JP2000133896A - 配線板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、耐熱性の低い微小な機械デバイスを
用いる場合にあっても、そのデバイスの特性を損なうこ
となく半田付けするのに適した配線板を提供することに
ある。 【解決手段】本発明によると、基体に形成される電極部
と、この電極部の下部に設けられた電熱変換手段とを具
備することを特徴とする配線板が提供される。また、前
記電極部は複数の導電層で構成されており、この複数の
導電層のうちの少なくとも一層が、上記電熱変換手段の
発生する熱により溶融可能であることを特徴とする配線
板が提供される。さらに、上記配線板は可撓性を有する
ことを特徴とする配線板が提供される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、配線板に係り、特
に、外部電子デバイスを接続するための配線板に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年のマイクロマシン技術の進展に伴
い、加速度や角速度などの物理量センサやマイクロアク
チュエータ等の機械デバイスが半導体集積回路に代表さ
れるマイクロエレクトロニクスデバイスと同等程度まで
微小化されるようになってきている。

【０００３】これに伴い、微小な機械デバイスと半導体
集積回路を高密度に実装することによって、例えば、内
視鏡の高機能化を図る試みなどが盛んになされている。
このような実装技術に関連して、従来のＣＯＢ（Chip o
n Board ）技術のような、一般的な電子回路の実装手法
よりも高密度の実装方法として、例えば、特開平１０−
２７９１６号公報に開示されている手法がある。

【０００４】同技術においては、半導体電子回路に一体
に形成された可撓性薄膜に微小な配線パターンが形成さ
れており、その配線パターンに形成された電極に各種機
械デバイスをマウントすることによって、従来の印刷配
線板に電子回路素子機械デバイスを組み付ける手法と比
較して、大幅な微小化を実現することができる。

【０００５】一方、医療用内視鏡に代表される微小な光
学システムにおいては、３５ｍｍフィルムを用いた一眼
レフカメラのような比較的大型の光学装置と比較すると
機能の上でさまざまな制約を受けることになる。

【０００６】この中でも光学絞りに関しては、細径内視
鏡に開口率を変えることができる可変絞りを組み込むこ
とは不可能であった。特に、内視鏡においては、ライト
ガイドを通じて体内に導入できる光量は限られているの
で、開口率を大きくした状態で固定されているのが普通
である。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】まず、本発明における
主たる課題について説明する。上述したような、従来技
術においては、可撓性薄膜上に形成された電極に機械シ
ステムを電気的に接合させるためは半田による接合が一
般的である。

【０００８】これは、導電性接着剤などを用いる手法と
比較すると、接合強度や接合部での電気的特性が優れて
いるからである。しかしながら、電極に接合する機械デ
バイスの耐熱性が低い場合、例えば、圧電素子を用いた
デバイス（通常の圧電素子は２００℃程度の温度で分極
が消失する）においては、リフロー炉を用いて半田付け
を行うことができないという問題がある。

【０００９】また、一度、電極に接合して、例えば、内
視鏡装置に組み込んだ後で機械デバイス部品が故障した
場合、これを個別に交換するのは事実上不可能であり、
電子回路や同じ配線板に実装された機械デバイスも含め
て交換する必要があった。

【００１０】従って、本発明の目的は、例えば、耐熱性
の低い微小な機械デバイスを用いる場合にあっても、そ
のデバイスの特性を損なうことなく半田付けするのに適
した配線板を提供することにある。

【００１１】また、本発明の他の目的は、半田付け後に
故障した微小な機械デバイスを交換する手段を提供する
ことにある。そして、本発明では、以下のような付随的
課題を取り上げる。

【００１２】例えば、医療用内視鏡を用いて胃の観察を
行う場合、通常は胃壁から距離を大きく離して比較的広
い範囲を観察し、その後で病変の疑いのある部位に近接
させて狭い視野を詳細に観察する手順を取る。

【００１３】このとき、広い視野で観察する際には胃壁
までの距離が大きいので撮像光学系の開口を大きくして
光量が不足しないように固定すると、近接して観察する
際（この時には胃壁までの距離が小さいので光量は十分
である）には開口率が高いことから分解能が低下すると
いった問題がある。

【００１４】一方、近接観察時の分解能を高めるために
撮像光学系の絞りの開口を小さくすると、広い視野を観
察する際に光量が不足し、病変部の検出が困難になると
いった問題がある。

【００１５】従って、本発明の付随的課題の一つは、細
径の光学システムに適用できる微小な可変光学絞りを提
供することにある。また、半導体電子回路は多くの種類
の電子部品を微小化して一体形成することができるが、
大容量のコンデンサは、半導体集積回路中に接合容量や
ＭＯＳ容量を使って形成するには大きな面積を必要とし
て微小化の大きな妨げになることから、誘電体を絶縁膜
に用いたチップコンデンサを外付け部品として実装しな
ければならない。

【００１６】しかしながら、これは電装系全体の微小化
の大きな妨げとなる。一方、強誘電体膜を用いたキャパ
シタを半導体電子回路上に一体形成する手法も考えられ
るが、一般的に、強誘電体を半導体基板上に形成するに
は高温の焼結工程が必要であり、この過程で強誘電体膜
中の不純物が半導体基板に拡散し、半導体電子回路の信
頼性に問題を引き起こす可能性がある。

【００１７】従って、本発明の付随的課題の一つは、信
頼性等の問題を引き起こすことなく、半導体電子回路と
強誘電体膜を用いた大容量のキャパシタとを一体に形成
するための手段を提供することにある。

【００１８】また、細径の内視鏡のような微小な光学装
置にあって、特に高倍率で病変部を観察することを目的
とする場合においては、撮像光学系の解像度を向上させ
るために極めて薄く、滑らかな円形開口形状を有する光
学絞りが必要であるが、このような光学絞りの製作には
精密な加工技術を要し、更に部品点数の増大を招くので
装置コストの上昇につながる。

【００１９】従って、本発明の付随的課題の一つは、高
精度の光学絞りを、全体の部品点数を増加させることな
く、低コストで実現するために適した手段を提供するこ
とである。

【００２０】また、比較的小型の光学装置において、可
変の光学絞り機構を搭載することは性能向上に大きく寄
与するが、その可変細り機構が電動である場合にあって
は、その配線や制御回路が必要となる。

【００２１】これは配置するためのスペースを確保する
ために装置自体が大型化したり、部品点数が増加するこ
とによるコスト上昇といった問題を引き起こす。従っ
て、本発明の付随的課題の一つは、部品点数の増大や装
置自体の大型化を引き起こさず、小型の光学装置に適用
できる電動の可変絞り装置を提供することである。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明によると、上記課
題を解決するために、（１） 基体に形成された電極部
と、この電極部の下部に設けられた電熱変換手段と、を
具備することを特徴とする配線板が提供される。

【００２３】この発明によると、電極領域を局部的かつ
短時間で加熱する手段を設けることによって、外部デバ
イスの耐熱性が低い場合にあっても、その特性を損なう
ことなく安定した接合を行なうことができる。

