JP7317604B2 - 配線回路基板および配線回路基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、配線回路基板および配線回路基板の製造方法に関する。

従来、撮像素子などの電子部品が実装される配線回路基板が知られている。

例えば、撮像素子開口部を有するベース絶縁層と、撮像素子接続端子を有する導体パターンと、カバー絶縁層とを順に備え、撮像素子接続端子が、撮像素子開口部から露出され、ベース絶縁層におけるカバー絶縁層と反対側の表面と面一となるように配置される撮像素子実装基板が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

そのような撮像素子実装基板は、金属支持体上にベース絶縁層を形成し、ベース絶縁層上と撮像素子開口部から露出する金属支持体上とに導体パターンを形成した後、導体パターンを被覆するようにベース絶縁層上にカバー絶縁層を形成し、次いで、金属支持体を除去することにより製造される。

また、撮像素子実装基板には、ベース絶縁層におけるカバー絶縁層と反対側の表面、つまり金属支持体が設けられていた表面（以下、実装面とする。）において、撮像素子の端子と撮像素子接続端子とがソルダーバンプにより接続されて、撮像素子が実装される。

ここで、カバー絶縁層は、導体パターンを被覆するために段差を有する一方、ベース絶縁層の実装面は、導体パターンおよびカバー絶縁層が設けられておらず、比較的平坦となる。そのため、撮像素子を比較的平坦な実装面に実装することで、撮像素子実装基板の厚み方向における撮像素子の位置精度の向上を図っている。

特開２０１８－１９０７８７号公報

このような特許文献１に記載の撮像素子実装基板では、撮像素子の端子と撮像素子接続端子との接続強度向上の観点から、実装面と撮像素子との間にアンダーフィル層を設ける場合がある。

しかし、特許文献１に記載の撮像素子実装基板では、ベース絶縁層に対するアンダーフィル層の密着性を十分に確保できず、アンダーフィル層がベース絶縁層から剥離するおそれがある。そこで、ベース絶縁層に対するアンダーフィル層の密着性の向上が検討される。

一方、特許文献１に記載されるような撮像素子実装基板では、実装した撮像素子を、交換や再利用のために取り外してリワークする場合があり、この場合、アンダーフィル層をベース絶縁層から引き剥がすことが望まれる。

このとき、ベース絶縁層とアンダーフィル層との密着性が過度に高いと、アンダーフィル層をベース絶縁層から引き剥がすことが困難となり、ひいては、撮像素子のリワーク性を確保できないという不具合がある。

つまり、特許文献１に記載されるような撮像素子実装基板には、アンダーフィル層をベース絶縁層に安定して密着できながら、撮像素子のリワーク時においてアンダーフィル層をベース絶縁層から引き剥がしたいという要望がある。

本発明は、第１絶縁層に対する第２絶縁層の密着性の向上を図ることができながら、電子部品のリワーク性を確保できる配線回路基板、および、製造効率のよい配線回路基板の製造方法を提供する。

本発明［１］は、ポリイミドを含有する第１絶縁層と、前記第１絶縁層の厚み方向の一方面に配置される端子と、を備え、前記第１絶縁層の厚み方向の一方面における、ＥＳＣＡ測定での金属元素検出量が、全検出元素のうち、１ａｔｏｍ％以上２０ａｔｏｍ％未満である、配線回路基板を含んでいる。

このような構成によれば、第１絶縁層の厚み方向の一方面における金属元素検出量が上記上限未満であるので、第１絶縁層の厚み方向の一方面に電子部品を実装し、第１絶縁層と電子部品との間に第２絶縁層を設けたときに、第１絶縁層に対する第２絶縁層の密着性の向上を図ることができる。

また、配線回路基板に実装した電子部品を、配線回路基板から取り外してリワークする場合、第１絶縁層の厚み方向の一方面における金属元素検出量が上記下限以上であるので、第１絶縁層に対する第２絶縁層の密着性を、第２絶縁層が第１絶縁層から引き剥がし可能となるように調整でき、電子部品のリワーク性を確保することができる。

本発明［２］は、前記第１絶縁層の厚み方向の一方面における、ＥＳＣＡ測定でのＣｒ元素検出量およびＭｎ元素検出量の総和が、１０ａｔｏｍ％未満である、上記［１］に記載の配線回路基板を含む。

このような構成によれば、第１絶縁層の厚み方向の一方面におけるＣｒ元素検出量およびＭｎ元素検出量の総和が上記上限未満であるので、第１絶縁層に対する第２絶縁層の密着性の向上を確実に図ることができる。

本発明［３］は、前記第１絶縁層の厚み方向の一方面に配置される第２絶縁層を、さらに備え、前記第１絶縁層の厚み方向の一方面に対する前記第２絶縁層の密着力が、５０ｇｆ／ｃｍ以上である、上記［１］または［２］に記載の配線回路基板を含む。

