JP2004128158A

JP2004128158A - 電磁波シールド材

Info

Publication number: JP2004128158A
Application number: JP2002288995A
Authority: JP
Inventors: Shigenori Miura; 三浦　茂紀
Original assignee: FCM Co Ltd
Current assignee: FCM Co Ltd
Priority date: 2002-10-01
Filing date: 2002-10-01
Publication date: 2004-04-22
Also published as: TW200417309A; AU2003266635A1; WO2004032590A1; TWI225768B

Abstract

【課題】本発明の目的は、軽薄短小化した各種の製品に対応可能とするべくその厚みを薄くすることにより可撓性に富んだ性状の電磁波シールド材を提供することにある。また、本発明は、所望により低周波数および高周波数の両者の電磁波に対して同時にこれらを遮蔽することが可能な電磁波シールド材を提供することも目的とする。
【解決手段】本発明の電磁波シールド材は、ポリマーフィルム１０１の表面に、厚さが１〜８μｍであり、かつＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｃｕおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる少なくとも１種からなるシールド層１０３が、スパッタリング法、蒸着法またはめっき法のいずれかの方法により１層または２層以上形成されていることを特徴としている。
【選択図】　　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電磁波シールド材に関する。さらに詳しくは、各種の通信機、コンピュータ、家電製品あるいは自動車や電線等に取付けて、それらから発生する各種ノイズ等の電磁波を外部に放出しないようこれを有効に遮蔽したり、他の発生源からそれらに対して照射される電磁波を内部に侵入しないようこれを有効に遮蔽する電磁波シールド材に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、通信機、コンピュータ、家電製品、自動車、電線等から各種の周波数を有する電磁波がノイズ等として発生することが知られている。これらの電磁波は、他の電気製品の誤作動を生じる原因となったり人体に対して悪影響を及ぼすことが知られており、このため様々な方法によりこれを遮蔽する試みがなされている。たとえば、低周波数の電磁波の遮蔽対策としては、古くから圧延した鉄帯やフェライトが用いられてきたが、これらは重くしかも嵩高いものであるため近年の軽薄短小化した各種の製品に応用することは困難であった。一方、高周波数の電磁波の遮蔽対策としては、合成樹脂フィルムに銅箔を貼り合わせたものが用いられてきたが、これは上記の鉄帯等に比べるとある程度の厚みまで薄くすることができるものの、銅箔を薄く製造するには限界があり９μｍ以下の厚みのものを安価に製造することは困難であった。このため、近年の軽薄短小化された製品に用いる場合等特に可撓性が要求される用途に用いる場合にはさらにその性能の向上が望まれていた。またさらに、これら従来の遮蔽対策手段においては、低周波数および高周波数の両者に同時に対応できるものはなかった。
【０００３】
なお、以上本発明についての従来の技術を、出願人の知得した一般的技術情報に基づいて説明したが、出願人の記憶する範囲において、出願前までに先行技術文献情報として開示すべき情報を出願人は有していない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記のような現状に鑑みなされたものであってその目的とするところは、軽薄短小化した各種の製品に対応可能とするべくその厚みを薄くすることにより可撓性に富んだ性状の電磁波シールド材を提供することにある。また、本発明の別の目的は、所望により低周波数および高周波数の両者の電磁波に対して同時にこれらを遮蔽することが可能な電磁波シールド材を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねたところ、従来のシールド層の形成方法により上記課題を解決するのは困難であり全く新規な形成方法でシールド層を形成する必要があるとの知見を得、この知見に基づきさらに研究を続けることによりついに本発明を完成するに至ったものである。
【０００６】
すなわち、本発明の電磁波シールド材は、ポリマーフィルムの表面に、厚さが１〜８μｍであり、かつＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｃｕおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなるシールド層が、スパッタリング法、蒸着法またはめっき法のいずれかの方法により１層または２層以上形成されていることを特徴としている。
【０００７】
また、本発明の電磁波シールド材は、ポリマーフィルムの表面とシールド層との間に、厚さが１μｍ以下であり、かつＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、これらの金属の酸化物、窒化物およびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる下地層が、スパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法により１層または２層以上形成されたものとすることができる。
【０００８】
また、本発明の電磁波シールド材は、ポリマーフィルムの表面とシールド層との間に、厚さが１μｍ以下であり、かつＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｒ、これらの金属の酸化物、窒化物およびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなるものであって、スパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法により形成されている酸化防止効果を有する下地層と、厚さが１μｍ以下であり、かつＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなるものであって、スパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法により形成されている電極として作用する下地層が、それぞれこの順序で形成されたものとすることができる。
【０００９】
また、本発明の電磁波シールド材は、シールド層が、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種で構成されたものとすることができる。
【００１０】
また、本発明の電磁波シールド材は、シールド層がＣｕにより構成されたものとすることができる。
【００１１】
また、本発明の電磁波シールド材は、シールド層が２層に分かれて形成されており、その一方がＣｕにより構成され、もう一方がＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種で構成されたものとすることができる。
【００１２】
また、本発明の電磁波シールド材は、シールド層が３層に分かれて形成されており、該３層の中間の層としてＣｕからなる層が形成され、該層を挟むようにしてその上下にＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる層が形成されたものとすることができる。
【００１３】