【００２４】また、本発明によると、上記課題を解決す
るために、（２） 前記電極部は複数の導電層で構成さ
れており、この複数の導電層のうちの少なくとも一層
が、上記電熱変換手段の発生する熱により溶融可能であ
ることを特徴とする（１）記載の配線板が提供される。

【００２５】この発明によると、第１の実施の形態のよ
うに、電熱変換素子３５の上部に形成された外部デバイ
スを接続するための電極１５の最上層が半田層３４とな
っているので、電極領域を局部的かつ短時間で即熱する
手段を有する配線板において、その電極領域の一部を熱
によって溶融する素材で構成することによって、容易に
外部デバイスを接続することができる。

【００２６】また、本発明によると、上記課題を解決す
るために、（３） 上記基体は可撓性を有することを特
徴とする（１）または（２）記載の配線板が提供され
る。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
の形態について説明する。本発明の第１の実施の形態を
図１乃至図８を用いて説明する。本実施の形態は本発明
を、高解像度の観察用撮像系と病変部の堅さを計測する
圧電振動式触覚センサを有する細径の内視鏡装置に適用
した場合の例である。

【００２８】なお、圧電式触覚センサの例としては、例
えばProc.of 1997 International Conferrence on Soli
d-State Sensors and Actuators, Chicago, June 16-1
9, 1997, pp117-120 に開示されている方法が知られて
いる。

【００２９】図１の（ａ），（ｂ）は、本実施の形態が
適用される内視鏡装置の上面図と、そのＡ−Ａ´断面の
構造を模式的に示した断面図である。すなわち、図１の
（ａ），（ｂ）に示すように、内視鏡装置の外壁管１の
内部に本発明の半導体装置２、撮像レンズ３、ライトガ
イド４、半導体装置２に実装された圧電式触覚センサ素
子５及び半導体装置２に接続されたリード線６が組み込
まれている。

【００３０】この外部リード線６は、外部コントローラ
（図示せず）に接続されている。半導体装置２は一体に
形成されているが、センサ接続領域７、光学絞り領域
８、撮像素子領域９、電子回路領域１０、リード線接続
領域１１で構成され、各々は可撓性配線領域１２で接続
されている。

【００３１】また、特に、図示しないが、光学絞り領域
８、撮像素子領域９及び撮像レンズ３は、レンズ筺体
に、光学的に適切な配置で固定されているものとする。
図２の（ａ），（ｂ）は、本発明の半導体装置２の上面
図と、そのＢ−Ｂ´断面図を示したものである。

【００３２】すなわち、図２の（ａ），（ｂ）に示すよ
うに、半導体装置２の各領域は、基体となる厚さ２０μ
ｍのポリイミド膜１３で接続されている。ここで、可撓
性配線領域１２は、ポリイミド膜１３とその内部に形成
された配線（図２の（ｂ）の断面図では図示せず）のみ
で構成され、センサ接続領域７の領域のポリイミド膜１
３の下部には厚さ１０μｍの薄いシリコン領域１４が形
成されていると共に、その上部にはセンサを接続するた
めの電極１５が形成されている。

【００３３】そして、光学絞り領域８では、ポリイミド
膜１３の下部に薄いシリコン領域１６が形成され、この
シリコン領域１６の中央部には直径１ｍｍ程度の穴１７
が形成されている。

【００３４】また、撮像素子領域９には、ポリイミド膜
１３の下部に厚いシリコン領域１８が形成され、このシ
リコン領域１８の表面にはＭＯＳ型撮像素子が形成され
ている。

【００３５】また、電子回路領域１０のポリイミド膜１
３の下部には、厚いシリコン領域１９が形成され、この
シリコン領域１９の表面には高密度のＣＭＯＳ集積回路
が形成されている。

【００３６】また、リード線接続領域１１のポリイミド
膜１３の下部には、薄いシリコン領域２０が形成され、
その表面には強誘電体膜を利用した大容量のコンデンサ
２１が形成されている。

【００３７】また、リード線接続領域１１のポリイミド
膜１３の表面には、リード線接続のための複数の電極２
２が形成されている。そして、厚いシリコン領域１８に
形成されたＭＯＳ型撮像素子と、厚いシリコン領域１９
に形成されたＣＭＯＳ集積回路とは、ポリイミド膜１３
の内部に形成されたアルミ配線２３によって電気的に接
続され、センサ接続のための電極１５と厚いシリコン領
域１９に形成されたＣＭＯＳ電子回路とはアルミ配線２
４によって電気的に接続されている。

【００３８】また、コンデンサ２１と厚いシリコン領域
１９に形成されたＣＭＯＳ集積回路とはポリイミド膜１
３の内部に形成したアルミ配線２５によって電気的に接
続されていると共に、外部リード用電極２２と厚いシリ
コン領域１９に形成されたＣＭＯＳ集積回路とはポリイ
ミド膜１３の内部に形成したアルミ配線２６によって電
気的に接続されている。

【００３９】図２は、本実施の形態において用いられる
半導体装置２の構造について大まかに示したが、この図
２中では図があまりに煩雑になるのを防ぐために、いく
つかの要素の記述を省略している。

【００４０】次に、これらの要素について、図３乃至図
８を用いて詳細に説明する。図３は、図２のセンサ接続
領域７の断面を示している。すなわち、図３に示すよう
に、ポリイミド膜１３は４層構造となっており、下層側
から第１ポリイミド層２７、第２ポリイミド層２８、第
３ポリイミド層２９、第４ポリイミド層３０で構成され
ている。

【００４１】このポリイミド膜１３の４層構造は、半導
体装置２の他の領域においても同様である。図２に示し
た電極１５と、この電極１５と厚いシリコン領域１９の
ＣＭＯＳ集積回路を接続するための配線２４は、図３に
おいて、第３ポリイミド層２９と第４ポリイミド層３０
の間に形成され、電極１５の領域の第４ポリイミド層３
０には電極表面を露出させるための開口部３１が形成さ
れている。

【００４２】この電極１５は下側からアルミ層３２（配
線２４から延在している）、ニッケル層３３、半田層３
４の３層構造でなり、半田層３４の表面は第４ポリイミ
ド層３０よりも高くなっている。

【００４３】このような構成の電極１５は、アルミ層３
２を電極となる開口部領域３１で露出させ、この領域に
選択的にニッケル層３３を無電解メッキによって形成
し、更に溶融した半田に半導体装置全体を浸して、ニッ
ケルが露出した領域に選択的に半田を被着させることに
よって実現できる。

【００４４】また、図３において、第２ポリイミド層２
８と第３ポリイミド層２９の間には、櫛状のチタン薄膜
パターン３５が形成されている。このチタン薄膜パター
ン３５は、図４に示すように、電流を流した際に電極１
５の直下において発熱部を形成し、電熱変換素子３６を
構成する。

