WO2018190215A1 - 撮像素子実装基板、その製造方法、および、実装基板集合体 - Google Patents

撮像素子実装基板、その製造方法、および、実装基板集合体 Download PDF

Info

Publication number
WO2018190215A1
WO2018190215A1 PCT/JP2018/014380 JP2018014380W WO2018190215A1 WO 2018190215 A1 WO2018190215 A1 WO 2018190215A1 JP 2018014380 W JP2018014380 W JP 2018014380W WO 2018190215 A1 WO2018190215 A1 WO 2018190215A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
insulating layer
mounting substrate
metal
wiring
layer
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/014380
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
周作 柴田
良広 河邨
隼人 高倉
誉大 ▲高▼野
秀一 若木
Original Assignee
日東電工株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2018071825A external-priority patent/JP7357436B2/ja
Application filed by 日東電工株式会社 filed Critical 日東電工株式会社
Priority to US16/499,987 priority Critical patent/US11081437B2/en
Priority to KR1020197029442A priority patent/KR102515701B1/ko
Priority to CN201880022488.4A priority patent/CN110494980B/zh
Publication of WO2018190215A1 publication Critical patent/WO2018190215A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details

Definitions

  • the present invention relates to an imaging element mounting substrate, a manufacturing method thereof, and a mounting substrate assembly.
  • an imaging device such as a camera module mounted on a mobile phone or the like generally includes an optical lens, a housing that houses and holds the optical lens, an imaging device such as a CMOS sensor or a CCD sensor, and an imaging device. And an imaging element mounting substrate for electrically connecting to external wiring.
  • An image pickup device is mounted on a substantially central portion of the image pickup device mounting substrate, and a housing is disposed on the peripheral end portion of the image pickup device mounting substrate so as to surround the image pickup device.
  • Patent Document 1 discloses such a substrate.
  • An imaging device used for a mobile phone or the like is required to be further reduced in thickness (lower height) in response to a request for downsizing of the mobile phone.
  • One of the means for reducing the height of the imaging apparatus is to make the imaging element mounting substrate thinner.
  • the image pickup device mounting substrate is generally composed of a thick rigid wiring circuit board whose entire back surface is reinforced with a metal plate and a thin flexible wiring circuit board (FPC) whose entire back surface is not reinforced with a metal plate. Two types are used.
  • FPC is not reinforced with a metal plate, it can be made thinner than a rigid printed circuit board.
  • thermal distortion occurs when the image pickup unit including the image sensor and the image sensor mount substrate is placed in an external environment that repeats high and low temperatures. In some cases, the imaging unit is warped. As a result, the image sensor and the optical lens are displaced from each other, and the image is distorted.
  • An object of the present invention is to provide an imaging element mounting substrate, a manufacturing method thereof, and a mounting substrate assembly that can be thinned and can suppress the occurrence of warpage.
  • the present invention [1] is an image sensor mounting substrate for mounting an image sensor, and includes a first insulating layer, a metal wiring arranged on one side in the thickness direction of the first insulating layer, and a thickness of the metal wiring.
  • the imaging device mounting substrate includes a wiring region including a second insulating layer disposed on one side in the direction, and the equivalent elastic modulus of the wiring region is not less than 5 GPa and not more than 55 GPa.
  • the equivalent elastic modulus is 5 GPa or more and 55 GPa or less. Therefore, when the imaging unit including the imaging element and the imaging element mounting substrate is placed in an environment where high and low temperatures are repeated, the imaging element And the imaging element mounting substrate can be alleviated, and as a result, the warp of the imaging unit can be reduced. Further, since a support substrate such as a metal support plate is not required, the thickness can be reduced.
  • the present invention [2] includes the imaging element mounting substrate according to [1], wherein the thickness of the metal wiring is 1 ⁇ m or more and 8 ⁇ m or less.
  • the present invention [3] includes the imaging element mounting substrate according to [1] or [2], wherein the total thickness of the imaging element mounting substrate is 40 ⁇ m or less.
  • the wiring region is disposed on one side in the thickness direction of the second insulating layer, and includes a metal shield layer and a third insulating layer disposed on one side in the thickness direction of the metal shield layer.
  • the image pickup device mounting substrate according to any one of [1] to [3] is further included.
  • the imaging element mounting substrate includes a conductor pattern having a terminal and the metal wiring, the metal wiring includes a ground wiring, and the metal shield layer is electrically connected to the ground wiring.
  • the image pickup device mounting substrate according to [4] is included.
  • the ground wiring is arranged on one side in the thickness direction of the first insulating layer, it is not necessary to separately provide a layer for ground wiring. As a result, it is possible to reduce the thickness of the imaging element mounting substrate.
  • the present invention [6] includes the imaging element mounting substrate according to [5], wherein the metal shield layer includes an inclined portion that extends in an inclined direction inclined with respect to a thickness direction and contacts the ground wiring. .
  • the metal shield layer is formed so as to be inclined, the metal shield layer can be formed by sputtering or vapor deposition. Therefore, it is possible to reduce the thickness of the shield layer.
  • the invention [7] is any one of [1] to [6], wherein in the wiring region, the ratio of the total thickness of the metal to the total thickness of the insulating layer is 0.10 or more and 0.70 or less.
  • the image pickup device mounting substrate described in 1) is included.
  • the invention [8] includes the imaging element mounting substrate according to [7], wherein in the wiring region, a ratio of a total metal thickness to a total thickness of the insulating layer is 0.20 or more and 0.70 or less. It is out.
  • the wiring width can be narrowed while improving the electrical characteristics, so that the degree of freedom in wiring design can be improved.
  • the present invention includes the imaging device mounting substrate according to any one of [1] to [8], further including a support and an adhesive layer.
  • the present invention [10] includes a mounting board assembly including a plurality of imaging element mounting boards according to any one of [1] to [9].
  • a plurality of image sensors can be mounted on a plurality of image sensor mounting substrates at the same time, so that the production efficiency is improved.
  • the present invention [11] includes the mounting substrate assembly described in [10] wound in a roll shape.
  • the present invention [12] is the method of manufacturing an imaging element mounting substrate according to any one of [1] to [9], wherein a step of preparing a metal support plate, one side in the thickness direction of the metal support plate A step of forming a first insulating layer, a step of forming a metal wiring on one side in the thickness direction of the first insulating layer, a step of forming a second insulating layer on one side in the thickness direction of the metal wiring, and The manufacturing method of the image pick-up element mounting board
  • an image sensor mounting board it is possible to manufacture an image sensor mounting board that can reduce the warpage of the image pickup unit.
  • the imaging element mounting substrate is manufactured on the metal support plate, handling is easy.
  • the metal support plate is removed after the imaging element mounting substrate is formed, the imaging element mounting substrate can be thinned.
  • the present invention [13] includes a step of forming a metal shield layer on one side in the thickness direction of the second insulating layer before the step of removing the metal support plate after the step of forming the second insulating layer. And the manufacturing method of the image pick-up element mounting board
  • the imaging element mounting substrate and mounting substrate assembly of the present invention can be thinned and can suppress the occurrence of warping.
  • the manufacturing method of the present invention can reliably manufacture a thin film imaging element mounting substrate in which the occurrence of warpage is suppressed.
  • FIG. 1 is a bottom view of a first embodiment of an image sensor mounting substrate according to the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of the image sensor mounting substrate shown in FIG. 3A to 3H show manufacturing process diagrams of the image sensor mounting substrate shown in FIG. 1,
  • FIG. 3A is a metal support plate preparation process
  • FIG. 3B is a base insulating layer formation process
  • FIG. 3C is a metal thin film formation process.
  • 3D is a photoresist formation process
  • FIG. 3E is a conductor pattern formation process
  • FIG. 3F is a photoresist / metal thin film removal process
  • FIG. 3G is a cover insulating layer formation process
  • FIG. 3H is a metal support plate removal process. Indicates.
  • FIG. 4 shows an imaging apparatus including the imaging element mounting substrate shown in FIG.
  • FIG. 5 is a bottom view of a mounting board assembly including the imaging element mounting board shown in FIG.
  • FIG. 6 shows a cross-sectional view of a modified example (a mode including an adhesive layer and a support) of the imaging element mounting substrate shown in FIG.
  • FIG. 7 is a bottom view of a modified example of the mounting board assembly shown in FIG.
  • FIG. 8 shows a perspective view of a modified example (a form formed in a roll shape) of the mounting board assembly shown in FIG.
  • FIG. 9 shows a cross-sectional view of a second embodiment (embodiment including a second conductor pattern and a second cover insulating layer) of the imaging element mounting substrate of the present invention.
  • FIG. 5 is a bottom view of a mounting board assembly including the imaging element mounting board shown in FIG.
  • FIG. 6 shows a cross-sectional view of a modified example (a mode including an adhesive layer and a support) of the imaging element mounting
  • FIG. 10 shows a cross-sectional view of a third embodiment (embodiment including a metal shield layer and a second cover insulating layer) of the image sensor mounting substrate of the present invention.
  • 11A to 11D show manufacturing process diagrams of the image sensor mounting substrate shown in FIG. 10, FIG. 11A is a first cover insulating layer forming process, FIG. 11B is a shield layer forming process, and FIG. 11C is a second cover. Insulating layer forming step, FIG. 11D shows a metal support plate removing step.
  • FIG. 11A is a first cover insulating layer forming process
  • FIG. 11B is a shield layer forming process
  • FIG. 11C is a second cover.
  • FIG. 11D shows a metal support plate removing step.
  • FIG. 12 shows a cross-sectional view of a fourth embodiment (embodiment including a second conductor pattern, a second cover insulating layer, a third conductor pattern, and a third cover insulating layer) of the imaging element mounting substrate of the present invention.
  • the vertical direction of the paper is the front-back direction (first direction)
  • the upper side of the paper is the front side (one side in the first direction)
  • the lower side of the paper surface is the rear side (the other side in the first direction).
  • the left-right direction on the paper surface is the left-right direction (second direction orthogonal to the first direction)
  • the left side of the paper surface is the left side (second side in the second direction)
  • the right side of the paper surface is the right side (the other side in the second direction).
  • the paper thickness direction is the vertical direction (thickness direction, third direction orthogonal to the first direction and the second direction), the back side of the paper is the upper side (one side in the thickness direction, the third direction one side), and the front side of the paper is The lower side (the other side in the thickness direction, the other side in the third direction). Specifically, it conforms to the direction arrow in each figure.
  • Image Sensor Mounting Board With reference to FIGS. 1A to 4, an image sensor mounting board 1 (hereinafter also simply referred to as a mounting board) that is a first embodiment of the image sensor mounting board of the present invention will be described.
  • the mounting substrate 1 is a flexible printed circuit board (FPC) for mounting an image sensor 21 (described later), and does not yet include the image sensor 21.
  • the mounting substrate 1 has a flat plate shape (sheet shape) having a substantially rectangular shape (rectangular shape) in plan view extending in the front-rear direction and the left-right direction (plane direction).
  • the mounting substrate 1 includes a housing arrangement portion 2 and an external component connecting portion 3 as shown in FIG.
  • the housing arrangement part 2 is a part where a housing 22 (described later) and an image sensor 21 are arranged. Specifically, when the housing 22 is disposed on the mounting substrate 1, it is a portion overlapping with the housing 22 when projected in the thickness direction. A plurality of image sensor connection terminals 10 (described later) for electrical connection with the image sensor 21 are arranged at a substantially central portion of the housing arrangement portion 2.
  • the housing arrangement part 2 does not have a metal support plate 19 described later.
  • the external component connecting portion 3 is an area other than the housing arrangement portion 2 and is a portion for connecting to an external component.
  • the external component connection portion 3 is arranged on the rear side of the housing arrangement portion 2 such that the front end edge of the external component connection portion 3 is continuous with the rear end edge of the housing arrangement portion 2.
  • a plurality of external component connection terminals 11 (described later) for electrical connection with external components are arranged at the rear end edge of the external component connection portion 3.
  • the mounting substrate 1 includes a base insulating layer 4 as a first insulating layer, a conductor pattern 5, and a cover insulating layer 6 as a second insulating layer.
  • the mounting substrate 1 includes only the base insulating layer 4, the conductor pattern 5, and the cover insulating layer 6.
  • the base insulating layer 4 has an outer shape of the mounting substrate 1 and is formed in a substantially rectangular shape in bottom view.
  • the lower surface of the base insulating layer 4 is formed to be flat.
  • a plurality of imaging element openings 7 and a plurality of external component openings 8 are formed.
  • the plurality of image sensor openings 7 are openings for exposing the image sensor connection terminal 10 from the lower surface.
  • the plurality of image sensor opening portions 7 are arranged at intervals in the center of the housing arrangement portion 2 so as to form a rectangular frame.
  • the imaging element opening 7 penetrates the base insulating layer 4 in the thickness direction and has a substantially circular shape in bottom view.
  • the image sensor opening 7 has a tapered shape in which the cross-sectional area becomes smaller toward the lower side.
  • the plurality of external component openings 8 are openings for exposing the external component connection terminals 11 from the lower surface.
  • the external component openings 8 are aligned and arranged at the rear end edge of the external component connection portion 3 at intervals in the left-right direction.
  • the external component opening 8 penetrates the insulating base layer 4 in the thickness direction and has a substantially rectangular shape (rectangular shape) when viewed from the bottom.
  • the external component opening 8 is formed so as to extend from the rear end edge of the external component connection portion 3 toward the front side in a bottom view.
  • the base insulating layer 4 is made of an insulating material.
  • the insulating material include synthetic resins such as polyimide resin, polyamideimide resin, acrylic resin, polyethernitrile resin, polyethersulfone resin, polyethylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, and polyvinyl chloride resin.
  • the base insulating layer 4 is made of a polyimide resin.
  • polyimide resin examples include materials described in JP-A-07-179604, JP-A 2010-276775, JP-A 2013-100441, and the like.
  • the elastic modulus of the base insulating layer 4 is, for example, 1 GPa or more, preferably 5 GPa or more, and for example, 20 GPa or less, preferably 15 GPa or less.
  • the elastic modulus of a resin layer such as an insulating layer can be measured by dynamic viscoelasticity measurement, for example, in accordance with JIS K7244 or ISO 6721.
  • the thermal expansion coefficient of the base insulating layer 4 is, for example, 1 ppm / K or more, preferably 5 ppm / K or more, and, for example, 50 ppm / K or less, preferably 30 ppm / K or less.
  • the thermal expansion coefficient of a resin layer such as an insulating layer is a linear thermal expansion coefficient in the surface direction, and can be measured under the conditions of JIS K7197 by thermomechanical analysis, for example.
  • the thickness T 1 of the base insulating layer 4 is, for example, 1 ⁇ m or more, preferably 5 ⁇ m or more, and for example, 30 ⁇ m or less, preferably 10 ⁇ m or less, more preferably 8 ⁇ m or less.
  • the conductor pattern 5 is provided on the upper side of the insulating base layer 4 so as to be in contact with the upper surface of the insulating base layer 4.
  • the conductor pattern 5 includes a plurality of image sensor connection terminals 10, a plurality of external component connection terminals 11, and a plurality of metal wirings 9.
  • the plurality of image sensor connection terminals 10 are aligned and arranged at intervals in the center of the housing arrangement portion 2 so as to form a rectangular frame. That is, the plurality of image sensor connection terminals 10 are provided so as to correspond to a plurality of terminals 25 (described later) of the image sensor 21 to be mounted. In addition, the plurality of image sensor connection terminals 10 are provided corresponding to the plurality of image sensor openings 7.
  • the image sensor connection terminal 10 has a substantially circular shape in bottom view.
  • the image sensor connection terminal 10 is formed so as to protrude downward in a side sectional view.
  • the image pickup device connection terminal 10 includes an outer peripheral portion 12 arranged on the outer periphery of the image pickup device opening portion 7, and an inner portion 13 arranged in the image pickup device opening portion 7 so as to be recessed inward from the outer peripheral portion 12. Is integrally provided.
  • the lower surface (exposed surface) of the inner portion 13 is exposed from the image sensor opening 7 and is formed to be flat. Further, the lower surface of the inner portion 13 is formed so as to be flush with the lower surface of the base insulating layer 4.
  • the plurality of external component connection terminals 11 are arranged on the rear end edge of the external component connection portion 3 so as to be spaced apart from each other in the left-right direction. That is, it is provided so as to correspond to a plurality of terminals (not shown) of the external component.
  • the plurality of external component connection terminals 11 are provided corresponding to the plurality of external component openings 8.
  • the external component connection terminal 11 has a substantially rectangular shape (rectangular shape) in plan view.
  • the external component connection terminal 11 is disposed in the external component opening 8 and its lower surface is exposed from the external component opening 8.
  • the plurality of metal wirings 9 include a plurality of connection wirings 14 and a plurality of ground wirings 15.
  • connection wires 14 are wires for flowing electric signals, and are provided so as to correspond to the plurality of image sensor connection terminals 10 and the plurality of external component connection terminals 11.
  • the connection wiring 14 is integrally formed with the image sensor connection terminal 10 and the external component connection terminal 11 so as to connect them. That is, one end of the connection wiring 14 is continuous with the image sensor connection terminal 10, and the other end of the connection wiring 14 is continuous with the external component connection terminal 11 to electrically connect them.
  • the plurality of ground wirings 15 are provided so as to correspond to the plurality of connection wirings 14. Specifically, the plurality of ground wirings 15 are provided outside the plurality of connection wirings 14 along these. A ground terminal (not shown) is integrally connected to one end of the ground wiring 15.
  • a region in plan view or bottom view where the metal wiring 9 exists is defined as a wiring region 16.
  • Examples of the material of the conductive pattern 5 include metal materials such as copper, silver, gold, nickel, alloys containing them, and solder. Preferably, copper is used.
  • the elastic modulus of the conductor pattern 5 is, for example, 50 GPa or more, preferably 100 GPa or more, and for example, 200 GPa or less, preferably 150 GPa or less.
  • the elastic modulus of a metal such as a conductor pattern can be measured according to JIS Z 2241 by, for example, a tensile test measurement.
  • the thermal expansion coefficient of the conductor pattern 5 is, for example, 1 ppm / K or more, preferably 5 ppm / K or more, and for example, 30 ppm / K or less, preferably 20 ppm / K or less.
  • the thermal expansion coefficient of a metal such as a conductor pattern is a linear thermal expansion coefficient in the plane direction, and can be measured according to JIS Z 2285, for example, by a thermomechanical analyzer or an optical scanning measurement device.
