JP6990987B2 - フレキシブル配線回路基板、その製造方法および撮像装置 - Google Patents
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Description
式(1):
1.撮像素子実装基板
本発明のフレキシブル配線回路基板の一実施形態である撮像素子実装基板1(以下、単に実装基板1とも略する。)を説明する。
式(A)で示される芳香族ジアミンとして、例えば、ベンジジンなどが挙げられる。
(式B):
Rで示される置換基は、1価の有機基であるがそれらは互いに結合していてもよい。Rで示される置換基としては、例えば、メチルなどの炭素数3以下のアルキル基、トリフルオロメチル、パーフルオロエチル、パーフルオロプロピルなどの炭素数3以下のハロアルキル基(好ましくは、フルオロアルキル基)、例えば、クロロ、フルオロなどのハロゲン原子などが挙げられる。Rで示される置換基として、好ましくは、ハロアルキル基、より好ましくは、フルオロアルキル基が挙げられる。置換基を有し、式(B)で示される芳香族ジアミンの具体例としては、例えば、2,2’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、2,2’-ジトリフルオロメチル-4,4’-ジアミノビフェニル(別称:2,2’-ビス(トリフルオロメチル、TFMB)-4,4’-ジアミノビフェニル)、3,3’-ジクロロ-4,4’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジメトキシ-4,4’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニルが挙げられる。
式(1):
式(2):
xは、好ましくは、20以上、また、好ましくは、50以下である。
実装基板1は、図3A~図3Dに示すように、例えば、金属支持体用意工程、ベース絶縁層形成工程、導体パターン形成工程、カバー絶縁層形成工程、および、金属支持体除去工程を順に実施することにより、得られる。
次に、本発明の撮像装置の一例として、実装基板1を備える撮像装置20を説明する。
変形例において、一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
2,2’-ビス(トリフルオロメチル)-4,4’-ジアミノビフェニル(TFMB、ハロアルキル基を置換基として有する芳香族ジアミン)4.0g(20mmol)とp-フェニレンジアミン(PPD、芳香族ジアミン)8.65g(80mmol)とを500mlのセパラブルフラスコに投入し、200gの脱水されたN-メチル-2-ピロリドン(NMP)に溶解させ窒素気流下、オイルバスによって液温が50℃になるように熱電対でモニターし加熱しながら撹拌した。それらが完全に溶解したことを確認した後、そこへ、30分かけて3,3’、4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA、芳香族酸二無水物)29.4g(100mmol)をセパラブルフラスコに配合した後、50℃で5時間撹拌した、その後室温まで冷却し、ポリイミド前駆体溶液Aを得た。
2,2’-ビス(トリフルオロメチル)-4,4’-ジアミノビフェニル(TFMB)4.0g(20mmol)とp-フェニレンジアミン(PPD)8.65g(80mmol)とに代えて、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル(ODA、4,4'-オキシビス(ベンゼンアミン)、芳香族ジアミン)3.0g(15mmol)とパラフェニレンジアミン(PPD、芳香族ジアミン)9.19g(85mmol)とに変更した以外は、製造例1と同様に処理して、ポリイミド前駆体溶液B、続いて、感光性ポリイミド前駆体溶液Bを調製した。
図3Aに示すように、厚み18μmのステンレスからなる金属支持体19を用意した。
式(2):
実施例2、3および比較例1
各層の処方、厚み、加熱温度等を表1に記載に基づいて変更した以外は、実施例1と同様にして、実装基板1を得た。
式(3):
実施例4
ベース絶縁層4、導体パターン5、カバー絶縁層6、シールド層40および第2カバー絶縁層31を順に備える実装基板1を得た。
ベース絶縁層4と同様にして、厚み2μmのポリイミドから第2カバー絶縁層31を形成した。
金属支持体19を除去させず、金属支持体19を備える実装基板1を製造した以外は、実施例2と同様に処理した。
金属支持体19を除去させず、金属支持体19を備える実装基板1を製造した以外は、比較例1と同様に処理した。
各実施例および各比較例の実装基板1について、以下の項目を評価した。その結果を表1に記載する。
各実施例および各比較例の実装基板1のベース絶縁層4およびカバー絶縁層6の湿度膨張係数を測定した。
実装基板1の反りを測定した。
4 ベース絶縁層
5 導体パターン
6 カバー絶縁層
10 撮像素子接続端子
11 外部部品接続端子
20 撮像装置
21 撮像素子
31 第2カバー絶縁層
40 シールド層
50 基板集合体シート
T1 ベース絶縁層の厚み
T2 カバー絶縁層の厚み
T3 第2カバー絶縁層の厚み
Claims (9)
- ベース絶縁層と、導体パターンと、カバー絶縁層とを厚み方向一方側に向かって順に備え、
前記導体パターンは、前記ベース絶縁層の厚み方向一方面に接触し、
前記カバー絶縁層は、前記導体パターンの厚み方向一方面および側面と、前記導体パターンの周囲の前記ベース絶縁層の厚み方向一方面とに接触し、
前記ベース絶縁層の厚み方向他方面の全ては、厚み方向他方側に向かって露出し、
前記ベース絶縁層および前記カバー絶縁層の総厚みが、16μm以下であり、
少なくとも前記ベース絶縁層は、15×10-6/%RH以下の吸湿膨張係数を有する絶縁材料を含有することを特徴とする、フレキシブル配線回路基板。 - 前記導体パターンは、前記ベース絶縁層から厚み方向他方側に露出する端子を有することを特徴とする、請求項1または2に記載のフレキシブル配線回路基板。
- 前記導体パターンの一部は、前記カバー絶縁層から厚み方向一方側に露出することを特徴とする、請求項1~3のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板。
- シールド層と、第2カバー絶縁層とをさらに備え、
前記ベース絶縁層と、前記導体パターンと、前記カバー絶縁層と、前記シールド層と、前記第2カバー絶縁層とを、厚み方向一方側に向かって順に備え、
前記ベース絶縁層、前記カバー絶縁層および前記第2カバー絶縁層の総厚みが、16μm以下であることを特徴とする、請求項1~4のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板。 - 前記第2カバー絶縁層は、15×10-6/%RH以下の吸湿膨張係数を有する絶縁材料を含有することを特徴とする、請求項5に記載のフレキシブル配線回路基板。
- 撮像素子を実装するための撮像素子実装基板であることを特徴とする、請求項1~6のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板。
- 請求項7に記載される撮像素子実装基板と、
前記撮像素子実装基板に実装される撮像素子と
を備えることを特徴とする、撮像装置。 - 請求項1~7のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板の製造方法であって、
金属支持基板を用意する工程、
前記金属支持基板の厚み方向一方側に、ベース絶縁層と、導体パターンと、カバー絶縁層とを順に形成する工程、および、
前記金属支持基板を除去する工程
を備えることを特徴とする、フレキシブル配線回路基板の製造方法。
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