また、本発明の電磁波シールド材は、ポリマーフィルムのいずれか一方の表面に、厚さが１μｍ以下であり、かつＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、これらの金属の酸化物、窒化物およびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる下地層がスパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法により１層または２層以上形成され、その上にＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる第１のシールド層が形成され、さらにその上にＣｕからなる第２のシールド層が形成されているとともに、該ポリマーフィルムのもう一方の表面に、厚さが１μｍ以下であり、かつＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、これらの金属の酸化物、窒化物およびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる下地層がスパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法により１層または２層以上形成され、その上にＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる第３のシールド層が形成されたものとすることができる。
【００１４】
また、本発明の電磁波シールド材は、ポリマーフィルムのいずれか一方の表面に、厚さが１μｍ以下であり、かつＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、これらの金属の酸化物、窒化物およびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる下地層がスパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法により１層または２層以上形成され、その上にＣｕからなる第１のシールド層が形成され、さらにその上にＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる第２のシールド層が形成されているとともに、該ポリマーフィルムのもう一方の表面に、厚さが１μｍ以下であり、かつＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、これらの金属の酸化物、窒化物およびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる下地層がスパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法により１層または２層以上形成され、その上にＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる第３のシールド層が形成されたものとすることができる。
【００１５】
また、本発明の電磁波シールド材は、Ｃｕからなるシールド層上に、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔｉ、ＺｎまたはＣｒからなる変色防止層が形成されたものとすることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
＜電磁波シールド材＞
本発明の電磁波シールド材は、基本的にポリマーフィルムの表面にシールド層を形成した構成を有する。以下、各構成について説明する。
【００１７】
＜ポリマーフィルム＞
本発明に用いられるポリマーフィルムとしては、たとえば合成樹脂フィルム、熱可塑性エラストマーフィルム、ゴムフィルム等を挙げることができる。合成樹脂フィルムとしては、たとえばＰＥＴ、ＰＥＮ、アクリル、ナイロン、ポリエチレン、ポリプロピレン、塩化ビニル、ポリイミド、液晶ポリマ、エポキシ等の合成樹脂からなるフィルムを挙げることができる。熱可塑性エラストマーフィルムとしては、たとえばスチレン系、塩ビ系、オレフィン系、ウレタン系、エステル系、アミド系等の熱可塑性エラストマーからなるフィルムを挙げることができる。また、ゴムフィルムとしては、たとえば天然ゴムの他、ブタジエンゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、スチレン−ブタジエンゴム、ニトリルゴム、ブチルゴム、エチレン−プロピレンゴム、アクリルゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、シリコーンゴム等の合成ゴムからなるフィルムを挙げることができる。ここに挙げた合成樹脂、熱可塑性エラストマーまたはゴムの種類は、あくまでも例示であってこれらのみに限られるものではない。また、本発明でいうフィルムとしては、厚さが２〜２００μｍ、好ましくは４〜３０μｍのシート状の形状を有するものが含まれる。厚さが２μｍ未満の場合は、後述のシールド層を支持する基体として十分に機能することが困難となる一方、２００μｍを超える場合は、可撓性に欠けるものとなり軽薄短小化された製品への適応が困難となるため、いずれも好ましくない。本発明においては、上記合成樹脂、熱可塑性エラストマーまたはゴムの種類および厚みをその用途に応じて選択することができる。たとえば、耐熱性が要求される用途においては、合成樹脂としてポリイミドや液晶ポリマを選択することが好ましく、耐熱性が要求されないような場合にはコスト等を考慮してＰＥＴ等を選択することが好適であり、また弾性が要求される用途においては熱可塑性エラストマーやゴムを選択することが好適である。また、このようなポリマーフィルムには、強度を向上させたり難燃効果等を付与することを目的として、たとえばガラス繊維等の各種のフィラー類を添加することができる。
【００１８】
なお、本発明に用いるポリマーフィルムは、後述の各層を形成する前に含有水分量が大略０．０１％未満となるように乾燥処理することが好ましい。後述の各層、とりわけシールド層との密着性を向上させるためである。該乾燥処理方法としては常法に従って実行することができるが、たとえば４０〜２００℃、好ましくは４０〜１２０℃の温度に加熱された真空状態（１×１０^−３〜１．５×１０^−１Ｐａ）でボンバード処理する方法を挙げることができる。該ボンバード処理の条件としては、Ａｒガス６０〜３００ｃｃ／分、好ましくは１００〜２００ｃｃ／分、出力０．５〜２ｋＷ、好ましくは０．８〜１．３ｋＷの下、スパッタリング装置等を用いることにより行なうことができる。
【００１９】
＜シールド層＞
本発明のシールド層は、各種の周波数を有する電磁波をシールド、すなわち遮蔽する作用を有するものであり、前記ポリマーフィルムの表面に、あるいは後述の下地層が形成されている場合にはその上に形成されるものである。このようなシールド層は、厚さが１〜８μｍであり、かつＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｃｕおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなるものであって、スパッタリング法、蒸着法またはめっき法のいずれかの方法により１層または２層以上に分かれて形成されていることを特徴としている。その厚さが１〜８μｍに限定されるのは、厚さが１μｍ未満の場合には電磁波に対するシールド性が十分でなくなるためであり、一方８μｍを超えても電磁波のシールド性に大差なく却って可撓性が阻害されることとなるからである。これらの点を考慮するとその厚さは、２〜５μｍとすることが特に好ましい。また、構成成分が上述の金属類に限定されるのは、電磁波に対するシールド性に優れており、しかも形成手段としてスパッタリング法、蒸着法またはめっき法の採用を可能とするものでなければならないからである。また、形成手段としてスパッタリング法、蒸着法またはめっき法が採用されるのは、前述の通りこれらの金属を金属箔として用いることができないからであり、しかもその性能面においてポリマーフィルム等と十分な密着性を有し、かつ所望によりその厚みを自由に設定することが必要とされるからである。
