JP3237577B2 - 独立導体回路へのメッキ法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、配線回路基板の表
面に形成された独立導体回路上に、電解メッキ皮膜を形
成する方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】電子機器の小型化が加速する中、さらな
る実装の高密度化の要求が高まってきており、配線回路
基板の表面に形成された導体回路についても、微細な独
立導体回路の形成が求められるようになってきている。
この微細な独立導体回路の表面に電解メッキを施してメ
ッキ皮膜を形成する方法としては、例えば、最終的には
独立となる導体回路を、予めダミー導体回路により接続
した一連の回路として形成しておき、電解メッキを施し
た後、ダミー導体回路をエッチング除去して導体回路を
独立化させる方法や、特開平９−３１６８５号に記載さ
れたような、独立導体回路間にアルカリ等で剥離可能な
メッキレジストを塗布した後、そのメッキレジスト上に
導電性ペーストを塗布して独立導体回路間を導通させ、
次いで、電解メッキを施した後、メッキレジストを除去
することにより、導電性ペーストを同時に除去して形成
する方法や、独立導体回路間に、アルカリ等で剥離可能
な導電性ペーストを塗布して独立導体回路間を導通させ
た後、その表面にアルカリ等で剥離可能な電気絶縁性の
保護層を形成して被覆し、次いで、電解メッキを施した
後、導電性ペースト及び保護層を除去して形成する方法
等が検討されている。

【０００３】近年、独立導体回路上の一部分に、電解メ
ッキによりメッキ皮膜を形成した配線回路基板が用いら
れており、このような応用の一例としてバンプ形成が挙
げられる。なお、このバンプには、メッキ皮膜の厚み
（バンプ高さ）の均一性が優れていることが要求されて
いる。

【０００４】この独立導体回路上の一部分に、電解メッ
キによりバンプを形成する方法としては、例えば、所望
のバンプ形成部と給電用接続部以外をメッキレジストで
被覆した後、給電用接続部を介して給電して、上記方法
等で電解メッキを施し、次いでメッキレジストを剥離す
ることによってバンプを得る方法が一般に知られてい
る。

【０００５】しかし、予めダミー導体回路により接続し
た状態で、電解メッキを施す方法の場合、バンプ形成後
にダミー導体回路をエッチング除去する必要があるた
め、このエッチング除去の際に、残すべき独立導体回路
がサイドエッチングされ、場合によっては、残すべき独
立導体回路が断線してしまう場合があるという欠点や、
ダミー導体回路をエッチング除去する際に、バンプを形
成するメッキ金属が、損傷を受ける場合がある等の欠点
があった。

【０００６】また、アルカリ等で剥離可能なメッキレジ
スト上に導電性ペーストを塗布した後、電解メッキを施
す方法の場合、導電性ペーストが露出した状態で電解メ
ッキを行うため、配線回路基板面内での電流密度のバラ
ツキが発生し、メッキ皮膜の厚みを均一に制御すること
が困難であるという欠点や、導電性ペーストがバンプ形
成部を覆ってしまい、バンプ形成部にメッキ皮膜が形成
されない場合があるという欠点があった。

【０００７】また、アルカリ等で剥離可能な導電性ペー
ストを塗布した後、その表面にアルカリ等で剥離可能な
電気絶縁性の保護層を形成して被覆し、次いで、電解メ
ッキを施す方法の場合、剥離しても導電性ペーストが独
立導体回路間等の絶縁部にわずかに残り、電気的信頼性
を低下させる恐れがあるという欠点や、導電性ペースト
や、保護層を形成するための電気絶縁性ペーストがバン
プ形成部を覆ってしまい、バンプ形成部にメッキ皮膜が
形成されない場合があるという欠点があった。

【０００８】そのため、独立導体回路や、独立導体回路
間等の絶縁部にダメージを与えることなく、独立導体回
路上の所望の部分に、電解メッキによって、厚みの均一
性が優れ、かつ、析出性が優れたメッキ皮膜を形成する
ことができる、独立導体回路へのメッキ法が求められて
いる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記問題点
を改善するために成されたもので、その目的とするとこ
ろは、配線回路基板の表面に形成された独立導体回路
や、導体回路を形成していない絶縁部にダメージを与え
ることなく、配線回路基板の表面に形成された独立導体
回路上の所望の部分に、電解メッキによって、厚みの均
一性が優れ、かつ、析出性が優れたメッキ皮膜を形成す
ることが可能な、独立導体回路へのメッキ法を提供する
ことにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
独立導体回路へのメッキ法は、配線回路基板の表面に形
成された独立導体回路上に、電解メッキを施してメッキ
皮膜を形成するメッキ法において、下記の［ア］〜
［オ］の工程を備えることを特徴とする。 ［ア］独立導体回路の表面のうちメッキ皮膜形成部と給
電用接続部とを除く全面を、そのメッキ皮膜形成部と給
電用接続部との間に凹部を形成しながら、被覆し、か
つ、配線回路基板の表面に前記独立導体回路と離間して
形成された給電用端子まで達している、電気絶縁性の第
一の保護層を、配線回路基板上に形成する工程と、
［イ］導電性を有し、熱又は溶剤又はアルカリのいずれ
かの手法にて剥離可能な材料よりなる導電層を、前記給
電用接続部を被覆すると共に、その給電用接続部と給電
用端子とを導通し、かつ、メッキ皮膜形成部が露出する
ように、第一の保護層の表面及び給電用端子の表面に形
成する工程と、［ウ］電気絶縁性を有し、熱又は溶剤又
はアルカリのいずれかの手法にて剥離可能な材料よりな
る第二の保護層を、前記導電層のうち、第一の保護層の
表面に形成された部分と給電用接続部の表面に形成され
た部分との表面全体を被覆し、かつ、メッキ皮膜形成部
が露出するように形成する工程と、［エ］給電用端子に
給電して、独立導体回路のメッキ皮膜形成部に電解メッ
キによりメッキ皮膜を形成する工程と、［オ］第二の保
護層及び導電層を剥離する工程。

【００１１】本発明の請求項２に係る独立導体回路への
メッキ法は、配線回路基板の表面に形成された独立導体
回路上に、電解メッキを施してメッキ皮膜を形成するメ
ッキ法において、下記の［カ］〜［コ］の工程を備える
ことを特徴とする。 ［カ］独立導体回路の表面のうちメッキ皮膜形成部と給
電用接続部とを除く全面を、そのメッキ皮膜形成部と給
電用接続部との間に凹部を形成しながら、被覆し、か
つ、前記独立導体回路と離間している給電用端子の形成
を予定する位置まで達している、電気絶縁性の第一の保
護層を、配線回路基板上に形成する工程と、［キ］導電
性を有し、熱又は溶剤又はアルカリのいずれかの手法に
て剥離可能な材料よりなる層を、前記給電用接続部及び
前記給電用端子の形成を予定する位置を被覆すると共
に、その給電用接続部と給電用端子の形成を予定する位
置とを導通し、かつ、メッキ皮膜形成部が露出するよう
に、第一の保護層の表面に形成して、給電用端子部を有
する導電層を形成する工程と、［ク］電気絶縁性を有
し、熱又は溶剤又はアルカリのいずれかの手法にて剥離
可能な材料よりなる第二の保護層を、前記導電層の表面
のうち給電用端子部を除く全面を被覆し、かつ、メッキ
皮膜形成部が露出するように形成する工程と、［ケ］導
電層の給電用端子部に給電して、独立導体回路のメッキ
皮膜形成部に電解メッキによりメッキ皮膜を形成する工
程と、［コ］第二の保護層及び導電層を剥離する工程。

【００１２】

【００１３】本発明の請求項３に係る独立導体回路への
メッキ法は、配線回路基板の表面に形成された独立導体
回路上に、電解メッキを施してメッキ皮膜を形成するメ
ッキ法において、下記の［サ］〜［ソ］の工程を備える
ことを特徴とする。［サ］独立導体回路の表面のうち、
メッキ皮膜形成部と、給電用接続部と、そのメッキ皮膜
形成部と給電用接続部との間に位置する遮蔽部と、を除
く全面を、遮蔽部が底面となる凹部を形成しながら、被
覆し、かつ、配線回路基板の表面に前記独立導体回路と
離間して形成された給電用端子まで達している、電気絶
縁性の第一の保護層を、配線回路基板上に形成する工程
と、［シ］導電性を有し、熱又は溶剤又はアルカリのい
ずれかの手法にて剥離可能な材料よりなる導電層を、前
記給電用接続部を被覆すると共に、その給電用接続部と
給電用端子とを導通し、かつ、メッキ皮膜形成部が露出
するように、第一の保護層の表面及び給電用端子の表面
に形成する工程と、［ス］電気絶縁性を有し、熱又は溶
剤又はアルカリのいずれかの手法にて剥離可能な材料よ
りなる第二の保護層を、前記導電層のうち、第一の保護
層の表面に形成された部分と給電用接続部の表面に形成
された部分との表面全体を被覆し、かつ、メッキ皮膜形
成部が露出するように形成する工程と、［セ］給電用端
子に給電して、独立導体回路のメッキ皮膜形成部に電解
メッキによりメッキ皮膜を形成する工程と、［ソ］第二
の保護層及び導電層を剥離する工程。

