TWI660649B - 可撓性電路基板以及電子設備 - Google Patents

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TWI660649B
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Abstract

一種能防止佈線電路的斷線或開裂、具有優異的耐彎折性的可撓性電路基板及電子設備。可撓性電路基板包括：聚醯亞胺絕緣層；電路佈線層，設於聚醯亞胺絕緣層的至少其中一面；以及覆蓋層，層疊於電路佈線層上；且聚醯亞胺絕緣層的厚度在10 μm～14 μm、或在23 μm～27 μm；構成電路佈線層的銅佈線的厚度在10 μm～14 μm，且銅佈線的容積比率為85%以上；當聚醯亞胺絕緣層的厚度在10 μm～14 μm時，將覆蓋層設為內側進行彎折時的等效抗彎剛度在0.03 N·m2 ～0.04 N·m2 ，當聚醯亞胺絕緣層的厚度在23 μm～27 μm時，將覆蓋層設為內側進行彎折時的等效抗彎剛度在0.07 N·m2 ～0.10 N·m2 。

Description

可撓性電路基板以及電子設備
本發明有關於一種可撓性電路基板（Flexible Printed Circuit，FPC），詳細而言，有關於一種折疊收納於電子設備的殼體內而使用的可撓性電路基板以及電子設備。
近年來，手機、筆記型電腦、數位相機（digital camera）、遊戲機等所代表的電子設備急速發展小型化、薄型化、輕量化，從而對於它們所使用的材料，期望在小空間內也能夠收納零件的高密度且高性能的材料。可撓性電路基板中，隨著智慧型手機（smart phone）等高性能小型電子設備的普及，零件收納的高密度化也有所發展，所以較目前為止更需要在更窄的殼體內收納可撓性電路基板。因此，對於作為可撓性電路基板的材料的可撓性覆銅層疊板，也需求從材料方面提高耐彎折性。以下，本說明書中，有將以FPC的上表面側大致翻轉180℃而成為下表面側的方式進行彎折的情況稱為“卷邊”的情況。
作為意圖應用於這種用途的技術，專利文獻1中提出有如下技術：藉由對可撓性覆銅層疊板中所使用的聚醯亞胺基底膜或覆蓋膜（cover film）的彈性模量進行控制，使可撓性電路基板的總剛度（stiffness）降低，由此，使耐彎折性提高。然而，僅對聚醯亞胺或覆蓋膜的特性進行控制，對於折疊收納於電子設備內的嚴格的彎曲模式（mode）而言並不充分，無法提供充分的耐彎折性優異的可撓性電路基板。
另外，專利文獻2中，就在電子設備內高密度化的觀點而言，從銅箔側進行研究，提出有著眼於銅箔的結晶粒徑尺寸而抑制耐回彈（springback）性的熱處理用銅箔。本技術為如下技術：使用在銅箔中添加各種適當的添加劑而成的輥軋銅箔，施加足以使晶粒肥大化的熱量，由此，使結晶粒徑大幅成長，而欲改良銅箔的耐回彈性。
然而，對於智慧型手機所代表的小型電子設備，要求在狹窄的殼體內更高密度地收納FPC。因此，僅利用所述現有技術難以應對更高密度化的要求。 [現有技術文獻]
[專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2007-208087號公報 [專利文獻2]日本專利特開2010-280191號公報
[發明所要解決的問題]
本發明是鑒於所述課題而完成，目的在於提供一種即便在狹窄的殼體內也能夠防止佈線電路的斷線或開裂、且具有優異的耐彎折性的可撓性電路基板以及電子設備。 [解決問題的技術手段]
本發明者們為了解決所述課題而進行努力研究，結果發現，藉由著眼於構成可撓性電路基板的聚醯亞胺絕緣層的厚度、構成電路佈線層的銅佈線的厚度及容積比率（cube rate）、以及可撓性電路基板整體的等效抗彎剛度（equivalent flexural rigidity）的關係，可提供能夠解決所述課題的可撓性電路基板，從而完成本發明。
本發明的可撓性電路基板包括：聚醯亞胺絕緣層（A）；電路佈線層（B），設於所述聚醯亞胺絕緣層（A）的至少其中一面；以及覆蓋層（cover lay）（C），層疊於所述電路佈線層（B）上。而且，本發明的可撓性電路基板的特徵在於具有以下的a～c的構成： a）所述聚醯亞胺絕緣層（A）的厚度在10 μm～14 μm的範圍內、或者在23 μm～27 μm的範圍內； b）構成所述電路佈線層（B）的銅佈線的厚度在10 μm～14 μm的範圍內，且所述銅佈線的容積比率為85%以上；以及 c）當所述聚醯亞胺絕緣層（A）的厚度在10 μm～14 μm的範圍內時，將所述覆蓋層（C）設為內側而進行彎折時的等效抗彎剛度在0.03 N·m2 ～0.04 N·m2 的範圍內， 當所述聚醯亞胺絕緣層（A）的厚度在23 μm～27 μm的範圍內時，將所述覆蓋層（C）設為內側而進行彎折時的等效抗彎剛度在0.07 N·m2 ～0.10 N·m2 的範圍內。
本發明的可撓性電路基板能以將所述覆蓋層（C）設為內側而折疊的狀態收納於電子設備的殼體內而使用。
本發明的電子設備是將所述可撓性電路基板以將所述覆蓋層（C）設為內側而折疊的狀態收納於殼體內。 [發明的效果]
本發明的可撓性電路基板因為能夠顯現出佈線基板所要求的高耐彎折性，所以在電子設備內彎折的狀態下的連接可靠性優異。因此，本發明的可撓性電路基板可以尤其適合用於智慧型手機等的要求小型液晶周圍的彎折部分等的耐彎折性的電子零件。
以下，對本發明的實施方式進行說明。 ＜可撓性電路基板＞ 本實施方式的可撓性電路基板具備：聚醯亞胺絕緣層（A）；電路佈線層（B），設於聚醯亞胺絕緣層（A）的單面或兩面；以及覆蓋層（C），層疊於電路佈線層（B）上。該可撓性電路基板例如藉由如下方式製作：對具備聚醯亞胺絕緣層（A）與銅箔層的可撓性覆銅層疊板的銅箔層進行蝕刻（etching）等而加工佈線電路，形成銅佈線，且貼附覆蓋層（C）。另外，可撓性電路基板中，當在聚醯亞胺絕緣層（A）的兩面設有電路佈線層（B）時，彎折時成為內側的電路佈線層具備後述的構成b即可。這時，覆蓋彎折時成為內側的電路佈線層的覆蓋層相當於後述的構成c的覆蓋層（C）。