【００２０】
本発明のシールド層は、シールドしようとする電磁波の周波数に応じて構成する金属の種類を選択することが好ましい。たとえば、周波数が大略５０００Ｈｚ以下の低周波数の電磁波に対しては、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種を選択することが好ましく、周波数が大略５０００Ｈｚ以上の高周波数の電磁波に対しては、Ｃｕを選択することが好ましい。より具体的には、シールド層をこのようなＣｕにより構成する場合、ポリマーフィルムの表面、好ましくはその表面に後述の酸化防止効果を有する下地層を形成しその上にＣｕからなる後述の下地層を形成させた上に、めっき液の組成（硫酸銅５０〜３００ｇ／ｌ、好ましくは８０〜１５０ｇ／ｌ、硫酸５０〜３００ｇ／ｌ、好ましくは９０〜１６０ｇ／ｌ、塩素３０〜１００ｐｐｍ、好ましくは５０〜７０ｐｐｍその他所望により少量の添加剤を配合させたもの）、電流密度０．１〜２０Ａ／ｄｍ^２、好ましくは０．５〜４Ａ／ｄｍ^２、液温１０〜７０℃、好ましくは２５〜３５℃の条件下で電気めっきすることにより１〜８μｍの厚さとして形成することができる。これにより、高周波数の電磁波に対して特に優れたシールド性を示すシールド層を形成することができる。
【００２１】
また、本発明のシールド層は、２層以上に分けて形成することができる。たとえば、シールド層をＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種と、Ｃｕとの両者により２層に分けて構成すると、低周波数と高周波数の両者の電磁波に対してシールド性を示すシールド層とすることができ、本発明の特に好ましい態様の一つとなる。より具体的には、ポリマーフィルムの表面、好ましくはその表面に形成された後述の下地層の表面にめっき液の組成（硫酸ニッケル５０〜３５０ｇ／ｌ、好ましくは２００〜２５０ｇ／ｌ、塩化ニッケル１０〜１００ｇ／ｌ、好ましくは４０〜５０ｇ／ｌ、硼酸１０〜６０ｇ／ｌ、好ましくは３０〜５０ｇ／ｌ、その他所望により少量の添加剤を配合させ、ｐＨ０．５〜６．０、好ましくはｐＨ３．０〜４．５としたもの）、電流密度１〜１０Ａ／ｄｍ^２、好ましくは２〜４Ａ／ｄｍ^２、液温３０〜７０℃、好ましくは４５〜５５℃の条件下で電気めっきすることにより１〜８μｍの厚さのＮｉからなる第１のシールド層を形成し、その上に上記と同一の条件下で１〜８μｍの厚さのＣｕからなる第２のシールド層を形成することができる。なお、これら両シールド層の形成順序は、勿論上記の逆とすることもでき、この場合においても低周波数および高周波数の両者の電磁波をシールドすることができる。また、上記Ｎｉの代わりにたとえばＦｅとＮｉからなる合金によりシールド層を構成する場合は、めっき液の組成（硫酸ニッケル４０〜４００ｇ／ｌ、好ましくは８０〜３２０ｇ／ｌ、塩化ニッケル２０〜１００ｇ／ｌ、好ましくは４０〜８０ｇ／ｌ、硼酸１０〜７０ｇ／ｌ、好ましくは３５〜５０ｇ／ｌ、硫酸第１鉄２〜５０ｇ／ｌ、好ましくは５〜２０ｇ／ｌ、その他所望により少量の添加剤を配合させ、ｐＨ２〜５、好ましくはｐＨ３〜３．８としたもの）、電流密度１〜１５Ａ／ｄｍ^２、好ましくは４〜６Ａ／ｄｍ^２、液温３０〜７０℃、好ましくは５０〜６０℃の条件下で電気めっきすることにより形成することができる。
【００２２】
さらに、本発明のシールド層は、３層以上形成することもできる。たとえば、上記のようにＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる第１のシールド層を形成し、その上にＣｕからなる第２のシールド層を形成し、さらにその上にＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる第３のシールド層を形成させたもの等を例示することができる。このような構成の電磁波シールド材をたとえば電気製品に取付けると、低周波数の電磁波に対しては該電気製品の内部から発生するものをシールドできるとともに、外部から内部へ浸入しようとするものも有効にシールドすることができることとなる。
【００２３】
一方、本発明のシールド層は、ポリマーフィルムの表裏両面に形成させることもできる。たとえば、ポリマーフィルムのいずれか一方の表面に、厚さが１μｍ以下であり、かつＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、これらの金属の酸化物、窒化物およびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる後述の下地層がスパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法により１層または２層以上形成され、その上にＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる第１のシールド層が形成され、さらにその上にＣｕからなる第２のシールド層が形成されているとともに、該ポリマーフィルムのもう一方の表面に、厚さが１μｍ以下であり、かつＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、これらの金属の酸化物、窒化物およびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる後述の下地層がスパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法により１層または２層以上形成され、その上にＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる第３のシールド層が形成されている態様を挙げることができる。また別の態様として、たとえば、ポリマーフィルムのいずれか一方の表面に、厚さが１μｍ以下であり、かつＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、これらの金属の酸化物、窒化物およびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる後述の下地層がスパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法により１層または２層以上形成され、その上にＣｕからなる第１のシールド層が形成され、さらにその上にＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる第２のシールド層が形成されているとともに、該ポリマーフィルムのもう一方の表面に、厚さが１μｍ以下であり、かつＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、これらの金属の酸化物、窒化物およびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる後述の下地層がスパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法により１層または２層以上形成され、その上にＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる第３のシールド層が形成されている態様を挙げることができる。
【００２４】
＜下地層＞
