TWI763835B - 可撓配線電路基板、其製造方法及攝像裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之安裝基板朝向厚度方向一側依序包含基底絕緣層、導體圖案、及覆蓋絕緣層。基底絕緣層之整個下表面朝向下方露出。基底絕緣層及覆蓋絕緣層之總厚度為16 μm以下。基底絕緣層含有具有15×10^-6 /%RH以下之吸濕膨脹係數之絕緣材料。

Description

可撓配線電路基板、其製造方法及攝像裝置

本發明係關於一種可撓配線電路基板、其製造方法及攝像裝置。

先前，已知有依序積層有絕緣層、配線層及被覆層之配線電路基板。又，作為此種配線電路基板，已知有於絕緣層之背面設置有金屬支持體者(例如，參照專利文獻1)。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1：日本專利特開2013-100441號公報

[發明所欲解決之問題] 然而，若配線電路基板之厚度、例如絕緣層及被覆層之總厚度較薄，則存在容易產生翹曲之不良情況。 另一方面，認為由於上述配線電路基板於絕緣層之背面具備金屬支持體，因此可藉由金屬支持體抑制上述翹曲。然而，於絕緣層及被覆層之總厚度較薄之情形時，反之會產生上述翹曲明顯化之不良情況。 本發明之目的在於提供一種可一面實現薄型化，一面抑制翹曲之可撓配線電路基板、其製造方法及攝像裝置。 [解決問題之技術手段] 本發明(1)包含一種可撓配線電路基板，其朝向厚度方向一側依序具備第1絕緣層、導體圖案、及第2絕緣層，上述第1絕緣層之厚度方向另一面全部朝向厚度方向另一側露出，上述第1絕緣層及上述第2絕緣層之總厚度為16 μm以下，至少上述第1絕緣層含有具有15×10^-6 /%RH以下之吸濕膨脹係數之絕緣材料。 本發明(2)包含如(1)所記載之可撓配線電路基板，其中上述絕緣材料係包含下述式(1)所示之結構單元之聚醯亞胺。 式(1)： [化1]

本發明(3)包含如(1)或(2)所記載之可撓配線電路基板，其中上述導體圖案具有自上述第1絕緣層向厚度方向另一側露出之端子。 本發明(4)包含如(1)至(3)中任一項所記載之可撓配線電路基板，其中上述導體圖案之一部分自上述第2絕緣層向厚度方向一側露出。 本發明(5)包含如(1)至(4)中任一項所記載之可撓配線電路基板，其進而具備屏蔽層及第3絕緣層，且朝向厚度方向一側依序具備上述第1絕緣層、上述導體圖案、上述第2絕緣層、上述屏蔽層、及上述第3絕緣層，上述第1絕緣層、上述第2絕緣層及上述第3絕緣層之總厚度為16 μm以下。 本發明(6)包含如(5)所記載之可撓配線電路基板，其中上述第3絕緣層含有具有15×10^-6 /%RH以下之吸濕膨脹係數之絕緣材料。 本發明(7)包含如(1)至(6)中任一項所記載之可撓配線電路基板，其係用以安裝攝像元件之攝像元件安裝基板。 本發明(8)包含一種攝像裝置，其具備如(7)所記載之攝像元件安裝基板、及安裝於上述攝像元件安裝基板之攝像元件。 本發明(9)包含一種可撓配線電路基板之製造方法，其係如(1)～(7)中任一項所記載之可撓配線電路基板之製造方法，且具備：準備金屬支持基板之步驟；於上述金屬支持基板之厚度方向一側依序形成第1絕緣層、導體圖案、及第2絕緣層之步驟；及去除上述金屬支持基板之步驟。 [發明之效果] 於本發明之可撓配線電路基板中，由於第1絕緣層及第2絕緣層之總厚度較薄為16 μm以下，因此可實現薄型化。 又，於本發明之可撓配線電路基板中，由於第1絕緣層之厚度方向另一面全部朝向厚度方向另一側露出，且至少第1絕緣層含有具有15×10^-6 /%RH以下之較低之吸濕膨脹係數之絕緣材料，因此可抑制翹曲。 本發明之攝像裝置由於具備上述可撓配線電路基板作為攝像元件安裝基板，因此可實現薄型化，且可提高連接可靠性。 根據本發明之可撓配線電路基板之製造方法，可獲得薄型化得以實現且翹曲得到抑制之可撓配線電路基板。

