TWI665084B - 可撓性覆銅積層板及可撓性線路基板 - Google Patents

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Abstract

本發明係藉由使用一對之熱壓輥之簡易方法提供撓曲性優異的可撓性覆銅積層體。
本發明係提供一種可撓性覆銅積層板的製造方法，其具有：使用熱壓輥，加熱壓接銅箔(A)及聚醯亞胺薄膜等之積層體(B)之加熱壓接步驟；以及再加熱步驟；其中，前述積層體(B)的聚醯亞胺層，係由具有熱塑性聚醯亞胺層(ii)作為接著層之複數層聚醯亞胺層所構成，加熱壓接步驟之層合溫度T1係熱塑性聚醯亞胺層(ii)之玻璃轉移溫度以上，於再加熱步驟中之加熱處理溫度T2設為T1以上，以使藉由加熱壓接步驟後的銅箔(A)在厚度方向之由X線繞射所求得之(200)面的繞射強度(I)、及藉由微粉末銅的X線繞射所求得之(200)面繞射強度(Io)之關係成為I/Io>100。

Description

可撓性覆銅積層板及可撓性線路基板
本發明係有關於用於可撓性線路基板之可撓性覆銅積層板的製造方法，該可撓性線路基板係適合於為了收納於行動電話及智慧型手機、平板PC等之框體的狹窄空間部分，而被彎折成折疊彎曲狀或如硬碟驅動器的讀寫排線般之以小曲率半徑連續地反覆撓曲之用途。另外，折疊彎曲係指為了收納於薄框體，賦予彎折點而彎曲的態樣，以下，於本說明書中，使FPC的上面側為略180℃反轉而成為下面側的方式彎折係稱為「折疊彎曲」。
近年來，隨著以行動電話、筆記型電腦、數位相機、遊戲機等為代表之電子裝置之小型化、薄型化、輕量化的急速進展，對於使用於此等裝置之材料，期待一種即便在小空間內亦可收納零件之高密度且高性能材料。即使於可撓性線路基板中，由於隨著智慧型手機及平板PC等之高性能小型電子機器的普及，零件收納的高密度化的進展，必須將可撓性線路基板收納在比目前更加狹窄的框體內。因此，即便從在屬於可撓性線路基板材料之可撓性 覆銅積層板的材料面來看，亦須要提升耐折疊彎折性及耐撓曲特性。
對於該等課題，已提出使用於可撓性覆銅積層板之銅箔中，係藉由添加微量的銀或錫等在加熱處理時以銅箔之退火進行軟化，同時於某些特定的方向(200面)排整結晶方位之立方體集合組織發達之特殊壓延銅箔(參照專利文獻1)。藉此，於銅箔施加撓曲時的應力時，顯現在結晶內產生之轉移以及其移動不會蓄積於結晶粒界，可抑制朝表面方向移動致在結晶粒界的龜裂產生以及進展所致之破壞，並具有優異的撓曲特性。
如此之壓延銅箔係於常溫無法顯現前述特性，而為使如此之立方體組織發達，必須以預定的熱處理退火。於該退火所需的熱量，例如，若為低溫，以150℃、60分鐘等之處理，若為高溫，以300℃以上1分鐘左右的時間結束。
一般而言，製造由聚醯亞胺及銅箔所構成之覆銅積層板的方法，已知有：於銅箔上塗布聚醯亞胺前驅體並進行乾燥、高溫熱處理，以得到單面覆銅積層板後，藉由以熱層合法壓接銅箔的步驟來製作的方法；預先準備於最外層含有熱塑性聚醯亞胺的聚醯亞胺薄膜，於其兩側以熱層合法壓接銅箔的方式。該熱層合方式係具有以使用一對對向之熱壓接輥之簡易的方式，其裝置導入亦較為容易之優點。然而，於此種手法，由於熱層合時對於銅箔的入熱量為數秒左右的短時間，故無法得到足以使壓延銅箔 之立方體組織發達的足夠熱量。
在此，為了提升銅箔的柔軟性，並抑制微龜裂或龜裂等之不良缺陷，已知有在藉由熱層合法壓接銅箔之後，進行退火處理之方法(參照專利文獻2)。然而，在此所示之退火處理的條件，係僅顯示於溫度、時間均廣泛的範圍，是否具體地以如何之退火條件來提升其特性尚不明確。此外，專利文獻2所示之退火處理的時間係設為2分鐘以上，故除了生產性不足外，就退火處理所得之效果而言，僅著眼於銅箔的彈性率，尚未言及於(200)面結晶配向等之立方體組織控制之觀點，對於更嚴苛的撓曲用途之發展，實在難謂可應付。
另一方面，與以熱輥進行熱層合方式相異的可撓性覆銅積層板的製造方法，已揭示使用有複數輥及鋼帶而實施熱層合的方式，亦稱為雙帶(double belt)方式(專利文獻3參照)。該方式由於易增加輥的支數等，故可確保層合時的充足時間，但有在設備費用龐大等的問題。
[先行技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第4285526號公報
[專利文獻2]日本特開2013-21281號公報
[專利文獻3]日本特開2011-270035號公報
本發明係有鑑於上述課題而成者。其目的在於以耐熱性及尺寸安定性優異的聚醯亞胺作為絶緣層之可撓性覆銅積層板的製造中，以一對之熱壓輥之簡易的手法，提供撓曲特性亦優異的可撓性覆銅積層板。
為了解決上述課題，本發明入等研究的結果，發現對於壓接銅箔及聚醯亞胺之加熱壓接步驟之溫度T1、以及進行後加熱之再加熱步驟之溫度T2，使與銅箔相接之熱塑性聚醯亞胺層之玻璃轉移溫度(Tg)以上設為T1，且設為T1<T2時可顯現足夠的撓曲特性，而完成本發明。
亦即，本發明之撓性覆銅積層板的製造方法，其係具有：使用一對之熱壓輥，加熱壓接銅箔(A)及具備接著層作為與前述銅箔(A)之積層面的聚醯亞胺薄膜或附金屬層之聚醯亞胺積層體(B)之加熱壓接步驟；以及，之後，進一步進行加熱處理之再加熱步驟，其中，前述聚醯亞胺薄膜或附金屬層之聚醯亞胺積層體(B)具有玻璃轉移溫度260℃以上之熱塑性聚醯亞胺層(ii)作為接著層，前述加熱壓接步驟之層合溫度T1係前述熱塑性聚醯亞胺層(ii)之玻璃轉移溫度以上，於前述再加熱步驟中之加熱處理溫度T2係設為前述層合溫度T1以上，藉此使前述加熱壓接步驟後的銅箔(A)在厚度方向之由X線繞射所求得之(200)面的繞射強度(I)、及藉由微粉末銅的X線繞射所求得之(200)面繞射強度(Io) 之關係為I/Io>100。