  • the difference between the thermal expansion coefficient of the conductor pattern 5 and the thermal expansion coefficient of the base insulating layer 4 is, for example, 20 ppm / K or less, preferably 10 ppm / K or less, more preferably 5 ppm / K or less.
  • the conductor pattern 5 (metal wiring 9, the connecting terminals 10, 11) the thickness T 2 of the, from the viewpoint of warp suppression and handling properties, e.g., 1 [mu] m or more, or preferably, 3 [mu] m or more, and is, for example, 15 [mu] m or less
  • the thickness is preferably 10 ⁇ m or less, more preferably 8 ⁇ m or less.
  • the width of the connection wiring 14 is, for example, 5 ⁇ m or more, preferably 10 ⁇ m or more, and for example, 200 ⁇ m or less, preferably 100 ⁇ m or less, more preferably 50 ⁇ m or less.
  • the width of the ground wiring 15 is, for example, 50 ⁇ m or more, preferably 100 ⁇ m or more, and is, for example, 5000 ⁇ m or less, preferably 3000 ⁇ m or less, more preferably 1000 ⁇ m or less.
  • the insulating cover layer 6 is provided on the upper side of the insulating base layer 4 and the conductive pattern 5 so as to cover the conductive pattern 5. That is, the insulating cover layer 6 is disposed so as to contact the upper surface and side surfaces of the conductor pattern 5 and the upper surface of the insulating base layer 4 exposed from the conductive pattern 5.
  • the outer shape of the insulating cover layer 6 is formed to be the same as that of the insulating base layer 4 except for the portion where the external component connection terminals 11 are formed.
  • the insulating cover layer 6 is made of an insulating material similar to the insulating material described above for the insulating base layer 4, and is preferably made of a polyimide resin.
  • the elastic modulus of the insulating cover layer 6 is, for example, 1 GPa or more, preferably 5 GPa or more, and for example, 20 GPa or less, preferably 15 GPa or less.
  • the thermal expansion coefficient of the insulating cover layer 6 is, for example, 1 ppm / K or more, preferably 5 ppm / K or more, and, for example, 50 ppm / K or less, preferably 30 ppm / K or less.
  • the difference between the thermal expansion coefficient of the insulating cover layer 6 and the conductive pattern 5 is, for example, 20 ppm / K or less, preferably 10 ppm / K or less, more preferably 5 ppm / K or less.
  • the thickness T 3 of the insulating cover layer 6 is, for example, 1 [mu] m or more, preferably not 2 ⁇ m or more, and is, for example, 30 [mu] m or less, preferably, 10 [mu] m or less, more preferably 5 ⁇ m or less.
  • the equivalent elastic modulus in the wiring region 16 of the mounting substrate 1 is 5 GPa or more and 55 GPa or less. Preferably, it is 10 GPa or more, preferably 50 GPa or less, more preferably 40 GPa or less, still more preferably 30 GPa or less, and particularly preferably 20 GPa or less.
  • the mounting substrate 1 is excellent in handleability.
  • the equivalent elastic modulus D is obtained by multiplying the elastic modulus of each layer (base insulating layer 4, metal wiring 9, cover insulating layer 6) constituting the wiring region 16 by the thickness fraction of each layer and adding them together. It is. Specifically, in the embodiment of FIG. 1, it is obtained by the following calculation formula.
  • D ⁇ D 1 ⁇ T 1 + D 2 ⁇ T 2 + D 3 ⁇ T 3 ⁇ / ⁇ T 1 + T 2 + T 3 ⁇
  • D 1 indicates the elastic modulus of the base insulating layer 4
  • T 1 indicates the thickness of the base insulating layer 4.
  • D 2 indicates the elastic modulus of the metal wiring 9
  • T 2 indicates the thickness of the metal wiring 9.
  • D 3 indicates the elastic modulus of the insulating cover layer 6, and T 3 indicates the thickness of the insulating cover layer 6.
  • E y V 1 E 1 + V 2 E 2 (E y is the Young's modulus of the whole, V 1 Is the volume of the first layer, E 1 is the Young's modulus of the material of the first layer, V 2 is the volume of the second layer, and E 2 is the Young's modulus of the material of the second layer.
  • the ratio of the total thickness of the metal to the total thickness of the insulating layer that is, the ratio of the thickness of the metal wiring 9 to the total thickness of the base insulating layer 4 and the cover insulating layer 6 (T 2 / (T 1 + T 3 ). ) Is, for example, 0.05 or more, preferably 0.10 or more, more preferably 0.20 or more, and for example, 0.90 or less, preferably 0.70 or less, more preferably 0.50 or less, more preferably 0.20 or less.
  • the equivalent elastic modulus can be easily adjusted to an appropriate range (for example, 5 GPa or more and 55 GPa or less), and as a result, warpage can be more reliably suppressed. .
  • the wiring width of the connection wiring 14 can be more reliably narrowed while improving the electrical characteristics of the metal wiring 9. Therefore, the degree of freedom in wiring design can be improved, and even if the number of conductor patterns 5 (the number of layers) is small, it can function as the mounting substrate 1.
  • the total thickness of the metal is, for example, 15 ⁇ m or less, preferably 10 ⁇ m or less, more preferably 8 ⁇ m or less, from the viewpoint of warpage suppression and handling properties. For example, it is 1 micrometer or more.
  • the total thickness (maximum thickness) of the mounting substrate 1 is, for example, 50 ⁇ m or less, preferably 40 ⁇ m or less, more preferably 30 ⁇ m or less, even more preferably 20 ⁇ m or less, and particularly preferably from the viewpoint of warpage suppression and handling properties. For example, it is 1 ⁇ m or more, preferably 5 ⁇ m or more.
  • the mounting board 1 is prepared by, for example, a metal support plate preparation process, a base insulating layer formation process, a metal thin film formation process, a photoresist formation process, and a conductor pattern formation process. , A photoresist / metal thin film removing step, a cover insulating layer forming step, and a metal support plate removing step are sequentially performed.
  • a metal support plate 19 is prepared as shown in FIG. 3A.
  • the metal support plate 19 is made of a metal material such as stainless steel, 42 alloy, aluminum, or copper alloy. Preferably, it is formed from stainless steel.
  • the thickness of the metal support plate 19 is, for example, 5 ⁇ m or more, preferably 10 ⁇ m or more, for example, 50 ⁇ m or less, preferably 30 ⁇ m or less.
  • the upper surface of the metal support plate 19 is formed to be flat (smooth).
  • the base insulating layer 4 is formed on the upper surface of the metal support plate 19 as shown in FIG. 3B. That is, the base insulating layer 4 having openings (the image sensor opening 7 and the external component opening 8) is formed on the upper surface of the metal support plate 19.
  • a varnish of a photosensitive insulating material (for example, photosensitive polyimide) is applied to the entire upper surface of the metal support plate 19 and dried to form a base film (base insulating layer). Thereafter, the base film is exposed through a photomask having a pattern corresponding to the openings (image sensor opening 7 and external component opening 8). Thereafter, the base film is developed and, if necessary, cured by heating.
  • a photosensitive insulating material for example, photosensitive polyimide
  • a metal thin film 17 (seed film) is formed on the upper surface of the base insulating layer 4 and the upper surface of the metal support plate 19 exposed from the opening 7.
  • a metal material such as copper, chromium, nickel, or an alloy thereof is used.
  • the metal thin film 17 is formed, for example, by performing a thin film forming method such as sputtering or plating on the base insulating layer 4 formed on the metal support plate 19.
  • a thin film forming method such as sputtering or plating
  • the metal thin film 17 is formed by sputtering.
  • the thickness of the metal thin film 17 is, for example, 10 nm or more and 300 nm or less.
  • a photoresist 18 is formed on the metal thin film 17. That is, a photoresist 18 having an opening corresponding to the conductor pattern 5 is formed.
  • a dry film resist is disposed on the entire upper surface of the metal thin film. Thereafter, the dry film resist is exposed through a photomask having a pattern corresponding to the conductor pattern 5. Thereafter, the dry film resist is developed and, if necessary, heat-cured to form the photoresist 18 as a plating resist.
  • the metal thin film 17 corresponding to the conductor pattern 5 is exposed from the photoresist 18.
  • the conductor pattern 5 is formed on the surface of the metal thin film 17 exposed from the photoresist 18.
  • electrolytic plating in which power is supplied from the metal thin film 17 is performed.
  • the conductor pattern 5 having the image sensor connection terminal 10, the external component connection terminal 11, and the metal wiring 9 is formed.
  • the metal thin film 17 corresponding to the conductor pattern 5 is integrated with the plating layer 28 by electrolytic plating, and forms the conductor pattern 5 together with the plating layer 28. That is, in FIG. 3D to FIG. 3H, the image pickup device connection terminal 10 and the metal wiring 9 are shown as two layers of the plating layer 28 and the metal thin film 17, respectively, but these are completely integrated. It may be a single layer (see FIG. 2).
  • the photoresist 18 and the metal thin film 17 are removed.
  • the remaining photoresist 18 is removed. For example, it is removed by wet etching. Thereafter, the metal thin film 17 facing the remaining photoresist 18 is removed. For example, it is removed by peeling or wet etching.
  • the insulating cover layer 6 is disposed on the upper surfaces of the conductor pattern 5 and the insulating base layer 4 as shown in FIG. 3G.
  • the mounting substrate 1 including the base insulating layer 4, the conductor pattern 5, and the cover insulating layer 6 is obtained while being supported by the metal support plate 19.
  • the metal support plate 19 is removed as shown in FIG. 3H.
  • Examples of the removing method include a method of peeling the metal support plate 19 from the lower surface of the mounting substrate 1, a method of treating the metal support plate 19 by wet etching, and the like.
  • the mounting substrate 1 including the base insulating layer 4, the conductor pattern 5, and the cover insulating layer 6 is obtained.
  • Such a mounting substrate 1 is used, for example, as a printed circuit board for mounting an image pickup device. That is, the mounting substrate 1 is used for an imaging apparatus such as a camera module.
  • Imaging Device With reference to FIG. 4, the imaging device 20 including the mounting substrate 1 will be described.
  • the imaging device 20 includes a mounting substrate 1, an imaging element 21, a housing 22, an optical lens 23, and a filter 24.
  • the mounting substrate 1 is used upside down from the state shown in FIG. That is, the mounting substrate 1 is disposed so that the insulating base layer 4 is on the upper side and the insulating cover layer 6 is on the lower side.
  • the imaging element 21 is a semiconductor element that converts light into an electrical signal, and examples thereof include solid-state imaging elements such as a CMOS sensor and a CCD sensor.
  • the imaging element 21 is formed in a substantially rectangular flat plate shape in plan view, and includes a silicon such as a Si substrate, a photodiode (photoelectric conversion element), and a color filter arranged on the silicon substrate (not shown).
  • a plurality of terminals 25 corresponding to the image sensor connection terminals 10 of the mounting substrate 1 are provided on the lower surface of the image sensor 21.
  • the elastic modulus of the image sensor 21 (particularly the Si substrate) is, for example, 100 GPa or more, preferably 120 GPa or more, and for example, 200 GPa or less, preferably 150 GPa or less.
  • the elastic modulus of the image sensor 21 can be measured according to JIS Z 2241 by, for example, a tensile test measurement.
  • the thermal expansion coefficient of the image sensor 21 (particularly the Si substrate) is, for example, 1 ppm / K or more, preferably 2 ppm / K or more, and for example, 10 ppm / K or less, preferably 5 ppm / K or less.
  • the thermal expansion coefficient of the imaging element 21 is a linear thermal expansion coefficient in the plane direction, and can be measured in accordance with JIS Z 2285, for example, with a thermomechanical analyzer or an optical scanning measurement device.
  • the thickness of the image sensor 21 is, for example, 10 ⁇ m or more, preferably 50 ⁇ m or more, and for example, 1000 ⁇ m or less, preferably 500 ⁇ m or less.
  • the image sensor 21 is mounted on the mounting substrate 1. That is, the terminal 25 of the image sensor 21 is flip-chip mounted via the corresponding image sensor connection terminal 10 of the mounting substrate 1 and the solder bump 26. As a result, the image sensor 21 is arranged at the center of the housing arrangement part 2 of the mounting substrate 1 and is electrically connected to the image sensor connection terminal 10 and the external component connection terminal 11 of the mounting substrate 1.
  • the imaging element 21 constitutes an imaging unit 27 by being mounted on the mounting substrate 1. That is, the imaging unit 27 includes the mounting substrate 1 and the imaging element 21 mounted thereon.
  • the housing 22 is arranged in the housing arrangement part 2 of the mounting substrate 1 so as to surround the imaging element 21 with a space.
  • the housing 22 has a substantially rectangular tube shape in plan view.
  • a fixing portion for fixing the optical lens 23 is provided at the upper end of the housing 22.
  • the optical lens 23 is disposed on the upper side of the mounting substrate 1 with a distance from the mounting substrate 1 and the imaging element 21.
  • the optical lens 23 is formed in a substantially circular shape in plan view, and is fixed by a fixing portion so that light from the outside reaches the image sensor 21.
  • the filter 24 is disposed at the center of the imaging element 21 and the optical lens 23 in the vertical direction with a space therebetween and is fixed to the housing 22.
  • the mounting substrate 1 has a wiring region 16 including a base insulating layer 4, a metal wiring 9 disposed above the base insulating layer 4, and a cover insulating layer 6 disposed above the metal wiring 9. .
  • the equivalent elastic modulus of the wiring region 16 is 5 GPa or more and 55 GPa or less.
  • the thermal expansion coefficient of the wiring area exceeds 15 ppm / K.
  • the imaging device since the imaging device includes a Si substrate or the like, generally, its thermal expansion coefficient is less than 10 ppm / K. Since there is a difference between these thermal expansion coefficients, when the imaging device is mounted on the mounting substrate by heat treatment, the mounting substrate is greatly warped.
  • the equivalent elastic modulus of the wiring region 16 is 5 GPa or more and 55 GPa or less. Therefore, the mounting substrate 1 can be flexibly deformed in accordance with the thermal expansion of the imaging element 21 with respect to a heat cycle (for example, a temperature difference of 50 ° C. or more). As a result, the occurrence of warpage can be suppressed.
  • the thickness can be reduced.
  • the surface on which the mounting substrate 1 is mounted is flat, that is, as shown in FIG. 1, the lower surface of the base insulating layer 4 is flat, and the lower surface of the base insulating layer 4 and the exposed surface of the image sensor connection terminal 10. It is flush with the (inner part 13). Therefore, when mounting the imaging device 21, it is possible to suppress the terminal 25 of the imaging device 21 from colliding with the convex portion of the base insulating layer 4. As a result, mounting is easy.
  • the mounting substrate 1 does not require an adhesive layer such as an acrylic adhesive, it is possible to suppress the deterioration of the adhesive layer due to wet heat, and is excellent in wet heat resistance.
  • the mounting substrate 1 is manufactured on the hard metal support plate 19, handling is easy. Even if the thickness of the base insulating layer 4 is reduced, the metal support plate 19 supports the base insulating layer 4, so that the metal wiring 9 and the cover insulating layer 6 can be reliably disposed on the base insulating layer 4. As a result, it is possible to reduce the thickness of the insulating base layer 4 and, consequently, to reduce the thickness of the mounting substrate 1.
  • the base insulating layer 4 and the cover insulating layer 6 are formed using a photosensitive insulating material, an adhesive layer is required between the base insulating layer 4, the conductor pattern 5, and the cover insulating layer 6. However, these can be laminated. Therefore, it is possible to improve the heat resistance and further reduce the thickness.
  • the mounting board 1 is manufactured and used as an assembly of a plurality of mounting boards 1 industrially.
  • the mounting board assembly 50 has a flat plate shape (sheet shape) having a substantially rectangular shape (substantially square shape) in plan view extending in the plane direction, and includes a plurality (9 pieces) of mounting boards 1 and A margin part 51 is provided.
  • the plurality of mounting boards 1 are evenly arranged at intervals in the front-rear direction and the left-right direction.
  • the margin portion 51 is a portion other than the plurality of mounting substrates 1 and is disposed between the adjacent mounting substrates 1 and outside the mounting substrate 1 disposed outside.
  • the margin portion 51 includes at least the base insulating layer 4 and the cover insulating layer 6.
  • a plurality (9) of mounting substrates 1 and the margin portion 51 arranged at equal intervals constitute one assembly portion 52.
  • the imaging unit 27 can be manufactured simultaneously by mounting the plurality of imaging elements 21 on the plurality of mounting boards 1 at the same time. Therefore, the production efficiency of the imaging device 20 is improved.
  • a metal support plate 19 having a size capable of arranging a plurality of mounting boards 1 is prepared in the metal support board preparation process, and a plurality of mountings are performed in the same process as the manufacturing method of the mounting board 1 described above.
  • substrate 1 can be manufactured simultaneously and can be manufactured by removing the metal support plate 19 in a metal support plate removal process.
  • the metal wiring 9 includes the ground wiring 15.
  • the ground wiring 15 may not be provided. That is, the metal wiring 9 can also be configured only from the connection wiring 14.
  • the metal wiring 9 may include other wiring such as power supply wiring.
  • the area where the power supply wiring exists is also the wiring area 16.
  • the imaging element 21 is flip-chip mounted on the mounting substrate 1.
  • the imaging element 21 is mounted on the mounting substrate 1 by wire bonding. You can also.
  • the mounting substrate 1 shown in FIG. 2 does not include an adhesive layer and a support, but the mounting substrate 1 can also include an adhesive layer 60 and a support 61, for example, as shown in FIG.
  • the 6 specifically includes a pressure-sensitive adhesive layer 60 disposed on the lower surface of the base insulating layer 4 and a support 61 disposed on the lower surface of the pressure-sensitive adhesive layer 60.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 60 and the support 61 are disposed on the mounting substrate 1 when the mounting substrate 1 is transported or stored, and are peeled off when the imaging device 21 is mounted or when the mounting substrate 1 is used.
  • Examples of the pressure-sensitive adhesive layer 60 include known pressure-sensitive adhesive layers such as a double-sided pressure-sensitive adhesive tape.
  • Examples of the support 61 include known films such as a surface protective film and a release film.
  • the mounting substrate 1 in addition to the lower surface of the base insulating layer 4 or instead of the lower surface of the base insulating layer 4, 60 and support 61 may also be provided.
  • the mounting substrate assembly 50 shown in FIG. 5 includes one assembly unit 52.
  • the mounting substrate assembly 50 may include a plurality (9) of assembly units 52.
  • the number of the mounting substrate 1 and the assembly portion 52 in one assembly portion 52 shown in FIGS. 5 and 7 is not limited, and may be, for example, 8 or less, Ten or more may be sufficient.
  • the mounting board assembly 50 shown in FIG. 5 is formed in a substantially square sheet (sheet) in plan view.
  • the mounting board assembly 50 is long in one direction. It may be formed in a simple sheet and may be wound into a roll.
  • the imaging unit 27 can be manufactured in the roll-to-roll process, so that the production efficiency of the imaging device 20 is improved.
  • FIG. 9 a second embodiment of the mounting substrate will be described.
  • the same members as those in the first embodiment shown in FIG. 2 described above are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
  • the mounting substrate 1 includes only the base insulating layer 4, the conductor pattern 5, and the cover insulating layer 6.
  • the second conductor pattern 30 and A second cover insulating layer 31 as a third insulating layer is further provided.
  • the second embodiment includes a base insulating layer 4, a conductor pattern (first conductor pattern) 5, a cover insulating layer (first cover insulating layer) 6, a second conductor pattern 30, and a second cover insulating layer. 31.
  • the second embodiment includes only the base insulating layer 4, the conductor pattern 5, the cover insulating layer 6, the second conductor pattern 30, and the second cover insulating layer 31.
  • the second conductor pattern 30 is provided on the upper side of the insulating cover layer 6 so as to be in contact with the upper surface of the insulating cover layer 6.
  • the second conductor pattern 30 includes a plurality of second image sensor connection terminals (not shown), a plurality of second external component connection terminals (not shown), and a plurality of second metal wirings 32.
  • the plurality of second image sensor connection terminals are formed so as to be exposed from second connection element connection terminal openings (not shown) formed in the base insulating layer 4.