【００４５】また、図３において、第１ポリイミド層２
７と第２ポリイミド層２８との間には、アルミ層よりな
る配線３７が形成されており、この配線３７は第２ポリ
イミド層２８に開口されたコンタクト孔３８を介してチ
タン薄膜パターン３５と電気的に接続されている。

【００４６】図５は、図２の光学絞り領域８について示
している。なお、図５の（ａ）は下面図を示しており、
図５の（ｂ）は図５の（ａ）のＡ−Ａ´断面図を示し、
図５の（ｃ）は図５の（ａ）のＢ−Ｂ´断面図を示し、
図５の（ｄ）は図５の（ａ）のＣ−Ｃ´断面図を示して
いる。

【００４７】すなわち、図５の（ｂ）に示すように、第
２ポリイミド層２８と第３ポリイミド膜２９の間にチタ
ン薄膜よりなる光遮蔽膜３９が形成されており、この光
遮蔽膜３９には薄い半導体層１６の開口部１７領域に対
応して絞りの開口部４０が形成されている。

【００４８】この開口部４０は開口部１７よりも小さ
く、実際には、この開口部４０が光学絞りとして機能す
ることになる。また、図５の（ａ），（ｄ）に示すよう
に、図２に示したセンサ接続領域７から延在する配線２
４は、第３ポリイミド層２９と第４ポリイミド層３０の
間で開口部４０と重ならない限りにおいて、光学絞り領
域８内で自由に配置して、図２に示した電子回路領域１
９と電気的に接続させることができる。

【００４９】また、図５の（ａ），（ｃ）に示すよう
に、センサ接続領域７から延在する配線３７は、第１ポ
リイド層２７と第２ポリイミド層２８の間で開口部１７
と重ならない限りにおいて光学絞り領域８内で自由に配
置して、図２に示した電子回路領域１９と電気的に接続
させることができる。

【００５０】図６は、図２の撮像素子領域９について示
している。なお、図６の（ａ）は下面図を示しており、
図６の（ｂ）は図６の（ａ）のＡ−Ａ´断面図を示して
いる。

【００５１】すなわち、図６の（ｂ）に示すように、厚
い半導体層１８の表面にはＭＯＳ型撮像素子の受光領域
４１とその周辺回路４２が形成されている。また、特
に、図示していないが、半導体層１８と第１ポリイミド
層２７の間には、通常の半導体集積回路と同様にシリコ
ン酸化膜等よりなる絶縁膜とアルミ等よりなる配線層が
形成されているものとする。

【００５２】このような配線層に対して、駆動及び制御
信号や撮像された画像信号をやり取りするための、第１
ポリイミド膜２７と第２ポリイミド膜２１との間に形成
されたアルミ層よりなる配線２３が、第１ポリイミド層
２７に開口されたコンタクト孔４３を介して電気的に接
続されている。

【００５３】また、図６の（ａ）に示すように、図２に
示したセンサ接続領域７から延在する配線２４及び配線
３７は、受光領域４１の直上を避けて配置され、図２に
示した電子回路領域１９に向かって延在する。

【００５４】図７は、図２の電子回路領域１０について
示している。なお、図７の（ａ）は下面図を示してお
り、図７の（ｂ）は図７の（ａ）のＡ−Ａ´断面図を示
し、図７の（ｃ）は図７の（ａ）のＢ−Ｂ´断面図を示
している。

【００５５】すなわち、図７の（ｂ），（ｃ）に示すよ
うに、厚い半導体層１９の表面にはＣＭＯＳ型電子回路
４４が形成されている。また、特に、図示しないが、半
導体層１９と第１ポリイミド層２７の間には、通常の半
導体集積回路と同様にシリコン酸化膜等よりなる絶縁膜
とアルミ等よりなる配線層が形成されているものとす
る。

【００５６】このような配線層に対して、図７の
（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、配線２３、２
５、２６が、第１ポリイミド層２７に開口されたコンタ
クト孔４５を介して電気的に接続され、配線２４が第１
ポリイミド層２７、第２ポリイミド層２８、第３ポリイ
ミド層２９に開口されたコンタクト孔４６を介して接続
されている。

【００５７】このＣＭＯＳ型電子回路４４には、図２に
示した電極２２に接続される図１に示した外部リード６
を介して外部コントローラ（図示せず）に接続され、図
２に示した撮像素子領域９に形成された撮像素子や、電
極１５に接続される図１に示した圧電式触覚センサ５の
信号処理を行う。

【００５８】具体的には、撮像素子のドライバ回路、映
像信号のＡ／Ｄ変換、圧電式触覚センサ５の駆動及び信
号増幅などである。本実施の形態によれば、このような
制御チップが内視鏡先端部に配置されているので、セン
サ素子のＳＮ比の向上や、外部コントローラとの信号ラ
インを共通化できることによる外部リード６の数を削減
できるなどの効果がある。

【００５９】加えて、このＣＭＯＳ型電子回路４４は、
撮像素子領域９やセンサ接続領域７とは、可撓性配線領
域１２を介して必要な電気的接続がなされているので、
内視鏡先端部の限られたスペースに自由に配置すること
が可能で、しかも個別に配線を行う必要がないことか
ら、組み立て工数の削減や信頼性の向上に大きく寄与で
きる。

【００６０】図８は、図２のリード線接続領域１１につ
いて示している。なお、図８の（ａ）は下面図を示して
おり、図８の（ｂ）は図８の（ａ）のＡ−Ａ´断面図を
示している。

【００６１】すなわち、図８の（ｂ）に示すように、薄
い半導体層２０の上部にはシリコン酸化膜よりなる絶縁
層４７が形成され、この上にプラチナよりなる下部電極
４８、強誘電体膜４９、プラチナの上部電極５０が積層
して配置されている。

【００６２】ここで、下部電極４８は、図８の（ａ）に
示すように、強誘電体膜４９が形成された領域から少し
離れた部位で、第１ポリイミド層に開口されたコンタク
ト孔５１を介して、第１ポリイミド層２７と第２ポリイ
ミド層２８の間に形成されたアルミよりなる配線２６−
１に接続されている。

【００６３】また、上部電極５０は、図８の（ｂ）に示
すように、その上部の第１ポリイミド膜２７及び第２ポ
リイミド膜２８に開口されたコンタクト孔５２を介して
チタンの配線パターン５４に電気的に接続されている。

【００６４】このチタンの配線パターン５４は強誘電体
膜４９が形成されている領域から少し離れた部位で、第
２ポリイミド層２８に開口されたコンタクト孔５５を介
して、第１ポリイミド層２７と第２ポリイミド層２８の
間に形成されたアルミ層よりなる配線２６−２に電気的
に接続されている。