於本發明之製造方法中，再加熱步驟之加熱處理較佳係於真空或惰性(非活性)氛圍下實施，加熱處理溫度T2係300℃以上，加熱時間為10秒以上。
此外，聚醯亞胺薄膜或附金屬層之聚醯亞胺積層體(B)較佳為具有已具備熱膨脹係數未達17ppm/K之低熱膨脹性的聚醯亞胺層(i)及熱塑性聚醯亞胺層(ii)之複數聚醯亞胺層。
進一步地，就銅箔(A)而言，使用厚度5至100μm之壓延銅箔者係本發明之較佳態樣。
依據本發明之可撓性覆銅積層板的製造方法，可藉由再加熱步驟(退火處理)減低銅箔的彈性率，同時進行(200)面的特定配向，使立方體組織發達，結果，可得到配線基板所要求的高耐彎折性，故特別適合使用於智慧型手機等之小型液晶周圍之彎折部分等之耐彎折性及硬碟的讀寫排線等要求連續撓曲之電子裝置。
以下，詳細說明本發明。
本發明之可撓性覆銅積層板的製造方法，係加熱壓接銅箔(A)、及具備作為與該銅箔(A)之積層面之接著層的聚醯亞胺薄膜或附金屬層之聚醯亞胺積層體(B)，該加熱壓接 中係使用一對之熱壓輥。
熱壓輥可舉例如金屬輥或其表面被覆樹脂之樹脂被覆金屬輥等，但是，由於銅箔(A)及聚醯亞胺薄膜或附金屬層之聚醯亞胺積層體(B)之積層(層合)較佳係在比較高的溫度進行，故使用於輥表面之材質的耐熱性、及/或將源自輥內部之加熱傳熱至表面，係為必要者，從如此之觀點來看，較佳為金屬輥，其表面的表面粗糙度(Ra)為0.01至5μm，特佳為0.1至3μm之粗面化狀態。
本發明中，於上述一對之熱壓輥間係導入並加熱壓接銅箔(A)及聚醯亞胺薄膜或附金屬層之聚醯亞胺積層體(B)。在本說明書中，該步驟稱為加熱壓接步驟，而與銅箔(A)加熱壓接的對象物係聚醯亞胺薄膜或附金屬層之聚醯亞胺積層體(B)，且貼合銅箔(A)及聚醯亞胺薄膜之接著層，或貼合銅箔(A)及在附金屬層之聚醯亞胺積層體(B)中之接著層。
其中，聚醯亞胺薄膜(B)係只要於與前述銅箔(A)之積層面具有接著層即可，如此之薄膜，係除了玻璃轉移溫度260℃以上單層之熱塑性聚醯亞胺薄膜外，可舉例如非熱塑性聚醯亞胺層之單面或是雙面具有玻璃轉移溫度260℃以上之熱塑性聚醯亞胺層之複數聚醯亞胺層所構成之聚醯亞胺薄膜。上述聚醯亞胺薄膜(B)除了可以公知之方法製造準備外，亦可使用市售的聚醯亞胺薄膜。市售的聚醯亞胺薄膜可舉例TorayDupont製的Kapton EN等。此外，在市售的低熱膨脹性聚醯亞胺薄膜亦可塗布得到熱塑 性聚醯亞胺層(ii)之聚醯亞胺前驅體的樹脂溶液，並使之硬化。
此外，附金屬層之聚醯亞胺積層體(B)係可舉例如在銅箔等之金屬箔上設有單層或是複數層之聚醯亞胺層者。聚醯亞胺為單層時，該聚醯亞胺層本身即為接著層，故聚醯亞胺須由玻璃轉移溫度260℃以上之熱塑性聚醯亞胺層(ii)所成，聚醯亞胺為複數層時，至少與前述銅箔(A)積層之面為熱塑性聚醯亞胺層(ii)即可。如此之附金屬層之聚醯亞胺積層體(B)之構成可例示金屬層/熱塑性聚醯亞胺層(ii)/低熱膨脹性聚醯亞胺層(i)/熱塑性聚醯亞胺層(ii)，或金屬層/低熱膨脹性聚醯亞胺層(i)/熱塑性聚醯亞胺層(ii)之構成。藉由使附金屬層之聚醯亞胺積層體(B)中之聚醯亞胺為複數層之構成，可滿足銅箔與聚醯亞胺之接著強度或尺寸安定性、銲料耐熱性等之作為可撓性覆銅積層板所要求之諸多特性。另外，構成金屬層之金屬箔係除了銅箔以外，可舉例如鋁箔、不銹鋼箔。
上述附金屬層之聚醯亞胺積層體(B)，更具體而言，可準備單面可撓性覆銅積層板。單面可撓性覆銅積層板可在長條狀的銅箔上使前述低熱膨脹性聚醯亞胺層(i)或得到熱塑性聚醯亞胺層(ii)之聚醯亞胺前驅體的樹脂溶液逐次塗布乾燥，並使之硬化(醯亞胺化)而得。本發明之1項特徵係可以一對之熱壓輥之簡易方法連續且有效率地製造可撓性覆銅積層板，由此觀點，形成附金屬層之聚醯亞胺積層體(B)之銅箔係可使用長條狀者。
如此形態之銅箔係由銅箔製造商販售已卷取成輥狀者，可以使用該者。此外，依據本發明，由所製造之可撓性覆銅積層板之銅箔以線路加工所形成之線路，可最大限度顯現銅箔具有之撓曲性能，由此觀點，即便最先作為單面可撓性覆銅積層板時所使用之銅箔，較佳為使用其後以一對之熱壓輥加熱壓接之銅箔(A)相同之壓延銅箔。
構成聚醯亞胺層之低熱膨脹性聚醯亞胺層(i)及熱塑性聚醯亞胺層(ii)，係可使賦予該等特性之其前驅體的聚醯胺酸進行醯亞胺化而得，但該等聚醯胺酸一般而言，可配合公知之二胺與酸二酐所求得之聚醯亞胺的特性而適當選擇，再使該等於有機溶劑中進行合成而得。所聚合之樹脂黏度係例如較佳為500cps以上35,000cps以下的範圍內。