本発明の下地層は、前記シールド層を形成させる際の一種の電極としての作用を有するものであり、特に前記シールド層をめっき法により形成する場合に有用となる。また、該下地層は、該層より上層に形成される層、すなわち、前記シールド層や他の下地層等が酸化されるのを防止する酸化防止層としての作用を有したものとすることもできる。該シールド層等は、空気中の酸素やポリマーフィルムに含まれる水分に溶存している酸素の作用により経時的に酸化され、このようにこれらの層が一旦酸化されるとポリマーフィルムとの密着力が著しく低減し容易に剥離等の不都合を生じることとなる。このような場合において、酸化防止効果を有する下地層がこれらの層とポリマーフィルムとの間に存在すると、ポリマーフィルムからこれらの層の方向に拡散する前記酸素を有効に捕捉し、以って当該酸素がこれらの層に到達するまでに有効に除去されることとなる。このような酸化防止効果を有する下地層は、シールド層や他の下地層がＦｅやＣｕで構成されている場合に特に有効であり、それ以外の金属で構成されている場合にはあえて形成する必要はない。
【００２５】
このような下地層は、前記ポリマーフィルムの表面とシールド層との間に形成され、厚さが１μｍ以下であり、かつＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、これらの金属の酸化物、窒化物およびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなるものであって、スパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法により１層または２層以上形成されるものである。厚さが１μｍ以下に限定されるのは、電極および／または酸化防止層として作用するには１μｍあれば十分でありそれ以上厚くする必要がないからである。また、構成成分が上記の金属類に限定されるのは、これらの金属が優れた導電性や酸化防止効果を示すからであり、しかもスパッタリング法や蒸着法で形成するのに適しているからである。これらの金属類について、主としてＦｅおよびＣｕは電極としての作用に優れるものであり、ＴｉおよびＣｒは酸化防止層としての効果に優れており、またＮｉ、ＣｏおよびＺｎはこれら両者の作用を併せ持つ点に特徴がある。一方、形成手段としてスパッタリング法または蒸着法が採用されるのは、比較的厚い層を形成するのに適するめっき法を採用する必要がなく、しかもポリマーフィルムを乾燥状態のままで処理することができるからである。また、このような下地層は、上述の通り１層または２層以上形成することができ、２層以上に亘って形成される場合には、主としてポリマーフィルムの表面に酸化防止効果を有する下地層を形成し、その上に電極として作用する下地層を形成することが好ましい。
【００２６】
このような下地層は、たとえばスパッタリング法で形成される場合、その条件としては、真空度１×１０^−４〜１．５×１０^−１Ｐａ、好ましくは１×１０^−４〜１．５×１０^−２Ｐａ、出力０．５〜１５ｋＷ、好ましくは０．８〜１０ｋＷ、Ａｒガス１００〜４００ｃｃ／分、好ましくは１００〜２５０ｃｃ／分の条件を採用することが好ましい。また、蒸着法で形成される場合、その条件としては、真空度１×１０^−５〜１×１０^−２Ｐａ、好ましくは１×１０^−４〜１×１０^−３Ｐａ、出力１０〜１５０ｋＷ、好ましくは４０〜９０ｋＷの条件を採用することが好ましい。このような条件を採用することにより、その厚みを２０Å〜１μｍ、好ましくは５０〜３０００Åとすることができる。
【００２７】
なお、このような下地層の上に前記シールド層を形成するのに先立って、該下地層上を０．５〜５０％、好ましくは３〜１０％濃度の硫酸により０．１〜３分間、好ましくは０．５〜１．５分間酸活性処理することにより活性化させておくことが好ましい。このような酸活性処理を行なうことにより、下地層を構成する金属がたとえ酸化されているような場合であっても（すなわち該金属がＣｕの場合それが酸化されて酸化銅となっていても）これを効果的に還元乃至溶解除去し、シールド層を密着性高く下地層上に形成させることが可能となる。
【００２８】
＜変色防止層＞
本発明の変色防止層は、シールド層がＣｕで構成されている場合（シールド層が２以上形成される場合は最上層がＣｕで構成される場合）に形成されるものであり、Ｃｕが酸化等されて変色するのを有効に防止する作用を示すものである。したがって、Ｃｕにより構成されるシールド層のすぐ上に形成される。このような変色防止層はＳｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔｉ、ＺｎまたはＣｒにより形成され、その形成方法は特に限定されないが、通常スパッタリング法、蒸着法またはめっき法により形成することができる。たとえば、Ｓｎを電気めっき法により形成する場合、その条件としては、めっき液の組成（Ｓｎ１０〜７０ｇ／ｌ、好ましくは２０〜６０ｇ／ｌ、有機酸７０〜２００ｇ／ｌ、好ましくは９０〜１３０ｇ／ｌ、その他所望により少量の添加剤を配合させたもの）、電流密度０．５〜１０Ａ／ｄｍ^２、好ましくは１〜２Ａ／ｄｍ^２、液温１０〜７０℃、好ましくは２０〜３０℃等の条件を採用することができる。このような条件を採用することにより、その厚みを０．０１〜２μｍ、好ましくは０．１〜１μｍとすることができる。
【００２９】
【実施例】
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３０】
＜実施例１＞
本実施例は、ポリマーフィルムの表面に下地層を形成し、その上にＮｉとＦｅからなる合金で構成されるシールド層を形成した電磁波シールド材に関するものである。以下、図１を参照して説明する。
【００３１】
ポリマーフィルム１０１として厚さ２５μｍのＰＥＴフィルムを幅２５０ｍｍ、長さ１００ｍにスリットした後、ステンレス製のコアに巻取り、スパッタリング装置のチャンバ内の送出しシャフトに装着するとともに、その先端部を接着剤付ポリイミドテープにより巻取りシャフトに取付けた。そして、真空ポンプによりチャンバ内を４×１０^−２Ｐａの真空状態とした後、ポリマーフィルムが０．４ｍ／分の速度で巻き取られるように冷却装置付駆動ドラム、送出しシャフトおよび巻取りシャフトをそれぞれ回転させた。その後、ヒータにより温度を１１０℃とし、ボンバード処理部においてＡｒガス１２０ｃｃ／分、出力０．９ｋＷの条件下でボンバード処理を行なうことによりポリマーフィルムの水分含有量が０．０１％未満となるように真空乾燥した。
【００３２】
続いて、上記チャンバ内の第１ターゲットおよび第２ターゲットにそれぞれＮｉを装着し、Ａｒガス各２００ｃｃ／分、出力各８ｋＷの高磁波のマグネットを使用してＮｉをスパッタリングすることにより前記真空乾燥処理されたポリマーフィルム１０１の表面上に厚さ１８００Åの下地層１０２を形成した。
【００３３】
その後、このように下地層を形成したポリマーフィルムをスパッタリング装置から取出し、続いて連続めっき装置にセットした。５％の硫酸が充填されているめっき浴に上記ポリマーフィルムを１．０ｍ／分の移動速度で１分間連続的に浸漬することにより、上記下地層を酸活性化処理した。次いで、２回水洗を繰り返した後、上記装置のめっき浴にめっき液（硫酸ニッケル２４０ｇ／ｌ、塩化ニッケル５０ｇ／ｌ、硼酸４０ｇ／ｌ、硫酸第１鉄２０ｇ／ｌおよびフェロアロイＦＡ（エバラユージライト（株）製）７０ｃｃ／ｌからなり、ｐＨ３．８であるもの）を充填し、上記ポリマーフィルムを１．０ｍ／分の移動速度で連続的に浸漬させ、液温５５℃、電流密度４Ａ／ｄｍ^２の条件下で５分間電気めっきすることにより、前記下地層１０２上に厚み４．３μｍのＮｉとＦｅからなる合金（Ｎｉ：Ｆｅ＝７０：３０）で構成されたシールド層１０３を形成した。続いて、水洗を３回繰り返し、ブロアによる水切り後６０℃で１分間乾燥させることにより図１に示した本発明の電磁波シールド材を得た。
【００３４】
このようにして得られた電磁波シールド材を、移相発振器を使用して１００〜２００ヘルツの電磁波を照射させながらオシロスコープにて測定したところ、電磁波を照射させない方の面において１００〜２００ヘルツの電磁波は検出されなかった。このため、上記で得られた電磁波シールド材は、低周波数用の電磁波シールド材として各種の用途に用いることができるものであった。また、該電磁波シールド材は、可撓性にも優れていたため軽薄短小化した各種の製品にも広範囲に使用することができた。