【００１４】本発明の請求項４に係る独立導体回路への
メッキ法は、配線回路基板の表面に形成された独立導体
回路上に、電解メッキを施してメッキ皮膜を形成するメ
ッキ法において、下記の［タ］〜［ト］の工程を備える
ことを特徴とする。［タ］独立導体回路の表面のうち、
メッキ皮膜形成部と、給電用接続部と、そのメッキ皮膜
形成部と給電用接続部との間に位置する遮蔽部と、を除
く全面を、遮蔽部が底面となる凹部を形成しながら、被
覆し、かつ、前記独立導体回路と離間している給電用端
子の形成を予定する位置まで達している、電気絶縁性の
第一の保護層を、配線回路基板上に形成する工程と、
［チ］導電性を有し、熱又は溶剤又はアルカリのいずれ
かの手法にて剥離可能な材料よりなる層を、前記給電用
接続部及び前記給電用端子の形成を予定する位置を被覆
すると共に、その給電用接続部と給電用端子の形成を予
定する位置とを導通し、かつ、メッキ皮膜形成部が露出
するように、第一の保護層の表面に形成して、給電用端
子部を有する導電層を形成する工程と、［ツ］電気絶縁
性を有し、熱又は溶剤又はアルカリのいずれかの手法に
て剥離可能な材料よりなる第二の保護層を、前記導電層
の表面のうち給電用端子部を除く全面を被覆し、かつ、
メッキ皮膜形成部が露出するように形成する工程と、
［テ］導電層の給電用端子部に給電して、独立導体回路
のメッキ皮膜形成部に電解メッキによりメッキ皮膜を形
成する工程と、［ト］第二の保護層及び導電層を剥離す
る工程。

【００１５】本発明の請求項５に係る独立導体回路への
メッキ法は、請求項１から請求項４のいずれかに記載の
独立導体回路へのメッキ法において、凹部を形成する方
法が、メッキ皮膜形成部の周囲を凹部が取り囲むように
形成する方法であることを特徴とする。

【００１６】本発明の請求項６に係る独立導体回路への
メッキ法は、請求項１から請求項５のいずれかに記載の
独立導体回路へのメッキ法において、第一の保護層を形
成する材料が、感光性を有する材料であることを特徴と
する。

【００１７】本発明の請求項７に係る独立導体回路への
メッキ法は、請求項１から請求項６のいずれかに記載の
独立導体回路へのメッキ法において、第一の保護層を形
成する材料が、熱又は溶剤又はアルカリのいずれかの手
法にて剥離可能な固化物を形成する材料であることを特
徴とする。

【００１８】本発明の請求項８に係る独立導体回路への
メッキ法は、請求項１から請求項７のいずれかに記載の
独立導体回路へのメッキ法において、導電層を形成する
方法が、導電性フィラー及び樹脂を混合して作製した導
電性ペーストを塗布した後、固化する方法であることを
特徴とする。

【００１９】本発明の請求項９に係る独立導体回路への
メッキ法は、請求項８記載の独立導体回路へのメッキ法
において、導電性ペーストに含有する樹脂が、アルカリ
にて剥離可能な固化物を形成するフェノール系樹脂であ
ることを特徴とする。

【００２０】本発明の請求項１０に係る独立導体回路へ
のメッキ法は、請求項８又は請求項９記載の独立導体回
路へのメッキ法において、導電性ペーストに含有する導
電性フィラーとして、銀、銅、カーボンから選ばれた少
なくとも１種の粉体を含有することを特徴とする。

【００２１】本発明の請求項１１に係る独立導体回路へ
のメッキ法は、請求項１から請求項１０のいずれかに記
載の独立導体回路へのメッキ法において、第二の保護層
を形成する方法が、樹脂を含有する電気絶縁性ペースト
を塗布した後、固化する方法であることを特徴とする。

【００２２】本発明の請求項１２に係る独立導体回路へ
のメッキ法は、請求項１１記載の独立導体回路へのメッ
キ法において、電気絶縁性ペーストに含有する樹脂が、
アルカリにて剥離可能な固化物を形成するフェノール系
樹脂であることを特徴とする。

【００２３】本発明によると、導電層は、第一の保護層
の表面等に形成されて、配線回路基板表面の導体回路等
を形成していない絶縁部には形成されないため、絶縁部
が、導電層を形成するための導電性フィラー等によっ
て、汚染等のダメージを受けることが発生し難くなる。
また、従来のダミー導体回路に代えて、導電性を有し、
熱又は溶剤又はアルカリのいずれかの手法にて剥離可能
な材料よりなる導電層を使用することで、従来のダミー
導体回路を除去する場合のような強酸等によるエッチン
グを要さないため、独立導体回路にダメージを与えるこ
となく、独立導体回路上の所望の部分に、電解メッキに
よってメッキ皮膜を形成することが可能となる。

【００２４】また、導電層のうち、第一の保護層の表面
に形成された部分の表面全体が、第二の保護層で被覆さ
れているため、メッキ皮膜形成部以外の不必要な箇所へ
の電解メッキの析出が阻止され、メッキ皮膜形成部に、
厚みの均一性に優れたメッキ皮膜が形成される。また、
凹部がメッキ皮膜形成部と給電用接続部との間に形成さ
れて、導電層や第二の保護層を形成するときに、導電性
ペースト等がメッキ皮膜形成部を埋めることが防止され
ているため、メッキ皮膜形成部に確実にメッキ皮膜を形
成することができ、析出性が優れたメッキ皮膜を形成す
ることが可能となる。

【００２５】そのため、本発明によると、配線回路基板
の表面に形成された独立導体回路や、導体回路を形成し
ていない絶縁部にダメージを与えることなく、配線回路
基板の表面に形成された独立導体回路上の所望の部分
に、電解メッキによって、厚みの均一性が優れ、かつ、
析出性が優れたメッキ皮膜を形成することが可能とな
る。

【００２６】

【発明の実施の形態】本発明に係る独立導体回路へのメ
ッキ法を図面に基づいて説明する。図１は本発明の請求
項１に係る独立導体回路へのメッキ法の、一実施の形態
の工程を説明する断面図であり、図２及び図３は本発明
の請求項１に係る独立導体回路へのメッキ法の、一実施
の形態の工程を説明する平面図である。図４は本発明の
請求項１に係る独立導体回路へのメッキ法の、他の実施
の形態の工程の一部を説明する図であり、（ａ）は断面
図、（ｂ）平面図である。また、図５は本発明の請求項
２に係る独立導体回路へのメッキ法の、一実施の形態の
工程を説明する断面図であり、図６及び図７は本発明の
請求項２に係る独立導体回路へのメッキ法の、一実施の
形態の工程を説明する平面図である。図８は本発明の請
求項２に係る独立導体回路へのメッキ法の、他の実施の
形態の工程の一部を説明する図であり、（ａ）は断面
図、（ｂ）平面図である。

【００２７】また、図９は本発明の請求項３に係る独立
導体回路へのメッキ法の、一実施の形態の工程を説明す
る断面図であり、図１０及び図１１は本発明の請求項３
に係る独立導体回路へのメッキ法の、一実施の形態の工
程を説明する平面図である。また、図１２は本発明の請
求項４に係る独立導体回路へのメッキ法の、一実施の形
態の工程を説明する断面図であり、図１３及び図１４は
本発明の請求項４に係る独立導体回路へのメッキ法の、
一実施の形態の工程を説明する平面図である。

【００２８】［本発明の請求項１に係る独立導体回路へ
のメッキ法］本発明の請求項１に係る独立導体回路への
メッキ法の一実施の形態は、図１（ａ）及び図２（ａ）
に示すような、独立導体回路２０と、その独立導体回路
２０と離間して形成された給電用端子３０とを表面に備
えた配線回路基板１０を用いる。給電用端子３０は、後
の電解メッキの工程（工程［エ］）で電源と接続して給
電する端子として使用する部分であり、できるだけ配線
回路基板１０の縁端部に配設すると、電源と接続しやす
く好ましい。

【００２９】配線回路基板１０の材料とする基板につい
ては、ガラスクロスをエポキシ樹脂で接着した板やポリ
イミドフィルムなどのプラスチック系基板、アルミナ、
窒化アルミニウムあるいはガラスなどの無機系基板、シ
リコンやガリウム砒素などの半導体系基板が例示でき、
特に指定はない。また、独立導体回路２０や給電用端子
３０を形成する材料としては、銅やニッケル等の金属が
一般に用いられる。

【００３０】そして、図１（ｂ）及び図２（ｂ）に示す
ように、独立導体回路２０の表面のうちメッキ皮膜形成
部２１と給電用接続部２２とを除く全面を被覆し、か
つ、その被覆した独立導体回路２０の表面の部分から、
給電用端子３０の部分まで達している、電気絶縁性の第
一の保護層４０を、配線回路基板１０上に形成する（工
程［ア］）。なお、後工程で導電層（５０）や第二の保
護層（６０）を形成しようとする部分に形成した第一の
保護層４０と比較して、窪んだ形状の凹部４１を、メッ
キ皮膜形成部２１と給電用接続部２２の間に形成しなが
ら、第一の保護層４０を、配線回路基板１０上に形成す
る。

【００３１】この凹部４１は、後工程で導電層や第二の
保護層を形成するとき、それらの層を形成するための導
電性ペースト等がメッキ皮膜形成部２１の方向に拡がっ
た場合に、その部分で吸収して、メッキ皮膜形成部２１
が埋まることを防止する部分のため、この深さや幅は、
導電層や第二の保護層を形成する厚みや、凹部４１と給
電用接続部２２の距離等に応じて適宜調整する。

【００３２】なお、凹部４１の形状としては、導電性ペ
ースト等がメッキ皮膜形成部２１を埋めることを防止す
る形状に形成していれば特に限定するものではないが、
メッキ皮膜形成部２１の周囲を凹部４１が取り囲むよう
に凹部４１を形成すると、より確実にメッキ皮膜形成部
２１が埋まることを防止でき好ましい。

【００３３】この第一の保護層４０を形成するための材
料としては、電気絶縁性を有していて、後の電解メッキ
に支障をきたさないものであれば、特に指定はなく、一
般に市販されている耐メッキ用のドライフィルムや樹脂
ペースト等が使用できる。なお一般に、ドライフィルム
の場合は、熱圧着した後、所定の位置を感光させて固化
し、次いで感光させなかった部分を除去して第一の保護
層４０を形成し、樹脂ペーストの場合は、スクリーン印
刷法等により塗布した後、固化して、第一の保護層４０
を形成する。なお、凹部４１を形成する方法としては、
凹部４１を形成しようとする部分に供給する樹脂ペース
トの量を減らす方法や、あらかじめ第一の保護層４０を
形成しようとする部分全体に、凹部４１の底面に対応す
る厚みの層を形成した後、凹部４１を除く部分に再度樹
脂ペースト等を供給して形成する方法が挙げられる。

