TWI760484B - 可撓配線電路基板及攝像裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之可撓配線電路基板包含第1絕緣層、配置於第1絕緣層之厚度方向一側之配線、配置於配線之厚度方向一側之第2絕緣層、配置於第2絕緣層之厚度方向一側之屏蔽層、及配置於屏蔽層之厚度方向一側之第3絕緣層。屏蔽層包含導電層、及於厚度方向上夾持導電層之2個障壁層。導電層選自屬於週期表第11族且第4週期及第5週期之金屬，障壁層選自屬於週期表第4族~第10族且第4週期~第6週期之金屬。

Description

可撓配線電路基板及攝像裝置
本發明係關於一種可撓配線電路基板及攝像裝置。
先前以來，已知有於安裝有電子零件之電路基板中，因來自外部之電磁波之影響而產生電子零件之誤動作或雜訊。因此，期待於電路基板設置電磁波之屏蔽層而遮蔽來自外部之電磁波。 作為此種屏蔽層，例如提出有具備利用SuS成膜於樹脂基板之密接膜、利用Cu成膜於密接膜之通電性膜、及利用SuS成膜於通電性膜之保護膜之屏蔽膜(例如，參照專利文獻1)。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1：日本專利特開2007-243122號公報
[發明所欲解決之問題] 然而，於電路基板為可撓配線電路基板之情形時，要求屏蔽層兼具即便可撓配線電路基板變形亦不會自基板剝離之優異之密接性及對電磁波之優異之屏蔽特性。 然而，專利文獻1之屏蔽膜無法充分地兼具可撓配線電路基板中所要求之密接性及屏蔽特性。 本發明提供一種可兼具屏蔽層之優異之密接性及對電磁波之優異之屏蔽特性之可撓配線電路基板及攝像裝置。 [解決問題之技術手段] 本發明[1]包含一種可撓配線電路基板，其具備：第1絕緣層；配線，其配置於上述第1絕緣層之厚度方向一側；第2絕緣層，其配置於上述配線之厚度方向一側；屏蔽層，其配置於上述第2絕緣層之厚度方向一側；及第3絕緣層，其配置於上述屏蔽層之厚度方向一側；上述屏蔽層具備：導電層；及2個障壁層，其等於上述厚度方向上夾持上述導電層；上述導電層選自屬於週期表第11族且第4週期及第5週期之金屬，上述障壁層選自屬於週期表第4族~第10族且第4週期~第6週期之金屬。 根據此種構成，夾持導電層之2個障壁層分別選自屬於週期表第4族~第10族且第4週期~第6週期之金屬。因此，與障壁層之材料為不鏽鋼(SUS)之情形相比，可提高屏蔽層之密接性及屏蔽特性，從而可兼具優異之密接性與優異之屏蔽特性。 本發明[2]包含如上述[1]所記載之可撓配線電路基板，其中上述第2絕緣層及上述第3絕緣層各自之材料為聚醯亞胺。 然而，若第2絕緣層及第3絕緣層之材料為聚醯亞胺，則有作為屏蔽層之材料之金屬容易向聚醯亞胺擴散(遷移)之傾向。 另一方面，根據上述構成，夾持導電層之障壁層選自屬於週期表第4族~第10族且第4週期~第6週期之金屬。因此，可抑制作為屏蔽層之材料之金屬向將聚醯亞胺作為材料之第2絕緣層及第3絕緣層擴散(遷移)。 本發明[3]包含如上述[2]所記載之可撓配線電路基板，其中上述障壁層係選自由鈦、鉻、鎳、鈀及鉭所組成之群中之1種金屬。 根據此種構成，障壁層係選自上述群中之金屬。於屬於上述群之金屬為上述障壁層之材料之金屬(屬於週期表第4族~第10族且第4週期~第6週期之金屬)中，尤其不易向聚醯亞胺擴散(遷移)。 因此，可抑制作為障壁層之材料之金屬向將聚醯亞胺作為材料之第2絕緣層及第3絕緣層擴散(遷移)。 本發明[4]包含如上述[1]至[3]中任一項所記載之可撓配線電路基板，其中上述配線包含接地配線，上述屏蔽層藉由使上述障壁層與上述接地配線接觸而與上述接地配線電性連接。 根據此種構成，於第1絕緣層之厚度方向一側配置有接地配線，因此，無須另外設置用於接地配線之層。因此，可實現可撓配線電路基板之薄型化。 又，作為障壁層之材料之屬於週期表第4族~第10族且第4週期~第6週期之金屬與不鏽鋼相比體積電阻率較低，因此，於使障壁層與接地配線接觸之結構中，可有效率地將屏蔽層接地。 本發明[5]包含如上述[1]至[4]中任一項所記載之可撓配線電路基板，其中上述配線與上述第1絕緣層直接接觸，上述第2絕緣層與上述配線直接接觸，相對於上述導電層位於上述厚度方向之另一側之障壁層與上述第2絕緣層直接接觸，上述導電層與相對於上述導電層位於上述厚度方向之另一側之障壁層直接接觸，相對於上述導電層位於上述厚度方向之一側之障壁層與上述導電層直接接觸，上述第3絕緣層與相對於上述導電層位於上述厚度方向之一側之障壁層直接接觸。 根據此種構成，複數層(第1絕緣層、配線、第2絕緣層、導電層、2個障壁層及第3絕緣層)中於厚度方向上相互鄰接之層直接接觸。 即，於厚度方向上相互鄰接之層於該等之間不經由接著劑而相互接著。因此，與於厚度方向上相互鄰接之層藉由接著劑而接著之情形相比，可實現可撓配線電路基板之薄型化。 尤其是由於障壁層選自上述金屬，因此可確保屏蔽層之優異之密接性，不使用接著劑便可將屏蔽層確實地接著於第2絕緣層及第3絕緣層，從而可實現無接著劑之可撓配線電路基板。 本發明[6]包含如上述[1]至[4]中任一項所記載之可撓配線電路基板，其進而具備於上述厚度方向上配置於上述配線與上述第2絕緣層之間之第4絕緣層及第2配線，上述第4絕緣層配置於上述配線之上述厚度方向一側，上述第2配線配置於上述第4絕緣層之上述厚度方向一側。 根據此種構成，可撓配線電路基板具備配線及第2配線，因此可增加配線之數量，從而可提高設計之自由度。 本發明[7]包含如上述[1]~[6]中任一項所記載之可撓配線電路基板，其係用以安裝攝像元件之攝像元件安裝基板。 根據此種構成，可撓配線電路基板可兼具屏蔽層之優異之密接性及對電磁波之優異之屏蔽特性，因此可適當用作攝像元件安裝基板。 本發明[8]包含一種攝像裝置，其具備如上述[1]~[6]中任一項所記載之可撓配線電路基板、及安裝於上述可撓配線電路基板之攝像元件。 根據此種構成，攝像裝置具備上述可撓配線電路基板，因此可兼具屏蔽層之優異之密接性及對電磁波之優異之屏蔽特性。 [發明之效果] 根據本發明之可撓配線電路基板及攝像裝置，可兼具屏蔽層之優異之密接性及對電磁波之優異之屏蔽特性。