於圖1中，紙面上下方向為前後方向(第1方向)，並且紙面上側為前側(第1方向一側)，紙面下側為後側(第1方向另一側)。 於圖1中，紙面左右方向為左右方向(與第1方向正交之第2方向)，並且紙面左側為左側(第2方向一側)，紙面右側為右側(第2方向另一側)。 於圖1中，紙面紙厚方向為上下方向(厚度方向之一例、與第1方向及第2方向正交之第3方向)，並且紙面裏側為上側(厚度方向一側之一例、第3方向一側)，紙面近前側為下側(厚度方向另一側之一例、第3方向另一側)。 具體依據各圖之方向箭頭。 ＜一實施形態＞ 1.攝像元件安裝基板 對本發明之可撓配線電路基板之一實施形態的攝像元件安裝基板1(以下，亦簡稱為安裝基板1)進行說明。 如圖1所示，安裝基板1係用以安裝攝像元件21(下述，參照圖4)之可撓配線電路基板(FPC)，尚不具備攝像元件21。安裝基板1具有沿前後方向及左右方向(面方向)延伸之俯視下大致矩形(長方形狀)之平板形狀(片形狀)。 安裝基板1具備外殼配置部2、及外部零件連接部3。 外殼配置部2係供外殼22(下述，參照圖4)或攝像元件21配置之部分。具體而言，係於將外殼22配置於安裝基板1之情形時，於沿厚度方向投影時與外殼22重複之部分。於外殼配置部2之大致中央部配置有複數個作為用以與攝像元件21電性連接之端子之一例的攝像元件連接端子10(下述)。外部零件連接部3係外殼配置部2以外之區域，係用以與外部零件連接之部分。外部零件連接部3係以外部零件連接部3之前端緣與外殼配置部2之後端緣相連之方式配置於外殼配置部2之後側。於外部零件連接部3之後端緣配置有複數個作為用以與外部零件電性連接之端子之一例的外部零件連接端子11(下述)。如圖2所示，安裝基板1朝向上側(厚度方向一側之一例)依序具備作為第1絕緣層之一例之基底絕緣層4、導體圖案5、及作為第2絕緣層之一例之覆蓋絕緣層6。 基底絕緣層4構成安裝基板1之外形，形成為仰視下大致矩形狀。基底絕緣層4形成安裝基板1之下層。基底絕緣層4之下表面(厚度方向另一面之一例)係以變得平坦之方式形成。又，基底絕緣層4之整個下表面朝向下方(厚度方向另一側之一例)露出。詳細而言，基底絕緣層4位於安裝基板1之最下層，且基底絕緣層4之下表面未被如專利文獻1所記載之金屬支持體(參照圖3A～圖3C之符號19)支持，因此，安裝基板1不具備金屬支持體19(金屬支持層)。 於基底絕緣層4形成有複數個攝像元件開口部7、及複數個外部零件開口部8(參照圖1)。 複數個攝像元件開口部7係用以使攝像元件連接端子10自下表面露出之開口部。如圖1所示，複數個攝像元件開口部7以成為矩形框狀之方式相互隔開間隔排列整齊地配置於外殼配置部2之中央部。如圖2所示，複數個攝像元件開口部7分別沿上下方向貫通基底絕緣層4，且具有仰視下大致圓形狀。攝像元件開口部7具有隨著朝向下側而開口截面積減小之錐形狀。 複數個外部零件開口部8係用以使外部零件連接端子11自下表面露出之開口部。外部零件開口部8於左右方向上相互隔開間隔排列整齊地配置於外部零件連接部3之後端緣。複數個外部零件開口部8分別沿上下方向貫通基底絕緣層4，且具有仰視下大致矩形狀(長方形狀)。外部零件開口部8係以於仰視下自外部零件連接部3之後端緣朝向前側延伸之方式形成。 基底絕緣層4含有絕緣材料。 作為絕緣材料，選擇滿足以下要說明之吸濕膨脹係數(CHE)之材料。作為此種絕緣材料，例如可自聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、丙烯酸、聚醚腈、聚醚碸、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚氯乙烯等合成樹脂等中列舉具有所需之吸濕膨脹係數者。作為絕緣材料，就絕緣性、耐熱性及耐化學品性之觀點而言，較佳為列舉聚醯亞胺。 聚醯亞胺例如係使酸二酐成分與二胺成分反應而成之反應物(硬化物)。 作為酸二酐成分，例如可列舉芳香族酸二酐、脂肪族酸二酐等。 作為芳香族酸二酐，可列舉：例如均苯四甲酸二酐、例如3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐、2,2',3,3'-二苯甲酮四羧酸二酐等二苯甲酮四羧酸二酐、例如3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(BPDA)、2,2',3,3'-聯苯四羧酸二酐、2,3,3',4'-聯苯四羧酸二酐、2,2',6,6'-聯苯四羧酸二酐等聯苯四羧酸二酐、例如2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-雙(2,3-二羧基苯基)丙烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)醚二酐、雙(3,4-二羧基苯基)碸二酐、1,1-雙(2,3-二羧基苯基)乙烷二酐、雙(2,3-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)甲烷二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷二酐、2,2-雙(2,3-二羧基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷二酐、1,3-雙[(3,4-二羧基)苯甲醯基]苯二酐、1,4-雙[(3,4-二羧基)苯甲醯基]苯二酐、2,2-雙{4-[4-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}丙烷二酐、2,2-雙{4-[3-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}丙烷二酐、雙{4-[4-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}酮二酐、雙{4-[3-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}酮二酐、4,4'-雙[4-(1,2-二羧基)苯氧基]聯苯二酐、4,4'-雙[3-(1,2-二羧基)苯氧基]聯苯二酐、雙{4-[4-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}酮二酐、雙{4-[3-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}酮二酐、雙{4-[4-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}碸二酐、雙{4-[3-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}碸二酐、雙{4-[4-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}硫醚二酐、雙{4-[3-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}硫醚二酐、2,2-雙{4-[4-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷二酐、2,2-雙{4-[3-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}-1,1,1,3,3,3-丙烷二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐、1,2,5,6-萘四羧酸二酐、1,2,3,4-苯四羧酸二酐、3,4,9,10-苝四羧酸二酐、2,3,6,7-蒽四羧酸二酐、1,2,7,8-菲四羧酸二酐等。 作為脂肪族酸二酐，例如可列舉：伸乙基四羧酸二酐、丁烷四羧酸二酐、環丁烷四羧酸二酐、環戊烷四羧酸二酐等。 作為酸二酐成分，就獲得優異之耐熱性之觀點而言，較佳為列舉芳香族酸二酐，就降低吸濕膨脹係數之觀點而言，更佳為列舉聯苯四羧酸二酐，進而較佳為列舉BPDA。 作為二胺成分，可列舉芳香族二胺、脂肪族二胺。 作為芳香族二胺，可列舉：例如對苯二胺(PPD)、間苯二胺、鄰苯二胺等苯二胺、例如3,3'-二胺基二苯基醚、3,4'-二胺基二苯基醚、4,4'-二胺基二苯基醚等二胺基二苯基醚、例如3,3'-二胺基二苯基硫醚、3,4'-二胺基二苯基硫醚、4,4'-二胺基二苯基硫醚等二胺基二苯基硫醚、例如3,3'-二胺基二苯基碸、3,4'-二胺基二苯基碸、4,4'-二胺基二苯基碸等二胺基二苯基碸、例如3,3'-二胺基二苯甲酮、4,4'-二胺基二苯甲酮、3,4'-二胺基二苯甲酮等二胺基二苯甲酮、例如3,3'-二胺基二苯甲烷、4,4'-二胺基二苯甲烷、3,4'-二胺基二苯甲烷、2,2-二(3-胺基苯基)丙烷、2,2-二(4-胺基苯基)丙烷、2-(3-胺基苯基)-2-(4-胺基苯基)丙烷、2,2-二(3-胺基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、2,2-二(4-胺基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、2-(3-胺基苯基)-2-(4-胺基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、1,1-二(3-胺基苯基)-1-苯乙烷、1,1-二(4-胺基苯基)-1-苯乙烷、1-(3-胺基苯基)-1-(4-胺基苯基)-1-苯乙烷等二胺基二苯基烷烴、例如1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(3-胺基苯甲醯基)苯、1,3-雙(4-胺基苯甲醯基)苯、1,4-雙(3-胺基苯甲醯基)苯、1,4-雙(4-胺基苯甲醯基)苯、1,3-雙(3-胺基-α,α-二甲基苄基)苯、1,3-雙(4-胺基-α,α-二甲基苄基)苯、1,4-雙(3-胺基-α,α-二甲基苄基)苯、1,4-雙(4-胺基-α,α-二甲基苄基)苯、1,3-雙(3-胺基-α,α-二三氟甲基苄基)苯、1,3-雙(4-胺基-α,α-二三氟甲基苄基)苯、1,4-雙(3-胺基-α,α-二三氟甲基苄基)苯、1,4-雙(4-胺基-α,α-二三氟甲基苄基)苯、2,6-雙(3-胺基苯氧基)苯甲腈、2,6-雙(3-胺基苯氧基)吡啶、4,4'-雙(3-胺基苯氧基)聯苯、4,4'-雙(4-胺基苯氧基)聯苯、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]酮、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]酮、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]硫醚、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]硫醚、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]碸、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]碸、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]醚、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]醚、2,2-雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-雙[3-(3-胺基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、1,3-雙[4-(3-胺基苯氧基)苯甲醯基]苯、1,3-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯甲醯基]苯、1,4-雙[4-(3-胺基苯氧基)苯甲醯基]苯、1,4-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯甲醯基]苯、1,3-雙[4-(3-胺基苯氧基)-α,α-二甲基苄基]苯、1,3-雙[4-(4-胺基苯氧基)-α,α-二甲基苄基]苯、1,4-雙[4-(3-胺基苯氧基)-α,α-二甲基苄基]苯、1,4-雙[4-(4-胺基苯氧基)-α,α-二甲基苄基]苯、4,4'-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯甲醯基]二苯基醚、4,4'-雙[4-(4-胺基-α,α-二甲基苄基)苯氧基]二苯甲酮、4,4'-雙[4-(4-胺基-α,α-二甲基苄基)苯氧基]二苯基碸、4,4'-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯氧基]二苯基碸、3,3'-二胺基-4,4'-二苯氧基二苯甲酮、3,3'-二胺基-4,4'-二聯苯氧基二苯甲酮、3,3'-二胺基-4-苯氧基二苯甲酮、3,3'-二胺基-4-聯苯氧基二苯甲酮、6,6'-雙(3-胺基苯氧基)-3,3,3',3'-四甲基-1,1'-螺二茚、6,6'-雙(4-胺基苯氧基)-3,3,3',3'-四甲基-1,1'-螺二茚等。又，亦可列舉芳香環上氫原子之一部分或全部經選自氟基、甲基、甲氧基、三氟甲基、或三氟甲氧基中之取代基取代之芳香族二胺。又，亦可列舉2個以上之芳香族環藉由單鍵鍵結且2個以上之胺基分別直接或作為取代基之一部分鍵結於不同之芳香族環上之芳香族二胺，此種芳香族二胺例如由下述式(A)所表示。 (式A)： [化A]

