JP2005116674A - 導電性シート、それを用いた製品およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明は、絶縁性基体の表面の少なくとも一部に金属層が形成されている導電性シートに関するものであって、上記絶縁性基体は長尺状のものでありその表面の少なくとも一部に対して陽イオンが照射されることによりその照射部分の表面粗さRa値が0.2〜200nmとなっており、かつその陽イオンが照射された部分に対して上記金属層がスパッタリング法または蒸着法により形成されていることを特徴とする導電性シートに関する。
【選択図】 図1
Description
図1に示すように、本発明の導電性シート1は、絶縁性基体2の表面の少なくとも一部に金属層3が形成されたものである。また、図2に示すように、本発明の導電性シート1は、該金属層3の表面の少なくとも一部に対して導電層4を形成することができ、この金属層3および導電層4は、図3に示すように回路を形成することができる。
本発明の導電性シート1の基材として用いられる絶縁性基体2としては、この種の用途に用いることができる従来公知の素材のものであれば、長尺状のものである限り特に限定なくいかなるものも用いることができる。特に、薄い厚みを有するフイルムの形状のものが好適である。後述の金属層等の形成に適しているとともに、ロールのような長尺の連続状のものとして加工することに適しており、生産効率を向上させることができるからである。
本発明で用いる絶縁性基体2は、その表面の少なくとも一部に対して陽イオンが照射されることによりその照射部分の表面粗さRa値が0.2〜200nmとなったものである。このように表面粗さRa値を0.2〜200nmの範囲、好ましくは20〜80nmの範囲とすることにより、上記絶縁性基体と後述の金属層との間の密着性が飛躍的に向上したものとなり、従来の問題点を一掃したものである。
本発明の金属層3は、上記の絶縁性基体2の表面の少なくとも一部に形成されるものであって、該絶縁性基体2の表面の少なくとも一部に対して陽イオンが照射され、その表面粗さRa値が0.2〜200nmとなっている部分に、スパッタリング法または蒸着法により形成されるものである。
本発明の導電層4は、上記金属層3の表面の少なくとも一部に対して電気めっき法または無電解めっき法により形成される。なお、上記絶縁性基体2が穴加工されている場合には、この導電層の形成と同時に、この導電層によりそのホールの壁面を被覆したりあるいはホール内を充填することも可能である。
本発明の上記金属層3および上記導電層4は、種々の加工を施すことにより回路を形成することができる。
本発明の製品は、上述の各ユニットごとに分割された導電性シートを用いたものである。たとえば、このような製品としては、半導体製品、電気製品、電子製品、回路基板、アンテナ回路基板、パッケージ、電磁波シールド材、自動車、太陽電池またはICカード等を挙げることができる。
本発明の導電性シートの製造方法は、絶縁性基体の表面の少なくとも一部に金属層が形成されている導電性シートの製造方法に関するものであって、上記絶縁性基体として長尺状のものを用い、その表面の少なくとも一部に対して陽イオンを連続的に照射することによりその照射部分の表面粗さRa値を0.2〜200nmとするステップと、上記陽イオンが照射された部分に対して上記金属層をスパッタリング法または蒸着法により形成するステップと、を含むものである。ここで、陽イオンの照射条件や、金属層を形成するスパッタリング法や蒸着法の各条件は、上述したような条件を採用することができる。なお、陽イオンの照射には、イオンビームガンを用いることが好ましい。
本発明の導電性シートの製造方法について説明する。
実施例1において、陽イオンの照射時間を0.02秒間とすることを除き他はすべて実施例1と同様にして導電性シートを得た。このようにして得られた導電性シートの絶縁性基体の表面粗さRa値を実施例1と同条件により測定したところ、0.2nmであった。
実施例1において、陽イオンの照射時間を8秒間とすることを除き他はすべて実施例1と同様にして導電性シートを得た。このようにして得られた導電性シートの絶縁性基体の表面粗さRa値を実施例1と同条件により測定したところ、80nmであった。