【００３４】なお、独立導体回路２０上のメッキ皮膜形
成部２１が微細なものである場合は、第一の保護層４０
を形成するための材料として、感光性を有しているもの
を選定すると、写真法にて微細なメッキ皮膜形成部２１
を形成することが可能となり好ましい。

【００３５】次いで、図１（ｃ）及び図２（ｃ）に示す
ように、導電性を有する導電層５０を、前記独立導体回
路２０の給電用接続部２２を被覆すると共に、その給電
用接続部２２と給電用端子３０とを導通し、かつ、メッ
キ皮膜形成部２１が露出するように、第一の保護層４０
の表面及び給電用端子３０の表面に形成する（工程
［イ］）。なお、導電層５０は、配線回路基板１０の絶
縁層が露出している部分の表面には、形成しないように
することが重要である。

【００３６】なお、導電層５０は、給電用端子３０の表
面全体を覆うように形成しても良く、一部を覆うように
形成しても良い。また、導電層５０は、後工程の電解メ
ッキにおける給電層として用いるので、析出メッキ皮膜
の厚みをより均一にするために、できるだけ給電用接続
部２２と給電用端子３０とを、広い幅で導通するように
形成して、給電を行い易く、かつ、配線回路基板１０の
面内の電流密度分布が均一になるように形成すると好ま
しい。

【００３７】この導電層５０は、導電性を有し、熱又は
溶剤又はアルカリのいずれかの手法にて剥離可能な材料
にて形成されているものであり、この導電層５０を形成
する材料としては、例えば、熱にて剥離可能な固化物を
形成する樹脂、溶剤にて剥離可能な固化物を形成する樹
脂、あるいはアルカリにて剥離可能な固化物を形成する
樹脂に、導電性フィラーを付加したものなどを用いるこ
とができる。

【００３８】この導電層５０を形成する方法としては、
熱又は溶剤又はアルカリにて剥離可能な固化物を形成す
る樹脂と、導電性フィラーとを混合して作製した液状の
導電性ペーストを、スクリーン印刷法等により塗布した
後、固化して形成する方法や、熱又は溶剤又はアルカリ
にて剥離可能な固化物を形成する樹脂と、導電性フィラ
ーとを混合した後、フィルム状に形成した感光性の導電
性フィルムを、圧着した後、所定の位置を感光させて固
化し、次いで感光させなかった部分を除去して形成する
方法等が挙げられる。なお、導電性ペーストを塗布した
後、固化する方法を用いると、生産性が優れ好ましい。

【００３９】なお、凹部４１が、メッキ皮膜形成部２１
と給電用接続部２２の間に形成されているため、給電用
接続部２２を被覆するために供給した導電性ペースト等
が、メッキ皮膜形成部２１まで拡がってメッキ皮膜形成
部２１を埋めることが発生しにくくなっている。

【００４０】なお、導電性ペーストに含有する樹脂が、
アルカリにて剥離可能な固化物を形成するフェノール系
樹脂であると、熱や、危険物である塩素系溶剤を用いる
ことなく、比較的濃度の低い、苛性ソーダ等のアルカリ
性の溶液中に浸漬することにより、容易に剥離すること
ができ好ましい。

【００４１】アルカリにて剥離可能な固化物を形成する
フェノール系樹脂と、導電性フィラーとを混合して作製
した導電性ペーストを用いる場合には、塗布した後、５
０℃〜１５０℃で加熱して固化させて導電層５０を形成
すると好ましい。加熱温度が１５０℃よりも高い場合
は、硬化が過剰に進行し、後の導電層５０を剥離する工
程（工程［オ］）において、アルカリ溶液による剥離が
困難となる。また、加熱温度が５０℃よりも低い場合
は、剥離性の問題はないが、硬化が不十分となる場合が
あり、電解メッキの際に必要な導電性を確保できない場
合がある。

【００４２】なお、導電性フィラーとしては、特に指定
はないが、銅や銀などの金属の粉体を使用すると、導電
層５０の導電性を確保しやすく好ましい。また、導電性
フィラーとしてカーボンの粉体を使用すると、導電層５
０の材料コストを低減する上で好ましい。

【００４３】なお、導電層５０は、第一の保護層４０の
表面及び給電用端子３０の表面に形成されるため、配線
回路基板１０表面の導体回路等を形成していない絶縁部
には、導電層５０が直接、接触し難くなり、絶縁部が、
導電層５０を形成するための導電性フィラー等によっ
て、汚染等のダメージを受けることが発生し難くなる。

【００４４】次いで、図１（ｄ）及び図２（ｄ）に示す
ように、電気絶縁性を有し、熱又は溶剤又はアルカリの
いずれかの手法にて剥離可能な材料よりなる第二の保護
層６０を、前記導電層５０のうち、第一の保護層４０の
表面に形成された部分と給電用接続部２２の表面に形成
された部分との表面全体を被覆し、かつ、メッキ皮膜形
成部２１が露出するように形成する（工程［ウ］）。

【００４５】なお、本発明の目的を損なわない程度であ
れば、第一の保護層４０の表面及び給電用接続部２２の
表面に形成された部分の導電層５０が、多少露出してい
てもかまわない。また、給電用端子３０の表面に形成し
た導電層５０は、第二の保護層６０で被覆しても良く、
被覆せずに露出するようにしても良い。

【００４６】第二の保護層６０は、電気絶縁性を有し、
後の電解メッキに支障をきたさないものであって、熱又
は溶剤又はアルカリのいずれかの手法にて剥離可能な材
料にて形成されているものである。この第二の保護層６
０の材料としては、例えば、熱にて剥離可能な固化物を
形成する樹脂、溶剤にて剥離可能な固化物を形成する樹
脂、あるいはアルカリにて剥離可能な固化物を形成する
樹脂の樹脂単独や、これらの樹脂に、ガラス粉等の絶縁
性フィラーを付加したものなどを用いることができる。

【００４７】この第二の保護層６０を形成する方法とし
ては、熱又は溶剤又はアルカリにて剥離可能な固化物を
形成する樹脂の単独、又はこれらの樹脂に絶縁性フィラ
ーを付加したもの等の液状の電気絶縁性ペーストを、ス
クリーン印刷法等により塗布した後、固化して形成する
方法や、熱又は溶剤又はアルカリにて剥離可能な固化物
を形成する樹脂をフィルム状に形成した感光性の電気絶
縁性フィルムを、圧着した後、所定の位置を感光させて
固化し、次いで感光させなかった部分を除去して形成す
る方法等が挙げられる。なお、電気絶縁性ペーストを塗
布した後、固化する方法を用いると、生産性が優れ好ま
しい。

【００４８】なお、凹部４１が、メッキ皮膜形成部２１
と給電用接続部２２の間に形成されているため、電気絶
縁性ペースト等が凹部４１で吸収され、メッキ皮膜形成
部２１まで拡がってメッキ皮膜形成部２１を埋めること
が発生しにくくなっている。

【００４９】なお、電気絶縁性ペーストに含有する樹脂
が、アルカリにて剥離可能な固化物を形成するフェノー
ル系樹脂であると、熱や、危険物である塩素系溶剤を用
いることなく、比較的濃度の低い、苛性ソーダ等のアル
カリ性の溶液中に浸漬することにより、容易に剥離する
ことができ好ましい。このアルカリにて剥離可能な固化
物を形成するフェノール系樹脂を含有する電気絶縁性ペ
ーストを用いる場合には、塗布した後、５０℃〜１５０
℃で加熱して固化すると好ましい。加熱温度が１５０℃
よりも高い場合は、硬化が過剰に進行し、後の第二の保
護層６０を剥離する工程（工程［オ］）において、アル
カリ溶液による剥離が困難となる。また、加熱温度が５
０℃よりも低い場合は、剥離性の問題はないが、硬化が
不十分となる場合があり、電解メッキの際の保護層とし
ての特性を発揮できない場合がある。

【００５０】次いで、図示しない電解メッキ液に浸漬し
た状態で、給電用端子３０に給電して、図１（ｅ）及び
図３（ａ）に示すように、独立導体回路２０のメッキ皮
膜形成部２１にメッキ皮膜８０を形成する（工程
［エ］）。

【００５１】このとき、導電層５０のうち、第一の保護
層４０の表面に形成された部分と給電用接続部２２の表
面に形成された部分との表面全体が、第二の保護層６０
で被覆されているため、メッキ皮膜形成部２１以外の不
必要な箇所へのメッキ金属の析出が阻止され、メッキ皮
膜形成部２１に、厚みの均一性に優れたメッキ皮膜８０
が形成される。なお、導電層５０の表面に第二の保護層
６０を形成しない場合、又は、第二の保護層６０の被覆
に欠陥が有る場合は、電解メッキの際に、露出した導電
層５０表面にもメッキ皮膜が形成され、メッキ皮膜形成
部２１に電流集中が起こり難くなって、メッキ皮膜形成
部２１に形成されるメッキ皮膜８０の厚みのばらつきが
大きくなる。

【００５２】また、凹部４１がメッキ皮膜形成部２１と
給電用接続部２２との間に形成されて、導電層５０や第
二の保護層６０を形成するときに、導電性ペースト等が
メッキ皮膜形成部２１を埋めることが防止されているた
め、メッキ皮膜形成部２１に確実にメッキ皮膜８０を形
成することができ、析出性が優れたメッキ皮膜を形成す
ることが可能となる。

【００５３】次いで、第二の保護層６０及び導電層５０
を剥離する（工程［オ］）。すると、図１（ｆ）及び図
３（ｂ）に示すような、独立導体回路２０や、絶縁部が
ダメージを受け難く、かつ、厚みの均一性及び析出性が
優れたメッキ皮膜８０が形成された独立導体回路２０が
得られる。