【００３５】
＜実施例２＞
本実施例は、ポリマーフィルムの表面に酸化防止効果を有する下地層を形成し、その上に電極として作用する２層目の下地層を形成し、その上にＣｕからなるシールド層を形成した電磁波シールド材に関するものである。以下、図２を参照して説明する。
【００３６】
ポリマーフィルム２０１として厚さ２５μｍのＰＥＴフィルムを幅２５０ｍｍ、長さ１００ｍにスリットした後、ステンレス製のコアに巻取り、スパッタリング装置のチャンバ内の送出しシャフトに装着するとともに、その先端部を接着剤付ポリイミドテープにより巻取りシャフトに取付けた。そして、真空ポンプによりチャンバ内を４×１０^−２Ｐａの真空状態とした後、ポリマーフィルムが０．４ｍ／分の速度で巻き取られるように冷却装置付駆動ドラム、送出しシャフトおよび巻取りシャフトをそれぞれ回転させた。その後、ヒータにより温度を１１０℃とし、ボンバード処理部においてＡｒガス１２０ｃｃ／分、出力０．９ｋＷの条件下でボンバード処理を行なうことによりポリマーフィルムの水分含有量が０．０１％未満となるように真空乾燥した。
【００３７】
続いて、上記チャンバ内の第１ターゲットにＣｒを装着し、Ａｒガス１００ｃｃ／分、出力２．２ｋＷの条件下Ｃｒをスパッタリングすることにより前記真空乾燥処理されたポリマーフィルム２０１の表面上に厚さ７０Åの酸化防止効果を有する下地層２０４を形成した。
【００３８】
続いて、上記チャンバ内の第２ターゲットにＣｕを装着し、Ａｒガス２００ｃｃ／分、出力９ｋＷの条件下Ｃｕをスパッタリングすることにより前記酸化防止効果を有する下地層２０４上に厚さ２１００Åの電極として作用する２層目の下地層２０２を形成した。
【００３９】
その後、このように下地層を形成したポリマーフィルムをスパッタリング装置から取出し、続いて連続めっき装置にセットした。５％の硫酸が充填されているめっき浴に上記ポリマーフィルムを１．０ｍ／分の移動速度で１分間連続的に浸漬することにより、上記２層目の下地層２０２を酸活性化処理した。次いで、２回水洗を繰り返した後、上記装置のめっき浴にめっき液（硫酸銅９０ｇ／ｌ、硫酸１５０ｇ／ｌ、塩素５０ｐｐｍおよびトップルチナ３８０Ｈ（奥野製薬工業（株）製）１０ｃｃ／ｌからなるもの）を充填し、上記ポリマーフィルムを１．０ｍ／分の移動速度で連続的に浸漬させ、液温２９℃、電流密度４Ａ／ｄｍ^２の条件下で４分間電気めっきすることにより、前記２層目の下地層２０２上に厚み３．５μｍのＣｕからなるシールド層２０３を形成した。続いて、水洗を３回繰り返し、ブロアによる水切り後６０℃で１分間乾燥させることにより図２に示した本発明の電磁波シールド材を得た。
【００４０】
このようにして得られた電磁波シールド材を、移相発振器を使用して１〜２ギガヘルツの電磁波を照射させながらオシロスコープにて測定したところ、電磁波を照射させない方の面において１〜２ギガヘルツの電磁波は検出されなかった。このため、上記で得られた電磁波シールド材は、高周波数用の電磁波シールド材として各種の用途に用いることができるものであった。また、該電磁波シールド材は、可撓性にも優れていたため軽薄短小化した各種の製品にも広範囲に使用することができた。
【００４１】
＜実施例３＞
本実施例は、ポリマーフィルムの表面に酸化防止効果を有する下地層を形成し、その上に電極として作用する２層目の下地層を形成し、その上にＣｕからなるシールド層を形成し、さらにその上に変色防止層を形成した電磁波シールド材に関するものである。以下、図３を参照して説明する。
【００４２】
まず、Ｃｕからなるシールド層を形成するところまでは上記実施例２と全く同様にしてシールド層３０３が形成されたポリマーフィルム３０１を得た。続いて、連続めっき装置のめっき浴にめっき液（Ｓｎ５５ｇ／ｌ、有機酸としてメタスＡＭ（ユケン工業（株）製）１２０ｇ／ｌおよびＳＢＳ−Ｒ（ユケン工業（株）製）６０ｃｃ／ｌからなるもの）を充填し、上記ポリマーフィルムを１．０ｍ／分の移動速度で連続的に浸漬させ、液温３０℃、電流密度２Ａ／ｄｍ^２の条件下で１分間電気めっきすることにより、前記シールド層３０３上に厚み０．６μｍのＳｎからなる変色防止層３０５を形成した。続いて、水洗を３回繰り返し、ブロアによる水切り後６０℃で１分間乾燥させることにより図３に示した本発明の電磁波シールド材を得た。
【００４３】
このようにして得られた電磁波シールド材を、移相発振器を使用して１〜２ギガヘルツの電磁波を照射させながらオシロスコープにて測定したところ、電磁波を照射させない方の面において１〜２ギガヘルツの電磁波は検出されなかった。このため、上記で得られた電磁波シールド材は、高周波数用の電磁波シールド材として各種の用途に用いることができるものであった。また、該電磁波シールド材は、可撓性にも優れていたため軽薄短小化した各種の製品にも広範囲に使用することができた。
【００４４】
＜実施例４＞
本実施例は、ポリマーフィルムの表面に酸化防止効果を有する下地層を形成し、その上にシールド層を３層形成した電磁波シールド材に関するものである。以下、図４を参照して説明する。
【００４５】
ポリマーフィルム４０１として厚さ２５μｍのＰＥＴフィルムを幅２５０ｍｍ、長さ１００ｍにスリットした後、ステンレス製のコアに巻取り、スパッタリング装置のチャンバ内の送出しシャフトに装着するとともに、その先端部を接着剤付ポリイミドテープにより巻取りシャフトに取付けた。そして、真空ポンプによりチャンバ内を４×１０^−２Ｐａの真空状態とした後、ポリマーフィルムが０．４ｍ／分の速度で巻き取られるように冷却装置付駆動ドラム、送出しシャフトおよび巻取りシャフトをそれぞれ回転させた。その後、ヒータにより温度を１１０℃とし、ボンバード処理部においてＡｒガス１２０ｃｃ／分、出力０．９ｋＷの条件下でボンバード処理を行なうことによりポリマーフィルムの水分含有量が０．０１％未満となるように真空乾燥した。
【００４６】
続いて、上記チャンバ内の第１ターゲットおよび第２ターゲットにそれぞれＮｉを装着し、Ａｒガス各２００ｃｃ／分、出力各８ｋＷの高磁波のマグネットを使用してＮｉをスパッタリングすることにより前記真空乾燥処理されたポリマーフィルム４０１の表面上に厚さ１８００Åの酸化防止効果を有する下地層４０４を形成した。
【００４７】
その後、このように酸化防止効果を有する下地層を形成したポリマーフィルムをスパッタリング装置から取出し、続いて連続めっき装置にセットした。該装置のめっき浴にめっき液（硫酸ニッケル２４０ｇ／ｌ、塩化ニッケル５０ｇ／ｌ、硼酸４０ｇ／ｌ、硫酸第１鉄２０ｇ／ｌおよびフェロアロイＦＡ（エバラユージライト（株）製）７０ｃｃ／ｌからなり、ｐＨ３．８であるもの）を充填し、上記ポリマーフィルムを１．０ｍ／分の移動速度で連続的に浸漬させ、液温５５℃、電流密度４Ａ／ｄｍ^２の条件下で５分間電気めっきすることにより、前記酸化防止効果を有する下地層４０４上に厚み４．５μｍのＮｉとＦｅからなる合金で構成される第１のシールド層４０３ａを形成した。続いて、水洗を３回繰り返し、ブロアによる水切り後６０℃で１分間乾燥させた。
【００４８】
次いで、該連続めっき装置のめっき浴にめっき液（硫酸銅９０ｇ／ｌ、硫酸１５０ｇ／ｌ、塩素５０ｐｐｍおよびトップルチナ３８０Ｈ（奥野製薬工業（株）製）１０ｃｃ／ｌからなるもの）を充填し、上記ポリマーフィルムを１．０ｍ／分の移動速度で連続的に浸漬させ、液温２９℃、電流密度４Ａ／ｄｍ^２の条件下で４分間電気めっきすることにより、前記第１のシールド層４０３ａ上に厚み３．５μｍのＣｕからなる第２のシールド層４０３ｂを形成した。続いて、水洗を３回繰り返し、ブロアによる水切り後６０℃で１分間乾燥させた。
【００４９】