実施例1において、陽イオンの照射時間を20秒間とすることを除き他はすべて実施例1と同様にして導電性シートを得た。このようにして得られた導電性シートの絶縁性基体の表面粗さRa値を実施例1と同条件により測定したところ、200nmであった。
実施例1において、陽イオンの照射時間を25秒間とすることを除き他はすべて実施例1と同様にして導電性シートを得た。このようにして得られた導電性シートの絶縁性基体の表面粗さRa値を実施例1と同条件により測定したところ、250nmであった。
実施例1において、イオンビームガンを用いた陽イオンの照射を行なう代わりにボンバード装置を用いたボンバード処理を行なうことを除き、他はすべて実施例1と同様にして導電性シートを得た。なお、ボンバード処理の条件は、ヒータにより温度を110℃とし、Arガス120cc/分、出力0.9kWの条件下で行なった。
実施例1において、イオンビームガンを用いた陽イオンの照射を行なう代わりに化学薬品として過マンガン酸カリウムを用いた化学的処理を常法に基づき行なうことを除き、他はすべて実施例1と同様にして導電性シートを得た。
ピール試験装置(MODEL 1305N、アイコーエンジニアリング(株)製)を用いて実施例1〜4および比較例2〜3の導電性シートにおける絶縁性基体と導電層間の密着強度を測定した。具体的には、各実施例および各比較例で得られた導電性シートを1cm幅にカットし、絶縁性基体側を両面テープで固定するとともに、導電層の端を20mmだけ剥がすことによりその部分に試験装置のフックを取付け、それを引き剥がす(引き剥がし条件:引き剥がし速度50mm/分、引き剥がし角度90°)ことにより絶縁性基体と導電層間の密着強度を測定した。
Claims (11)
- 絶縁性基体の表面の少なくとも一部に金属層が形成されている導電性シートであって、前記絶縁性基体は長尺状のものでありその表面の少なくとも一部に対して陽イオンが照射されることによりその照射部分の表面粗さRa値が0.2〜200nmとなっており、かつその陽イオンが照射された部分に対して前記金属層がスパッタリング法または蒸着法により形成されていることを特徴とする導電性シート。
- 前記金属層の表面の少なくとも一部に対して、電気めっき法または無電解めっき法により導電層が形成されていることを特徴とする、請求項1記載の導電性シート。
- 前記金属層および前記導電層が回路を形成することを特徴とする、請求項2記載の導電性シート。
- 前記絶縁性基体上において前記金属層および前記導電層により複数ユニットの回路が形成されているとともに、前記絶縁性基体をカットすることにより前記複数ユニットの回路を各ユニットごとに分割したことを特徴とする、請求項2記載の導電性シート。
- 請求項4記載の導電性シートを用いたことを特徴とする製品。
- 前記製品は、半導体製品、電気製品、電子製品、回路基板、アンテナ回路基板、パッケージ、電磁波シールド材、自動車、太陽電池またはICカードのいずれかである、請求項5記載の製品。
- 絶縁性基体の表面の少なくとも一部に金属層が形成されている導電性シートの製造方法であって、
前記絶縁性基体として長尺状のものを用い、その表面の少なくとも一部に対して陽イオンを連続的に照射することによりその照射部分の表面粗さRa値を0.2〜200nmとするステップと、
前記陽イオンが照射された部分に対して前記金属層をスパッタリング法または蒸着法により形成するステップと、
を含むことを特徴とする導電性シートの製造方法。 - 前記陽イオンを照射するステップと、前記金属層を形成するステップとを、一つの装置内で連続して行なうことを特徴とする、請求項7記載の導電性シートの製造方法。
- 前記金属層の表面の少なくとも一部に対して、電気めっき法または無電解めっき法により導電層を形成するステップ、
をさらに含むことを特徴とする、請求項7記載の導電性シートの製造方法。 - 前記金属層および前記導電層に対して、回路を形成するステップ、
をさらに含むことを特徴とする、請求項9記載の導電性シートの製造方法。 - 前記絶縁性基体上において前記金属層および前記導電層により複数ユニットの回路を形成するステップと、
前記絶縁性基体をカットすることにより前記複数ユニットの回路を各ユニットごとに分割するステップと、
をさらに含むことを特徴とする、請求項9記載の導電性シートの製造方法。
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