【００５４】なお、第二の保護層６０及び導電層５０を
剥離し、第一の保護層４０を残存させる場合には、第一
の保護層４０を半田レジスト等の永久レジストとして活
用できるが、永久レジストが不要である場合には、第一
の保護層４０を形成する材料として、熱又は溶剤又はア
ルカリのいずれかの手法にて剥離可能な材料を選定して
おき、第二の保護層６０及び導電層５０と共に、第一の
保護層４０をも剥離するようにしてもよい。この第一の
保護層４０をも剥離した状態を図４に示す。

【００５５】［本発明の請求項２に係る独立導体回路へ
のメッキ法］本発明の請求項２に係る独立導体回路への
メッキ法の一実施の形態は、図５（ａ）及び図６（ａ）
に示すような、独立導体回路２０を表面に備えた配線回
路基板１０を用いる。なお、配線回路基板１０の材料と
する基板や、独立導体回路２０を形成する材料として
は、本発明の請求項１に係る独立導体回路へのメッキ法
と同様のものが挙げられる。

【００５６】そして、図５（ｂ）及び図６（ｂ）に示す
ように、独立導体回路２０の表面のうちメッキ皮膜形成
部２１と給電用接続部２２とを除く全面を被覆し、か
つ、その被覆した独立導体回路２０の表面の部分から、
前記独立導体回路２０と離間している給電用端子の形成
を予定する位置４５まで達している、電気絶縁性の第一
の保護層４０を、配線回路基板１０上に形成する（工程
［カ］）。なお、後工程で導電層（５０）や第二の保護
層（６０）を形成しようとする部分に形成した第一の保
護層４０と比較して、窪んだ形状の凹部４１を、メッキ
皮膜形成部２１と給電用接続部２２の間に形成しなが
ら、第一の保護層４０を、配線回路基板１０上に形成す
る。

【００５７】この凹部４１は、後工程で導電層や第二の
保護層を形成するとき、それらの層を形成するための導
電性ペースト等がメッキ皮膜形成部２１の方向に拡がっ
た場合に、その部分で吸収して、メッキ皮膜形成部２１
が埋まることを防止する部分のため、この深さや幅は、
導電層や第二の保護層を形成する厚みや、凹部４１と給
電用接続部２２の距離等に応じて適宜調整する。

【００５８】なお、凹部４１の形状としては、本発明の
請求項１に係る独立導体回路へのメッキ法と同様の形状
が挙げられる。また、第一の保護層４０を形成するため
の材料や、形成する方法等も、本発明の請求項１に係る
独立導体回路へのメッキ法と同様のものや方法が挙げら
れる。なお、給電用端子の形成を予定する位置４５は、
後工程で導電層が形成されて導電層の給電用端子部とな
る位置であり、その給電用端子部は、その後の電解メッ
キの工程（工程［ケ］）で電源と接続して給電する端子
として使用されるため、できるだけ配線回路基板１０の
縁端部に配設すると、電源と接続しやすく好ましい。

【００５９】次いで、図５（ｃ）及び図６（ｃ）に示す
ように、導電性を有し、熱又は溶剤又はアルカリのいず
れかの手法にて剥離可能な材料よりなる導電層５０を、
前記給電用接続部２２及び前記給電用端子の形成を予定
する位置４５を被覆すると共に、その給電用接続部２２
と給電用端子の形成を予定する位置４５とを導通し、か
つ、メッキ皮膜形成部２１が露出するように、第一の保
護層４０の表面に形成して、給電用端子部５１を有する
導電層５０を形成する（工程［キ］）。

【００６０】この導電層５０を形成するための材料や、
形成する方法等も、本発明の請求項１に係る独立導体回
路へのメッキ法と同様のものや方法が挙げられる。

【００６１】導電層５０は、後工程の電解メッキにおけ
る給電層として用いるので、析出メッキ皮膜の厚みをよ
り均一にするために、できるだけ給電用接続部２２と給
電用端子部５１とを、広い幅で導通するように形成し
て、給電を行い易く、かつ、配線回路基板１０の面内の
電流密度分布が均一になるように形成すると好ましい。

【００６２】なお、凹部４１が、メッキ皮膜形成部２１
と給電用接続部２２の間に形成されているため、給電用
接続部２２を被覆するために供給した導電性ペースト等
が、メッキ皮膜形成部２１まで拡がってメッキ皮膜形成
部２１を埋めることが発生しにくくなっている。

【００６３】また、導電層５０は、第一の保護層４０の
表面に形成されるため、配線回路基板１０表面の導体回
路等を形成していない絶縁部に導電層５０が直接、接触
し難くなり、絶縁部が、導電層５０を形成するための導
電性フィラー等によって、汚染等のダメージを受けるこ
とが発生にくくなっている。

【００６４】次いで、図５（ｄ）及び図６（ｄ）に示す
ように、電気絶縁性を有し、熱又は溶剤又はアルカリの
いずれかの手法にて剥離可能な材料よりなる第二の保護
層６０を、前記導電層５０の表面のうち給電用端子部５
１を除く全面を被覆し、かつ、メッキ皮膜形成部２１が
露出するように形成する（工程［ク］）。

【００６５】この第二の保護層６０を形成するための材
料や、形成する方法としても、本発明の請求項１に係る
独立導体回路へのメッキ法と同様のものや方法が挙げら
れる。

【００６６】なお、凹部４１が、メッキ皮膜形成部２１
と給電用接続部２２の間に形成されているため、電気絶
縁性ペースト等が凹部４１で吸収され、メッキ皮膜形成
部２１まで拡がってメッキ皮膜形成部２１を埋めること
が発生しにくくなっている。

【００６７】次いで、図示しない電解メッキ液に浸漬し
た状態で、導電層５０の給電用端子部５１に給電して、
図５（ｅ）及び図７（ａ）に示すように、独立導体回路
２０のメッキ皮膜形成部２１に、メッキ皮膜８０を形成
する（工程［ケ］）。

【００６８】このとき、導電層５０のうち、給電用端子
部５１を除く全面が、第二の保護層６０で被覆されてい
るため、メッキ皮膜形成部２１以外の不必要な箇所への
メッキ金属の析出が阻止され、メッキ皮膜形成部２１
に、厚みの均一性に優れたメッキ皮膜８０が形成され
る。なお、導電層５０の表面に第二の保護層６０を形成
しない場合、又は、第二の保護層６０の被覆に欠陥が有
る場合は、電解メッキの際に、露出した導電層５０表面
にもメッキ皮膜が形成され、メッキ皮膜形成部２１に電
流集中が起こり難くなって、メッキ皮膜形成部２１に形
成されるメッキ皮膜８０の厚みのばらつきが大きくな
る。

【００６９】また、凹部４１がメッキ皮膜形成部２１と
給電用接続部２２との間に形成されて、導電層５０や第
二の保護層６０を形成するときに、導電性ペースト等が
メッキ皮膜形成部２１を埋めることが防止されているた
め、メッキ皮膜形成部２１に確実にメッキ皮膜８０を形
成することができ、析出性が優れたメッキ皮膜を形成す
ることが可能となる。

【００７０】次いで、第二の保護層６０及び導電層５０
を剥離する（工程［コ］）。すると、図５（ｆ）及び図
７（ｂ）に示すような、独立導体回路２０や、絶縁部が
ダメージを受け難く、かつ、厚みの均一性及び析出性が
優れたメッキ皮膜８０が形成された独立導体回路２０が
得られる。

【００７１】なお、第二の保護層６０及び導電層５０を
剥離し、第一の保護層４０を残存させる場合には、第一
の保護層４０を半田レジスト等の永久レジストとして活
用できるが、永久レジストが不要である場合には、第一
の保護層４０を形成する材料として、熱又は溶剤又はア
ルカリのいずれかの手法にて剥離可能な材料を選定して
おき、第二の保護層６０及び導電層５０と共に、第一の
保護層４０をも剥離するようにしてもよい。この第一の
保護層４０をも剥離した状態を図８に示す。

【００７２】［本発明の請求項３に係る独立導体回路へ
のメッキ法］ 本発明の請求項３に係る独立導体回路へのメッキ法の一
実施の形態は、図９（ａ）及び図１０（ａ）に示すよう
な、独立導体回路２０と、その独立導体回路２０と離間
して形成された給電用端子３０とを表面に備えた配線回
路基板１０を用いる。なお、配線回路基板１０の材料と
する基板や、独立導体回路２０や、給電用端子３０を形
成する材料としては、本発明の請求項１に係る独立導体
回路へのメッキ法と同様のものが挙げられる。

【００７３】そして、図９（ｂ）及び図１０（ｂ）に示
すように、独立導体回路２０の表面のうち、メッキ皮膜
形成部２１と、給電用接続部２２と、そのメッキ皮膜形
成部２１と給電用接続部２２との間に位置する遮蔽部２
３と、を除く全面を被覆し、かつ、その被覆した独立導
体回路２０の表面の部分から、給電用端子３０の部分ま
で達している、電気絶縁性の第一の保護層４０を、配線
回路基板１０上に形成する（工程［サ］）。すると、周
囲の第一の保護層４０の表面より窪んだ形状の、上記遮
蔽部２３が底面となる凹部４１が、メッキ皮膜形成部２
１と給電用接続部２２との間に形成される。

【００７４】この凹部４１は、後工程で導電層や第二の
保護層を形成するとき、それらの層を形成するための導
電性ペースト等がメッキ皮膜形成部２１の方向に拡がっ
た場合に、その部分で吸収して、メッキ皮膜形成部２１
が埋まることを防止するため、遮蔽部２３の大きさは、
導電層や第二の保護層を形成する厚みや、遮蔽部２３と
給電用接続部２２の距離等に応じて適宜調整する。

【００７５】なお、凹部４１がメッキ皮膜形成部２１の
周囲を取り囲むように、すなわち、遮蔽部２３をメッキ
皮膜形成部２１の周囲を取り囲むように配置すると、よ
り確実にメッキ皮膜形成部２１が埋まることを防止でき
好ましい。なお、第一の保護層４０を形成するための材
料や、形成する方法等は、本発明の請求項１に係る独立
導体回路へのメッキ法と同様のものや方法が挙げられ
る。

