JP3405640B2 - 独立回路へのメッキ方法 - Google Patents
独立回路へのメッキ方法Info
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- JP3405640B2 JP3405640B2 JP21170196A JP21170196A JP3405640B2 JP 3405640 B2 JP3405640 B2 JP 3405640B2 JP 21170196 A JP21170196 A JP 21170196A JP 21170196 A JP21170196 A JP 21170196A JP 3405640 B2 JP3405640 B2 JP 3405640B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子材料分野にお
いて使用される配線回路基板の独立導体回路パターン上
へメッキ層を形成する方法に関するものである。
いて使用される配線回路基板の独立導体回路パターン上
へメッキ層を形成する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化が加速する中、
さらなる実装の高密度化の要求が高まってきている。
さらなる実装の高密度化の要求が高まってきている。
【０００３】配線回路基板の導体回路についても、微細
な独立導体回路パターンの形成が求められるようになっ
てきており、近年さらに、その微細な独立導体回路パタ
ーンの上の一部分にメッキ皮膜層の形成が望まれるよう
な応用もでてきている。このような応用の一例としてバ
ンプ形成が挙げられる。
な独立導体回路パターンの形成が求められるようになっ
てきており、近年さらに、その微細な独立導体回路パタ
ーンの上の一部分にメッキ皮膜層の形成が望まれるよう
な応用もでてきている。このような応用の一例としてバ
ンプ形成が挙げられる。
【０００４】バンプの形成に際しては、例えば所望のバ
ンプ形成部以外をメッキレジストで被覆した後、電解メ
ッキ処理し、前記メッキレジストを剥離することによっ
てバンプを得るというものが一般的に知られている。
ンプ形成部以外をメッキレジストで被覆した後、電解メ
ッキ処理し、前記メッキレジストを剥離することによっ
てバンプを得るというものが一般的に知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の電解メ
ッキによる方法で、微細且つ独立した独立導体回路パタ
ーンを有する配線回路基板にバンプを形成する場合、
「バンプ形成部に給電するためのダミー導体回路パター
ンが必要となり、バンプ形成後本ダミー導体回路パター
ンをエッチング除去する際、必要となる導体回路パター
ンをサイドエッチングし、場合によっては断線してしま
う」、「バンプを形成する金属がＳｎなどの場合、ダミ
ー導体回路パターンのエッチングの際、Ｓｎ自体も過度
の損傷を受ける」などの欠点があった。
ッキによる方法で、微細且つ独立した独立導体回路パタ
ーンを有する配線回路基板にバンプを形成する場合、
「バンプ形成部に給電するためのダミー導体回路パター
ンが必要となり、バンプ形成後本ダミー導体回路パター
ンをエッチング除去する際、必要となる導体回路パター
ンをサイドエッチングし、場合によっては断線してしま
う」、「バンプを形成する金属がＳｎなどの場合、ダミ
ー導体回路パターンのエッチングの際、Ｓｎ自体も過度
の損傷を受ける」などの欠点があった。
【０００６】本発明は上述のような問題点に鑑みてなさ
れたものであり、微細且つ独立した独立導体回路パター
ンを有する配線回路基板において、必要となる導体回路
パターンにダメージを与えることなく、独立導体回路パ
ターン上の所望の位置に金属メッキ皮膜を形成すること
ができる独立回路へのメッキ方法を提供することを課題
とする。
れたものであり、微細且つ独立した独立導体回路パター
ンを有する配線回路基板において、必要となる導体回路
パターンにダメージを与えることなく、独立導体回路パ
ターン上の所望の位置に金属メッキ皮膜を形成すること
ができる独立回路へのメッキ方法を提供することを課題
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の独立回路へのメッキ方法は、配線回路基板２