於圖1中，紙面上下方向為前後方向(第1方向)，並且紙面上側為前側(第1方向一側)，紙面下側為後側(第1方向另一側)。 於圖1中，紙面左右方向為左右方向(與第1方向正交之第2方向)，並且紙面左側為左側(第2方向一側)，紙面右側為右側(第2方向另一側)。 於圖1中，紙面紙厚方向為上下方向(厚度方向之一例、與第1方向及第2方向正交之第3方向)，並且紙面裡側為上側(厚度方向一側之一例、第3方向一側)，紙面近前側為下側(厚度方向另一側之一例、第3方向另一側)。 具體而言，依據各圖之方向箭頭。 ＜一實施形態＞ 1.攝像元件安裝基板 對作為本發明之可撓配線電路基板之一實施形態之攝像元件安裝基板1(以下，亦簡略為安裝基板1)進行說明。 如圖1所示，安裝基板1係用以安裝攝像元件21(下述，參照圖5)之可撓配線電路基板(FPC)，並且尚不具備攝像元件21。安裝基板1具有沿前後方向及左右方向(面方向)延伸之俯視下大致矩形(長方形狀)之平板形狀(片形狀)。 安裝基板1具備外殼配置部2、及外部零件連接部3。 外殼配置部2係供配置外殼22(下述，參照圖5)或攝像元件21之部分。具體而言，外殼配置部2係於將外殼22配置於安裝基板1之情形時，於沿厚度方向投影時與外殼22重複之部分。於外殼配置部2之大致中央部配置有複數個用以與攝像元件21電性連接之攝像元件連接端子10(下述)。外部零件連接部3係外殼配置部2以外之區域，並且係用以與外部零件連接之部分。外部零件連接部3係以外部零件連接部3之前端緣與外殼配置部2之後端緣相連之方式配置於外殼配置部2之後側。於外部零件連接部3之後端緣配置有複數個用以與外部零件電性連接之外部零件連接端子11(下述)。如圖2所示，安裝基板1朝向上側(厚度方向一側之一例)依序具備作為第1絕緣層之一例之基底絕緣層4、導體圖案5、作為第2絕緣層之一例之第1覆蓋絕緣層6、屏蔽層40、及作為第3絕緣層之一例之第2覆蓋絕緣層31。 如圖1及圖2所示，基底絕緣層4構成安裝基板1之外形，且形成為仰視下大致矩形狀。基底絕緣層4位於安裝基板1之最下層。基底絕緣層4之下表面(厚度方向另一面之一例)係以成為平坦之方式形成。又，基底絕緣層4之整個下表面朝向下方露出。詳細而言，關於基底絕緣層4，基底絕緣層4之下表面未支持於金屬支持體(參照圖3A~圖4E之符號19)，因此，安裝基板1不具備金屬支持體19(金屬支持層)。 如圖1所示，於基底絕緣層4形成有複數個攝像元件開口部7、及複數個外部零件開口部8。 複數個攝像元件開口部7係用以使攝像元件連接端子10自下表面露出之開口部。複數個攝像元件開口部7以成為矩形框狀之方式相互隔開間隔而排列整齊地配置於外殼配置部2之中央部。如圖2所示，複數個攝像元件開口部7分別將基底絕緣層4沿上下方向貫通，且具有仰視下大致圓形狀。攝像元件開口部7具有隨著朝向下側而開口截面積減小之錐形狀。 如圖1所示，複數個外部零件開口部8係用以使外部零件連接端子11自下表面露出之開口部。外部零件開口部8於左右方向上相互隔開間隔而排列整齊地配置於外部零件連接部3之後端緣。複數個外部零件開口部8分別將基底絕緣層4沿上下方向貫通，且具有仰視下大致矩形狀(長方形狀)。外部零件開口部8係以於仰視下自外部零件連接部3之後端緣朝向前側延伸之方式形成。 作為基底絕緣層4之材料，例如可列舉絕緣材料。作為絕緣材料，例如可列舉聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、丙烯酸、聚醚腈、聚醚碸、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚氯乙烯等合成樹脂等。作為絕緣材料，就絕緣性、耐熱性及耐化學品性之觀點而言，較佳為列舉聚醯亞胺。 作為聚醯亞胺，具體而言，可列舉日本專利特開平07-179604號公報、日本專利特開2010-276775號公報、日本專利特開2013-100441號公報等所記載之材料等。 基底絕緣層4之厚度例如為30 μm以下，較佳為12 μm以下，更佳為8 μm以下，又，例如為1 μm以上，較佳為3 μm以上。 如圖2所示，導體圖案5係以與基底絕緣層4之上表面接觸之方式配置於基底絕緣層4之上側(厚度方向一側)。導體圖案5具備複數個攝像元件連接端子10、複數個外部零件連接端子11(參照圖1)、及複數根配線9。 如圖1所示，複數個攝像元件連接端子10係以成為矩形框狀之方式相互隔開間隔排列整齊地配置於外殼配置部2之中央部。即，複數個攝像元件連接端子10係以與所安裝之攝像元件21之複數個端子25(參照圖5)對應之方式設置。又，複數個攝像元件連接端子10與複數個攝像元件開口部7對應地設置。攝像元件連接端子10具有仰視下大致圓形狀。攝像元件連接端子10配置於攝像元件開口部7內，且以於剖視(側視及前視)下向下側凸出之方式形成。攝像元件連接端子10之下表面自攝像元件開口部7露出。 如圖1所示，複數個外部零件連接端子11於左右方向上相互隔開間隔排列整齊地配置於外部零件連接部3之後端緣。即，係以與外部零件之複數個端子(未圖示)對應之方式設置。又，複數個外部零件連接端子11與複數個外部零件開口部8對應地設置。外部零件連接端子11具有俯視下大致矩形狀(長方形狀)。外部零件連接端子11配置於外部零件開口部8內，且其下表面自外部零件開口部8露出。 如圖2所示，複數根配線9配置於基底絕緣層4之上側(厚度方向一側)，且與基底絕緣層4之上表面直接接觸。複數根配線9包含複數根連接配線14及複數根接地配線15。 複數根連接配線14係以與複數個攝像元件連接端子10及複數個外部零件連接端子11對應之方式設置。具體而言，雖未圖示，但連接配線14係以連接攝像元件連接端子10與外部零件連接端子11之方式與該等一體形成。