【００６５】また、薄いシリコン層２０の、強誘電体膜
４９が形成された領域の直下には開口部５６が形成され
ているので、この領域には薄いシリコン層は存在しな
い。また、強誘電体膜４９が形成されている領域の直上
には、第２ポリイミド層２８と第３ポリイミド層２９の
間にはチタンよりなる電熱変換素子５７が形成されてお
り、この電熱変換素子５７が第３ポリイミド層２９に開
口されたコンタクト孔５８を介して第３ポリイミド層２
９と第４ポリイミド層３０の間に形成されたアルミ層よ
りなる配線５９に電気的に接続されている。

【００６６】また、図８の（ａ），（ｂ）に示すよう
に、配線２５、３７、５９は、電極２２の部位まで延在
している。ここで、電極２２のうち、配線５９に接続さ
れた電極については、図８の（ｂ）に示すように、第４
ポリイミド膜３０に開口された開口部において導電層が
露出していると共に、配線２５，２６，３７に接続され
た電極については第２ポリイミド膜２８、第３ポリイミ
ド膜２９、第４ポリイミド膜３０に開口された開口部に
おいて導電層が露出している。

【００６７】また、図８の（ｂ）に示すように、これら
の電極２２は、配線２５、２６、３７、５９を構成する
アルミ層と、その電極なる領域に選択的に形成されたニ
ッケル層６０、更にこの層の上部に選択的に形成された
半田層６１の３層構造となっている。

【００６８】なお、図２では、大容量キャパシタ２１は
１つだけ図示されているが、必要に応じて複数のキャパ
シタを配置することが可能である。また、図２乃至図８
中では、簡略化のために配線２３、２４、２５、２６、
３７、５４、５９は１本乃至３本程度のみ図示したが、
実際には、必要な本数の配線が配置されている。

【００６９】これは、電熱変換素子３６、５７及び電極
１５、２２についても同様であり、実際には、必要な数
だけ配置されているものとする。次に、以上説明した半
導体装置２の製作方法について簡単に説明する。

【００７０】この半導体装置２は、１枚のＰ型単結晶シ
リコンウェハ上に、多数同時に形成されるものであると
共に、通常の半導体集積回路と同様にバッチ処理で大量
生産が可能である。

【００７１】手順としては、最初に半導体ウェハ上の所
定領域に、図６に示したようなＭＯＳ型撮像素子４１
と、このＭＯＳ型撮像素子４１の周辺回路４２と、図７
に示したようなＣＭＯＳ型電子回路４４が通常の半導体
集積回路と同様の工程で形成される。

【００７２】また、図８に示したようなシリコン酸化膜
の絶縁層４７も、この工程で形成される。また、特に、
図示しないが、これらの工程の途中で、図２に示したよ
うな厚いシリコン領域１８、１９が形成される領域のウ
ェハの裏面にシリコン窒化膜が選択的に形成され、薄い
シリコン領域１４、１６、２０が形成される領域には接
合深さ１０μｍ程度のＮ型拡散層が形成される。

【００７３】この際、薄い半導体領域の開口部１７（図
２、図５）、開口部５６（図８）においては、このよう
なＮ型拡散層は形成されない。また、図２乃至図８にお
いては、特に、図示していないが、Ｐ型シリコンウェハ
上のこれらの薄いシリコン領域１４、１６、２０が形成
される領域に形成されたＮ型拡散層で共通の配線によっ
てウエハ上の所定部位に形成された電極に接続されてい
るものとする。

【００７４】次に、図８に示したような大容量キャパシ
タとなる下部電極４８、強誘電体膜４９、上部電極５０
が順次形成される。ここで、強誘電体膜４９は、スピン
コートで成膜され、必要な部位以外は通常のフォトトリ
ソグラフィ技術で除去されるが、この時点ではまだ焼結
のための熱処理は行われていない。

【００７５】この後で、第１ポリイミド層２７がスピン
コートで形成され、通常のフォトリソグラフィ技術によ
ってコンタクト孔４３、４５、４６、５１、５２が開口
される。

【００７６】次に、スパッタによってアルミ薄膜が形成
され、通常のフォトリソグラフィ技術によって配線３
７、２３、２５、２６と電極領域３２が形成される。次
に、第２ポリイミド層２８がスピンコートで形成され、
通常のフォトリソグラフィ技術によってコンタクト孔３
８、４６、５２、５５が形成され、配線２５、３７に接
続されている電極２２に対応する部位に開口部が形成さ
れる。

【００７７】次に、スパッタによってチタン薄膜が形成
され、通常のフォトリソラフィ技術によって配線５４及
び電熱変換素子３６、５７及び光遮蔽膜３９と絞り開口
部４０が形成される。

【００７８】本実施の形態によれば、このように光遮蔽
膜３９と絞り開口部４０はスパッタとフォトリソグラフ
ィの手法で形成されることから、非常に薄く、精度の高
い微小な光学絞りを容易に得ることができる。

【００７９】加えて、遮光膜を含めた光学絞り自体の大
きさもフォトリソグラィ技術によって規定されることか
ら、従来のものと比較して大幅な小型化が可能である。
また、このような高精度の光学絞りが撮像素子などの電
子デバイスと一体化することで部品点数を削減できる。

【００８０】次に、第３ポリイミド層２９がスピンコー
トで形成され、通常のフォトリソグラフィ技術によって
コンタクト孔４６、５８が形成され、配線２５、３７に
接続されている電極２２に対応する部位に開口部が形成
される。

【００８１】次に、スパッタによってアルミ薄膜が形成
され、通常のフォトリソグラフィ技術によって配線２
４、５９が形成される。次に、第４ポリイミド層３０が
スピンコー卜で形成され、通常のフォトリソグラフイ技
術によつて電極１５の開口部３１と電極２２の開口部が
形成される。

【００８２】次に、電極１５、２２において露出したア
ルミ層に対して選択的にニッケル層３３、６０が無電解
メッキによつて形成され、この状態でシリコンウエハを
溶融した半田槽に浸すことによって、ニッケルが露出し
た領域に選択的に半田層３４、６１を形成する。

【００８３】次に、シリコンウエハの表面を保護した状
態で、厚い半導体領域１８、１９が形成される領域の裏
面に形成されたシリコン窒化膜をマスクとして、薄い半
導体領域１４、１６、２０が形成される領域に対応する
接合深さ１０μｍ程度のＰ型拡散層に、これら領域に接
続された電極にバイアスすることによって正電位を印加
し、裏面側から強アルカリの水溶液でエッチングして厚
いシリコン領域１８、１９の領域以外のシリコンを除去
する。

【００８４】このとき、強アルカリの水溶液に電極を入
れてこれを接地するため、電気化学エッチングによって
薄い半導体領域１４、１６、２０が形成される領域で
は、この領諒のＰ型拡散層とその周辺のわずかな領域が
残存し、薄い半導体領域１４、１６、２０が形成され
る。

【００８５】この後でレーザアブレーションでポリイミ
ド膜を所定領域に切り出し、半導体装置２を得る。この
ような構成とすることで、半導体装置２は、可撓性配線
領域１２で任意形状に曲げることができる。