【００７６】次いで、図９（ｃ）及び図１０（ｃ）に示
すように、導電性を有し、熱又は溶剤又はアルカリのい
ずれかの手法にて剥離可能な材料よりなる導電層５０
を、前記独立導体回路２０の給電用接続部２２を被覆す
ると共に、その給電用接続部２２と給電用端子３０とを
導通し、かつ、メッキ皮膜形成部２１が露出するよう
に、第一の保護層４０の表面及び給電用端子３０の表面
に形成する（工程［シ］）。

【００７７】この導電層５０を形成するための材料や、
形成する方法等も、本発明の請求項１に係る独立導体回
路へのメッキ法と同様のものや方法が挙げられる。

【００７８】なお、凹部４１が、メッキ皮膜形成部２１
と給電用接続部２２の間に形成されているため、給電用
接続部２２を被覆するために供給した導電性ペースト等
が、メッキ皮膜形成部２１まで拡がってメッキ皮膜形成
部２１を埋めることが発生しにくくなっている。

【００７９】また、導電層５０は、第一の保護層４０の
表面に形成されるため、配線回路基板１０表面の導体回
路等を形成していない絶縁部に導電層５０が直接、接触
し難くなり、絶縁部が、導電層５０を形成するための導
電性フィラー等によって、汚染等のダメージを受けるこ
とが発生にくくなっている。

【００８０】次いで、図９（ｄ）及び図１０（ｄ）に示
すように、電気絶縁性を有し、熱又は溶剤又はアルカリ
のいずれかの手法にて剥離可能な材料よりなる第二の保
護層６０を、前記導電層５０のうち、第一の保護層４０
の表面に形成された部分と給電用接続部２２の表面に形
成された部分との表面全体を被覆し、かつ、メッキ皮膜
形成部２１が露出するように形成する（工程［ス］）。

【００８１】この第二の保護層６０を形成するための材
料や、形成する方法としても、本発明の請求項１に係る
独立導体回路へのメッキ法と同様のものや方法が挙げら
れる。

【００８２】なお、凹部４１が、メッキ皮膜形成部２１
と給電用接続部２２の間に形成されているため、電気絶
縁性ペースト等が凹部４１で吸収され、メッキ皮膜形成
部２１まで拡がってメッキ皮膜形成部２１を埋めること
が発生しにくくなっている。

【００８３】次いで、図示しない電解メッキ液に浸漬し
た状態で、給電用端子３０に給電して、図９（ｅ）及び
図１１（ａ）に示すように、独立導体回路２０のメッキ
皮膜形成部２１に、メッキ皮膜８０を形成する（工程
［セ］）。

【００８４】このとき、導電層５０のうち、第一の保護
層４０の表面に形成された部分と給電用接続部２２の表
面に形成された部分との表面全体が、第二の保護層６０
で被覆されているため、メッキ皮膜形成部２１以外の不
必要な箇所へのメッキ金属の析出が阻止され、メッキ皮
膜形成部２１に、厚みの均一性に優れたメッキ皮膜８０
が形成される。なお、導電層５０の表面に第二の保護層
６０を形成しない場合、又は、第二の保護層６０の被覆
に欠陥が有る場合は、電解メッキの際に、露出した導電
層５０表面にもメッキ皮膜が形成され、メッキ皮膜形成
部２１に電流集中が起こり難くなって、メッキ皮膜形成
部２１に形成されるメッキ皮膜８０の厚みのばらつきが
大きくなる。

【００８５】また、凹部４１がメッキ皮膜形成部２１と
給電用接続部２２との間に形成されて、導電層５０や第
二の保護層６０を形成するときに、導電性ペースト等が
メッキ皮膜形成部２１を埋めることが防止されているた
め、メッキ皮膜形成部２１に確実にメッキ皮膜８０を形
成することができ、析出性が優れたメッキ皮膜を形成す
ることが可能となる。

【００８６】次いで、第二の保護層６０及び導電層５０
を剥離する（工程［ソ］）。すると、図９（ｆ）及び図
１１（ｂ）に示すような、独立導体回路２０や、絶縁部
がダメージを受け難く、かつ、厚みの均一性及び析出性
が優れたメッキ皮膜８０が形成された独立導体回路２０
が得られる。

【００８７】［本発明の請求項４に係る独立導体回路へ
のメッキ法］ 本発明の請求項４に係る独立導体回路へのメッキ法の一
実施の形態は、図１２（ａ）及び図１３（ａ）に示すよ
うな、独立導体回路２０を表面に備えた配線回路基板１
０を用いる。なお、配線回路基板１０の材料とする基板
や、独立導体回路２０を形成する材料としては、本発明
の請求項１に係る独立導体回路へのメッキ法と同様のも
のが挙げられる。

【００８８】そして、図１２（ｂ）及び図１３（ｂ）に
示すように、独立導体回路２０の表面のうち、メッキ皮
膜形成部２１と、給電用接続部２２と、そのメッキ皮膜
形成部２１と給電用接続部２２との間に位置する遮蔽部
２３と、を除く全面を被覆し、かつ、その被覆した独立
導体回路２０の表面の部分から、前記独立導体回路２０
と離間している給電用端子の形成を予定する位置４５ま
で達している、電気絶縁性の第一の保護層４０を、配線
回路基板１０上に形成する（工程［タ］）。すると、周
囲の第一の保護層４０の表面より窪んだ形状の、上記遮
蔽部２３が底面となる凹部４１が、メッキ皮膜形成部２
１と給電用接続部２２との間に形成される。

【００８９】この凹部４１は、後工程で導電層や第二の
保護層を形成するとき、それらの層を形成するための導
電性ペースト等がメッキ皮膜形成部２１の方向に拡がっ
た場合に、その部分で吸収して、メッキ皮膜形成部２１
が埋まることを防止するため、遮蔽部２３の大きさは、
導電層や第二の保護層を形成する厚みや、遮蔽部２３と
給電用接続部２２の距離等に応じて適宜調整する。

【００９０】なお、凹部４１がメッキ皮膜形成部２１の
周囲を取り囲むように、すなわち、遮蔽部２３をメッキ
皮膜形成部２１の周囲を取り囲むように配置すると、よ
り確実にメッキ皮膜形成部２１が埋まることを防止でき
好ましい。なお、第一の保護層４０を形成するための材
料や、形成する方法等は、本発明の請求項１に係る独立
導体回路へのメッキ法と同様のものや方法が挙げられ
る。

【００９１】次いで、図１２（ｃ）及び図１３（ｃ）に
示すように、導電性を有し、熱又は溶剤又はアルカリの
いずれかの手法にて剥離可能な材料よりなる導電層５０
を、前記給電用接続部２２及び前記給電用端子の形成を
予定する位置４５を被覆すると共に、その給電用接続部
２２と給電用端子の形成を予定する位置４５とを導通
し、かつ、メッキ皮膜形成部２１が露出するように、第
一の保護層４０の表面に形成して、給電用端子部５１を
有する導電層５０を形成する（工程［チ］）。

【００９２】この導電層５０を形成するための材料や、
形成する方法等も、本発明の請求項１に係る独立導体回
路へのメッキ法と同様のものや方法が挙げられる。

【００９３】なお、凹部４１が、メッキ皮膜形成部２１
と給電用接続部２２の間に形成されているため、給電用
接続部２２を被覆するために供給した導電性ペースト等
が、メッキ皮膜形成部２１まで拡がってメッキ皮膜形成
部２１を埋めることが発生しにくくなっている。

【００９４】また、導電層５０は、第一の保護層４０の
表面に形成されるため、配線回路基板１０表面の導体回
路等を形成していない絶縁部に導電層５０が直接、接触
し難くなり、絶縁部が、導電層５０を形成するための導
電性フィラー等によって、汚染等のダメージを受けるこ
とが発生にくくなっている。

【００９５】次いで、図１２（ｄ）及び図１３（ｄ）に
示すように、電気絶縁性を有し、熱又は溶剤又はアルカ
リのいずれかの手法にて剥離可能な材料よりなる第二の
保護層６０を、前記導電層５０の表面のうち給電用端子
部５１を除く全面を被覆し、かつ、メッキ皮膜形成部２
１が露出するように形成する（工程［ツ］）。

【００９６】この第二の保護層６０を形成するための材
料や、形成する方法としても、本発明の請求項１に係る
独立導体回路へのメッキ法と同様のものや方法が挙げら
れる。

【００９７】なお、凹部４１が、メッキ皮膜形成部２１
と給電用接続部２２の間に形成されているため、電気絶
縁性ペースト等が凹部４１で吸収され、メッキ皮膜形成
部２１まで拡がってメッキ皮膜形成部２１を埋めること
が発生しにくくなっている。

【００９８】次いで、図示しない電解メッキ液に浸漬し
た状態で、導電層５０の給電用端子部５１に給電して、
図１２（ｅ）及び図１４（ａ）に示すように、独立導体
回路２０のメッキ皮膜形成部２１に、メッキ皮膜８０を
形成する（工程［テ］）。

【００９９】このとき、導電層５０のうち、給電用端子
部５１を除く全面が、第二の保護層６０で被覆されてい
るため、メッキ皮膜形成部２１以外の不必要な箇所への
メッキ金属の析出が阻止され、メッキ皮膜形成部２１
に、厚みの均一性に優れたメッキ皮膜８０が形成され
る。なお、導電層５０の表面に第二の保護層６０を形成
しない場合、又は、第二の保護層６０の被覆に欠陥が有
る場合は、電解メッキの際に、露出した導電層５０表面
にもメッキ皮膜が形成され、メッキ皮膜形成部２１に電
流集中が起こり難くなって、メッキ皮膜形成部２１に形
成されるメッキ皮膜８０の厚みのばらつきが大きくな
る。

【０１００】また、凹部４１がメッキ皮膜形成部２１と
給電用接続部２２との間に形成されて、導電層５０や第
二の保護層６０を形成するときに、導電性ペースト等が
メッキ皮膜形成部２１を埋めることが防止されているた
め、メッキ皮膜形成部２１に確実にメッキ皮膜８０を形
成することができ、析出性が優れたメッキ皮膜を形成す
ることが可能となる。