即，連接配線14之一端與攝像元件連接端子10相連，連接配線14之另一端與外部零件連接端子11相連而將該等電性連接。 複數根接地配線15係以沿著複數根連接配線14之方式設置於該等之外側。於接地配線15之一端一體連接有未圖示之接地端子。 作為導體圖案5之材料，例如可列舉銅、銀、金、鎳或包含該等之合金、焊料等金屬材料，較佳為列舉銅。 導體圖案5之厚度例如為1 μm以上，較佳為3 μm以上，又，例如為15 μm以下，較佳為10 μm以下。配線9之寬度例如為5 μm以上，較佳為10 μm以上，又，例如為100 μm以下，較佳為50 μm以下。 第1覆蓋絕緣層6係以被覆導體圖案5之方式配置於基底絕緣層4及導體圖案5之上側。即，第1覆蓋絕緣層6係以與導體圖案5之上表面及側面、及自導體圖案5露出之基底絕緣層4之上表面接觸之方式配置。即，第1覆蓋絕緣層6之至少一部分配置於導體圖案5(複數個攝像元件連接端子10、複數個外部零件連接端子11及複數根配線9)之上側(厚度方向一側)，而與導體圖案5(複數個攝像元件連接端子10、複數個外部零件連接端子11及複數根配線9)直接接觸。第1覆蓋絕緣層6之外形係以成為與基底絕緣層4之外形相同之方式形成。 又，於第1覆蓋絕緣層6形成有接地開口部16。接地開口部16係用以使接地配線15之上表面露出之開口部。接地開口部16與接地配線15對應地形成。接地開口部16將第1覆蓋絕緣層6沿上下方向貫通，而使接地配線15之上表面露出。接地開口部16具有隨著朝向下側而開口截面積減小之錐形狀。 作為第1覆蓋絕緣層6之材料，例如可列舉與於基底絕緣層4中記述之絕緣材料相同之絕緣材料，較佳為列舉聚醯亞胺。 第1覆蓋絕緣層6之厚度例如為30 μm以下，較佳為10 μm以下，更佳為5 μm以下，又，例如為1 μm以上，較佳為2 μm以上。 屏蔽層40係用以遮蔽電磁波之屏障，且係以與第1覆蓋絕緣層6之上表面接觸之方式配置於第1覆蓋絕緣層6之上側(厚度方向一側)。於本實施形態中，屏蔽層40形成為沿面方向(前後方向及左右方向)延伸之片狀。屏蔽層40之外形係以成為與第1覆蓋絕緣層6之外形相同之方式形成。即，屏蔽層40係以與第1覆蓋絕緣層6之整個上表面及自接地開口部16露出之接地配線15之整個上表面一併接觸之方式設置。 屏蔽層40具備導電層41、及於上下方向(厚度方向)上夾持導電層41之2個障壁層42，較佳為包含導電層41及2個障壁層42。再者，以下，於將2個障壁層42相互區別之情形時，將相對於導電層41位於下側(厚度方向另一側)之障壁層42設為第1障壁層42A，將相對於導電層41位於上側(厚度方向一側)之障壁層42設為第2障壁層42B。 導電層41係用以遮蔽電磁波之層，於上下方向上配置於第1障壁層42A與第2障壁層42B之間。詳細而言，導電層41與第1障壁層42A之上表面直接接觸，並且與第2障壁層42B之下表面直接接觸。導電層41形成為沿面方向(前後方向及左右方向)延伸之片狀。導電層41較佳為藉由濺鍍而形成之濺鍍膜。 導電層41選自屬於週期表第11族且第4週期及第5週期之金屬。即，導電層41係由屬於週期表第11族且第4週期及第5週期之金屬(銅及銀)之至少1種形成。再者，週期表依據IUPAC(International Union of Pure and Applied Chemistry，國際純粹與應用化學聯合會)元素週期表(2016年11月28日更新版本)。作為用作該等導電層41之材料之金屬，較佳為列舉銅或銀之純金屬，更佳為列舉銅。 導電層41具有高於障壁層42之導電性。即，導電層41之體積電阻率低於障壁層42之體積電阻率。導電層41之體積電阻率(at 0℃)例如為1.6 μΩ•cm以下，又，例如為1.0 μΩ•cm以上。再者，體積電阻率係藉由四探針法進行測定。 若導電層41之體積電阻率為上述上限以下，則可確實地提高屏蔽層40之屏蔽特性。 導電層41之厚度例如為1.0 μm以下，較佳為0.3 μm以下，又，例如為0.05 μm以上。 若導電層41之厚度為上述上限以下，則可確實地實現安裝基板1之薄型化，若導電層41之厚度為上述下限以上，則可確實地提高屏蔽層40之屏蔽特性。 2個障壁層42係用以抑制作為導電層41之材料之金屬向絕緣層擴散(遷移)之層。更詳細而言，第1障壁層42A係用以抑制作為導電層41之材料之金屬向第1覆蓋絕緣層6擴散(遷移)之層，第2障壁層42B係用以抑制作為導電層41之材料之金屬向第2覆蓋絕緣層31擴散(遷移)之層。 第1障壁層42A於上下方向上配置於第1覆蓋絕緣層6與導電層41之間、及自接地開口部16露出之接地配線15與導電層41之間。第1障壁層42A係以與第1覆蓋絕緣層6之上表面直接接觸之方式配置於第1覆蓋絕緣層6之上側(厚度方向一側)，且係以與自接地開口部16露出之接地配線15之上表面直接接觸之方式配置於接地配線15之上側。 第2障壁層42B於上下方向上配置於導電層41與第2覆蓋絕緣層31之間。第2障壁層42B係以與導電層41之上表面直接接觸之方式配置於導電層41之上側(厚度方向一側)。 各障壁層42(第1障壁層42A及第2障壁層42B之各者)形成為沿面方向(前後方向及左右方向)延伸之片狀。障壁層42較佳為藉由濺鍍而形成之濺鍍膜。 各障壁層42(第1障壁層42A及第2障壁層42B之各者)選自屬於週期表第4族~第10族且第4週期~第6週期之金屬。即，障壁層42係由選自由屬於週期表第4族~第10族且第4週期~第6週期之金屬(鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、鋯、鈮、鉬、鎝、釕、銠、鈀、鉿、鉭、鎢、錸、鋨、銥及鉑)所組成之群中之1種純金屬形成。 作為用作該等障壁層42之材料之金屬，較佳為列舉選自由鈦、鉻、鎳、鈀及鉭所組成之群中之1種金屬(純金屬)，更佳為列舉鈦及鉻之純金屬。 若作為障壁層42之材料之金屬為選自上述群中之金屬，則即便於第1覆蓋絕緣層6及第2覆蓋絕緣層31之材料為聚醯亞胺之情形時，亦可確實地抑制該等金屬向第1覆蓋絕緣層6及第2覆蓋絕緣層31擴散(遷移)。 