【００８６】一般的に、内視鏡のような小さな機械シス
テムは、電装系の配置スペースに制限が多いので、任意
形状に変形させて配置可能となる上述したような電子デ
バイスは微小化と高機能化に有効である。

【００８７】特に、本実施の形態のように光学絞り、撮
像素子、電子回路を完全に一体形成する手法はコスト低
減と信頼性の向上につながる。次に、電熱変換素子５７
に接続された電極２２に電圧を印加して、電熱変換素子
５７通電加熱し、強誘電体膜４９を焼結する。

【００８８】この際、強誘電体膜４９が形成されている
領域は薄いので熱容量が小さく、非常に短時間で局部的
に高温まで加熱することができる。また、通電を停止す
ることによって急激に温度を低下させることができるの
で、焼結のための熱処理を短時間で終了させることがで
きる。

【００８９】このため、焼結の熱処理に伴うアルミ配線
の溶融したり、強誘電体膜４９から不純物が半導体層に
拡散して電子回路の特性を劣化させるといった問題を回
避することができる。

【００９０】次に、圧電式触覚センサ５の電極部分を半
導体装置２の電極１５にあてがい、電熱変換素子３５に
接続された電極２２に電圧を印加することで、電熱変換
素子３５を通電加熱し、その直上の半田層３４を溶融し
て電極１５と圧電式触覚センサ５の電極を半田付けす
る。

【００９１】このとき、電極１５が形成されている領域
は薄膜化されているので熱容量が小さく、短時間で局部
的に温度を上昇させ、電熱変換素子３６に対する通電を
停止することによつて急激に温度を低下させることがで
きる。

【００９２】このため、半田付けの熱処理は、極めて短
時間でしかも局部的に行うことができる。加えて、チタ
ン薄膜で構成された電熱変換素子の通電時の抵抗値の変
化から、この領域の温度をリアルタイムに知ることがで
きるので適切なフィードバックを行うことで、常に、必
要最小限の熱処理で半田付けを行うことができる。

【００９３】このようなことから、圧電式触覚センサの
圧電振動子となる圧電セラミックの温度上昇を最低限に
抑えることによって、強固な半田付けによる接続を行い
ながら分極の消失などのトラブルを回避することができ
る。

【００９４】このような、半導体装置２に対する外部デ
バイスの接続手法は、各種の素子に適用できるが、圧電
素子を利用したデバイスのように耐熱性の低い素子に
は、特に、有効である。

【００９５】なお、本実施の形態においては、半田層３
４を半導体装置２の電極１５に形成したが、これは圧電
式触覚センサ５の電極の側に形成されていてもよいこと
は言うまでもない。

【００９６】また、圧電式触覚センサが故障した場合、
再び電熱変換素子３５を通電加熱して故障部品を取り外
し、上述の手順で部品を交換することも可能である。こ
の場合も、取り外し、再接続のための熱処理を局部的に
しかも短時間で行えるので、装置の他の部位に対する影
響を最小限に抑えることができる。

【００９７】この交換手法は部品のハンドリング以外に
は特別な装置を必要としないので、迅速な修理が可能に
なる。本実施の形態においては、電極１５に対して接続
する外部デバイスを一つとしたが、必要であれば複数の
外部デバイスを実装することができるのは言うまでもな
い。

【００９８】この場合、複数の電極１５に対する複数の
電熱変換素子３５を独立して制御できるようにすること
で、個別に部品の接続及び交換を行うことができる。次
に、本発明の第２の実施の形態について、図９乃至図１
４を参照して説明する。

【００９９】本実施の形態は、上述した第１の実施の形
態の固定式の光学絞りを可変式に置き換えたものであ
る。具体的な形態としては、図２における光学絞り領域
８を置き換えただけで他の部分の構成は、第１の実施の
形態と同じであるので、この部分についてのみ説明する
ものとする。

【０１００】また、図中の番号についても、第１の実施
の形態と共通のものについては、同じ番号を用いる。図
９は、本実施の形態の光学絞り領域の構成を示してい
る。

【０１０１】なお、図９の（ａ）は上面図を示してお
り、図９の（ｂ）は図９の（ａ）のＡ−Ａ´断面図を示
している。すなわち、図９の（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、開口部１７が設けられた薄い半導体層１６の上部
に、スリットによって８分割された下層光遮蔽膜１０１
と上層光遮蔽膜１０２とが形成されている。

【０１０２】これらの各遮光膜１０１、１０２が平坦な
状態にあつては、最小開口１０３が開口された状態とな
る。図９ではわかりにくいので、下層光遮蔽膜１０１と
上層光遮蔽膜１０２の位置関係を図１０に示す。

【０１０３】各々の光遮蔽膜１０１、１０２は、８分割
するためにスリットが入れられているが、スリットから
の光の漏れが生じないように上層と下層で角度をずらし
て配置されている。

【０１０４】また、中心部では開口部４０が設けられた
形となっている。図１１および図１２は、下層光遮蔽膜
１０１の構造を示している。なお、図１１は上面図を示
しており、図１２は図１１のＡ−Ａ´断面図を示してい
る。

【０１０５】すなわち、図１２に示すように、第２ポリ
イミド膜２８の下層に遮光用アルミ薄膜１０４が形成さ
れ、第１の実施の形態における薄い半導体層１６の開口
部１７に該当する最大有効開口となる開口部１７を完全
に覆う形で配置される。

【０１０６】また、図１１に示すように、第２ポリイミ
ド膜２８の上部には、チタン薄膜による複数の抵抗パタ
ーン１０５が形成されている。この抵抗パターン１０５
は、遮光用アルミ薄膜１０４が形成されていない領域
で、第２ポリイミド膜２８に開口されたコンタクト孔１
０６を介して配線１０７に電気的に接続される。

【０１０７】全ての抵抗パターン１０５は配線１０７に
よつて並列に接続され、コンタクト孔１０６を介して接
続されると共に、絞り制御用配線１０９によって第１の
実施の形態の電子回路４４と同様の電子回路としての駆
動回路４４（本図では図示せず）に電気的に接続され
る。

【０１０８】本実施の形態においては、電子回路として
の駆動回路４４には、光学絞りの駆動及び制御回路も含
まれているものとする。また、本実施の形態において
は、第２ポリイミド膜２８の熱膨張係数はチタン薄膜と
同程度の１０ｐｐｍ／Ｋ程度で、アルミ薄膜の熱膨張係
数の２９ｐｐｍ／Ｋよりも十分に小さいものとする。

【０１０９】図１３は、上層光遮蔽膜１０２の断面構造
を示している。すなわち、図１３に示すように、第４ポ
リイミド膜３０の下部に遮光用アルミ薄膜１０８が形成
され、第１の実施の形態における薄い半導体層１６の開
口部１７に該当する最大有効開口１７を完全に覆う形で
配置される。

【０１１０】次に、本実施の形態における光学絞りの動
作について説明する。まず、図示しない駆動回路４４か
ら配線１０９を介して電力が供給されると、並列に接続
された複数の抵抗パターン１０５が発熱し、下層光遮蔽
膜１０１が一様に加熱される。

