TW201842406A - 攝像元件安裝基板、其製造方法及安裝基板集合體 - Google Patents

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Abstract

本發明之攝像元件安裝基板係用以安裝攝像元件者，其具有配線區域，該配線區域具備：第1絕緣層；金屬配線，其配置於第1絕緣層之厚度方向一側；及第2絕緣層，其配置於金屬配線之厚度方向一側；且配線區域之等效彈性模數為5 GPa以上且55 GPa以下。

Description

攝像元件安裝基板、其製造方法及安裝基板集合體
本發明係關於一種攝像元件安裝基板、其製造方法及安裝基板集合體。
先前以來，搭載於行動電話等之相機模組等攝像裝置一般具備：光學透鏡；殼體，其收容及保持光學透鏡；CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金氧半導體)感測器或CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)感測器等攝像元件；及攝像元件安裝基板，其用以安裝攝像元件，並將其電性連接於外部配線。於攝像元件安裝基板之大致中央部之上安裝有攝像元件，以包圍攝像元件之方式於攝像元件安裝基板之周端部之上配置有殼體。於專利文獻1中揭示有此種基板。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1：日本專利特開2005-210628號公報
[發明所欲解決之問題] 用於行動電話等之攝像裝置伴隨著行動電話之小型化之要求，而要求更進一步之薄型化(低高度化)。作為攝像裝置之低高度化之方法之一，可列舉攝像元件安裝基板之薄型化。 且說，攝像元件安裝基板一般使用如下2種，即，利用金屬板補強背面整面之較厚之剛性型配線電路基板、及未利用金屬板補強背面整體之較薄之軟性型配線電路基板(FPC)。 FPC由於未利用金屬板補強，故而可較剛性型配線電路基板薄型化。然而，另一方面，由於攝像元件及攝像元件安裝基板之材料互不相同，故而若將具備攝像元件及攝像元件安裝基板之攝像單元置於高溫及低溫反覆之外部環境下，則存在產生熱應變而攝像單元產生翹曲之情形。其結果，導致攝像元件與光學透鏡之位置產生偏移，而產生影像畸變之不良情況。 本發明之目的在於提供一種可薄型化，且可抑制翹曲之發生之攝像元件安裝基板、其製造方法及安裝基板集合體。 [解決問題之技術手段] 本發明[1]包含一種攝像元件安裝基板，其係用以安裝攝像元件者，其具有配線區域，該配線區域具備：第1絕緣層；金屬配線，其配置於第1絕緣層之厚度方向一側；及第2絕緣層，其配置於上述金屬配線之厚度方向一側；且上述配線區域之等效彈性模數為5 GPa以上且55 GPa以下。 根據該攝像元件安裝基板，由於等效彈性模數為5 GPa以上且55 GPa以下，故而將具備攝像元件及攝像元件安裝基板之攝像單元置於高溫及低溫反覆之環境下時，可緩和攝像元件與攝像元件安裝基板之間產生之熱應變，其結果，可減少攝像單元之翹曲。又，由於不需要金屬支持板等支持基板，故而可實現薄型化。 本發明[2]包含如[1]之攝像元件安裝基板，其中上述金屬配線之厚度為1 μm以上且8 μm以下。 根據該攝像元件安裝基板，可進一步減少翹曲，並且可謀求薄膜化。 本發明[3]包含如[1]或[2]之攝像元件安裝基板，其中上述攝像元件安裝基板之總厚度為40 μm以下。 根據該攝像元件安裝基板，可進一步減少翹曲，並且可謀求薄膜化。 本發明[4]包含如[1]至[3]中任一項之攝像元件安裝基板，其中上述配線區域進而具備：金屬屏蔽層，其配置於上述第2絕緣層之厚度方向一側；及第3絕緣層，其配置於上述金屬屏蔽層之厚度方向一側。 根據該攝像元件安裝基板，可利用金屬屏蔽層將自外部產生之電磁波屏蔽，故而可提高攝像裝置之可靠性。 本發明[5]包含如[4]之攝像元件安裝基板，其中上述攝像元件安裝基板具備具有端子及上述金屬配線之導體圖案，上述金屬配線具備接地配線，且上述金屬屏蔽層電性連接於上述接地配線。 根據該攝像元件安裝基板，於第1絕緣層之厚度方向一側配置有接地配線，故而無須另行設置用於接地配線之層。其結果，可謀求攝像元件安裝基板之薄膜化。 本發明[6]包含如[5]之攝像元件安裝基板，其中上述金屬屏蔽層具備傾斜部，該傾斜部於相對於厚度方向傾斜之傾斜方向延伸，且與上述接地配線接觸。 根據該攝像元件安裝基板，以傾斜之方式形成金屬屏蔽層，故而可藉由濺鍍或蒸鍍等而形成金屬屏蔽層。因此，可謀求屏蔽層之薄膜化。 本發明[7]包含如[1]至[6]中任一項之攝像元件安裝基板，其中於上述配線區域中，金屬之合計厚度相對於絕緣層之合計厚度之比率為0.10以上且0.70以下。 根據該攝像元件安裝基板，可進一步減少翹曲，並且可謀求薄膜化。 本發明[8]包含如[7]之攝像元件安裝基板，其中於上述配線區域中，金屬之合計厚度相對於絕緣層之合計厚度之比率為0.20以上且0.70以下。 根據該攝像元件安裝基板，可一面使電氣特性變得良好，一面使配線寬度變窄，故而可提高配線設計之自由度。 本發明[9]包含如[1]至[8]中任一項之攝像元件安裝基板，其進而具備支持體及黏著劑層。 根據該攝像元件安裝基板，可抑制攝像元件安裝基板之污染或黏連。 本發明[10]包含一種安裝基板集合體，其具備複數個如[1]至[9]中任一項之攝像元件安裝基板。 根據該安裝基板集合體，可將複數個攝像元件同時安裝於複數個攝像元件安裝基板，故而生產效率提高。 本發明[11]包含如[10]之安裝基板集合體，其捲繞為捲筒狀。 根據該安裝基板集合體，可利用卷對卷步驟將攝像元件安裝於攝像元件安裝基板，故而生產效率提高。 本發明[12]包含一種攝像元件安裝基板之製造方法，其係如[1]至[9]中任一項之攝像元件安裝基板之製造方法，其具備如下步驟：準備金屬支持板；於上述金屬支持板之厚度方向一側形成第1絕緣層；於上述第1絕緣層之厚度方向一側形成金屬配線；於上述金屬配線之厚度方向一側形成第2絕緣層；及去除上述金屬支持板。 根據該攝像元件安裝基板之製造方法，可製造一種可減少攝像單元之翹曲之攝像元件安裝基板。又，由於在金屬支持板之上製造攝像元件安裝基板，故而容易操作。又，由於在形成攝像元件安裝基板之後去除金屬支持板，故而可謀求攝像元件安裝基板之薄膜化。 本發明[13]包含如[12]之攝像元件安裝基板之製造方法，其於形成上述第2絕緣層之步驟之後且去除上述金屬支持板之步驟之前，進而具備如下步驟：於上述第2絕緣層之厚度方向一側形成金屬屏蔽層；及於上述金屬屏蔽層之厚度方向一側形成第3絕緣層。 根據該製造方法，可製造一種可屏蔽自外部產生之電磁波之攝像元件安裝基板。 [發明之效果] 本發明之攝像元件安裝基板及安裝基板集合體可謀求薄型化，又，可抑制翹曲之產生。本發明之製造方法可確實地製造翹曲之發生得以抑制之薄膜之攝像元件安裝基板。