さらに、該連続めっき装置のめっき浴にめっき液（硫酸ニッケル２４０ｇ／ｌ、塩化ニッケル５０ｇ／ｌ、硼酸４０ｇ／ｌ、硫酸第１鉄２０ｇ／ｌおよびフェロアロイＦＡ（前出）７０ｃｃ／ｌからなり、ｐＨ３．８であるもの）を充填し、上記ポリマーフィルムを１．０ｍ／分の移動速度で連続的に浸漬させ、液温５５℃、電流密度４Ａ／ｄｍ^２の条件下で５分間電気めっきすることにより、前記第２のシールド層４０３ｂ上に厚み４．４μｍのＮｉとＦｅからなる合金で構成される第３のシールド層４０３ｃを形成した。続いて、水洗を３回繰り返し、ブロアによる水切り後６０℃で１分間乾燥させることにより図４に示した本発明の電磁波シールド材を得た。
【００５０】
このようにして得られた電磁波シールド材を、移相発振器を使用して１００〜２００ヘルツおよび１〜２ギガヘルツの電磁波をそれぞれ照射させながらオシロスコープにて測定したところ、電磁波を照射させない方の面において１００〜２００ヘルツおよび１〜２ギガヘルツの電磁波は両者とも検出されなかった。このため、上記で得られた電磁波シールド材は、低周波数および高周波数の両者用の電磁波シールド材として各種の用途に用いることができるものであった。また、該電磁波シールド材は、可撓性にも優れていたため軽薄短小化した各種の製品にも広範囲に使用することができた。
【００５１】
＜実施例５＞
本実施例は、ポリマーフィルムの表裏両面にシールド層を形成した電磁波シールド材に関するものである。以下、図５を参照して説明する。
【００５２】
ポリマーフィルム５０１として厚さ２５μｍのＰＥＴフィルムを幅２５０ｍｍ、長さ１００ｍにスリットした後、ステンレス製のコアに巻取り、スパッタリング装置のチャンバ内の送出しシャフトに装着するとともに、その先端部を接着剤付ポリイミドテープにより巻取りシャフトに取付けた。そして、真空ポンプによりチャンバ内を４×１０^−２Ｐａの真空状態とした後、ポリマーフィルムが０．４ｍ／分の速度で巻き取られるように冷却装置付駆動ドラム、送出しシャフトおよび巻取りシャフトをそれぞれ回転させた。その後、ヒータにより温度を１１０℃とし、ボンバード処理部においてＡｒガス１２０ｃｃ／分、出力０．９ｋＷの条件下でボンバード処理を行なうことによりポリマーフィルムの水分含有量が０．０１％未満となるように真空乾燥した。
【００５３】
続いて、上記チャンバ内の第１ターゲットおよび第２ターゲットにそれぞれＮｉを装着し、Ａｒガス各２００ｃｃ／分、出力各８ｋＷの高磁波のマグネットを使用してＮｉをスパッタリングすることにより前記真空乾燥処理されたポリマーフィルム５０１の表面上に厚さ１８００Åの酸化防止効果を有する下地層５０４を形成した。
【００５４】
その後、このように酸化防止効果を有する下地層を形成したポリマーフィルムをスパッタリング装置から取出し、続いて連続めっき装置にセットした。５％の硫酸が充填されているめっき浴に上記ポリマーフィルムを１．０ｍ／分の移動速度で１分間連続的に浸漬することにより、上記酸化防止効果を有する下地層を酸活性化処理した。次いで、２回水洗を繰り返した後、上記装置のめっき浴にめっき液（硫酸銅９０ｇ／ｌ、硫酸１５０ｇ／ｌ、塩素５０ｐｐｍおよびトップルチナ３８０Ｈ（奥野製薬工業（株）製）１０ｃｃ／ｌからなるもの）を充填し、上記ポリマーフィルムを１．０ｍ／分の移動速度で連続的に浸漬させ、液温２９℃、電流密度４Ａ／ｄｍ^２の条件下で４分間電気めっきすることにより、前記酸化防止効果を有する下地層５０４上に厚み３．５μｍのＣｕからなる第１のシールド層５０３ａを形成した。続いて、水洗を３回繰り返し、ブロアによる水切り後６０℃で１分間乾燥させた。
【００５５】
次いで、該連続めっき装置のめっき浴にめっき液（硫酸ニッケル２４０ｇ／ｌ、塩化ニッケル５０ｇ／ｌ、硼酸４０ｇ／ｌ、硫酸第１鉄２０ｇ／ｌおよびフェロアロイＦＡ（エバラユージライト（株）製）７０ｃｃ／ｌからなり、ｐＨ３．８であるもの）を充填し、上記ポリマーフィルムを１．０ｍ／分の移動速度で連続的に浸漬させ、液温５５℃、電流密度４Ａ／ｄｍ^２の条件下で５分間電気めっきすることにより、前記第１のシールド層５０３ａ上に厚み４．５μｍのＮｉとＦｅからなる合金で構成される第２のシールド層５０３ｂを形成した。続いて、水洗を３回繰り返し、ブロアによる水切り後６０℃で１分間乾燥させた。
【００５６】
さらに、このように第２のシールド層を形成したポリマーフィルムに対して続いてもう一方の面を処理するべく再度スパッタリング装置にセットした。そして、該スパッタリング装置のチャンバ内の第１ターゲットおよび第２ターゲットにそれぞれＮｉを装着し、Ａｒガス各２００ｃｃ／分、出力各８ｋＷの高磁波のマグネットを使用してＮｉをスパッタリングすることにより前記ポリマーフィルム５０１のもう一方の表面上に厚さ１８００Åの下地層５０２を形成した。
【００５７】
続いて、このように下地層を形成したポリマーフィルムをスパッタリング装置から再度取出し、続いて連続めっき装置にセットした。５％の硫酸が充填されているめっき浴に上記ポリマーフィルムを１．０ｍ／分の移動速度で１分間連続的に浸漬することにより、上記下地層を酸活性化処理した。次いで、２回水洗を繰り返した後、上記装置のめっき浴にめっき液（硫酸ニッケル２４０ｇ／ｌ、塩化ニッケル５０ｇ／ｌ、硼酸４０ｇ／ｌ、硫酸第１鉄２０ｇ／ｌおよびフェロアロイＦＡ（エバラユージライト（株）製）７０ｃｃ／ｌからなり、ｐＨ３．８であるもの）を充填し、上記ポリマーフィルムを１．０ｍ／分の移動速度で連続的に浸漬させ、液温５５℃、電流密度４Ａ／ｄｍ^２の条件下で５分間電気めっきすることにより、前記下地層５０２上に厚み４．３μｍのＮｉとＦｅからなる合金（Ｎｉ：Ｆｅ＝７０：３０）で構成された第３のシールド層５０３ｃを形成した。続いて、水洗を３回繰り返し、ブロアによる水切り後６０℃で１分間乾燥させることにより図５に示した本発明の電磁波シールド材を得た。
【００５８】
このようにして得られた電磁波シールド材を、移相発振器を使用して１００〜２００ヘルツおよび１〜２ギガヘルツの電磁波をそれぞれ照射させながらオシロスコープにて測定したところ、電磁波を照射させない方の面において１００〜２００ヘルツおよび１〜２ギガヘルツの電磁波は両者とも検出されなかった。このため、上記で得られた電磁波シールド材は、低周波数および高周波数の両者用の電磁波シールド材として各種の用途に用いることができるものであった。また、該電磁波シールド材は、可撓性にも優れていたため軽薄短小化した各種の製品にも広範囲に使用することができた。
【００５９】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００６０】
【発明の効果】
本発明の電磁波シールド材は、その厚みを薄くすることにより可撓性に富んだ性状を有しているため、軽薄短小化した各種の製品に対しても対応することができる。また、本発明の電磁波シールド材は、所望により低周波数および高周波数の両者の電磁波に対して同時にこれらを遮蔽することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ポリマーフィルムの表面に下地層を形成し、その上にシールド層を形成した電磁波シールド材の概略断面図である。
【図２】ポリマーフィルムの表面に酸化防止効果を有する下地層を形成し、その上に電極として作用する２層目の下地層を形成し、その上にシールド層を形成した電磁波シールド材の概略断面図である。
【図３】ポリマーフィルムの表面に酸化防止効果を有する下地層を形成し、その上に電極として作用する２層目の下地層を形成し、その上にシールド層を形成し、さらにその上に変色防止層を形成した電磁波シールド材の概略断面図である。
【図４】ポリマーフィルムの表面に酸化防止効果を有する下地層を形成し、その上にシールド層を３層形成した電磁波シールド材の概略断面図である。
【図５】ポリマーフィルムの表裏両面にシールド層を形成した電磁波シールド材の概略断面図である。
【符号の説明】
１０１，２０１，３０１，４０１，５０１　ポリマーフィルム、１０２，２０２，３０２，５０２　下地層、１０３，２０３，３０３，４０３ａ、４０３ｂ、４０３ｃ、５０３ａ、５０３ｂ、５０３ｃ　シールド層、２０４，３０４，４０４，５０４　酸化防止効果を有する下地層、３０５　変色防止層。