使用來作為聚醯亞胺之原料的二胺係例如可舉例4,6-二甲基-m-苯基二胺、2,5-二甲基-p-苯基二胺、2,4-二胺基均三甲苯、4,4'-亞甲基二-o-甲苯胺、4,4'-亞甲基二-2,6-二甲苯胺、4,4'-亞甲基-2,6-二乙基苯胺、2,4-甲苯二胺、m-苯基二胺、p-苯基二胺、4,4'-二胺基二苯基丙烷、3,3'-二胺基二苯基丙烷、4,4'-二胺基二苯基乙烷、3,3'-二胺基二苯基乙烷、4,4'-二胺基二苯基甲烷、3,3'-二胺基二苯基甲烷、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、4,4'-二胺基二苯基硫醚、3,3'-二胺基二苯基硫醚、4,4'-二胺基二苯基碸、3,3'-二胺基二苯基碸、4,4'-二胺基二苯基醚、3,3-二胺基二苯基醚、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺基 苯氧基)苯、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、聯苯胺、3,3'-二胺基聯苯、3,3'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯、3,3'-二甲氧基聯苯胺、4,4'-二胺基-p-三聯苯基、3,3'-二胺基-p-三聯苯基、雙(p-胺基環己基)甲烷、雙(p-β-胺基-t-丁基苯基)醚、雙(p-β-甲基-δ-胺基戊基)苯、p-雙(2-甲基-4-胺基戊基)苯、p-雙(1,1-二甲基-5-胺基戊基)苯、1,5-二胺基萘、2,6-二胺基萘、2,4-雙(β-胺基-t-丁基)甲苯、2,4-二胺基甲苯、m-二甲苯-2,5-二胺、p-二甲苯-2,5-二胺、m-伸二甲苯基二胺、p-伸二甲苯基二胺、2,6-二胺基吡啶、2,5-二胺基吡啶、2,5-二胺基-1,3,4-二唑、哌、2,2'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯、3,7-二胺基二苯并呋喃、1,5-二胺基茀、二苯并-p-二烷-2,7-二胺、4,4'-二胺基苄等。
此外，使用來作為聚醯亞胺之原料的酸酐例如可舉例1,2,4,5-苯四甲酸二酐、3,3',4,4'-二苯基酮四羧酸二酐、2,2',3,3'-二苯基酮四羧酸二酐、2,3,3',4'-二苯基酮四羧酸二酐、萘-1,2,5,6-四羧酸二酐、萘-1,2,4,5-四羧酸二酐、萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、萘-1,2,6,7-四羧酸二酐、4,8-二甲基-1,2,3,5,6,7-六氫萘-1,2,5,6-四羧酸二酐、4,8-二甲基-1,2,3,5,6,7-六氫萘-2,3,6,7-四羧酸二酐、2,6-二氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、2,7-二氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、2,3,6,7-四氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、1,4,5,8-四氯萘-2,3,6,7-四羧酸二酐、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐、2,2',3,3'-聯苯四羧酸二酐、2,3,3',4'-聯苯四羧酸二酐、3,3",4,4"-p-三聯苯基四羧酸二酐、2,2",3,3"-p-三聯苯基四羧酸二酐、2,3,3",4"-p- 三聯苯基四羧酸二酐、2,2-雙(2,3-二羧苯基)-丙烷二酐、2,2-雙(3,4-二羧苯基)-丙烷二酐、雙(2,3-二羧苯基)醚二酐、雙(2,3-二羧苯基)甲烷二酐、雙(3.4-二羧苯基)甲烷二酐、雙(2,3-二羧苯基)碸二酐、雙(3,4-二羧苯基)碸二酐、1,1-雙(2,3-二羧苯基)乙烷二酐、1,1-雙(3,4-二羧苯基)乙烷二酐、苝-2,3,8,9-四羧酸二酐、苝-3,4,9,10-四羧酸二酐、苝-4,5,10,11-四羧酸二酐、苝-5,6,11,12-四羧酸二酐、菲-1,2,7,8-四羧酸二酐、菲-1,2,6,7-四羧酸二酐、菲-1,2,9,10-四羧酸二酐、環戊烷-1,2,3,4-四羧酸二酐、吡-2,3,5,6-四羧酸二酐、吡咯啶-2,3,4,5-四羧酸二酐、噻吩-,3,4,5-四羧酸二酐、4,4'-氧二酞酸二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐等。
上述二胺及酸酐係亦可分別僅使用1種或併用2種以上。此外，於聚合所使用之溶劑可舉例二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、2-丁酮、二乙二醇二甲醚、二甲苯等，可使用1種或併用2種以上。
為使聚醯亞胺層為熱膨脹係數未達17×10-6/K之低熱膨脹性的聚醯亞胺層(i)，係作為原料之酸酐成分亦可使用1,2,4,5-苯四甲酸二酐、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐、二胺成分可使用2,2'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯、2-甲氧基-4、4'-二胺基苯并乙醯苯胺，特佳係可以1,2,4,5-苯四甲酸二酐以及2,2'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯作為各原料成分之主成分。
此外，為使聚醯亞胺層為玻璃轉移溫度為260℃以上之熱塑性聚醯亞胺層(ii)，係作為原料的酸酐成 分亦可使用1,2,4,5-苯四甲酸二酐、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐、3,3',4,4'-二苯基酮四羧酸二酐、3,3',4,4'-二苯基碸四羧酸二酐、二胺成分可使用2,2'-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、4,4'-二胺基二苯基醚、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯，特佳係1,2,4,5-苯四甲酸二酐以及2,2'-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷作為各原料成分之主成分。