又，作為第1障壁層42A之材料之金屬與作為第2障壁層42B之材料之金屬可互不相同，亦可互為相同。 又，作為用作導電層41之材料之金屬與作為障壁層42之材料之金屬之組合，較佳為列舉銅或銀(導電層41)與鈦(障壁層42)之組合、銅或銀(導電層41)與鉻(障壁層42)之組合、銅或銀(導電層41)與鎳(障壁層42)之組合、銅或銀(導電層41)與鈀(障壁層42)之組合、銅或銀(導電層41)與鉭(障壁層42)之組合，更佳為列舉銅與鈦之組合、銅與鉻之組合。 若作為導電層41之材料之金屬與作為障壁層42之材料之金屬之組合為上述組合，則可確實地兼具屏蔽層40之優異之密接性及對電磁波之優異之屏蔽特性。 又，於作為第1障壁層42A之材料之金屬與作為第2障壁層42B之材料之金屬互不相同之情形時，作為用作第1障壁層42A之材料之金屬、作為導電層41之材料之金屬、及作為第2障壁層42B之材料之金屬之組合，較佳為列舉鉻(第1障壁層42A)、銅或銀(導電層41)及鎳(第2障壁層42B)之組合、鈦(第1障壁層42A)、銅或銀(導電層41)及鎳(第2障壁層42B)之組合、鉻(第1障壁層42A)、銅或銀(導電層41)及鈀(第2障壁層42B)之組合，進而較佳為列舉鉻(第1障壁層42A)、銅或銀(導電層41)及鎳(第2障壁層42B)之組合。 障壁層42之體積電阻率(at 0℃)例如為50 μΩ•cm以下，較佳為20 μΩ•cm以下，更佳為15 μΩ•cm以下，又，例如為1.8 μΩ•cm以上。 若障壁層42之體積電阻率為上述上限以下，則可確保障壁層42之導電性，從而可進一步提高屏蔽層40之屏蔽特性。 於將導電層41之厚度設為100時，障壁層42之厚度例如為10以上，較佳為20以上。障壁層42之厚度例如為1.0 μm以下，較佳為0.09 μm以下，進而較佳為0.08 μm以下，尤佳為0.05 μm以下，又，例如為0.01 μm以上，較佳為0.02 μm以上。 若障壁層42之厚度為上述上限以下，則可確實地實現安裝基板1之薄型化，若障壁層42之厚度為上述下限以上，則可確實地抑制作為導電層41之材料之金屬向絕緣層擴散(遷移)，從而可確實地提高屏蔽層40之密接性。 又，如上所述，屏蔽層40係藉由障壁層42(第1障壁層42A)與接地配線15接觸而與接地配線15電性連接。即，屏蔽層40與接地配線15相連。具體而言，屏蔽層40於與接地配線15對向之部分，以經由接地開口部16與接地配線15之上表面接觸之方式向下側凸出。藉此，屏蔽層40經由接地配線15接地。 第2覆蓋絕緣層31以被覆屏蔽層40之方式配置於屏蔽層40之上側(厚度方向一側)。第2覆蓋絕緣層31之下表面與第2障壁層42B之上表面直接接觸。第2覆蓋絕緣層31位於安裝基板1之最上層，第2覆蓋絕緣層31之上表面朝向上方露出。第2覆蓋絕緣層31之外形係以成為與屏蔽層40之外形相同之方式形成。 作為第2覆蓋絕緣層31之材料，例如可列舉與於第1覆蓋絕緣層6中記述之絕緣材料相同之絕緣材料，較佳為列舉聚醯亞胺。即，第1覆蓋絕緣層6及第2覆蓋絕緣層31各自之材料較佳為聚醯亞胺。 第2覆蓋絕緣層31之厚度之範圍例如與第1覆蓋絕緣層6之厚度之範圍相同。 於本實施形態中，安裝基板1之複數層(基底絕緣層4、導體圖案5、第1覆蓋絕緣層6、屏蔽層40及第2覆蓋絕緣層31)中於厚度方向上相互鄰接之層直接接觸，該等層之間未經由接著劑而相互接著。即，安裝基板1係未使用接著劑之無接著劑之FPC。因此，可實現安裝基板1之薄型化。 於此種安裝基板1中，屏蔽層40之厚度與第2覆蓋絕緣層31之厚度之總和例如為15.0 μm以下，較佳為10 μm以下，更佳為5 μm以下，又，例如為1 μm以上。 安裝基板1之厚度(基底絕緣層4、導體圖案5、第1覆蓋絕緣層6、屏蔽層40及第2覆蓋絕緣層31之厚度之總和)例如為50 μm以下，較佳為25 μm以下，更佳為20 μm以下，又，例如為3 μm以上。 2.攝像元件安裝基板之製造方法 如圖3A~圖4F所示，安裝基板1例如係藉由依序實施金屬支持體準備步驟、基底絕緣層形成步驟、導體圖案形成步驟、第1覆蓋絕緣層形成步驟、屏蔽層形成步驟、第2覆蓋絕緣層形成步驟、及金屬支持體去除步驟而獲得。 如圖3A所示，於金屬支持體準備步驟中準備金屬支持體19。 金屬支持體19具有沿面方向延伸之俯視下大致矩形(長方形狀)之平板形狀(片形狀)。金屬支持體19之上表面係以變得平坦(平滑)之方式形成。 作為金屬支持體19之材料，例如可列舉不鏽鋼、42合金、鋁等金屬材料，較佳為列舉不鏽鋼。 金屬支持體19之厚度例如為5 μm以上，較佳為10 μm以上，例如為50 μm以下，較佳為30 μm以下。 接下來，於基底絕緣層形成步驟中，將基底絕緣層4形成於金屬支持體19之上表面。即，將具有攝像元件開口部7及外部零件開口部8之基底絕緣層4形成於金屬支持體19之上表面。 具體而言，將感光性之絕緣性材料(例如聚醯亞胺)之清漆塗佈於金屬支持體19之整個上表面並進行乾燥，形成基底皮膜(基底絕緣層)。其後，經由具有與開口部(攝像元件開口部7及外部零件開口部8)對應之圖案之光罩對基底皮膜進行曝光。其後，對基底皮膜進行顯影，較佳為進行加熱硬化。 接下來，如圖3B所示，於導體圖案形成步驟中，藉由例如加成法將導體圖案5以上述圖案形成於基底絕緣層4之上表面及自攝像元件開口部7及外部零件開口部8露出之金屬支持體19之上表面。 接下來，如圖3C所示，於第1覆蓋絕緣層形成步驟中，將第1覆蓋絕緣層6以被覆導體圖案5之方式形成於基底絕緣層4之上表面。即，將具有接地開口部16之第1覆蓋絕緣層6形成於基底絕緣層4之上表面。第1覆蓋絕緣層形成步驟係與基底絕緣層形成步驟同樣地實施。 接下來，如圖4D所示，於屏蔽層形成步驟中，將屏蔽層40形成於第1覆蓋絕緣層6之整個上表面及自接地開口部16露出之接地配線15之整個上表面。 詳細而言，屏蔽層形成步驟依序包含第1障壁層形成步驟、導電層形成步驟、及第2障壁層形成步驟。 