【０１０１】次いで、第二の保護層６０及び導電層５０
を剥離する（工程［ト］）。すると、図１２（ｆ）及び
図１４（ｂ）に示すような、独立導体回路２０や、絶縁
部がダメージを受け難く、かつ、厚みの均一性及び析出
性が優れたメッキ皮膜８０が形成された独立導体回路２
０が得られる。

【０１０２】

【実施例】以下、本発明に係る独立導体回路へのメッキ
法の実施例を説明する。

【０１０３】（実施例１）銅の上にニッケルを被覆し、
さらにその上に金を被覆している独立導体回路と、その
独立導体回路と離間して形成された銅製の給電用端子
を、表面に有するセラミック系の配線回路基板を準備
し、図１に示す工程を順次施した。なお、給電用端子
は、配線回路基板の縁端部に位置するようにした。

【０１０４】先ず、図１（ｂ）に示すように、独立導体
回路２０の表面のうち、メッキ皮膜形成部２１（最小サ
イズ１５０μｍ×１５０μｍ）と、給電用接続部２２を
除く全面を、そのメッキ皮膜形成部２１と給電用接続部
２２との間に凹部４１を形成しながら、被覆し、かつ、
その被覆した独立導体回路２０の表面の部分から、給電
用端子３０まで達している、電気絶縁性の第一の保護層
４０を配線回路基板１０上に形成した（工程［ア］）。
なお、この第一の保護層４０の形成は、半田レジスト
（永久レジスト）用液状樹脂ペーストを用いてスクリー
ン印刷法によりパターン形成後、このパターンを１５０
℃で６０分加熱処理することにより形成した。凹部４１
は、他の部分より樹脂ペーストの供給量を減らす方法に
より形成した。

【０１０５】次に、図１（ｃ）に示すように、第一の保
護層４０上に、導電性フィラーとして銀の粉体を含有
し、樹脂としてアルカリにて剥離可能な固化物を形成す
るフェノール系樹脂を含有する、導電性ペースト［株式
会社アサヒ化学研究所製、商品名銀ペーストＬＳ−５２
０］を用いてスクリーン印刷法でパターン印刷し、この
パターンを８０℃で３０分加熱処理して、アルカリにて
剥離可能な材料よりなる導電層５０を形成した（工程
［イ］）。なお、この導電層５０は、独立導体回路２０
上の給電用接続部２２を被覆すると共に、その給電用接
続部２２と給電用端子３０とを導通し、かつ、メッキ皮
膜形成部２１が露出するように、第一の保護層４０の表
面及び給電用端子３０の表面に形成した。

【０１０６】次に、図１（ｄ）に示すように、導電層５
０のうち、第一の保護層４０の表面に形成された部分と
給電用接続部２２の表面に形成された部分との表面全体
を被覆し、かつ、メッキ皮膜形成部２１が露出するよう
に、アルカリにて剥離可能な材料よりなる第二の保護層
６０を形成した（工程［ウ］）。

【０１０７】この第二の保護層６０の形成は、電気絶縁
性を有し、樹脂としてアルカリにて剥離可能な固化物を
形成するフェノール系樹脂を含有する、電気絶縁性ペー
スト［株式会社アサヒ化学研究所製、商品名プレーティ
ングレジストＭＲ３００ＣＮｏ６］を用いてスクリーン
印刷法でパターンを印刷し、このパターンを８０℃で３
０分加熱処理して形成した。

【０１０８】次に、電解スズメッキ液に浸漬した後、給
電用端子３０に給電して、図１（ｅ）に示すように、独
立導体回路２０のメッキ皮膜形成部２１に電解スズメッ
キを施し、スズよりなるメッキ皮膜８０を形成した（工
程［エ］）。この際の電解メッキの条件は、メッキ皮膜
の厚みが５μｍとなる条件を狙って行った。

【０１０９】次いで、得られた基板を、苛性ソーダ（４
％）中に浸漬した状態で、この浸漬中の基板に超音波を
加える超音波洗浄方式で、第二の保護層６０及び導電層
５０を剥離して、図１（ｆ）に示すような、独立導体回
路２０へメッキを施した配線回路基板１０を得た（工程
［オ］）。

【０１１０】（実施例２）銅の上にニッケルを被覆し、
さらにその上に金を被覆している独立導体回路を表面に
有するセラミック系の配線回路基板を準備し、図５に示
す工程を順次施した。

【０１１１】先ず、図５（ｂ）に示すように、独立導体
回路２０上の表面のうち、メッキ皮膜形成部２１（最小
サイズ１５０μｍ×１５０μｍ）と、給電用接続部２２
を除く全面を、そのメッキ皮膜形成部２１と給電用接続
部２２との間に凹部４１を形成しながら、被覆し、か
つ、その被覆した独立導体回路２０の表面の部分から、
給電用端子の形成を予定する位置４５まで達している、
電気絶縁性の第一の保護層４０を配線回路基板１０上に
形成した（工程［カ］）。

【０１１２】なお、給電用端子の形成を予定する位置４
５は、独立導体回路２０と離間していて、配線回路基板
１０の縁端部に位置するようにした。また、第一の保護
層４０の形成は、実施例１で用いたものと同じ半田レジ
スト（永久レジスト）用液状樹脂ペーストを用いて、同
じ方法で形成した。

【０１１３】次に、実施例１で用いたものと同じ導電性
ペーストを用いて、同じ方法で、図５（ｃ）に示すよう
に、第一の保護層４０上に、アルカリにて剥離可能な材
料よりなり、給電用端子部５１を有する導電層５０を形
成した（工程［キ］）。なお、この導電層５０は、給電
用接続部２２及び給電用端子の形成を予定する位置４５
を被覆すると共に、その給電用接続部２２と給電用端子
の形成を予定する位置４５とを導通し、かつ、メッキ皮
膜形成部２１が露出するように、第一の保護層４０の表
面に形成した。

【０１１４】次に、実施例１で用いたものと同じ電気絶
縁性ペーストを用いて、同じ方法で、図５（ｄ）に示す
ように、導電層５０の表面のうち給電用端子部５１を除
く全面を被覆し、かつ、メッキ皮膜形成部２１が露出す
るように、アルカリにて剥離可能な材料よりなる第二の
保護層６０を形成した（工程［ク］）。

【０１１５】次に、実施例１で用いたものと同じ電解ス
ズメッキ液に浸漬した後、導電層５０の給電用端子部５
１に給電して、図５（ｅ）に示すように、独立導体回路
２０のメッキ皮膜形成部２１に電解スズメッキを施し、
スズよりなるメッキ皮膜８０を形成した（工程
［ケ］）。この際の電解メッキの条件は、メッキ皮膜の
厚みが５μｍとなる条件を狙って行った。

【０１１６】次いで、得られた基板を、苛性ソーダ（４
％）中に浸漬した状態で、この浸漬中の基板に超音波を
加える超音波洗浄方式で、第二の保護層６０及び導電層
５０を剥離して、図５（ｆ）に示すような、独立導体回
路２０へメッキを施した配線回路基板１０を得た（工程
［コ］）。

【０１１７】（実施例３）導電層５０を形成するための
導電性ペーストの加熱処理条件を、５０℃３０分とした
こと以外は、実施例２と同様にして、独立導体回路２０
へメッキを施した配線回路基板１０を得た。

【０１１８】（実施例４）導電層５０を形成するための
導電性ペーストの加熱処理条件を、１５０℃３０分とし
たこと以外は、実施例２と同様にして、独立導体回路２
０へメッキを施した配線回路基板１０を得た。

【０１１９】（実施例５）導電層５０を形成するための
導電性ペーストの加熱処理条件を、１７０℃３０分とし
たこと以外は、実施例２と同様にして、独立導体回路２
０へメッキを施した配線回路基板１０を得た。

【０１２０】（実施例６）独立導体回路２０上のメッキ
皮膜形成部２１の最小サイズを５０μｍ×５０μｍと
し、第一の保護層４０を形成する材料として、感光性ド
ライフィルム（耐メッキ用）を用い、第一の保護層４０
の形成を写真法で行ったこと以外は、実施例２と同様に
して、独立導体回路２０へメッキを施した配線回路基板
１０を得た。なお、凹部４１については、第一の保護層
４０を形成しようとする部分全体に、凹部４１の底面に
対応する厚みの感光したドライフィルム層を形成した
後、その上にドライフィルムを供給し、次いで、凹部４
１を除く部分のみ感光させて形成した。

【０１２１】（実施例７）独立導体回路２０上のメッキ
皮膜形成部２１のサイズを５０μｍ×５０μｍとし、第
一の保護層４０を形成する材料として、アルカリにて剥
離可能な固化物を形成する感光性ドライフィルム（耐メ
ッキ用）を用い、第一の保護層４０の形成を写真法で行
ったこと、及び、電解スズメッキを施した後のアルカリ
剥離工程で、第二の保護層６０及び導電層５０を剥離す
る際に、第一の保護層４０も同時に剥離したこと以外
は、実施例２と同様にして、独立導体回路２０へメッキ
を施した配線回路基板１０を得た。なお、凹部４１につ
いては、実施例７と同じ方法で形成した。

【０１２２】（実施例８）第二の保護層６０を形成する
材料として、熱剥離可能な固化物を形成する導電性ペー
スト［株式会社アサヒ化学研究所製、商品名ストリップ
マスク＃５０３Ｂ−ＳＨ、硬化条件：温度１２０℃、硬
化時間１５分、剥離条件：剥離温度１８０℃、処理時間
１５分］を用いて、スクリーン印刷法でパターン印刷
し、このパターンを１２０℃で１５分加熱処理して、第
二の保護層６０を形成したこと、及び、導電層５０を形
成する材料として、上記熱剥離可能な導電性ペーストに
銀の粉体を混合したものを用いて、スクリーン印刷法で
パターン印刷し、このパターンを１２０℃で１５分加熱
処理して、導電層５０を形成したこと、及び、第二の保
護層６０と導電層５０の剥離を、１８０℃で１５分加熱
処理して行ったこと以外は、実施例２と同様にして、独
立導体回路２０へメッキを施した配線回路基板１０を得
た。

