TWI780149B - 可撓配線電路基板、其製造方法及攝像裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之可撓配線電路基板包含第1絕緣層、配置於第1絕緣層之厚度方向一側之第1配線、配置於第1配線之厚度方向一側之接著劑層、及配置於接著劑層之厚度方向一側之第2絕緣層，且接著劑層含有具有絕緣性之強化纖維層。

Description

可撓配線電路基板、其製造方法及攝像裝置
本發明係關於一種可撓配線電路基板、其製造方法、及攝像裝置。
先前以來，搭載於行動電話等之相機模組等攝像裝置通常具備光學透鏡、收容及保持光學透鏡之外殼、CMOS(Complementary Metal Oxide，互補金氧半導體)感測器或CCD(Charge Coupled Device，電感耦合器件)感測器等攝像元件、及用以安裝攝像元件並與外部配線電性連接之電路基板。於電路基板之大致中央部之上安裝有攝像元件，且以包圍攝像元件之方式於電路基板之周端部之上配置有外殼。於專利文獻1中揭示有此種基板(例如，參照專利文獻1)。 另一方面，已知安裝有攝像元件等電子零件之電路基板會因來自外部之電磁波之影響而產生電子零件之誤動作或雜訊。因此，期待於電路基板設置電磁波之屏蔽層而遮蔽來自外部之電磁波。 作為此種屏蔽層，例如提出有於隔離膜之單面塗佈耐熱性優異之樹脂而形成覆蓋膜，並於該覆蓋膜之表面設置由金屬薄膜層與接著劑層構成之屏蔽層之屏蔽膜(例如，參照專利文獻2)。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1：日本專利特開2005-210628號公報 專利文獻2：日本專利特開2004-95566號公報
[發明所欲解決之問題] 然而，就薄膜化之觀點而言，期待使用可撓配線電路基板作為電路基板。然而，若於將屏蔽膜或覆蓋膜等接著於可撓配線電路基板而獲得之附屏蔽層/覆蓋層之電路基板安裝攝像元件，則該攝像單元容易產生翹曲。其原因之一源於攝像元件與附屏蔽層/覆蓋層之電路基板之熱膨脹係數之差。即，由於攝像元件包含矽等素材，故而，通常其熱膨脹係數較低。另一方面，由於附屏蔽層/覆蓋層之電路基板之接著劑層為樹脂層，故而，通常熱膨脹係數較高。因此，必須降低可撓配線電路基板之熱膨脹係數。 本發明提供一種具備接著劑層並且可降低熱膨脹係數之可撓配線電路基板、其製造方法、及攝像裝置。 [解決問題之技術手段] 本發明[1]包含一種可撓配線電路基板，其具備第1絕緣層、配置於上述第1絕緣層之厚度方向一側之第1配線、配置於上述第1配線之厚度方向一側之接著劑層、及配置於上述接著劑層之厚度方向一側之第2絕緣層，上述接著劑層含有具有絕緣性之強化纖維層。 此種可撓配線電路基板由於具備接著劑層，故而可經由接著劑層具備屏蔽層或覆蓋層等所需之層。 又，由於接著劑層中含有具有絕緣性之強化纖維層，故而接著劑層之熱膨脹係數(尤其是面方向之線熱膨脹係數)降低。因此，於在可撓配線電路基板安裝有電子零件之電子裝置中可抑制翹曲。 又，由於接著劑層中含有強化纖維層，故而接著劑層之硬度提高。因此，於將電子零件安裝於可撓配線電路基板時，可抑制可撓配線電路基板之撓曲，從而可提高電子零件之安裝性。 本發明[2]包含如[1]所記載之可撓配線電路基板，其中上述強化纖維層之厚度為5 μm以上且25 μm以下。 此種可撓配線電路基板可使含有強化纖維層之接著劑層薄膜化，從而可使可撓配線電路基板薄型化。 本發明[3]包含如[1]或[2]所記載之可撓配線電路基板，其中上述強化纖維層為玻璃纖維層。 此種可撓配線電路基板可確實地降低接著劑層之熱膨脹係數，從而進一步抑制翹曲。 本發明[4]包含如[1]～「3」中任一項所記載之可撓配線電路基板，其進而具備配置於上述第1配線及上述接著劑層之間之第3絕緣層。 此種可撓配線電路基板由於具備第3絕緣層，故而可保護第1配線。又，可經由第3絕緣層於第1配線之厚度方向一側配置屏蔽層或第2配線等。 本發明[5]包含如[4]所記載之可撓配線電路基板，其進而具備配置於上述接著劑層及上述第2絕緣層之間之屏蔽層。 此種可撓配線電路基板由於具備屏蔽層，故而對電磁波之屏蔽特性優異。 本發明[6]包含如[5]所記載之可撓配線電路基板，其中上述第3絕緣層具有沿厚度方向貫通之第1開口部，上述接著劑層含有導電性接著劑，且上述導電性接著劑填充於上述第1開口部。 此種可撓配線電路基板由於屏蔽層可經由導電性接著劑與第1配線導通，故而可使屏蔽層接地。因此，可更確實地遮蔽來自外部之電磁波。 本發明[7]包含如[6]所記載之可撓配線電路基板，其中上述導電性接著劑為異向導電性接著劑。 此種可撓配線電路基板由於使屏蔽層與第1配線導通之接著劑為異向導電性接著劑，故而可一面防止向與厚度方向正交之正交方向之導通，一面向厚度方向導通。因此，於屏蔽層與第1配線之導通部位存在複數個之情形時，可防止各導通部位間之導通(短路)。因此，可一面防止第1配線之短路，一面經由異向導電性接著劑使屏蔽層與第1配線於複數個部位導通。 本發明[8]包含如[4]～[7]中任一項所記載之可撓配線電路基板，其中上述第1絕緣層、上述第1配線及上述第3絕緣層之等效彈性模數為55 GPa以下。 此種可撓配線電路基板由於包含第1絕緣層、第1配線及第3絕緣層之配線積層體之等效彈性模數為特定範圍，故而可進一步降低可撓配線電路基板之熱膨脹係數。因此，可進一步抑制電子裝置之翹曲。 本發明[9]包含如[5]～[8]中任一項所記載之可撓配線電路基板，其進而具備配置於上述第3絕緣層及上述接著劑層之間之第2配線。 此種可撓配線電路基板於厚度方向上具備第1配線及第2配線。因此，可提高配線設計之自由度。 本發明[10]包含如[9]所記載之可撓配線電路基板，其進而具備配置於上述第2配線之厚度方向一側之第4絕緣層，上述第4絕緣層具有沿厚度方向貫通之第2開口部，上述接著劑含有導電性接著劑，且上述導電性接著劑填充於上述第2開口部。 此種可撓配線電路基板由於屏蔽層經由導電性接著劑與第2配線導通，故而可使屏蔽層接地。因此，可更確實地遮蔽來自外部之電磁波。 本發明[11]包含如[9]或[10]所記載之可撓配線電路基板，其進而具備配置於上述第1配線及上述第2配線之間之第2接著劑層，上述第2接著劑層含有具有絕緣性之強化纖維層。 此種可撓配線電路基板由於第2接著劑層中含有具有絕緣性之強化纖維層，故而第2接著劑層之熱膨脹係數降低。因此，於在可撓配線電路基板安裝有電子零件之電子裝置中，可進一步抑制翹曲。 本發明[12]包含如[5]～[8]中任一項所記載之可撓配線電路基板，其進而具備配置於上述接著劑層及上述屏蔽層之間之第2配線。 此種可撓配線電路基板於厚度方向上具備第1配線及第2配線。因此，可提高配線設計之自由度。 本發明[13]包含如[1]～[3]中任一項所記載之可撓配線電路基板，其中上述接著劑層為絕緣性接著劑層，且與上述第1配線之厚度方向一側之表面及上述第2絕緣層之厚度方向另一側之表面直接接觸。 於此種可撓配線電路基板中，接著劑層與第1配線及第2絕緣層之兩者直接接觸。即，由於可藉由經由接著劑層使第2絕緣層與第1配線接觸，故而可容易地獲得第1配線得到保護之可撓配線電路基板。 本發明[14]包含一種攝像裝置，其具備如[1]～[13]中任一項所記載之可撓配線電路基板、及安裝於上述可撓配線電路基板之攝像元件。 根據該攝像裝置，由於具備上述可撓配線電路基板與攝像元件，故而可經由接著劑層具備屏蔽層或覆蓋層等所需之層。又，由於接著劑層之熱膨脹係數(尤其是面方向之線熱膨脹係數)降低，故而可抑制翹曲。又，由於接著劑層之硬度提高而可撓配線電路基板之撓曲得到抑制，故而攝像裝置之安裝性提高，而連接可靠性優異。 