変換器
７５ 制御部
７６ 算出部
７７ 算出部
７８ 変換部
７９ 比較制御部
２５３ａ ヒータ抵抗器
７６１Ｖ 実効値算出部
７６２Ｖ 平均値算出部
７６３Ｖ ノイズ生成部
７６４Ｖ 加算部
７６５Ｖ 乗算部
７６６Ｖ 平方根算出部
７６１Ｉ 実効値算出部
７６２Ｉ 平均値算出部
７６３Ｉ ノイズ生成部
７６４Ｉ 加算部
７６５Ｉ 乗算部
７６６Ｉ 平方根算出部

Claims (11)

1. ヒータ抵抗器に印可される電圧及び前記ヒータ抵抗器を流れる電流のディジタル値を出力するＡＤ変換器と、
   前記ＡＤ変換器の出力結果から得られる、前記ヒータ抵抗器の抵抗値を算出するための算出用電圧及び算出用電流を用いて、前記ヒータ抵抗器の温度を制御する制御部と、
   備え、
   前記制御部は、前記ＡＤ変換器の出力結果から得られるディジタル信号と、正規分布ノイズを含むノイズ信号との合成結果に基づいて、前記算出用電圧及び算出用電流の少なくとも一方を算出する、
   基板処理装置。
2. 前記ノイズ信号は、前記ディジタル信号の平均値に前記正規分布ノイズが重畳されたノイズ信号であり、
   前記制御部による前記算出は、前記ディジタル信号の平均値と、前記正規分布ノイズとの加算を含む、
   請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記制御部による前記算出は、前記ディジタル信号と、前記ノイズ信号との乗算を含む、
   請求項１又は２に記載の基板処理装置。
4. 前記制御部による前記算出は、前記ディジタル信号と、前記ノイズ信号との乗算結果の平方根の算出を含む、
   請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
5. 前記ディジタル信号は、実効値信号である、
   請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
6. 前記制御部による前記算出は、前記ディジタル信号と、前記ノイズ信号との乗算及び乗算結果の平方根の算出それぞれの繰り返しを含む、
   請求項１～５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
7. 前記繰り返しの数が増加するにつれて、前記ノイズ信号に含まれる前記正規分布ノイズの分散が小さくなる、
   請求項６に記載の基板処理装置。
8. 前記正規分布ノイズは、ホワイトノイズである、
   請求項１～７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
9. 前記ヒータ抵抗器は、基板の載置台に設けられる、
   請求項１～８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
10. 前記ヒータ抵抗器は、載置台に含まれる静電チャックに埋め込まれる、
    請求項９に記載の基板処理装置。
11. ヒータ抵抗器に印可される電圧、及び、前記ヒータ抵抗器を流れる電流を、ＡＤ変換器を用いてディジタル値で取得するステップと、
    前記取得するステップの取得結果から得られるディジタル信号と、正規分布ノイズを含むノイズ信号との合成結果に基づいて、前記ヒータ抵抗器の抵抗値を算出するための算出用電圧及び算出用電流の少なくとも一方を算出するステップと、
    を含む、
    ノイズ影響低減方法。

Images