本發明中，無論是在使用聚醯亞胺薄膜時，或使用附金屬層之聚醯亞胺積層體時，與銅箔(A)積層之面均必須為接著層。接著層係由熱塑性聚醯亞胺層(ii)所構成，但其玻璃轉移溫度係260℃以上，較佳為280℃至320℃之範圍。熱塑性聚醯亞胺層(ii)之玻璃轉移溫度為此範圍時，成為可將可撓性覆銅積層板加工成可撓性線路基板時所要求的銅箔與聚醯亞胺面之間的接著強度及尺寸安定性、零件封裝時的銲料接合所要求的銲料耐熱性優異者。
另一方面，低熱膨脹性聚醯亞胺層(i)係為使聚醯亞胺層全體的熱膨脹係數成為接近銅箔(A)之熱膨脹係數之12至23ppm/K，較佳係為未達17ppm/K之熱膨脹係數，更佳為5至10ppm/K之範圍。藉此，可使得聚醯亞胺層全體之熱膨脹係數與銅箔(A)之熱膨脹係數吻合，可容易抑制撓性覆銅積層體的翹曲、及蝕刻後加熱後的尺寸變化率。
本發明之可撓性覆銅積層板的製造所使用之銅箔(A)較佳為使用壓延銅箔。壓延銅箔可舉例熱壓接以及後步驟之退火時以進行(200)面的結晶配向的方式添加Ag 及Sn作為添加元素之銅合金箔。公知者可舉例JX日擴金屬製的HA銅箔及日立電線製的HPF箔。銅箔(A)之厚度無特別限定，但一般而言以5至100μm之範圍為有利，較佳為7至50μm之範圍，從緩和撓曲時附加於銅箔的應力的觀點來看，更佳為9至18μm之範圍。
其次，說明有關於本發明中之銅箔(A)及聚醯亞胺薄膜或附金屬層之聚醯亞胺積層體(B)之加熱壓接條件。層合溫度T1，亦即於加熱壓接步驟中之熱壓輥之溫度，由銅箔(A)及接著層之聚醯亞胺之接著性的觀點來看，必須為熱塑性聚醯亞胺層(ii)之聚醯亞胺之玻璃轉移溫度以上，較佳可為300至400℃。此外，期望在加熱輥間之線壓力為50至500Kg/cm且輥通過時間為2至5秒之條件下加熱壓接。層合的氛圍可舉例大氣氛圍、惰性氛圍，但由防止銅箔氧化變色的觀點來看，期望為惰性氛圍。在此所謂惰性氛圍係與非活性氛圍同義，為被氮或氬等之惰性氣體取代且實質上不含氧之狀態。
在此詳細說明有關以銅箔(A)之熱處理所進行之(200)面結晶配向。一般而言前述之銅箔係藉由熱處理進行軟化、降低彈性率且變得柔軟的同時，(200)面優先進行配向且使得立方體組織發達。就(200)面的結晶配向而言，可在半軟化溫度以上之溫度以預定的時間處理來進行，但必須至少在300℃以上之溫度10秒至60秒。如本發明般，在藉一對之熱壓輥加熱壓接之方法中，由確保其生產性的觀點來看，藉由輥之壓接可在10秒以內瞬間實施，故 加熱壓接步驟之後必須與再加熱步驟之退火步驟組合。
在此，再加熱步驟(退火處理)必須在層合溫度T1以上之溫度進行熱處理。若為層合溫度T1以下的溫度，一度於加熱壓接步驟中部分地經再結晶化之銅箔的結晶組織無法再度結晶成長，而無法以(200)面結晶配向充分進行立方體組織。也就是說，為了要再進一步進行以加熱壓接步驟之層合進行之部分再結晶，將再加熱步驟之熱處理溫度T2設定為層合溫度T1以上係非常重要。此時，後步驟之再加熱步驟之溫度為300℃以上時以10秒至60秒左右的處理時間即足夠。另一方面，設定超過400℃時會產生聚醯亞胺的耐熱劣化及因加熱所致翹曲等之問題，故較佳係設定為400℃以下。
經過如此之再加熱步驟，可使藉由前述加熱壓接步驟後的銅箔(A)在厚度方向之X線繞射所求得之(200)面的繞射強度(I)、及藉由微粉末銅的X線繞射所求得之(200)面繞射強度(Io)之關係成為I/Io>100。在此，I值以及Io值可藉由X線繞射法而測定，銅箔的厚度方向之X線繞射係用以確認於銅箔的表面(為壓延銅箔時係壓延面)的配向性，(200)面的強度(I)係表示以X線繞射所求得之(200)面的強度積分值。此外，強度(Io)係表示微粉末銅(關東化學社製銅粉末試藥I級，325網目，純度99.99%以上)之(200)面的強度積分值。
再加熱步驟之退火方法並無限制，但考量到將連續搬送之聚醯亞胺薄膜或附金屬層之聚醯亞胺積層體 (B)亦或銅箔(A)置於均一的溫度環境下，較佳為使步驟之一區塊設為爐型室(booth)，以熱風進行加熱。此外，為防止銅箔表面的變質等之影響，熱風較佳為加熱氮氣。以該氮加熱，要更提高溫度條件，由於仍有上限，故可附加其他的加熱手段。較佳的加熱手段可舉例在搬送路徑旁邊設置加熱器。另外，加熱器可設置複數個，其種類可為相同或相異。
[實施例]
以下，依據實施例而更詳細說明本發明。另外，在以下之實施例中，各特性評價係依以下之方法進行。
[以XRD測定結晶方位I/Io]
銅箔的(200)面結晶方位係藉由使用Mo對陰極之XRD法，對於藉由微粉末銅的X線繞射所求得之(200)面繞射強度(Io)算出試料之(200)面繞射強度(I)，定義為I/Io值。
[撓曲特性的測定]
對於以銅箔/聚醯亞胺/銅箔所構成之雙面可撓性覆銅積層板貼合市售之光阻薄膜，而以預定的圖案形成用遮罩曝光後，以殘留貼合有光阻薄膜側的銅箔之方式，全面蝕去相反面的銅箔之後，使殘餘的銅箔形成L/S=100μm/100μm之圖案的方式硬化形成阻劑層(L：線路線寬，S：線路線間距寬)。其次，顯影硬化阻劑處，蝕刻除去預定之圖案形成中不需要的銅箔，進一步將硬化阻劑層以鹼性液體剝離除去以製作試驗樣品。於試驗圖案張貼覆蓋層後使用IPC試驗裝置，設定撓曲半徑r=1.5mm，沖程25mm，滑 動速度為1500cpm。撓曲壽命的判定係對樣品施加預定的電壓的同時，實施撓曲試驗，電阻值上昇10%之樣品視為配線斷線，作為撓曲次數。下述實施例以及比較例中，各別評價於澆鑄面銅箔形成預定圖案時(除去層合面銅箔(基材2))之撓曲特性、以及於層合面銅箔(基材2)預形成定的圖案時的撓曲特性(除去塗布面銅箔)。