本發明[15]具備一種可撓配線電路基板之製造方法，其具備如下步驟：準備具備第1絕緣層、及配置於上述第1絕緣層之厚度方向一側之第1配線之配線積層體之步驟；準備具備接著劑層、及配置於上述接著劑層之厚度方向一側之第2絕緣層之接著劑積層體之步驟；準備具有絕緣性之強化纖維層之步驟；以上述配線積層體之厚度方向一側之表面與上述接著劑積層體之上述接著劑層之表面對向且上述強化纖維層位於該等之間之方式配置上述配線積層體、上述接著劑積層體及上述強化纖維層之步驟；以及以上述接著劑層沿厚度方向貫通上述強化纖維層並與上述配線積層體之厚度方向一側接觸之方式將上述配線積層體及上述接著劑積層體積層之步驟。 根據此種可撓配線電路基板之製造方法，可簡單地製造具備屏蔽層或覆蓋層等所需之層、抑制翹曲之產生且安裝性優異之可撓配線電路基板。 本發明[16]包含如[15]所記載之可撓配線電路基板之製造方法，其中上述強化纖維層之厚度為5 μm以上且25 μm以下。 根據此種可撓配線電路基板之製造方法，由於可使含有強化纖維層之接著劑層薄膜化，故而可製造薄型之可撓配線電路基板。 本發明[17]包含如[15]或[16]所記載之可撓配線電路基板之製造方法，其中上述接著劑層為導電性接著劑層。 根據此種可撓配線電路基板之製造方法，可簡單地製造可經由導電性接著劑層使屏蔽層與第1配線等導通之可撓配線電路基板。 本發明[18]包含如[15]～[17]中任一項所記載之可撓配線電路基板之製造方法，其中該可撓配線電路基板進而具備配置於上述接著劑層及上述第2絕緣層之間之屏蔽層。 根據此種可撓配線電路基板之製造方法，可簡單地製造屏蔽特性優異並且抑制翹曲之產生、安裝性優異之可撓配線電路基板。 [發明之效果] 本發明之可撓配線電路基板及攝像裝置具備接著劑層，並且可抑制翹曲之產生。又，攝像元件之安裝性良好。 根據本發明之可撓配線電路基板之製造方法，可簡單地製造具備接著劑層、抑制翹曲之產生且安裝性優異之可撓配線電路基板。
於圖1中，紙面上下方向為前後方向(第1方向)，並且紙面上側為前側(第1方向一側)，紙面下側為後側(第1方向另一側)。紙面左右方向為左右方向(與第1方向正交之第2方向)，並且紙面左側為左側(第2方向一側)，紙面右側為右側(第2方向另一側)。紙面紙厚方向為上下方向(厚度方向、與第1方向及第2方向正交之第3方向)，並且紙面裏側為上側(厚度方向一側、第3方向一側)，紙面近前側為下側(厚度方向另一側、第3方向另一側)。具體而言，依據各圖之方向箭頭。 ＜一實施形態＞ 1.攝像元件安裝基板 參照圖1～圖4，對作為本發明之可撓配線電路基板之一實施形態之攝像元件安裝基板1(以下，亦簡略為安裝基板)進行說明。 安裝基板1係用以安裝攝像元件21(下述)之可撓配線電路基板(FPC)，並且尚不具備攝像元件21。如圖1所示，安裝基板1具有沿面方向(前後方向及左右方向)延伸之俯視下大致矩形(長方形狀)之平板形狀(片形狀)。 如圖1所示，安裝基板1具備外殼配置部2、及外部零件連接部3。 外殼配置部2係供配置外殼22(下述)或攝像元件21之部分。具體而言，外殼配置部2係於將外殼22配置於安裝基板1之情形時，於沿厚度方向投影時與外殼22重複之部分。於外殼配置部2之大致中央部配置有複數個用以與攝像元件21電性連接之攝像元件連接端子10(下述)。 外部零件連接部3係外殼配置部2以外之區域，並且係用以與外部零件連接之部分。外部零件連接部3係以外部零件連接部3之前端緣與外殼配置部2之後端緣連續之方式配置於外殼配置部2之後側。於外部零件連接部3之後端緣配置有複數個用以與外部零件電性連接之外部零件連接端子11(下述)。如圖2所示，安裝基板1朝向上側(厚度方向一側)依序具備作為第1絕緣層之基底絕緣層4、導體圖案5、作為第3絕緣層之第1覆蓋絕緣層6、作為接著劑層之異向導電性接著劑層7、屏蔽層8、及作為第2絕緣層之第2覆蓋絕緣層9。較佳為安裝基板1僅由基底絕緣層4、導體圖案5、第1覆蓋絕緣層6、異向導電性接著劑層7、屏蔽層8及第2覆蓋絕緣層9構成。 如圖1及圖2所示，基底絕緣層4構成安裝基板1之外形，並形成為仰視下大致矩形狀。基底絕緣層4位於安裝基板1之最下層。基底絕緣層4之下表面(厚度方向另一面)係以成為平坦之方式形成。詳細而言，關於基底絕緣層4，基底絕緣層4之下表面未支持於金屬支持體(參照圖3A～圖4F之符號19)，因此，安裝基板1不具備金屬支持體19(金屬支持層)。 於基底絕緣層4形成有複數個攝像元件開口部41、及複數個外部零件開口部42。 複數個攝像元件開口部41係用以使攝像元件連接端子10自下表面露出之開口部。複數個攝像元件開口部41係以成為矩形框狀之方式相互隔開間隔排列整齊地配置於外殼配置部2之中央部。攝像元件開口部41將基底絕緣層4沿厚度方向(上下方向)貫通，並具有仰視下大致圓形狀。攝像元件開口部41具有隨著朝向下側而截面積減小之錐形狀。 複數個外部零件開口部42係用以使外部零件連接端子11自下表面露出之開口部。外部零件開口部42於左右方向上相互隔開間隔排列整齊地配置於外部零件連接部3之後端緣。外部零件開口部42將基底絕緣層4沿厚度方向貫通，且具有仰視下大致矩形狀(長方形狀)。外部零件開口部42係以於仰視下自外部零件連接部3之後端緣朝向前側延伸之方式形成。 基底絕緣層4係由絕緣性材料形成。作為絕緣性材料，例如可列舉：聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、丙烯酸系樹脂、聚醚腈樹脂、聚醚碸樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、聚氯乙烯樹脂、酚樹脂、環氧樹脂、三聚氰胺樹脂、聚矽氧樹脂、環氧丙烯酸酯樹脂、聚酯丙烯酸酯樹脂等合成樹脂等。基底絕緣層4較佳為由聚醯亞胺樹脂形成。 基底絕緣層4之厚度T1 例如w 1 μm以上，較佳為5 μm以上，又，例如為30 μm以下，較佳為10 μm以下，更佳為8 μm以下。 如圖2所示，導體圖案5係以與基底絕緣層4之上表面接觸之方式設置於基底絕緣層4之上側。導體圖案5具備複數個攝像元件連接端子10、複數個外部零件連接端子11(參照圖1)、及複數根第1配線12。 如圖1所示，複數個攝像元件連接端子10係以成為矩形框狀之方式相互隔開間隔排列整齊地配置於外殼配置部2之中央部。即，複數個攝像元件連接端子10係以與所安裝之攝像元件21之複數個端子25(下述、參照圖5)對應之方式設置。又，複數個攝像元件連接端子10與複數個攝像元件開口部41對應地設置。攝像元件連接端子10具有仰視下大致圓形狀。攝像元件連接端子10配置於攝像元件開口部41內，且係以於剖視(側視及前視)下向下側凸出之方式形成。攝像元件連接端子10之下表面自攝像元件開口部41露出。 複數個外部零件連接端子11於左右方向上相互隔開間隔排列整齊地配置於外部零件連接部3之後端緣。即，複數個外部零件連接端子11係以與外部零件之複數個端子(未圖示)對應之方式設置。又，複數個外部零件連接端子11與複數個外部零件開口部42對應地設置。外部零件連接端子11具有俯視下大致矩形狀(長方形狀)。外部零件連接端子11配置於外部零件開口部42內，其下表面自外部零件開口部42露出。 如圖2所示，複數根第1配線12配置於基底絕緣層4之上側，且與基底絕緣層4之上表面直接接觸。複數根第1配線12具備複數根連接配線13及複數根接地配線14。 複數根連接配線13係以與複數個攝像元件連接端子10及複數個外部零件連接端子11對應之方式設置。具體而言，連接配線13以將攝像元件連接端子10與外部零件連接端子11連接之方式與該等一體形成。即，連接配線13之一端與攝像元件連接端子10連續，連接配線13之另一端與外部零件連接端子11連續而將該等電性連接。 複數根接地配線14係以與複數根連接配線13對應之方式設置。具體而言，複數根接地配線14係以沿著複數根連接配線13之方式設置於該等之外側。於接地配線14之一端一體連接有未圖示之接地端子。 作為導體圖案5之材料，例如可列舉銅、銀、金、鎳或包含該等之合金、焊料等金屬材料。較佳為列舉銅。 導體圖案5(各連接端子10、11、第1配線12)之厚度T2 例如為1 μm以上，較佳為3 μm以上，又，例如為15 μm以下，較佳為10 μm以下，更佳為8 μm以下。第1配線12之寬度例如為5 μm以上，較佳為10 μm以上，又，例如為100 μm以下，較佳為50 μm以下。 