＜聚醯亞胺絕緣層（A）＞ 聚醯亞胺絕緣層（A）的厚度在10 μm～14 μm的範圍內、或者在23 μm～27 μm的範圍內（構成a）。如果聚醯亞胺絕緣層（A）的厚度小於10 μm，則可撓性電路基板的等效抗彎剛度下降，其耐卷邊性下降，如果超過27 μm，則使可撓性電路基板彎折時會對銅佈線進一步施加應力，從而有導致其耐卷邊性下降的傾向。
聚醯亞胺絕緣層（A）也可以直接使用市售的聚醯亞胺膜，就絕緣層的厚度或物性的控制容易度而言，較佳為藉由將聚醯胺酸溶液直接塗佈於銅箔上之後，利用熱處理進行乾燥、硬化的所謂流延（塗佈）法而獲得者。另外，聚醯亞胺絕緣層（A）可以僅由單層形成，但如果考慮聚醯亞胺絕緣層（A）與電路佈線層（B）的接著性等，則較佳包含多層。當將聚醯亞胺絕緣層（A）設為多層時，可以在包含不同構成成分的聚醯胺酸溶液上依次塗佈其他聚醯胺酸溶液而形成。當聚醯亞胺絕緣層（A）包含多層時，也可以將同一構成的聚醯亞胺前驅體樹脂使用兩次以上。
對聚醯亞胺絕緣層（A）更詳細地進行說明。如上所述，聚醯亞胺絕緣層（A）較佳設為多層，作為其具體例，較佳將聚醯亞胺絕緣層（A）設為如下層疊構造，即，包含熱膨脹係數小於30×10-6 /K的低熱膨脹性的聚醯亞胺層（i）與熱膨脹係數為30×10-6 /K以上的高熱膨脹性的聚醯亞胺層（ii）。更較佳將聚醯亞胺絕緣層（A）設為在低熱膨脹性的聚醯亞胺層（i）的至少其中一側、較佳為兩側，具有高熱膨脹性的聚醯亞胺層（ii）的層疊構造，且使高熱膨脹性的聚醯亞胺層（ii）直接與電路佈線層（B）相接。這裡，所謂“低熱膨脹性的聚醯亞胺層（i）”，是指熱膨脹係數小於30×10-6 /K、較佳為1×10-6 /K～25×10-6 /K的範圍內、尤其較佳為3×10-6 /K～20×10-6 /K的範圍內的聚醯亞胺層。另外，所謂“高熱膨脹性的聚醯亞胺層（ii）”，是指熱膨脹係數為30×10-6 /K以上的聚醯亞胺層，且是指熱膨脹係數較佳為30×10-6 /K～80×10-6 /K的範圍內、尤其較佳為30×10-6 /K～70×10-6 /K的範圍內的聚醯亞胺層。這種聚醯亞胺層可以藉由對所使用的原料的組合、厚度、乾燥·硬化條件進行適當變更，而製成具有所需的熱膨脹係數的聚醯亞胺層。
形成所述聚醯亞胺絕緣層（A）的聚醯胺酸溶液可以使公知的二胺與酸酐在溶劑的存在下進行聚合而製造。這時，所聚合的樹脂黏度較佳設為例如500 cps以上且35,000 cps以下的範圍內。
作為用作聚醯亞胺的原料的二胺，例如可列舉：4,6-二甲基-間苯二胺、2,5-二甲基-對苯二胺、2,4-二胺基均三甲苯、4,4'-亞甲基二-鄰甲苯胺、4,4'-亞甲基二-2,6-二甲苯胺、4,4'-亞甲基-2,6-二乙基苯胺、2,4-甲苯二胺、間苯二胺、對苯二胺、4,4'-二胺基二苯基丙烷、3,3'-二胺基二苯基丙烷、4,4'-二胺基二苯基乙烷、3,3'-二胺基二苯基乙烷、4,4'-二胺基二苯基甲烷、3,3'-二胺基二苯基甲烷、2,2-雙[4(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、4,4'-二胺基二苯基硫醚、3,3'-二胺基二苯基硫醚、4,4'-二胺基二苯基碸、3,3'-二胺基二苯基碸、4,4'-二胺基二苯基醚、3,3-二胺基二苯基醚、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、聯苯胺、3,3'-二胺基聯苯、3,3'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯、3,3'-二甲氧基聯苯胺、4,4'-二胺基-對三聯苯、3,3'-二胺基-對三聯苯、雙(對胺基環己基)甲烷、雙(對-β-胺基-第三丁基苯基)醚、雙(對-β-甲基-δ-胺基戊基)苯、對-雙(2-甲基-4-胺基戊基)苯、對-雙(1,1-二甲基-5-胺基戊基)苯、1,5-二胺基萘、2,6-二胺基萘、2,4-雙(β-胺基-第三丁基)甲苯、2,4-二胺基甲苯、間二甲苯-2,5-二胺、對二甲苯-2,5-二胺、間伸二甲苯基二胺、對伸二甲苯基二胺、2,6-二胺基吡啶、2,5-二胺基吡啶、2,5-二胺基-1,3,4-噁二唑、呱嗪、2,2'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯、3,7-二胺基二苯并呋喃、1,5-二胺基茀、二苯并對戴奧辛-2,7-二胺、4,4'-二胺基甲苯等。
另外，作為用作聚醯亞胺的原料的酸酐，例如可列舉：均苯四甲酸二酐、3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐、2,2',3,3'-二苯甲酮四羧酸二酐、2,3,3',4'-二苯甲酮四羧酸二酐、萘-1,2,5,6-四羧酸二酐、萘-1,2,4,5-四羧酸二酐、萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、萘-1,2,6,7-四羧酸二酐、4,8-二甲基-1,2,3,5,6,7-六氫萘-1,2,5,6-四羧酸二酐、4,8-二甲基-1,2,3,5,6,7-六氫萘-2,3,6,7-四羧酸二酐、2,6-二氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、2,7-二氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、2,3,6,7-四氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、1,4,5,8-四氯萘-2,3,6,7-四羧酸二酐、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐、2,2',3,3'-聯苯四羧酸二酐、2,3,3',4'-聯苯四羧酸二酐、3,3",4,4"-對三聯苯四羧酸二酐、2,2",3,3"-對三聯苯四羧酸二酐、2,3,3",4"-對三聯苯四羧酸二酐、2,2-雙(2,3-二羧基苯基)-丙烷二