の独立導体回路パターン１上に電解メッキ法でメッキを
施す方法であって、導電性を有し且つ熱または溶剤また
はアルカリの何れかの手法にて剥離可能な材料よりなり
且つ感光性機能を有する下地層３を、メッキ皮膜７の形
成を要する独立導体回路パターン１に少なくとも接する
ように配線回路基板２上に形成する工程と、少なくとも
メッキ皮膜７の形成を要する部分を含み、且つ前記下地
層３に重なるように感光性のメッキレジスト層５を形成
する工程と、露光・現像によりメッキ皮膜７の形成を要
する箇所の感光性のメッキレジスト層５及び下地層３を
除去する工程と、前記下地層３を給電層として電解メッ
キを行って感光性のメッキレジスト層５を除去した箇所
に金属の析出を行う工程と、配線回路基板２上に残され
た下地層５並びに感光性のメッキレジスト層５を剥離す
る工程とを有することを特徴とする。この場合、従来の
ようにダミー導体回路を用いないで下地層３で給電して
電解メッキで独立導体回路パターン１にメッキ皮膜７を
形成でき、しかも下地層３は熱または溶剤またはアルカ
リの手法で剥離できて従来のダミー導体回路パターンの
ように強酸等によるエッチングを要しないものであっ
て、必要な導体回路パターンの損傷を回避し、所望のメ
ッキ皮膜７を安定して形成できる。また感光性のメッキ
レジスト及び下地層３を用いるので、メッキレジスト層
５や下地層３を形成した後に露光・現像にてメッキ皮膜
７の形成の必要な箇所のメッキレジスト層５や下地層３
を簡単且つ正確に除去できる。
に本発明の独立回路へのメッキ方法は、配線回路基板２
の独立導体回路パターン１上に電解メッキ法でメッキを
施す方法であって、導電性を有し且つ熱または溶剤また
はアルカリの何れかの手法にて剥離可能な材料よりなり
且つ感光性機能を有する下地層３を、メッキ皮膜７の形
成を要する独立導体回路パターン１に少なくとも接する
ように配線回路基板２上に形成する工程と、少なくとも
メッキ皮膜７の形成を要する部分を含み、且つ前記下地
層３に重なるように感光性のメッキレジスト層５を形成
する工程と、露光・現像によりメッキ皮膜７の形成を要
する箇所の感光性のメッキレジスト層５及び下地層３を
除去する工程と、前記下地層３を給電層として電解メッ
キを行って感光性のメッキレジスト層５を除去した箇所
に金属の析出を行う工程と、配線回路基板２上に残され
た下地層５並びに感光性のメッキレジスト層５を剥離す
る工程とを有することを特徴とする。この場合、従来の
ようにダミー導体回路を用いないで下地層３で給電して
電解メッキで独立導体回路パターン１にメッキ皮膜７を
形成でき、しかも下地層３は熱または溶剤またはアルカ
リの手法で剥離できて従来のダミー導体回路パターンの
ように強酸等によるエッチングを要しないものであっ
て、必要な導体回路パターンの損傷を回避し、所望のメ
ッキ皮膜７を安定して形成できる。また感光性のメッキ
レジスト及び下地層３を用いるので、メッキレジスト層
５や下地層３を形成した後に露光・現像にてメッキ皮膜
７の形成の必要な箇所のメッキレジスト層５や下地層３
を簡単且つ正確に除去できる。
【０００８】また下地層３に導電性フィラーを含むこと
を特徴とすることも好ましく、また導電性フィラーとし
て少なくともカーボン、銅、銀のうち何れか１つ以上含
むことを特徴とすることも好ましい。
を特徴とすることも好ましく、また導電性フィラーとし
て少なくともカーボン、銅、銀のうち何れか１つ以上含
むことを特徴とすることも好ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明について、第１図に
示した概略工程図に従って詳述する。
示した概略工程図に従って詳述する。
【００１０】本発明に係る独立回路ヘのメッキ方法で
は、まず、メッキ皮膜７の形成を必要とする独立導体回
路パターン１に少なくとも接するように配線回路基板２
の上に図１（ａ）のように下地層３を形成する。
は、まず、メッキ皮膜７の形成を必要とする独立導体回
路パターン１に少なくとも接するように配線回路基板２
の上に図１（ａ）のように下地層３を形成する。
【００１１】ここで用いる配線回路基板２としては、ガ
ラスエポキシやポリイミドなどのプラスチック配線板、
アルミナや窒化アルミニウムあるいはガラスなどの無機