於圖1中，紙面上下方向係前後方向(第1方向)，紙面上側係前側(第1方向一側)，紙面下側係後側(第1方向另一側)。紙面左右方向係左右方向(與第1方向正交之第2方向)，紙面左側係左側(第2方向一側)，紙面右側係右側(第2方向另一側)。紙面紙厚方向係上下方向(厚度方向，與第1方向及第2方向正交之第3方向)，紙面裏側係上側(厚度方向一側、第3方向一側)，紙面近前側係下側(厚度方向另一側、第3方向另一側)。具體而言，依據各圖之方向箭頭。 ＜第1實施形態＞ 1.攝像元件安裝基板 參照圖1A～圖4，對本發明之攝像元件安裝基板之第1實施形態即攝像元件安裝基板1(以下，亦簡稱為安裝基板)進行說明。 安裝基板1係用以安裝攝像元件21(下述)之軟性配線電路基板(FPC)，尚未具備攝像元件21。如圖1所示，安裝基板1具有向前後方向及左右方向(面方向)延伸之俯視大致矩形(長方形狀)之平板形狀(薄片形狀)。 如圖1所示，安裝基板1具備殼體配置部2、及外部零件連接部3。 殼體配置部2係配置殼體22(下述)或攝像元件21之部分。具體而言，係於殼體22配置於安裝基板1之情形時，於厚度方向上投影時與殼體22重疊之部分。於殼體配置部2之大致中央部配置有複數個用以與攝像元件21電性連接之攝像元件連接端子10(下述)。殼體配置部2不具有下述金屬支持板19。 外部零件連接部3係除殼體配置部2以外之區域，且係用以與外部零件連接之部分。外部零件連接部3係以外部零件連接部3之前端緣與殼體配置部2之後端緣連續之方式配置於殼體配置部2之後側。於外部零件連接部3之後端緣配置有複數個用以與外部零件電性連接之外部零件連接端子11(下述)。如圖2所示，安裝基板1具備作為第1絕緣層之基底絕緣層4、導體圖案5、及作為第2絕緣層之覆蓋絕緣層6。較佳為安裝基板1僅由基底絕緣層4、導體圖案5及覆蓋絕緣層6構成。 基底絕緣層4構成安裝基板1之外形，且形成為仰視大致矩形狀。基底絕緣層4之下表面係以變得平坦之方式形成。於基底絕緣層4形成有複數個攝像元件開口部7、及複數個外部零件開口部8。 複數個攝像元件開口部7係用以使攝像元件連接端子10自下表面露出之開口部。複數個攝像元件開口部7係以成為矩形框狀之方式，相互隔開間隔而排列配置於殼體配置部2之中央部。攝像元件開口部7於厚度方向貫通基底絕緣層4，且具有仰視大致圓形狀。攝像元件開口部7具有隨著朝向下側而截面面積變小之錐形形狀。 複數個外部零件開口部8係用以使外部零件連接端子11自下表面露出之開口部。外部零件開口部8於左右方向相互隔開間隔而排列配置於外部零件連接部3之後端緣。外部零件開口部8於厚度方向貫通基底絕緣層4，且具有仰視大致矩形狀(長方形狀)。外部零件開口部8係以於仰視下自外部零件連接部3之後端緣向前側延伸之方式形成。 基底絕緣層4係由絕緣性材料形成。作為絕緣性材料，例如，可列舉：聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、丙烯酸系樹脂、聚醚腈樹脂、聚醚碸樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、聚氯乙烯樹脂等合成樹脂等。較佳為基底絕緣層4由聚醯亞胺樹脂形成。 作為聚醯亞胺樹脂，例如，可列舉：日本專利特開平07-179604號公報、日本專利特開2010-276775號公報、日本專利特開2013-100441號公報等所記載之材料。 基底絕緣層4之彈性模數例如為1 GPa以上，較佳為5 GPa以上，又，例如為20 GPa以下，較佳為15 GPa以下。絕緣層等樹脂層之彈性模數例如可藉由動態黏彈性測定，依據JIS K7244或ISO 6721而進行測定。 基底絕緣層4之熱膨脹係數例如為1 ppm/K以上，較佳為5 ppm/K以上，又，例如為50 ppm/K以下，較佳為30 ppm/K以下。絕緣層等樹脂層之熱膨脹係數係面方向之線熱膨脹係數，例如可藉由熱機械分析，於JIS K7197之條件下進行測定。 基底絕緣層4之厚度T1 例如為1 μm以上，較佳為5 μm以上，又，例如為30 μm以下，較佳為10 μm以下，更佳為8 μm以下。 導體圖案5係以與基底絕緣層4之上表面接觸之方式設置於基底絕緣層4之上側。導體圖案5具備複數個攝像元件連接端子10、複數個外部零件連接端子11、及複數個金屬配線9。 複數個攝像元件連接端子10係以成為矩形框狀之方式，相互隔開間隔而排列配置於殼體配置部2之中央部。即，複數個攝像元件連接端子10係以與所安裝之攝像元件21之複數個端子25(下述)對應之方式設置。又，複數個攝像元件連接端子10係與複數個攝像元件開口部7對應地設置。攝像元件連接端子10具有仰視大致圓形狀。攝像元件連接端子10係以於側剖面觀察時向下側凸出之方式形成。具體而言，攝像元件連接端子10一體地具備：外周部12，其配置於攝像元件開口部7之外周；及內側部13，其以自外周部12向內側凹陷之方式配置於攝像元件開口部7內。內側部13之下表面(露出面)係自攝像元件開口部7露出，且以變得平坦之方式形成。又，內側部13之下表面係以與基底絕緣層4之下表面成為同一平面之方式形成。 複數個外部零件連接端子11於左右方向相互隔開間隔而排列配置於外部零件連接部3之後端緣。即，係以與外部零件之複數個端子(未圖示)對應之方式設置。又，複數個外部零件連接端子11係與複數個外部零件開口部8對應地設置。外部零件連接端子11具有俯視大致矩形狀(長方形狀)。外部零件連接端子11配置於外部零件開口部8內，其下表面自外部零件開口部8露出。 複數個金屬配線9具備複數個連接配線14及複數個接地配線15。 複數個連接配線14係用以流通電氣信號之配線，係以與複數個攝像元件連接端子10及複數個外部零件連接端子11對應之方式設置。具體而言，連接配線14以將攝像元件連接端子10與外部零件連接端子11連接之方式與其等一體地形成。即，連接配線14之一端與攝像元件連接端子10連續，連接配線14之另一端與外部零件連接端子11連續，而將其等電性連接。 複數個接地配線15係以與複數個連接配線14對應之方式設置。具體而言，複數個接地配線15以沿著複數個連接配線14之方式設置於複數個連接配線14之外側。於接地配線15之一端一體地連接有未圖示之接地端子。 再者，將安裝基板1於厚度方向上投影時存在金屬配線9之俯視或仰視之區域設為配線區域16。 作為導體圖案5之材料，例如，可列舉銅、銀、金、鎳或包含其等之合金、焊料等金屬材料。可較佳地列舉銅。 導體圖案5之彈性模數例如為50 GPa以上，較佳為100 GPa以上，又，例如為200 GPa以下，較佳為150 GPa以下。導體圖案等金屬之彈性模數例如可藉由拉伸試驗測定，依據JIS Z 2241而進行測定。 導體圖案5之熱膨脹係數例如為1 ppm/K以上，較佳為5 ppm/K以上，又，例如為30 ppm/K以下，較佳為20 ppm/K以下。