  • the plurality of second external component connection terminals are formed so as to be exposed from second external component connection terminal openings (not shown) formed in the base insulating layer 4.
  • the plurality of second metal wires 32 includes a plurality of second connection wires 33 and a plurality of second ground wires 34.
  • the plurality of second connection wirings 33 are provided so as to correspond to the plurality of second imaging element connection terminals and the plurality of second external component connection terminals.
  • the plurality of second ground wirings 34 are provided so as to correspond to the plurality of second connection wirings 33.
  • the material, elastic modulus, and thermal expansion coefficient of the second conductor pattern 30 are the same as the material, elastic modulus, and thermal expansion coefficient of the conductor pattern 5, respectively.
  • the thickness T 4 of the second conductor pattern 30 and the width of the second metal wiring 32 are the same as the thickness T 2 of the conductor pattern 5 and the width of the metal wiring 9, respectively.
  • the second cover insulating layer 31 is provided above the cover insulating layer 6 and the second conductor pattern 30 so as to cover the second conductor pattern 30. That is, the second insulating cover layer 31 is disposed so as to contact the upper surface and side surfaces of the second conductive pattern 30 and the upper surface of the insulating cover layer 6 exposed from the second conductive pattern 30.
  • the outer shape of the second cover insulating layer 31 is formed to be the same as that of the base insulating layer 4.
  • a region in plan view or bottom view where at least one of the metal wiring 9 and the second metal wiring 32 exists is defined as a wiring region 16 (however, projected in the thickness direction).
  • the terminal area where terminals such as the image sensor connection terminal 10 and the second image sensor connection terminal exist are excluded).
  • the equivalent elastic modulus D of the second embodiment is the same as the equivalent elastic modulus D of the first embodiment, and is 5 GPa or more and 55 GPa or less. Preferably, it is 10 GPa or more, and preferably 50 GPa or less.
  • the equivalent elastic modulus D of the second embodiment is that the base insulating layer 4, the conductor pattern 5 (metal wiring 9), the cover insulating layer 6, the second conductor pattern 30 (second metal wiring 32), and the second cover. In the wiring region where the insulating layer 31 is laminated, it is expressed by the following formula.
  • D ⁇ D 1 ⁇ T 1 + D 2 ⁇ T 2 + D 3 ⁇ T 3 + D 4 ⁇ T 4 + D 5 ⁇ T 5 ⁇ / ⁇ T 1 + T 2 + T 3 + T 4 + T 5 ⁇ D 4 indicates the elastic modulus of the second metal wiring 32, and T 4 indicates the thickness of the second metal wiring 32.
  • D 5 indicates the elastic modulus of the second cover insulating layer 31, and T 5 indicates the thickness of the second cover insulating layer 31.
  • the ratio of the total thickness of the metal to the total thickness of the insulating layer that is, the metal wiring 9 and the second metal wiring with respect to the total thickness of the base insulating layer 4, the cover insulating layer 6, and the second cover insulating layer 31.
  • the ratio of the total thickness of 32 (T 2 + T 4 / (T 1 + T 3 + T 5 )) is, for example, 0.05 or more, preferably 0.10 or more, more preferably 0.20 or more, For example, it is 0.90 or less, preferably 0.70 or less.
  • the total thickness of the metal (the total thickness of the metal wiring 9 and the second metal wiring 32) is the same as the total thickness of the first embodiment.
  • the second conductor pattern 30 and the second cover insulating layer 31 are in this order, It can be manufactured by forming on the upper surface of the first insulating cover layer 6 and subsequently removing the metal support plate 19.
  • FIG. 1 of the third embodiment A third embodiment of the mounting substrate will be described with reference to FIG.
  • the same reference numerals are given to the same members as those in the first and second embodiments shown in FIGS. 2 and 9 and the description thereof is omitted.
  • the mounting substrate 1 includes only the base insulating layer 4, the conductor pattern 5, and the cover insulating layer 6.
  • the third embodiment as shown in FIG. A shield layer 40 and a second cover insulating layer 31 as a third insulating layer are further provided.
  • the third embodiment includes only the base insulating layer 4, the conductor pattern 5, the cover insulating layer 6, the metal shield layer 40, and the second cover insulating layer 31.
  • the third embodiment includes a base insulating layer 4, a conductor pattern 5, a cover insulating layer (first cover insulating layer) 6, a metal shield layer 40, and a second cover insulating layer 31.
  • the metal shield layer 40 is disposed on the upper side of the insulating cover layer 6 so as to be in contact with the upper surface of the insulating cover layer 6.
  • the metal shield layer 40 is a layer that shields electromagnetic waves from the outside, and is formed in a sheet shape that extends in the surface direction (front-rear direction and left-right direction).
  • the metal shield layer 40 is electrically connected to the ground wiring 15. That is, the metal shield layer 40 is continuous with the ground wiring 15. Specifically, the metal shield layer 40 includes a contact portion 41 that has a convex shape on the lower side and is in contact with the upper surface of the ground wiring 15 at a portion facing the ground wiring 15.
  • the contact portion 41 includes a flat portion 42 that directly contacts the ground wiring 15 and an inclined portion 43 that is integrally disposed so as to be continuous around the flat portion 42.
  • the flat part 42 is formed in a flat plate shape extending in the surface direction.
  • the inclined portion 43 extends in an inclined direction that intersects (inclines) the vertical direction and the surface direction.
  • the angle formed by the flat portion 42 and the inclined portion 43 is, for example, 100 ° or more, preferably 120 ° or more, and for example, 170 ° or less, preferably 160 ° or less.
  • the metal shield layer 40 is grounded via the ground wiring 15.
  • the metal shield layer 40 is made of a metal conductor, and for example, a metal material such as copper, chromium, nickel, gold, silver, platinum, palladium, titanium, tantalum, solder, or an alloy thereof is used. Preferably, copper is used.
  • the thickness T 6 of the metal shield layer 40 is, for example, 0.05 .mu.m or more, preferably not 0.1 ⁇ m or more, and is, for example, 3 [mu] m or less, preferably 1 ⁇ m or less.
  • the second cover insulating layer 31 is provided on the upper side of the metal shield layer 40 so as to cover the metal shield layer 40.
  • the outer shape of the second insulating cover layer 31 is formed to be the same as that of the insulating cover layer 6.
  • the material, elastic modulus, thermal expansion coefficient, and thickness T 5 of the second cover insulating layer 31 in the third embodiment are the same as those of the second cover insulating layer 31 in the second embodiment, that is, the cover insulating layer 6.
  • material, the elastic modulus is similar to the thermal expansion coefficient and the thickness T 3.
  • the equivalent elastic modulus D of the third embodiment is the same as the equivalent elastic modulus D of the first embodiment, and is 5 GPa or more and 55 GPa or less. Preferably, it is 10 GPa or more, and preferably 50 GPa or less.
  • the equivalent elastic modulus D of the third embodiment is that the base insulating layer 4, the conductor pattern 5 (metal wiring 9), the cover insulating layer 6, the metal shield layer 40, and the second cover insulating layer 31 are laminated. In the wiring area that is present, it is expressed by the following formula.
  • D ⁇ D 1 ⁇ T 1 + D 2 ⁇ T 2 + D 3 ⁇ T 3 + D 6 ⁇ T 6 + D 5 ⁇ T 5 ⁇ / ⁇ T 1 + T 2 + T 3 + T 6 + T 5 ⁇ D 6 indicates the elastic modulus of the metal shield layer 40, and T 6 indicates the thickness of the metal shield layer 40.
  • the ratio of the total thickness of the metal to the total thickness of the insulating layer is, for example, 0.05 or more, preferably 0.10 or more, more preferably 0.20 or more, For example, it is 0.90 or less, preferably 0.70 or less.
  • the total thickness of the metal (the total thickness of the metal wiring 9 and the metal shield layer 40) is the same as the total thickness of the first embodiment.
  • the mounting substrate 1 of the third embodiment is obtained in a state where the mounting substrate 1 of the first embodiment is supported by the metal support plate 19 and then the metal shield layer 40 and the second cover insulating layer 31 are arranged in this order. It can be manufactured by forming on the upper surface of one cover insulating layer 6 and subsequently removing the metal support plate 19.
  • Metal support plate preparation process base insulating layer forming process, metal thin film forming process, photoresist forming process, conductor pattern forming process, photoresist / metal thin film removing process, cover insulating layer forming process, shield layer forming process, second A cover insulating layer forming step and a metal support plate removing step are performed.
  • the metal support plate preparation step, the base insulating layer formation step, the metal thin film formation step, the photoresist formation step, the conductor pattern formation step, and the photoresist / metal thin film removal step are the same as in the first embodiment (FIG. 3A to FIG. 3). (See FIG. 3G).
  • the cover insulating layer (first cover insulating layer) 6 is disposed on the upper surfaces of the conductor pattern 5 and the base insulating layer 4.
  • the insulating cover layer 6 having the ground opening 44 is formed so that the upper surface of the ground wiring 15 of the conductor pattern 5 is exposed.
  • the insulating cover layer 6 is formed so that the ground opening 44 has a tapered shape that becomes narrower toward the lower side in a side sectional view. Specifically, for example, it is performed in the same manner as the base insulating layer forming step.
  • the metal shield layer 40 is formed on the insulating cover layer 6 as shown in FIG. 11B.
  • Examples of the formation of the metal shield layer 40 include plating methods such as electrolytic plating and electroless plating, such as sputtering, vapor deposition, and ion plating, such as a coating method using a conductive paste.
  • plating methods such as electrolytic plating and electroless plating, such as sputtering, vapor deposition, and ion plating, such as a coating method using a conductive paste.
  • sputtering and vapor deposition are mentioned, and sputtering is more preferred.
  • the second cover insulating layer 31 is disposed on the upper surface of the metal shield layer 40 as shown in FIG. 11C. Specifically, it is performed in the same manner as the base insulating layer forming step.
  • the mounting substrate 1 including the base insulating layer 4, the conductor pattern 5, the cover insulating layer 6, the metal shield layer 40, and the second cover insulating layer 31 is supported by the metal support plate 19. obtain.
  • the metal support plate 19 is removed as shown in FIG. 11D. Specifically, the same method as in the first embodiment can be mentioned.
  • the mounting substrate 1 including the base insulating layer 4, the conductor pattern 5, the cover insulating layer 6, the metal shield layer 40, and the second cover insulating layer 31 is obtained.
  • the third embodiment has the same operational effects as the first embodiment. Also, the same modification example as in the first embodiment can be applied to the third embodiment.
  • the wiring region 16 includes the metal shield layer 40 disposed on the upper side of the cover insulating layer 6 and the second cover insulating layer 31 disposed on the upper side of the metal shield layer 40. For this reason, since electromagnetic waves generated from the outside can be shielded by the metal shield layer 40, the reliability of the imaging device 20 can be improved.
  • the metal wiring 9 includes the connection wiring 14 and the ground wiring 15, and the metal shield layer 40 is electrically connected to the ground wiring 15.
  • the ground wiring 15 is arranged on the upper surface of the base insulating layer 4, that is, at the same vertical position as the connection wiring 14. Therefore, it is not necessary to separately provide a layer for providing the ground wiring 15. As a result, the mounting substrate 1 can be thinned.
  • the metal shield layer 40 includes an inclined portion 43 that extends in an inclined direction that is inclined in the vertical direction and the plane direction, and that is in contact with the ground wiring 15. That is, the metal shield layer 40 is formed so that a part thereof is inclined. For this reason, the metal shield layer 40 can be formed by sputtering or vapor deposition. That is, the metal shield layer 40 can be a sputtering film or the like. Therefore, the mounting substrate 1 can be thinned. In addition, in the contact part 41 of the metal shield layer 40, it can replace with the inclination part 43 and can also be made into the perpendicular part along an up-down direction.
  • the uniform metal shield layer 40 (vertical portion) cannot be formed depending on a film forming method such as sputtering or vapor deposition, and it is difficult to reduce the thickness by using a sputtering film or the like. May occur.
  • the mounting substrate 1 includes only the base insulating layer 4, the conductor pattern 5, the cover insulating layer 6, the second conductor pattern 30, and the second cover insulating layer 31, but the fourth embodiment is shown in FIG. As shown in FIG. 5, the third conductor pattern 70 and the third cover insulating layer 71 are further provided.
  • the second embodiment includes only the base insulating layer 4, the conductor pattern 5, the cover insulating layer 6, the second conductor pattern 30, the second cover insulating layer 31, the third conductor pattern 70, and the third cover insulating layer 71. Become.
  • the third conductor pattern 70 is provided on the upper side of the second cover insulating layer 31 so as to be in contact with the upper surface of the second cover insulating layer 31.
  • the third conductor pattern 70 includes a plurality of third image sensor connection terminals (not shown), a plurality of third external component connection terminals (not shown), and a plurality of third metal wirings 72.
  • the plurality of third image sensor connection terminals are formed so as to be exposed from third connection element connection terminal openings (not shown) formed in the base insulating layer 4.
  • the plurality of third external component connection terminals are formed so as to be exposed from third external component connection terminal openings (not shown) formed in the base insulating layer 4.
  • the plurality of third metal wires 72 includes a plurality of third connection wires 73 and a plurality of third ground wires 74.
  • the plurality of third connection wirings 73 are provided so as to connect to the plurality of third imaging element connection terminals and the plurality of third external component connection terminals.
  • the plurality of third ground wirings 74 are provided so as to correspond to the plurality of third connection wirings 73.
  • the material, elastic modulus, and thermal expansion coefficient of the third conductor pattern 70 are the same as the material, elastic modulus, and thermal expansion coefficient of the conductor pattern 5, respectively.
  • the thickness T 7 of the third conductor pattern 70 and the width of the third metal wiring 72 are the same as the thickness T 2 of the conductor pattern 5 and the width of the metal wiring 9, respectively.
  • the third cover insulating layer 71 is provided above the second cover insulating layer 31 and the third conductor pattern 70 so as to cover the third conductor pattern 70.
  • the outer shape of the third cover insulating layer 71 is formed to be the same as that of the base insulating layer 4.
  • a region in plan view or bottom view in which at least one of the metal wiring 9, the second metal wiring 32, and the third metal wiring 72 is present is defined as a wiring region 16 ( However, a terminal region where terminals such as the image sensor connection terminal 10, the second image sensor connection terminal, and the third image sensor connection terminal exist when projected in the thickness direction is excluded).
  • the equivalent elastic modulus D of the fourth embodiment is the same as the equivalent elastic modulus D of the first embodiment, and is 5 GPa or more and 55 GPa or less. Preferably, it is 10 GPa or more, and preferably 50 GPa or less.
  • the equivalent elastic modulus D of the third embodiment is that the base insulating layer 4, the conductor pattern 5 (metal wiring 9), the cover insulating layer 6, the second conductor pattern 30 (second metal wiring 32), and the second cover. In the wiring region (enlarged view of FIG. 12) where the insulating layer 31, the third conductor pattern 70 (third metal wiring 72), and the third cover insulating layer 71 are laminated, the following equation is shown.
  • D ⁇ D 1 ⁇ T 1 + D 2 ⁇ T 2 + D 3 ⁇ T 3 + D 4 ⁇ T 4 + D 5 ⁇ T 5 + D 7 ⁇ T 7 + D 8 ⁇ T 8 ⁇ / ⁇ T 1 + T 2 + T 3 + T 4 + T 5 + T 7 + T 8 ⁇
  • D 7 represents the elastic modulus of the third metal wiring 72
  • T 7 represents the thickness of the third metal wiring 72
  • D 8 represents the elastic modulus of the third cover insulating layer 71
  • T 8 represents the thickness of the third cover insulating layer 71.
  • the ratio of the total thickness of the metal to the total thickness of the insulating layer that is, the metal with respect to the total thickness of the base insulating layer 4, the cover insulating layer 6, the second cover insulating layer 31, and the third cover insulating layer 71.
  • the total thickness ratio (T 2 + T 4 + T 7 / (T 1 + T 3 + T 5 + T 8 )) of the wiring 9, the second metal wiring 32, and the third metal wiring 72 is, for example, 0.05 or more, preferably It is 0.10 or more, More preferably, it is 0.20 or more, for example, 0.90 or less, Preferably, it is 0.70 or less.
  • the total metal thickness (the total thickness of the metal wiring 9, the second metal wiring 32, and the third metal wiring 72) is the same as the total thickness of the first embodiment.
  • the third conductor pattern 70 and the third cover insulating layer 71 are in this order, It can be manufactured by forming on the upper surface of the second insulating cover layer 6 and subsequently removing the metal support plate 19.
  • the fourth embodiment has the same operational effects as the first embodiment. Also, the same modification example as in the first embodiment can be applied to the fourth embodiment. Further, in the fourth embodiment, the metal shield layer 40 of the third embodiment can be provided instead of the third conductor pattern 70.
  • all seven layers (the base insulating layer 4, the metal wiring 9, the cover insulating layer 6, the second metal wiring 32, the second cover insulating layer 31, the third metal wiring 72, the third cover insulation).
  • the wiring region may not exist.
  • the metal wiring 9, the second metal wiring 32, and the third metal wiring 72 do not overlap vertically in the same region, and two of these wirings (9, 32, 72) overlap.
  • the equivalent elastic modulus D, the ratio of the total thickness of the metal, and the like are calculated using the elastic modulus and thickness of only the overlapping layers in the wiring region.
  • Example 1 8 mm ⁇ 8 mm ⁇ 10 ⁇ m thick polyimide layer as the base insulating layer, 8 ⁇ m thick copper layer as the conductor pattern disposed on the entire surface, and 5 ⁇ m thick polyimide layer as the cover insulating layer disposed on the entire surface
  • the elastic modulus of polyimide was 6.3 GPa, and the linear thermal expansion coefficient was 17 ppm / K.
  • the elastic modulus of copper was 123 GPa, and the linear thermal expansion coefficient was 17 ppm / K.
  • Example 2 A mounting substrate was assumed in the same manner as in Example 1 except that the thickness of each layer (base insulating layer, conductor pattern, cover insulating layer) was changed as shown in Table 1.
  • Example 7 A polyimide layer of 8 mm ⁇ 8 mm ⁇ 3 ⁇ m thickness as the base insulating layer, a copper layer of 3 ⁇ m thickness as the first conductor pattern disposed on the entire surface, and a thickness of 5 ⁇ m as the first cover insulating layer disposed on the entire surface.
  • a mounting substrate comprising a polyimide layer, a 3 ⁇ m copper layer as a second conductor pattern disposed on the entire surface, and a 3 ⁇ m thick polyimide as a second cover insulating layer disposed on the entire surface was assumed.
  • Example 8 A polyimide layer of 8 mm ⁇ 8 mm ⁇ 5 ⁇ m thickness as the base insulating layer, a copper layer of 3 ⁇ m thickness as the first conductor pattern disposed on the entire surface, and a thickness of 3 ⁇ m as the first cover insulating layer disposed on the entire surface. And a polyimide substrate having a thickness of 0.1 ⁇ m as a metal shield layer disposed on the entire surface and a polyimide having a thickness of 3 ⁇ m as a second cover insulating layer disposed on the entire surface.
  • Example 9 A polyimide layer of 8 mm ⁇ 8 mm ⁇ 5 ⁇ m thickness as the base insulating layer, a copper layer of 3 ⁇ m thickness as the first conductor pattern disposed on the entire surface, and a thickness of 3 ⁇ m as the first cover insulating layer disposed on the entire surface.
  • Example 10 A mounting substrate was assumed in the same manner as in Example 9 except that the thickness of the third conductor pattern was changed as shown in Table 1.
  • Comparative Example 1 A mounting substrate was assumed in the same manner as in Example 1 except that the thickness of each layer was changed as shown in Table 1.
  • Comparative Example 2 A mounting substrate was assumed in the same manner as in Example 7 except that the thickness of each layer was changed as shown in Table 1.
  • the imaging element mounting substrate, the manufacturing method thereof, and the mounting substrate assembly of the present invention can be applied to various industrial products, and are suitably used for an imaging device such as a camera module.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