[銲料耐熱性試驗之測定]
將市售的光阻薄膜貼合於以銅箔/聚醯亞胺/銅箔所構成之雙面可撓性覆銅積層板，以預定的圖案形成用遮罩曝光後，銅箔表背面各別之相同位置硬化形成1mm的圓形圖案的阻劑層。其次，顯影硬化阻劑處，而於預定的圖案形成蝕刻除去不需要的銅箔層，進一步將硬化阻劑層以鹼性液體剝離除去來製作試驗樣品。使樣品乾燥後，於溫度不同的銲料浴槽中浸漬10秒，測定銅箔不會產生膨脹、剝離的現象的溫度，將此溫度作為銲料耐熱溫度。
[剝離強度的測定]
將市售的光阻薄膜層合於以銅箔/聚醯亞胺/銅箔所構成之積層體，以預定的圖案形成用遮罩曝光後，使銅配線寬為1mm之圖案的方式硬化形成阻劑層。其次，顯影硬化阻劑處，於預定的圖案形成蝕刻除去不需要的銅箔層，進一步將硬化阻劑層以鹼性液體剝離除去來製作試驗樣品。使樣品乾燥後，以東洋精機股份有限公司製抗拉試驗器(Strograph M-1)以180°拉剝法測定剝離強度。
[尺寸變化率的測定]
尺寸變化率的測定係以下揭順序進行。
首先，使用300mm見方的試料(可撓性覆銅積層板)，以200mm間隔曝光乾式薄膜阻劑，藉由顯影而形成位置測定用靶(target)。進一步於溫度23±2℃、相對濕度50±5%的氛圍中測定蝕刻前(通常狀態)之尺寸後，藉由蝕刻試驗片之靶以外的銅(液溫40℃以下，時間10分鐘以內)來除去。於溫度23±2℃、相對濕度50±5%的氛圍中靜置24±4小時後，測定位置靶間的距離。算出相對於縱方向以及橫方向之各3處之通常狀態的尺寸變化率，以各個之平均值而測定蝕刻後的尺寸。其次，將本試驗片以250℃的烤箱加熱處理1小時，測定其後的位置靶間的距離。算出相對於縱方向以及橫方向之各3處之通常狀態的尺寸變化率，以各個之平均值為加熱處理後的尺寸變化率。加熱尺寸變化率係以下述數學式得出。
蝕刻後尺寸變化率(%)=(B-A)/A×100
A；阻劑顯影後的靶間距離
B；配線形成後的靶間距離
加熱尺寸變化率(%)=(D-C)/C×100
C；配線形成後的靶間距離
D；加熱後的靶間距離
[翹曲的測定]
自可撓性覆銅積層板作成10cm×10cm尺寸之薄片，將此薄片載置於桌上時，使用游標尺測定自桌面浮起最高之部分離桌面的高度。將此高度設為翹曲量，翹曲量未達2mm 時評價為「無翹曲」。
[玻璃轉移溫度的測定]
銅箔上塗布聚醯胺酸的樹脂溶液，進行熱處理，作為積層體。蝕刻除去該積層體之銅箔所得得之聚醯亞胺薄膜(10mm×22.6mm)以DMA測定自20℃至500℃為止以5℃/分昇溫時的動態黏彈性，求取玻璃轉移溫度Tg(tan δ極大值)。
[熱膨脹係數的測定]
將蝕刻銅箔所得之聚醯亞胺薄膜，使用Seiko Instruments Inc.製之熱機械分析儀，昇溫至250℃，進一步於該溫度保持10分鐘後，以5℃/分之速度冷卻，求取自240℃至100℃為止之平均熱膨脹係數(線熱膨脹係數)。
其次，表示實施例、比較例所使用之聚醯胺酸的合成例。
(合成例1)
於具備熱電偶及攪拌機的同時可導入氮的反應容器中，加入N,N-二甲基乙醯胺，於此反應容器中投入2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷(BAPP)而在容器中一邊攪拌一邊使其溶解。其次，將1,2,4,5-苯四甲酸二酐(PMDA)以使單體之投入總量為12wt%之方式投入。之後，持續攪拌3小時而進行聚合反應，得到聚醯胺酸a之樹脂溶液。該聚醯胺酸a所得之聚醯亞胺之玻璃轉移點溫度為310℃，線熱膨脹係數為45ppm/K。
(合成例2)
於具備熱電偶以及攪拌機的同時可導入氮的反應容 器中，加入N,N-二甲基乙醯胺，於此反應容器中投入2,2'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯(m-TB)在容器中一邊攪拌一邊使其溶解。其次，將3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(BPDA)以及1,2,4,5-苯四甲酸二酐(PMDA)以使單體之投入總量為15wt%，各酸酐之莫耳比率(BPDA：PMDA)為20：80之方式投入。之後，持續攪拌3小時進行聚合反應，得到聚醯胺酸b之樹脂溶液。該聚醯胺酸b所得之聚醯亞胺之玻璃轉移點溫度為380℃，線熱膨脹係數為8ppm/K。
(合成例3)
於具備熱電偶以及攪拌機的同時可導入氮的反應容器中，加入N,N-二甲基乙醯胺，於此反應容器中投入2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷(BAPP)在容器中一邊攪拌一邊使其溶解。其次，將3,3',4,4'-二苯基酮四羧酸二酐(BTDA)以使單體之投入總量為12wt%之方式投入。之後，持續攪拌3小時進行聚合反應，得到聚醯胺酸c之樹脂溶液。該聚醯胺酸c所得之聚醯亞胺之玻璃轉移點溫度為240℃，線熱膨脹係數為42ppm/K。
(實施例1)