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)-丙烷二酐、雙(2,3-二羧基苯基)醚二酐、雙(2,3-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(2,3-二羧基苯基)碸二酐、雙(3,4-二羧基苯基)碸二酐、1,1-雙(2,3-二羧基苯基)乙烷二酐、1,1-雙(3,4-二羧基苯基)乙烷二酐、苝-2,3,8,9-四羧酸二酐、苝-3,4,9,10-四羧酸二酐、苝-4,5,10,11-四羧酸二酐、苝-5,6,11,12-四羧酸二酐、菲醌-1,2,7,8-四羧酸二酐、菲醌-1,2,6,7-四羧酸二酐、菲醌-1,2,9,10-四羧酸二酐、環戊烷-1,2,3,4-四羧酸二酐、吡嗪-2,3,5,6-四羧酸二酐、吡咯烷-2,3,4,5-四羧酸二酐、噻吩-2,3,4,5-四羧酸二酐、4,4'-氧二鄰苯二甲酸二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐等。
所述二胺及酸酐分別既可僅使用一種，也可以並用兩種以上。另外，用於聚合的溶劑可列舉二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯烷酮、2-丁酮、二乙二醇二甲醚、二甲苯等，可以使用一種或者也可以並用兩種以上。
本實施方式中，為了製成熱膨脹係數小於30×10-6 /K的低熱膨脹性的聚醯亞胺層（i），例如作為原料的酸酐成分，較佳使用均苯四甲酸二酐、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐，作為二胺成分，較佳使用2,2'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯、2-甲氧基-4,4'-二胺基苯甲醯苯胺，尤其較佳將均苯四甲酸二酐及2,2'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯作為原料各成分的主成分。
另外，為了製成熱膨脹係數為30×10-6 /K以上的高熱膨脹性的聚醯亞胺層（ii），例如作為原料的酸酐成分，較佳使用均苯四甲酸二酐、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐、3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐、3,3',4,4'-二苯基碸四羧酸二酐，作為二胺成分，較佳使用2,2'-雙[4(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷，4,4'-二胺基二苯基醚，1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯，尤其較佳將均苯四甲酸二酐及2,2'-雙[4(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷設為原料各成分的主成分。另外，如此獲得的高熱膨脹性的聚醯亞胺層（ii）的較佳的玻璃化轉變溫度在300℃～400℃的範圍內。
另外，當將聚醯亞胺絕緣層（A）設為低熱膨脹性的聚醯亞胺層（i）與高熱膨脹性的聚醯亞胺層（ii）的層疊構造時，較佳為低熱膨脹性的聚醯亞胺層（i）與高熱膨脹性的聚醯亞胺層（ii）的厚度比（低熱膨脹性的聚醯亞胺層（i）/高熱膨脹性的聚醯亞胺層（ii））在2～15的範圍內。如果所述比的值小於2，則相對於聚醯亞胺絕緣層（A）整體的低熱膨脹性的聚醯亞胺層（i）變薄，因此，聚醯亞胺膜的尺寸特性的控制變得困難，對銅箔進行蝕刻而形成電路佈線層（B）時的尺寸變化率變大，如果超過15，則高熱膨脹性的聚醯亞胺層（ii）變薄，因此，聚醯亞胺絕緣層（A）與電路佈線層（B）的接著可靠性下降。
＜電路佈線層（B）＞ 本實施方式的可撓性電路基板中，電路佈線層（B）包含例如以銅箔為原料的銅佈線。構成電路佈線層（B）的銅佈線的厚度在10 μm～14 μm的範圍內，且銅佈線的容積比率為85%以上（構成b）。如果構成電路佈線層（B）的銅佈線的厚度小於10 μm，則有覆銅層疊板的剛度下降、製造可撓性電路基板時的操作性（handling）變差的傾向，如果超過14 μm，則使可撓性電路基板彎折時對銅佈線施加的應力變大，由此，有耐卷邊性下降的傾向。另外，如果構成電路佈線層（B）的銅佈線的容積比率小於85%，則銅佈線的每個晶粒的各向異性變高，彎折時發生微觀的應力集中，由此，有耐卷邊性下降的傾向。
這裡，所謂容積比率是表示構成銅佈線的銅的規定面沿結晶方位＜200＞取向的面積率的指標。容積比率可以如後述實施例所示般利用電子背散射繞射（Electron Back Scattering Diffraction，EBSD）法來確認。電路佈線層（B）的原料的銅箔在可撓性電路基板的製造時藉由經過充分的熱歷程而進行退火（anneal），結果為在加工成電路佈線層（B）的階段，必須使容積比率在所述範圍內。
本實施方式的可撓性電路基板中，用於電路佈線層（B）的銅箔只要充分滿足所述特性，則並無特別限定，可以使用市售的銅箔。作為其具體例，可列舉吉坤日礦日石金屬股份有限公司（JX Nippon Mining & Metals Corporation）製造的HA箔等。
＜覆蓋層（C）＞ 本實施方式的可撓性電路基板中，覆蓋層（C）較佳使用厚度為27.5 μm，且拉伸彈性模量為2.0 GPa～3.5 GPa的範圍內的覆蓋層。作為這種覆蓋層（C），可以使用市售品。作為其具體例，可列舉有澤製作所公司製造的CEA0515（商品名）等。