【０１１１】これによって下層光遮蔽膜１０１の温度が
上昇すると、遮光用アルミ薄膜１０４と第２ポリイミド
膜２８の熱膨張係数の差によって下層光遮蔽膜１０１が
上側に湾曲する。

【０１１２】これによって上層光遮蔽膜１０２が押し上
げられ、結果として絞りの開口径が増大する。下層光遮
蔽膜１０１の湾曲時の開口形態については、図１４に示
す。

【０１１３】すなわち、図１４において、図示実線が湾
曲時の形態を示し、図示破線が平坦時の形態を示してい
る。加えて、チタン薄膜パターン１０５の電気抵抗が大
きな温度依存性を有しているので、電子回路としての駆
動回路４４に含まれている制御回路において、この抵抗
値を計測することで下層光遮蔽膜１０１の温度制御が可
能である。

【０１１４】これを基に下層光遮蔽膜１０１の湾曲量を
検出して光学絞りの開口径を連続的に制御することが可
能である。次に、本実施の形態の可変光学絞りの製作方
法として、第１の実施の形態の製作方法との差異につい
て説明する。

【０１１５】まず、光学絞りが形成される領域の第１ポ
リイミド層２７と第３ポリイミド層２９は通常のフォト
リソグラフィの手法で除去され、下層光遮光膜１０１と
なる第２ポリイミド層２８と、上層光遮蔽膜１０２とな
る第４ポリイミド層３０の形状もフォトリソグラフイの
手法で加工されることで規定される。

【０１１６】また、遮光用アルミ薄膜１０４は、配線３
７、２３、２５、２６と電極領域３２と同じスパッタ及
びフォトリソグラフィ工程で形成され、遮光用アルミ薄
膜１０８は配線２４、５９と同じスパッタ及びフォトリ
ソグラフィ工程で形成され、チタンの抵抗パターン１０
６は電熱変換素子３６、５７と同じスバッタ及びフォト
リソグラフィ工程で形成される。

【０１１７】また、上層光遮蔽膜１０２と下層光遮蔽膜
１０１との間のギャップについては、適当な犠牲層を配
置して上層光遮蔽膜１０２と下層光遮蔽膜１０１を形成
した後に除去することで得られる。

【０１１８】また、スパッタによるアルミ薄膜の内部応
力は成膜圧力や電極間距離によって変化するが、本実施
の形態の場合においては、通常使用温度において下層光
遮蔽膜１０１と上層光遮蔽膜１０２は平坦な形状となる
ように制御される。

【０１１９】また、遮光用アルミ薄膜１０４、１０８と
第２ポリイミド膜２８及び第４ポリイミド膜３０の厚さ
についても、抵抗パターン１０５に対する適当な通電量
で湾曲するように設定される。

【０１２０】なお、本実施の形態においては、抵抗パタ
ーン１０５の通電によって光学絞りの開口が増大する形
態となっているが、逆に、通常使用温度では光遮蔽膜が
湾曲しており、加熱によって平坦になるような構成とす
ることも、光遮蔽膜の構成を変えることで可能である。

【０１２１】また、本実施の形態においては、光学絞り
の駆動に熱膨張係数の差を利用したが、光遮蔽膜の少な
くとも一部をスパッタで形成した形状記憶合金薄膜で構
成し、その層変態を利用することで、より少ない温度変
化で光学絞りの開口を変えることができる構成とするこ
とも考えられる。

【０１２２】このようにして形成した可変式の光学絞り
は全行程が半導体の製造技術を適用して構成されるの
で、非常に微小で高精度であり、しかも完全にモノリシ
ックであることから組立工程が不要で信頼性も高い。

【０１２３】加えて、本実施の形態のよう電子デバイス
と一体に形成できるので、部品点数を削滅でき、個別に
制御用配線を接続する必要もないことから、シスム全体
の小型化とコスト低減に大きく寄与することができる。

【０１２４】そして、上述したような実施の形態で示し
た本発明には、特許請求の範囲に示した請求項１乃至３
以外に、以下のような付記として示すような発明が含ま
れている。

【０１２５】付記１ ポリイミドを用いて制作されてい
る可撓性を有する配線板であり、電極部と、該電極部の
下部に設けられた、チタンを用いた電熱変換手段と、を
具備することを特徴とする配線板。

【０１２６】（作用）電極部の下部に設けたチタンを用
いる電熱変換手段は、電極部を局部的にかつ短時間で加
熱して、半田付けの半田を溶融させることにより、デバ
イス等を電極部に安定的に接合する。

【０１２７】（効果）例えば、耐熱性の低い微小なデバ
イスを、半田付けするのに適した可撓性を有する配線板
を提供することができる。付記２ 前記電極部は複数の
導電層で構成されており、この導電層うちの少なくとも
一層が、上記電熱変換手段の発生する熱により溶融可能
であることを特徴とする付記１記載の配線板。

【０１２８】（作用）上記電熱変換手段の発熱により、
導電層の一部を溶融させ接合に利用する。 （効果）外部より半田を供給せずに、接合が可能な配線
板を提供することができる。

【０１２９】付記３ 光学絞り機構が設けられている配
線板であり、上記光学絞り機構は、加熱により湾曲する
複数の光遮蔽板と、上記光遮蔽板を加熱可能な電熱変換
素子と、を具備することを特徴とする配線板。

【０１３０】（作用）電熱変換素子は発熱により上記複
数の光遮蔽板を湾曲させ、これにより絞りの開口を変化
させる。 （効果）薄くて精度が高く小型化が可能な、絞り機構が
設けられた配線板を提供できる。

【０１３１】付記４ 光学絞り機構が設けられている配
線板であり、上記光学絞り機構は、加熱により湾曲す
る、円周の直径方向に分割された光遮蔽板により構成さ
れた、中心に開口部を有する光遮蔽部と、上記光遮蔽板
に積層して設けられた電熱変換素子とを具備し、上記開
口部の大きさは、上記電熱変換素子の発熱に対応した上
記光遮蔽板の湾曲により変化可能に構成されていること
を特徴とする配線板。

【０１３２】（作用）電熱変換素子は発熱により上記複
数の光遮蔽板を湾曲させ、これにより絞りの開口を変化
させる。 （効果）薄くて精度が高く小型化が可能な、絞り機構が
設けられた配線板を提供することができる。

【０１３３】付記５ 上記光学絞り機構は、これを制御
する制御用電子回路と一体で形成されていることを特徴
とする付記３または４記載の配線板。 （作用）同一配線板上に光学絞り機構とその制御用電子
回路とが設けられた配線板を提供する。

【０１３４】（効果）コストの低減と信頼性の向上が可
能な、光学絞りが設けられた配線板を提供することがで
きる。 付記６ コンデンサが設けられている配線板であり、上
記コンデンサの近傍に、上記コンデンサの誘電体を焼結
するための電熱変換素子が設けられていることを特徴と
する配線板。