撮像素子実装基板は、撮像素子を実装するための撮像素子実装基板であって、第１絶縁層と、第１絶縁層の厚み方向一方側に配置される金属配線と、金属配線の厚み方向一方側に配置される第２絶縁層とを備える配線領域を有し、配線領域の等価弾性率が、５ＧＰａ以上、５５ＧＰａ以下である。

Description

撮像素子実装基板、その製造方法、および、実装基板集合体
　本発明は、撮像素子実装基板、その製造方法、および、実装基板集合体に関する。
　従来より、携帯電話などに搭載されているカメラモジュールなどの撮像装置は、一般的に、光学レンズと、光学レンズを収容および保持するハウジングと、ＣＭＯＳセンサやＣＣＤセンサなどの撮像素子と、撮像素子を実装し、外部配線に電気的に接続するための撮像素子実装基板とを備えている。撮像素子実装基板の略中央部の上に、撮像素子が実装されており、撮像素子を取り囲むように撮像素子実装基板の周端部の上に、ハウジングが配置されている。特許文献１には、そのような基板が開示されている。
特開２００５－２１０６２８号公報
　携帯電話などに用いられる撮像装置は、携帯電話の小型化の要求に伴い、より一層の薄型化（低背化）が求められている。撮像装置の低背化の手段の一つとしては、撮像素子実装基板の薄型化が挙げられる。
　ところで、撮像素子実装基板には、一般的に、金属板で裏面全面を補強した厚いリジット型配線回路基板と、金属板で裏面全体を補強されていない薄いフレキシブル型配線回路基板（ＦＰＣ）との２種類が用いられている。
　ＦＰＣは、金属板で補強しないため、リジッド型配線回路基板よりも薄型化が可能である。しかしながら、その反面、撮像素子および撮像素子実装基板の材料は、互いに異なるため、撮像素子および撮像素子実装基板を備える撮像ユニットを、高温および低温を繰り返す外部環境下に置くと、熱歪みが生じて、撮像ユニットに反りが生じる場合がある。その結果、撮像素子と光学レンズとの位置にずれが生じ、像が歪む不具合が生じる。
　本発明の目的は、薄型化可能であり、反りの発生を抑制することができる撮像素子実装基板、その製造方法および実装基板集合体を提供することにある。
　本発明［１］は、撮像素子を実装するための撮像素子実装基板であって、第１絶縁層と、第１絶縁層の厚み方向一方側に配置される金属配線と、前記金属配線の厚み方向一方側に配置される第２絶縁層とを備える配線領域を有し、前記配線領域の等価弾性率が、５ＧＰａ以上、５５ＧＰａ以下である、撮像素子実装基板を含んでいる。
　この撮像素子実装基板によれば、等価弾性率が、５ＧＰａ以上、５５ＧＰａ以下であるため、撮像素子および撮像素子実装基板を備える撮像ユニットを高温および低温を繰り返す環境下に置いた際に、撮像素子と撮像素子実装基板との間に生じる熱歪みを緩和することができ、その結果、撮像ユニットの反りを低減することができる。また、金属支持板などの支持基板を要しないため、薄型化が可能である。
　本発明［２］は、前記金属配線の厚みが、１μｍ以上、８μｍ以下である、［１］に記載の撮像素子実装基板を含んでいる。
　この撮像素子実装基板によれば、反りをより一層低減することができるとともに、薄膜化を図ることができる。
　本発明［３］は、前記撮像素子実装基板の総厚みが、４０μｍ以下である、［１］または［２］に記載の撮像素子実装基板を含んでいる。
　この撮像素子実装基板によれば、反りをより一層低減することができるとともに、薄膜化を図ることができる。
　本発明［４］は、前記配線領域が、前記第２絶縁層の厚み方向一方側に配置され、金属シールド層と、前記金属シールド層の厚み方向一方側に配置される第３絶縁層とをさらに備える、［１］～［３］のいずれか一項に記載の撮像素子実装基板を含んでいる。
　この撮像素子実装基板によれば、外部から生じる電磁波を金属シールド層で遮蔽することができるため、撮像装置の信頼性を向上させることができる。
　本発明［５］は、前記撮像素子実装基板が、端子および前記金属配線を有する導体パターンを備え、前記金属配線は、グランド配線を備え、前記金属シールド層が、前記グランド配線に電気的に接続されている、［４］に記載の撮像素子実装基板を含んでいる。
　この撮像素子実装基板によれば、第１絶縁層の厚み方向一方側に、グランド配線が配置されているため、別途、グランド配線のための層を設ける必要がない。その結果、撮像素子実装基板の薄膜化を図ることができる。
　本発明［６］は、前記金属シールド層が、厚み方向に対して傾斜する傾斜方向に延び、前記グランド配線と接触する傾斜部を備える、［５］に記載の撮像素子実装基板を含んでいる。
　この撮像素子実装基板によれば、傾斜するように金属シールド層が形成されているため、スパッタリングや蒸着などによって金属シールド層が形成されることができる。よって、シールド層の薄膜化を図ることができる。
　本発明［７］は、前記配線領域において、絶縁層の合計厚みに対する金属の合計厚みの割合が、０．１０以上、０．７０以下である、［１］～［６］のいずれか一項に記載の撮像素子実装基板を含んでいる。
　この撮像素子実装基板によれば、反りをより一層低減することができるとともに、薄膜化を図ることができる。
　本発明［８］は、前記配線領域において、絶縁層の合計厚みに対する金属の合計厚みの割合が、０．２０以上、０．７０以下である、［７］に記載の撮像素子実装基板を含んでいる。
　この撮像素子実装基板によれば、電気特性を良好にしながら、配線幅を狭くすることができるため、配線設計の自由度を向上させることができる。
　本発明［９］は、支持体および粘着剤層をさらに備える、［１］～［８］のいずれか一項に記載の撮像素子実装基板を含んでいる。
　この撮像素子実装基板によれば、撮像素子実装基板の汚染やブロッキングを抑制することができる。
　本発明［１０］は、［１］～［９］のいずれかに記載の撮像素子実装基板を複数備える、実装基板集合体を含んでいる。
　この実装基板集合体によれば、複数の撮像素子を複数の撮像素子実装基板に同時に実装することができるため、生産効率が向上する。
　本発明［１１］は、ロール状に巻回されている、［１０］に記載の実装基板集合体を含んでいる。
　この実装基板集合体によれば、ロールトゥロール工程で、撮像素子を撮像素子実装基板に実装することができるため、生産効率が向上する。
　本発明［１２］は、［１］～［９］のいずれか一項に記載の撮像素子実装基板の製造方法であって、金属支持板を用意する工程、前記金属支持板の厚み方向一方側に、第１絶縁層を形成する工程、前記第１絶縁層の厚み方向一方側に、金属配線を形成する工程、前記金属配線の厚み方向一方側に、第２絶縁層を形成する工程、および、前記金属支持板を除去する工程を備える、撮像素子実装基板の製造方法を含んでいる。
　この撮像素子実装基板の製造方法によれば、撮像ユニットの反りを低減することができる撮像素子実装基板を製造することができる。また、金属支持板の上で、撮像素子実装基板を製造するため、ハンドリングが容易である。また、撮像素子実装基板を形成した後、金属支持板を除去するため、撮像素子実装基板の薄膜化を図ることができる。
　本発明［１３］は、前記第２絶縁層を形成する工程の後、前記金属支持板を除去する工程の前に、前記第２絶縁層の厚み方向一方側に、金属シールド層を形成する工程、および、前記金属シールド層の厚み方向一方側に、第３絶縁層を形成する工程をさらに備える、［１２］に記載の撮像素子実装基板の製造方法を含んでいる。
　この製造方法によれば、外部から生じる電磁波を遮蔽できる撮像素子実装基板を製造することができる。
　本発明の撮像素子実装基板および実装基板集合体は、薄型化を図ることができ、また、反りの発生を抑制することができる。本発明の製造方法は、反りの発生を抑制した薄膜の撮像素子実装基板を確実に製造することができる。
図１は、本発明の撮像素子実装基板の第１実施形態の底面図を示す。 図２は、図１に示す撮像素子実装基板におけるＡ－Ａ断面図を示す。 図３Ａ～図３Ｈは、図１に示す撮像素子実装基板の製造工程図を示し、図３Ａは、金属支持板用意工程、図３Ｂは、ベース絶縁層形成工程、図３Ｃは、金属薄膜形成工程、図３Ｄは、フォトレジスト形成工程、図３Ｅは、導体パターン形成工程、図３Ｆは、フォトレジスト・金属薄膜除去工程、図３Ｇは、カバー絶縁層形成工程、図３Ｈは、金属支持板除去工程を示す。 図４は、図１に示す撮像素子実装基板を備える撮像装置を示す。 図５は、図１に示す撮像素子実装基板を備える実装基板集合体の底面図を示す。 図６は、図１に示す撮像素子実装基板の変形例（粘着剤層および支持体を備える形態）の断面図を示す。 図７は、図５に示す実装基板集合体の変形例（集合部を複数備える形態）の底面図を示す。 図８は、図５に示す実装基板集合体の変形例（ロール状に形成されている形態）の斜視図を示す。 図９は、本発明の撮像素子実装基板の第２実施形態（第２導体パターンおよび第２カバー絶縁層を備える形態）の断面図を示す。 図１０は、本発明の撮像素子実装基板の第３実施形態（金属シールド層および第２カバー絶縁層を備える形態）の断面図を示す。 図１１Ａ～図１１Ｄは、図１０に示す撮像素子実装基板の製造工程図を示し、図１１Ａは、第１カバー絶縁層形成工程、図１１Ｂは、シールド層形成工程、図１１Ｃは、第２カバー絶縁層形成工程、図１１Ｄは、金属支持板除去工程を示す。 図１２は、本発明の撮像素子実装基板の第４実施形態（第２導体パターン、第２カバー絶縁層、第３導体パターンおよび第３カバー絶縁層を備える形態）の断面図を示す。
　図１において、紙面上下方向は、前後方向（第１方向）であって、紙面上側が前側（第１方向一方側）、紙面下側が後側（第１方向他方側）である。紙面左右方向は、左右方向（第１方向と直交する第２方向）であって、紙面左側が左側（第２方向一方側）、紙面右側が右側（第２方向他方側）である。紙面紙厚方向は、上下方向（厚み方向、第１方向および第２方向と直交する第３方向）であって、紙面奥側が上側（厚み方向一方側、第３方向一方側）、紙面手前側が下側（厚み方向他方側、第３方向他方側）である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。
　　＜第１実施形態＞
　１．撮像素子実装基板
　図１Ａ～図４を参照して、本発明の撮像素子実装基板の第１実施形態である撮像素子実装基板１（以下、単に実装基板とも略する。）を説明する。
　実装基板１は、撮像素子２１（後述）を実装するためのフレキシブル配線回路基板（ＦＰＣ）であって、撮像素子２１を未だ備えていない。実装基板１は、図１に示すように、前後方向および左右方向（面方向）に延びる平面視略矩形（長方形状）の平板形状（シート形状）を有する。
　実装基板１は、図１に示すように、ハウジング配置部２、および、外部部品接続部３を備える。
　ハウジング配置部２は、ハウジング２２（後述）や撮像素子２１が配置される部分である。具体的には、ハウジング２２が実装基板１に配置された場合において、厚み方向に投影したときに、ハウジング２２と重複する部分である。ハウジング配置部２の略中央部には、撮像素子２１と電気的に接続するための撮像素子接続端子１０（後述）が複数配置されている。ハウジング配置部２は、後述する金属支持板１９を有しない。
　外部部品接続部３は、ハウジング配置部２以外の領域であって、外部部品と接続するための部分である。外部部品接続部３は、外部部品接続部３の前端縁がハウジング配置部２の後端縁と連続するように、ハウジング配置部２の後側に配置されている。外部部品接続部３の後端縁には、外部部品と電気的に接続するための外部部品接続端子１１（後述）が複数配置されている。
　実装基板１は、図２に示すように、第１絶縁層としてのベース絶縁層４と、導体パターン５と、第２絶縁層としてのカバー絶縁層６とを備える。好ましくは、実装基板１は、ベース絶縁層４、導体パターン５およびカバー絶縁層６のみからなる。
　ベース絶縁層４は、実装基板１の外形をなし、底面視略矩形状に形成されている。ベース絶縁層４の下面は、平坦となるように形成されている。ベース絶縁層４には、複数の撮像素子開口部７、および、複数の外部部品開口部８が形成されている。
　複数の撮像素子開口部７は、撮像素子接続端子１０を下面から露出するための開口部である。複数の撮像素子開口部７は、ハウジング配置部２の中央部に、矩形枠状となるように、互いに間隔を隔てて整列配置されている。撮像素子開口部７は、ベース絶縁層４を厚み方向に貫通し、底面視略円形状を有する。撮像素子開口部７は、下側に向かうに従って断面積が小さくなるテーパ形状を有する。
　複数の外部部品開口部８は、外部部品接続端子１１を下面から露出するための開口部である。外部部品開口部８は、外部部品接続部３の後端縁に、左右方向に互いに間隔を隔てて整列配置されている。外部部品開口部８は、ベース絶縁層４を厚み方向に貫通し、底面視略矩形状（長方形状）を有する。外部部品開口部８は、底面視において、外部部品接続部３の後端縁から前側に向かって延びるように、形成されている。
　ベース絶縁層４は、絶縁性材料から形成されている。絶縁性材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂などが挙げられる。好ましくは、ベース絶縁層４は、ポリイミド樹脂から形成されている。
　ポリイミド樹脂としては、例えば、特開平０７－１７９６０４号公報、特開２０１０－２７６７７５号公報、特開２０１３－１００４４１号公報などに記載の材料が挙げられる。
　ベース絶縁層４の弾性率は、例えば、１ＧＰａ以上、好ましくは、５ＧＰａ以上であり、また、例えば、２０ＧＰａ以下、好ましくは、１５ＧＰａ以下である。絶縁層などの樹脂層の弾性率は、例えば、動的粘弾性測定により、ＪＩＳ Ｋ７２４４やＩＳＯ ６７２１に準拠して測定することができる。
　ベース絶縁層４の熱膨張係数は、例えば、１ｐｐｍ／Ｋ以上、好ましくは、５ｐｐｍ／Ｋ以上であり、また、例えば、５０ｐｐｍ／Ｋ以下、好ましくは、３０ｐｐｍ／Ｋ以下である。絶縁層などの樹脂層の熱膨張係数は、面方向の線熱膨張係数であって、例えば、熱機械分析により、ＪＩＳ Ｋ７１９７の条件にて測定することができる。
　ベース絶縁層４の厚みＴ１は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下、より好ましくは、８μｍ以下である。
　導体パターン５は、ベース絶縁層４の上面と接触するように、ベース絶縁層４の上側に設けられている。導体パターン５は、複数の撮像素子接続端子１０、複数の外部部品接続端子１１、および、複数の金属配線９を備える。
　複数の撮像素子接続端子１０は、ハウジング配置部２の中央部に、矩形枠状となるように、互いに間隔を隔てて整列配置されている。すなわち、複数の撮像素子接続端子１０は、実装される撮像素子２１の複数の端子２５（後述）に対応するように、設けられている。また、複数の撮像素子接続端子１０は、複数の撮像素子開口部７に対応して設けられている。撮像素子接続端子１０は、底面視略円形状を有する。撮像素子接続端子１０は、側断面視において、下側に凸となるように形成されている。具体的には、撮像素子接続端子１０は、撮像素子開口部７の外周に配置される外周部１２と、外周部１２から内側に窪むように撮像素子開口部７内に配置される内側部１３とを一体的に備える。内側部１３の下面（露出面）は、撮像素子開口部７から露出しており、平坦となるように形成されている。また、内側部１３の下面は、ベース絶縁層４の下面と面一となるように形成されている。
　複数の外部部品接続端子１１は、外部部品接続部３の後端縁に、左右方向に互いに間隔を隔てて整列配置されている。すなわち、外部部品の複数の端子（図示せず）と対応するように設けられている。また、複数の外部部品接続端子１１は、複数の外部部品開口部８に対応して設けられている。外部部品接続端子１１は、平面視略矩形状（長方形状）を有する。外部部品接続端子１１は、外部部品開口部８内に配置され、その下面は、外部部品開口部８から露出している。