＜整體厚度＞ 本實施方式的可撓性電路基板中，關於貼附有覆蓋層（C）的狀態（佈線填充後）下的整體厚度[即，聚醯亞胺絕緣層（A）、電路佈線層（B）及覆蓋層（C）的合計的厚度]，當聚醯亞胺絕緣層（A）的厚度在10 μm～14 μm的範圍內時，所述整體厚度較佳在41 μm～50 μm的範圍內，當聚醯亞胺絕緣層（A）的厚度在23 μm～27 μm的範圍內時，所述整體厚度較佳在53 μm～63 μm的範圍內。 當聚醯亞胺絕緣層（A）的厚度在10 μm～14 μm的範圍內時，如果可撓性電路基板的整體厚度小於41 μm，則有可撓性電路基板的等效抗彎剛度下降、其耐卷邊性下降的傾向，如果超過50 μm，則使可撓性電路基板彎折時會對銅佈線進一步施加應力，而有其耐卷邊性下降的情況。 另外，當聚醯亞胺絕緣層（A）的厚度在23 μm～27 μm的範圍內時，如果可撓性電路基板的整體的厚度小於53 μm，則有可撓性電路基板的等效抗彎剛度下降，其耐卷邊性下降的傾向，如果超過63 μm，則使可撓性電路基板彎折時會對銅佈線進一步施加應力，而有其耐卷邊性下降的情況。
＜可撓性電路基板的等效抗彎剛度＞ 本實施方式的可撓性電路基板中，當聚醯亞胺絕緣層（A）的厚度在10 μm～14 μm的範圍內時，將覆蓋層（C）設為內側而進行彎折時的等效抗彎剛度在0.03 N·m2 ～0.04 N·m2 的範圍內，當聚醯亞胺絕緣層（A）的厚度在23 μm～27 μm的範圍內時，將覆蓋層（C）設為內側而進行彎折時的等效抗彎剛度在0.07 N·m2 ～0.10 N·m2 的範圍內（構成c）。如果可撓性電路基板的等效抗彎剛度在所述範圍外，則耐卷邊性下降。
以下，對本實施方式的可撓性電路基板的等效抗彎剛度進行說明。首先，參照圖7對可撓性電路基板的中立面位置的計算方法進行詳細說明。圖7是用於說明中立面位置的計算方法的層疊體的模型的剖面圖。圖7中，為了方便，表示了層疊體為兩層的模型，但以下的說明可以適用於所有的層疊體為兩層以上的情況。這裡，將層疊體的層數設為n（n為2以上的整數）。另外，將構成該層疊體的各層中從下數起的第i（i=1,2,…,n）層稱為第i個。圖7中，符號B表示層疊體的寬度。另外，這裡所說的寬度是與第一層的下表面平行且與層疊體的長度方向垂直的方向的尺寸。
本實施方式中的可撓性電路基板包含所述的聚醯亞胺絕緣層（A）、電路佈線層（B）及覆蓋層（C），當從電路佈線層（B）側觀察去除覆蓋層（C）的狀態時，有存在銅佈線51（參照圖1，其中，X、Y為水平方向，Z為垂直方向）的部分與不存在銅佈線51的部分。這裡，將存在銅佈線51的部分稱為佈線部（Line），將不存在銅佈線51的部分稱為空間部（Space）。在佈線部與空間部，構成不同。因此，視需要分開考慮佈線部與空間部。
[中立面位置的計算] 這裡，將第一層的下表面設為基準面SP。以下，對以基準面SP向圖7中的下側成為凸形狀的方式使層疊體彎曲的情況進行考慮。圖7中，符號NP表示層疊體的中立面。這裡，將中立面NP與基準面SP的距離設為中立面位置[NP]，針對佈線部與空間部分別計算該中立面位置[NP]。中立面位置[NP]藉由下式（1）而算出。
[NP]=Σi=1 n Ei Bi hi ti /Σi=1 n Ei Bi ti …（1）
這裡，Ei 是構成第i層的材料的彈性模量。該彈性模量Ei 對應於本實施方式中的“各層的應力與應變的關係”。Bi 是第i層的寬度，相當於圖7所示的寬度B。當求佈線部的中立面位置[NP]時，使用線寬LW的值作為Bi ，當求空間部的中立面位置[NP]時，使用線間寬度SW的值作為Bi （參照圖1）。hi 是第i層的中央面與基準面SP的距離。另外，所謂第i層的中央面是位於第i層的厚度方向的中央的虛擬面。ti 是第i層的厚度。另外，記號“Σi=1 n ”表示i從1到n的總和。以下，將佈線部的中立面位置記為[NP]Line 。
[等效抗彎剛度的計算] 作為可撓性電路基板整體的抗彎剛度的等效抗彎剛度[BR]藉由下式（2）而算出。
[BR]=BLine {Σi=1 n Ei （ai 3 -bi 3 ）/3}Line +BSpace {Σi=1 n Ei （ai 3 -bi 3 ）/3}Space …（2）
這裡，式（2）中，BLine 是線寬LW的總和，BSpace 是線間寬度SW的總和。而且，如圖7所示，ai 是第i層的上表面與中立面NP的距離，bi 是第i層的下表面與中立面NP的距離。{Σi=1 n Ei （ai 3 -bi 3 ）/3}Line 是佈線部的Ei （ai 3 -bi 3 ）/3的值的i從1到n的總和。{Σi=1 n Ei （ai 3 -bi 3 ）/3}Space 是空間部的Ei （ai 3 -bi 3 ）/3的值的i從1到n的總和。另外，雖與式（2）相關，但關於第i層，Bi （ai 3 -bi 3 ）/3通常是表示稱為截面二次矩（second moment of area）的截面的幾何學特性的參數（parameter）。所述第i層的截面二次矩乘以第i層的彈性模量Ei 所得的值為第i層的抗彎剛度。
＜可撓性覆銅層疊板的製造＞ 用於製造本實施方式的可撓性電路基板的可撓性覆銅層疊板例如可以在成為電路佈線層（B）的原料的銅箔的表面塗敷聚醯亞胺前驅體樹脂溶液（也稱為聚醯胺酸溶液），然後經過乾燥、硬化的熱處理步驟而製造。熱處理步驟中的熱處理藉由如下方式進行：對於所塗敷的聚醯胺酸溶液，在小於160℃的溫度下乾燥去除聚醯胺酸中的溶劑之後，進而在150℃至400℃的溫度範圍內呈階段性地升溫使其硬化。利用所述方法而獲得單面可撓性覆銅層疊板。為了將如此獲得的單面可撓性覆銅層疊板製成兩面覆銅層疊板，可列舉如下方法：將所述單面可撓性覆銅層疊板與有別於此而準備的銅箔在300℃～400℃下熱壓接。
＜FPC＞ 本實施方式的可撓性電路基板可以藉由如下方式製造：利用常用方法將可撓性覆銅層疊板的金屬箔加工成圖案（pattern）狀而形成佈線層之後，貼附覆蓋層。
＜FPC的使用方法＞ 本實施方式的可撓性電路基板在例如0.1 mm～0.5 mm的狹窄間隙（gap）內的彎曲性能的要求嚴格的彎折用途中尤其發揮效果。即，適合藉由對FPC施加1 kg的負重使之彎折180°並折疊收納於電子設備的殼體內而使用。
＜電子設備＞ 本發明的一實施方式的電子設備具有折疊收納於電子設備的殼體內的FPC。電子設備是例如智慧型手機、平板終端（tablet terminal）等所代表的攜帶用信息通信終端。電子設備具備例如金屬、合成樹脂等材質的殼體、以及本實施方式的FPC。FPC折疊收納於電子設備的殼體內。電子設備因為使用耐彎折性優異且連接可靠性高的本實施方式的FPC，所以即便將FPC高密度地折疊收納於殼體內，也不易發生佈線電路的斷線或開裂，從而製品的可靠性優異。 [實施例]