【０００６】
すなわち、本発明の電磁波シールド材は、水分含有量が０．０１％未満であるポリマーフィルムの表面に、厚さが１〜８μｍであり、かつＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｃｕおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなるシールド層が、スパッタリング法、蒸着法またはめっき法のいずれかの方法により１層または２層以上形成されていることを特徴としている。

【００１３】
また、本発明の電磁波シールド材は、水分含有量が０．０１％未満であるポリマーフィルムのいずれか一方の表面に、厚さが１μｍ以下であり、かつＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、これらの金属の酸化物、窒化物およびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる下地層がスパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法により１層または２層以上形成され、その上にＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる第１のシールド層が形成され、さらにその上にＣｕからなる第２のシールド層が形成されているとともに、該ポリマーフィルムのもう一方の表面に、厚さが１μｍ以下であり、かつＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、これらの金属の酸化物、窒化物およびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる下地層がスパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法により１層または２層以上形成され、その上にＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる第３のシールド層が形成されたものとすることができる。

【００１４】
また、本発明の電磁波シールド材は、水分含有量が０．０１％未満であるポリマーフィルムのいずれか一方の表面に、厚さが１μｍ以下であり、かつＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、これらの金属の酸化物、窒化物およびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる下地層がスパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法により１層または２層以上形成され、その上にＣｕからなる第１のシールド層が形成され、さらにその上にＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる第２のシールド層が形成されているとともに、該ポリマーフィルムのもう一方の表面に、厚さが１μｍ以下であり、かつＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、これらの金属の酸化物、窒化物およびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる下地層がスパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法により１層または２層以上形成され、その上にＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる第３のシールド層が形成されたものとすることができる。

【０００６】
すなわち、本発明の電磁波シールド材は、水分含有量が０．０１％未満であるポリマーフィルムの表面に、厚さが１μｍ以下であり、かつＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｒ、これらの金属の酸化物、窒化物およびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる酸化防止効果を有する下地層が、スパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法により形成されており、該酸化防止効果を有する下地層上に、厚さが１μｍ以下であり、かつＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる電極として作用する下地層が、スパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法により形成されており、該電極として作用する下地層上に、厚さが１〜８μｍであり、かつＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｃｕおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなるシールド層が、スパッタリング法、蒸着法またはめっき法のいずれかの方法により１層または２層以上形成されていることを特徴としている。

【００１９】
＜シールド層＞
本発明のシールド層は、各種の周波数を有する電磁波をシールド、すなわち遮蔽する作用を有するものであり、前記ポリマーフィルムの表面に形成された後述の下地層上に形成されるものである。このようなシールド層は、厚さが１〜８μｍであり、かつＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｃｕおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなるものであって、スパッタリング法、蒸着法またはめっき法のいずれかの方法により１層または２層以上に分かれて形成されていることを特徴としている。その厚さが１〜８μｍに限定されるのは、厚さが１μｍ未満の場合には電磁波に対するシールド性が十分でなくなるためであり、一方８μｍを超えても電磁波のシールド性に大差なく却って可撓性が阻害されることとなるからである。これらの点を考慮するとその厚さは、２〜５μｍとすることが特に好ましい。また、構成成分が上述の金属類に限定されるのは、電磁波に対するシールド性に優れており、しかも形成手段としてスパッタリング法、蒸着法またはめっき法の採用を可能とするものでなければならないからである。また、形成手段としてスパッタリング法、蒸着法またはめっき法が採用されるのは、前述の通りこれらの金属を金属箔として用いることができないからであり、しかもその性能面においてポリマーフィルム等と十分な密着性を有し、かつ所望によりその厚みを自由に設定することが必要とされるからである。

【００２４】
＜下地層＞
本発明の下地層は、前記シールド層を形成させる際の一種の電極としての作用を有するものであり、特に前記シールド層をめっき法により形成する場合に有用となる。また、該下地層は、該層より上層に形成される層、すなわち、前記シールド層や他の下地層等が酸化されるのを防止する酸化防止層としての作用を有したものである。該シールド層等は、空気中の酸素やポリマーフィルムに含まれる水分に溶存している酸素の作用により経時的に酸化され、このようにこれらの層が一旦酸化されるとポリマーフィルムとの密着力が著しく低減し容易に剥離等の不都合を生じることとなる。このような場合において、酸化防止効果を有する下地層がこれらの層とポリマーフィルムとの間に存在すると、ポリマーフィルムからこれらの層の方向に拡散する前記酸素を有効に捕捉し、以って当該酸素がこれらの層に到達するまでに有効に除去されることとなる。このような酸化防止効果を有する下地層は、シールド層や他の下地層がＦｅやＣｕで構成されている場合に特に有効である。

【００２５】
このような下地層は、前記ポリマーフィルムの表面とシールド層との間に形成され、厚さが１μｍ以下であり、かつＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、これらの金属の酸化物、窒化物およびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなるものであって、スパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法により２層以上形成されるものである。厚さが１μｍ以下に限定されるのは、電極および／または酸化防止層として作用するには１μｍあれば十分でありそれ以上厚くする必要がないからである。また、構成成分が上記の金属類に限定されるのは、これらの金属が優れた導電性や酸化防止効果を示すからであり、しかもスパッタリング法や蒸着法で形成するのに適しているからである。これらの金属類について、主としてＦｅおよびＣｕは電極としての作用に優れるものであり、ＴｉおよびＣｒは酸化防止層としての効果に優れており、またＮｉ、ＣｏおよびＺｎはこれら両者の作用を併せ持つ点に特徴がある。一方、形成手段としてスパッタリング法または蒸着法が採用されるのは、比較的厚い層を形成するのに適するめっき法を採用する必要がなく、しかもポリマーフィルムを乾燥状態のままで処理することができるからである。また、このような下地層は、上述の通り２層以上形成することができ、この場合、ポリマーフィルムの表面に酸化防止効果を有する下地層を形成し、その上に電極として作用する下地層を形成する。