(式中，a為0或1以上之自然數，胺基相對於苯環彼此之鍵，鍵結於間位或對位) 作為式(A)所示之芳香族二胺，例如可列舉聯苯胺等。 進而，亦可列舉於上述式(A)中，無關與其他苯環之鍵結而於苯環上之未經胺基取代之位置具有取代基之芳香族二胺，此種芳香族二胺係由下述式(B)所表示。 (式B)： [化B]

(式中，a表示0或1以上之自然數，R表示取代基；其中，胺基相對於苯環彼此之鍵，鍵結於間位或對位) R所示之取代基為1價之有機基，該等亦可相互鍵結。作為R所示之取代基，可列舉例如甲基等碳數3以下之烷基、三氟甲基、全氟乙基、全氟丙基等碳數3以下之鹵烷基(較佳為氟烷基)、例如氯、氟等鹵素原子等。作為R所示之取代基，較佳為列舉鹵烷基，更佳為列舉氟烷基。作為具有取代基且由式(B)所示之芳香族二胺之具體例，例如可列舉：2,2'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯、2,2'-二-三氟甲基-4,4'-二胺基聯苯 (別名：2,2'-雙(三氟甲基、TFMB)-4,4'-二胺基聯苯)、3,3'-二氯-4,4'-二胺基聯苯、3,3'-二甲氧基-4,4'-二胺基聯苯、3,3'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯。 作為脂肪族二胺，例如可列舉：雙(胺基甲基)醚、雙(2-胺基乙基)醚、雙(3-胺基丙基)醚、雙(2-胺基甲氧基)乙基]醚、雙[2-(2-胺基乙氧基)乙基]醚、雙[2-(3-胺基丙氧基)乙基]醚、1,2-雙(胺基甲氧基)乙烷、1,2-雙(2-胺基乙氧基)乙烷、1,2-雙[2-(胺基甲氧基)乙氧基]乙烷、1,2-雙[2-(2-胺基乙氧基)乙氧基]乙烷、乙二醇雙(3-胺基丙基)醚、二乙二醇雙(3-胺基丙基)醚、三乙二醇雙(3-胺基丙基)醚、乙二胺、1,3-二胺基丙烷、1,4-二胺基丁烷、1,5-二胺基戊烷、1,6-二胺基己烷、1,7-二胺基庚烷、1,8-二胺基辛烷、1,9-二胺基壬烷、1,10-二胺基癸烷、1,11-二胺基十一烷、1,12-二胺基十二烷、1,2-二胺基環己烷、1,3-二胺基環己烷、1,4-二胺基環己烷、1,2-二(2-胺基乙基)環己烷、1,3-二(2-胺基乙基)環己烷、1,4-二(2-胺基乙基)環己烷、雙(4-胺基環己基)甲烷、2,6-雙(胺基甲基)雙環[2.2.1]庚烷、2,5-雙(胺基甲基)雙環[2.2.1]庚烷等。 作為二胺成分，就獲得優異之耐熱性之觀點而言，較佳為列舉芳香族二胺，就進一步降低吸濕膨脹係數之觀點而言，更佳為列舉具有含有氟原子之取代基(具體而言，氟烷基或鹵素原子)之芳香族二胺，進而較佳為列舉具有氟烷基作為取代基之芳香族二胺，尤佳為列舉TFMB。 二胺成分可單獨使用或併用。較佳為列舉種類不同之複數種芳香族二胺，更佳為列舉苯二胺與具有氟烷基之二胺之組合。此種組合例如於日本專利特開2013-100441號公報中詳細敍述。 具有氟烷基之芳香族二胺之莫耳比率相對於苯二胺與具有氟烷基之二胺之總莫耳數，例如為15%以上，較佳為20%以上，又，例如為80%以下，較佳為50%以下。 酸二酐成分與二胺成分係以絕緣材料具有所需之吸濕膨脹係數之方式自上述例示中適當選擇。 又，於酸二酐成分含有3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(BPDA)且二胺成分含有2,2'-二三氟甲基-4,4'-二胺基聯苯(TFMB)之情形時，聚醯亞胺包含下述式(1)所示之結構單元。 式(1)： [化1]

於聚醯亞胺包含式(1)所示之結構單元之情形時，耐熱性優異，並且可確保較低之吸濕膨脹係數，從而可抑制安裝基板1之翹曲。 更具體而言，於酸二酐成分含有BPDA且二胺成分含有TFMB之情形時，包含下述式(2)所示之結構單元。 式(2)： [化2]