　複数の金属配線９は、複数の接続配線１４および複数のグランド配線１５を備える。
　複数の接続配線１４は、電気信号を流すための配線であって、複数の撮像素子接続端子１０および複数の外部部品接続端子１１に対応するように設けられている。具体的には、接続配線１４は、撮像素子接続端子１０と外部部品接続端子１１とを接続するように、これらと一体的に形成されている。すなわち、接続配線１４の一端は、撮像素子接続端子１０と連続し、接続配線１４の他端は、外部部品接続端子１１と連続して、これらを電気的に接続している。
　複数のグランド配線１５は、複数の接続配線１４に対応するように設けられている。具体的には、複数のグランド配線１５は、複数の接続配線１４の外側に、これらに沿うように設けられている。グランド配線１５の一端には、図示しないグランド端子が一体的に接続されている。
　なお、実装基板１を厚み方向に投影したときに、金属配線９が存在する平面視または底面視の領域を、配線領域１６とする。
　導体パターン５の材料としては、例えば、銅、銀、金、ニッケルまたはそれらを含む合金、半田などの金属材料が挙げられる。好ましくは、銅が挙げられる。
　導体パターン５の弾性率は、例えば、５０ＧＰａ以上、好ましくは、１００ＧＰａ以上であり、また、例えば、２００ＧＰａ以下、好ましくは、１５０ＧＰａ以下である。導体パターンなどの金属の弾性率は、例えば、引っ張り試験測定により、ＪＩＳ　Ｚ　２２４１に準拠して測定することができる。
　導体パターン５の熱膨張係数は、例えば、１ｐｐｍ／Ｋ以上、好ましくは、５ｐｐｍ／Ｋ以上であり、また、例えば、３０ｐｐｍ／Ｋ以下、好ましくは、２０ｐｐｍ／Ｋ以下である。導体パターンなどの金属の熱膨張係数は、面方向の線熱膨張係数であって、例えば、熱機械分析装置や光走査式測定装置により、ＪＩＳ　Ｚ　２２８５に準拠して測定することができる。
　導体パターン５の熱膨張係数とベース絶縁層４の熱膨張係数との差は、例えば、２０ｐｐｍ／Ｋ以下、好ましくは、１０ｐｐｍ／Ｋ以下、より好ましくは、５ｐｐｍ／Ｋ以下である。これらの熱膨張係数の差を上記範囲とすることにより、リフローなどの撮像素子実装工程において、実装基板１の反りを抑制できるため、撮像素子２１を実装基板１に容易に実装することができる。
　導体パターン５（金属配線９、各接続端子１０、１１）の厚みＴ２は、反りの抑制および取扱い性の観点から、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、また、例えば、１５μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下、より好ましくは、８μｍ以下である。
　金属配線９において、接続配線１４の幅は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下、より好ましくは、５０μｍ以下である。
　グランド配線１５の幅は、例えば、５０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、５０００μｍ以下、好ましくは、３０００μｍ以下、より好ましくは、１０００μｍ以下である。
　カバー絶縁層６は、導体パターン５を被覆するように、ベース絶縁層４および導体パターン５の上側に設けられている。すなわち、カバー絶縁層６は、導体パターン５の上面および側面、および、導体パターン５から露出するベース絶縁層４の上面と接触するように、配置されている。カバー絶縁層６の外形は、外部部品接続端子１１の形成部分を除いて、ベース絶縁層４と同一となるように形成されている。
　カバー絶縁層６は、ベース絶縁層４で上記した絶縁性材料と同様の絶縁性材料から形成され、好ましくは、ポリイミド樹脂から形成されている。
　カバー絶縁層６の弾性率は、例えば、１ＧＰａ以上、好ましくは、５ＧＰａ以上であり、また、例えば、２０ＧＰａ以下、好ましくは、１５ＧＰａ以下である。
　カバー絶縁層６の熱膨張係数は、例えば、１ｐｐｍ／Ｋ以上、好ましくは、５ｐｐｍ／Ｋ以上であり、また、例えば、５０ｐｐｍ／Ｋ以下、好ましくは、３０ｐｐｍ／Ｋ以下である。
　カバー絶縁層６の熱膨張係数と導体パターン５の熱膨張係数との差は、例えば、２０ｐｐｍ／Ｋ以下、好ましくは、１０ｐｐｍ／Ｋ以下、より好ましくは、５ｐｐｍ／Ｋ以下である。これらの熱膨張係数の差を上記範囲とすることにより、リフローなどの撮像素子実装工程において、実装基板１の反りを抑制できるため、撮像素子２１を実装基板１に容易に実装することができる。
　カバー絶縁層６の厚みＴ３は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、２μｍ以上であり、また、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下、より好ましくは、５μｍ以下である。
　実装基板１の配線領域１６における等価弾性率は、５ＧＰａ以上、５５ＧＰａ以下である。好ましくは、１０ＧＰａ以上であり、また、好ましくは、５０ＧＰａ以下、より好ましくは、４０ＧＰａ以下、さらに好ましくは、３０ＧＰａ以下、とりわけ好ましくは、２０ＧＰａ以下である。配線領域１６の等価弾性率を上記範囲とすることにより、反りの発生を抑制することができる。また、実装基板１の取り扱い性に優れる。
　等価弾性率Ｄは、配線領域１６を構成する各層（ベース絶縁層４、金属配線９、カバー絶縁層６）の弾性率のそれぞれに、その各層の厚み分率を掛けて、これらを合算したものである。具体的には、図１の実施形態では、下記の計算式にて得られる。
　Ｄ＝｛Ｄ１×Ｔ１＋Ｄ２×Ｔ２＋Ｄ３×Ｔ３｝／{Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３}
Ｄ１は、ベース絶縁層４の弾性率を示し、Ｔ１は、ベース絶縁層４の厚みを示す。
Ｄ２は、金属配線９の弾性率を示し、Ｔ２は、金属配線９の厚みを示す。
Ｄ３は、カバー絶縁層６の弾性率を示し、Ｔ３は、カバー絶縁層６の厚みを示す。
　なお、上記等価弾性率Ｄは、第１層および第２層が積層された平行平板モデルにおけるＶｏｉｇｔ則：Ｅｙ＝Ｖ１Ｅ１＋Ｖ２Ｅ２（Ｅｙは、全体のヤング率、Ｖ１は、第１層の体積、Ｅ１は、第１層の材料のヤング率、Ｖ２は、第２層の体積、Ｅ２は、第２層の材料のヤング率を示す。）から近似的に導出される。
　配線領域１６において、絶縁層の合計厚みに対する金属の合計厚みの割合、すなわち、ベース絶縁層４およびカバー絶縁層６の合計厚みに対する金属配線９の厚みの割合（Ｔ２／（Ｔ１＋Ｔ３））が、例えば、０．０５以上、好ましくは、０．１０以上、より好ましくは、０．２０以上であり、また、例えば、０．９０以下、好ましくは、０．７０以下、より好ましくは、０．５０以下、さらに好ましくは、０．２０以下である。上記割合を上記範囲とすることにより、等価弾性率を適正な範囲（例えば、５ＧＰａ以上、５５ＧＰａ以下）に容易に調整することができ、その結果、反りの発生をより確実に抑制することができる。加えて、上記割合を０．２０以上、０．７０以下の範囲にすると、金属配線９の電気特性を良好にしながら、接続配線１４の配線幅をより確実に狭くすることができる。そのため、配線設計の自由度を向上させることができ、少ない導体パターン５の数（層数）であっても実装基板１として機能することができる。
　金属の総厚み（最大厚み：図２では、金属配線９の厚み）は、反りの抑制および取扱い性の観点から、例えば、１５μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下、より好ましくは、８μｍ以下であり、また、例えば、１μｍ以上である。
　実装基板１の総厚み（最大厚み）は、反りの抑制および取扱い性の観点から、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、４０μｍ以下、より好ましくは、３０μｍ以下、さらに好ましくは、２０μｍ以下、とりわけ好ましくは、１０μｍ以下であり、また、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上である。
　２．撮像素子実装基板の製造方法
　実装基板１は、図３Ａ～図３Ｈに示すように、例えば、金属支持板用意工程、ベース絶縁層形成工程、金属薄膜形成工程、フォトレジスト形成工程、導体パターン形成工程、フォトレジスト・金属薄膜除去工程、カバー絶縁層形成工程、および、金属支持板除去工程を順次実施することにより、得られる。
　金属支持板用意工程では、図３Ａに示すように、金属支持板１９を用意する。
　金属支持板１９は、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅合金などの金属材料から形成されている。好ましくは、ステンレスから形成されている。
　金属支持板１９の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。
　金属支持板１９の上面は、平坦（平滑）となるように形成されている。
　ベース絶縁層形成工程では、図３Ｂに示すように、ベース絶縁層４を、金属支持板１９の上面に形成する。すなわち、開口部（撮像素子開口部７および外部部品開口部８）を有するベース絶縁層４を、金属支持板１９の上面に形成する。
　具体的には、感光性の絶縁性材料のワニス（例えば、感光性ポリイミド）を金属支持板１９の上面全面に塗布して乾燥させて、ベース皮膜（ベース絶縁層）を形成する。その後、ベース皮膜を、開口部（撮像素子開口部７および外部部品開口部８）に対応するパターンを有するフォトマスクを介して露光する。その後、ベース皮膜を現像し、必要により加熱硬化させる。
　金属薄膜形成工程では、図３Ｃに示すように、ベース絶縁層４の上面、および、開口部７から露出する金属支持板１９の上面に、金属薄膜１７（種膜）を形成する。
　金属薄膜１７としては、銅、クロム、ニッケルおよびそれらの合金などの金属材料が用いられる。
　金属薄膜１７は、例えば、金属支持板１９の上に形成されたベース絶縁層４に対して、スパッタリング、めっきなどの薄膜形成方法を実施することにより、形成する。好ましくは、スパッタリングにより金属薄膜１７を形成する。
　金属薄膜１７の厚みは、例えば、１０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下である。
　フォトレジスト形成工程では、図３Ｄに示すように、金属薄膜１７にフォトレジスト１８を形成する。すなわち、導体パターン５に対応する開口部を有するフォトレジスト１８を形成する。
　具体的には、ドライフィルムレジストを金属薄膜の上面全面に配置する。その後、ドライフィルムレジストを、導体パターン５に対応するパターンを有するフォトマスクを介して露光する。その後、ドライフィルムレジストを現像し、必要により加熱硬化させることにより、フォトレジスト１８をめっきレジストとして形成する。
　これにより、導体パターン５に対応する部分の金属薄膜１７をフォトレジスト１８から露出させる。
　導体パターン形成工程では、図３Ｅに示すように、フォトレジスト１８から露出した金属薄膜１７の表面に、導体パターン５を形成する。
　具体的には、例えば、金属薄膜１７から給電する電解めっきを実施する。
　これにより、撮像素子接続端子１０、外部部品接続端子１１および金属配線９を有する導体パターン５が形成される。なお、導体パターン５に対応する金属薄膜１７は、電解めっきによるめっき層２８と一体化されて、めっき層２８とともに導体パターン５を形成する。すなわち、図３Ｄ～図３Ｈにおいて、撮像素子接続端子１０および金属配線９は、それぞれ、めっき層２８と金属薄膜１７との２層となるように図示されているが、これらは、完全に一体化されて、一層となっていてもよい（図２参照）。
　フォトレジスト・金属薄膜除去工程では、図３Ｆに示すように、フォトレジスト１８および金属薄膜１７を除去する。
　具体的には、まず、残存するフォトレジスト１８を除去する。例えば、ウェットエッチングにより除去する。その後、残存するフォトレジスト１８に対向した金属薄膜１７を除去する。例えば、剥離またはウェットエッチングにより除去する。
　カバー絶縁層形成工程は、図３Ｇに示すように、導体パターン５およびベース絶縁層４の上面に、カバー絶縁層６を配置する。
　具体的には、例えば、ベース絶縁層形成工程と同様に実施する。
　これにより、ベース絶縁層４と、導体パターン５と、カバー絶縁層６とを備える実装基板１を、金属支持板１９に支持された状態で得る。
　金属支持板除去工程では、図３Ｈに示すように、金属支持板１９を除去する。
　除去方法としては、例えば、金属支持板１９を実装基板１の下面から剥離する方法、金属支持板１９をウェットエッチングにて処理する方法などが挙げられる。
　これにより、ベース絶縁層４と、導体パターン５と、カバー絶縁層６とを備える実装基板１を得る。
　このような実装基板１は、例えば、撮像素子を実装するための配線回路基板に用いられる。すなわち、実装基板１は、カメラモジュールなどの撮像装置に用いられる。
　３．撮像装置
　図４を参照して、実装基板１を備える撮像装置２０を説明する。
　撮像装置２０は、実装基板１、撮像素子２１、ハウジング２２、光学レンズ２３、および、フィルター２４を備える。
　実装基板１は、図２の状態と上下反転して用いる。すなわち、実装基板１は、ベース絶縁層４を上側とし、カバー絶縁層６を下側となるように、配置される。
　撮像素子２１は、光を電気信号に変換する半導体素子であって、例えば、ＣＭＯＳセンサ、ＣＣＤセンサなどの固体撮像素子が挙げられる。
　撮像素子２１は、平面視略矩形の平板形状に形成されており、図示しないが、Ｓｉ基板などのシリコンと、その上に配置されるフォトダイオード（光電変換素子）およびカラーフィルターとを備える。撮像素子２１の下面には、実装基板１の撮像素子接続端子１０と対応する端子２５が複数設けられている。
　撮像素子２１（特にＳｉ基板）の弾性率は、例えば、１００ＧＰａ以上、好ましくは、１２０ＧＰａ以上であり、また、例えば、２００ＧＰａ以下、好ましくは、１５０ＧＰａ以下である。撮像素子２１の弾性率は、例えば、引っ張り試験測定により、ＪＩＳ　Ｚ　２２４１に準拠して測定することができる。
　撮像素子２１（特にＳｉ基板）の熱膨張係数は、例えば、１ｐｐｍ／Ｋ以上、好ましくは、２ｐｐｍ／Ｋ以上であり、また、例えば、１０ｐｐｍ／Ｋ以下、好ましくは、５ｐｐｍ／Ｋ以下である。撮像素子２１の熱膨張係数は、面方向の線熱膨張係数であって、例えば、熱機械分析装置や光走査式測定装置により、ＪＩＳ　Ｚ　２２８５に準拠して測定することができる。
　撮像素子２１の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。
　撮像素子２１は、実装基板１に実装されている。すなわち、撮像素子２１の端子２５は、対応する実装基板１の撮像素子接続端子１０と、ソルダーバンプ２６などを介して、フリップチップ実装されている。これにより、撮像素子２１は、実装基板１のハウジング配置部２の中央部に配置され、実装基板１の撮像素子接続端子１０および外部部品接続端子１１と電気的に接続されている。
　撮像素子２１は、実装基板１に実装されることにより、撮像ユニット２７を構成する。すなわち、撮像ユニット２７は、実装基板１と、それに実装される撮像素子２１とを備える。