以下，基於實施例對本發明更詳細地進行說明。另外，下述的實施例中的各特性評價利用以下的方法進行。
[拉伸彈性模量的測定] 當測定拉伸彈性模量時，關於銅箔，使用利用真空烘箱（oven）實施過與可撓性覆銅層疊板的處理步驟同等的熱處理的銅箔。而且，關於聚醯亞胺層，使用對可撓性覆銅層疊板進行蝕刻而完全去除銅箔所得的聚醯亞胺膜。針對如此獲得的材料，使用東洋精機制作所股份有限公司製造的斯特羅古拉夫（Strograph）R-1，在溫度23℃、相對濕度50%的環境下測定拉伸彈性模量的值。
[熱膨脹係數（Coefficient of Thermal Expansion，CTE）的測定] 使用精工儀器（Seiko Instruments）製造的熱機械分析儀（thermomechanical analyzer），升溫至250℃，進而在該溫度下保持10分鐘之後，以5℃/分鐘的速度進行冷卻，求出從240℃至100℃的平均熱膨脹係數（線熱膨脹係數）。
[表面粗糙度（Rz）的測定] 使用接觸式表面粗糙度測定機（小阪研究所股份有限公司製造的修爾科德（SUREF CORDER）ET3000），測定銅箔的與聚醯亞胺絕緣層的接觸面側的表面粗糙度。
[銅箔的容積比率的測定] 容積比率是表示銅箔的規定面沿結晶方位＜200＞取向的面積率的指標。關於各實施例的銅箔的規定面具有哪種結晶方位，利用EBSD（Electron Back Scattering Diffraction）法進行確認。EBSD法為如下方法，即，根據對作為測定對象的試樣表面照射收斂電子束時產生的從各個結晶面繞射的稱為偽菊池線（pseudo-Kikuchi line）的繞射像來分析結晶，根據方位數據與測定點的位置信息對測定對象的結晶方位分佈進行測定，且所述方法能夠分析比X射線繞射法更微小的區域的集合組織的結晶方位。例如，可以在各個微小區域特定出其結晶方位，將它們彼此相連並進行映射（mapping），將各映射點間的面方位的傾角（方位差）為一定值以下的塗成同一顏色進行區分，使具有大致同一面方位的區域（晶粒）的分佈凸顯，由此，可以獲得方位映射像。另外，可以將具有相對於特定的面方位而為規定角度以內的方位的方位面包含在內而規定為其方位，利用各面方位的存在比率算出面積率、即容積比率。
[卷邊的測定（彎折試驗）] 對覆銅層疊板的銅箔進行蝕刻加工，製作沿其長度方向以線寬100 μm、空間寬度100 μm形成有長度為40 mm的10列銅佈線51的試驗片（試驗電路基板片）40（圖1）。如僅表示有試驗片40中的銅佈線51的圖1所示，該試驗片40中的10列銅佈線51經由U字部52而全部連續相連，且在其兩端設有電阻值測定用的電極部分（未圖示）。
將試驗片40固定於兩個能夠折疊的試樣台20及試樣台21上，且連接電阻值測定用的佈線，開始電阻值的監測（monitoring）（圖2）。彎折試驗是針對10列銅佈線51，在長度方向的正中央部分以銅佈線51成為內側而相向的方式彎折而進行。這時，使用胺基甲酸酯製的輥22，一面以對彎折部位40C施加1 kg的負重的方式進行控制，一面使輥22平行於彎折的線而移動，將10列銅佈線51全部彎折之後（圖3及圖4），打開彎折部分，使試驗片40恢復平坦的狀態（圖5），再次利用輥22在壓住附有折痕的部分的狀態下進行移動（圖6），利用這一連串的步驟將卷邊次數計數為一次。在利用這種順序重複彎折試驗的期間，始終監測銅佈線51的電阻值，將成為規定電阻（3000 Ω）的時間點判斷為銅佈線51斷裂，將在此之前已重複的彎折次數設為卷邊測定值。 當聚醯亞胺絕緣層（A）的厚度在10 μm～14 μm的範圍內，且將覆蓋層（C）設為內側而進行彎折時的等效抗彎剛度在0.03 N·m2 ～0.04 N·m2 的範圍內時，將卷邊測定值為30次以上評價為“良好”，將小於30次評價為“不合格”。另外，當聚醯亞胺絕緣層（A）的厚度在23 μm～27 μm的範圍內，且將覆蓋層（C）設為內側而進行彎折時的等效抗彎剛度在0.07 N·m2 ～0.10 N·m2 的範圍內時，將卷邊測定值為70次以上評價為“良好”，將小於70次評價為“不合格”。
另外，彎折試驗中，當使用最初為彎折的狀態的試驗片40時，將暫時展開而消除彎折的狀態設為彎折次數為零，且利用所述順序對彎折次數進行計數。
覆蓋層A是指有澤製作所公司製造的覆蓋層（商品名：CEA0515，厚度：27.5 μm，拉伸彈性模量：3.5 GPa）。 覆蓋層B是指有澤製作所公司製造的覆蓋層（商品名：CMA0515，厚度：27.5 μm，拉伸彈性模量：2.6 GPa）。 覆蓋層C是指有澤製作所公司製造的覆蓋層（商品名：CEA0525，厚度：37.5 μm，拉伸彈性模量：3.3 GPa）。 覆蓋層D是指有澤製作所公司製造的覆蓋層（商品名：CMA0525，厚度：37.5 μm，拉伸彈性模量：2.3 GPa）。 覆蓋層E是指尼關工業（Nikkan Industries）公司製造的覆蓋層（商品名：CISV1225，厚度：37.5 μm，拉伸彈性模量：2.0 GPa）。 覆蓋層F是指尼關工業（Nikkan Industries）公司製造的覆蓋層（商品名：CISV1215，厚度：27.5 μm，拉伸彈性模量：2.0 GPa）。
以下，表示實施例、比較例中記載的可撓性覆銅層疊板的製造方法。
[聚醯胺酸溶液的合成] （合成例1） 向具備熱電偶及攪拌機且能夠導入氮氣的反應容器中，添加N,N-二甲基乙醯胺，進而向該反應容器中投入2,2-雙[4(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷（BAPP），在容器中一面攪拌一面溶解。然後，將均苯四甲酸二酐（PMDA）以單體的投入總量成為12 wt%的方式投入。之後，持續攪拌3小時進行聚合反應，而獲得聚醯胺酸a的樹脂溶液。由聚醯胺酸a形成的厚度為25 μm的聚醯亞胺膜的熱膨脹係數（CTE）為55×10-6 /K。