導體圖案等金屬之熱膨脹係數係面方向之線熱膨脹係數，例如可藉由熱機械分析裝置或光掃描式測定裝置，依據JIS Z 2285而進行測定。 導體圖案5之熱膨脹係數與基底絕緣層4之熱膨脹係數之差例如為20 ppm/K以下，較佳為10 ppm/K以下，更佳為5 ppm/K以下。藉由將其等之熱膨脹係數之差設為上述範圍，而可於回焊等攝像元件安裝步驟中抑制安裝基板1之翹曲，故而可容易地將攝像元件21安裝於安裝基板1。 就翹曲之抑制及操作性之觀點而言，導體圖案5(金屬配線9、各連接端子10、11)之厚度T2 例如為1 μm以上，較佳為3 μm以上，又，例如為15 μm以下，較佳為10 μm以下，更佳為8 μm以下。 於金屬配線9中，連接配線14之寬度例如為5 μm以上，較佳為10 μm以上，又，例如為200 μm以下，較佳為100 μm以下，更佳為50 μm以下。 接地配線15之寬度例如為50 μm以上，較佳為100 μm以上，又，例如為5000 μm以下，較佳為3000 μm以下，更佳為1000 μm以下。 覆蓋絕緣層6係以被覆導體圖案5之方式設置於基底絕緣層4及導體圖案5之上側。即，覆蓋絕緣層6係以與導體圖案5之上表面及側面、以及自導體圖案5露出之基底絕緣層4之上表面接觸之方式配置。覆蓋絕緣層6之外形係以除外部零件連接端子11之形成部分以外，與基底絕緣層4相同之方式形成。 覆蓋絕緣層6係由與上文就基底絕緣層4所敍述之絕緣性材料同樣之絕緣性材料形成，較佳為由聚醯亞胺樹脂形成。 覆蓋絕緣層6之彈性模數例如為1 GPa以上，較佳為5 GPa以上，又，例如為20 GPa以下，較佳為15 GPa以下。 覆蓋絕緣層6之熱膨脹係數例如為1 ppm/K以上，較佳為5 ppm/K以上，又，例如為50 ppm/K以下，較佳為30 ppm/K以下。 覆蓋絕緣層6之熱膨脹係數與導體圖案5之熱膨脹係數之差例如為20 ppm/K以下，較佳為10 ppm/K以下，更佳為5 ppm/K以下。藉由將其等之熱膨脹係數之差設為上述範圍，而可於回焊等攝像元件安裝步驟中抑制安裝基板1之翹曲，故而可容易地將攝像元件21安裝於安裝基板1。 覆蓋絕緣層6之厚度T3 例如為1 μm以上，較佳為2 μm以上，又，例如為30 μm以下，較佳為10 μm以下，更佳為5 μm以下。 安裝基板1之配線區域16中之等效彈性模數為5 GPa以上且55 GPa以下。較佳為10 GPa以上，又，較佳為50 GPa以下，更佳為40 GPa以下，進而較佳為30 GPa以下，尤佳為20 GPa以下。藉由將配線區域16之等效彈性模數設為上述範圍，可抑制翹曲之發生。又，安裝基板1之操作性優異。 等效彈性模數D係將構成配線區域16之各層(基底絕緣層4、金屬配線9、覆蓋絕緣層6)之彈性模數之各者乘以其各層之厚度分率，並將其等相加而得者。具體而言，於圖1之實施形態中，由下述計算式獲得。 D＝{D1 ×T1 ＋D2 ×T2 ＋D3 ×T3 }/{T1 ＋T2 ＋T3 } D1 表示基底絕緣層4之彈性模數，T1 表示基底絕緣層4之厚度。 D2 表示金屬配線9之彈性模數，T2 表示金屬配線9之厚度。 D3 表示覆蓋絕緣層6之彈性模數，T3 表示覆蓋絕緣層6之厚度。 再者，上述等效彈性模數D係根據積層有第1層及第2層之平行平板模型中之Voigt定律：Ey ＝V1 E1 ＋V2 E2 (Ey 表示整體之楊氏模數，V1 表示第1層之體積，E1 表示第1層之材料之楊氏模數，V2 表示第2層之體積，E2 表示第2層之材料之楊氏模數)近似地導出。 於配線區域16中，金屬之合計厚度相對於絕緣層之合計厚度之比率、即金屬配線9之厚度相對於基底絕緣層4及覆蓋絕緣層6之合計厚度之比率(T2 /(T1 ＋T3 ))例如為0.05以上，較佳為0.10以上，更佳為0.20以上，又，例如為0.90以下，較佳為0.70以下，更佳為0.50以下，進而較佳為0.20以下。藉由將上述比率設為上述範圍，可容易地將等效彈性模數調整為適當之範圍(例如為5 GPa以上且55 GPa以下)，其結果，可更確實地抑制翹曲之發生。此外，藉由將上述比率設為0.20以上且0.70以下之範圍，可一面使金屬配線9之電氣特性變得良好，一面更確實地使連接配線14之配線寬度變窄。因此，可提高配線設計之自由度，即便導體圖案5之數量(層數)較少，亦可作為安裝基板1而發揮功能。 就翹曲之抑制及操作性之觀點而言，金屬之總厚度(最大厚度：於圖2中，為金屬配線9之厚度)例如為15 μm以下，較佳為10 μm以下，更佳為8 μm以下，又，例如為1 μm以上。 就翹曲之抑制及操作性之觀點而言，安裝基板1之總厚度(最大厚度)例如為50 μm以下，較佳為40 μm以下，更佳為30 μm以下，進而較佳為20 μm以下，尤佳為10 μm以下，又，例如為1 μm以上，較佳為5 μm以上。 2.攝像元件安裝基板之製造方法 如圖3A～圖3H所示，安裝基板1例如藉由依序實施金屬支持板準備步驟、基底絕緣層形成步驟、金屬薄膜形成步驟、光阻形成步驟、導體圖案形成步驟、光阻、金屬薄膜去除步驟、覆蓋絕緣層形成步驟、及金屬支持板去除步驟而獲得。 於金屬支持板準備步驟中，如圖3A所示，準備金屬支持板19。 金屬支持板19例如由不鏽鋼、42合金、鋁、銅合金等金屬材料形成。較佳為由不鏽鋼形成。 金屬支持板19之厚度例如為5 μm以上，較佳為10 μm以上，例如為50 μm以下，較佳為30 μm以下。 金屬支持板19之上表面係以變得平坦(平滑)之方式形成。 於基底絕緣層形成步驟中，如圖3B所示，於金屬支持板19之上表面形成基底絕緣層4。即，於金屬支持板19之上表面形成具有開口部(攝像元件開口部7及外部零件開口部8)之基底絕緣層4。 具體而言，將感光性之絕緣性材料之清漆(例如，感光性聚醯亞胺)塗佈於金屬支持板19之上表面整面並使其乾燥，而形成基底皮膜(基底絕緣層)。其後，經由具有與開口部(攝像元件開口部7及外部零件開口部8)對應之圖案之光罩而將基底皮膜曝光。其後，將基底皮膜顯影，並視需要將其加熱硬化。 於金屬薄膜形成步驟中，如圖3C所示，於基底絕緣層4之上表面、及自開口部7露出之金屬支持板19之上表面形成金屬薄膜17(種膜)。 作為金屬薄膜17，使用銅、鉻、鎳及其等之合金等金屬材料。 金屬薄膜17例如藉由對形成於金屬支持板19之上之基底絕緣層4實施濺鍍、鍍覆等薄膜形成方法而形成。較佳為藉由濺鍍而形成金屬薄膜17。 金屬薄膜17之厚度例如為10 nm以上且300 nm以下。 於光阻形成步驟中，如圖3D所示，於金屬薄膜17形成光阻18。即，形成具有與導體圖案5對應之開口部之光阻18。 具體而言，於金屬薄膜之上表面整面配置乾膜光阻。其後，經由具有與導體圖案5對應之圖案之光罩而將乾膜光阻曝光。其後，將乾膜光阻顯影，並視需要將其加熱硬化，藉此，以抗鍍覆層之形式形成光阻18。 藉此，使與導體圖案5對應之部分之金屬薄膜17自光阻18露出。 