於第1障壁層形成步驟中，於第1覆蓋絕緣層6之整個上表面及自接地開口部16露出之接地配線15之整個上表面一併形成第1障壁層42A。作為第1障壁層42A之形成方法，例如可列舉濺鍍、蒸鍍、鍍敷等公知之薄膜形成方法，較佳為列舉濺鍍。 於導電層形成步驟中，於第1障壁層42A之整個上表面形成導電層41。作為導電層41之形成方法，例如可列舉與第1障壁層42A相同之形成方法，較佳為列舉濺鍍。 於第2障壁層形成步驟中，於導電層41之整個上表面形成第2障壁層42B。作為第2障壁層42B之形成方法，例如可列舉與第1障壁層42A相同之形成方法，較佳為列舉濺鍍。 藉此，形成具備第1障壁層42A、導電層41、及第2障壁層42B之屏蔽層40。 接下來，如圖4E所示，於第2覆蓋絕緣層形成步驟中，將第2覆蓋絕緣層31形成於屏蔽層40(第2障壁層42B)之整個上表面。第2覆蓋絕緣層形成步驟係與基底絕緣層形成步驟同樣地實施。 然而，於第2覆蓋絕緣層形成步驟中，有於使第2覆蓋絕緣層31加熱硬化時等，作為導電層41之材料之金屬向第1覆蓋絕緣層6及第2覆蓋絕緣層31擴散(遷移)之虞。另一方面，於安裝基板1中，由於第1障壁層42A位於第1覆蓋絕緣層6與導電層41之間，第2障壁層42B位於導電層41與第2覆蓋絕緣層31之間，故而抑制導電層41之金屬向第1覆蓋絕緣層6及第2覆蓋絕緣層31擴散(遷移)。 根據以上，於支持於金屬支持體19之狀態下獲得具備基底絕緣層4、導體圖案5、第1覆蓋絕緣層6、屏蔽層40、及第2覆蓋絕緣層31之安裝基板1。再者，該安裝基板1具備金屬支持體19，而該金屬支持體19尚未被去除。因此，該安裝基板1不包含於本發明之可撓配線電路基板中。 如圖4F所示，於金屬支持體去除步驟中將金屬支持體19去除。 作為金屬支持體19之去除方法，可列舉：例如將金屬支持體19自基底絕緣層4之下表面、自攝像元件開口部7露出之攝像元件連接端子10之下表面及自外部零件開口部8露出之外部零件連接端子11之下表面剝離之方法；例如針對金屬支持體19實施例如乾式蝕刻、濕式蝕刻等蝕刻之方法等。作為金屬支持體19之去除方法，較佳為列舉蝕刻，更佳為列舉濕式蝕刻。 藉此，將金屬支持體19去除，獲得具備基底絕緣層4、導體圖案5、第1覆蓋絕緣層6、屏蔽層40、及第2覆蓋絕緣層31之安裝基板1。安裝基板1不具備金屬支持體19，較佳為僅由基底絕緣層4、導體圖案5、第1覆蓋絕緣層6、屏蔽層40、及第2覆蓋絕緣層31構成。 此種安裝基板1例如被用作用以安裝攝像元件之攝像元件安裝基板。即，安裝基板1具備於相機模組等攝像裝置。再者，安裝基板1並非以下要進行說明之攝像裝置，而是攝像裝置之一零件、即用以製作攝像裝置之零件，不包含攝像元件，具體而言，係以零件單獨流通且可於產業上利用之器件。 3.攝像裝置 繼而，參照圖5，對具備安裝基板1之攝像裝置20進行說明。 攝像裝置20具備安裝基板1、攝像元件21、外殼22、光學透鏡23、及濾光片24。 安裝基板1係將圖2所示之安裝基板1上下顛倒後具備於攝像裝置20。即，安裝基板1係以將基底絕緣層4設為上側(厚度方向另一側)、將第2覆蓋絕緣層31設為下側(厚度方向一側)之方式配置。 攝像元件21係將光轉換成電信號之半導體元件，例如可列舉CMOS(Complementary Metal Oxide，互補金氧半導體)感測器、CCD(Charge Coupled Device，電感耦合器件)感測器等固體攝像元件。攝像元件21形成為俯視下大致矩形之平板形狀，雖未圖示，但具備Si基板等矽、配置於其上之光電二極體(光電轉換元件)及彩色濾光片。於攝像元件21之下表面設置有複數個與安裝基板1之攝像元件連接端子10對應之端子25。攝像元件21之厚度例如為10 μm以上，較佳為50 μm以上，又，例如為1000 μm以下，較佳為500 μm以下。 攝像元件21安裝於安裝基板1。具體而言，攝像元件21之端子25經由焊料凸塊26等與對應之安裝基板1之攝像元件連接端子10覆晶安裝。藉此，攝像元件21配置於安裝基板1之外殼配置部2之中央部，並與安裝基板1之攝像元件連接端子10及外部零件連接端子11電性連接。 攝像元件21安裝於安裝基板1，藉此構成攝像單元27。即，攝像單元27具備安裝基板1、及安裝於該安裝基板1之攝像元件21。 外殼22係以與攝像元件21隔開間隔並包圍之方式配置於攝像元件21之外殼配置部2。外殼22具有俯視下大致矩形狀之筒狀。於外殼22之上端設置有用以固定光學透鏡23之固定部。 光學透鏡23與安裝基板1及攝像元件21隔開間隔配置於安裝基板1之上側。光學透鏡23形成為俯視下大致圓形狀，並以來自外部之光到達攝像元件21之方式由固定部固定。 濾光片24於攝像元件21及光學透鏡23之上下方向中央與該等隔開間隔而配置，且固定於外殼22。 如圖2所示，安裝基板1之屏蔽層40具備導電層41、及於上下方向上夾持導電層41之2個障壁層42。並且，障壁層42選自屬於週期表第4族~第10族且第4週期~第6週期之金屬。因此，與障壁層42之材料為不鏽鋼(SUS)之情形相比，可提高屏蔽層40之密接性及屏蔽特性，從而可兼具優異之密接性與優異之屏蔽特性。 第1覆蓋絕緣層6及第2覆蓋絕緣層31各自之材料較佳為聚醯亞胺。若第1覆蓋絕緣層6及第2覆蓋絕緣層31之材料為聚醯亞胺，則有屏蔽層40之金屬容易向聚醯亞胺擴散(遷移)之傾向。 另一方面，於安裝基板1中，夾持導電層41之障壁層42選自屬於週期表第4族~第10族且第4週期~第6週期之金屬。因此，可抑制屏蔽層40之金屬向將聚醯亞胺作為材料之第1覆蓋絕緣層6及第2覆蓋絕緣層31擴散(遷移)。 障壁層42較佳為選自由鈦、鉻、鎳、鈀及鉭所組成之群中之1種金屬。因此，可抑制障壁層42之金屬向將聚醯亞胺作為材料之第1覆蓋絕緣層6及第2覆蓋絕緣層31擴散(遷移)。其結果為，可確實地兼具屏蔽層40之密接性與屏蔽特性。 複數根配線9包含接地配線15，接地配線15配置於基底絕緣層4之上表面(厚度方向一側)。因此，無須另外設置用於接地配線15之層。