このような構成によれば、第１絶縁層に対する第２絶縁層の密着力が上記下限以上であるので、第２絶縁層が第１絶縁層から所望せずに剥離することを抑制できる。

本発明［４］は、金属支持層を準備する工程と、前記金属支持層上にポリイミドを含有する第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層の厚み方向の一方面に配置される端子を形成する工程と、前記金属支持層を除去する工程と、前記金属支持層の除去により露出された前記第１絶縁層の厚み方向の一方面を、エッチングする工程と、を含む、配線回路基板の製造方法を含む。

このような方法によれば、金属支持層上に第１絶縁層を形成した後、第１絶縁層の厚み方向の一方面に端子を形成し、次いで、金属支持層を除去して、第１絶縁層の厚み方向の一方面を露出させる。そして、金属支持層の除去により露出された第１絶縁層の厚み方向の一方面をエッチングする。

そのため、第１絶縁層の厚み方向の一方面における金属元素検出量を１ａｔｏｍ％以上２０ａｔｏｍ％未満に調整することができる。その結果、簡易な方法でありながら、上記した配線回路基板を効率よく製造することができる。

本発明の配線回路基板によれば、第１絶縁層に対する第２絶縁層の密着性の向上を図ることができながら、電子部品のリワーク性を確保できる。

本発明の配線回路基板の製造方法によれば、上記した配線回路基板を効率よく製造することができる。

図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態である撮像素子実装基板の平面図を示す。 図２は、図１に示す撮像素子実装基板におけるＡ－Ａ断面図を示す。 図３Ａ～図３Ｄは、図２に示す撮像素子実装基板の製造工程図を示し、図３Ａが、金属支持体準備工程およびベース絶縁層形成工程、図３Ｂが、導体パターン形成工程、図３Ｃが、カバー絶縁層形成工程、図３Ｄが、金属支持体除去工程を示す。 図４Ｅおよび図４Ｆは、図３Ｄに続いて、撮像素子を撮像素子実装基板に実装する工程図を示し、図４Ｅが、素子接続工程、図４Ｆが、アンダーフィル形成工程を示す。 図５は、図２に示す撮像素子実装基板を備える撮像装置を示す。

１．撮像素子実装基板
図１および図２を参照して、本発明の配線回路基板の一実施形態としての撮像素子実装基板１（以下、実装基板１とする。）を説明する。

図１に示すように、実装基板１は、電子部品の一例としての撮像素子２１（後述、図４Ｆ参照）を実装するためのフレキシブル配線回路基板（ＦＰＣ）であって、撮像素子２１を未だ備えていない。実装基板１は、平面視略矩形（長方形状）の平板形状（シート形状）を有している。

実装基板１は、ハウジング配置部２、および、外部部品接続部３を備える。

ハウジング配置部２は、ハウジング２２（後述、図５参照）や撮像素子２１が配置される部分である。具体的には、ハウジング配置部２は、ハウジング２２が実装基板１に配置された場合において、実装基板１の厚み方向に投影したときに、ハウジング２２と重複する部分である。ハウジング配置部２の略中央には、端子の一例としての第１端子１０（後述）が複数配置されている。

外部部品接続部３は、ハウジング配置部２以外の領域であって、外部部品と接続するための部分である。外部部品接続部３は、実装基板１の長手方向にハウジング配置部２と連続して配置されている。外部部品接続部３には、第２端子１１（後述）が複数配置されている。

図２に示すように、実装基板１は、第１絶縁層の一例としてのベース絶縁層４と、導体パターン５と、カバー絶縁層６とを、ベース絶縁層４の厚み方向に順に備える。なお、以下では、ベース絶縁層４の厚み方向を単に厚み方向として記載する。図２において、紙面上側がベース絶縁層４の厚み方向の一方側であり、紙面下側がベース絶縁層４の厚み方向の他方側である。

図１に示すように、ベース絶縁層４は、実装基板１の外形をなし、平面視略矩形状を有する。ベース絶縁層４は、後述する金属支持体１９（図３Ａ～図３Ｃ参照）に支持されておらず、実装基板１は、金属支持体１９（金属支持層）を備えない。

ベース絶縁層４は、複数の第１開口部７と、複数の第２開口部８とを備える。

複数の第１開口部７は、第１端子１０（後述）を厚み方向一方側から露出する。複数の第１開口部７は、ハウジング配置部２の中央部に、矩形枠状となるように、互いに間隔を隔てて整列配置されている。第１開口部７は、ベース絶縁層４を厚み方向に貫通し、平面視略円形状を有している。第１開口部７は、厚み方向一方側に向かうに従って開口断面積が小さくなるテーパ形状を有する（図２参照）。