(式中，x為15以上且80以下) x較佳為20以上，又，較佳為50以下。 若x為上述下限以上，則可確保較低之吸濕膨脹係數。若x為上述上限以下，則於製備清漆時，可容易地溶解於溶劑中。 絕緣材料之吸濕膨脹係數為15×10^-6 /%RH以下，較佳為13×10^-6 /%RH以下，又，例如為0×10^-6 /%RH以上，較佳為1×10^-6 /%RH以上。 若絕緣材料之吸濕膨脹係數超過上述上限，則無法抑制基底絕緣層4之翹曲及安裝基板1之翹曲。另一方面，若絕緣材料之吸濕膨脹係數為上述上限以下，則可抑制基底絕緣層4之翹曲以及安裝基板1之翹曲。 用以形成基底絕緣層4之絕緣材料之吸濕膨脹係數例如與安裝基板1中之硬化後之基底絕緣層4之吸濕膨脹係數相同。 絕緣材料之吸濕膨脹係數係依據日本專利特開2013-100441號公報之實施例之記載進行測定。 基底絕緣層4之厚度T1例如為12 μm以下，較佳為8 μm以下，又，例如為1 μm以上，較佳為3 μm以上。再者，基底絕緣層4之厚度T1係以下述基底絕緣層4之厚度T1及覆蓋絕緣層6之厚度T2之總和成為所需範圍之方式進行調整。 導體圖案5係以與基底絕緣層4之上表面接觸之方式設置於基底絕緣層4之上側。導體圖案5具備複數個攝像元件連接端子10、複數個外部零件連接端子11(參照圖2)、及複數根配線9。 如圖1所示，複數個攝像元件連接端子10以成為矩形框狀之方式相互隔開間隔排列整齊地配置於外殼配置部2之中央部。即，如圖2所示，複數個攝像元件連接端子10係以與所安裝之攝像元件21之複數個端子25(參照圖4)對應之方式設置。又，複數個攝像元件連接端子10與複數個攝像元件開口部7對應地設置。攝像元件連接端子10具有仰視下大致圓形狀。攝像元件連接端子10係以於剖視(側視及前視)下向下側凸出之方式形成。具體而言，攝像元件連接端子10一體具備配置於攝像元件開口部7之外周之外周部12、及以自外周部12向內側凹陷之方式配置於攝像元件開口部7內之內側部13。內側部13之下表面(露出面)自攝像元件開口部7露出，且係以成為平坦之方式形成。又，內側部13之下表面係以與基底絕緣層4之下表面成為同一平面之方式形成。 如圖1所示，複數個外部零件連接端子11於左右方向上相互隔開間隔排列整齊地配置於外部零件連接部3之後端緣。即，以與外部零件之複數個端子(未圖示)對應之方式設置。又，複數個外部零件連接端子11與複數個外部零件開口部8對應地設置。外部零件連接端子11具有俯視下大致矩形狀(長方形狀)。外部零件連接端子11配置於外部零件開口部8內，其下表面自外部零件開口部8露出。 如圖2所示，複數根配線9具備複數根連接配線14及複數根接地配線15。 複數根連接配線14係以與複數個攝像元件連接端子10及複數個外部零件連接端子11對應之方式設置。具體而言，於圖1中雖未圖示，但連接配線14係以連接攝像元件連接端子10與外部零件連接端子11之方式與該等一體地形成。即，連接配線14之一端與攝像元件連接端子10相連，連接配線14之另一端與外部零件連接端子11相連而將該等電性連接。 複數根接地配線15係以與複數根連接配線14對應之方式設置。具體而言，複數根接地配線15係以沿著複數根連接配線14之方式設置於該等之外側。於接地配線15之一端一體連接有未圖示之接地端子。 作為導體圖案5之材料，例如可列舉銅、銀、金、鎳或包含該等之合金、焊錫等金屬材料。較佳為列舉銅。 導體圖案5之厚度例如為1 μm以上，較佳為3 μm以上，又，例如為15 μm以下，較佳為10 μm以下。配線9之寬度例如為5 μm以上，較佳為10 μm以上，又，例如為100 μm以下，較佳為50 μm以下。 如圖2所示，覆蓋絕緣層6係以被覆導體圖案5之方式設置於基底絕緣層4及導體圖案5之上側。即，覆蓋絕緣層6係以與導體圖案5之上表面及側面、及自導體圖案5露出之基底絕緣層4之上表面接觸之方式配置。覆蓋絕緣層6形成安裝基板1之上層。覆蓋絕緣層6之外形係以除外部零件連接端子11之形成部分以外與基底絕緣層4成為相同之方式形成。 覆蓋絕緣層6含有與於基底絕緣層4中記述之絕緣材料相同之絕緣材料。 用以形成覆蓋絕緣層6之絕緣材料之吸濕膨脹係數例如與用以形成基底絕緣層4之絕緣材料之吸濕膨脹係數相同。絕緣材料之吸濕膨脹係數係依據日本專利特開2013-100441號公報之實施例之記載進行測定。具體而言，用以形成覆蓋絕緣層6之絕緣材料之吸濕膨脹係數為15×10^-6 /%RH以下，較佳為13×10^-6 /%RH以下，又，例如為0×10^-6 /%RH以上，較佳為1×10^-6 /%RH以上。若絕緣材料之吸濕膨脹係數超過上述上限，則無法抑制覆蓋絕緣層6之翹曲及安裝基板1之翹曲。另一方面，若絕緣材料之吸濕膨脹係數為上述上限以下，則可抑制覆蓋絕緣層6之翹曲，進而可抑制安裝基板1之翹曲。 覆蓋絕緣層6之厚度T2例如為6 μm以下，較佳為4 μm以下，又，例如為1 μm以上，較佳為2 μm以上。 再者，覆蓋絕緣層6之厚度T2係以以下要說明之基底絕緣層4之厚度T1及覆蓋絕緣層6之厚度T2之總和成為所需範圍之方式進行調整。 基底絕緣層4之厚度T1及覆蓋絕緣層6之厚度T2之總和(絕緣層之總厚度、T1+T2)為16 μm以下，較佳為13 μm以下，更佳為10 μm以下，又，例如為1 μm以上，較佳為5 μm以上。再者，基底絕緣層4及覆蓋絕緣層6之總厚度係於未形成導體圖案5之區域，於厚度方向上相互接觸之基底絕緣層4及覆蓋絕緣層6之厚度。 若基底絕緣層4及覆蓋絕緣層6之總厚度超過上述上限，則不會產生安裝基板1容易翹曲之不良情況(本發明之課題)。 另一方面，若基底絕緣層4及覆蓋絕緣層6之總厚度為上述上限以下，則會產生安裝基板1容易翹曲之不良情況(本發明之課題)。然而，由於基底絕緣層4之下表面全部向下方露出，且基底絕緣層4含有具有15×10^-6 /%RH以下之吸濕膨脹係數之絕緣材料，因此可抑制安裝基板1之翹曲。 基底絕緣層4之厚度T1相對於覆蓋絕緣層6之厚度T2之比(T1/T2)例如為5以下，較佳為1.8以下，又，例如為1以上，較佳為1.3以上。 安裝基板1之厚度(基底絕緣層4、導體圖案5及覆蓋絕緣層6之總厚度)例如為50 μm以下，較佳為30 μm以下，更佳為20 μm以下，又，例如為1 μm以上，較佳為5 μm以上。 2.攝像元件安裝基板之製造方法 如圖3A～圖3D所示，安裝基板1例如係藉由依序實施金屬支持體準備步驟、基底絕緣層形成步驟、導體圖案形成步驟、覆蓋絕緣層形成步驟、及金屬支持體去除步驟而獲得。 如圖3A所示，於金屬支持體準備步驟中準備金屬支持體19。 金屬支持體19具有沿面方向延伸之俯視下大致矩形(長方形狀)之平板形狀(片形狀)。 金屬支持體19例如係由不鏽鋼、42合金、鋁等金屬材料形成。較佳為由不鏽鋼形成。 金屬支持體19之厚度例如為5 μm以上，較佳為10 μm以上，例如為50 μm以下，較佳為30 μm以下。 金屬支持體19之上表面係以變得平坦(平滑)之方式形成。 接下來，於基底絕緣層形成步驟中，將基底絕緣層4形成於金屬支持體19之上表面。即，將具有攝像元件開口部7及外部零件開口部8之基底絕緣層4形成於金屬支持體19之上表面。 