於厚度12μm之長條狀之壓延銅箔(JX日鑛日石金屬製HA箔；I/Io=7)之單面以使硬化後的厚度為2.2μm的方式均一塗布於合成例1所調製之聚醯胺酸a之樹脂溶液後(第一層)，以130℃加熱乾燥，除去溶劑。其次，於該塗布面側以硬化後的厚度為7.6μm的方式均一塗布合成例2所調製之聚醯胺酸b之樹脂溶液(第二層)，以135℃加熱乾 燥，除去溶劑。進一步，於該塗布面側以使硬化後的厚度為2.2μm的方式均一塗布與第一層所塗布者相同之聚醯胺酸a之樹脂溶液(第三層)，以130℃加熱乾燥，除去溶劑。該長條狀的積層體自130℃開始至300℃為止以階段性提升溫度的方式設定之連續硬化爐，歷時合計6分鐘左右的時間進行熱處理，得到聚醯亞胺層之厚度為12μm之單面可撓性覆銅積層板(基材1)。
其次，對於該單面可撓性覆銅積層板(基材1)之聚醯亞胺層之表面，加熱壓接作為基材2之長條狀之壓延銅箔(JX日鑛日石金屬製HA箔；I/Io=7)。層合裝置係適用：自卷出軸將層合之長條狀的基材經由導輥進行搬送，於惰性氛圍下之爐內以一對之對向之金屬輥(表面粗糙度Ra=0.15μm)加熱壓接之方式。熱壓接條件設為溫度360℃、壓力130Kg/cm、通過時間；2至5秒(層合：加熱壓接步驟)。之後，以380℃的加熱熱風爐進行60秒加熱處理(再加熱步驟)，得到雙面可撓性覆銅積層板。於表1中表示各實施例所使用之基材、熱層合溫度及退火條件。
於上述所得之雙面可撓性覆銅積層板中，就塗布有聚醯胺酸之樹脂溶液之銅箔(稱為「澆鑄面銅箔」)、以及加熱壓接步驟所層合之銅箔(基材2：稱為「層合面銅箔」)，於表2各別表示藉由在厚度方向之X線繞射所求得之(200)面的繞射強度(I)、及藉由微粉末銅的X線繞射所求得之(200)面繞射強度(Io)之比I/Io值。此外，將撓曲特性及銲料耐熱性表示於表2。澆鑄面銅箔之(200面)I/Io為 195，以IPC試驗所得到的撓曲次數為1700萬次。另一方面的層合面銅箔，(200面)I/Io為185，以IPC試驗所得到的撓曲次數為1600萬次，具有與澆鑄面銅箔同等之撓曲特性。此外，銲料耐熱溫度為350℃，為實用上充分之水準。
(實施例2)
就基材1所使用之銅箔、與作為基材2之銅箔而言，使用各別長條狀之厚度為12μm之壓延銅箔(日立金屬製HPF-ST-X)以外，與實施例1相同地，得到雙面可撓性覆銅積層板。將所得之雙面可撓性覆銅積層板之評價結果表示於表2。澆鑄面銅箔之(200面)I/Io為205，以IPC試驗得到的撓曲次數為1600萬次。另一方面之層合面銅箔之(200面)I/Io為200，以IPC試驗得到的撓曲次數為1700萬次，具有與澆鑄面同等之撓曲特性。此外，銲料耐熱溫度為350℃。
(實施例3)
於市售之聚醯亞胺薄膜(Kapton EN)之雙面以合成例1所合成之聚醯胺酸a之樹脂溶液塗布乾燥後，於大氣氛圍進行硬化，得到含有熱塑性聚醯亞胺之聚醯亞胺醯亞胺薄膜(基材1)。於該聚醯亞胺薄膜之兩側將實施例1所示之銅箔(基材2)以與實施例1相同地做法以360℃的溫度熱層合，之後，以熱風加熱爐於380℃進行1分鐘的加熱處理，得到雙面可撓性覆銅積層體。所得之雙面可撓性覆銅積層板之評價結果表示於表2。層合面側的銅箔之(200面)I/Io為198，以IPC試驗所得到的撓曲次數為1300萬次。銲料 耐熱溫度為320℃。
(比較例1)
與實施例1相同地做法而製作單面覆銅積層板(基材1)後，使用實施例1所示之銅箔(基材2)，以表1所示條件實施層合條件。之後，不進行再加熱步驟之熱處理，而得到比較例1之雙面可撓性覆銅積層板。所得之雙面可撓性覆銅積層板之評價結果表示於表2。澆鑄面銅箔之(200面)I/Io為195，以IPC試驗得到的撓曲次數為1700萬次。另一方面之層合面銅箔之(200面)I/Io為87，未達到澆鑄面銅箔或於實施例之層合面銅箔之約一半，以IPC試驗得到的撓曲次數為700萬次，為實施例的50%以下。
(比較例2)
除了使加熱壓接步驟之層合溫度T1設為380℃，此外，再加熱步驟於350℃進行60秒以外，與實施例1相同地，得到比較例2之雙面可撓性覆銅積層板。所得之雙面可撓性覆銅積層板之評價結果表示於表2。澆鑄面銅箔之(200面)I/Io為195，以IPC試驗得到的撓曲次數為1700萬次。另一方面之層合面銅箔之(200面)I/Io為從層合後無提升而為90，以IPC試驗得到的撓曲次數為760萬次。
(比較例3)
除了使加熱壓接步驟之層合溫度T1設為380℃，此外，再加熱步驟於350℃進行600秒以外，與實施例1相同地，得到比較例3之雙面可撓性覆銅積層板。所得之雙面可撓性覆銅積層板之評價結果表示於表2。即便延長再 加熱步驟之時間，層合面銅箔之(200面)I/Io為89，以IPC試驗得到的撓曲次數為720萬次。
(比較例4)
得到基材1之單面可撓性覆銅積層板時，取代實施例1之第一層及第三層所使用之聚醯胺酸，各別使用合成例3所示之聚醯胺酸c以外，與實施例1相同地，得到比較例4之雙面可撓性覆銅積層板。所得之雙面可撓性覆銅積層板之評價結果表示於表2。層合面銅箔(200面)I/Io提升至189，以IPC試驗所得到的撓曲次數為1550萬次，顯現出至與澆鑄面銅箔同等，但銲料耐熱性為250℃，為無法承受零件封裝時的銲料回焊等的水準。
另外，評估有關本實施例後的可撓性覆銅積層板之剝離強度、尺寸變化率、翹曲，但任一實施例之剝離強度均為0.8kN/m。蝕刻後的尺寸變化率、加熱尺寸變化率均為0.1%以內，翹曲亦為2mm以下。也就是說，於可撓性覆銅積層板所要求之特性係可保持，且確認出在實用上並無問題。

Claims (6)