其結果為，可實現安裝基板1之薄型化。 又，作為障壁層42之材料之金屬與不鏽鋼相比體積電阻率較低，因此，於使障壁層42(第1障壁層42A)與接地配線15接觸之結構中，可有效率地將屏蔽層40接地。 安裝基板1係複數層(基底絕緣層4、導體圖案5、第1覆蓋絕緣層6、屏蔽層40及第2覆蓋絕緣層31)中於上下方向上相互鄰接之層不存在接著劑而接著之無接著劑之FPC。因此，可實現安裝基板1之薄型化。 又，由於障壁層42選自上述金屬而確保屏蔽層40之優異之密接性，因此，不使用接著劑便可將屏蔽層40確實地接著於第1覆蓋絕緣層6及第2覆蓋絕緣層31，從而可實現無接著劑之安裝基板1。 安裝基板1兼具屏蔽層40之優異之密接性及對電磁波之優異之屏蔽特性，因此可適當用作攝像元件安裝基板。 攝像裝置20具備安裝基板1。因此，可兼具屏蔽層40之優異之密接性及對電磁波之優異之屏蔽特性。 ＜變化例＞ 於變化例中，針對與一實施形態相同之構件及步驟標註相同之參照符號，並省略其詳細之說明。 於一實施形態中，作為本發明之可撓配線電路基板，作為用以安裝攝像元件21之攝像元件安裝基板1(安裝基板1)進行說明，但可撓配線電路基板之用途並不限定於此。例如，可適當用於要求兼具屏蔽層之密接性及對電磁波之優異之屏蔽特性之各種用途、例如智慧型手機、電腦、遊戲機等所使用之FPC等。 又，於安裝基板1中，如圖2所示，配線9包含接地配線15，但並不限定於此，亦可不包含接地配線15。即，亦可僅由連接配線14構成配線9。 又，於安裝基板1中，屏蔽層40與接地配線15電性連接，但並不限定於此，亦可不與接地配線15電性連接。另一方面，就屏蔽特性之觀點而言，較佳為如上述實施形態般，屏蔽層40與接地配線15電性連接。 又，於安裝基板1中，屏蔽層40之外形成為與第1覆蓋絕緣層6之外形相同，屏蔽層40與第1覆蓋絕緣層6之整個上表面及自接地開口部16露出之接地配線15之整個上表面一併接觸，但只要可確保屏蔽特性，則屏蔽層40之形狀並無特別限制。 例如，考慮到安裝基板1之電特性(例如，配線之阻抗調整等)，屏蔽層40亦可於不阻礙本發明之效果之範圍內進行圖案化。 再者，於屏蔽層40經圖案化之情形時，相對於將安裝基板1沿厚度方向投影時之投影面之面積100%，屏蔽層40之面積例如為60%以上，較佳為80%以上，例如為99%以下。 為了形成此種經圖案化之屏蔽層40，首先，如圖3A~圖4D所示，與上述金屬支持體準備步驟、基底絕緣層形成步驟、導體圖案形成步驟、第1覆蓋絕緣層形成步驟及屏蔽層形成步驟同樣地，將片狀之屏蔽層40形成於第1覆蓋絕緣層6之整個上表面。 繼而，藉由公知之蝕刻方法對屏蔽層40進行圖案化。 例如，於在第2障壁層42B之整個上表面配置公知之感光性乾膜抗蝕劑(未圖示)後，經由光罩(未圖示)進行曝光及顯影，以屏蔽層40中無用之部位(欲去除之部位)露出之方式使感光性乾膜抗蝕劑(未圖示)開口。並且，藉由適合屏蔽層40之各金屬之蝕刻之蝕刻液將自感光性乾膜抗蝕劑(未圖示)之開口露出之屏蔽層40之部分去除，而對屏蔽層40進行圖案化。 於具有此種經圖案化之屏蔽層40之安裝基板中，可一面兼具屏蔽層40之密接性及屏蔽特性，一面提高安裝基板1之電特性。 另一方面，就屏蔽特性之觀點而言，更佳為如上述實施形態般屏蔽層40之外形成為與第1覆蓋絕緣層6之外形相同，且屏蔽層40一併形成於第1覆蓋絕緣層6之整個上表面及自接地開口部16露出之接地配線15之整個上表面之態樣(即相對於安裝基板1之厚度方向之投影面之面積100%而屏蔽層40之面積為100%之態樣)。 又，安裝基板1係於上下方向上相互鄰接之層不存在接著劑而接著之無接著劑之FPC，但並不限定於此。亦可於在上下方向上相互鄰接之層之間設置接著劑層。另一方面，就薄型化之觀點而言，較佳為如上述實施形態般安裝基板1為無接著劑之FPC。 又，於安裝基板1中，如圖2所示，導體圖案5(複數根配線9)與第1覆蓋絕緣層6相互直接接觸，但並不限定於此。例如，亦可於導體圖案5與第1覆蓋絕緣層6之間配置其他層。 例如，如圖6所示，作為可撓配線電路基板之另一實施形態之安裝基板50具備於上下方向(厚度方向)上配置於導體圖案5與第1覆蓋絕緣層6之間之第3覆蓋絕緣層51(第4絕緣層之一例)及第2導體圖案52。 即，安裝基板50朝向上側(厚度方向一側之一例)依序具備基底絕緣層4、導體圖案5、第3覆蓋絕緣層51、第2導體圖案52、第1覆蓋絕緣層6、屏蔽層40、及第2覆蓋絕緣層31。再者，為了將導體圖案5與第2導體圖案52明確地進行區別，以下，將導體圖案5設為第1導體圖案5，將配線9設為第1配線9，將連接配線14設為第1連接配線14，將接地配線15設為第1接地配線15。 第3覆蓋絕緣層51係以被覆第1導體圖案5之方式配置於基底絕緣層4及第1導體圖案5之上側。第3覆蓋絕緣層51之至少一部分配置於第1導體圖案5(複數個攝像元件連接端子10、複數個外部零件連接端子11及複數根第1配線9)之上側(厚度方向一側)，而與第1導體圖案5(複數個攝像元件連接端子10、複數個外部零件連接端子11及複數根第1配線9)直接接觸。 又，於第3覆蓋絕緣層51形成有接地開口部53。接地開口部53與第1接地配線15對應地形成。接地開口部53將第3覆蓋絕緣層51沿上下方向貫通而使第1接地配線15之上表面露出。 作為第3覆蓋絕緣層51之材料，例如可列舉與於基底絕緣層4中記述之絕緣材料相同之絕緣材料，較佳為列舉聚醯亞胺。第3覆蓋絕緣層51之厚度之範圍例如與上述第1覆蓋絕緣層6之厚度之範圍相同。 第2導體圖案52係以與第3覆蓋絕緣層51之上表面接觸之方式配置於第3覆蓋絕緣層51之上側(厚度方向一側)。第2導體圖案52具備複數個攝像元件連接端子(未圖示)、複數個外部零件連接端子(未圖示)、及複數根第2配線54。 複數個攝像元件連接端子(未圖示)及複數個外部零件連接端子(未圖示)係以自形成於基底絕緣層4及第3覆蓋絕緣層51之複數個開口部(未圖示)露出之方式形成。 複數根第2配線54包含複數根第2連接配線55及複數根第2接地配線56。 