具體而言，首先，製備感光性之絕緣材料之清漆。若絕緣材料為聚醯亞胺，則清漆可以適當之比率含有可溶解上述酸二酐成分與二胺之溶劑，進而，可以適當之比率含有感光劑、增感劑、聚合停止劑、鏈轉移劑、調平劑、塑化劑、界面活性劑、消泡劑等添加劑。 接下來，將清漆塗佈於金屬支持體19之整個上表面，繼而乾燥而去除溶劑。藉此，形成基底皮膜。其後，經由具有與攝像元件開口部7及外部零件開口部8對應之圖案之光罩對基底皮膜進行曝光。其後，對基底皮膜進行顯影，其後，視需要使之加熱硬化。 如圖3B所示，於導體圖案形成步驟中，將導體圖案5以上述圖案形成於基底絕緣層4之上表面與自攝像元件開口部7及外部零件開口部8露出之安裝基板1之上表面。例如藉由加成法等形成導體圖案5。 如圖3C所示，於覆蓋絕緣層形成步驟中，將覆蓋絕緣層6配置於導體圖案5及基底絕緣層4之上表面。覆蓋絕緣層形成步驟係與基底絕緣層形成步驟同樣地實施。 藉此，於被金屬支持體19支持之狀態下獲得具備基底絕緣層4、導體圖案5、及覆蓋絕緣層6之安裝基板1。再者，該安裝基板1具備金屬支持體19，該金屬支持體19尚未被去除。因此，該安裝基板1不包含於本發明之可撓配線電路基板中。 如圖3D所示，於金屬支持體去除步驟中去除金屬支持體19。 作為金屬支持體19之去除方法，可列舉：例如將金屬支持體19從基底絕緣層4之下表面與自攝像元件開口部7露出之攝像元件連接端子10之下表面及自外部零件開口部8露出之外部零件連接端子11之下表面剝離之方法；例如對金屬支持體19實施例如乾式蝕刻、濕式蝕刻等蝕刻之方法等。較佳為列舉蝕刻，更佳為列舉濕式蝕刻。於濕式蝕刻中，可列舉將三氯化鐵水溶液等用作蝕刻液並進行噴霧或浸漬之化學蝕刻法。 藉此，將金屬支持體19去除，獲得具備基底絕緣層4、導體圖案5、及覆蓋絕緣層6之安裝基板1。安裝基板1不具備金屬支持體19，較佳為僅由基底絕緣層4、導體圖案5、及覆蓋絕緣層6構成。該安裝基板1藉由將金屬支持體19去除，可用於以下要說明之用途，並且可發揮作用效果。 此種安裝基板1例如係用作用以安裝攝像元件之攝像元件安裝基板。即，安裝基板1係配備於相機模組等攝像裝置。再者，安裝基板1並非以下要說明之攝像裝置，而係攝像裝置之一零件、即用以製作攝像裝置之零件，不包含攝像元件，具體而言，係以零件單獨流通且可於產業上利用之器件。 3.攝像裝置 繼而，作為本發明之攝像裝置之一例，對具備安裝基板1之攝像裝置20進行說明。 如圖4所示，攝像裝置20具備安裝基板1、攝像元件21、外殼22、光學透鏡23、及濾光片24。 將圖2所示之安裝基板1上下顛倒而將安裝基板1配備於攝像裝置20。即，安裝基板1係以將基底絕緣層4設為上側(厚度方向另一側)、將覆蓋絕緣層6設為下側(厚度方向一側)之方式配置。 攝像元件21係將光轉換成電信號之半導體元件，例如可列舉CMOS (Complementary Metal Oxide，互補金氧半導體)感測器、CCD(Charge Coupled Device，電感耦合器件)感測器等固體攝像元件。攝像元件21形成為俯視下大致矩形之平板形狀，雖未圖示，但具備Si基板等矽、配置於其上之光電二極體(光電轉換元件)及彩色濾光片。於攝像元件21之下表面設置有複數個與安裝基板1之攝像元件連接端子10對應之端子25。攝像元件21之厚度例如為10 μm以上，較佳為50 μm以上，又，例如為1000 μm以下，較佳為500 μm以下。 攝像元件21安裝於安裝基板1。具體而言，攝像元件21之端子25經由焊料凸塊26等與對應之安裝基板1之攝像元件連接端子10覆晶安裝。藉此，攝像元件21配置於安裝基板1之外殼配置部2之中央部，並與安裝基板1之攝像元件連接端子10及外部零件連接端子11電性連接。 攝像元件21藉由安裝於安裝基板1而構成攝像單元27。即，攝像單元27具備安裝基板1、及安裝於該安裝基板1之攝像元件21。 外殼22以與攝像元件21隔開間隔並包圍之方式配置於攝像元件21之外殼配置部2。外殼22具有俯視下大致矩形狀之筒狀。於外殼22之上端設置有用以固定光學透鏡23之固定部。 光學透鏡23與安裝基板1及攝像元件21隔開間隔配置於安裝基板1之上側。光學透鏡23形成為俯視下大致圓形狀，並以來自外部之光到達攝像元件21之方式由固定部固定。 濾光片24於攝像元件21及光學透鏡23之上下方向中央與該等隔開間隔而配置，且固定於外殼22。 並且，於該安裝基板1中，由於基底絕緣層4及覆蓋絕緣層6之總厚度(T1+T2)較薄為16 μm以下，因此可實現薄型化。 又，於該安裝基板1中，如圖2所示，由於基底絕緣層4之整個下表面朝向下方露出，且基底絕緣層4含有具有15×10^-6 /%RH以下之較低之吸濕膨脹係數之絕緣材料，因此可抑制翹曲。 尤其是於安裝基板1具備金屬支持體19之情形時，於基底絕緣層4及覆蓋絕緣層6之總厚度相對於金屬支持體19之厚度較薄之情形時，金屬支持體19之剛性過度約束基底絕緣層4及覆蓋絕緣層6，反而使翹曲之不良情況明顯化。然而，於該一實施形態中，由於基底絕緣層4之整個下表面朝向下方露出(安裝基板1不具備金屬支持體19)，故而可自金屬支持體19之約束中解放基底絕緣層4及覆蓋絕緣層6。又，雖因此而使基底絕緣層4之整個下表面露出，但由於基底絕緣層4包含具有較低之吸濕膨脹係數之絕緣材料，因此即便該等之總厚度較薄，亦不易受到濕度之影響，因此可抑制翹曲。 進而，絕緣材料若為包含式(1)所示之結構單元之聚醯亞胺，則耐熱性優異，並且可確保較低之吸濕膨脹係數，從而可抑制安裝基板1之翹曲。 又，於該安裝基板1中，由於導體圖案5具備自基底絕緣層4向下方露出之攝像元件連接端子10及外部零件連接端子11，因此可將該等確實地電性連接於攝像元件21及外部零件。 又，由於該安裝基板1係供安裝攝像元件21之攝像元件安裝基板1，因此可提供實現薄型化之攝像裝置，且安裝基板1之翹曲得到抑制。因此，於攝像裝置20中，可提高安裝基板1與攝像元件21之連接可靠性。 根據上述圖3A～圖3D所示之安裝基板1之製造方法，可獲得薄型化得以實現且翹曲得到抑制之安裝基板1。 ＜變化例＞ 於變化例中，針對與一實施形態相同之構件及步驟，標註相同之參照符號，並省略其詳細之說明。 於一實施形態中，將用以形成覆蓋絕緣層6之絕緣材料之吸濕膨脹係數設定為與用以形成基底絕緣層4之絕緣材料之吸濕膨脹係數相同，但並不限定於此，例如，亦可使用以形成覆蓋絕緣層6之絕緣材料之吸濕膨脹係數脫離用以形成基底絕緣層4之絕緣材料之吸濕膨脹係數之範圍。總之，只要至少用以形成基底絕緣層4之絕緣材料為所需之吸濕膨脹係數即可。 於一實施形態中，作為本發明之可撓配線電路基板，作為用以安裝攝像元件21之攝像元件安裝基板1(安裝基板1)進行說明，但可撓配線電路基板之用途並不限定於此。例如，可適當用於要求薄型化及抑制翹曲之各種用途、具體而言壓力感測器、加速度感測器、陀螺儀感測器、超音波感測器、指紋認證感測器等之安裝基板等。 於一實施形態之安裝基板1中，如圖2所示，配線9具備接地配線15，但例如雖未圖示，亦可不具備接地配線15。即，亦可僅由連接配線14構成配線9。 