【０１２３】（実施例９）第一の保護層４０の形成を、
独立導体回路２０の表面のうち、メッキ皮膜形成部２１
と、給電用接続部２２と、そのメッキ皮膜形成部２１と
給電用接続部２２との間に位置する遮蔽部２３と、を除
く全面を被覆し、かつ、その被覆した独立導体回路２０
の表面の部分から、給電用端子３０まで達しているよう
に形成したこと以外は、実施例１と同様にして、独立導
体回路２０へメッキを施した配線回路基板１０を得た。
なおこの場合、上記以外については、実施例１の工程
［ア］，［イ］，［ウ］，［エ］，［オ］は、それぞれ
工程［サ］，［シ］，［ス］，［セ］，［ソ］に対応す
る。

【０１２４】（実施例１０）第一の保護層４０の形成
を、独立導体回路２０の表面のうち、メッキ皮膜形成部
２１と、給電用接続部２２と、そのメッキ皮膜形成部２
１と給電用接続部２２との間に位置する遮蔽部２３と、
を除く全面を被覆し、かつ、その被覆した独立導体回路
２０の表面の部分から、給電用端子の形成を予定する位
置４５まで達しているように形成したこと以外は、実施
例２と同様にして、独立導体回路２０へメッキを施した
配線回路基板１０を得た。なおこの場合、上記以外につ
いては、実施例２の工程［カ］，［キ］，［ク］，
［ケ］，［コ］は、それぞれ工程［タ］，［チ］，
［ツ］，［テ］，［ト］に対応する。

【０１２５】（比較例１）実施例２と同様の独立導体回
路２０を有する配線回路基板１０を準備し、図１５に示
す工程を順次施した。先ず、図１５（ａ）に示すよう
に、独立導体回路２０上のメッキ皮膜の形成を予定する
部分（最小サイズ１５０μｍ×１５０μｍ）と異なる位
置で独立導体回路２０と接していて、かつ、独立導体回
路２０と給電用端子の形成を予定する位置４５とを通電
するように、アルカリにて剥離可能な材料よりなる導電
層５０を形成した。なお、導電層５０の形成は、実施例
１で用いたものと同じ導電性ペーストを用いて、同じ方
法で形成した。

【０１２６】次いで、図１５（ｂ）に示すように、実施
例８で用いたものと同じ、アルカリにて剥離可能な固化
物を形成する感光性ドライフィルムを用いて、導電層５
０の給電用端子部５１を除く全面を被覆し、かつ、メッ
キ皮膜形成部が露出するように、アルカリにて剥離可能
な材料よりなる第二の保護層６０を形成した。

【０１２７】次に、実施例１で用いたものと同じ電解ス
ズメッキ液に浸漬した後、導電層５０の給電用端子部５
１に給電して、図１５（ｃ）に示すように、独立導体回
路２０のメッキ皮膜形成部２１に電解スズメッキを施
し、スズよりなるメッキ皮膜８０を形成した。この際の
電解メッキの条件は、メッキ皮膜の厚みが５μｍとなる
条件を狙って行った。

【０１２８】次いで、得られた基板を、苛性ソーダ（４
％）中に浸漬した状態で、この浸漬中の基板に超音波を
加える超音波洗浄方式で、第二の保護層６０及び導電層
５０を剥離して、図１５（ｄ）に示すような、独立導体
回路２０へメッキを施した配線回路基板１０を得た。

【０１２９】（比較例２）第一の保護層４０に凹部４１
を形成せず、全体を同じ厚みに形成したこと以外は、実
施例２と同様にして、独立導体回路２０へメッキを施し
た配線回路基板１０を得た。

【０１３０】（比較例３）第二の保護層６０を形成しな
かったこと以外は、実施例２と同様にして、独立導体回
路２０へメッキを施した配線回路基板１０を得た。

【０１３１】（評価）各実施例及び各比較例で得られた
配線回路基板１０の、独立導体回路の外観、絶縁部の外
観、メッキ皮膜の析出性、及び、メッキ皮膜の厚みを評
価した。

【０１３２】独立導体回路の外観は、メッキ工程中で独
立導体回路２０が、サイドエッチングされてダメージを
受けているか否かを目視で評価し、ダメージを受けてい
ない場合を○とし、ダメージを受けている場合を×とし
た。また、絶縁部の外観は、導電層５０に含有する導電
性フィラーが配線回路基板１０の表面の独立導体回路２
０等を形成していない絶縁部表面に残存して、絶縁部が
汚染等のダメージを受けているか否か、及び、導電層５
０が剥離されずに、第一の保護層４０と共に、絶縁部表
面に残存して、絶縁部がダメージを受けているか否かを
目視で評価し、ダメージを受けていない場合を○とし、
一部分ダメージを受けている場合を△とし、全体にダメ
ージを受けている場合を×とした。

【０１３３】メッキ皮膜の析出性は、独立導体回路２０
のメッキ皮膜形成部２１に、スズよりなるメッキ皮膜８
０が形成されていない部分があるか否かを５０カ所目視
で評価し、全て形成されている場合を○とし、形成され
ていない部分がわずかにある場合を△とし、形成されて
いない部分が多数ある場合を×とした。また、メッキ皮
膜の厚みは、独立導体回路２０の表面に形成されたスズ
よりなるメッキ皮膜の厚みを、断面観察により１０カ所
測定し、その平均値、最大値、最小値及び最大値と最小
値の差（Ｒ）を求めた。

【０１３４】（結果）その結果は表１に示したように、
各実施例は、比較例１及び３と比べて、絶縁部の外観が
優れていることが確認された。なお、比較例１は、導電
層５０が直接、接触していたセラミック系基板の露出絶
縁部が、目視で確認できるレベルで灰色に変色してお
り、導電層５０に含まれる導電性フィラー（銀）がセラ
ミック系基板の絶縁部に付着残留して、絶縁部がダメー
ジを受けていた。また、比較例３は、導電層５０の上に
電解メッキ皮膜が析出していたので、実施例２と同様の
方法では、導電層５０の剥離が困難であり、導電層５０
とその下地の第一の保護層４０が、一部残留して、絶縁
部がダメージを受けていた。

【０１３５】また、各実施例は、第一の保護層４０に凹
部４１を形成しなかった比較例２と比べて、メッキ皮膜
の析出性が優れていることが確認された。なお、比較例
２は、メッキ皮膜形成部２１内へ電気絶縁性ペーストの
流れ込みが観察された。

【０１３６】また、各実施例は、第二の保護層６０を形
成しなかった比較例３と比べて、メッキ皮膜の厚みの均
一性が優れていることが確認された。なお、比較例３
は、第二の保護層６０がないために、表面に露出した導
電層５０の上に電解メッキ皮膜が析出しており、このこ
とにより、メッキ皮膜形成部でのメッキの析出が影響を
受け、メッキ皮膜の厚みのバラツキが大きくなったと考
えられる。

【０１３７】また、導電性ペーストの加熱温度が５０〜
１５０℃の範囲内である実施例２，３，４は、、加熱温
度が１５０℃を越え、他は全て同じ条件で製造した実施
例５と比べて、絶縁部の外観が優れていることが確認さ
れた。なお、実施例５は、導電層５０の剥離が不十分で
あり、導電層５０とその下地の第一の保護層４０が、わ
ずかに残留していた。

【０１３８】また、第一の保護層４０の形成を写真法で
行った実施例６及び７は、独立導体回路２０上のメッキ
皮膜形成部２１の最小サイズが５０μｍ×５０μｍと微
細であったが、問題なく所望のメッキ皮膜の形成が可能
であった。

【０１３９】なお、各実施例及び各比較例とも、従来の
ダミー導体回路を除去する方法のような強酸等によるエ
ッチングを行っていないため、独立導体回路２０はサイ
ドエッチングされておらず、独立導体回路２０の外観
は、各実施例及び各比較例とも良好であった。なお、各
実施例は、導電層５０と独立導体回路２０の電気的接続
点であった、給電用接続部２２の表面（金よりなる表
面）が、導電層５０に含有する導電性フィラーによっ
て、汚染等のダメージを受けておらず、独立導体回路２
０の表面外観についても良好であった。

【０１４０】

【表１】

【０１４１】

【発明の効果】本発明に係る独立導体回路へのメッキ法
によると、配線回路基板の表面に形成された独立導体回
路や導体回路を形成していない絶縁部にダメージを与え
ることなく、配線回路基板の表面に形成された独立導体
回路上の所望の部分に、電解メッキによって、厚みの均
一性が優れ、かつ、析出性が優れたメッキ皮膜を形成す
ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の請求項１に係る独立導体回路へのメッ
キ法の、一実施の形態の工程を説明する断面図である。