  1. 一種可撓性覆銅積層板，其係具備聚醯亞胺層、設置於該聚醯亞胺層的其中一面之第1銅箔層(A1)、及設置於該聚醯亞胺層的另一面之第2銅箔層(A2)，並且具備下列a至c所述構成：a)聚醯亞胺層係由複數層所構成，且具備第1熱塑性聚醯亞胺層(iia)及第2熱塑性聚醯亞胺層(iib)作為與前述銅箔層(A1、A2)相接之各積層面，前述熱塑性聚醯亞胺層(iia)及前述熱塑性聚醯亞胺層(iib)之玻璃轉移溫度皆為260℃以上；b)第1銅箔層(A1)係由壓延銅箔所構成，該壓延銅箔之厚度(t1)為9至18μm之範圍內且藉由X線繞射所求得之(200)面的繞射強度(I)及藉由微粉末銅的X線繞射所求得之(200)面繞射強度(Io)之關係為I/Io>100；c)第2銅箔層(A2)係由層合面壓延銅箔所構成，該層合面壓延銅箔之厚度(t2)為9至18μm之範圍內且藉由X線繞射所求得之(200)面的繞射強度(I)及藉由微粉末銅的X線繞射所求得之(200)面繞射強度(Io)之關係為I/Io>100。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之可撓性覆銅積層板，其中，構成前述熱塑性聚醯亞胺層(iia)及前述熱塑性聚醯亞胺層(iib)之酸酐成分係選自由1,2,4,5-苯四甲酸二酐、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐、3,3',4,4'-二苯基酮四羧酸二酐及3,3',4,4'-二苯基碸四羧酸二酐所組成之群組 之至少一種。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之可撓性覆銅積層板，其中，構成前述熱塑性聚醯亞胺層(iia)及前述熱塑性聚醯亞胺層(iib)之二胺成分係選自由2,2'-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、4,4'-二胺基二苯基醚及1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯所組成之群組之至少一種。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之可撓性覆銅積層板，其中，構成前述熱塑性聚醯亞胺層(iia)及前述熱塑性聚醯亞胺層(iib)之酸酐成分之主成分係1,2,4,5-苯四甲酸二酐，構成前述熱塑性聚醯亞胺層(iia)及前述熱塑性聚醯亞胺層(iib)之二胺成分之主成分係2,2'-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之可撓性覆銅積層板，其中，前述銅箔層(A1)之I/Io之值(I1)與前述銅箔層(A2)之I/Io之值(I2)的差為10以下。
  6. 一種可撓性線路基板，係將申請專利範圍第1項所述之可撓性覆銅積層板之前述銅箔層(A1)及前述銅箔層(A2)做線路加工而成者。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016159104A1 (ja) * 2015-03-31 2016-10-06 株式会社カネカ 多層ポリイミドフィルム、フレキシブル金属箔積層体、フレキシブル金属箔積層体の製造方法およびリジッドフレキシブル配線板の製造方法
JP2016215651A (ja) * 2016-07-19 2016-12-22 新日鉄住金化学株式会社 フレキシブル銅張積層板及びフレキシブル回路基板
CN108621513B (zh) * 2017-03-22 2019-11-12 昆山雅森电子材料科技有限公司 用于超细线路fpc及cof材料的纳米金属基板及制造方法
CN107696669B (zh) * 2017-09-20 2024-02-06 广东拓斯达科技股份有限公司 自动贴箔机
JP7212480B2 (ja) * 2017-09-29 2023-01-25 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 ポリイミドフィルム、金属張積層板及び回路基板
JP6597983B2 (ja) * 2017-10-23 2019-10-30 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 ロールプレス装置
CN109796761A (zh) * 2018-12-25 2019-05-24 努比亚技术有限公司 显示屏组件、其制备方法和显示终端
CN111635547B (zh) * 2020-06-11 2022-06-28 四川铂利明德科技有限公司 一种高性能改性聚酰亚胺可挠性复合膜的制备方法
US11382210B1 (en) 2020-12-17 2022-07-05 International Business Machines Corporation Dielectric material change to optimize electrical and mechanical properties of flex circuit
CN114679837A (zh) * 2020-12-24 2022-06-28 广东生益科技股份有限公司 一种黑色无胶挠性覆铜板及其制备方法和应用
CN112764533A (zh) * 2020-12-30 2021-05-07 电子科技大学 一种用于手套式键盘的柔性碳系应变传感器阵列
JP2023000498A (ja) 2021-06-18 2023-01-04 合肥漢之和新材料科技有限公司 接着剤、接着シート及びフレキシブル銅張積層板
