JP7317604B2 - 配線回路基板および配線回路基板の製造方法 - Google Patents
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Description
図1および図2を参照して、本発明の配線回路基板の一実施形態としての撮像素子実装基板1(以下、実装基板1とする。)を説明する。
次に、図3A~図3Dを参照して、実装基板1の製造方法について説明する。実装基板1の製造方法は、例えば、金属支持体準備工程と、ベース絶縁層形成工程と、導体パターン形成工程と、カバー絶縁層形成工程と、エッチング工程とを順に含む。
このような実装基板1は、例えば、撮像素子が実装されて、カメラモジュールなどの撮像装置に備えられる。
次に、図5を参照して、撮像ユニット27を備える撮像装置20を説明する。
上記した実施形態では、本発明の配線回路基板として、撮像素子21を実装するための撮像素子実装基板1(実装基板1)を説明しているが、配線回路基板の用途は、これに限定されない。例えば、スマートフォン、パソコン、ゲーム機などに用いられるFPCなどに好適に用いられる。
ステンレスを材料とする金属支持体を準備し、ポリイミド前駆体溶液を金属支持体の上面に塗布し、次いで、80℃で10分乾燥させて、ベース皮膜(ポリイミド前駆体皮膜)を形成した。
参考比較例1と同様にして調製したベース絶縁層を、40℃に調整した硝酸第二セリウムアンモニウム溶液(エッチング液)に、3分間浸漬した。その後、ベース絶縁層を水洗いして乾燥させた。
参考比較例のベース絶縁層の一方面(金属支持体が設けられていた面)および他方面(一方面と逆側の面)と、参考実施例のベース絶縁層の一方面(金属支持体が設けられていた面)とのそれぞれについて、ESCA測定を実施した。
X線源;モノクロ AlKα
X線セッティング;100μmφ[15kV、25W]
光電子取出し角;ベース絶縁層の測定対象面に対して45°
結合エネルギーの補正;C1sスペクトルのC-C結合由来のピークを285.0eVに補正
帯電中和条件;電子中和銃とArイオン銃(中和モード)との併用。
参考比較例のベース絶縁層の一方面および他方面と、参考実施例のベース絶縁層の一方面とのそれぞれに、アンダーフィル層を形成して、ベース絶縁層に対するアンダーフィル層の密着力を測定した。
引張角度;90°(つまり、引張方向は、試料台の径方向)
引張速度;10mm/分
表1に示されるように、ベース絶縁層の一方面におけるESCA測定での金属元素検出量が20atom%未満である参考実施例1は、ベース絶縁層の一方面におけるESCA測定での金属元素検出量が20atom%以上である参考比較例1と比較して、ベース絶縁層に対するアンダーフィル層の密着力が顕著に向上している。
4 ベース絶縁層
4A 一方面
10 第1端子
18 アンダーフィル層
19 金属支持体
Claims (4)
- ポリイミドを含有する第1絶縁層であって、厚み方向一方面および他方面を有する第1絶縁層であり、第1絶縁層の前記厚み方向を貫通する開口部を有する第1絶縁層と、
前記開口部に充填される端子であって、厚み方向一方面が一方側に露出される端子、および、前記第1絶縁層の前記他方面に配置される配線であって、前記端子に連続する配線、を有する導体パターンと、を備え、
前記第1絶縁層の厚み方向の一方面における、ESCA測定での金属元素検出量が、全検出元素のうち、1atom%以上20atom%未満であることを特徴とする、配線回路基板。 - 前記第1絶縁層の厚み方向の一方面における、ESCA測定でのCr元素検出量およびMn元素検出量の総和が、10atom%未満であることを特徴とする、請求項1に記載の配線回路基板。
- 前記第1絶縁層の厚み方向の一方面に配置される第2絶縁層を、さらに備え、
前記第1絶縁層の厚み方向の一方面に対する前記第2絶縁層の密着力が、50gf/cm以上であることを特徴とする、請求項1または2に記載の配線回路基板。 - 金属支持層を準備する工程と、
前記金属支持層上に、ポリイミドを含有する第1絶縁層であって、厚み方向一方面および他方面を有する第1絶縁層であり、第1絶縁層の前記厚み方向を貫通する開口部を有する第1絶縁層を形成する工程と、
前記開口部に充填される端子であって、厚み方向一方面が一方側に露出される端子と、前記第1絶縁層の前記他方面に配置される配線であって、前記端子に連続する配線と、を有する導体パターンを形成する工程と、
前記金属支持層を除去する金属支持体除去工程と、
前記金属支持層の除去により露出された前記第1絶縁層の厚み方向の一方面を、エッチングするエッチング工程と、を含み、
前記金属支持体除去工程の後で、前記エッチング工程の前において、前記金属支持層の除去により露出された前記第1絶縁層の前記一方面に、前記金属支持体の金属残渣が付着し、
前記エッチング工程では、前記金属残渣を除去することを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
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