複数の第２開口部８は、第２端子１１（後述）を厚み方向一方側から露出する。複数の第２開口部８は、外部部品接続部３において、実装基板１の幅方向に互いに間隔を隔てて整列配置されている。第２開口部８は、ベース絶縁層４を厚み方向に貫通し、平面視略矩形状（長方形状）を有している。

また、図２に示すように、ベース絶縁層４は、厚み方向において、一方面４Ａと、他方面４Ｂとを備える。

ベース絶縁層の一方面４Ａは、厚み方向の一方側に位置する。ベース絶縁層の一方面４Ａは、平坦（平滑）状を有し、その全体が露出されている。ベース絶縁層の一方面４Ａには、後述する金属支持体１９の金属残渣が付着している。

金属残渣として、例えば、Ｓｉ元素、Ｃｒ元素、Ｍｎ元素、Ｆｅ元素、Ｎｉ元素、Ｍｏ元素、Ｃｕ元素などの金属元素が挙げられる。金属残渣は、１種または２種以上の金属元素を含むことができる。言い換えれば、金属残渣は、Ｓｉ元素、Ｃｒ元素、Ｍｎ元素、Ｆｅ元素、Ｎｉ元素、Ｍｏ元素およびＣｕ元素からなる群から選択される少なくとも１種の金属元素を含み、好ましくは、Ｃｒ元素およびＭｎ元素を含む。

ベース絶縁層４の一方面４Ａにおける、ＥＳＣＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ ｆｏｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ）測定での金属元素検出量は、全検出元素のうち、１ａｔｏｍ％以上、２０ａｔｏｍ％未満、好ましくは、１０ａｔｏｍ％以下、さらに好ましくは、５ａｔｏｍ％以下である。

ＥＳＣＡ測定では、上記した金属残渣の金属元素が検出されるとともに、ベース絶縁層を構成する各元素（例えば、Ｃ元素、Ｎ元素、Ｏ元素、Ｆ元素など）が検出される。ＥＳＣＡ測定は、後述する実施例に記載の方法に準拠して測定でき、金属元素検出量は、後述する実施例に記載の方法に準拠して算出できる（以下同様）。

一方面４Ａにおける金属元素検出量が上記上限未満であれば、ベース絶縁層４の一方面４Ａに対するアンダーフィル層１８（後述）の密着性の向上を図ることができる。また、一方面４Ａにおける金属元素検出量が上記下限以上であれば、ベース絶縁層４の一方面４Ａに対するアンダーフィル層１８（後述）の密着性を、アンダーフィル層１８がベース絶縁層４から引き剥がし可能となるように調整でき、撮像素子２１のリワーク性を確保することができる。

金属残渣がＣｒ元素およびＭｎ元素を含む場合、ベース絶縁層４の一方面４ＡにおけるＥＳＣＡ測定でのＣｒ元素検出量およびＭｎ元素検出量の総和は、例えば、０．５ａｔｏｍ％以上、好ましくは、１ａｔｏｍ％以上、例えば、１５ａｔｏｍ％未満、好ましくは、１０ａｔｏｍ％未満、さらに好ましくは、５ａｔｏｍ％以下である。

一方面４ＡにおけるＣｒ元素検出量およびＭｎ元素検出量の総和が上記上限未満であれば、ベース絶縁層４の一方面４Ａに対するアンダーフィル層１８（後述）の密着性の向上を確実に図ることができる。

ベース絶縁層の他方面４Ｂは、厚み方向の他方側に位置し、厚み方向において一方面４Ａの反対側に位置する。ベース絶縁層の他方面４Ｂは、カバー絶縁層６により被覆されている。ベース絶縁層の他方面４Ｂには、上記した金属残渣が付着していない。言い換えれば、ベース絶縁層４の他方面４Ｂにおける、ＥＳＣＡ測定での金属元素検出量は、全検出元素のうち、例えば、１ａｔｏｍ％未満であり、好ましくは、０ａｔｏｍ％である。

ベース絶縁層４の材料として、例えば、ポリイミドが挙げられる。つまり、ベース絶縁層４は、ポリイミドを含有する。

ベース絶縁層４の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、１２μｍ以下、さらに好ましくは、８μｍ以下である。

導体パターン５は、複数の第１端子１０と、複数の第２端子１１（図１参照）と、複数の配線９とを備える。

複数の第１端子１０は、ハウジング配置部２の中央部において、矩形枠状となるように、互いに間隔を隔てて整列配置されている（図１参照）。複数の第１端子１０は、実装される撮像素子２１の複数の端子２５（図４Ｅ参照）に対応するように設けられている。また、複数の第１端子１０は、複数の第１開口部７に対応して設けられる。第１端子１０は、平面視略円形状を有する。第１端子１０は、第１開口部７に充填され、厚み方向一方側から見て、ベース絶縁層４から露出されている。厚み方向における第１端子１０の一方面１０Ａは、平坦（平滑）状を有する。厚み方向における第１端子１０の一方面１０Ａは、ベース絶縁層４の一方面４Ａと略面一である。これによって、第１端子１０は、ベース絶縁層４の一方面４Ａに配置される。