於導體圖案形成步驟中，如圖3E所示，於自光阻18露出之金屬薄膜17之表面形成導體圖案5。 具體而言，例如，自金屬薄膜17實施供電之電鍍。 藉此，形成具有攝像元件連接端子10、外部零件連接端子11及金屬配線9之導體圖案5。再者，與導體圖案5對應之金屬薄膜17與藉由電鍍所獲得之鍍覆層28一體化，與鍍覆層28一同形成導體圖案5。即，雖然於圖3D～圖3H中，攝像元件連接端子10及金屬配線9分別以成為鍍覆層28及金屬薄膜17之2層之方式圖示，但其等亦可完全一體化而成為一層(參照圖2)。 於光阻、金屬薄膜去除步驟中，如圖3F所示，去除光阻18及金屬薄膜17。 具體而言，首先，去除殘留之光阻18。例如，藉由濕式蝕刻而去除。其後，去除與殘留之光阻18對向之金屬薄膜17。例如，藉由剝離或濕式蝕刻而去除。 覆蓋絕緣層形成步驟如圖3G所示，係於導體圖案5及基底絕緣層4之上表面配置覆蓋絕緣層6。 具體而言，例如，與基底絕緣層形成步驟同樣地實施。 藉此，以被金屬支持板19支持之狀態獲得具備基底絕緣層4、導體圖案5、及覆蓋絕緣層6之安裝基板1。 於金屬支持板去除步驟中，如圖3H所示，去除金屬支持板19。 作為去除方法，例如，可列舉：將金屬支持板19自安裝基板1之下表面剝離之方法、藉由濕式蝕刻而對金屬支持板19進行處理之方法等。 藉此，獲得具備基底絕緣層4、導體圖案5、及覆蓋絕緣層6之安裝基板1。 此種安裝基板1例如用於用以安裝攝像元件之配線電路基板。即，安裝基板1用於相機模組等攝像裝置。 3.攝像裝置 參照圖4，對具備安裝基板1之攝像裝置20進行說明。 攝像裝置20具備安裝基板1、攝像元件21、殼體22、光學透鏡23、及濾光片24。 安裝基板1係與圖2之狀態上下反轉而使用。即，安裝基板1係以將基底絕緣層4設為上側且將覆蓋絕緣層6設為下側之方式配置。 攝像元件21係將光轉換為電氣信號之半導體元件，例如可列舉CMOS感測器、CCD感測器等固體攝像元件。 攝像元件21形成為俯視大致矩形之平板形狀，雖未圖示，但其具備Si基板等矽、以及配置於其上之光電二極體(光電轉換元件)及彩色濾光片。於攝像元件21之下表面設置有複數個與安裝基板1之攝像元件連接端子10對應之端子25。 攝像元件21(尤其是Si基板)之彈性模數例如為100 GPa以上，較佳為120 GPa以上，又，例如為200 GPa以下，較佳為150 GPa以下。攝像元件21之彈性模數例如可藉由拉伸試驗測定，依據JIS Z 2241而進行測定。 攝像元件21(尤其是Si基板)之熱膨脹係數例如為1 ppm/K以上，較佳為2 ppm/K以上，又，例如為10 ppm/K以下，較佳為5 ppm/K以下。攝像元件21之熱膨脹係數係面方向之線熱膨脹係數，例如可藉由熱機械分析裝置或光掃描式測定裝置，依據JIS Z 2285而進行測定。 攝像元件21之厚度例如為10 μm以上，較佳為50 μm以上，又，例如為1000 μm以下，較佳為500 μm以下。 攝像元件21安裝於安裝基板1。即，攝像元件21之端子25係與所對應之安裝基板1之攝像元件連接端子10經由焊料凸塊26等而覆晶安裝。藉此，攝像元件21配置於安裝基板1之殼體配置部2之中央部，且與安裝基板1之攝像元件連接端子10及外部零件連接端子11電性連接。 攝像元件21藉由安裝於安裝基板1，而構成攝像單元27。即，攝像單元27具備安裝基板1、及安裝於其之攝像元件21。 殼體22係以與攝像元件21隔開間隔地將其包圍之方式配置於安裝基板1之殼體配置部2。殼體22具有俯視大致矩形狀之筒狀。於殼體22之上端設置有用以固定光學透鏡23之固定部。 光學透鏡23係與安裝基板1及攝像元件21隔開間隔而配置於安裝基板1之上側。光學透鏡23形成為俯視大致圓形狀，以來自外部之光到達攝像元件21之方式由固定部固定。 濾光片24係與攝像元件21及光學透鏡23隔開間隔而配置於攝像元件21及光學透鏡23之上下方向中央，且固定於殼體22。 並且，該安裝基板1具有配線區域16，該配線區域16具備基底絕緣層4、配置於基底絕緣層4之上側之金屬配線9、及配置於金屬配線9之上側之覆蓋絕緣層6。配線區域16之等效彈性模數為5 GPa以上且55 GPa以下。 因此，將攝像單元27置於高溫及低溫反覆之環境下時，可緩和攝像元件21與安裝基板1之間產生之熱應變，其結果，可減少攝像單元27之翹曲。 關於先前之安裝基板(FPC基板)，配線區域之熱膨脹係數超過15 ppm/K。另一方面，攝像元件由於具備Si基板等，故而其熱膨脹係數一般未達10 ppm/K。由於其等之熱膨脹係數存在差，故而若藉由熱處理而將攝像元件安裝於安裝基板，則安裝基板會產生大幅之翹曲。 與此相對，關於該安裝基板1，配線區域16之等效彈性模數為5 GPa以上且55 GPa以下。因此，針對熱循環(例如，溫度差50℃以上)，安裝基板1可配合攝像元件21之熱膨脹而柔軟地變形。其結果，可抑制翹曲之發生。 又，由於不需要金屬支持板等支持體，故而可實現薄型化。 又，由於供安裝基板1安裝之表面較平坦，即，如圖1所示，基底絕緣層4之下表面較平坦，故而基底絕緣層4之下表面與攝像元件連接端子10之露出面(內側部13)為同一平面。因此，安裝攝像元件21時，可抑制攝像元件21之端子25與基底絕緣層4之凸部發生碰撞。其結果，容易安裝。 又，由於安裝基板1不需要丙烯酸系接著劑等接著劑層，故而可抑制由濕熱所導致之接著劑層之劣化，耐濕熱性優異。 根據該安裝基板1之製造方法，其具備準備金屬支持板19之步驟、於金屬支持板19之上表面形成基底絕緣層4之步驟、於基底絕緣層4之上表面形成金屬配線9之步驟、於金屬配線9之上表面形成覆蓋絕緣層6之步驟、及去除金屬支持板19之步驟。 即，於較硬之金屬支持板19之上製造安裝基板1，故而容易操作。又，即便使基底絕緣層4之厚度變薄，由於金屬支持板19支持基底絕緣層4，故而亦可確實地將金屬配線9或覆蓋絕緣層6配置於基底絕緣層4之上。其結果，可謀求基底絕緣層4之薄膜化、進而安裝基板1之薄膜化。 又，只要使用感光性之絕緣性材料形成基底絕緣層4或覆蓋絕緣層6，則於基底絕緣層4、導體圖案5及覆蓋絕緣層6之各者之間無需接著劑層便可將其等積層。因此，可謀求耐熱性之提高、及更進一步之薄膜化。 4.安裝基板集合體 安裝基板1於工業上係以複數個安裝基板1之集合體之形式製造及使用。如圖5所示，安裝基板集合體50具有於面方向延伸之俯視大致矩形(大致正方形狀)之平板形狀(薄片形狀)，具備複數個(9個)安裝基板1及邊緣部51。 複數個安裝基板1於前後方向及左右方向隔開間隔而均等地排列配置。 邊緣部51係除複數個安裝基板1以外之部分，其配置於相鄰之安裝基板1之間、及配置於外側之安裝基板1之外側。邊緣部51至少具備基底絕緣層4及覆蓋絕緣層6。 於安裝基板集合體50中，等間隔地配置之複數個(9個)安裝基板1及邊緣部51構成一個集合部52。 