　ハウジング２２は、実装基板１のハウジング配置部２に、撮像素子２１と間隔を隔てて囲むように、配置されている。ハウジング２２は、平面視略矩形状の筒状を有する。ハウジング２２の上端には、光学レンズ２３を固定するための固定部が設けられている。
　光学レンズ２３は、実装基板１の上側に、実装基板１および撮像素子２１と間隔を隔てて配置されている。光学レンズ２３は、平面視略円形状に形成され、外部からの光が、撮像素子２１に到達するように、固定部によって固定されている。
　フィルター２４は、撮像素子２１および光学レンズ２３の上下方向中央に、これらと間隔を隔てて配置され、ハウジング２２に固定されている。
　そして、この実装基板１は、ベース絶縁層４と、ベース絶縁層４の上側に配置される金属配線９と、金属配線９の上側に配置されるカバー絶縁層６とを備える配線領域１６を有する。配線領域１６の等価弾性率は、５ＧＰａ以上、５５ＧＰａ以下である。
　このため、撮像ユニット２７を高温および低温を繰り返す環境下に置いた際に、撮像素子２１と実装基板１との間に生じる熱歪みを緩和することができ、その結果、撮像ユニット２７の反りを低減することができる。
　従来の実装基板（ＦＰＣ基板）では、配線領域の熱膨張係数は、１５ｐｐｍ／Ｋを超過している。一方、撮像素子は、Ｓｉ基板などを備えるため、一般的に、その熱膨張係数は、１０ｐｐｍ／Ｋ未満である。これらの熱膨張係数に差があるため、撮像素子を熱処理によって実装基板に実装すると、実装基板は、大幅な反りが生じてしまう。
　これに対し、この実装基板１では、配線領域１６の等価弾性率が、５ＧＰａ以上、５５ＧＰａ以下である。そのため、ヒートサイクル（例えば、温度差５０℃以上）に対して、撮像素子２１の熱膨張に合わせて、実装基板１は、柔軟に変形することができる。結果、反りの発生を抑制することができる。
　また、金属支持板などの支持体を要しないため、薄型化が可能である。
　また、実装基板１を実装する表面が平坦であるため、すなわち、図１に示すように、ベース絶縁層４の下面が平坦であり、ベース絶縁層４の下面と撮像素子接続端子１０の露出面（内側部１３）と面一である。よって、撮像素子２１を実装する際に、撮像素子２１の端子２５が、ベース絶縁層４の凸部に衝突することを抑制することができる。その結果、実装が容易である。
　また、実装基板１は、アクリル接着剤などの接着剤層を要しないため、湿熱による接着剤層の劣化を抑制することでき、耐湿熱性に優れる。
　この実装基板１の製造方法によれば、金属支持板１９を用意する工程、金属支持板１９の上面にベース絶縁層４を形成する工程、ベース絶縁層４の上面に金属配線９を形成する工程、金属配線９の上面にカバー絶縁層６を形成する工程、および、金属支持板１９を除去する工程を備える。
　すなわち、硬い金属支持板１９の上で実装基板１を製造するため、ハンドリングが容易である。また、ベース絶縁層４の厚みを薄くしても、金属支持板１９がベース絶縁層４を支持するため、ベース絶縁層４の上に金属配線９やカバー絶縁層６を確実に配置できる。その結果、ベース絶縁層４の薄膜化、ひいては、実装基板１の薄膜化を図ることができる。
　また、ベース絶縁層４やカバー絶縁層６を感光性の絶縁性材料を用いて形成すれば、ベース絶縁層４、導体パターン５およびカバー絶縁層６のそれぞれの間に、接着剤層を要せず、これらを積層できる。そのため、耐熱性の向上、および、より一層の薄膜化を図ることができる。
　４．実装基板集合体
　実装基板１は、工業的には複数の実装基板１の集合体として、製造及び使用する。実装基板集合体５０は、図５に示すように、面方向に延びる平面視略矩形（略正方形状）の平板形状（シート形状）を有しており、複数（９個）の実装基板１およびマージン部５１を備える。
　複数の実装基板１は、前後方向および左右方向に間隔を隔てて均等に整列配置されている。
　マージン部５１は、複数の実装基板１以外の部分であり、隣接する実装基板１の間、および、外側に配置される実装基板１の外側に配置されている。マージン部５１は、少なくともベース絶縁層４およびカバー絶縁層６を備える。
　実装基板集合体５０では、等間隔に配置される複数（９個）の実装基板１とマージン部５１とが、一つの集合部５２を構成している。
　この実装基板集合体５０によれば、複数の撮像素子２１を同時に複数の実装基板１に実装することにより、撮像ユニット２７を同時に製造することができる。そのため、撮像装置２０の生産効率が向上する。
　実装基板集合体５０は、金属支持板用意工程において、複数の実装基板１を配置できる大きさの金属支持板１９を用意して、上記した実装基板１の製造方法と同様の工程で複数の実装基板１を同時に製造し、金属支持板除去工程において、金属支持板１９を除去することにより、製造することができる。
　５．変形例
　図２に示す実施形態の実装基板１では、金属配線９は、グランド配線１５を備えるが、例えば、図示しないが、グランド配線１５を備えなくてもよい。すなわち、金属配線９は、接続配線１４のみから構成することもできる。
　図２に示す実施形態の実装基板１では、例えば、図示しないが、金属配線９は、電源配線などのその他の配線を備えていてもよい。なお、電源配線が存在する領域も、配線領域１６である。
　図４に示す実施形態の撮像装置２０では、撮像素子２１は、実装基板１にフリップチップ実装されているが、例えば、図示しないが、撮像素子２１は、実装基板１にワイヤボンディングによって実装することもできる。
　図２に示す実装基板１は、粘着剤層および支持体を備えていないが、例えば、図６に示すように、実装基板１は、粘着剤層６０および支持体６１を備えることもできる。
　図６に示す実装基板１は、具体的には、ベース絶縁層４の下面に配置される粘着剤層６０と、粘着剤層６０の下面に配置される支持体６１とを備える。粘着剤層６０および支持体６１は、実装基板１の搬送時や保存時において実装基板１に配置されるものであり、撮像素子２１の実装時や実装基板１の使用時において、剥離される。
　粘着剤層６０としては、例えば、両面粘着テープなどの公知の粘着剤層が挙げられる。
　支持体６１としては、例えば、表面保護フィルム、離型フィルムなどの公知のフィルムが挙げられる。
　また、粘着剤層６０および支持体６１の積層体として、公知の紫外線剥離テープなども挙げられる。
　図６に示す実装基板１によれば、実装基板１の送搬時や保存時において、実装基板１の汚染やブロッキングを抑制することができる。
　また、実装基板１では、図６の仮想線に示すように、ベース絶縁層４の下面に加えて、または、ベース絶縁層４の下面の代わりに、ベース絶縁層４の上面に、粘着剤層６０および支持体６１を備えることもできる。
　図５に示す実装基板集合体５０では、一つの集合部５２からなるが、例えば、図７に示すように、実装基板集合体５０は、複数（９個）の集合部５２を備えることもできる。なお、図示しないが、図５および図７に示される一つの集合部５２内の実装基板１、および、集合部５２の数は限定されず、例えば、それぞれ、８個以下であってもよく、１０個以上であってもよい。
　図５に示す実装基板集合体５０では、平面視略正方形状のシート（枚葉）に形成されているが、例えば、図８に示すように、実装基板集合体５０は、一方向に長尺なシートに形成されており、かつ、ロール状に巻回されていてもよい。
　図８に示す実装基板集合体５０によれば、ロールトゥロール工程にて、撮像ユニット２７を製造することができるため、撮像装置２０の生産効率が向上する。
　＜第２実施形態＞
　図９を参照して、実装基板の第２実施形態について説明する。なお、第２実施形態の実装基板１において、上記した図２に示す第１実施形態と同様の部材には同様の符号を付し、その説明を省略する。
　第１実施形態では、実装基板１は、ベース絶縁層４、導体パターン５およびカバー絶縁層６のみを備えるが、第２実施形態は、図９に示すように、第２導体パターン３０、および、第３絶縁層としての第２カバー絶縁層３１をさらに備える。
　すなわち、第２実施形態は、ベース絶縁層４と、導体パターン（第１導体パターン）５と、カバー絶縁層（第１カバー絶縁層）６と、第２導体パターン３０と、第２カバー絶縁層３１とを備える。好ましくは、第２実施形態は、ベース絶縁層４、導体パターン５、カバー絶縁層６、第２導体パターン３０および第２カバー絶縁層３１のみからなる。
　第２導体パターン３０は、カバー絶縁層６の上面と接触するように、カバー絶縁層６の上側に設けられている。第２導体パターン３０は、複数の第２撮像素子接続端子（図示せず）、複数の第２外部部品接続端子（図示せず）、および、複数の第２金属配線３２を備える。
　複数の第２撮像素子接続端子は、ベース絶縁層４に形成された第２接続素子接続端子開口部（図示せず）から露出するように、形成されている。
　複数の第２外部部品接続端子は、ベース絶縁層４に形成された第２外部部品接続端子開口部（図示せず）から露出するように、形成されている。
　複数の第２金属配線３２は、複数の第２接続配線３３および複数の第２グランド配線３４を備える。複数の第２接続配線３３は、複数の第２撮像素子接続端子および複数の第２外部部品接続端子に対応して、これらを接続するように設けられている。複数の第２グランド配線３４は、複数の第２接続配線３３に対応するように設けられている。
　第２導体パターン３０の材料、弾性率および熱膨張係数は、それぞれ、導体パターン５の材料、弾性率および熱膨張係数と同様である。
　第２導体パターン３０の厚みＴ４、および、第２金属配線３２の幅は、それぞれ、導体パターン５の厚みＴ２、および、金属配線９の幅と同様である。
　第２カバー絶縁層３１は、第２導体パターン３０を被覆するように、カバー絶縁層６および第２導体パターン３０の上側に設けられている。すなわち、第２カバー絶縁層３１は、第２導体パターン３０の上面および側面、および、第２導体パターン３０から露出するカバー絶縁層６の上面と接触するように、配置されている。第２カバー絶縁層３１の外形は、ベース絶縁層４と同一となるように形成されている。
　第２カバー絶縁層３１の材料、弾性率、熱膨張係数および厚みＴ５は、それぞれ、カバー絶縁層６の材料、弾性率、熱膨張係数および厚みＴ３と同様である。
　なお、実装基板１を厚み方向に投影したときに、金属配線９および第２金属配線３２の少なくとも一方が存在する平面視または底面視の領域を、配線領域１６とする（ただし、厚み方向に投影したときに、撮像素子接続端子１０や第２撮像素子接続端子などの端子が存在する端子領域は、除く）。
　なお、第２実施形態の等価弾性率Ｄは、第１実施形態の等価弾性率Ｄと同様であって、５ＧＰａ以上、５５ＧＰａ以下である。好ましくは、１０ＧＰａ以上であり、また、好ましくは、５０ＧＰａ以下である。第２実施形態の等価弾性率Ｄは、ベース絶縁層４と、導体パターン５（金属配線９）と、カバー絶縁層６と、第２導体パターン３０（第２金属配線３２）と、第２カバー絶縁層３１とが積層されている配線領域では、下記式で示される。
　Ｄ＝｛Ｄ１×Ｔ１＋Ｄ２×Ｔ２＋Ｄ３×Ｔ３＋Ｄ４×Ｔ４＋Ｄ５×Ｔ５｝／{Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３＋Ｔ４＋Ｔ５}
Ｄ４は、第２金属配線３２の弾性率を示し、Ｔ４は、第２金属配線３２の厚みを示す。
Ｄ５は、第２カバー絶縁層３１の弾性率を示し、Ｔ５は、第２カバー絶縁層３１の厚みを示す。
　また、配線領域１６において、絶縁層の合計厚みに対する金属の合計厚みの割合、すなわち、ベース絶縁層４、カバー絶縁層６および第２カバー絶縁層３１の合計厚みに対する金属配線９および第２金属配線３２の合計厚みの割合（Ｔ２＋Ｔ４／（Ｔ１＋Ｔ３＋Ｔ５））は、例えば、０．０５以上、好ましくは、０．１０以上、より好ましくは、０．２０以上であり、また、例えば、０．９０以下、好ましくは、０．７０以下である。
　金属の総厚み（金属配線９および第２金属配線３２の合計厚み）も、第１実施形態の総厚みと同様である。
　第２実施形態の実装基板１は、第１実施形態の実装基板１を金属支持板１９に支持された状態で得た後に、第２導体パターン３０および第２カバー絶縁層３１をこの順で、第１カバー絶縁層６の上面に形成し、続いて、金属支持板１９を除去することにより、製造することができる。
　第２実施形態についても第１実施形態と同様の作用効果を奏する。また、第２実施形態についても第１実施形態と同様の変形例を適用できる。
　＜第３実施形態＞
　図１０を参照して、実装基板の第３実施形態について説明する。なお、第３実施形態の実装基板１において、上記した図２、図９などに示す第１～２実施形態と同様の部材には同様の符号を付し、その説明を省略する。
　第１実施形態では、実装基板１は、ベース絶縁層４、導体パターン５およびカバー絶縁層６のみを備えるが、例えば、第３実施形態は、図１０に示すように、実装基板１は、金属シールド層４０、および、第３絶縁層としての第２カバー絶縁層３１をさらに備える。好ましくは、第３実施形態は、ベース絶縁層４、導体パターン５、カバー絶縁層６、金属シールド層４０および第２カバー絶縁層３１のみからなる。
　すなわち、第３実施形態は、ベース絶縁層４と、導体パターン５と、カバー絶縁層（第１カバー絶縁層）６と、金属シールド層４０と、第２カバー絶縁層３１とを備える。
　金属シールド層４０は、カバー絶縁層６の上面と接触するように、カバー絶縁層６の上側に配置されている。金属シールド層４０は、外部からの電磁波を遮蔽する層であって、面方向（前後方向および左右方向）に延びるシート状に形成されている。
　金属シールド層４０は、グランド配線１５と電気的に接続されている。すなわち、金属シールド層４０は、グランド配線１５と連続している。具体的には、金属シールド層４０は、グランド配線１５と対向する部分において、下側に凸形状を有し、グランド配線１５の上面に接触する接触部４１を備える。
　接触部４１は、グランド配線１５に直接接触する平坦部４２と、平坦部４２の周囲に連続するように一体的に配置される傾斜部４３とを備える。
　平坦部４２は、面方向に延びる平板状に形成されている。
　傾斜部４３は、上下方向および面方向に交差（傾斜）する傾斜方向に延びている。
　側断面視において、平坦部４２と傾斜部４３とのなす角度は、例えば、１００°以上、好ましくは、１２０°以上であり、また、例えば、１７０°以下、好ましくは、１６０°以下である。
　これにより、金属シールド層４０は、グランド配線１５を介して、接地されている。
　金属シールド層４０は、金属導体からなり、例えば、銅、クロム、ニッケル、金、銀、白金、パラジウム、チタン、タンタル、はんだ、またはこれらの合金などの金属材料が用いられる。好ましくは、銅が挙げられる。
　金属シールド層４０の厚みＴ６は、例えば、０．０５μｍ以上、好ましくは、０．１μｍ以上であり、また、例えば、３μｍ以下、好ましくは、１μｍ以下である。
　第２カバー絶縁層３１は、金属シールド層４０を被覆するように、金属シールド層４０の上側に設けられている。第２カバー絶縁層３１の外形は、カバー絶縁層６と同一となるように形成されている。
　第３実施形態における第２カバー絶縁層３１の材料、弾性率、熱膨張係数および厚みＴ５は、それぞれ、第２実施形態における第２カバー絶縁層３１と同様であり、すなわち、カバー絶縁層６の材料、弾性率、熱膨張係数および厚みＴ３と同様である。
　なお、第３実施形態の等価弾性率Ｄは、第１実施形態の等価弾性率Ｄと同様であって、５ＧＰａ以上、５５ＧＰａ以下である。好ましくは、１０ＧＰａ以上であり、また、好ましくは、５０ＧＰａ以下である。第３実施形態の等価弾性率Ｄは、ベース絶縁層４と、導体パターン５（金属配線９）と、カバー絶縁層６と、金属シールド層４０と、第２カバー絶縁層３１とが積層されている配線領域では、下記式で示される。