図１に示すように、複数の第２端子１１は、外部部品接続部３において、互いに間隔を隔てて整列配置されている。複数の第２端子１１は、外部部品の複数の端子（図示せず）に対応するように設けられている。また、複数の第２端子１１は、複数の第２開口部８に対応して設けられる。第２端子１１は、平面視略矩形状（長方形状）を有している。第２端子１１は、第２開口部８に充填され、厚み方向一方側から見て、ベース絶縁層４から露出されている。厚み方向における第２端子１１の一方面は、ベース絶縁層４の一方面４Ａと略面一である。これによって、第２端子１１は、ベース絶縁層４の一方面４Ａに配置される。

図２に示すように、複数の配線９は、ベース絶縁層４に対して厚み方向の他方側に配置され、具体的には、ベース絶縁層４の他方面４Ｂに配置される。

複数の配線９は、複数の第１端子１０と複数の第２端子１１とを電気的に接続する。具体的には、各配線９の一端は、他方面４Ｂから第１開口部７に落ち込み、各第１端子１０と連続する。各配線９の他端は、他方面４Ｂから第２開口部８に落ち込み、各第２端子１１と連続する。

導体パターン５の材料として、例えば、銅、銀、金、ニッケルまたはそれらを含む合金、半田などの金属材料が挙げられ、好ましくは、銅が挙げられる。

導体パターン５の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、２μｍ以上、例えば、１５μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下である。

カバー絶縁層６は、導体パターン５を被覆するように、ベース絶縁層４に対して厚み方向の他方側に配置され、具体的には、ベース絶縁層４の他方面４Ｂに配置される。カバー絶縁層６の外形は、ベース絶縁層４の外形と同一となるように形成される。

カバー絶縁層６の材料として、例えば、絶縁材料が挙げられる。絶縁材料として、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、アクリル、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂などが挙げられる。絶縁材料として、好ましくは、ベース絶縁層４と同様のポリイミドが挙げられる。

カバー絶縁層６の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、２μｍ以上、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下、さらに好ましくは、５μｍ以下である。

このような実装基板１の厚み（ベース絶縁層４、導体パターン５およびカバー絶縁層６の厚みの総和）は、例えば、３μｍ以上、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。

２．撮像素子実装基板の製造方法
次に、図３Ａ～図３Ｄを参照して、実装基板１の製造方法について説明する。実装基板１の製造方法は、例えば、金属支持体準備工程と、ベース絶縁層形成工程と、導体パターン形成工程と、カバー絶縁層形成工程と、エッチング工程とを順に含む。

図３Ａに示すように、金属支持体準備工程では、金属支持層の一例としての金属支持体１９を準備する。

金属支持体１９は、平面視略矩形（長方形状）の平板形状を有する。金属支持体１９の上面は、平坦（平滑）状を有する。

金属支持体１９の材料は、上記した金属元素を含み、具体的には、ステンレス、４２アロイ、アルミニウムなどの金属材料が挙げられ、好ましくは、ステンレスが挙げられる。

金属支持体１９の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。

続いて、ベース絶縁層形成工程では、ベース絶縁層４を、金属支持体１９の上面に形成する。なお、図３Ａ～図３Ｄに示すベース絶縁層４の厚み方向は、図２に示すベース絶縁層４の厚み方向と逆であり、紙面上側が厚み方向の他方側、紙面下側が厚み方向の一方側である。つまり、ベース絶縁層４の一方面４Ａが、金属支持体１９と接触し、ベース絶縁層４の他方面４Ｂが、一方面４Ａに対して金属支持体１９の反対側に位置する。

具体的には、ポリイミド前駆体を含むワニスを金属支持体１９の上面全体に塗布して乾燥させて、ベース皮膜を形成する。その後、ベース皮膜を、開口部（第１開口部７および第２開口部８）に対応するパターンを有するフォトマスクを介して露光する。その後、ベース皮膜を現像し、好ましくは加熱硬化させる。これによって、ポリイミドを含有するベース絶縁層４が、金属支持体１９上に形成される。

続いて、図３Ｂに示すように、導体パターン形成工程では、導体パターン５を、上記したパターンで、ベース絶縁層４の上面（他方面４Ｂ）と、第１開口部７および第２開口部８から露出する金属支持体１９の上面とに、例えば、アディティブ法などによって形成する。

これによって、複数の第１端子１０と、複数の第２端子１１と、複数の配線９とが一括して形成される。第１端子１０は、第１開口部７内に配置され、金属支持体１９の上面と接触する。第２端子１１は、図示しないが、第２開口部８内に配置され、金属支持体１９の上面と接触する。これによって、第１端子１０および第２端子１１は、ベース絶縁層４の一方面４Ａに配置される。また、配線９は、ベース絶縁層４の他方面４Ｂに配置される。