【００３０】
＜参考例１＞
本参考例は、ポリマーフィルムの表面に下地層を形成し、その上にＮｉとＦｅからなる合金で構成されるシールド層を形成した電磁波シールド材に関するものである。以下、図１を参照して説明する。

【００３３】
その後、このように下地層を形成したポリマーフィルムをスパッタリング装置から取出し、続いて連続めっき装置にセットした。５％の硫酸が充填されているめっき浴に上記ポリマーフィルムを１．０ｍ／分の移動速度で１分間連続的に浸漬することにより、上記下地層を酸活性化処理した。次いで、２回水洗を繰り返した後、上記装置のめっき浴にめっき液（硫酸ニッケル２４０ｇ／ｌ、塩化ニッケル５０ｇ／ｌ、硼酸４０ｇ／ｌ、硫酸第１鉄２０ｇ／ｌおよびフェロアロイＦＡ（エバラユージライト（株）製）７０ｃｃ／ｌからなり、ｐＨ３．８であるもの）を充填し、上記ポリマーフィルムを１．０ｍ／分の移動速度で連続的に浸漬させ、液温５５℃、電流密度４Ａ／ｄｍ^２の条件下で５分間電気めっきすることにより、前記下地層１０２上に厚み４．３μｍのＮｉとＦｅからなる合金（Ｎｉ：Ｆｅ＝７０：３０）で構成されたシールド層１０３を形成した。続いて、水洗を３回繰り返し、ブロアによる水切り後６０℃で１分間乾燥させることにより図１に示した電磁波シールド材を得た。

【００３５】
＜実施例１＞
本実施例は、ポリマーフィルムの表面に酸化防止効果を有する下地層を形成し、その上に電極として作用する２層目の下地層を形成し、その上にＣｕからなるシールド層を形成した電磁波シールド材に関するものである。以下、図２を参照して説明する。

【００４１】
＜実施例２＞
本実施例は、ポリマーフィルムの表面に酸化防止効果を有する下地層を形成し、その上に電極として作用する２層目の下地層を形成し、その上にＣｕからなるシールド層を形成し、さらにその上に変色防止層を形成した電磁波シールド材に関するものである。以下、図３を参照して説明する。

【００４４】
＜参考例２＞
本参考例は、ポリマーフィルムの表面に酸化防止効果を有する下地層を形成し、その上にシールド層を３層形成した電磁波シールド材に関するものである。以下、図４を参照して説明する。

【００４９】
さらに、該連続めっき装置のめっき浴にめっき液（硫酸ニッケル２４０ｇ／ｌ、塩化ニッケル５０ｇ／ｌ、硼酸４０ｇ／ｌ、硫酸第１鉄２０ｇ／ｌおよびフェロアロイＦＡ（前出）７０ｃｃ／ｌからなり、ｐＨ３．８であるもの）を充填し、上記ポリマーフィルムを１．０ｍ／分の移動速度で連続的に浸漬させ、液温５５℃、電流密度４Ａ／ｄｍ^２の条件下で５分間電気めっきすることにより、前記第２のシールド層４０３ｂ上に厚み４．４μｍのＮｉとＦｅからなる合金で構成される第３のシールド層４０３ｃを形成した。続いて、水洗を３回繰り返し、ブロアによる水切り後６０℃で１分間乾燥させることにより図４に示した電磁波シールド材を得た。

【００５１】
＜実施例３＞
本実施例は、ポリマーフィルムの表裏両面にシールド層を形成した電磁波シールド材に関するものである。以下、図５を参照して説明する。

Claims

ポリマーフィルムの表面に、厚さが１〜８μｍであり、かつＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｃｕおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなるシールド層が、スパッタリング法、蒸着法またはめっき法のいずれかの方法により１層または２層以上形成されていることを特徴とする電磁波シールド材。
ポリマーフィルムの表面とシールド層との間に、厚さが１μｍ以下であり、かつＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、これらの金属の酸化物、窒化物およびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる下地層が、スパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法により１層または２層以上形成されている請求項１記載の電磁波シールド材。
ポリマーフィルムの表面とシールド層との間に、厚さが１μｍ以下であり、かつＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｒ、これらの金属の酸化物、窒化物およびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなるものであって、スパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法により形成されている酸化防止効果を有する下地層と、厚さが１μｍ以下であり、かつＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなるものであって、スパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法により形成されている電極として作用する下地層が、それぞれこの順序で形成されている請求項１記載の電磁波シールド材。
シールド層が、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種で構成される請求項２記載の電磁波シールド材。
シールド層が、Ｃｕにより構成されている請求項３記載の電磁波シールド材。
シールド層が２層に分かれて形成されており、その一方がＣｕにより構成され、もう一方がＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種で構成されている請求項２または３記載の電磁波シールド材。
シールド層が３層に分かれて形成されており、該３層の中間の層としてＣｕからなる層が形成され、該層を挟むようにしてその上下にＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる層が形成されている請求項２または３記載の電磁波シールド材。
ポリマーフィルムのいずれか一方の表面に、厚さが１μｍ以下であり、かつＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、これらの金属の酸化物、窒化物およびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる下地層がスパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法により１層または２層以上形成され、その上にＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる第１のシールド層が形成され、さらにその上にＣｕからなる第２のシールド層が形成されているとともに、該ポリマーフィルムのもう一方の表面に、厚さが１μｍ以下であり、かつＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、これらの金属の酸化物、窒化物およびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる下地層がスパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法により１層または２層以上形成され、その上にＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる第３のシールド層が形成されている電磁波シールド材。
ポリマーフィルムのいずれか一方の表面に、厚さが１μｍ以下であり、かつＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、これらの金属の酸化物、窒化物およびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる下地層がスパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法により１層または２層以上形成され、その上にＣｕからなる第１のシールド層が形成され、さらにその上にＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる第２のシールド層が形成されているとともに、該ポリマーフィルムのもう一方の表面に、厚さが１μｍ以下であり、かつＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、これらの金属の酸化物、窒化物およびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる下地層がスパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法により１層または２層以上形成され、その上にＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる群から選ばれる１種からなる第３のシールド層が形成されている電磁波シールド材。
Ｃｕからなるシールド層上に、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔｉ、ＺｎまたはＣｒからなる変色防止層が形成されている請求項５、６または８記載の電磁波シールド材。