　Ｄ＝｛Ｄ１×Ｔ１＋Ｄ２×Ｔ２＋Ｄ３×Ｔ３＋Ｄ６×Ｔ６＋Ｄ５×Ｔ５｝／{Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３＋Ｔ６＋Ｔ５}
Ｄ６は、金属シールド層４０の弾性率を示し、Ｔ６は、金属シールド層４０の厚みを示す。
　また、配線領域１６において、絶縁層の合計厚みに対する金属の合計厚みの割合、すなわち、ベース絶縁層４、カバー絶縁層６および第２カバー絶縁層３１の合計厚みに対する金属配線９および金属シールド層４０の合計厚みの割合（Ｔ２＋Ｔ６／（Ｔ１＋Ｔ３＋Ｔ５））は、例えば、０．０５以上、好ましくは、０．１０以上、より好ましくは、０．２０以上であり、また、例えば、０．９０以下、好ましくは、０．７０以下である。
　金属の総厚み（金属配線９および金属シールド層４０の合計厚み）も、第１実施形態の総厚みと同様である。
　第３実施形態の実装基板１は、第１実施形態の実装基板１を金属支持板１９で支持された状態で得た後に、金属シールド層４０および第２カバー絶縁層３１をこの順で、第１カバー絶縁層６の上面に形成し、続いて、金属支持板１９を除去することにより、製造することができる。
　すなわち、金属支持板用意工程、ベース絶縁層形成工程、金属薄膜形成工程、フォトレジスト形成工程、導体パターン形成工程、フォトレジスト・金属薄膜除去工程、カバー絶縁層形成工程、シールド層形成工程、第２カバー絶縁層形成工程、および、金属支持板除去工程を実施する。
　金属支持板用意工程、ベース絶縁層形成工程、金属薄膜形成工程、フォトレジスト形成工程、導体パターン形成工程、および、フォトレジスト・金属薄膜除去工程は、第１実施形態と同様である（図３Ａ～図３Ｇ参照）。
　カバー絶縁層形成工程では、図１１Ａに示すように、カバー絶縁層（第１カバー絶縁層）６を、導体パターン５およびベース絶縁層４の上面に配置する。
　このとき、導体パターン５のグランド配線１５の上面が露出するように、グランド開口部４４を有するカバー絶縁層６を形成する。また、グランド開口部４４が、側断面視において、下側に向かって幅狭となるテーパ形状となるように、カバー絶縁層６を形成する。具体的には、例えば、ベース絶縁層形成工程と同様に実施する。
　シールド層形成工程では、図１１Ｂに示すように、カバー絶縁層６の上に、金属シールド層４０を形成する。
　金属シールド層４０の形成には、例えば、電解めっき、無電解めっきなどのめっき法、例えば、スパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、例えば、導電ペーストによる塗布法が挙げられる。好ましくは、薄膜化の観点から、スパッタリング、蒸着法が挙げられ、より好ましくは、スパッタリングが挙げられる。
　第２カバー絶縁層形成工程は、図１１Ｃに示すように、金属シールド層４０の上面に、第２カバー絶縁層３１を配置する。具体的には、ベース絶縁層形成工程と同様に実施する。
　これにより、ベース絶縁層４と、導体パターン５と、カバー絶縁層６と、金属シールド層４０と、第２カバー絶縁層３１とを備える実装基板１を、金属支持板１９に支持された状態で得る。
　金属支持板除去工程では、図１１Ｄに示すように、金属支持板１９を除去する。具体的には、第１実施形態と同様の方法が挙げられる。
　これにより、ベース絶縁層４と、導体パターン５と、カバー絶縁層６と、金属シールド層４０と、第２カバー絶縁層３１とを備える実装基板１を得る。
　第３実施形態についても第１実施形態と同様の作用効果を奏する。また、第３実施形態についても第１実施形態と同様の変形例を適用できる。
　また、第３実施形態では、配線領域１６は、カバー絶縁層６の上側に配置される金属シールド層４０と、金属シールド層４０の上側に配置される第２カバー絶縁層３１を備える。このため、外部から生じる電磁波を金属シールド層４０で遮蔽することができるため、撮像装置２０の信頼性を向上させることができる。
　また、金属配線９が、接続配線１４およびグランド配線１５を備え、金属シールド層４０が、グランド配線１５に電気的に接続されている。
　このため、ベース絶縁層４の上面に、すなわち、接続配線１４と同一の上下方向位置で、グランド配線１５が配置されている。よって、別途、グランド配線１５を設けるための層を設ける必要がない。その結果、実装基板１の薄膜化を図ることができる。
　また、金属シールド層４０は、上下方向および面方向に傾斜する傾斜方向に延び、グランド配線１５と接触する傾斜部４３を備える。すなわち、金属シールド層４０は、その一部が傾斜するように形成されている。このため、スパッタリングや蒸着などによって金属シールド層４０を形成することができる。すなわち、金属シールド層４０をスパッタリング膜などとすることができる。よって、実装基板１の薄膜化を図ることができる。なお、金属シールド層４０の接触部４１において、傾斜部４３に代えて、上下方向に沿う垂直部とすることもできる。しかし、この垂直部を備える形態では、スパッタリングや蒸着などの成膜法によっては、均一な金属シールド層４０（垂直部）を形成することはできず、スパッタリング膜などによる薄膜化を図ることが困難となるおそれが生じる。
　＜第４実施形態＞
　図１２を参照して、実装基板の第４実施形態について説明する。なお、第４実施形態の実装基板１において、上記した図２、図９、図１１などに示す第１～３実施形態と同様の部材には同様の符号を付し、その説明を省略する。
　第２実施形態では、実装基板１は、ベース絶縁層４、導体パターン５、カバー絶縁層６、第２導体パターン３０および第２カバー絶縁層３１のみを備えるが、第４実施形態は、図１２に示すように、第３導体パターン７０、および、第３カバー絶縁層７１をさらに備える。
　すなわち、第４実施形態は、ベース絶縁層４と、導体パターン（第１導体パターン）５と、カバー絶縁層（第１カバー絶縁層）６と、第２導体パターン３０と、第２カバー絶縁層３１と、第３導体パターン７０と、第３カバー絶縁層７１とを備える。好ましくは、第２実施形態は、ベース絶縁層４、導体パターン５、カバー絶縁層６、第２導体パターン３０、第２カバー絶縁層３１、第３導体パターン７０および第３カバー絶縁層７１のみからなる。
　第３導体パターン７０は、第２カバー絶縁層３１の上面と接触するように、第２カバー絶縁層３１の上側に設けられている。第３導体パターン７０は、複数の第３撮像素子接続端子（図示せず）、複数の第３外部部品接続端子（図示せず）、および、複数の第３金属配線７２を備える。
　複数の第３撮像素子接続端子は、ベース絶縁層４に形成された第３接続素子接続端子開口部（図示せず）から露出するように、形成されている。
　複数の第３外部部品接続端子は、ベース絶縁層４に形成された第３外部部品接続端子開口部（図示せず）から露出するように、形成されている。
　複数の第３金属配線７２は、複数の第３接続配線７３および複数の第３グランド配線７４を備える。複数の第３接続配線７３は、複数の第３撮像素子接続端子および複数の第３外部部品接続端子に対応して、これらを接続するように設けられている。複数の第３グランド配線７４は、複数の第３接続配線７３に対応するように設けられている。
　第３導体パターン７０の材料、弾性率および熱膨張係数は、それぞれ、導体パターン５の材料、弾性率および熱膨張係数と同様である。
　第３導体パターン７０の厚みＴ７、および、第３金属配線７２の幅は、それぞれ、導体パターン５の厚みＴ２、および、金属配線９の幅と同様である。
　第３カバー絶縁層７１は、第３導体パターン７０を被覆するように、第２カバー絶縁層３１および第３導体パターン７０の上側に設けられている。第３カバー絶縁層７１の外形は、ベース絶縁層４と同一となるように形成されている。
　第３カバー絶縁層７１の材料、弾性率、熱膨張係数および厚みＴ８は、それぞれ、カバー絶縁層６の材料、弾性率、熱膨張係数および厚みＴ３と同様である。
　なお、実装基板１を厚み方向に投影したときに、金属配線９、第２金属配線３２および第３金属配線７２の少なくとも一方が存在する平面視または底面視の領域を、配線領域１６とする（ただし、厚み方向に投影したときに、撮像素子接続端子１０、第２撮像素子接続端子、第３撮像素子接続端子などの端子が存在する端子領域は、除く）。
　なお、第４実施形態の等価弾性率Ｄは、第１実施形態の等価弾性率Ｄと同様であって、５ＧＰａ以上、５５ＧＰａ以下である。好ましくは、１０ＧＰａ以上であり、また、好ましくは、５０ＧＰａ以下である。第３実施形態の等価弾性率Ｄは、ベース絶縁層４と、導体パターン５（金属配線９）と、カバー絶縁層６と、第２導体パターン３０（第２金属配線３２）と、第２カバー絶縁層３１と、第３導体パターン７０（第３金属配線７２）と、第３カバー絶縁層７１とが積層されている配線領域（図１２の拡大図）では、下記式で示される。
　Ｄ＝｛Ｄ１×Ｔ１＋Ｄ２×Ｔ２＋Ｄ３×Ｔ３＋Ｄ４×Ｔ４＋Ｄ５×Ｔ５＋Ｄ７×Ｔ７＋Ｄ８×Ｔ８｝／{Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３＋Ｔ４＋Ｔ５＋Ｔ７＋Ｔ８}
Ｄ７は、第３金属配線７２の弾性率を示し、Ｔ７は、第３金属配線７２の厚みを示す。
Ｄ８は、第３カバー絶縁層７１の弾性率を示し、Ｔ８は、第３カバー絶縁層７１の厚みを示す。
　また、配線領域１６において、絶縁層の合計厚みに対する金属の合計厚みの割合、すなわち、ベース絶縁層４、カバー絶縁層６、第２カバー絶縁層３１および第３カバー絶縁層７１の合計厚みに対する金属配線９、第２金属配線３２および第３金属配線７２の合計厚みの割合（Ｔ２＋Ｔ４＋Ｔ７／（Ｔ１＋Ｔ３＋Ｔ５＋Ｔ８））は、例えば、０．０５以上、好ましくは、０．１０以上、より好ましくは、０．２０以上であり、また、例えば、０．９０以下、好ましくは、０．７０以下である。
　金属の総厚み（金属配線９、第２金属配線３２および第３金属配線７２の合計厚み）も、第１実施形態の総厚みと同様である。
　第４実施形態の実装基板１は、第２実施形態の実装基板１を金属支持板１９に支持された状態で得た後に、第３導体パターン７０および第３カバー絶縁層７１をこの順で、第２カバー絶縁層６の上面に形成し、続いて、金属支持板１９を除去することにより、製造することができる。
　第４実施形態についても第１実施形態と同様の作用効果を奏する。また、第４実施形態についても第１実施形態と同様の変形例を適用できる。また、第４実施形態について、第３導体パターン７０の代わりに、第３実施形態の金属シールド層４０を備えることもできる。
　図１２に示す実施形態では、７層の全て（ベース絶縁層４、金属配線９、カバー絶縁層６、第２金属配線３２、第２カバー絶縁層３１、第３金属配線７２、第３カバー絶縁層７１）が上下方向に重複するように配置される配線領域が存在しているが、例えば、図示しないが、上記配線領域が存在しなくてよい。具体的には、金属配線９と第２金属配線３２と第３金属配線７２とが同一領域で上下方向に重複せず、これらの配線（９、３２、７２）のうち２つの配線が重複する。この場合、等価弾性率Ｄ、金属の合計厚みの割合などは、配線領域において、重複している層のみの弾性率および厚みを用いて計算する。
　以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値(「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値(「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
　（シミュレーションによる実施例）
　　実施例１
　ベース絶縁層としての８ｍｍ×８ｍｍ×厚み１０μｍのポリイミド層と、その全面に配置される導体パターンとしての厚み８μｍの銅層と、その全面に配置されるカバー絶縁層としての厚み５μｍのポリイミド層とを順に備える実装基板を想定した。なお、ポリイミドの弾性率は、６．３ＧＰａ、線熱膨張係数は、１７ｐｐｍ／Ｋとした。銅の弾性率は、１２３ＧＰａ、線熱膨張係数は、１７ｐｐｍ／Ｋとした。
　　実施例２～６
　各層（ベース絶縁層、導体パターン、カバー絶縁層）の厚みを、表１のように変更した以外は、実施例１と同様にして、実装基板を想定した。
　　実施例７
　ベース絶縁層としての８ｍｍ×８ｍｍ×厚み３μｍのポリイミド層と、その全面に配置される第１導体パターンとしての厚み３μｍの銅層と、その全面に配置される第１カバー絶縁層としての厚み５μｍのポリイミド層と、その全面に配置される第２導体パターンとしての３μｍの銅層と、その全面に配置される第２カバー絶縁層としての厚み３μｍのポリイミドとを備える実装基板を想定した。
　　実施例８
　ベース絶縁層としての８ｍｍ×８ｍｍ×厚み５μｍのポリイミド層と、その全面に配置される第１導体パターンとしての厚み３μｍの銅層と、その全面に配置される第１カバー絶縁層としての厚み３μｍのポリイミド層と、その全面に配置される金属シールド層としての厚み０．１μｍの銅層と、その全面に配置される第２カバー絶縁層として厚み３μｍのポリイミドとを備える実装基板を想定した。
　　実施例９
　ベース絶縁層としての８ｍｍ×８ｍｍ×厚み５μｍのポリイミド層と、その全面に配置される第１導体パターンとしての厚み３μｍの銅層と、その全面に配置される第１カバー絶縁層としての厚み３μｍのポリイミド層と、その全面に配置される第２導体パターンとしての厚み３μｍの銅層と、その全面に配置される第２カバー絶縁層として厚み３μｍのポリイミドと、その全面に配置される第３導体パターンとしての厚み３μｍの銅層と、その全面に配置される第３カバー絶縁層としての厚み３μｍのポリイミド層とを備える実装基板を想定した。
　　実施例１０
　第３導体パターンの厚みを表１のように変更した以外は、実施例９と同様にして、実装基板を想定した。
　　比較例１
　各層の厚みを表１のように変更した以外は実施例１と同様にして、実装基板を想定した。
　　比較例２
　各層の厚みを表１のように変更した以外は実施例７と同様にして、実装基板を想定した。
　（評価）
　６ｍｍ×６ｍｍ×厚み１００μｍのＣＭＯＳセンサ（弾性率１３１ＧＰａ、線熱膨張係数２．８ｐｐｍ／Ｋ）を用意した。このＣＭＯＳセンサを、各実施例および各比較例の実装基板に積層した測定用サンプルに対して、温度差６５℃のヒートサイクルにおける反りを計算した。
　反りの計算には、文献「Ｓ．Ｔｉｍｏｓｈｅｎｋｏ，“Ａｎａｌｙｓｉｓ　ｏｆ　Ｂｉ－Ｍｅｔａｌ　Ｔｈｅｒｍｏｓｔａｔｓ”、Ｊ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｓｏｃ．，ｐ２３３－２５５、１９２５」に示された反りＷの計算式を使用した。その結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１の結果から、等価弾性率が５ＧＰａ以上、５５ＧＰａ以下である場合は、実装基板の反りが小さいことが分かる。したがって、配線領域の等価弾性率が５ＧＰａ以上、５５ＧＰａ以下であると、その配線領域の反りが低減できるため、実装基板全体の反りを低減することができることが分かる。
　なお、上記発明は、本発明の例示の実施形態として提供したが、これは単なる例示に過ぎず、限定的に解釈してはならない。当該技術分野の当業者によって明らかな本発明の変形例は、後記請求の範囲に含まれる。
本発明の撮像素子実装基板、その製造方法および実装基板集合体は、各種の工業製品に適用することができ、例えば、カメラモジュールなどの撮像装置に好適に用いられる。
１　実装基板
４　ベース絶縁層
５　導体パターン
６　カバー絶縁層
９　金属配線
１４　接続配線
１５　グランド配線
１６　配線領域
１９　金属支持板
２１　撮像素子
３１　第２カバー絶縁層
４０　金属シールド層
４３　傾斜部
５０　実装基板集合体
６０　粘着剤層
６１　支持体
 