続いて、図３Ｃに示すように、カバー絶縁層形成工程では、カバー絶縁層６を、導体パターン５を被覆するように、ベース絶縁層４の上面（他方面４Ｂ）に形成する。カバー絶縁層形成工程は、ベース絶縁層形成工程と同様に実施できる。

続いて、図３Ｄに示すように、金属支持体除去工程では、金属支持体１９を除去する。

金属支持体１９の除去方法として、例えば、金属支持体１９をベース絶縁層４の下面（一方面４Ａ）から剥離する方法、例えば、金属支持体１９をエッチング（例えば、ドライエッチング、ウェットエッチングなど）する方法などが挙げられる。

金属支持体１９の除去方法のなかでは、好ましくは、エッチング、さらに好ましくは、ウェットエッチングが挙げられる。

金属支持体１９をウェットエッチングする場合、エッチング液として、例えば、塩化第二鉄溶液などが使用される。そして、例えば、金属支持体１９に対して厚み方向の一方側から、エッチング液をスプレーして、金属支持体１９を除去する。

すると、ベース絶縁層４の一方面４Ａと、第１端子１０の一方面１０Ａと、第２端子１１の一方面（図示せず）とが露出される。

以上によって、ベース絶縁層４と、導体パターン５と、カバー絶縁層６とを備える実装基板１が製造される。

後述するエッチング工程の前において、実装基板１のベース絶縁層４の一方面４Ａには、ＥＳＣＡ測定での金属元素検出量が２０ａｔｏｍ％以上となる金属支持体１９の金属残渣が付着している。

次いで、エッチング工程では、金属支持体１９の除去により露出されたベース絶縁層４の一方面４Ａをエッチングして、付着する金属残渣を除去する。

エッチング方法として、例えば、ドライエッチングおよびウェットエッチングが挙げられ、好ましくは、ウェットエッチングが挙げられる。

ベース絶縁層４の一方面４Ａをウェットエッチングする場合、エッチング液として、例えば、硝酸第二セリウムアンモニウム溶液、苛性ソーダ水溶液、過マンガン酸カリウム溶液、メタケイ酸ナトリウム溶液などが使用される。さらに、エッチング液のなかで、好ましくは、硝酸第二セリウムアンモニウム溶液が挙げられる。そして、例えば、実装基板１をエッチング液に浸漬して、一方面４Ａに付着する金属残渣を除去する。

エッチング液の温度は、例えば、２０℃以上、好ましくは、３０℃以上、例えば、８０℃以下、好ましくは、６５℃以下である。エッチング時間（浸漬時間）は、例えば、１分以上、例えば、１５分以下、好ましくは、１０分以下である。

エッチング液の温度が上記下限以上またはエッチング時間が上記下限以上であれば、ベース絶縁層４の一方面４ＡにおけるＥＳＣＡ測定での金属元素検出量を２０ａｔｏｍ％未満に調整できる。また、エッチング液の温度が上記上限以下またはエッチング時間が上記上限以下であれば、ベース絶縁層４の一方面４ＡにおけるＥＳＣＡ測定での金属元素検出量を１ａｔｏｍ％以上に調整できる。

その後、エッチング液から取り出した実装基板１を、必要に応じて水洗いする。

これによって、ベース絶縁層４の一方面４Ａがソフトエッチングされて、ベース絶縁層４の一方面４ＡにおけるＥＳＣＡ測定での金属元素検出量が、１ａｔｏｍ％以上２０ａｔｏｍ％未満に調整される。

３．実装基板に対する撮像素子の実装方法
このような実装基板１は、例えば、撮像素子が実装されて、カメラモジュールなどの撮像装置に備えられる。

次に、図４Ｅおよび図４Ｆを参照して、実装基板１に対する撮像素子２１の実装方法を説明する。

実装基板１に対する撮像素子２１の実装方法は、素子接続工程と、アンダーフィル形成工程とを含む。

図４Ｅに示すように、素子接続工程では、まず、撮像素子２１を準備する。

撮像素子２１は、光を電気信号に変換する半導体素子であって、例えば、ＣＭＯＳセンサ、ＣＣＤセンサなどの固体撮像素子が挙げられる。撮像素子２１は、平面視略矩形の平板形状に形成されており、図示しないが、Ｓｉ基板などのシリコンと、その上に配置されるフォトダイオード（光電変換素子）およびカラーフィルターとを備える。撮像素子２１は、複数の端子２５を備える。複数の端子２５は、複数の第１端子１０と対応する。

そして、実装基板１の第１端子１０上にソルダーバンプなどの接合材料２６を配置し、実装基板１の第１端子１０と撮像素子２１の端子２５とを、接合材料２６を介して電気的に接続する。