【０１３５】（作用）配線板に設けられた電熱素子が発
熱することにより、上記コンデンサの誘電体が焼結され
る。 （効果）不純物が半導体に拡散して電子回路の特性を劣
化させるという問題を回避することが可能な配線板を提
供することができる。

【０１３６】付記７ コンデンサが設けられた半導体電
子回路を形成する基板と一体で形成された配線板であ
り、上記基板上に電熱変換素子を有し、上記基板上に設
けられたコンデンサは、上記電熱変換素子の近傍に設け
られた第１の電極と、上記第１の電極と僅かに離間して
平行に設けられた第２の電極と、上記第１の電極と上記
第２の電極間に存在し、上記電熱変換素子によって焼結
され得る強誘電体と、を具備することを特徴とする配線
板。

【０１３７】（作用）配線板に設けられた電熱素子が発
熱することにより、上記コンデンサの誘電体が焼結され
る。 （効果）不純物が半導体に拡散して電子回路の特性を劣
化させるという問題を回避することが可能な配線板を提
供することができる。

【０１３８】付記８ 光学絞り機構が設けられている配
線板であり、上記光学絞り機構は、半導体集積回路に一
体に形成された遮光性薄膜に開口された穴を光学絞りと
して使用するものであることを特徴する配線板。

【０１３９】（作用）半導体集積回路に一体に形成され
た遮光性薄膜の開口部を設け、光学絞りとする。 （効果）非常に薄く、精度の高い微小な光学絞りを設け
た配線板を提供することができる。

【０１４０】付記９ コンデンサが一部に設けられてい
る、半導体電子回路を形成する基板であり、所定の領域
に設けられた電熱変換素子と、上記電熱変換素子の近傍
に設けられた第１の電極と、上記第１の電極と僅かに離
間して平行に設けられた第２の電極と、上記第１の電極
と上記第２の電極間に存在し、上記電熱変換素子によっ
て焼結され得る強誘電体と、を具備することを特微とす
る基板。

【０１４１】（作用）電熱変換素子の発熱により、電極
間に存在する強誘電体が焼結され、コンデンサが生成さ
れる。 （効果）不純物が半導体に拡散して電子回路の特性を劣
化させるという問題を回避することが可能な基板を提供
することができる。

【０１４２】付記１０ 加熱により湾曲する複数の光遮
蔽板と、上記光遮蔽板を加熱可能な電熱変換素子と、を
具備することを特徴とする光学絞り装置。

【０１４３】（作用）電熱変換索子は発熱により上記複
数の光遮蔽板を湾曲させ、これにより絞りの開口を変化
させる。 （効果）薄くて精度が高く小型化が可能な、光学絞り機
構を提供することができる。

【０１４４】付記１１ 加熱により湾曲する、円周の直
径方向に分割された光遮蔽板により構成された、中心に
開口部を有する光遮蔽部と、上記光遮蔽板に積層して設
けられた電熱変換素子とを具備し、上記開口部の大きさ
は、上記電熱変換素子の発熱に対応した上記光遮蔽板の
湾曲により変化可能に構成されていることを特徴とする
光学絞り装置。

【０１４５】（作用）電熱変換索子は発熱により上記複
数の光遮蔽板を湾曲させ、これにより絞りの開口を変化
させる。 （効果）薄くて精度が高く小型化が可能な、光学絞り機
構を提供することができる。

【０１４６】付記１２ 上記光学絞り装置は、これを制
御する制御用電子回路と一体で形成されていることを特
徴とする付記１０または１１記載の光学絞り装置。 （作用）光学絞り装置とその制御用電子回路が一体で形
成されている。

【０１４７】（効果）コストの低減と信頼性の向上が可
能な、光学絞り装置を提供することができる。 付記１３ 電熱変換素子とともに提供されるコンデンサ
であり、上記電熱変換素子の近傍に設けられた第１の電
極と、上記第１の電極と僅かに離間して平行に設けられ
た第２の電極と、上記第１の電極と上記第２の電極間に
存在し、上記電熱変換素子によって焼結され得る強誘電
体と、を具備することを特徴とするコンデンサ。

【０１４８】（作用）電熱変換素子の発熱により、電極
間に存在する強誘電体が焼結され、コンデンサが生成さ
れる。 （効果）不純物が半導体に拡散して電子回路の特性を劣
化させるという問題を回避することが可能なコンデンサ
を提供することができる。

【０１４９】付記１４ 外部電子デバイスを接続するた
めの電極の下部に電熱変換素子が設けられていることを
特徴とする配線板。 （作用）電熱変換素子の発熱により半田を溶融させて、
電極を半田づけする。

【０１５０】（効果）例えば、耐熱性の低い微小なデバ
イスを、半田付けするのに適した配線板を提供すること
ができる。 付記１５ 前記電極が複数の導電層で構成され、少なく
ともそのーつが前記電熱変換素子の発生する熱によって
溶融することを特徴とする付記１４記載の配線板。

【０１５１】（作用）上記電熱変換素子の発熱により、
導電層の一部を溶融させて、接合に利用する。 （効果）外部より半田を供給せずに、接合が可能な配線
板を提供することができる。

【０１５２】付記１６ 円周の直径方向に複数に分割さ
れた可撓性を有する光遮蔽膜と、該光遮蔽膜に積層して
設けられた電熱変換素子とを具備し、前記光遮蔽膜が該
電熱変換素子の加熱によつて湾曲し、該湾曲によって開
口面積が変化することを特徴とする光学絞り装置。

【０１５３】（作用）電熱変換素子は発熱により上記複
数の光遮蔽板を湾曲させ、これにより絞りの開口を変化
させる。 （効果）薄くて精度が高く小型化が可能な、光学絞り装
置を提供することができる。

【０１５４】付記１７ 半導体電子回路を形成した基板
の所定領域に電熱変換素子を形成する工程と、該電熱変
換素子の上部に第１の電極を形成する工程と、該第１の
電極の上部に強誘電体材料を形成する工程と、該強誘電
体材料の上部に第２の電極を形成する工程と、該電熱変
換素子を形成した領域の下部の基板を薄膜化した後に該
電熱変換素子を加熱して該強誘電体材料を焼結する工程
と、を具備することを特徴とするコンデンサの製造方
法。

【０１５５】（効果）不純物が半導体に拡散して電子回
路の特性を劣化させるという問題を回避することが可能
なコンデンサを製造することができる。 付記１８ 前記基板に前記配線板が一体で形成され、付
記１７記載の方法で製造されたコンデンサが前記基板に
一体に形成されることを特徴とする付記１４または１５
記載の配線板の製造方法。

【０１５６】（作用）基板と配線板と前記コンデンサが
一体に形成されている。 （効果）部品点数を削減でき、個別に制御用の配線をす
る必要がないので、システム全体の小型化とコスト低減
に寄与する。