（合成例2） 向具備熱電偶及攪拌機且能夠導入氮氣的反應容器中添加N,N-二甲基乙醯胺，進而向該反應容器中投入2,2'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯（m-TB），在容器中一面攪拌一面溶解。然後，將3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐（BPDA）及均苯四甲酸二酐（PMDA）以單體的投入總量成為15 wt%、且各酸酐的摩爾比率（BPDA：PMDA）成為20：80的方式投入。之後，持續攪拌3小時進行聚合反應，而獲得聚醯胺酸b的樹脂溶液。由聚醯胺酸b形成的厚度為25 μm的聚醯亞胺膜的熱膨脹係數（CTE）為22×10-6 /K。
（實施例1-1） 在具有表1所示的特性且厚度為12 μm的長條狀的市售的銅箔（塗佈面的表面粗糙度Rz=0.4 μm）上，以硬化後的厚度成為2.2 μm的方式均勻地塗佈合成例1中製備的聚醯胺酸a的樹脂溶液之後，在130℃下進行加熱乾燥而去除溶劑。然後，在該塗佈面側，以硬化後的厚度成為7.6 μm的方式均勻地塗佈合成例2中製備的聚醯胺酸b的樹脂溶液，在120℃下進行加熱乾燥而去除溶劑。進而，在該塗佈面側，以硬化後的厚度成為2.2 μm的方式均勻地塗佈與第一層塗佈的溶液相同的聚醯胺酸a的樹脂溶液，在130℃下進行加熱乾燥而去除溶劑。在以溫度從130℃開始呈階段性地上升至300℃為止的方式設定的連續硬化爐中，歷時合計6分鐘左右的時間對所述長條狀的層疊體進行熱處理，由此，獲得具有容積比率為85%以上的銅箔層且聚醯亞胺樹脂層厚度為12 μm的單面可撓性覆銅層疊板。對該單面可撓性覆銅層疊板進行蝕刻等而加工佈線電路，形成銅佈線之後，貼附厚度為27.5 μm的覆蓋層A，而獲得可撓性電路基板。將所獲得的可撓性電路基板的等效抗彎剛度、耐卷邊性的評價結果示於表1、表2。
將構成所獲得的可撓性覆銅層疊板的銅箔的拉伸彈性模量、聚醯亞胺層的拉伸彈性模量等物性值、覆蓋層的拉伸彈性模量、可撓性電路基板的等效抗彎剛度、耐卷邊性的評價結果示於表1及表2。另外，聚醯亞胺層的評價使用從所製造的可撓性覆銅層疊板蝕刻去除銅箔所得的聚醯亞胺層。
這裡，關於實施例1-1～實施例1-2、比較例1-1～比較例1-6中使用的可撓性覆銅層疊板的等效抗彎剛度[BR]的計算方法，以實施例1-1為例說明具體的計算順序。
關於存在銅佈線的佈線部，考慮如圖7所示的兩層構成，將構成第一層及第兩層的材料分別設為聚醯亞胺及銅。如表1（實施例1-1）所示，各層的彈性模量為E1 =6.8 GPa、E2 =18 GPa、E3 =3.5 GPa，厚度為t1 =12 μm、t2 =12 μm、t3 =21.5 μm。而且，各層中的厚度方向上的中央面與基準面SP的距離分別為h1 =6 μm、h2 =18 μm、h3 =34.8 μm。將這些值代入式（1），首先計算出存在銅佈線的佈線部的中立面位置（基準面SP與中立面NP的距離）為[NP]=18.8 μm。然後，分別計算出各層的上表面與中立面NP的距離為a1 =6.8 μm、a2 =5.2 μm、a3 =26.7 μm，各層的下表面與中立面NP的距離為b1 =18.8 μm、b2 =6.8 μm、b3 =5.2 μm。此外，關於寬度B，著眼於銅佈線的單位寬度進行考慮，設為BLine =1、BSpace =0，將這些值與彈性模量E1 、彈性模量E2 、彈性模量E3 代入式（2），算出等效抗彎剛度為[BR]=0.039 N·m2 。
（實施例1-2） 以與實施例1-1同樣的方式獲得單面可撓性覆銅層疊板。對該單面可撓性覆銅層疊板進行蝕刻等而加工佈線電路，形成銅佈線之後，貼附厚度為27.5 μm的覆蓋層B，而獲得可撓性電路基板。將所獲得的可撓性電路基板的等效抗彎剛度、耐卷邊性的評價結果示於表1及表2。
（比較例1-1） 對如下兩面可撓性覆銅層疊板進行蝕刻等而加工佈線電路，形成銅佈線之後，貼附厚度為27.5 μm的覆蓋層A，而獲得可撓性電路基板，所述兩面可撓性覆銅層疊板使用具有表1所示的特性且厚度為12 μm的銅箔，並且聚醯亞胺層的厚度為12 μm，且是藉由將市售的銅箔與市售的聚醯亞胺膜利用層壓輥（laminate roll）貼合而製造。將所獲得的可撓性電路基板的等效抗彎剛度、耐卷邊性的評價結果示於表1及表2。
（比較例1-2） 以與比較例1-1同樣的方式，對藉由將市售的銅箔與市售的聚醯亞胺膜利用層壓輥貼合而製造的兩面可撓性覆銅層疊板進行蝕刻等而加工佈線電路，形成銅佈線之後，貼附厚度為27.5 μm的覆蓋層B，而獲得可撓性電路基板。將所獲得的可撓性電路基板的等效抗彎剛度、耐卷邊性的評價結果示於表1及表2。
（比較例1-3） 以與比較例1-1同樣的方式，對藉由將市售的銅箔與市售的聚醯亞胺膜利用層壓輥貼合而製造的兩面可撓性覆銅層疊板進行蝕刻等而加工佈線電路，形成銅佈線之後，貼附厚度為37.5 μm的覆蓋層C，而獲得可撓性電路基板。將所獲得的可撓性電路基板的等效抗彎剛度、耐卷邊性的評價結果示於表1及表2。
（比較例1-4） 以與比較例1-1同樣的方式，對藉由將市售的銅箔與市售的聚醯亞胺膜利用層壓輥貼合而製造的兩面可撓性覆銅層疊板進行蝕刻等而加工佈線電路，形成銅佈線之後，貼附厚度為37.5 μm的覆蓋層D，而獲得可撓性電路基板。將所獲得的可撓性電路基板的等效抗彎剛度、耐卷邊性的評價結果示於表1及表2。
（比較例1-5） 以與比較例1-1同樣的方式，對藉由將市售的銅箔與市售的聚醯亞胺膜利用層壓輥貼合而製造的兩面可撓性覆銅層疊板進行蝕刻等而加工佈線電路，形成銅佈線之後，貼附厚度為37.5 μm的覆蓋層C，而獲得可撓性電路基板。將所獲得的可撓性電路基板的等效抗彎剛度、耐卷邊性的評價結果示於表1及表2。
（比較例1-6） 以與比較例1-1同樣的方式，對藉由將市售的銅箔與市售的聚醯亞胺膜利用層壓輥貼合而製造的兩面可撓性覆銅層疊板進行蝕刻等而加工佈線電路，形成銅佈線之後，貼附厚度為37.5 μm的覆蓋層D，而獲得可撓性電路基板。將所獲得的可撓性電路基板的等效抗彎剛度、耐卷邊性的評價結果示於表1及表2。