これによって、撮像素子２１は、実装基板１のハウジング配置部２の中央部に配置され、実装基板１にフリップチップ実装される。このとき、撮像素子２１は、ベース絶縁層４の一方面４Ａに対して厚み方向の一方側に間隔を空けて位置する。

次いで、図４Ｆに示すように、アンダーフィル形成工程では、撮像素子２１とベース絶縁層４との間に、第２絶縁層の一例としてのアンダーフィル層１８を形成する。

具体的には、液状の樹脂組成物を、撮像素子２１とベース絶縁層４の一方面４Ａとの間に注入した後、加熱硬化させる。

アンダーフィル層１８の材料として、例えば、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂などの樹脂材料が挙げられ、好ましくは、エポキシ樹脂が挙げられる。アンダーフィル層１８の材料は、単独使用または２種以上併用することができる。

加熱温度は、アンダーフィル層１８の材料に応じて適宜変更されるが、例えば、１００℃以上、好ましくは、１２０℃以上、例えば、１５０℃以下、好ましくは、１３０℃以下である。

加熱時間は、アンダーフィル層１８の材料に応じて適宜変更されるが、例えば、１０分以上、好ましくは、３０分以上、例えば、１２０分以下、好ましくは、６０分以下である。

これによって、アンダーフィル層１８が、撮像素子２１とベース絶縁層４の一方面４Ａとの間に形成される。言い換えれば、アンダーフィル層１８は、ベース絶縁層４の一方面４Ａに配置される。つまり、撮像素子２１が実装された実装基板１は、アンダーフィル層１８を備える。

ベース絶縁層４の一方面４Ａに対するアンダーフィル層１８の密着力は、例えば、２０ｇｆ／ｃｍを超過し、好ましくは、５０ｇｆ／ｃｍ以上、さらに好ましくは、１００ｇｆ／ｃｍ以上、例えば、２００ｇｆ／ｃｍ以下である。なお、密着力は、後述する実施例に記載の方法に準拠して測定できる（以下同様）。

アンダーフィル層１８の密着力が上記下限以上であれば、アンダーフィル層１８が所望せずにベース絶縁層４の一方面４Ａから剥離することを抑制できる。アンダーフィル層１８の密着力が上記上限以下であれば、撮像素子２１のリワーク性を確実に確保することができる。

以上によって、実装基板１に対する撮像素子２１の実装が完了する。なお、実装基板１と、撮像素子２１と、アンダーフィル層１８とは、撮像ユニット２７を構成する。

また、実装基板１は、後述する撮像装置ではなく、撮像装置の一部品、すなわち、撮像装置を作製するための部品であり、産業上利用可能なデバイスである。実装基板１は、撮像素子を含まない部品単独で流通してもよく、撮像素子が実装された撮像ユニットとして流通してもよい。

４．撮像装置
次に、図５を参照して、撮像ユニット２７を備える撮像装置２０を説明する。

撮像装置２０は、撮像ユニット２７と、ハウジング２２と、光学レンズ２３と、フィルター２４とを備える。

撮像ユニット２７は、実装基板１と、撮像素子２１と、アンダーフィル層１８とを備える。

ハウジング２２は、実装基板１のハウジング配置部２に、撮像素子２１と間隔を隔てて囲むように配置されている。ハウジング２２は、平面視略矩形状の筒状を有している。

光学レンズ２３は、厚み方向において、撮像素子２１に対して実装基板１の反対側に間隔を隔てて配置される。光学レンズ２３は、平面視略円形状に形成され、外部からの光が撮像素子２１に到達するように、ハウジング２２に固定される。

フィルター２４は、厚み方向における撮像素子２１と光学レンズ２３との間に、これらと間隔を隔てて配置され、ハウジング２２に固定される。

本発明者らは、図４Ｆに示すように、ベース絶縁層４の一方面４Ａ（金属支持体１９が設けられていた表面）にアンダーフィル層１８を形成すると、一方面４Ａに対するアンダーフィル層１８の密着性を十分に確保できないという知見を得た。

そこで、本発明者らは、当該知見について種々検討し、アンダーフィル層１８の密着性は、ベース絶縁層４の一方面４Ａに付着する金属支持体１９の金属残渣に依存することを見出し、本発明を完成した。

図４Ｆに示すように、実装基板１では、ベース絶縁層４の一方面４Ａにおける金属元素検出量が上記上限未満である。そのため、ベース絶縁層４に対するアンダーフィル層１８の密着性の向上を図ることができる。

また、実装基板１では、ベース絶縁層４の一方面４Ａにおける金属元素検出量が上記下限以上である。そのため、実装基板１に実装した撮像素子２１を、実装基板１から取り外してリワークする場合、アンダーフィル層１８をベース絶縁層４から引き剥がすことができる。その結果、撮像素子２１のリワーク性を確保することができる。