第1覆蓋絕緣層6係以被覆導體圖案5之方式設置於基底絕緣層4及導體圖案5之上側。即，第1覆蓋絕緣層6係以與導體圖案5之上表面及側面、及自導體圖案5露出之基底絕緣層4之上表面接觸之方式配置。第1覆蓋絕緣層6之外形係以除外部零件連接端子11之形成部分以外與基底絕緣層4成為相同之方式形成。 又，於第1覆蓋絕緣層6形成有複數個作為第1開口部之接地開口部15。接地開口部15係用以使接地配線14之上表面露出之開口部。複數個接地開口部15與複數根接地配線14對應地形成。接地開口部15將第1覆蓋絕緣層6沿厚度方向貫通，且具有仰視下大致圓形狀。接地開口部15具有隨著朝向下側而開口截面積減小之錐形狀。 複數個接地開口部15之內部分別配置有包含異向導電性接著劑(下述)之導通部16。即，於接地開口部15之內部填充有異向導電性接著劑(填滿)。藉由導通部16，屏蔽層8(下述)經由異向導電性接著劑層7及導通部16電性連接於接地配線14，其結果為屏蔽層8接地。 第1覆蓋絕緣層6係由與於基底絕緣層4中記述之絕緣性材料相同之絕緣性材料形成，較佳為由聚醯亞胺樹脂形成。 第1覆蓋絕緣層6之厚度T3 例如為1 μm以上，較佳為2 μm以上，又，例如為30 μm以下，較佳為10 μm以下，更佳為5 μm以下。 異向導電性接著劑層7係僅於厚度方向上具備導電性且用以將第1覆蓋絕緣層6及屏蔽層8接著之層。異向導電性接著劑層7係以與第1覆蓋絕緣層6之上表面接觸之方式設置於第1覆蓋絕緣層6之上側。 異向導電性接著劑層7具備異向導電性接著劑及強化纖維層17。 異向導電性接著劑例如係由含有接著性樹脂及導電性粒子之組合物形成。 作為接著性樹脂，例如可列舉：熱硬化性樹脂、熱塑性樹脂。較佳為列舉熱硬化性樹脂。 作為熱硬化性樹脂，例如可列舉：環氧樹脂、聚矽氧樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、酚樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂等。 作為熱塑性樹脂，例如可列舉：丙烯酸系樹脂、聚烯烴樹脂(聚乙烯、聚丙烯)、苯乙烯丁二烯橡膠(SBS)、聚氯乙烯樹脂等。 作為熱硬化性樹脂，較佳為列舉可成為B階段狀態之熱硬化性樹脂。B階段狀態(半硬化狀態)係熱硬化性樹脂處於液狀之A階段狀態(未硬化狀態)與完全硬化之C階段狀態(完全硬化狀態)之間並且略微進行硬化及凝膠化且壓縮彈性模數小於C階段狀態之壓縮彈性模數之半固體狀態或固體狀態。 作為可成為B階段狀態之熱硬化性樹脂，較佳為列舉環氧樹脂。 作為導電性粒子，例如可列舉銅、銀、金、鎳、該等之合金等金屬粒子。又，導電性粒子例如可為塗佈有銀之銅粒子、塗佈有金之銅粒子、塗佈有銀之鎳粒子等塗佈有金屬之金屬粒子，又，亦可為於樹脂粒子被覆有上述金屬之塗佈有金屬之樹脂粒子。 導電性粒子之平均粒徑例如為1 μm以上，較佳為2 μm以上，例如為100 μm以下，較佳為20 μm以下。 強化纖維層17係具有絕緣性且用以提高異向導電性接著劑層7之強度之層。強化纖維層17係由包含絕緣性之強化纖維之纖維氈或布形成，且具備沿厚度方向貫通之複數個纖維開口部(未圖示)。 纖維開口部之形狀例如可列舉俯視下大致矩形狀、俯視下大致圓形狀等。 作為構成強化纖維層17之強化纖維，可列舉：例如玻璃纖維、氧化鋁纖維、硼纖維等無機強化纖維；例如芳香族聚醯胺纖維、Zylon纖維(註冊商標)等有機強化纖維。就絕緣性、強度、低熱膨脹係數之觀點而言，較佳為列舉無機強化纖維，更佳為列舉玻璃纖維。 強化纖維之纖維直徑例如為0.1 μm以上，較佳為1 μm以上，又，例如為15 μm以下，較佳為10 μm以下。 作為強化纖維層17，具體而言，例如可列舉玻璃纖維層、氧化鋁纖維層等，較佳為列舉玻璃纖維層。作為玻璃纖維層，具體而言，可列舉玻璃布。由於玻璃纖維層之熱膨脹係數較低為5 ppm/K左右，故而可更確實地降低異向導電性接著劑層7之熱膨脹係數。 強化纖維層17之厚度T4 例如為1 μm以上，較佳為5 μm以上，又，例如為100 μm以下，較佳為25 μm以下。藉由將強化纖維層17之厚度設為上述範圍，可提高異向導電性接著劑層7之硬度，並且可實現異向導電性接著劑層7之薄膜化、進而安裝基板1之薄型化。 強化纖維層17之基重例如為1 g/m2 以上，較佳為5 g/m2 以上，又，例如為100 g/m2 以下，較佳為30 g/m2 以下。 強化纖維層17之纖維開口部之長度(一邊或直徑)例如為5 μm以上，較佳為20 μm以上，又，例如為500 μm以下，較佳為100 μm以下。 於異向導電性接著劑層7中，強化纖維層17埋沒於異向導電性接著劑中。即，強化纖維層17之上表面及下表面由接著劑被覆，於強化纖維層17之纖維開口部填充有異向導電性接著劑層7。具體而言，異向導電性接著劑層7係由與第1覆蓋絕緣層6接觸且包含異向導電性接著劑之接著劑層下部31、與屏蔽層8接觸且包含異向導電性接著劑之接著劑層上部32、及配置於接著劑層下部31與接著劑層上部32之間且包含強化纖維層17與異向導電性接著劑之混合層之接著劑中間部33構成。 異向導電性接著劑層7之接地開口部15周邊之厚度T5 例如為1 μm以上，較佳為2 μm以上，又，例如為30 μm以下，較佳為20 μm以下。 強化纖維層17之厚度相對於異向導電性接著劑層7之厚度之比(T4 /T5 )例如為0.3以上，較佳為0.5以上，又，例如為1.0以下，較佳為0.9以下。 屏蔽層8係用以遮蔽電磁波之屏障。屏蔽層8係以與異向導電性接著劑層7之上表面接觸之方式配置於異向導電性接著劑層7之上側。屏蔽層8形成為沿面方向(前後方向及左右方向)延伸之片狀。屏蔽層8之外形係以成為與第1覆蓋絕緣層6之外形相同之方式形成。 屏蔽層8包含導體，例如使用銅、鉻、鎳、金、銀、鉑、鈀、鈦、鉭、焊料、或該等之合金等金屬材料。較佳為列舉銅、銀。 屏蔽層8之厚度T6 例如為0.05 μm以上，較佳為0.1 μm以上，又，例如為3 μm以下，較佳為1 μm以下，更佳為0.5 μm以下。 第2覆蓋絕緣層9係以被覆屏蔽層8之方式配置於屏蔽層8之上側。第2覆蓋絕緣層9之下表面與異向導電性接著劑層7之上表面直接接觸。第2覆蓋絕緣層9位於安裝基板1之最上層，第2覆蓋絕緣層9之上表面朝向上方露出。第2覆蓋絕緣層9之外形係以成為與屏蔽層8之外形相同之方式形成。 第2覆蓋絕緣層9之材料例如可列舉與於第1覆蓋絕緣層6中記述之絕緣材料相同之絕緣材料。又，第2覆蓋絕緣層9亦可為於聚酯膜等基材膜塗佈有包含上述絕緣材料(例如三聚氰胺樹脂)之絕緣層之積層體。 第2覆蓋絕緣層9之厚度T7 例如為1 μm以上，較佳為2 μm以上，又，例如為30 μm以下，較佳為10 μm以下，更佳為5 μm以下。 又，包含基底絕緣層4、第1配線12及第1覆蓋絕緣層6之積層體之等效彈性模數例如為80 GPa以下，較佳為55 GPa以下，進而較佳為40 GPa以下。又，例如，5 GPa以上，較佳為15 GPa以上。 若上述積層體之等效彈性模數(即於下述配線積層體35中，於沿厚度方向投影時第1配線12所存在之配線區域之等效彈性模數)為上述上限以下，則可更進一步降低安裝基板1之熱膨脹係數。 等效彈性模數D係分別對構成積層體之各層(基底絕緣層4、第1配線12及第1覆蓋絕緣層6)之彈性模數乘以各層之厚度分率並將該等累加所得者。具體而言，係利用下述計算式(1)而獲得。 D＝{D1 ×T1 ＋D2 ×T2 ＋D3 ×T3 }/{T1 ＋T2 ＋T3 } D1 表示基底絕緣層4之彈性模數，T1 表示基底絕緣層4之厚度。 D2 表示第1配線12之彈性模數，T2 表示第1配線12之厚度。 D3 表示第1覆蓋絕緣層6之彈性模數，T3 表示第1覆蓋絕緣層6之厚度。 再者，絕緣層等樹脂層之彈性模數(T1 、T3 )例如可藉由動態黏彈性測定並依據JIS K7244或ISO 6721進行測定。配線等金屬之彈性模數(T2 )例如可藉由拉伸試驗測定並依據JIS Z2241進行測定。 