又，於一實施形態之攝像裝置20中，如圖4所示，攝像元件21覆晶安裝安裝基板1，但例如雖未圖示，攝像元件21亦可藉由打線接合安裝於安裝基板1。 於一實施形態中，如圖2所示，安裝基板1僅具備基底絕緣層4、導體圖案5及覆蓋絕緣層6，但例如於該變化例中，如圖5所示，安裝基板1進而具備屏蔽層40、及作為第3絕緣層之一例之第2覆蓋絕緣層31。 該安裝基板1朝向上側依序具備基底絕緣層4、導體圖案5、覆蓋絕緣層(第1覆蓋絕緣層)6、屏蔽層40、及第2覆蓋絕緣層31。 屏蔽層40係以與覆蓋絕緣層6之上表面接觸之方式配置於覆蓋絕緣層6之上側。屏蔽層40係遮蔽來自外部之電磁波之層，並且形成為沿面方向(前後方向及左右方向)延伸之片狀。 屏蔽層40與接地配線15電性連接。即，屏蔽層40與接地配線15相連。具體而言，屏蔽層40具備具有於與接地配線15對向之部分向下側凸出之形狀且與接地配線15之上表面接觸之接觸部41。 接觸部41具備與接地配線15直接接觸之平坦部42、及以與平坦部42之周圍相連之方式一體配置之傾斜部43。 平坦部42形成為沿面方向延伸之平板狀。傾斜部43沿與上下方向及面方向交叉(傾斜)之傾斜方向延伸。 藉此，屏蔽層40經由接地配線15接地。 屏蔽層40包含導體，例如使用銅、鉻、鎳、金、銀、鉑、鈀、鈦、鉭、焊料、或該等之合金等金屬材料。較佳為列舉銅。屏蔽層40之厚度例如為0.05 μm以上，較佳為0.1 μm以上，又，例如為3 μm以下，較佳為1 μm以下。 第2覆蓋絕緣層31係以被覆屏蔽層40之方式設置於屏蔽層40之上側。第2覆蓋絕緣層31之外形係以成為與覆蓋絕緣層6相同之方式形成。 第2覆蓋絕緣層31含有與於基底絕緣層4中記述之絕緣材料相同之絕緣材料。用以形成第2覆蓋絕緣層31之絕緣材料之吸濕膨脹係數與用以形成基底絕緣層4之絕緣材料之吸濕膨脹係數相同。具體而言，用以形成第2覆蓋絕緣層31之絕緣材料之吸濕膨脹係數為15×10^-6 /%RH以下，較佳為13×10^-6 /%RH以下，又，例如為0×10^-6 /%RH以上，較佳為1×10^-6 /%RH以上。若絕緣材料之吸濕膨脹係數超過上述上限，則無法抑制第2覆蓋絕緣層31之翹曲及安裝基板1之翹曲。另一方面，若絕緣材料之吸濕膨脹係數為上述上限以下，則可抑制第2覆蓋絕緣層31之翹曲，進而可抑制安裝基板1之翹曲。 第2覆蓋絕緣層31之厚度T3例如為3 μm以下，較佳為2 μm以下，又，例如為0.1 μm以上，較佳為1 μm以上。 基底絕緣層4之厚度T1、覆蓋絕緣層6之厚度T2及第2覆蓋絕緣層31之厚度T3之總和(絕緣層之總厚度、T1+T2+T3)為16 μm以下，較佳為13 μm以下，更佳為10 μm以下，又，例如為1 μm以上，較佳為5 μm以上。若基底絕緣層4、覆蓋絕緣層6及第2覆蓋絕緣層31之總厚度為上述上限以下，則可抑制第2覆蓋絕緣層31之翹曲。 進而，第2覆蓋絕緣層31含有具有15×10^-6 /%RH以下之吸濕膨脹係數之絕緣材料。 圖5所示之安裝基板1可藉由於由金屬支持體19支持之狀態下獲得一實施形態之安裝基板1後，依序於第1覆蓋絕緣層6之上表面形成屏蔽層40及第2覆蓋絕緣層31，接下來，將金屬支持體19去除而製造。 又，於圖2中雖未圖示，但導體圖案5之一部分亦可自覆蓋絕緣層6露出。 進而，如圖6A所示，亦可將複數個安裝基板1構成為基板集合體片材50。基板集合體片材50具備於面方向上整齊排列之狀態之複數個安裝基板1。 上述各變化例亦發揮與一實施形態相同之作用效果。 [實施例] 以下，表示製造例、比較製造例、實施例及比較例，並對本發明進而具體地進行說明。再者，本發明並不限定於任何製造例、比較製造例、實施例及比較例。又，以下之記載中所使用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等具體數值可替代成上述「實施方式」中所記載之與該等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等相應記載之上限(作為「以下」、「未達」而定義之數值)或下限(作為「以上」、「超過」而定義之數值)。 製造例1 將2,2'-雙(三氟甲基)-4,4'-二胺基聯苯(TFMB，具有鹵烷基作為取代基之芳香族二胺)4.0 g(20 mmol)與對苯二胺(PPD、芳香族二胺)8.65 g(80 mmol)投入至500 ml之可分離式燒瓶中，使之溶解於200 g經脫水之N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)中，於氮氣流下，藉由油浴以液溫成為50℃之方式一面利用熱電偶進行監控並加熱，一面進行攪拌。確認該等完全溶解後，向其中歷時30分鐘將3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(BPDA、芳香族酸二酐)29.4 g(100 mmol)調配至可分離式燒瓶中後，於50℃下攪拌5小時。其後冷卻至室溫，獲得聚醯亞胺前驅物溶液A。 接下來，相對於聚醯亞胺前驅物溶液A之固形物成分100質量份，調配硝苯地平(感光劑)30質量份，製備感光性聚醯亞胺前驅物溶液A。 比較製造例1 代替2,2'-雙(三氟甲基)-4,4'-二胺基聯苯(TFMB)4.0 g(20 mmol)與對苯二胺(PPD)8.65 g(80 mmol)而變更為4,4'-二胺基二苯基醚(ODA、4,4'-氧基雙(苯胺)、芳香族二胺)3.0 g(15 mmol)與對苯二胺(PPD、芳香族二胺)9.19 g(85 mmol)，除此以外，以與製造例1相同之方式進行處理，製備聚醯亞胺前驅物溶液B，接下來製備感光性聚醯亞胺前驅物溶液B。 實施例1 如圖3A所示，準備厚度18 μm之包含不鏽鋼之金屬支持體19。 繼而，將製造例1之聚醯亞胺前驅物溶液A塗佈於金屬支持體19之上表面，繼而，於80℃下乾燥10分鐘，形成基底皮膜(聚醯亞胺前驅物皮膜)。接下來，經由光罩對基底皮膜進行曝光，接下來進行顯影。其後，於氮氣環境下並於360℃下將基底皮膜加熱(硬化)1小時，藉此形成包含聚醯亞胺且具有攝像元件開口部7及外部零件開口部8之厚度10 μm之基底絕緣層4。 如圖3B所示，其後，藉由加成法將包含銅之厚度8 μm之導體圖案5形成於基底絕緣層4之上表面與自攝像元件開口部7及外部零件開口部8露出之金屬支持體19之上表面。 如圖3C所示，其後，將製造例1之聚醯亞胺前驅物溶液塗佈於基底絕緣層4及導體圖案5之上表面，繼而，於80℃下乾燥10分鐘，形成覆蓋皮膜(聚醯亞胺前驅物皮膜)。接下來，經由光罩對覆蓋皮膜進行曝光，接下來進行顯影。其後，於氮氣環境下並於360℃下將覆蓋皮膜加熱1小時，藉此獲得包含聚醯亞胺之厚度5 μm之覆蓋絕緣層6。 其後，如圖3D所示，藉由自下方噴霧包含三氯化鐵水溶液之蝕刻液之化學蝕刻法將金屬支持體19去除。藉此，使基底絕緣層4之整個下表面露出。 藉此，獲得依序具備使整個下表面露出之基底絕緣層4、導體圖案5及覆蓋絕緣層6之安裝基板1。 再者，基底絕緣層4及覆蓋絕緣層6之聚醯亞胺均具有式(2)所示之結構單元。 式(2)： [化2]