根據該安裝基板集合體50，藉由將複數個攝像元件21同時安裝於複數個安裝基板1，可同時製造攝像單元27。因此，攝像裝置20之生產效率提高。 安裝基板集合體50可藉由如下方法而製造，即，於金屬支持板準備步驟中，準備可配置複數個安裝基板1之大小之金屬支持板19，利用與上述安裝基板1之製造方法同樣之步驟同時製造複數個安裝基板1，於金屬支持板去除步驟中，將金屬支持板19去除。 5.變化例 於圖2所示之實施形態之安裝基板1中，金屬配線9具備接地配線15，例如，雖未圖示，但亦可不具備接地配線15。即，金屬配線9亦可僅由連接配線14構成。 於圖2所示之實施形態之安裝基板1中，例如，雖未圖示，但金屬配線9亦可具備電源配線等其他配線。再者，存在電源配線之區域亦為配線區域16。 於圖4所示之實施形態之攝像裝置20中，攝像元件21覆晶安裝於安裝基板1，例如，雖未圖示，但攝像元件21亦可藉由打線接合而安裝於安裝基板1。 圖2所示之安裝基板1不具備黏著劑層及支持體，但例如，如圖6所示，安裝基板1亦可具備黏著劑層60及支持體61。 具體而言，圖6所示之安裝基板1具備：黏著劑層60，其配置於基底絕緣層4之下表面；及支持體61，其配置於黏著劑層60之下表面。黏著劑層60及支持體61係於安裝基板1之搬送時或保存時配置於安裝基板1者，於攝像元件21之安裝時或安裝基板1之使用時被剝離。 作為黏著劑層60，例如，可列舉雙面黏著帶等公知之黏著劑層。 作為支持體61，例如，可列舉表面保護膜、脫模膜等公知之膜。 又，作為黏著劑層60及支持體61之積層體，亦可列舉公知之紫外線剝離帶等。 根據圖6所示之安裝基板1，於安裝基板1之搬送時或保存時，可抑制安裝基板1之污染或黏連。 又，於安裝基板1中，亦可如圖6之假想線所示，除了基底絕緣層4之下表面以外，或者代替基底絕緣層4之下表面，而於基底絕緣層4之上表面具備黏著劑層60及支持體61。 於圖5所示之安裝基板集合體50中，包含一個集合部52，但例如，如圖7所示，安裝基板集合體50亦可具備複數個(9個)集合部52。再者，雖未圖示，但圖5及圖7所示之一個集合部52內之安裝基板1、及集合部52之數量不受限定，例如，分別可為8個以下，亦可為10個以上。 圖5所示之安裝基板集合體50係形成為俯視大致正方形狀之薄片(單片)，但例如，如圖8所示，安裝基板集合體50亦可沿一個方向形成為長條之薄片，且捲繞為捲筒狀。 根據圖8所示之安裝基板集合體50，可藉由卷對卷步驟而製造攝像單元27，故而攝像裝置20之生產效率提高。 ＜第2實施形態＞ 參照圖9，對安裝基板之第2實施形態進行說明。再者，於第2實施形態之安裝基板1中，對與上述圖2所示之第1實施形態同樣之構件標註同樣之符號，並省略其說明。 於第1實施形態中，安裝基板1僅具備基底絕緣層4、導體圖案5及覆蓋絕緣層6，但如圖9所示，第2實施形態進而具備第2導體圖案30、及作為第3絕緣層之第2覆蓋絕緣層31。 即，第2實施形態具備基底絕緣層4、導體圖案(第1導體圖案)5、覆蓋絕緣層(第1覆蓋絕緣層)6、第2導體圖案30、及第2覆蓋絕緣層31。較佳為第2實施形態僅由基底絕緣層4、導體圖案5、覆蓋絕緣層6、第2導體圖案30及第2覆蓋絕緣層31構成。 第2導體圖案30係以與覆蓋絕緣層6之上表面接觸之方式設置於覆蓋絕緣層6之上側。第2導體圖案30具備複數個第2攝像元件連接端子(未圖示)、複數個第2外部零件連接端子(未圖示)、及複數個第2金屬配線32。 複數個第2攝像元件連接端子係以自形成於基底絕緣層4之第2連接元件連接端子開口部(未圖示)露出之方式形成。 複數個第2外部零件連接端子係以自形成於基底絕緣層4之第2外部零件連接端子開口部(未圖示)露出之方式形成。 複數個第2金屬配線32具備複數個第2連接配線33及複數個第2接地配線34。複數個第2連接配線33係以對應於複數個第2攝像元件連接端子及複數個第2外部零件連接端子而將其等連接之方式設置。複數個第2接地配線34係以與複數個第2連接配線33對應之方式設置。 第2導體圖案30之材料、彈性模數及熱膨脹係數分別與導體圖案5之材料、彈性模數及熱膨脹係數同樣。 第2導體圖案30之厚度T4 、及第2金屬配線32之寬度分別與導體圖案5之厚度T2 、及金屬配線9之寬度同樣。 第2覆蓋絕緣層31係以被覆第2導體圖案30之方式設置於覆蓋絕緣層6及第2導體圖案30之上側。即，第2覆蓋絕緣層31係以與第2導體圖案30之上表面及側面、以及自第2導體圖案30露出之覆蓋絕緣層6之上表面接觸之方式配置。第2覆蓋絕緣層31之外形形成為與基底絕緣層4相同。 第2覆蓋絕緣層31之材料、彈性模數、熱膨脹係數及厚度T5 分別與覆蓋絕緣層6之材料、彈性模數、熱膨脹係數及厚度T3 同樣。 再者，將安裝基板1於厚度方向上投影時存在金屬配線9及第2金屬配線32中之至少一者之俯視或仰視之區域設為配線區域16(但是，於厚度方向上投影時存在攝像元件連接端子10或第2攝像元件連接端子等端子之端子區域除外)。 再者，第2實施形態之等效彈性模數D與第1實施形態之等效彈性模數D同樣，為5 GPa以上且55 GPa以下。較佳為10 GPa以上，又，較佳為50 GPa以下。於積層有基底絕緣層4、導體圖案5(金屬配線9)、覆蓋絕緣層6、第2導體圖案30(第2金屬配線32)、及第2覆蓋絕緣層31之配線區域，第2實施形態之等效彈性模數D由下述式表示。 D＝{D1 ×T1 ＋D2 ×T2 ＋D3 ×T3 ＋D4 ×T4 ＋D5 ×T5 }/{T1 ＋T2 ＋T3 ＋T4 ＋T5 } D4 表示第2金屬配線32之彈性模數，T4 表示第2金屬配線32之厚度。 D5 表示第2覆蓋絕緣層31之彈性模數，T5 表示第2覆蓋絕緣層31之厚度。 又，於配線區域16中，金屬之合計厚度相對於絕緣層之合計厚度之比率、即金屬配線9及第2金屬配線32之合計厚度相對於基底絕緣層4、覆蓋絕緣層6及第2覆蓋絕緣層31之合計厚度之比率(T2 ＋T4 /(T1 ＋T3 ＋T5 ))例如為0.05以上，較佳為0.10以上，更佳為0.20以上，又，例如為0.90以下，較佳為0.70以下。 金屬之總厚度(金屬配線9及第2金屬配線32之合計厚度)亦與第1實施形態之總厚度同樣。 第2實施形態之安裝基板1可藉由如下方法而製造，即，以被金屬支持板19支持之狀態獲得第1實施形態之安裝基板1之後，於第1覆蓋絕緣層6之上表面依序形成第2導體圖案30及第2覆蓋絕緣層31，繼而，將金屬支持板19去除。 關於第2實施形態，亦發揮與第1實施形態同樣之作用效果。又，關於第2實施形態，亦可應用與第1實施形態同樣之變化例。 ＜第3實施形態＞ 參照圖10，對安裝基板之第3實施形態進行說明。再者，於第3實施形態之安裝基板1中，對與上述圖2、圖9等所示之第1～2實施形態同樣之構件標註同樣之符號，並省略其說明。 於第1實施形態中，安裝基板1僅具備基底絕緣層4、導體圖案5及覆蓋絕緣層6，但例如，如圖10所示，第3實施形態之安裝基板1進而具備金屬屏蔽層40、及作為第3絕緣層之第2覆蓋絕緣層31。