安裝基板1之總厚度(最大厚度)例如為50 μm以下，較佳為30 μm以下，更佳為10 μm以下，又，例如為1 μm以上，較佳為5 μm以上。 2.攝像元件安裝基板之製造方法 如圖3A～圖4G所示，安裝基板1之製造方法例如具備：準備步驟，其準備配線積層體35、接著劑積層體36及強化纖維層17；配置步驟，其對該等進行配置；及積層步驟，其將該等積層。 (準備步驟) 準備步驟分別準備配線積層體35、接著劑積層體36及強化纖維層17。 準備配線積層體35之步驟具備金屬支持體準備步驟、基底絕緣層形成步驟、導體圖案形成步驟、第1覆蓋絕緣層形成步驟、及金屬支持體去除步驟。 首先，如圖3A所示，於金屬支持體準備步驟中準備金屬支持體19。 金屬支持體19具有沿面方向延伸之俯視下大致矩形(長方形狀)之平板形狀(片形狀)。金屬支持體19之上表面係以成為平坦(平滑)之方式形成。 金屬支持體19例如係由不鏽鋼、42合金、鋁等金屬材料形成。較佳為由不鏽鋼形成。 金屬支持體19之厚度例如為5 μm以上，較佳為10 μm以上，例如為50 μm以下，較佳為30 μm以下。 接下來，於基底絕緣層形成步驟中，將基底絕緣層4形成於金屬支持體19之上表面。即，將具有開口部(攝像元件開口部41及外部零件開口部42)之基底絕緣層4形成於金屬支持體19之上表面。 具體而言，將感光性之絕緣性材料之清漆(例如感光性聚醯亞胺)塗佈於金屬支持體19之整個上表面並使之乾燥，而形成基底皮膜(基底絕緣層)。其後，經由具有與開口部(攝像元件開口部41及外部零件開口部42)對應之圖案之光罩對基底皮膜進行曝光。其後，對基底皮膜進行顯影，較佳為使之加熱硬化。 接下來，如圖3B所示，於導體圖案形成步驟中，藉由例如加成法等將導體圖案5以上述圖案形成於基底絕緣層4之上表面、及自攝像元件開口部41及外部零件開口部42露出之金屬支持體19之上表面。 接下來，如圖3C所示，於第1覆蓋絕緣層形成步驟中，將第1覆蓋絕緣層6以被覆導體圖案5之方式形成於基底絕緣層4之上表面。具體而言，將具有接地開口部15之第1覆蓋絕緣層6形成於基底絕緣層4之上表面。第1覆蓋絕緣層形成步驟與基底絕緣層形成步驟同樣地實施。 藉此，以支持於金屬支持體19之狀態獲得具備基底絕緣層4、導體圖案5、及第1覆蓋絕緣層6之配線積層體35。 接著劑積層體36係依序具備異向導電性接著劑層7、屏蔽層8及第2覆蓋絕緣層9之積層體，且係接著有接著劑層(異向導電性接著劑層7)之屏蔽膜。接著劑積層體36例如可參照WO2013/077108號公報、日本專利特開2004-95566號公報等所記載之方法進行準備。 強化纖維層17例如可準備市售或公知者。 繼而，如圖3D所示，於金屬支持體去除步驟中將金屬支持體19去除。 作為去除方法，例如可列舉利用濕式蝕刻對金屬支持體19進行處理之方法、將金屬支持體19自安裝基板1之下表面剝離之方法等。 藉此，獲得具備基底絕緣層4、導體圖案5、及第1覆蓋絕緣層6之配線積層體35。 (配置步驟) 於配置步驟中，如圖4E所示，將配線積層體35、強化纖維層17、及接著劑積層體36對向配置。 具體而言，以配線積層體35之第1覆蓋絕緣層6與接著劑積層體36之異向導電性接著劑層7對向之方式將配線積層體35與接著劑積層體36相互隔開間隔配置。即，將配線積層體35以第1覆蓋絕緣層6成為上側之方式進行配置，另一方面，將接著劑積層體36以異向導電性接著劑層7成為下側之方式配置於配線積層體35之上側。又，於配線積層體35與接著劑積層體36之間配置強化纖維層17。 即，以強化纖維層17之下表面與配線積層體35之第1覆蓋絕緣層6對向且強化纖維層17之上表面與接著劑積層體36之異向導電性接著劑層7對向之方式沿厚度方向依序配置配線積層體35、強化纖維層17及接著劑積層體36。 再者，於配置時，亦可按照配線積層體35、接著劑積層體36及強化纖維層17之順序進行配置。 (積層步驟) 於積層步驟中，如圖4F及圖4G所示，將配線積層體35、強化纖維層17、及接著劑積層體36積層。 具體而言，例如將接著劑積層體36對配線積層體35進行熱壓。 熱壓之加熱溫度例如為100℃以上，較佳為130℃以上，又，例如為250℃以下，較佳為200℃以下。 壓力例如為0.1 MPa以上，較佳為1 MPa以上，又，例如為100 MPa以下，較佳為10 MPa以下。 加壓時間例如為1分鐘以上，較佳為5分鐘以上，又，例如為120分鐘以下，較佳為60分鐘以下。 藉此，接著劑積層體36之異向導電性接著劑層7與強化纖維層17之上表面接觸，其後，異向導電性接著劑層7之異向導電性接著劑沿厚度方向滲入及通過強化纖維層17之纖維開口部而與配線積層體35之第1覆蓋絕緣層6之上表面接觸。其後，若通過纖維開口部之異向導電性接著劑增加，則如圖4F所示，於第1覆蓋絕緣層6之上表面形成包含異向導電性接著劑之接著劑層下部31。又，接地開口部15亦被異向導電性接著劑填充而形成導通部16。 此時，於異向導電性接著劑含有可成為B階段狀態之熱硬化性樹脂之情形時，藉由熱壓而熱硬化性樹脂容易軟化。因此，容易通過強化纖維層17而到達第1覆蓋絕緣層6之上表面，從而確實地形成接著劑層下部31。 又，於該情形時，較佳為進一步實施加熱步驟而將異向導電性接著劑製成C階段狀態(完全硬化狀態)。 如此，獲得具備基底絕緣層4、導體圖案5、第1覆蓋絕緣層6、異向導電性接著劑層7、屏蔽層8及第2覆蓋絕緣層9且異向導電性接著劑層7於內部含有強化纖維層17的安裝基板1。 此種安裝基板1例如係用作用以安裝攝像元件之配線電路基板。即，安裝基板1係用於相機模組等攝像裝置。 3.攝像裝置 參照圖5對具備安裝基板1之攝像裝置20進行說明。 攝像裝置20具備安裝基板1、攝像元件21、外殼22、光學透鏡23、及濾光片24。 安裝基板1係與圖2之狀態上下顛倒後使用。即，安裝基板1係以使基底絕緣層4成為上側並使第2覆蓋絕緣層9成為下側之方式配置。 攝像元件21係將光轉換為電信號之半導體元件，例如可列舉CMOS感測器、CCD感測器等固體攝像元件。 攝像元件21形成為俯視下大致矩形之平板形狀，雖未圖示，但具備Si基板等矽、配置於其上之光電二極體(光電轉換元件)及彩色濾光片。於攝像元件21之下表面設置有複數個與安裝基板1之攝像元件連接端子10對應之端子25。 攝像元件21(尤其是Si基板)之熱膨脹係數例如為1 ppm/K以上，較佳為2 ppm/K以上，又，例如未達20 ppm/K，較佳為10 ppm/K以下，更佳為5 ppm/K以下。熱膨脹係數係面方向之線熱膨脹係數，例如可藉由熱機械分析裝置或光掃描式測定裝置並依據JIS Z 2285進行測定。 攝像元件21之厚度例如為10 μm以上，較佳為50 μm以上，又，例如為1000 μm以下，較佳為500 μm以下。 攝像元件21安裝於安裝基板1。即，攝像元件21之端子25經由焊料凸塊26等與對應之安裝基板1之攝像元件連接端子10覆晶安裝。藉此，攝像元件21配置於安裝基板1之外殼配置部2之中央部，並與安裝基板1之攝像元件連接端子10及外部零件連接端子11電性連接。 攝像元件21藉由安裝於安裝基板1而構成攝像單元27。即，攝像單元27具備安裝基板1及安裝於其之攝像元件21。 外殼22以與攝像元件21隔開間隔而包圍之方式配置於安裝基板1之外殼配置部2。外殼22具有俯視下大致矩形狀之筒狀。於外殼22之上端設置有用以固定光學透鏡23之固定部。 光學透鏡23與安裝基板1及攝像元件21隔開間隔配置於安裝基板1之上側。光學透鏡23形成為俯視下大致圓形狀，並以來自外部之光到達攝像元件21之方式由固定部固定。 濾光片24於攝像元件21及光學透鏡23之上下方向中央與該等隔開間隔配置，並固定於外殼22。 並且，安裝基板1具備基底絕緣層4、配置於基底絕緣層4之上側之第1配線12、配置於第1配線12之上側之第1覆蓋絕緣層6、配置於第1覆蓋絕緣層之上側之異向導電性接著劑層7、配置於異向導電性接著劑層7之上側之屏蔽層8、及配置於屏蔽層8之上側之第2覆蓋絕緣層9。