(式中，x為20) 實施例2、3及比較例1 基於表1之記載變更各層之配方、厚度、加熱溫度等，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得安裝基板1。 但是，比較例1之基底絕緣層4及覆蓋絕緣層6之聚醯亞胺均具有下述式(3)所示之結構單元。 式(3)： [化3]

(式中，x為15) 實施例4 獲得依序具備基底絕緣層4、導體圖案5、覆蓋絕緣層6、屏蔽層40及第2覆蓋絕緣層31之安裝基板1。 基底絕緣層4、導體圖案5及覆蓋絕緣層6以與實施例3相同之方式形成。 藉由濺鍍形成厚度0.1 μm之包含銅之屏蔽層40，接下來， 以與基底絕緣層4相同之方式利用厚度2 μm之聚醯亞胺形成第2覆蓋絕緣層31。 比較例2 製造未將金屬支持體19去除而具備金屬支持體19之安裝基板1，除此以外，以與實施例2相同之方式進行處理。 於該安裝基板1中，基底絕緣層4之整個下表面由金屬支持體19被覆。 比較例3 製造未將金屬支持體19去除而具備金屬支持體19之安裝基板1，除此以外，以與比較例1相同之方式進行處理。 於該安裝基板1中，基底絕緣層4之整個下表面由金屬支持體19被覆。 將各實施例及各比較例之層構成及厚度記載於表1。 [評價] 針對各實施例及各比較例之安裝基板1，對以下之項目進行評價。將其結果記載於表1。 ＜濕度膨脹係數＞ 測定各實施例及各比較例之安裝基板1之基底絕緣層4及覆蓋絕緣層6之濕度膨脹係數。 具體而言，首先，採集安裝基板1之基底絕緣層4及覆蓋絕緣層6之積層部分作為試樣。 接下來，使試樣充分地乾燥，其後，使試樣於濕度型熱機械分析裝置(HC-TMA4000SA，Bruker AXS公司製造)之腔室內於30℃且5%RH之環境下保持3小時而使之穩定後，對試樣施加負載(196 mN)，接下來，使相對濕度變化成75%RH，並保持3小時而使之穩定。接下來，藉由濕度型熱機械分析裝置之運算處理並根據試樣伸長量與相對濕度之變化量(70%RH)獲取吸濕膨脹係數。 ＜翹曲＞ 測定安裝基板1之翹曲。 具體而言，如圖6A所示，首先，準備具備9個安裝基板1之基板集合體片材50。各安裝基板1之外形尺寸為15 mm×15 mm，又，基板集合體片材50之外形尺寸為45 mm×45 mm。 接下來，將基板集合體片材50於溫度25℃、濕度60%RH之環境下載置於平板45之表面。 經過24小時後，如圖6B所示，測定基板集合體片材50之4個頂點之各下端部與平板45之表面之高度(h1、h2、h3、h4)，算出該等之平均值([h1+h2+h3+h4]/4)作為翹曲。 [表1]