また、ベース絶縁層４の一方面４ＡにおけるＣｒ元素検出量およびＭｎ元素検出量の総和は、上記上限未満である。そのため、ベース絶縁層４に対するアンダーフィル層１８の密着性の向上を確実に図ることができる。

また、ベース絶縁層４に対するアンダーフィル層１８の密着力は、上記下限以上である。そのため、アンダーフィル層１８がベース絶縁層４から、所望せずに剥離することを抑制できる。

また、実装基板１の製造方法では、図３Ａ～図３Ｄに示すように、金属支持体１９上にベース絶縁層４を形成した後、ベース絶縁層４の一方面４Ａに第１端子１０を形成し、次いで、金属支持体１９を除去して、ベース絶縁層４の一方面４Ａを露出させる。そして、金属支持体１９の除去により露出されたベース絶縁層４の一方面４Ａをエッチングする。

そのため、ベース絶縁層４の一方面４Ａにおける金属元素検出量を上記の範囲に調整することができる。その結果、簡易な方法でありながら、上記した実装基板１を効率よく製造することができる。

＜変形例＞
上記した実施形態では、本発明の配線回路基板として、撮像素子２１を実装するための撮像素子実装基板１（実装基板１）を説明しているが、配線回路基板の用途は、これに限定されない。例えば、スマートフォン、パソコン、ゲーム機などに用いられるＦＰＣなどに好適に用いられる。

また、実装基板１では、厚み方向に互いに隣り合う層が、接着剤なしに接着される接着剤レスのＦＰＣであるが、これに限定されない。厚み方向に互いに隣り合う層の間に接着剤層を設けることもできる。一方、薄型化の観点から、上記の実施形態のように、実装基板１は、接着剤レスのＦＰＣであることが好ましい。

また、実装基板１は、図２に示すように、ベース絶縁層４、導体パターン５およびカバー絶縁層６を備えるが、実装基板１の構成は、これに限定されない。例えば、実装基板１は、カバー絶縁層６の厚み方向一方側に配置され、外部からの電磁波を遮断するシールド層と、シールド層を被覆する第２カバー絶縁層とをさらに備えてもよい。

また、撮像装置２０では、図５に示すように、撮像素子２１は、実装基板１にフリップチップ実装されているが、実装基板１にワイヤボンディングによって実装することもできる。

このような変形例においても、上記した実施形態と同様の作用効果を奏する。また、上記した実施形態と変形例とは適宜組み合わせることができる。

以下に参考実施例および参考比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、参考実施例および参考比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。

参考比較例１
ステンレスを材料とする金属支持体を準備し、ポリイミド前駆体溶液を金属支持体の上面に塗布し、次いで、８０℃で１０分乾燥させて、ベース皮膜（ポリイミド前駆体皮膜）を形成した。

続いて、ベース皮膜を、露光および現像した後、窒素雰囲気下、３６０℃で１時間加熱して硬化させた。これにより、ポリイミドを含有するベース絶縁層を形成した。

次いで、金属支持体に対して塩化第二鉄水溶液（エッチング液）をスプレーして、金属支持体を除去した。これによって、ベース絶縁層の一方面を露出させた。

以上により、ベース絶縁層を得た。

参考実施例１
参考比較例１と同様にして調製したベース絶縁層を、４０℃に調整した硝酸第二セリウムアンモニウム溶液（エッチング液）に、３分間浸漬した。その後、ベース絶縁層を水洗いして乾燥させた。

以上により、ベース絶縁層を得た。

＜ＥＳＣＡ測定＞
参考比較例のベース絶縁層の一方面（金属支持体が設けられていた面）および他方面（一方面と逆側の面）と、参考実施例のベース絶縁層の一方面（金属支持体が設けられていた面）とのそれぞれについて、ＥＳＣＡ測定を実施した。

具体的には、参考比較例および参考実施例のベース絶縁層を１ｃｍ×１ｃｍのサイズに切り出し、各ベース絶縁層を、測定対象面が下記装置のアナライザと向かい合うように、モリブデン（Ｍｏ）板により試料台に押さえて固定した。試料台は、平板形状を有する。その後、下記条件において、ワイドスキャン測定を実施して、定性分析した。また、表１に示す各元素に対してナロースキャン測定を実施して、元素比率（ａｔｏｍｉｃ％）を算出した。その結果を表１に示す。

装置；Ｑｕａｎｔｅｒａ ＳＸＭ（アルバック・ファイ社製）
Ｘ線源；モノクロ ＡｌＫα
Ｘ線セッティング；１００μｍφ［１５ｋＶ、２５Ｗ］
光電子取出し角；ベース絶縁層の測定対象面に対して４５°
結合エネルギーの補正；Ｃ１_ｓスペクトルのＣ－Ｃ結合由来のピークを２８５．０ｅＶに補正
帯電中和条件；電子中和銃とＡｒイオン銃（中和モード）との併用。