又，異向導電性接著劑層7含有絕緣性之強化纖維層17。 該安裝基板1由於經由異向導電性接著劑層7具備屏蔽層8，故而對電磁波之屏蔽特性優異。 又，於安裝基板1中，於在安裝基板1安裝有攝像元件21之攝像單元27(電子裝置)中可抑制翹曲。 即，於先前之屏蔽層接著型之FPC中，接著劑層之熱膨脹係數超過60 ppm/K。另一方面，由於攝像元件具備Si基板等，故而，通常其熱膨脹係數未達20 ppm/K。由於該等之熱膨脹係數(具體而言，面方向之線熱膨脹係數)存在差異，故而若將攝像元件安裝於FPC，則FPC會因熱之影響而產生大幅之翹曲。 相對於此，於該安裝基板1中，由於異向導電性接著劑層7含有相對於接著性樹脂而熱膨脹係數較低之強化纖維層17，故而異向導電性接著劑層7整體之熱膨脹係數例如降低至未達20 ppm/K。因此，攝像元件21之熱膨脹係數與安裝基板1之熱膨脹係數相對接近。因此，對於攝像元件安裝時之熱處理時或安裝後之攝像單元27之熱循環，可抑制翹曲之產生。 又，由於異向導電性接著劑層7含有強化纖維層17，故而異向導電性接著劑層7之硬度提高。因此，於將攝像元件21安裝於安裝基板1時，可抑制安裝基板1之撓曲，從而可提高攝像元件21之安裝性。 藉由該等安裝時之翹曲之產生抑制、及撓曲產生抑制，於該安裝基板1中，可高精度地安裝攝像元件21。 又，由於在第1配線12之上側具備第1覆蓋絕緣層6，故而可確實地保護第1配線12。 又，第1覆蓋絕緣層6具有沿厚度方向貫通之接地開口部15，且於接地開口部15填充有異向導電性接著劑(導通部16)。 因此，屏蔽層8可經由異向導電性接著劑層7及導通部16與接地配線14導通，從而可將屏蔽層8接地。因此，可更確實地遮蔽來自外部之電磁波。 進而，因經由異向導電性接著劑層7之導通而一面防止向面方向導通，一面於厚度方向上導通。因此，於屏蔽層8與第1接地配線14之導通部16存在複數個之情形時，可防止各導通部16間之導通(短路)。因此，可一面防止獨立之複數根第1接地配線14之短路，一面經由異向導電性接著劑層7將屏蔽層8與第1配線12於複數個部位導通。 又，安裝基板1由於無需金屬支持體19等支持體，故而可實現薄型化。 根據該安裝基板1之製造方法，具備準備配線積層體35之步驟、準備接著劑積層體36之步驟、準備強化纖維層17之步驟、以配線積層體35之第1覆蓋絕緣層6之表面與接著劑積層體36之異向導電性接著劑層7之表面對向且強化纖維層17位於該等之間之方式配置配線積層體35、接著劑積層體36及強化纖維層17之步驟、以及以異向導電性接著劑層7將強化纖維層17沿厚度方向貫通且與配線積層體35之第1覆蓋絕緣層6之表面接觸之方式將配線積層體35及接著劑積層體36積層之步驟。 即，只要將強化纖維層17配置於配線積層體35與接著劑積層體36之間並將該等積層即可，故而可簡單地製造屏蔽特性優異且安裝性之精度良好之安裝基板1。 又，若使用感光性之絕緣性材料形成基底絕緣層4或第1覆蓋絕緣層6，則可高精度地形成基底絕緣層4或第1覆蓋絕緣層6之開口部(攝像元件開口部41、外部零件開口部42、接地開口部15)。 再者，於該安裝基板1中，強化纖維層17未含有於基底絕緣層4或第1覆蓋絕緣層6中，而是含有於異向導電性接著劑層7中。因此，可良好地維持基底絕緣層4或第1覆蓋絕緣層6之開口部(攝像元件開口部41、外部零件開口部42、接地開口部15)之精度。即，若基底絕緣層4等中含有強化纖維，則於形成基底絕緣層4時之曝光時會產生強化纖維之反射，故而無法使基底覆膜顯影成特定形狀，從而無法高精度地形成開口部等。 根據該攝像裝置20，由於經由異向導電性接著劑層7具備屏蔽層8，故而對電磁波之屏蔽特性優異。又，由於異向導電性接著劑層7之熱膨脹係數降低，故而可抑制翹曲。又，由於異向導電性接著劑層7之硬度提高而安裝基板1之撓曲得到抑制，故而攝像裝置20之安裝性提高而連接可靠性優異。 ＜第1實施形態之變化例＞ 於上述實施形態之安裝基板1中，於異向導電性接著劑層7中，強化纖維層17未與第1覆蓋絕緣層6接觸，但例如亦可如圖6所示般，強化纖維層17與第1覆蓋絕緣層6接觸。 又，於上述實施形態之安裝基板1中，於異向導電性接著劑層7中，強化纖維層17未與屏蔽層8接觸，但例如亦可如圖7所示般，使強化纖維層17與屏蔽層8接觸。 又，於上述實施形態之安裝基板1中，於異向導電性接著劑層7中，強化纖維層17未與第1覆蓋絕緣層6及屏蔽層8接觸，但例如亦可如圖8所示般，強化纖維層17與第1覆蓋絕緣層6及屏蔽層8之兩者接觸。 又，於上述實施形態之安裝基板1中，接著劑層為異向導電性接著劑層7，但例如雖未圖示，接著劑層亦可設為厚度方向及面方向之兩者具有導電性之同向導電性接著劑層。於該情形時，接地開口部15及導通部16之數量分別設為單數。 又，於上述實施形態之安裝基板1之製造方法中，於金屬支持體去除步驟之後實施配置步驟及積層步驟，但例如雖未圖示，亦可於金屬支持體去除步驟之前實施配置步驟及積層步驟。即，亦可於支持於金屬支持體19之狀態下於配線積層體35依序配置、積層強化纖維層17及接著劑積層體36，最後，將金屬支持體19去除。 又，於上述實施形態之攝像裝置20中，攝像元件21覆晶安裝於安裝基板1，但例如雖未圖示，攝像元件21亦可藉由打線接合安裝於安裝基板1。 於上述實施形態中，作為本發明之可撓配線電路基板，作為用以安裝攝像元件21之攝像元件安裝基板1進行說明，但可撓配線電路基板之用途並不限定於此。例如，可適當用於具備針對電磁波之屏蔽特性並且要求低熱膨脹係數之各種用途、例如壓力感測器、加速度感測器、陀螺儀感測器、超音波感測器、指紋認證感測器等之安裝基板等。 ＜第2實施形態＞ 參照圖9～圖10C對安裝基板1之第2實施形態進行說明。再者，於第2實施形態之安裝基板1中，對上述圖2所示之與第1實施形態相同之構件標註相同之符號，並省略其說明。 第2實施形態之安裝基板1相對於第1實施形態之構成，於第1覆蓋絕緣層6及異向導電性接著劑層7之間進而具備第2導體圖案50、及作為第4絕緣層之第3覆蓋絕緣層51。 即，第2實施形態之安裝基板1具備基底絕緣層4、導體圖案(第1導體圖案)5、第1覆蓋絕緣層6、第2導體圖案50、第3覆蓋絕緣層51、異向導電性接著劑層7、屏蔽層8、及第2覆蓋絕緣層9。較佳為第2實施形態僅由基底絕緣層4、導體圖案5、第1覆蓋絕緣層6、第2導體圖案50、第3覆蓋絕緣層51、異向導電性接著劑層7、屏蔽層8及第2覆蓋絕緣層9構成。 第2導體圖案50係以與第1覆蓋絕緣層6之上表面接觸之方式設置於第1覆蓋絕緣層6之上側。第2導體圖案50具備複數個第2攝像元件連接端子(未圖示)、複數個第2外部零件連接端子(未圖示)、及複數根第2配線52。 複數個第2攝像元件連接端子係以經由形成於第1覆蓋絕緣層6並與第2攝像元件連接端子開口部(未圖示)連通之連通開口部(未圖示)自形成於基底絕緣層4之第2攝像元件連接端子開口部(未圖示)露出之方式形成。 複數個第2外部零件連接端子係以經由形成於第1覆蓋絕緣層6並與第2外部零件元件連接端子開口部(未圖示)連通之連通開口部(未圖示)自形成於基底絕緣層4之第2外部零件連接端子開口部(未圖示)露出之方式形成。 複數根第2配線52具備複數根第2連接配線53及複數根第2接地配線54。複數根第2連接配線53係以與複數個第2攝像元件連接端子及複數個第2外部零件連接端子對應地將該等連接之方式設置。複數根第2接地配線54係以與複數根第2連接配線53對應之方式設置。 第2導體圖案50之材料與導體圖案5之材料相同。 第2導體圖案30之厚度T9 、及第2配線52之寬度分別與導體圖案5之厚度T2 、及第1配線12之寬度相同。 第3覆蓋絕緣層51係以被覆第2導體圖案50之方式設置於第1覆蓋絕緣層6之上側。即，第3覆蓋絕緣層51係以與第2導體圖案50之上表面及側面、及自第2導體圖案50露出之第1覆蓋絕緣層6之上表面接觸之方式配置。第3覆蓋絕緣層51之外形係以成為與基底絕緣層4相同之方式形成。 於第3覆蓋絕緣層51形成有複數個作為第2開口部之第2接地開口部55。