再者，上述發明係以本發明之例示之實施形態之形式提供，其僅不過為例示，而不應限定性地解釋。對於該技術領域之業者而言明確之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍中。 [產業上之可利用性] 可撓配線電路基板具備於攝像裝置。

1‧‧‧安裝基板(攝像元件安裝基板)2‧‧‧外殼配置部3‧‧‧外部零件連接部4‧‧‧基底絕緣層5‧‧‧導體圖案6‧‧‧覆蓋絕緣層7‧‧‧攝像元件開口部8‧‧‧外部零件開口部9‧‧‧配線10‧‧‧攝像元件連接端子11‧‧‧外部零件連接端子12‧‧‧外周部13‧‧‧內側部14‧‧‧連接配線15‧‧‧接地配線19‧‧‧金屬支持體20‧‧‧攝像裝置21‧‧‧攝像元件22‧‧‧外殼23‧‧‧光學透鏡24‧‧‧濾光片25‧‧‧端子26‧‧‧焊料凸塊27‧‧‧攝像單元31‧‧‧第2覆蓋絕緣層40‧‧‧屏蔽層41‧‧‧接觸部42‧‧‧平坦部43‧‧‧傾斜部45‧‧‧平板50‧‧‧基板集合體片材h1‧‧‧高度h2‧‧‧高度h3‧‧‧高度h4‧‧‧高度T1‧‧‧基底絕緣層之厚度T2‧‧‧覆蓋絕緣層之厚度T3‧‧‧第2覆蓋絕緣層之厚度

圖1表示作為本發明之可撓配線電路基板之一實施形態之攝像元件安裝基板之仰視圖。 圖2表示圖1所示之攝像元件安裝基板之A-A剖視圖。 圖3A～圖3D表示圖2所示之攝像元件安裝基板之製造步驟圖，圖3A表示金屬支持體準備步驟及基底絕緣層形成步驟，圖3B表示導體圖案形成步驟，圖3C表示覆蓋絕緣層形成步驟，圖3D表示金屬支持體去除步驟。 圖4表示具備圖2所示之攝像元件安裝基板之攝像裝置。 圖5表示圖2所示之攝像元件安裝基板之變化例(具備屏蔽層及第2覆蓋絕緣層之形態)之剖視圖。 圖6A及圖6B係實施例之翹曲之評價方法之前視圖，圖6A表示準備具備複數個安裝基板之基板集合體片材之步驟，圖6B表示測定基板集合體片材中之頂點之下端部之高度之步驟。

2‧‧‧外殼配置部

4‧‧‧基底絕緣層

5‧‧‧導體圖案

6‧‧‧覆蓋絕緣層

7‧‧‧攝像元件開口部

9‧‧‧配線

10‧‧‧攝像元件連接端子

12‧‧‧外周部

13‧‧‧內側部

14‧‧‧連接配線

15‧‧‧接地配線

T1‧‧‧基底絕緣層之厚度

T2‧‧‧覆蓋絕緣層之厚度

Claims (9)

1. 一種可撓配線電路基板，其特徵在於朝向厚度方向一側依序包含基底絕緣層、導體圖案、及覆蓋絕緣層，上述導體圖案係與上述基底絕緣層之厚度方向一面接觸，上述覆蓋絕緣層係與上述導體圖案之厚度方向一面及側面、以及上述導體圖案之周圍之上述基底絕緣層之厚度方向一面接觸，上述基底絕緣層之厚度方向另一面全部朝向厚度方向另一側露出，上述基底絕緣層及上述覆蓋絕緣層之總厚度為16μm以下，且至少上述基底絕緣層含有具有15×10^-6/%RH以下之吸濕膨脹係數之絕緣材料。
2. 如請求項1之可撓配線電路基板，其中上述絕緣材料係包含下述式(1)所示之結構單元之聚醯亞胺，

   
3. 如請求項1或2之可撓配線電路基板，其中上述導體圖案具有自上述基底絕緣層向厚度方向另一側露出之端子。
4. 如請求項1之可撓配線電路基板，其中上述導體圖案之一部分自上述 覆蓋絕緣層向厚度方向一側露出。
5. 如請求項1之可撓配線電路基板，其進而包含屏蔽層及第2覆蓋絕緣層，朝向厚度方向一側依序包含上述基底絕緣層、上述導體圖案、上述覆蓋絕緣層、上述屏蔽層、及上述第2覆蓋絕緣層，且上述基底絕緣層、上述覆蓋絕緣層及上述第2覆蓋絕緣層之總厚度為16μm以下。
6. 如請求項5之可撓配線電路基板，其中上述第2覆蓋絕緣層含有具有15×10^-6/%RH以下之吸濕膨脹係數之絕緣材料。
7. 如請求項1之可撓配線電路基板，其係用以安裝攝像元件之攝像元件安裝基板。
8. 一種攝像裝置，其特徵在於包含：如請求項7之攝像元件安裝基板；及攝像元件，其安裝於上述攝像元件安裝基板。
9. 一種可撓配線電路基板之製造方法，其特徵在於：其係如請求項1至7中任一項之可撓配線電路基板之製造方法，且包括：準備金屬支持基板之步驟；於上述金屬支持基板之厚度方向一側依序形成基底絕緣層、導體圖 案、及覆蓋絕緣層之步驟；及去除上述金屬支持基板之步驟。

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