CN115179638B (zh) * 2022-06-29 2024-02-27 厦门爱谱生电子科技有限公司 一种柔性覆铜板的制作方法
CN117528897A (zh) * 2022-07-27 2024-02-06 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司 软性电路板及其制造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200642838A (en) * 2005-04-19 2006-12-16 Ube Industries Polyimide film-laminated body
TW200702161A (en) * 2005-04-04 2007-01-16 Ube Industries Copper-clad laminated board
TW200924966A (en) * 2007-10-18 2009-06-16 Shinetsu Chemical Co Method of producing flexible single-sided polyimide copper-clad laminate

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04285586A (ja) 1991-03-13 1992-10-09 Juki Corp ミシンの布送り歯軌跡調節装置
JPH0637451A (ja) * 1992-07-20 1994-02-10 Hitachi Chem Co Ltd 多層印刷配線板及びその製造方法
TWI298988B (en) * 2002-07-19 2008-07-11 Ube Industries Copper-clad laminate
JP4116869B2 (ja) * 2002-11-20 2008-07-09 株式会社巴川製紙所 耐熱性接着剤組成物及びこれを用いた積層体、並びにフレキシブルプリント基板
JP2006015681A (ja) * 2004-07-05 2006-01-19 Shin Etsu Chem Co Ltd フレキシブル金属箔ポリイミド積層板及びその製造方法
JP4756194B2 (ja) * 2005-02-22 2011-08-24 新日鐵化学株式会社 銅張積層板の製造方法
KR100629360B1 (ko) * 2005-05-30 2006-10-02 한국화학연구원 에틸렌이민 커플링제를 이용한 폴리이미드 필름의표면개질방법, 그를 이용한 동박 적층 필름의 제조방법 및그로 제조된 2층 구조의 동박 적층필름
TWI342323B (en) * 2007-01-22 2011-05-21 Chang Chun Plastics Co Ltd Thermoset resin modified polyimide resin composition
JP2009292090A (ja) * 2008-06-06 2009-12-17 Nippon Mining & Metals Co Ltd 屈曲性に優れた二層フレキシブル銅貼積層板およびその製造方法
WO2010119908A1 (ja) * 2009-04-14 2010-10-21 宇部興産株式会社 メタライジング用のポリイミドフィルム、これらの製造方法、及び金属積層ポリイミドフィルム
JP2011148192A (ja) * 2010-01-21 2011-08-04 Jx Nippon Mining & Metals Corp 銅張積層板の製造方法、それに用いる銅箔、及び銅張積層板のラミネート装置。
CN101974155B (zh) * 2010-07-10 2013-08-28 横店集团东磁股份有限公司 聚酰亚胺前聚体树脂合成方法及单面柔性覆铜板制造方法
CN201774739U (zh) * 2010-09-29 2011-03-23 莱芜金鼎电子材料有限公司 一种四层双面挠性覆铜板结构及其生产设备
CN201872386U (zh) * 2010-12-13 2011-06-22 莱芜金鼎电子材料有限公司 双面不同铜箔厚度的挠性覆铜板
TW201304633A (zh) 2011-07-08 2013-01-16 Azotek Co Ltd 可撓性基板的製造方法
CN102794962A (zh) * 2012-08-29 2012-11-28 松扬电子材料(昆山)有限公司 复合式双面铜箔基板及其制造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200702161A (en) * 2005-04-04 2007-01-16 Ube Industries Copper-clad laminated board
TW200642838A (en) * 2005-04-19 2006-12-16 Ube Industries Polyimide film-laminated body
TW200924966A (en) * 2007-10-18 2009-06-16 Shinetsu Chemical Co Method of producing flexible single-sided polyimide copper-clad laminate

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