第2接地開口部55係用以使第2接地配線54之上表面露出之開口部。複數個第2接地開口部55與複數根第2接地配線54對應地形成(再者，於圖9中，僅圖示出單數之第2接地開口部55)。第2接地開口部55將第3覆蓋絕緣層51沿厚度方向貫通，且具有仰視下大致圓形狀。第2接地開口部55具有隨著朝向下側而開口截面積減小之錐形狀。 於第2接地開口部55之內部填充有異向導電性接著劑。即，第2接地開口部55之內部配置有包含異向導電性接著劑之第2導通部56。藉此，屏蔽層8經由異向導電性接著劑層7及第2導通部56電性連接於第2接地配線54，其結果為屏蔽層8接地。 第3覆蓋絕緣層51之材料及厚度T10 分別與第1覆蓋絕緣層6之材料及厚度T3 相同。 第2實施形態之安裝基板1之製造方法具備準備第2配線積層體57、接著劑積層體36及強化纖維層17之準備步驟、對該等進行配置之配置步驟、及將該等積層之積層步驟。 首先，於準備步驟中，分別準備第2配線積層體57、接著劑積層體36及強化纖維層17。 第2配線積層體57依序具備基底絕緣層4、導體圖案(第1導體圖案)5、第1覆蓋絕緣層6、第2導體圖案50、及第3覆蓋絕緣層51。 第2配線積層體57係藉由如下而獲得：於支持於金屬支持體19之狀態下獲得第1實施形態之配線積層體(第1配線積層體)35後，進而於第1覆蓋絕緣層6之上表面依序形成第2導體圖案30及第3覆蓋絕緣層51，繼而將金屬支持體19去除。 繼而，於配置步驟中，如圖10A所示，將第2配線積層體57、強化纖維層17、及接著劑積層體36對向配置。 具體而言，以第2配線積層體57之第3覆蓋絕緣層51與接著劑積層體36之異向導電性接著劑層7對向之方式將第2配線積層體57與接著劑積層體36相互隔開間隔配置。又，於第2配線積層體57與接著劑積層體36之間配置強化纖維層17。 即，以強化纖維層17之下表面與第2配線積層體57之第3覆蓋絕緣層51對向且強化纖維層17之上表面與接著劑積層體36之異向導電性接著劑層7對向之方式於厚度方向上依序配置第2配線積層體57、強化纖維層17及接著劑積層體36。 繼而，於積層步驟中，如圖10B及圖10C所示，將第2配線積層體57、強化纖維層17、及接著劑積層體36積層。 具體而言，將接著劑積層體36對第2配線積層體57進行熱壓。 藉此，接著劑積層體36之異向導電性接著劑層7與強化纖維層17之上表面接觸，其後，異向導電性接著劑層7之異向導電性接著劑沿厚度方向滲入及通過強化纖維層17之纖維開口部而與第2配線積層體57之第3覆蓋絕緣層51之上表面接觸。又，第2接地開口部55亦被異向導電性接著劑填充而形成第2導通部56。 如此，獲得具備基底絕緣層4、導體圖案5、第1覆蓋絕緣層6、第2導體圖案50、第3覆蓋絕緣層51、異向導電性接著劑層7、屏蔽層8、及第2覆蓋絕緣層9之安裝基板1。 第2實施形態之安裝基板1亦發揮與第1實施形態相同之作用效果。 尤其是於第2實施形態中，由於具備導體圖案5及第2導體圖案50，故而與第1實施形態相比，可提高配線設計之自由度。 又，第3覆蓋絕緣層51具有沿厚度方向貫通之第2接地開口部55，且於第2接地開口部55填充有異向導電性接著劑(第2導通部56)。 因此，屏蔽層8可經由異向導電性接著劑層7及第2導通部56與第2接地配線54導通，從而可使屏蔽層8接地。因此，可更確實地遮蔽來自外部之電磁波。 進而，因經由異向導電性接著劑層7之導通而一面防止向面方向導通，一面於厚度方向上導通。因此，於屏蔽層8與第2接地配線54之第2導通部56存在複數個之情形時，可防止各第2導通部56間之導通(短路)。因此，可一面防止獨立之複數根第2接地配線54之短路，一面經由異向導電性接著劑層7使屏蔽層8與第2配線52於複數個部位導通。 又，第1實施形態之變化例亦可同樣地應用於第2實施形態。 ＜第3實施形態＞ 參照圖11對安裝基板1之第3實施形態進行說明。再者，於第3實施形態之安裝基板1中，對上述圖2及圖9所示之與第1～2實施形態相同之構件標註相同之符號，並省略其說明。 第3實施形態之安裝基板1相對於第1實施形態之構成，於第1覆蓋絕緣層6及異向導電性接著劑層7之間進而具備作為第2接著劑層之第2異向導電性接著劑層60、第2基底絕緣層61、第2導體圖案50、及第3覆蓋絕緣層51。 即，第3實施形態之安裝基板1具備基底絕緣層4、導體圖案(第1導體圖案)5、第1覆蓋絕緣層6、第2異向導電性接著劑層60、第2基底絕緣層61、第2導體圖案50、第3覆蓋絕緣層51、異向導電性接著劑層(第1異向導電性接著劑層)7、屏蔽層8、及第2覆蓋絕緣層9。較佳為第3實施形態僅由基底絕緣層4、導體圖案5、第1覆蓋絕緣層6、第2異向導電性接著劑層60、第2基底絕緣層61、第2導體圖案50、第3覆蓋絕緣層51、異向導電性接著劑層7、屏蔽層8及第2覆蓋絕緣層9構成。 於第1覆蓋絕緣層6形成有複數個作為第1開口部之第1通孔開口部62。第1通孔開口部62係用以使連接配線13之上表面露出之開口部。複數個第1通孔開口部62與連接配線13對應地形成。第1通孔開口部62將第1覆蓋絕緣層6沿厚度方向貫通，且具有仰視下大致圓形狀。第1通孔開口部62具有隨著朝向下側而截面積減小之錐形狀。 第1通孔開口部62之內部配置有包含異向導電性接著劑之第2導通部63。即，於第1通孔開口部62之內部填充有異向導電性接著劑。藉由第2導通部63，使第2連接配線53經由第2異向導電性接著劑層60及第2導通部63電性連接於連接配線13。 第2異向導電性接著劑層60係僅於厚度方向上具備導電性且用以將第1覆蓋絕緣層6及屏蔽層8接著之層。第2異向導電性接著劑層60係以與第1覆蓋絕緣層6之上表面接觸之方式設置於第1覆蓋絕緣層6之上側。第2異向導電性接著劑層法具備異向導電性接著劑及強化纖維層17。具體而言，第2異向導電性接著劑層60之構成、材料等與第1實施形態之異向導電性接著劑層7之構成、材料等相同。 第2基底絕緣層61係以與第2異向導電性接著劑層60之上表面接觸之方式設置於第2異向導電性接著劑層60之上側。第2基底絕緣層61之外形係以成為與第1實施形態之基底絕緣層4相同之方式形成。又，第2基底絕緣層61係由與基底絕緣層4之材料相同之材料形成。 於第2基底絕緣層61形成有複數個第2通孔開口部64。第2通孔開口部64係用以使通孔連接部65自下表面露出之開口部。複數個第2通孔開口部64與複數個第1通孔開口部62對應地形成，將第2基底絕緣層61沿厚度方向貫通，且具有仰視下大致圓形狀。第2通孔開口部64具有隨著朝向下側而截面積減小之錐形狀。 第2導體圖案50係以與第2基底絕緣層61之上表面接觸之方式設置於第2基底絕緣層61之上側。第2導體圖案50具備複數個通孔連接部65、複數個第2外部零件連接端子(未圖示)、及複數根第2配線52。 複數個通孔連接部65與複數個第2通孔開口部64對應地設置。複數個通孔連接部65配置於第2通孔開口部64內，且係以於剖視(側視及前視)下向下側凸出之方式形成。通孔連接部65之下表面自第2通孔開口部64露出。 複數根第2配線52具備複數根第2連接配線53及複數根第2接地配線54。複數根第2連接配線53係以與複數個通孔連接部65及複數個第2外部零件連接端子對應並將該等連接之方式設置。 關於第3實施形態之安裝基板1之製造方法，例如首先參照圖3A～圖3D，準備依序具備基底絕緣層4、導體圖案5及第1覆蓋絕緣層6之第3配線積層體。又，參照圖3A～圖4G，準備依序具備第2基底絕緣層61、第2導體圖案50、第3覆蓋絕緣層51、異向導電性接著劑層7、屏蔽層8及第2覆蓋絕緣層9之第4配線積層體。 繼而，參照圖4E～圖4G所示之配置步驟及積層步驟，於第3配線積層體之上側依序配置、積層強化纖維層17、第2異向導電性接著劑層60、第4配線積層體。 第3實施形態亦發揮與第1～2實施形態相同之作用效果。 尤其是於第3實施形態中，與第1實施形態相比，可提高配線設計之自由度。 又，第3實施形態之安裝基板1於第1配線12及第2配線52之間具備第2異向導電性接著劑層60，第2異向導電性接著劑層60含有強化纖維層17。