[表1]
[表2]
根據表1及表2，實施例1-1～實施例1-2的可撓性電路基板均具備所述構成a～構成c，由此，結果為卷邊測定值顯示30次以上的良好的值，能夠滿足耐彎折性。另一方面，容積比率為75.9%的比較例1-1～比較例1-4的耐卷邊性差。而且，不滿足構成c的比較例1-5～比較例1-6的耐卷邊性也差。
（實施例2-1） 在具有表3所示的特性且厚度為12 μm的長條狀的市售的銅箔（塗佈面的表面粗糙度Rz=0.4 μm）上，以硬化後的厚度成為2.5 μm的方式均勻地塗佈合成例1中製備的聚醯胺酸a的樹脂溶液之後，在130℃下進行加熱乾燥而去除溶劑。然後，在該塗佈面側，以硬化後的厚度成為20.0 μm的方式均勻地塗佈合成例2中製備的聚醯胺酸b的樹脂溶液，在120℃下進行加熱乾燥而去除溶劑。進而，在該塗佈面側，以硬化後的厚度成為2.5 μm的方式均勻地塗佈與第一層塗佈的溶液相同的聚醯胺酸a的樹脂溶液，在130℃下進行加熱乾燥而去除溶劑。在以溫度從130℃開始呈階段性上升至300℃為止的方式設定的連續硬化爐中，歷時合計6分鐘左右的時間對所述長條狀的層疊體進行熱處理，而獲得聚醯亞胺樹脂層厚度為25 μm的單面可撓性覆銅層疊板。將所述單面可撓性覆銅層疊板與有別於此而準備的厚度為12 μm且長條狀的市售的銅箔在300℃～400℃下熱壓接，由此，獲得具有容積比率為85%以上的銅箔層的兩面可撓性覆銅層疊板。對該兩面可撓性覆銅層疊板進行蝕刻等而加工佈線電路，形成銅佈線之後，貼附厚度為27.5 μm的覆蓋層A，而獲得可撓性電路基板。將所獲得的可撓性電路基板的等效抗彎剛度、耐卷邊性的評價結果示於表3、表4。
將構成所獲得的可撓性覆銅層疊板的銅箔的拉伸彈性模量、聚醯亞胺層的拉伸彈性模量等物性值、覆蓋層的拉伸彈性模量、可撓性電路基板的等效抗彎剛度、耐卷邊性的評價結果示於表3及表4。另外，聚醯亞胺層的評價使用從所製造的可撓性覆銅層疊板蝕刻去除銅箔所得者。
這裡，關於實施例2-1～實施例2-2、比較例2-1～比較例2-6中所使用的可撓性覆銅層疊板的等效抗彎剛度[BR]的計算方法，以實施例2-1為例說明具體的計算順序。
關於存在銅佈線的佈線部，考慮如圖7所示的兩層構成，將構成第一層及第兩層的材料分別設為聚醯亞胺及銅。如表3（實施例2-1）所示，各層的彈性模量為E1 =7.5 GPa、E2 =18 GPa、E3 =3.5 GPa，厚度為t1 =25 μm、t2 =12 μm、t3 =21.5 μm。而且，各層中的厚度方向上的中央面與基準面SP的距離分別為h1 =12.5 μm、h2 =31 μm、h3 =47.8 μm。將這些值代入式（1），首先計算出存在銅佈線的佈線部的中立面位置（基準面SP與中立面NP的距離）為[NP]=26.4 μm。然後，分別計算出各層的上表面與中立面NP的距離為a1 =1.387 μm、a2 =10.613 μm、a3 =32.113 μm，各層的下表面與中立面NP的距離為b1 =26.387 μm、b2 =1.387 μm、b3 =10.613 μm。另外，關於寬度B，著眼於銅佈線的單位寬度進行考慮，設為BLine =1、BSpace =0，將這些值與彈性模量E1 、彈性模量E2 、彈性模量E3 代入式（2），算出等效抗彎剛度為[BR]=0.089 N·m2 。
（實施例2-2） 以與實施例2-1同樣的方式獲得兩面可撓性覆銅層疊板。對該兩面可撓性覆銅層疊板進行蝕刻等而加工佈線電路，形成銅佈線之後，貼附厚度為27.5 μm的覆蓋層F，而獲得可撓性電路基板。將所獲得的可撓性電路基板的等效抗彎剛度、耐卷邊性的評價結果示於表3及表4。
（比較例2-1） 對如下兩面可撓性覆銅層疊板進行蝕刻等而加工佈線電路，形成銅佈線之後，貼附厚度為27.5 μm的覆蓋層A，而獲得可撓性電路基板，所述兩面可撓性覆銅層疊板使用具有表3所示的特性且厚度為12 μm的銅箔，並且聚醯亞胺層的厚度為25 μm，且是藉由將市售的銅箔與市售的聚醯亞胺膜利用層壓輥貼合而製造。將所獲得的可撓性電路基板的等效抗彎剛度、耐卷邊性的評價結果示於表3及表4。
（比較例2-2） 以與比較例2-1同樣的方式，對藉由將市售的銅箔與市售的聚醯亞胺膜利用層壓輥貼合而製造的兩面可撓性覆銅層疊板進行蝕刻等而加工佈線電路，形成銅佈線之後，貼附厚度為27.5 μm的覆蓋層F，而獲得可撓性電路基板。將所獲得的可撓性電路基板的等效抗彎剛度、耐卷邊性的評價結果示於表3及表4。
（比較例2-3） 以與比較例2-1同樣的方式，對藉由將市售的銅箔與市售的聚醯亞胺膜利用層壓輥貼合而製造的兩面可撓性覆銅層疊板進行蝕刻等而加工佈線電路，形成銅佈線之後，貼附厚度為27.5 μm的覆蓋層B，而獲得可撓性電路基板。將所獲得的可撓性電路基板的等效抗彎剛度、耐卷邊性的評價結果示於表3及表4。
（比較例2-4） 以與比較例2-1同樣的方式，對藉由將市售的銅箔與市售的聚醯亞胺膜利用層壓輥貼合而製造的兩面可撓性覆銅層疊板進行蝕刻等而加工佈線電路，形成銅佈線之後，貼附厚度為37.5 μm的覆蓋層C，而獲得可撓性電路基板。將所獲得的可撓性電路基板的等效抗彎剛度、耐卷邊性的評價結果示於表3及表4。
（比較例2-5） 以與比較例2-1同樣的方式，對藉由將市售的銅箔與市售的聚醯亞胺膜利用層壓輥貼合而製造的兩面可撓性覆銅層疊板進行蝕刻等而加工佈線電路，形成銅佈線之後，貼附厚度為37.5 μm的覆蓋層E，而獲得可撓性電路基板。將所獲得的可撓性電路基板的等效抗彎剛度、耐卷邊性的評價結果示於表3及表4。
（比較例2-6） 以與比較例2-1同樣的方式，對藉由將市售的銅箔與市售的聚醯亞胺膜利用層壓輥貼合而製造的兩面可撓性覆銅層疊板進行蝕刻等而加工佈線電路，形成銅佈線之後，貼附厚度為37.5 μm的覆蓋層D，而獲得可撓性電路基板。將所獲得的可撓性電路基板的等效抗彎剛度、耐卷邊性的評價結果示於表3及表4。
[表3]
[表4]
根據表3及表4，實施例2-1～實施例2-2的可撓性電路基板均具備所述構成a～構成c，由此，結果為卷邊測定值顯示70次以上的良好的值，能夠滿足耐彎折性。另一方面，容積比率為75.9%的比較例2-1～比較例2-6的耐卷邊性差。