【図２】本発明の請求項１に係る独立導体回路へのメッ
キ法の、一実施の形態の工程を説明する平面図である。

【図３】本発明の請求項１に係る独立導体回路へのメッ
キ法の、一実施の形態の工程を説明する平面図である。

【図４】本発明の請求項１に係る独立導体回路へのメッ
キ法の、他の実施の形態の工程の一部を説明する図であ
り、（ａ）は断面図、（ｂ）平面図である。

【図５】本発明の請求項２に係る独立導体回路へのメッ
キ法の、一実施の形態の工程を説明する断面図である。

【図６】本発明の請求項２に係る独立導体回路へのメッ
キ法の、一実施の形態の工程を説明する平面図である。

【図７】本発明の請求項２に係る独立導体回路へのメッ
キ法の、一実施の形態の工程を説明する平面図である。

【図８】本発明の請求項２に係る独立導体回路へのメッ
キ法の、他の実施の形態の工程の一部を説明する図であ
り、（ａ）は断面図、（ｂ）平面図である。

【図９】本発明の請求項３に係る独立導体回路へのメッ
キ法の、一実施の形態の工程を説明する断面図である。

【図１０】本発明の請求項３に係る独立導体回路へのメ
ッキ法の、一実施の形態の工程を説明する平面図であ
る。

【図１１】本発明の請求項３に係る独立導体回路へのメ
ッキ法の、一実施の形態の工程を説明する平面図であ
る。

【図１２】本発明の請求項４に係る独立導体回路へのメ
ッキ法の、一実施の形態の工程を説明する断面図であ
る。

【図１３】本発明の請求項４に係る独立導体回路へのメ
ッキ法の、一実施の形態の工程を説明する平面図であ
る。

【図１４】本発明の請求項４に係る独立導体回路へのメ
ッキ法の、一実施の形態の工程を説明する平面図であ
る。

【図１５】比較例における工程を説明する断面図であ
る。

【符号の説明】

１０ 配線回路基板 ２０ 独立導体回路 ２１ メッキ皮膜形成部 ２２ 給電用接続部 ２３ 遮蔽部 ３０ 給電用端子 ４０ 第一の保護層 ４１ 凹部 ４５ 給電用端子の形成を予定する位置 ５０ 導電層 ５１ 給電用端子部 ６０ 第二の保護層 ８０ メッキ皮膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−74094（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−260195（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−214690（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−92526（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C25D 7/00 C25D 5/02 C25D 7/12 H01L 21/288 H05K 3/18

Claims (12)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 配線回路基板の表面に形成された独立導
   体回路上に、電解メッキを施してメッキ皮膜を形成する
   メッキ法において、下記の［ア］〜［オ］の工程を備え
   ることを特徴とする独立導体回路へのメッキ法。 ［ア］独立導体回路の表面のうちメッキ皮膜形成部と給
   電用接続部とを除く全面を、そのメッキ皮膜形成部と給
   電用接続部との間に凹部を形成しながら、被覆し、か
   つ、配線回路基板の表面に前記独立導体回路と離間して
   形成された給電用端子まで達している、電気絶縁性の第
   一の保護層を、配線回路基板上に形成する工程と、 ［イ］導電性を有し、熱又は溶剤又はアルカリのいずれ
   かの手法にて剥離可能な材料よりなる導電層を、前記給
   電用接続部を被覆すると共に、その給電用接続部と給電
   用端子とを導通し、かつ、メッキ皮膜形成部が露出する
   ように、第一の保護層の表面及び給電用端子の表面に形
   成する工程と、 ［ウ］電気絶縁性を有し、熱又は溶剤又はアルカリのい
   ずれかの手法にて剥離可能な材料よりなる第二の保護層
   を、前記導電層のうち、第一の保護層の表面に形成され
   た部分と給電用接続部の表面に形成された部分との表面
   全体を被覆し、かつ、メッキ皮膜形成部が露出するよう
   に形成する工程と、 ［エ］給電用端子に給電して、独立導体回路のメッキ皮
   膜形成部に電解メッキによりメッキ皮膜を形成する工程
   と、 ［オ］第二の保護層及び導電層を剥離する工程。
2. 【請求項２】 配線回路基板の表面に形成された独立導
   体回路上に、電解メッキを施してメッキ皮膜を形成する
   メッキ法において、下記の［カ］〜［コ］の工程を備え
   ることを特徴とする独立導体回路へのメッキ法。［カ］
   独立導体回路の表面のうちメッキ皮膜形成部と給電用接
   続部とを除く全面を、そのメッキ皮膜形成部と給電用接
   続部との間に凹部を形成しながら、被覆し、かつ、前記
   独立導体回路と離間している給電用端子の形成を予定す
   る位置まで達している、電気絶縁性の第一の保護層を、
   配線回路基板上に形成する工程と、［キ］導電性を有
   し、熱又は溶剤又はアルカリのいずれかの手法にて剥離
   可能な材料よりなる層を、前記給電用接続部及び前記給
   電用端子の形成を予定する位置を被覆すると共に、その
   給電用接続部と給電用端子の形成を予定する位置とを導
   通し、かつ、メッキ皮膜形成部が露出するように、第一
   の保護層の表面に形成して、給電用端子部を有する導電
   層を形成する工程と、 ［ク］電気絶縁性を有し、熱又は溶剤又はアルカリのい
   ずれかの手法にて剥離可能な材料よりなる第二の保護層
   を、前記導電層の表面のうち給電用端子部を除く全面を
   被覆し、かつ、メッキ皮膜形成部が露出するように形成
   する工程と、 ［ケ］導電層の給電用端子部に給電して、独立導体回路
   のメッキ皮膜形成部に電解メッキによりメッキ皮膜を形
   成する工程と、 ［コ］第二の保護層及び導電層を剥離する工程。
3. 【請求項３】 配線回路基板の表面に形成された独立導
   体回路上に、電解メッキを施してメッキ皮膜を形成する
   メッキ法において、下記の［サ］〜［ソ］の工程を備え
   ることを特徴とする独立導体回路へのメッキ法。 ［サ］独立導体回路の表面のうち、メッキ皮膜形成部
   と、給電用接続部と、そのメッキ皮膜形成部と給電用接
   続部との間に位置する遮蔽部と、を除く全面を、遮蔽部
   が底面となる凹部を形成しながら、被覆し、かつ、配線
   回路基板の表面に前記独立導体回路と離間して形成され
   た給電用端子まで達している、電気絶縁性の第一の保護
   層を、配線回路基板上に形成する工程と、 ［シ］導電性を有し、熱又は溶剤又はアルカリのいずれ
   かの手法にて剥離可能な材料よりなる導電層を、前記給
   電用接続部を被覆すると共に、その給電用接続部と給電
   用端子とを導通し、かつ、メッキ皮膜形成部が露出する
   ように、第一の保護層の表面及び給電用端子の表面に形
   成する工程と、 ［ス］電気絶縁性を有し、熱又は溶剤又はアルカリのい
   ずれかの手法にて剥離可能な材料よりなる第二の保護層
   を、前記導電層のうち、第一の保護層の表面に形成され
   た部分と給電用接続部の表面に形成された部分との表面
   全体を被覆し、かつ、メッキ皮膜形成部が露出するよう
   に形成する工程と、 ［セ］給電用端子に給電して、独立導体回路のメッキ皮
   膜形成部に電解メッキによりメッキ皮膜を形成する工程
   と、 ［ソ］第二の保護層及び導電層を剥離する工程。
4. 【請求項４】 配線回路基板の表面に形成された独立導
   体回路上に、電解メッキを施してメッキ皮膜を形成する
   メッキ法において、下記の［タ］〜［ト］の工程を備え
   ることを特徴とする独立導体回路へのメッキ法。 ［タ］独立導体回路の表面のうち、メッキ皮膜形成部
   と、給電用接続部と、そのメッキ皮膜形成部と給電用接
   続部との間に位置する遮蔽部と、を除く全面を、遮蔽部
   が底面となる凹部を形成しながら、被覆し、かつ、前記
   独立導体回路と離間している給電用端子の形成を予定す
   る位置まで達している、電気絶縁性の第一の保護層を、
   配線回路基板上に形成する工程と、 ［チ］導電性を有し、熱又は溶剤又はアルカリのいずれ
   かの手法にて剥離可能な材料よりなる層を、前記給電用
   接続部及び前記給電用端子の形成を予定する位置を被覆
   すると共に、その給電用接続部と給電用端子の形成を予
   定する位置とを導通し、かつ、メッキ皮膜形成部が露出
   するように、第一の保護層の表面に形成して、給電用端
   子部を有する導電層を形成する工程と、 ［ツ］電気絶縁性を有し、熱又は溶剤又はアルカリのい
   ずれかの手法にて剥離可能な材料よりなる第二の保護層
   を、前記導電層の表面のうち給電用端子部を除く全面を
   被覆し、かつ、メッキ皮膜形成部が露出するように形成
   する工程と、 ［テ］導電層の給電用端子部に給電して、独立導体回路
   のメッキ皮膜形成部に電解メッキによりメッキ皮膜を形
   成する工程と、 ［ト］第二の保護層及び導電層を剥離する工程。
5. 【請求項５】 凹部を形成する方法が、メッキ皮膜形成
   部の周囲を凹部が取り囲むように形成する方法であるこ
   とを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載
   の独立導体回路へのメッキ法。
6. 【請求項６】 第一の保護層を形成する材料が、感光性
   を有する材料であることを特徴とする請求項１から請求
   項５のいずれかに記載の独立導体回路へのメッキ法。
7. 【請求項７】 第一の保護層を形成する材料が、熱又は
   溶剤又はアルカリのいずれかの手法にて剥離可能な固化
   物を形成する材料であることを特徴とする請求項１から
   請求項６のいずれかに記載の独立導体回路へのメッキ
   法。
8. 【請求項８】 導電層を形成する方法が、導電性フィラ
   ー及び樹脂を混合して作製した導電性ペーストを塗布し
   た後、固化する方法であることを特徴とする請求項１か
   ら請求項７のいずれかに記載の独立導体回路へのメッキ
   法。
9. 【請求項９】 導電性ペーストに含有する樹脂が、アル
   カリにて剥離可能な固化物を形成するフェノール系樹脂
   であることを特徴とする請求項８記載の独立導体回路へ
   のメッキ法。
10. 【請求項１０】 導電性ペーストに含有する導電性フィ
    ラーとして、銀、銅、カーボンから選ばれた少なくとも
    １種の粉体を含有することを特徴とする請求項８又は請
    求項９記載の独立導体回路へのメッキ法。
11. 【請求項１１】 第二の保護層を形成する方法が、樹脂
    を含有する電気絶縁性ペーストを塗布した後、固化する
    方法であることを特徴とする請求項１から請求項１０の
    いずれかに記載の独立導体回路へのメッキ法。
12. 【請求項１２】 電気絶縁性ペーストに含有する樹脂
    が、アルカリにて剥離可能な固化物を形成するフェノー
    ル系樹脂であることを特徴とする請求項１１記載の独立
    導体回路へのメッキ法。