因此，第2異向導電性接著劑層60之熱膨脹係數降低。因此，可進一步抑制攝像單元27之翹曲。 又，第1實施形態之變化例亦可同樣地應用於第3實施形態。 此外，於上述實施形態之安裝基板1中，第2接著劑層為第2異向導電性接著劑層60，但例如雖未圖示，第2接著劑層亦可製成於厚度方向及面方向之兩者具有導電性之同向導電性接著劑層。於該情形時，通孔連接部65、接地開口部15、導通部16等之數量分別設為單數。就可於複數個部位實現第1配線12及第2配線52之通孔連接之觀點而言，較佳為列舉第2異向導電性接著劑層60。 ＜第4實施形態＞ 參照圖12對安裝基板1之第4實施形態進行說明。再者，於第4實施形態之安裝基板1中，對上述圖2、圖9及圖11所示之與第1～3實施形態相同之構件標註相同之符號，並省略其說明。 第4實施形態之安裝基板1相對於第1實施形態之構成，於異向導電性接著劑層7及屏蔽層8之間進而具備第2基底絕緣層61、第2導體圖案50、及第3覆蓋絕緣層51。 即，第4實施形態之安裝基板1具備基底絕緣層4、導體圖案(第1導體圖案)5、第1覆蓋絕緣層6、異向導電性接著劑層7、第2基底絕緣層61、第2導體圖案50、第3覆蓋絕緣層51、屏蔽層8、及第2覆蓋絕緣層9。較佳為第4實施形態僅由基底絕緣層4、導體圖案5、第1覆蓋絕緣層6、異向導電性接著劑層7、第2基底絕緣層61、第2導體圖案50、第3覆蓋絕緣層51、屏蔽層8及第2覆蓋絕緣層9構成。 於第4實施形態中，屏蔽層8直接設置於第3覆蓋絕緣層51之上表面。即，屏蔽層8係以與第3覆蓋絕緣層51之上表面接觸之方式設置於第3覆蓋絕緣層51之上側。 又，於第3覆蓋絕緣層51之接地開口部55，屏蔽層8與自第2接地開口部55露出之第2接地配線54直接接觸。藉此，屏蔽層8接地。 關於第4實施形態之安裝基板1之製造方法，例如，首先參照圖3A～圖3C，準備依序具備基底絕緣層4、導體圖案5及第1覆蓋絕緣層6之第3配線積層體。 另一方面，準備具備異向導電性接著劑層7、第2基底絕緣層61、第2導體圖案50、第3覆蓋絕緣層51、屏蔽層8及第2覆蓋絕緣層9之第2接著劑積層體。 於第2接著劑積層體之準備中，首先準備依序具備第2基底絕緣層61、第2導體圖案50、第3覆蓋絕緣層51、屏蔽層8及第2覆蓋絕緣層9之第5配線積層體，接下來，藉由塗佈法、轉印法等將異向導電性接著劑層7積層於其下表面。 又，於在第2接著劑積層體中於第3覆蓋絕緣層51之上表面形成屏蔽層8之情形時，作為其形成方法，可列舉：電鍍、無電鍍敷等鍍敷法；例如濺鍍法、蒸鍍法、離子鍍敷法；例如利用導電膏之塗佈法。就薄膜化之觀點而言，較佳為列舉濺鍍法、蒸鍍法，更佳為列舉濺鍍法。 繼而，參照圖4E～圖4G所示之配置步驟及積層步驟，於第3配線積層體之上側依序配置、積層強化纖維層17、第2接著劑積層體。 第4實施形態之安裝基板1亦可發揮與第1～3實施形態相同之作用效果。 尤其是於第4實施形態中，由於在異向導電性接著劑層7及屏蔽層8之間具備第2配線52，故而與第1實施形態相比，可提高配線設計之自由度。 又，第1實施形態之變化例亦可同樣地應用於第4實施形態。 ＜第5實施形態＞ 參照圖13對安裝基板1之第5實施形態進行說明。再者，於第5實施形態之安裝基板1中，對上述圖2所示之與第1實施形態相同之構件標註相同之符號，並省略其說明。 第5實施形態之安裝基板1相對於第1實施形態之構成，具備絕緣性接著劑層70代替異向導電性接著劑層7，且不具備第1覆蓋絕緣層6及屏蔽層8。 第5實施形態之安裝基板1例如如圖13所示，具備基底絕緣層4、導體圖案5、作為接著劑層之絕緣性接著劑層70、及第2覆蓋絕緣層9(覆蓋絕緣層)。較佳為第4實施形態僅由基底絕緣層4、導體圖案5、絕緣性接著劑層70、及覆蓋絕緣層9構成。 絕緣性接著劑層70係以於導體圖案5及覆蓋絕緣層9之間將該等接著之方式配置。具體而言，絕緣性接著劑層70與導體圖案5之上表面及側面、自導體圖案5露出之基底絕緣層4之上表面、以及第2覆蓋絕緣層9之整個下表面直接接觸。 絕緣性接著劑層70具備絕緣接著劑及強化纖維層17。絕緣性接著劑係不含導電性粒子而含有接著性樹脂之組合物。 關於第5實施形態之安裝基板1之製造方法，例如，首先準備依序具備基底絕緣層4及導體圖案5之第6配線積層體。 另一方面，準備具備異向導電性接著劑層7及第2覆蓋絕緣層9之第3接著劑積層體。 繼而，參照圖4E～圖4G所示之配置步驟及積層步驟，於第6配線積層體之上側依序配置、積層強化纖維層17、第3接著劑積層體。 第5實施形態之安裝基板1亦發揮與第1實施形態相同之作用效果。 再者，於第5實施形態中，絕緣性接著劑層70與第1配線12之上表面及第2覆蓋絕緣層9之下表面直接接觸。因此，由於係藉由經由絕緣性接著劑層70使第2覆蓋絕緣層9與第1配線12接觸並配置而獲得，故而可容易地獲得第1配線12受到保護之安裝基板1。 較佳為列舉第1～第4實施形態之安裝基板1。於該等實施形態中，屏蔽特性良好。又，於第1～第3實施形態之安裝基板1中，屏蔽層8可經由異向導電性接著劑層7而與接地配線14或第2接地配線54電性連接。進而，於第3及第4之實施形態中，通孔連接部65可經由異向導電性接著劑層7與連接配線13電性連接。 又，第1實施形態之變化例亦可同樣地應用於第5實施形態。 [實施例] 以下示出實施例及比較例，並對本發明進而具體地進行說明。再者，本發明並不限定於任何實施例及比較例。於以下之記載中所使用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等具體數值可替代成上述「實施方式」中所記載之與該等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等相應記載之上限值(作為「以下」、「未達」而定義之數值)或下限值(作為「以上」、「超過」而定義之數值)。 實施例1 準備厚度18 μm之包含不鏽鋼之金屬支持體。 繼而，將聚醯亞胺前驅物溶液塗佈於金屬支持體之上表面，繼而，於80℃下使之乾燥10分鐘而形成基底皮膜(聚醯亞胺前驅物皮膜)。接下來，經由光罩對基底皮膜進行曝光，接下來，進行顯影。其後，於氮氣環境下並於360℃下將基底皮膜加熱(硬化)1小時，藉此形成包含聚醯亞胺且具有攝像元件開口部及外部零件開口部之厚度5 μm之基底絕緣層。 其後，利用加成法將包含銅之厚度3 μm之導體圖案(第1配線、各連接端子)形成於基底絕緣層之上表面及自攝像元件開口部及外部零件開口部露出之金屬支持體之上表面。 其後，將聚醯亞胺前驅物溶液塗佈於基底絕緣層及導體圖案之上表面，繼而，於80℃下使之乾燥10分鐘而形成覆蓋皮膜(聚醯亞胺前驅物皮膜)。接下來，經由光罩對覆蓋皮膜進行曝光，接下來，進行顯影。其後，於氮氣環境下並於360℃下將覆蓋皮膜加熱1小時，藉此獲得包含聚醯亞胺之厚度3 μm之第1覆蓋絕緣層。 其後，自下方噴霧包含三氯化鐵水溶液之蝕刻液而將金屬支持體去除。藉此，使基底絕緣層之整個下表面露出。 藉此，獲得依序具備基底絕緣層、導體圖案及第1覆蓋絕緣層之配線積層體。 利用上述式(1)算出配線積層體之配線區域(基底絕緣層、第1配線及第1覆蓋絕緣層)之等效彈性模數D，結果為38 GPa。再者，聚醯亞胺之彈性模數為6.3 GPa，銅之彈性模數為123 GPa。 將玻璃纖維層(玻璃布、厚度10 μm)配置於配線積層體之第1覆蓋絕緣層與依序具備異向導電接著劑層(厚度10 μm)、屏蔽層(銀層、厚度0.1 μm)及第2覆蓋絕緣層(三聚氰胺樹脂層積層體、厚度5 μm)之屏蔽膜(Tatsuta電線股份有限公司，SF-PC5600)之異向導電接著劑層之間。接下來，將該等於3 MPa、150℃、30分鐘之條件下進行加壓，藉此製造實施例1之安裝基板(參照圖2)。 使用熱機械分析裝置(TMA、RIGAKU公司製造，「Thermo Plus TMA8310」)測定實施例1之安裝基板於0～50℃下之面方向之線熱膨脹係數，結果為12 ppm/K。 實施例2 將包含銅之導體圖案之厚度變更為5 μm，除此以外，以與實施例1相同之方式製造實施例2之安裝基板。配線積層體之配線區域之等效彈性模數為51 GPa。測定安裝基板於0～50℃下之線熱膨脹係數，結果為14 ppm/K。 實施例3 將包含銅之導體圖案之厚度變更為10 μm，除此以外，以與實施例1相同之方式製造實施例3之安裝基板。配線積層體之配線區域之等效彈性模數為71 GPa。測定安裝基板於0～50℃下之線熱膨脹係數，結果為16 ppm/K。 再者，上述發明係以本發明之例示之實施形態之形式提供，其僅不過為例示，而不應限定性地解釋。對於該技術領域之業者而言明確之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍中。 [產業上之可利用性] 本發明之配線電路基板可應用於各種工業製品，例如可適當用於相機模組等攝像裝置。