較佳為，第3實施形態僅由基底絕緣層4、導體圖案5、覆蓋絕緣層6、金屬屏蔽層40及第2覆蓋絕緣層31構成。 即，第3實施形態具備基底絕緣層4、導體圖案5、覆蓋絕緣層(第1覆蓋絕緣層)6、金屬屏蔽層40、及第2覆蓋絕緣層31。 金屬屏蔽層40係以與覆蓋絕緣層6之上表面接觸之方式配置於覆蓋絕緣層6之上側。金屬屏蔽層40係屏蔽來自外部之電磁波之層，其形成為於面方向(前後方向及左右方向)延伸之片狀。 金屬屏蔽層40與接地配線15電性連接。即，金屬屏蔽層40與接地配線15連續。具體而言，金屬屏蔽層40於與接地配線15對向之部分具備接觸部41，該接觸部41具有向下側凸出之形狀，且與接地配線15之上表面接觸。 接觸部41具備：平坦部42，其與接地配線15直接接觸；及傾斜部43，其以與平坦部42之周圍連續之方式一體地配置。 平坦部42係形成為於面方向延伸之平板狀。 傾斜部43在與上下方向及面方向交叉(傾斜)之傾斜方向延伸。 於側剖面觀察時，平坦部42與傾斜部43所成之角度例如為100°以上，較佳為120°以上，又，例如為170°以下，較佳為160°以下。 藉此，金屬屏蔽層40經由接地配線15而接地。 金屬屏蔽層40包含金屬導體，例如使用銅、鉻、鎳、金、銀、鉑、鈀、鈦、鉭、焊料、或其等之合金等金屬材料。可較佳地列舉銅。 金屬屏蔽層40之厚度T6 例如為0.05 μm以上，較佳為0.1 μm以上，又，例如為3 μm以下，較佳為1 μm以下。 第2覆蓋絕緣層31係以被覆金屬屏蔽層40之方式設置於金屬屏蔽層40之上側。第2覆蓋絕緣層31之外形形成為與覆蓋絕緣層6相同。 第3實施形態中之第2覆蓋絕緣層31之材料、彈性模數、熱膨脹係數及厚度T5 分別與第2實施形態中之第2覆蓋絕緣層31同樣，即，與覆蓋絕緣層6之材料、彈性模數、熱膨脹係數及厚度T3 同樣。 再者，第3實施形態之等效彈性模數D與第1實施形態之等效彈性模數D同樣，為5 GPa以上且55 GPa以下。較佳為10 GPa以上，又，較佳為50 GPa以下。於積層有基底絕緣層4、導體圖案5(金屬配線9)、覆蓋絕緣層6、金屬屏蔽層40、及第2覆蓋絕緣層31之配線區域，第3實施形態之等效彈性模數D由下述式表示。 D＝{D1 ×T1 ＋D2 ×T2 ＋D3 ×T3 ＋D6 ×T6 ＋D5 ×T5 }/{T1 ＋T2 ＋T3 ＋T6 ＋T5 } D6 表示金屬屏蔽層40之彈性模數，T6 表示金屬屏蔽層40之厚度。 又，於配線區域16中，金屬之合計厚度相對於絕緣層之合計厚度之比率、即金屬配線9及金屬屏蔽層40之合計厚度相對於基底絕緣層4、覆蓋絕緣層6及第2覆蓋絕緣層31之合計厚度之比率(T2 ＋T6 /(T1 ＋T3 ＋T5 ))例如為0.05以上，較佳為0.10以上，更佳為0.20以上，又，例如為0.90以下，較佳為0.70以下。 金屬之總厚度(金屬配線9及金屬屏蔽層40之合計厚度)亦與第1實施形態之總厚度同樣。 第3實施形態之安裝基板1可藉由如下方法而製造，即，以由金屬支持板19支持之狀態獲得第1實施形態之安裝基板1之後，於第1覆蓋絕緣層6之上表面依序形成金屬屏蔽層40及第2覆蓋絕緣層31，繼而，將金屬支持板19去除。 即，實施金屬支持板準備步驟、基底絕緣層形成步驟、金屬薄膜形成步驟、光阻形成步驟、導體圖案形成步驟、光阻、金屬薄膜去除步驟、覆蓋絕緣層形成步驟、屏蔽層形成步驟、第2覆蓋絕緣層形成步驟、及金屬支持板去除步驟。 金屬支持板準備步驟、基底絕緣層形成步驟、金屬薄膜形成步驟、光阻形成步驟、導體圖案形成步驟、及光阻、金屬薄膜去除步驟與第1實施形態同樣(參照圖3A～圖3G)。 於覆蓋絕緣層形成步驟中，如圖11A所示，於導體圖案5及基底絕緣層4之上表面配置覆蓋絕緣層(第1覆蓋絕緣層)6。 此時，以導體圖案5之接地配線15之上表面露出之方式形成具有接地開口部44之覆蓋絕緣層6。又，以接地開口部44於側剖面觀察時成為朝向下側而寬度變狹之錐形形狀之方式形成覆蓋絕緣層6。具體而言，例如，與基底絕緣層形成步驟同樣地實施。 於屏蔽層形成步驟中，如圖11B所示，於覆蓋絕緣層6之上形成金屬屏蔽層40。 關於金屬屏蔽層40之形成，可列舉例如電鍍、無電解鍍覆等鍍覆法、例如濺鍍法、蒸鍍法、離子鍍法、例如利用導電膏之塗佈法。就薄膜化之觀點而言，可較佳地列舉濺鍍、蒸鍍法，可更佳地列舉濺鍍。 如圖11C所示，第2覆蓋絕緣層形成步驟係於金屬屏蔽層40之上表面配置第2覆蓋絕緣層31。具體而言，與基底絕緣層形成步驟同樣地實施。 藉此，以被金屬支持板19支持之狀態獲得具備基底絕緣層4、導體圖案5、覆蓋絕緣層6、金屬屏蔽層40、及第2覆蓋絕緣層31之安裝基板1。 於金屬支持板去除步驟中，如圖11D所示，將金屬支持板19去除。具體而言，可列舉與第1實施形態同樣之方法。 藉此，獲得具備基底絕緣層4、導體圖案5、覆蓋絕緣層6、金屬屏蔽層40、及第2覆蓋絕緣層31之安裝基板1。 關於第3實施形態，亦發揮與第1實施形態同樣之作用效果。又，關於第3實施形態，亦可應用與第1實施形態同樣之變化例。 又，於第3實施形態中，配線區域16具備：金屬屏蔽層40，其配置於覆蓋絕緣層6之上側；及第2覆蓋絕緣層31，其配置於金屬屏蔽層40之上側。因此，可利用金屬屏蔽層40將自外部產生之電磁波屏蔽，故而可提高攝像裝置20之可靠性。 又，金屬配線9具備連接配線14及接地配線15，且金屬屏蔽層40電性連接於接地配線15。 因此，於基底絕緣層4之上表面，即，於與連接配線14相同之上下方向位置配置有接地配線15。因此，無須另行設置用以設置接地配線15之層。其結果，可謀求安裝基板1之薄膜化。 又，金屬屏蔽層40具備傾斜部43，該傾斜部43在與上下方向及面方向傾斜之傾斜方向延伸，且與接地配線15接觸。即，金屬屏蔽層40係以其一部分傾斜之方式形成。因此，可藉由濺鍍或蒸鍍等而形成金屬屏蔽層40。即，可將金屬屏蔽層40形成為濺鍍膜等。因此，可謀求安裝基板1之薄膜化。再者，亦可於金屬屏蔽層40之接觸部41中代替傾斜部43而形成為沿著上下方向之垂直部。然而，於具備該垂直部之形態下，會產生如下可能性，即，根據濺鍍或蒸鍍等成膜法而無法形成均勻之金屬屏蔽層40(垂直部)，從而難以謀求利用濺鍍膜等實現之薄膜化。 ＜第4實施形態＞ 參照圖12，對安裝基板之第4實施形態進行說明。再者，於第4實施形態之安裝基板1中，對與上述圖2、圖9、圖11等所示之第1～3實施形態同樣之構件標註同樣之符號，並省略其說明。 於第2實施形態中，安裝基板1僅具備基底絕緣層4、導體圖案5、覆蓋絕緣層6、第2導體圖案30及第2覆蓋絕緣層31，但如圖12所示，第4實施形態進而具備第3導體圖案70、及第3覆蓋絕緣層71。 即，第4實施形態具備基底絕緣層4、導體圖案(第1導體圖案)5、覆蓋絕緣層(第1覆蓋絕緣層)6、第2導體圖案30、第2覆蓋絕緣層31、第3導體圖案70、及第3覆蓋絕緣層71。