【０１５７】付記１９ 半導体集積回路に一体に形成さ
れた遮光性の薄膜に開口された穴を光学絞りとして用い
ることを特徴とした半導体装置。 （作用）半導体集積回路に一体に形成された遮光性薄膜
の開口部を設け、光学絞りとする。

【０１５８】（効果）非常に薄く、精度の高い微小な光
学絞りを設けた配線板を提供することができる。 付記２０ 付記１６記載の光学絞り装置が制御用電子回
路と一体で形成されていることを特徴とする付記１４ま
たは１５記載の配線板。

【０１５９】（作用）光学絞り装置とその制御用電子回
路が一体で形成されている。 （効果）コストの低減と信頼性の向上が可能な、光学絞
り装置を備えた配線板を提供することができる。

【０１６０】付記２１ 先端部に配線板を具備してお
り、上記配線板は付記１乃至８記載の配線板のうちいず
れかに該当するものであることを特徴とする内視鏡。

【０１６１】（作用）内視鏡の先端部に付記１乃至８に
記載された配線板が具備される。 （効果）該当する付記の効果の記載において、「配線
板」を「内視鏡」に置き換えた効果がある。

【０１６２】付記２２ 先端部にレンズの開口を制御す
る光学絞り装置を具備しており、上記光学絞り装置は付
記１０または１１記載のものであることを特徴とする内
視鏡。

【０１６３】（作用）内視鏡の先端部に付記１０または
１１に記載された光字絞り装置が具備される。 （効果）薄くて精度が高く小型化が可能な、光学絞り機
構を先端部に具備した内視鏡を提供することができる。

【０１６４】

【発明の効果】従って、以上説明したように、本発明に
よれば、例えば、耐熱性の低い微小な機械デバイスを用
いる場合にあっても、そのデバイスの特性を損なうこと
なく半田付けするのに適した配線板を提供することがで
きる。また、本発明によれば、半田付け後に故障した微
小な機械デバイスを交換する手段を提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１の（ａ），（ｂ）は、本発明の第１の実施
の形態が適用される内視鏡装置の上面図と、そのＡ−Ａ
´断面の構造を模式的に示した断面図である。

【図２】図２の（ａ），（ｂ）は、本発明の第１の実施
の形態による半導体装置２の上面図と、そのＢ−Ｂ´断
面図を示したものである。

【図３】図３は、図２のセンサ接続領域７を示す断面図
である。

【図４】図４は、電極１５の直下に形成されるチタン薄
膜パターン３５による電熱変換素子３６の構成を示す図
である。

【図５】図５は、図２の光学絞り領域８を示すもので、
図５の（ａ）は下面図を示しており、図５の（ｂ）は図
５の（ａ）のＡ−Ａ´断面図を示し、図５の（ｃ）は図
５の（ａ）のＢ−Ｂ´断面図を示し、図５の（ｄ）は図
５の（ａ）のＣ−Ｃ´断面図を示している。

【図６】図６は、図２の撮像素子領域９を示すもので、
図６の（ａ）は下面図を示しており、図６の（ｂ）は図
６の（ａ）のＡ−Ａ´断面図を示している。

【図７】図７は、図２の電子回路領域１０を示すもの
で、図７の（ａ）は下面図を示しており、図７の（ｂ）
は図７の（ａ）のＡ−Ａ´断面図を示し、図７の（ｃ）
は図７の（ａ）のＢ−Ｂ´断面図を示している。

【図８】図８は、図２のリード線接続領域１１を示すも
ので、図８の（ａ）は下面図を示しており、図８の
（ｂ）は図８の（ａ）のＡ−Ａ´断面図を示している。

【図９】図９は、本発明の第２の実施の形態による光学
絞り領域の構成を示すもので、図９の（ａ）は上面図を
示しており、図９の（ｂ）は図９の（ａ）のＡ−Ａ´断
面図を示している。

【図１０】図１０は、図９の下層光遮蔽膜１０１と上層
光遮蔽膜１０２との位置関係を示す斜視図である。

【図１１】図１１は、図９の下層光遮蔽膜１０１の構造
を示す上面図である。

【図１２】図１２は、図１１のＡ−Ａ´断面図である。

【図１３】図１３は、上層光遮蔽膜１０２の構造を示す
断面図である。

【図１４】図１４は、上層光遮蔽膜１０２が押し上げら
れ、結果として絞りの開口径が増大する際の下層光遮蔽
膜１０１の湾曲時の開口形態を示す断面図である。

【符号の説明】

１…内視鏡装置の外壁管、 ２…半導体装置、 ３…撮像レンズ、 ４…ライトガイド、 ５…圧電式触覚センサ素子、 ６…（外部）リード線、 ７…センサ接続領域、 ８…光学絞り領域、 ９…撮像素子領域、 １０…電子回路領域、 １１…リード線接続領域、 １２…可撓性配線領域、 １３…ポリイミド膜、 １４，１６，２０…薄いシリコン領域、 １５，２２…電極、 １７…穴、 １８，１９…厚いシリコン領域、 ２１…コンデンサ、 ２３，２４，２５，２６…アルミ配線、 ２７…第１ポリイミド層、 ２８…第２ポリイミド層、 ２９…第３ポリイミド層、 ３０…第４ポリイミド層、 ３１，５６…開口部、 ３２…アルミ層、 ３３，６０…ニッケル層、 ３４，６１…半田層、 ３５…チタン薄膜パターン、 ３６，５７…電熱変換素子、 ３７…配線、 ３８，４３，４５，４６，５１，５２，５５…コンタク
ト孔、 ３９…光遮蔽膜、 ４０…絞りの開口部、 ４１…撮像素子の受光領域、 ４２…周辺回路、 ４４…ＣＭＯＳ型電子回路（駆動回路）、 ４７…絶縁層、 ４８…下部電極、 ４９…強誘電体膜、 ５０…上部電極、 ２６−１，２６−２，５９…配線、 ５４…配線パターン、 １０１…下層光遮蔽膜、 １０２…上層光遮蔽膜、 １０４，１０８…遮光用アルミ薄膜、 １０５…複数の抵抗パターン、 １０６…コンタクト孔、 １０７…配線、 １０９…絞り制御用配線。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H041 AA02 AB03 AC07 AZ08 4C061 AA01 BB01 CC06 DD00 FF40 JJ06 LL02 NN01 PP06 RR02 RR15 RR30 SS01 4M118 AA08 AA10 AB01 BA14 HA22 HA27 5E338 AA12 AA16 BB75 CC01 CC10 CD03 CD33 CD40 EE01 EE51

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基体に形成された電極部と、 この電極部の下部に設けられた電熱変換手段と、 を具備することを特徴とする配線板。
2. 【請求項２】 前記電極部は複数の導電層で構成されて
   おり、この複数の導電層のうちの少なくとも一層が、上
   記電熱変換手段の発生する熱により溶融可能であること
   を特徴とする請求項１記載の配線板。
3. 【請求項３】 上記基体は可撓性を有することを特徴と
   する請求項１または２記載の配線板。