Claims (13)

  1. 　撮像素子を実装するための撮像素子実装基板であって、
    　第１絶縁層と、
    　第１絶縁層の厚み方向一方側に配置される金属配線と、
    　前記金属配線の厚み方向一方側に配置される第２絶縁層と
    を備える配線領域を有し、
    　前記配線領域の等価弾性率が、５ＧＰａ以上、５５ＧＰａ以下であることを特徴とする、撮像素子実装基板。
  2. 　前記金属配線の厚みが、１μｍ以上、８μｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の撮像素子実装基板。
  3. 　前記撮像素子実装基板の総厚みが、４０μｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の撮像素子実装基板。
  4. 　前記配線領域は、
    　　前記第２絶縁層の厚み方向一方側に配置される金属シールド層と、
    　　前記金属シールド層の厚み方向一方側に配置される第３絶縁層と
    をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の撮像素子実装基板。
  5. 　前記撮像素子実装基板は、端子および前記金属配線を有する導体パターンを備え、
    　前記金属配線は、グランド配線を備え、
    　前記金属シールド層が、前記グランド配線に電気的に接続されていることを特徴とする、請求項４に記載の撮像素子実装基板。
  6. 　前記金属シールド層が、厚み方向に対して傾斜する傾斜方向に延び、前記グランド配線と接触する傾斜部を備えることを特徴とする、請求項５に記載の撮像素子実装基板。
  7. 　前記配線領域において、絶縁層の合計厚みに対する金属の合計厚みの割合が、０．１０以上、０．７０以下であることを特徴とする、請求項１に記載の撮像素子実装基板。
  8. 　前記配線領域において、絶縁層の合計厚みに対する金属の合計厚みの割合が、０．２０以上、０．７０以下であることを特徴とする、請求項７に記載の撮像素子実装基板。
  9. 　支持体および粘着剤層をさらに備える、請求項１に記載の撮像素子実装基板。
  10. 　請求項１に記載の撮像素子実装基板を複数備えることを特徴とする、実装基板集合体。
  11. 　ロール状に巻回されていることを特徴とする、請求項１０に記載の実装基板集合体。
  12. 　請求項１に記載の撮像素子実装基板の製造方法であって、
    　金属支持板を用意する工程、
    　前記金属支持板の厚み方向一方側に、第１絶縁層を形成する工程、
    　前記第１絶縁層の厚み方向一方側に、金属配線を形成する工程、
    　前記金属配線の厚み方向一方側に、第２絶縁層を形成する工程、および、
    　前記金属支持板を除去する工程
    を備えることを特徴とする、撮像素子実装基板の製造方法。
  13. 　前記第２絶縁層を形成する工程の後、前記金属支持板を除去する工程の前に、
    　前記第２絶縁層の厚み方向一方側に、金属シールド層を形成する工程、および、
    　前記金属シールド層の厚み方向一方側に、第３絶縁層を形成する工程
    をさらに備えることを特徴とする、請求項１２に記載の撮像素子実装基板の製造方法。
     
     
PCT/JP2018/014380 2017-04-10 2018-04-04 撮像素子実装基板、その製造方法、および、実装基板集合体 WO2018190215A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/499,987 US11081437B2 (en) 2017-04-10 2018-04-04 Imaging element mounting board, producing method of imaging element mounting board, and mounting board assembly
KR1020197029442A KR102515701B1 (ko) 2017-04-10 2018-04-04 촬상 소자 실장 기판, 그 제조 방법 및 실장 기판 집합체
CN201880022488.4A CN110494980B (zh) 2017-04-10 2018-04-04 摄像元件安装基板及其制造方法以及安装基板集合体

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017077542 2017-04-10
JP2017-077542 2017-04-10
JP2017201977 2017-10-18
JP2017-201977 2017-10-18
JP2018-071825 2018-04-03
JP2018071825A JP7357436B2 (ja) 2017-04-10 2018-04-03 撮像素子実装基板、その製造方法、および、実装基板集合体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018190215A1 true WO2018190215A1 (ja) 2018-10-18

Family

ID=63793431

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/014380 WO2018190215A1 (ja) 2017-04-10 2018-04-04 撮像素子実装基板、その製造方法、および、実装基板集合体

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2023041968A (ja)
TW (1) TWI772403B (ja)
WO (1) WO2018190215A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10804205B1 (en) * 2019-08-22 2020-10-13 Bridge Semiconductor Corp. Interconnect substrate with stiffener and warp balancer and semiconductor assembly using the same

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02241077A (ja) * 1989-03-15 1990-09-25 Cmk Corp シールド層を備えるプリント配線板
JP2002077683A (ja) * 2000-06-16 2002-03-15 Mitsubishi Electric Corp 固体撮像装置
JP2014175423A (ja) * 2013-03-07 2014-09-22 Sharp Corp フレキシブル基板及びその実装方法
WO2014174943A1 (ja) * 2013-04-26 2014-10-30 株式会社村田製作所 カメラモジュールの製造方法
JP2015038908A (ja) * 2012-03-06 2015-02-26 イビデン株式会社 フレックスリジッド配線板

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4919755B2 (ja) * 2006-10-02 2012-04-18 日東電工株式会社 配線回路基板および電子機器
JP5734670B2 (ja) * 2011-01-07 2015-06-17 富士フイルム株式会社 被めっき層形成用組成物、金属膜を有する積層体の製造方法
JP5968514B1 (ja) * 2015-11-05 2016-08-10 株式会社フジクラ プリント配線板

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02241077A (ja) * 1989-03-15 1990-09-25 Cmk Corp シールド層を備えるプリント配線板
JP2002077683A (ja) * 2000-06-16 2002-03-15 Mitsubishi Electric Corp 固体撮像装置
JP2015038908A (ja) * 2012-03-06 2015-02-26 イビデン株式会社 フレックスリジッド配線板
JP2014175423A (ja) * 2013-03-07 2014-09-22 Sharp Corp フレキシブル基板及びその実装方法
WO2014174943A1 (ja) * 2013-04-26 2014-10-30 株式会社村田製作所 カメラモジュールの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2023041968A (ja) 2023-03-24
TWI772403B (zh) 2022-08-01
TW201842406A (zh) 2018-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7357436B2 (ja) 撮像素子実装基板、その製造方法、および、実装基板集合体
JP2023041968A (ja) 撮像素子実装基板、その製造方法、および、実装基板集合体
JP7390779B2 (ja) フレキシブル配線回路基板および撮像装置
JP7173752B2 (ja) フレキシブル配線回路基板、その製造方法、および、撮像装置
JP6576708B2 (ja) 固体撮像装置及びカメラモジュール
TWI763835B (zh) 可撓配線電路基板、其製造方法及攝像裝置
WO2019077990A1 (ja) 基板積層体、および、撮像装置
US11183448B2 (en) Wiring circuit board and imaging device
WO2018199133A1 (ja) フレキシブル配線回路基板、その製造方法、および、撮像装置
WO2018199128A1 (ja) フレキシブル配線回路基板および撮像装置
JP7153438B2 (ja) 基板集合体シート
WO2018199017A1 (ja) 配線回路基板、および、撮像装置
JP7481794B2 (ja) ロール体

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18784703

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20197029442

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18784703

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1