較佳為，第2實施形態僅由基底絕緣層4、導體圖案5、覆蓋絕緣層6、第2導體圖案30、第2覆蓋絕緣層31、第3導體圖案70及第3覆蓋絕緣層71構成。 第3導體圖案70係以與第2覆蓋絕緣層31之上表面接觸之方式設置於第2覆蓋絕緣層31之上側。第3導體圖案70具備複數個第3攝像元件連接端子(未圖示)、複數個第3外部零件連接端子(未圖示)、及複數個第3金屬配線72。 複數個第3攝像元件連接端子係以自形成於基底絕緣層4之第3連接元件連接端子開口部(未圖示)露出之方式形成。 複數個第3外部零件連接端子係以自形成於基底絕緣層4之第3外部零件連接端子開口部(未圖示)露出之方式形成。 複數個第3金屬配線72具備複數個第3連接配線73及複數個第3接地配線74。複數個第3連接配線73係以對應於複數個第3攝像元件連接端子及複數個第3外部零件連接端子而將其等連接之方式設置。複數個第3接地配線74係以與複數個第3連接配線73對應之方式設置。 第3導體圖案70之材料、彈性模數及熱膨脹係數分別與導體圖案5之材料、彈性模數及熱膨脹係數同樣。 第3導體圖案70之厚度T7 、及第3金屬配線72之寬度分別與導體圖案5之厚度T2 、及金屬配線9之寬度同樣。 第3覆蓋絕緣層71係以被覆第3導體圖案70之方式設置於第2覆蓋絕緣層31及第3導體圖案70之上側。第3覆蓋絕緣層71之外形形成為與基底絕緣層4相同。 第3覆蓋絕緣層71之材料、彈性模數、熱膨脹係數及厚度T8 分別與覆蓋絕緣層6之材料、彈性模數、熱膨脹係數及厚度T3 同樣。 再者，將安裝基板1於厚度方向上投影時存在金屬配線9、第2金屬配線32及第3金屬配線72中之至少一者之俯視或仰視之區域設為配線區域16(但是，於厚度方向上投影時存在攝像元件連接端子10、第2攝像元件連接端子、第3攝像元件連接端子等端子之端子區域除外)。 再者，第4實施形態之等效彈性模數D與第1實施形態之等效彈性模數D同樣，為5 GPa以上且55 GPa以下。較佳為10 GPa以上，又，較佳為50 GPa以下。於積層有基底絕緣層4、導體圖案5(金屬配線9)、覆蓋絕緣層6、第2導體圖案30(第2金屬配線32)、第2覆蓋絕緣層31、第3導體圖案70(第3金屬配線72)、及第3覆蓋絕緣層71之配線區域(圖12之放大圖)，第3實施形態之等效彈性模數D由下述式表示。 D＝{D1 ×T1 ＋D2 ×T2 ＋D3 ×T3 ＋D4 ×T4 ＋D5 ×T5 ＋D7 ×T7 ＋D8 ×T8 }/{T1 ＋T2 ＋T3 ＋T4 ＋T5 ＋T7 ＋T8 } D7 表示第3金屬配線72之彈性模數，T7 表示第3金屬配線72之厚度。 D8 表示第3覆蓋絕緣層71之彈性模數，T8 表示第3覆蓋絕緣層71之厚度。 又，於配線區域16中，金屬之合計厚度相對於絕緣層之合計厚度之比率、即金屬配線9、第2金屬配線32及第3金屬配線72之合計厚度相對於基底絕緣層4、覆蓋絕緣層6、第2覆蓋絕緣層31及第3覆蓋絕緣層71之合計厚度之比率(T2 ＋T4 ＋T7 /(T1 ＋T3 ＋T5 ＋T8 ))例如為0.05以上，較佳為0.10以上，更佳為0.20以上，又，例如為0.90以下，較佳為0.70以下。 金屬之總厚度(金屬配線9、第2金屬配線32及第3金屬配線72之合計厚度)亦與第1實施形態之總厚度同樣。 第4實施形態之安裝基板1可藉由如下方法而製造，即，以被金屬支持板19支持之狀態獲得第2實施形態之安裝基板1之後，於第2覆蓋絕緣層6之上表面依序形成第3導體圖案70及第3覆蓋絕緣層71，繼而，將金屬支持板19去除。 關於第4實施形態，亦發揮與第1實施形態同樣之作用效果。又，關於第4實施形態，亦可應用與第1實施形態同樣之變化例。又，關於第4實施形態，亦可代替第3導體圖案70而具備第3實施形態之金屬屏蔽層40。 於圖12所示之實施形態中，存在所有7層(基底絕緣層4、金屬配線9、覆蓋絕緣層6、第2金屬配線32、第2覆蓋絕緣層31、第3金屬配線72、第3覆蓋絕緣層71)以於上下方向重疊之方式配置之配線區域，例如，雖未圖示，但亦可不存在上述配線區域。具體而言，金屬配線9、第2金屬配線32、及第3金屬配線72於同一區域在上下方向不重疊，而該等配線(9、32、72)中之2個配線重疊。於此情形時，等效彈性模數D、金屬之合計厚度之比率等係使用僅配線區域中重疊之層之彈性模數及厚度進行計算。 [實施例] 以下，表示實施例及比較例，對本發明更具體地進行說明。再者，本發明不受實施例及比較例的任何限定。以下之記載中所使用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等具體數值可替代為上述「實施方式」中記載之與其等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等相應記載之上限值(定義為「以下」、「未達」之數值)或下限值(定義為「以上」、「超過」之數值)。 (基於模擬之實施例) 實施例1 假定如下安裝基板，其依序具備作為基底絕緣層之8 mm×8 mm×厚度10 μm之聚醯亞胺層、配置於其整面之作為導體圖案之厚度8 μm之銅層、及配置於其整面之作為覆蓋絕緣層之厚度5 μm之聚醯亞胺層。再者，聚醯亞胺之彈性模數設為6.3 GPa，線熱膨脹係數設為17 ppm/K。銅之彈性模數設為123 GPa，線熱膨脹係數設為17 ppm/K。 實施例2～6 將各層(基底絕緣層、導體圖案、覆蓋絕緣層)之厚度如表1般變更，除此以外，與實施例1同樣地假定安裝基板。 實施例7 假定如下安裝基板，其具備作為基底絕緣層之8 mm×8 mm×厚度3 μm之聚醯亞胺層、配置於其整面之作為第1導體圖案之厚度3 μm之銅層、配置於其整面之作為第1覆蓋絕緣層之厚度5 μm之聚醯亞胺層、配置於其整面之作為第2導體圖案之3 μm之銅層、及配置於其整面之作為第2覆蓋絕緣層之厚度3 μm之聚醯亞胺。 實施例8 假定如下安裝基板，其具備作為基底絕緣層之8 mm×8 mm×厚度5 μm之聚醯亞胺層、配置於其整面之作為第1導體圖案之厚度3 μm之銅層、配置於其整面之作為第1覆蓋絕緣層之厚度3 μm之聚醯亞胺層、配置於其整面之作為金屬屏蔽層之厚度0.1 μm之銅層、及配置於其整面之作為第2覆蓋絕緣層之厚度3 μm之聚醯亞胺。 實施例9 假定如下安裝基板，其具備作為基底絕緣層之8 mm×8 mm×厚度5 μm之聚醯亞胺層、配置於其整面之作為第1導體圖案之厚度3 μm之銅層、配置於其整面之作為第1覆蓋絕緣層之厚度3 μm之聚醯亞胺層、配置於其整面之作為第2導體圖案之厚度3 μm之銅層、配置於其整面之作為第2覆蓋絕緣層之厚度3 μm之聚醯亞胺、配置於其整面之作為第3導體圖案之厚度3 μm之銅層、及配置於其整面之作為第3覆蓋絕緣層之厚度3 μm之聚醯亞胺層。 實施例10 將第3導體圖案之厚度如表1般變更，除此以外，與實施例9同樣地假定安裝基板。 