以上，以例示的目的對本發明的實施方式進行了詳細說明，但本發明並不受所述實施方式的制約。
20、21‧‧‧試樣台
22‧‧‧輥
40‧‧‧試驗片
40C‧‧‧試驗片的彎折部位
51‧‧‧銅佈線
52‧‧‧銅佈線的U字部
ai‧‧‧第i層的上表面與中立面的距離
B‧‧‧層疊體的寬度
bi‧‧‧第i層的下表面與中立面的距離
hi‧‧‧第i層的中央面與基準面的距離
LW‧‧‧線寬
NP‧‧‧中立面
[NP]‧‧‧中立面位置
SP‧‧‧基準面
SW‧‧‧線間寬度
ti‧‧‧第i層的厚度
X、Y‧‧‧水平方向
Z‧‧‧垂直方向
圖1是表示實施例中所使用的試驗電路基板片的銅佈線的情況的平面說明圖。 圖2是表示彎折試驗中的試樣台（stage）與試驗電路基板片的情況的側面說明圖（在試樣臺上固定有試驗電路基板片的狀態圖）。 圖3是表示彎折試驗中的試樣台與試驗電路基板片的情況的側面說明圖（將要利用輥（roller）按壓試驗電路基板片的彎折部位之前的狀態圖）。 圖4是表示彎折試驗中的試樣台與試驗電路基板片的情況的側面說明圖（利用輥按壓試驗電路基板片的彎折部位的狀態圖）。 圖5是表示彎折試驗中的試樣台與試驗電路基板片的情況的側面說明圖（打開彎折部位而使試驗片恢復平坦的狀態的狀態圖）。 圖6是表示彎折試驗中的試樣台與試驗電路基板片的情況的側面說明圖（利用輥按壓彎折部位的折痕部分使之平整的狀態圖）。 圖7是可撓性電路基板的剖面說明圖（一部分）。

Claims (3)

  1. 一種可撓性電路基板，其藉由上表面側大致翻轉180℃而成為下表面側的方式進行彎折的卷邊，而折疊收納於0.1mm~0.5mm的間隙內而使用，包括：聚醯亞胺絕緣層(A)；電路佈線層(B)，設於所述聚醯亞胺絕緣層(A)的至少其中一面；以及覆蓋層(C)，層疊於所述電路佈線層(B)上；所述可撓性電路基板的特徵在於具有以下的a~c的構成：a)所述聚醯亞胺絕緣層(A)的厚度在10μm~14μm的範圍內、或者在23μm~27μm的範圍內；b)構成所述電路佈線層(B)的銅佈線的厚度在10μm~14μm的範圍內，且所述銅佈線的容積比率為85%以上；以及c)當所述聚醯亞胺絕緣層(A)的厚度在10μm~14μm的範圍內時，將所述覆蓋層(C)設為內側而進行彎折時的等效抗彎剛度在0.03N．m2~0.04N．m2的範圍內，當所述聚醯亞胺絕緣層(A)的厚度在23μm~27μm的範圍內時，將所述覆蓋層(C)設為內側而進行彎折時的等效抗彎剛度在0.07N．m2~0.10N．m2的範圍內。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的可撓性電路基板，其是以將所述覆蓋層(C)設為內側而折疊的狀態收納於電子設備的殼體內而使用。
  3. 一種電子設備，其是將如申請專利範圍第1項所述的可撓性電路基板以將所述覆蓋層(C)設為內側而折疊的狀態收納於殼體內。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107328536B (zh) * 2017-08-16 2023-07-25 拓旷(上海)光电科技有限公司 测试机械
JP7270579B2 (ja) * 2019-06-19 2023-05-10 金居開發股▲分▼有限公司 ミクロ粗面化した電着銅箔及び銅張積層板
CN113597144A (zh) * 2021-07-28 2021-11-02 恒赫鼎富(苏州)电子有限公司 一种多层fpc线路板制作工艺

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005280163A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Nippon Steel Chem Co Ltd フレキシブル銅張積層板及びその製造方法
WO2011078259A1 (ja) * 2009-12-25 2011-06-30 新日鐵化学株式会社 可撓性回路基板及び可撓性回路基板の屈曲部構造
CN103716983A (zh) * 2012-09-28 2014-04-09 新日铁住金化学株式会社 柔性覆铜层叠板

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007208087A (ja) 2006-02-03 2007-08-16 Kaneka Corp 高屈曲性フレキシブルプリント配線板
CN101960283B (zh) * 2008-03-04 2014-02-19 新日铁住金化学株式会社 层叠体的弯曲寿命预测方法和层叠体的弯曲寿命预测装置
JP2010280191A (ja) 2009-06-08 2010-12-16 Hitachi Cable Ltd 熱処理用銅箔、熱処理用銅箔の製造方法およびフレキシブルプリント配線板
JP5689277B2 (ja) * 2009-10-22 2015-03-25 新日鉄住金化学株式会社 フレキシブル回路基板及び多層回路基板

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005280163A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Nippon Steel Chem Co Ltd フレキシブル銅張積層板及びその製造方法
WO2011078259A1 (ja) * 2009-12-25 2011-06-30 新日鐵化学株式会社 可撓性回路基板及び可撓性回路基板の屈曲部構造
CN102782174A (zh) * 2009-12-25 2012-11-14 新日铁化学株式会社 柔性电路板及柔性电路板的弯曲部结构
CN103716983A (zh) * 2012-09-28 2014-04-09 新日铁住金化学株式会社 柔性覆铜层叠板

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