複數根第2連接配線55係以與複數個攝像元件連接端子及複數個外部零件連接端子對應地將該等連接之方式設置。複數根第2接地配線56係與複數根第1接地配線15對應地設置。第2接地配線56經由接地開口部53與第1接地配線15接觸而與第1接地配線15電性連接。 作為第2導體圖案52之材料，例如可列舉與於第1導體圖案5中記述之金屬材料相同之金屬材料，較佳為列舉銅。第2導體圖案52之厚度之範圍例如與上述第1導體圖案5之厚度之範圍相同。 第1覆蓋絕緣層6係以被覆第2導體圖案52之方式配置於第3覆蓋絕緣層51及第2導體圖案52之上側。接地開口部16使第2接地配線56之上表面之一部分露出。屏蔽層40經由接地開口部16與第2接地配線56接觸而與第2接地配線56電性連接。即，屏蔽層40經由第2接地配線56與第1接地配線15電性連接。 此種安裝基板50具備複數根第1配線9及複數根第2配線54，因此可增加配線之數量，從而可提高安裝基板50之設計之自由度。再者，於安裝基板中，配置於導體圖案5與第1覆蓋絕緣層6之間之絕緣層及配線之個數並無特別限制，除第3覆蓋絕緣層51及第2配線54以外，亦可進而具備絕緣層及配線。另一方面，就薄型化之觀點而言，較佳為安裝基板1。 又，於一實施形態之攝像裝置20中，如圖5所示，攝像元件21覆晶安裝於安裝基板1，但例如雖未圖示，攝像元件21亦可藉由打線接合安裝於安裝基板1。 上述各變化例亦發揮與一實施形態相同之作用效果。 [實施例] 以下，表示製造例、比較製造例、實施例及比較例，並對本發明進而具體地進行說明。再者，本發明並不限定於任何製造例、比較製造例、實施例及比較例。又，於以下之記載中使用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等具體數值可替代成於上述「實施方式」中記載之與該等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等相應記載之上限(作為「以下」、「未達」而定義之數值)或下限(作為「以上」、「超過」而定義之數值)。 實施例1 如圖3A所示，準備將厚度18 μm之不鏽鋼作為材料之金屬支持體19。 繼而，將聚醯亞胺前驅物溶液塗佈於金屬支持體19之上表面，繼而，於80℃下乾燥10分鐘，形成基底皮膜(聚醯亞胺前驅物皮膜)。接下來，經由光罩對基底皮膜進行曝光，接下來進行顯影。其後，於氮氣環境下並於360℃下將基底皮膜加熱(硬化)1小時，藉此形成具有攝像元件開口部7及外部零件開口部8且將聚醯亞胺作為材料之厚度5 μm之基底絕緣層4。 如圖3B所示，其後，利用加成法於基底絕緣層4之上表面及自攝像元件開口部7及外部零件開口部8露出之金屬支持體19之上表面形成將銅作為材料之厚度3 μm之導體圖案5。 如圖3C所示，其後，將聚醯亞胺前驅物溶液塗佈於基底絕緣層4及導體圖案5之上表面，繼而，於80℃下乾燥10分鐘，形成覆蓋皮膜(聚醯亞胺前驅物皮膜)。接下來，經由光罩對覆蓋皮膜進行曝光，接下來進行顯影。其後，於氮氣環境下並於360℃下將覆蓋皮膜加熱1小時，藉此獲得具有接地開口部16且將聚醯亞胺作為材料之厚度3 μm之第1覆蓋絕緣層6。 如圖4D所示，其後，藉由濺鍍於第1覆蓋絕緣層6之上表面及自接地開口部16露出之接地配線15之上表面形成將鉻作為材料之厚度0.02 μm之第1障壁層42A。繼而，藉由濺鍍於第1障壁層42A之上表面形成將銅作為材料之厚度0.1 μm之導電層41。繼而，藉由濺鍍於導電層41之上表面形成將鉻作為材料之厚度0.02 μm之第2障壁層42B。藉此，形成屏蔽層40。 接下來，如圖4E所示，將聚醯亞胺前驅物溶液塗佈於第2障壁層42B之上表面，繼而，於80℃下乾燥10分鐘，形成覆蓋皮膜(聚醯亞胺前驅物皮膜)。接下來，對覆蓋皮膜進行曝光，接下來進行顯影。其後，於氮氣環境下並於360℃下將覆蓋皮膜加熱(硬化)1小時，藉此形成將聚醯亞胺作為材料之厚度3.0 μm之第2覆蓋絕緣層31。 如圖4F所示，藉由自下方噴霧包含三氯化鐵水溶液之蝕刻液之化學蝕刻法將金屬支持體19去除。藉此，使基底絕緣層4之整個下表面露出。 根據以上，獲得具備基底絕緣層4、導體圖案5、第1覆蓋絕緣層6、屏蔽層40、及第2覆蓋絕緣層31之安裝基板1。 實施例2 將第1障壁層42A及第2障壁層42B分別變更為將鈦作為材料之厚度0.03 μm之薄膜(濺鍍膜)，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得安裝基板1。 實施例3 將第2障壁層42B變更為將鎳作為材料之厚度0.08 μm之薄膜(濺鍍膜)，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得安裝基板1。 比較例1 將第1障壁層42A及第2障壁層42B分別變更為將不鏽鋼(SUS)作為材料之厚度0.05 μm之薄膜(濺鍍膜)，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得安裝基板1。 比較例2 未形成第1障壁層42A及第2障壁層42B之各者，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得安裝基板1。即，將導電層41形成於第1覆蓋絕緣層6之上表面及自接地開口部16露出之接地配線15之上表面，將第2覆蓋絕緣層31形成於導電層41之上表面。 將各實施例及各比較例之層構成及厚度記載於表1。 [評價] 針對各實施例及各比較例之安裝基板1，對以下之項目進行評價。將其結果記載於表1。 ＜屏蔽特性＞ 藉由KEC(Kansai Electronic Industry Development Center，關西電子工業振興中心)法測定各實施例及各比較例之安裝基板1中之屏蔽層40之屏蔽特性。並且，根據下述基準對屏蔽特性進行評價。 ○：-40 db以下(1 GHz) Δ：超過-40 db且-30 db以下(1 GHz) ×：超過-30 db(1 GHz) ＜密接性＞ 依據JIS K-5600-5-6(交叉切割法)測定各實施例及各比較例之安裝基板1中之屏蔽層40之密接性。具體而言，使用特定之切割工具及隔離件，於第2覆蓋絕緣層31以形成格子圖案之方式設置切口(縱6條×橫6條)後，將長度約為75 mm之附著帶貼附於第2覆蓋絕緣層31中之切成格子之部分。繼而，以透過附著帶看見第2覆蓋絕緣層31之方式利用手指緊密地擦拭附著帶，使附著帶與第2覆蓋絕緣層31適當接觸。其後，於將附著帶附著後5分鐘以內，以附著帶之彎折角度接近60°之角度(剝離角度約120°)於0.5秒至1.0秒內將附著帶自第2覆蓋絕緣層31確實地剝離。其後，將試驗部分與JIS K-5600-5-6之8.3中之表1所示之圖例進行比較，並分類成6個等級(0~5)。並且，依據下述基準對密接性進行評價。 ○：分類0(未剝離) Δ：分類1-2 ×：分類3-5 [表1]
Figure 107114442-A0304-0001
 再者，上述說明係以本發明之例示之實施形態之形式提供，其僅不過為例示，而不應限定性地解釋。對於該技術領域之業者而言明確之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍中。 [產業上之可利用性] 本發明之可撓配線電路基板可應用於各種產業製品，例如可適當用於攝像裝置、智慧型手機、電腦、遊戲機等。
1‧‧‧安裝基板(攝像元件安裝基板)2‧‧‧外殼配置部3‧‧‧外部零件連接部4‧‧‧基底絕緣層5‧‧‧導體圖案6‧‧‧第1覆蓋絕緣層7‧‧‧攝像元件開口部8‧‧‧外部零件開口部9‧‧‧配線10‧‧‧攝像元件連接端子11‧‧‧外部零件連接端子14‧‧‧連接配線15‧‧‧接地配線16‧‧‧接地開口部19‧‧‧金屬支持體20‧‧‧攝像裝置21‧‧‧攝像元件22‧‧‧外殼23‧‧‧光學透鏡24‧‧‧濾光片25‧‧‧端子26‧‧‧焊料凸塊27‧‧‧攝像單元31‧‧‧第2覆蓋絕緣層40‧‧‧屏蔽層41‧‧‧導電層42‧‧‧障壁層42A‧‧‧第1障壁層42B‧‧‧第2障壁層50‧‧‧安裝基板51‧‧‧第3覆蓋絕緣層52‧‧‧第2導體圖案53‧‧‧接地開口部54‧‧‧第2配線55‧‧‧第2連接配線56‧‧‧第2接地配線
圖1表示作為本發明之可撓配線電路基板之一實施形態之攝像元件安裝基板之仰視圖。 圖2係表示圖1所示之攝像元件安裝基板之A-A剖視圖。 圖3A~圖3C表示圖2所示之攝像元件安裝基板之製造步驟圖，圖3A表示金屬支持體準備步驟及基底絕緣層形成步驟，圖3B表示導體圖案形成步驟，圖3C表示第1覆蓋絕緣層形成步驟。 圖4D~圖4F表示繼圖3C之攝像元件安裝基板之製造步驟圖，圖4D表示屏蔽層形成步驟，圖4E表示第2覆蓋絕緣層形成步驟，圖4F表示金屬支持體去除步驟。 圖5表示具備圖2所示之攝像元件安裝基板之攝像裝置。 圖6表示本發明之可撓配線電路基板之另一實施形態(具備第3覆蓋絕緣層及第2導體圖案之態樣)之剖視圖。
1‧‧‧安裝基板(攝像元件安裝基板)
2‧‧‧外殼配置部
4‧‧‧基底絕緣層
5‧‧‧導體圖案
6‧‧‧第1覆蓋絕緣層
7‧‧‧攝像元件開口部
9‧‧‧配線
10‧‧‧攝像元件連接端子
14‧‧‧連接配線
15‧‧‧接地配線
16‧‧‧接地開口部
31‧‧‧第2覆蓋絕緣層
40‧‧‧屏蔽層
41‧‧‧導電層
42‧‧‧障壁層
42A‧‧‧第1障壁層
42B‧‧‧第2障壁層

Claims (10)

  1. 一種具有可撓性之可撓配線電路基板，其特徵在於包含：第1絕緣層；配線，其配置於上述第1絕緣層之厚度方向一側；第2絕緣層，其配置於上述配線之厚度方向一側；屏蔽層，其配置於上述第2絕緣層之厚度方向一側；及第3絕緣層，其配置於上述屏蔽層之厚度方向一側；上述屏蔽層包含：導電層；及2個障壁層，其等於上述厚度方向上夾持上述導電層；上述導電層選自屬於週期表第11族且第4週期及第5週期之金屬；上述障壁層選自屬於週期表第4族~第10族且第4週期~第6週期之金屬；上述第2絕緣層及上述第3絕緣層各自之材料為聚醯亞胺；上述導電層之厚度為0.05μm以上1.0μm以下；且2個上述障壁層各自之厚度為0.01μm以上0.05μm以下。
  2. 如請求項1之可撓配線電路基板，其中上述障壁層係選自由鈦、鉻、鎳、鈀及鉭所組成之群中之1種金屬。
  3. 如請求項1之可撓配線電路基板，其中上述配線包含接地配線，且上述屏蔽層係藉由上述障壁層與上述接地配線接觸而與上述接地配 線電性連接。
  4. 如請求項1之可撓配線電路基板，其中上述配線與上述第1絕緣層直接接觸，上述第2絕緣層與上述配線直接接觸，相對於上述導電層位於上述厚度方向之另一側之障壁層與上述第2絕緣層直接接觸，上述導電層與相對於上述導電層位於上述厚度方向之另一側之障壁層直接接觸，相對於上述導電層位於上述厚度方向之一側之障壁層與上述導電層直接接觸，且上述第3絕緣層與相對於上述導電層位於上述厚度方向之一側之障壁層直接接觸。
  5. 如請求項1之可撓配線電路基板，其進而包含於上述厚度方向上配置於上述配線與上述第2絕緣層之間之第4絕緣層及第2配線，上述第4絕緣層配置於上述配線之上述厚度方向一側，且上述第2配線配置於上述第4絕緣層之上述厚度方向一側。
  6. 如請求項1之可撓配線電路基板，其係用以安裝攝像元件之攝像元件安裝基板。
  7. 一種攝像裝置，其特徵在於包含： 如請求項1之可撓配線電路基板；及攝像元件，其安裝於上述可撓配線電路基板。
  8. 如請求項1之可撓配線電路基板，其中上述第2絕緣層及第3絕緣層各自具有1μm以上5μm以下之厚度。
  9. 如請求項1之可撓配線電路基板，其中上述第1絕緣層之材料為聚醯亞胺。
  10. 如請求項1之可撓配線電路基板，其中上述第1絕緣層具有1μm以上8μm以下之厚度。
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