＜アンダーフィル層の密着力＞
参考比較例のベース絶縁層の一方面および他方面と、参考実施例のベース絶縁層の一方面とのそれぞれに、アンダーフィル層を形成して、ベース絶縁層に対するアンダーフィル層の密着力を測定した。

具体的には、参考比較例および参考実施例のベース絶縁層の測定対象面に、液状のエポキシ樹脂組成物を塗布し、次いで、１２５℃で１０分乾燥させて、アンダーフィル層を形成した。アンダーフィル層の厚みは、約４０μｍであった。

次いで、アンダーフィル層におけるベース絶縁層と反対側の面に、両面テープ（Ｎｏ．５０００ｎｓ、日東電工社製）を貼り付けて、積層体を準備した。積層体は、ベース絶縁層と、アンダーフィル層と、両面テープとを厚み方向に順に備える。

次いで、積層体を５ｍｍ幅の平帯状にカットし、積層体を、両面テープによって、下記装置が備える試料台に固定した。試料台は、回転可能に支持される円柱形状を有し、試料台の外径は、２０ｃｍであった。また、積層体は、試料台の周面に接着された。

次いで、ベース絶縁層を、下記条件において、アンダーフィル層から引き剥がした。その結果を表１に示す。

装置；ＳＶＺ－５０ＮＢ（ＩＭＡＤＡ社製）
引張角度；９０°（つまり、引張方向は、試料台の径方向）
引張速度；１０ｍｍ／分

＜考察＞
表１に示されるように、ベース絶縁層の一方面におけるＥＳＣＡ測定での金属元素検出量が２０ａｔｏｍ％未満である参考実施例１は、ベース絶縁層の一方面におけるＥＳＣＡ測定での金属元素検出量が２０ａｔｏｍ％以上である参考比較例１と比較して、ベース絶縁層に対するアンダーフィル層の密着力が顕著に向上している。

また、参考実施例１は、ベース絶縁層の一方面におけるＥＳＣＡ測定での金属元素検出量が１ａｔｏｍ％以上であり、ベース絶縁層に対するアンダーフィル層の密着力が２００ｇｆ／ｃｍ以下に調整されている。なお、参考比較例１の他方面のように、密着力が２００ｇｆ／ｃｍを超過すると、電子部品のリワーク時に、アンダーフィル層をベース絶縁層から引き剥がすことが困難である。この点、参考実施例１は、密着力が２００ｇｆ／ｃｍであり、電子部品のリワーク性を確保できる。

１ 実装基板
４ ベース絶縁層
４Ａ 一方面
１０ 第１端子
１８ アンダーフィル層
１９ 金属支持体

Claims (4)

1. ポリイミドを含有する第１絶縁層であって、厚み方向一方面および他方面を有する第１絶縁層であり、第１絶縁層の前記厚み方向を貫通する開口部を有する第１絶縁層と、
   前記開口部に充填される端子であって、厚み方向一方面が一方側に露出される端子、および、前記第１絶縁層の前記他方面に配置される配線であって、前記端子に連続する配線、を有する導体パターンと、を備え、
   前記第１絶縁層の厚み方向の一方面における、ＥＳＣＡ測定での金属元素検出量が、全検出元素のうち、１ａｔｏｍ％以上２０ａｔｏｍ％未満であることを特徴とする、配線回路基板。
2. 前記第１絶縁層の厚み方向の一方面における、ＥＳＣＡ測定でのＣｒ元素検出量およびＭｎ元素検出量の総和が、１０ａｔｏｍ％未満であることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
3. 前記第１絶縁層の厚み方向の一方面に配置される第２絶縁層を、さらに備え、
   前記第１絶縁層の厚み方向の一方面に対する前記第２絶縁層の密着力が、５０ｇｆ／ｃｍ以上であることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。
4. 金属支持層を準備する工程と、
   前記金属支持層上に、ポリイミドを含有する第１絶縁層であって、厚み方向一方面および他方面を有する第１絶縁層であり、第１絶縁層の前記厚み方向を貫通する開口部を有する第１絶縁層を形成する工程と、
   前記開口部に充填される端子であって、厚み方向一方面が一方側に露出される端子と、前記第１絶縁層の前記他方面に配置される配線であって、前記端子に連続する配線と、を有する導体パターンを形成する工程と、
   前記金属支持層を除去する金属支持体除去工程と、
   前記金属支持層の除去により露出された前記第１絶縁層の厚み方向の一方面を、エッチングするエッチング工程と、を含み、
   前記金属支持体除去工程の後で、前記エッチング工程の前において、前記金属支持層の除去により露出された前記第１絶縁層の前記一方面に、前記金属支持体の金属残渣が付着し、
   前記エッチング工程では、前記金属残渣を除去することを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
   

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