1‧‧‧安裝基板2‧‧‧外殼配置部3‧‧‧外部零件連接部4‧‧‧基底絕緣層5‧‧‧導體圖案6‧‧‧第1覆蓋絕緣層7‧‧‧異向導電性接著劑層8‧‧‧屏蔽層9‧‧‧第2覆蓋絕緣層10‧‧‧攝像元件連接端子11‧‧‧外部零件連接端子12‧‧‧第1配線13‧‧‧連接配線14‧‧‧接地配線15‧‧‧接地開口部16‧‧‧導通部17‧‧‧強化纖維層19‧‧‧金屬支持體20‧‧‧攝像裝置21‧‧‧安裝攝像元件22‧‧‧外殼23‧‧‧光學透鏡24‧‧‧濾光片25‧‧‧端子26‧‧‧焊料凸塊27‧‧‧攝像單元30‧‧‧第2導體圖案31‧‧‧接著劑層下部32‧‧‧接著劑層上部33‧‧‧接著劑中間部35‧‧‧配線積層體36‧‧‧接著劑積層體41‧‧‧攝像元件開口部42‧‧‧外部零件開口部50‧‧‧第2導體圖案51‧‧‧第3覆蓋絕緣層52‧‧‧第2配線53‧‧‧第2連接配線54‧‧‧第2接地配線55‧‧‧第2接地開口部56‧‧‧第2導通部57‧‧‧第2配線積層體60‧‧‧第2異向導電性接著劑層61‧‧‧第2基底絕緣層62‧‧‧第1通孔開口部63‧‧‧第2導通部64‧‧‧第2通孔開口部65‧‧‧通孔連接部70‧‧‧絕緣性接著劑層T1‧‧‧厚度T2‧‧‧厚度T3‧‧‧厚度T4‧‧‧厚度T5‧‧‧厚度T6‧‧‧厚度T7‧‧‧厚度
圖1表示本發明之可撓配線電路基板之第1實施形態之仰視圖。 圖2表示圖1所示之可撓配線電路基板之A-A剖視圖。 圖3A～圖3D表示圖1所示之可撓配線電路基板之製造步驟圖，圖3A表示金屬支持體準備步驟及基底絕緣層形成步驟，圖3B表示導體圖案形成步驟，圖3C表示第1覆蓋絕緣層形成步驟，圖3D表示金屬支持體去除步驟。 圖4E～圖4G表示繼圖3D之可撓配線電路基板之製造步驟圖，圖4E表示配置步驟，圖4F表示積層步驟(強化纖維層與配線積層體及接著劑積層體接觸之狀態)，圖4G表示積層步驟(異向導電性接著劑層與第1覆蓋絕緣層接觸之狀態)。 圖5表示具備圖1所示之可撓配線電路基板之攝像裝置。 圖6表示本發明之可撓配線電路基板之變化例(強化纖維層與第1覆蓋絕緣層接觸之形態)之剖視圖。 圖7表示本發明之可撓配線電路基板之變化例(強化纖維層與屏蔽層接觸之形態)之剖視圖。 圖8表示本發明之可撓配線電路基板之變化例(強化纖維層與第1覆蓋絕緣層及屏蔽層接觸之形態)之剖視圖。 圖9表示本發明之可撓配線電路基板之第2實施形態(具備第2導體圖案及第3覆蓋絕緣層之形態)之剖視圖。 圖10A～圖10C表示圖9所示之可撓配線電路基板之製造步驟圖，圖10A表示配置步驟，圖10B表示積層步驟(強化纖維層與第2配線積層體及接著劑積層體接觸之狀態)，圖10C表示積層步驟(異向導電性接著劑層與第3覆蓋絕緣層接觸之狀態)。 圖11表示本發明之可撓配線電路基板之第3實施形態(具備第2異向導電性接著劑層、第2基底絕緣層、第2導體圖案及第3覆蓋絕緣層之形態)之剖視圖。 圖12表示本發明之可撓配線電路基板之第4實施形態(具備第2基底絕緣層、第2導體圖案及第3覆蓋絕緣層之實施形態)之剖視圖。 圖13表示本發明之可撓配線電路基板之第5實施形態(接著劑層為絕緣性接著劑層之形態)之剖視圖。
1‧‧‧安裝基板
2‧‧‧外殼配置部
4‧‧‧基底絕緣層
5‧‧‧導體圖案
6‧‧‧第1覆蓋絕緣層
7‧‧‧異向導電性接著劑層
8‧‧‧屏蔽層
9‧‧‧第2覆蓋絕緣層
10‧‧‧攝像元件連接端子
12‧‧‧第1配線
13‧‧‧連接配線
14‧‧‧接地配線
15‧‧‧接地開口部
16‧‧‧導通部
17‧‧‧強化纖維層
31‧‧‧接著劑層下部
32‧‧‧接著劑層上部
33‧‧‧接著劑中間部
41‧‧‧攝像元件開口部
T1‧‧‧厚度
T2‧‧‧厚度
T3‧‧‧厚度
T4‧‧‧厚度
T5‧‧‧厚度
T6‧‧‧厚度
T7‧‧‧厚度

Claims (12)

  1. 一種可撓配線電路基板，其特徵在於包含：第1絕緣層；第1配線，其配置於上述第1絕緣層之厚度方向一側；接著劑層，其配置於上述第1配線之厚度方向一側；第2絕緣層，其配置於上述接著劑層之厚度方向一側；第3絕緣層，其配置於上述第1配線及上述接著劑層之間；及屏蔽層，其配置於上述接著劑層及上述第2絕緣層之間且與上述接著劑層相接；且上述第3絕緣層具有沿厚度方向貫通之第1開口部，上述接著劑層含有導電性接著劑、及埋設於該導電性接著劑且具有絕緣性之強化纖維層，上述導電性接著劑填充上述第1開口部而與上述第1配線相接，上述導電性接著劑包含接著性樹脂及導電性粒子，上述強化纖維層具有開口長度為20μm以上且500μm以下之複數個纖維開口部，上述導電性粒子之平均粒徑為1μm以上且20μm以下。
  2. 如請求項1之可撓配線電路基板，其中上述強化纖維層之厚度為5μm以上且25μm以下。
  3. 如請求項1之可撓配線電路基板，其中上述強化纖維層為玻璃纖維 層。
  4. 如請求項1之可撓配線電路基板，其中上述導電性接著劑為異向導電性接著劑。
  5. 如請求項1之可撓配線電路基板，其中上述第1絕緣層、上述第1配線及上述第3絕緣層之等效彈性模數為55GPa以下。
  6. 如請求項1之可撓配線電路基板，其進而包含配置於上述第3絕緣層及上述接著劑層之間之第2配線。
  7. 如請求項6之可撓配線電路基板，其包含配置於上述第2配線之厚度方向一側之第4絕緣層，上述第4絕緣層具有沿厚度方向貫通之第2開口部，上述接著劑層含有導電性接著劑，且上述導電性接著劑填充於上述第2開口部。
  8. 如請求項6之可撓配線電路基板，其進而包含配置於上述第1配線及上述第2配線之間之第2接著劑層，且上述第2接著劑層含有具有絕緣性之強化纖維層。
  9. 如請求項1之可撓配線電路基板，其進而包含配置於上述接著劑層及上述屏蔽層之間之第2配線。
  10. 一種攝像裝置，其特徵在於包含：如請求項1至9中任一項之可撓配線電路基板；及攝像元件，其安裝於上述可撓配線電路基板。
  11. 一種可撓配線電路基板之製造方法，其特徵在於包括如下步驟：準備配線積層體，該配線積層體包含第1絕緣層、配置於上述第1絕緣層之厚度方向一側之第1配線、及配置於上述第1配線之厚度方向一側且具有沿上述厚度方向貫通之第1開口部之第3絕緣層；準備接著劑積層體，該接著劑積層體包含由含有接著性樹脂及平均粒徑1μm以上且20μm以下之導電性粒子之導電性接著劑形成之接著劑層、配置於上述接著劑層之厚度方向一側之第2絕緣層、及配置於上述接著劑層與上述第2絕緣層之間之屏蔽層；準備具有絕緣性且具有開口長度為20μm以上且500μm以下之複數個纖維開口部之強化纖維層；以上述配線積層體之厚度方向一側之表面與上述接著劑積層體之上述接著劑層之表面對向且上述強化纖維層位於該等之間之方式配置上述配線積層體、上述接著劑積層體及上述強化纖維層；以及以上述接著劑層沿厚度方向貫通上述強化纖維層且與上述配線積層體之厚度方向一側接觸之方式將上述配線積層體及上述接著劑積層體積層。
  12. 如請求項11之可撓配線電路基板之製造方法，其中上述強化纖維層之厚度為5μm以上且25μm以下。
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