比較例1 將各層之厚度如表1般變更，除此以外，與實施例1同樣地假定安裝基板。 比較例2 將各層之厚度如表1般變更，除此以外，與實施例7同樣地假定安裝基板。 (評價) 準備6 mm×6 mm×厚度100 μm之CMOS感測器(彈性模數131 GPa、線熱膨脹係數2.8 ppm/K)。針對將該CMOS感測器積層於各實施例及各比較例之安裝基板所得之測定用樣品，計算溫度差65℃之熱循環中之翹曲。 翹曲之計算係使用文獻「S. Timoshenko, "Analysis of Bi-Metal Thermostats"、J optical soc., p233-255、1925」所示之翹曲W之計算式。將其結果示於表1中。 [表1] 由表1之結果可知，於等效彈性模數為5 GPa以上且55 GPa以下之情形時，安裝基板之翹曲較小。因此，可知，若配線區域之等效彈性模數為5 GPa以上且55 GPa以下，則可減少該配線區域之翹曲，故而可減少安裝基板整體之翹曲。 再者，上述發明係作為本發明之例示之實施形態而提供，但其僅為例示，不得限定性地進行解釋。對於該技術領域之業者而言顯而易見的本發明之變化例包含於下述申請專利範圍中。 [產業上之可利用性] 本發明之攝像元件安裝基板、其製造方法及安裝基板集合體可應用於各種工業製品，例如，較佳地用於相機模組等攝像裝置。
1‧‧‧安裝基板
2‧‧‧殼體配置部
3‧‧‧外部零件連接部
4‧‧‧基底絕緣層
5‧‧‧導體圖案
6‧‧‧覆蓋絕緣層
7‧‧‧攝像元件開口部
8‧‧‧外部零件開口部
9‧‧‧金屬配線
10‧‧‧攝像元件連接端子
11‧‧‧外部零件連接端子
12‧‧‧外周部
13‧‧‧內側部
14‧‧‧連接配線
15‧‧‧接地配線
16‧‧‧配線區域
17‧‧‧金屬薄膜
18‧‧‧光阻
19‧‧‧金屬支持板
20‧‧‧攝像裝置
21‧‧‧攝像元件
22‧‧‧殼體
23‧‧‧光學透鏡
24‧‧‧濾光片
25‧‧‧端子
26‧‧‧焊料凸塊
27‧‧‧攝像單元
28‧‧‧鍍覆層
30‧‧‧第2導體圖案
31‧‧‧第2覆蓋絕緣層
32‧‧‧第2金屬配線
33‧‧‧第2連接配線
34‧‧‧第2接地配線
40‧‧‧金屬屏蔽層
41‧‧‧接觸部
42‧‧‧平坦部
43‧‧‧傾斜部
50‧‧‧安裝基板集合體
51‧‧‧邊緣部
52‧‧‧集合部
60‧‧‧黏著劑層
61‧‧‧支持體
70‧‧‧第3導體圖案
71‧‧‧第3覆蓋絕緣層
72‧‧‧第3金屬配線
73‧‧‧第3連接配線
74‧‧‧第3接地配線
T1‧‧‧基底絕緣層之厚度
T2‧‧‧金屬配線之厚度
T3‧‧‧覆蓋絕緣層之厚度
T4‧‧‧第2金屬配線之厚度
T5‧‧‧第2覆蓋絕緣層之厚度
T6‧‧‧金屬屏蔽層之厚度
T7‧‧‧第3金屬配線之厚度
T8‧‧‧第3覆蓋絕緣層之厚度
圖1表示本發明之攝像元件安裝基板之第1實施形態之仰視圖。 圖2表示圖1所示之攝像元件安裝基板中之A-A剖視圖。 圖3A～圖3H表示圖1所示之攝像元件安裝基板之製造步驟圖，圖3A表示金屬支持板準備步驟，圖3B表示基底絕緣層形成步驟，圖3C表示金屬薄膜形成步驟，圖3D表示光阻形成步驟，圖3E表示導體圖案形成步驟，圖3F表示光阻、金屬薄膜去除步驟，圖3G表示覆蓋絕緣層形成步驟，圖3H表示金屬支持板去除步驟。 圖4表示具備圖1所示之攝像元件安裝基板之攝像裝置。 圖5表示具備圖1所示之攝像元件安裝基板之安裝基板集合體之仰視圖。 圖6表示圖1所示之攝像元件安裝基板之變化例(具備黏著劑層及支持體之形態)之剖視圖。 圖7表示圖5所示之安裝基板集合體之變化例(具備複數個集合部之形態)之仰視圖。 圖8表示圖5所示之安裝基板集合體之變化例(形成為捲筒狀之形態)之立體圖。 圖9表示本發明之攝像元件安裝基板之第2實施形態(具備第2導體圖案及第2覆蓋絕緣層之形態)之剖視圖。 圖10表示本發明之攝像元件安裝基板之第3實施形態(具備金屬屏蔽層及第2覆蓋絕緣層之形態)之剖視圖。 圖11A～圖11D表示圖10所示之攝像元件安裝基板之製造步驟圖，圖11A表示第1覆蓋絕緣層形成步驟，圖11B表示屏蔽層形成步驟，圖11C表示第2覆蓋絕緣層形成步驟，圖11D表示金屬支持板去除步驟。 圖12表示本發明之攝像元件安裝基板之第4實施形態(具備第2導體圖案、第2覆蓋絕緣層、第3導體圖案及第3覆蓋絕緣層之形態)之剖視圖。

Claims (13)

  1. 一種攝像元件安裝基板，其特徵在於，其係用以安裝攝像元件者， 其具有配線區域，該配線區域具備： 第1絕緣層； 金屬配線，其配置於第1絕緣層之厚度方向一側；及 第2絕緣層，其配置於上述金屬配線之厚度方向一側；且 上述配線區域之等效彈性模數為5 GPa以上且55 GPa以下。
  2. 如請求項1之攝像元件安裝基板，其中上述金屬配線之厚度為1 μm以上且8 μm以下。
  3. 如請求項1之攝像元件安裝基板，其中上述攝像元件安裝基板之總厚度為40 μm以下。
  4. 如請求項1之攝像元件安裝基板，其中上述配線區域進而具備： 金屬屏蔽層，其配置於上述第2絕緣層之厚度方向一側；及 第3絕緣層，其配置於上述金屬屏蔽層之厚度方向一側。
  5. 如請求項4之攝像元件安裝基板，其中 上述攝像元件安裝基板具備具有端子及上述金屬配線之導體圖案， 上述金屬配線具備接地配線，且 上述金屬屏蔽層電性連接於上述接地配線。
  6. 如請求項5之攝像元件安裝基板，其中上述金屬屏蔽層具備傾斜部，該傾斜部於相對於厚度方向傾斜之傾斜方向延伸，且與上述接地配線接觸。
  7. 如請求項1之攝像元件安裝基板，其中於上述配線區域中，金屬之合計厚度相對於絕緣層之合計厚度之比率為0.10以上且0.70以下。
  8. 如請求項7之攝像元件安裝基板，其中於上述配線區域中，金屬之合計厚度相對於絕緣層之合計厚度之比率為0.20以上且0.70以下。
  9. 如請求項1之攝像元件安裝基板，其進而具備支持體及黏著劑層。
  10. 一種安裝基板集合體，其特徵在於具備複數個如請求項1之攝像元件安裝基板。
  11. 如請求項10之安裝基板集合體，其捲繞為捲筒狀。
  12. 一種攝像元件安裝基板之製造方法，其特徵在於，其係如請求項1之攝像元件安裝基板之製造方法，其具備如下步驟： 準備金屬支持板； 於上述金屬支持板之厚度方向一側形成第1絕緣層； 於上述第1絕緣層之厚度方向一側形成金屬配線； 於上述金屬配線之厚度方向一側形成第2絕緣層；及 去除上述金屬支持板。
  13. 如請求項12之攝像元件安裝基板之製造方法，其於形成上述第2絕緣層之步驟之後且去除上述金屬支持板之步驟之前，進而具備如下步驟： 於上述第2絕緣層之厚度方向一側形成金屬屏蔽層；及 於上述金屬屏蔽層之厚度方向一側形成第3絕緣層。
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