系配線板、あるいはシリコンやガリウム砒素などの半導
体基板等があり、特に指定はない。配線回路基板２の上
に形成された独立導体回路パターン１は例えばＩＣチッ
プ等に接続する端子部のようなものであり、複数列設し
てある。そして下地層３は複数の独立導体回路パターン
１に接するように形成される。
ラスエポキシやポリイミドなどのプラスチック配線板、
アルミナや窒化アルミニウムあるいはガラスなどの無機
系配線板、あるいはシリコンやガリウム砒素などの半導
体基板等があり、特に指定はない。配線回路基板２の上
に形成された独立導体回路パターン１は例えばＩＣチッ
プ等に接続する端子部のようなものであり、複数列設し
てある。そして下地層３は複数の独立導体回路パターン
１に接するように形成される。
【００１２】上記下地層３は、導電性を有し、且つ熱ま
たは溶剤またはアルカリの何れか手法にて剥離可能な材
料にて形成されているものであり、ここで用いる下地層
３の材料としては、例えば熱剥離型樹脂、溶剤剥離型樹
脂あるいはアルカリ剥離型樹脂に導電性物質を付加した
ものなどを用いることができる。またこの下地層３には
感光性の機能を持たせてある。付加する導電性物質とし
ての導電性フィラーとしては特に指定はないが、銅や銀
などの金属粉末を付加するのが下地層３の導電性を確保
する上で好ましい。またカーボン粉末の付加は下地層３
の材料コストを低減する上で好ましい。
たは溶剤またはアルカリの何れか手法にて剥離可能な材
料にて形成されているものであり、ここで用いる下地層
３の材料としては、例えば熱剥離型樹脂、溶剤剥離型樹
脂あるいはアルカリ剥離型樹脂に導電性物質を付加した
ものなどを用いることができる。またこの下地層３には
感光性の機能を持たせてある。付加する導電性物質とし
ての導電性フィラーとしては特に指定はないが、銅や銀
などの金属粉末を付加するのが下地層３の導電性を確保
する上で好ましい。またカーボン粉末の付加は下地層３
の材料コストを低減する上で好ましい。
【００１３】下地層３の形成方法については特に指定は
なく、例えば下地層３を形成する材料がペースト状のも
のである場合には、スクリーン印刷等の方法を用いるこ
とができ、また下地層３を形成する材料がフィルム状に
成形されたものである場合には、熱圧着などの方法によ
って形成できる。下地層３の材料が感光性機能を具備す
るものであるので、例えば図１（ａ）に示すように配線
回路基板２上の全面に形成してもよい。なお、下地層３
は、後の電解メッキにおける給電層として作用するが、
その際の給電を行いやすくするため、できるだけ配線回
路基板２の端部まで形成しておくことが好ましい。
なく、例えば下地層３を形成する材料がペースト状のも
のである場合には、スクリーン印刷等の方法を用いるこ
とができ、また下地層３を形成する材料がフィルム状に
成形されたものである場合には、熱圧着などの方法によ
って形成できる。下地層３の材料が感光性機能を具備す
るものであるので、例えば図１（ａ）に示すように配線
回路基板２上の全面に形成してもよい。なお、下地層３
は、後の電解メッキにおける給電層として作用するが、
その際の給電を行いやすくするため、できるだけ配線回
路基板２の端部まで形成しておくことが好ましい。
【００１４】次に、前記下地層３に重なるように感光性
のメッキレジスト層５を形成する。ここで用いるメッキ
レジスト層５の材料としては特に指定はなく、使用する
電解メッキ液の性質によって、市販材料を適宜選択す
る。メッキレジスト層５の形成に際しては、例えば、メ
ッキレジスト層５の材料がペースト状であって、メッキ
皮膜を形成する箇所４を含み、且つ下地層３に重なるよ
うにメッキレジスト層５を形成した後［図１（ｂ）］、
露光・現像にてメッキ皮膜を形成する箇所４のメッキレ
ジスト層５及び下地層３を所定の条件にて図１（ｃ）の
ように除去する。
のメッキレジスト層５を形成する。ここで用いるメッキ
レジスト層５の材料としては特に指定はなく、使用する
電解メッキ液の性質によって、市販材料を適宜選択す
る。メッキレジスト層５の形成に際しては、例えば、メ
ッキレジスト層５の材料がペースト状であって、メッキ
皮膜を形成する箇所４を含み、且つ下地層３に重なるよ
うにメッキレジスト層５を形成した後［図１（ｂ）］、
露光・現像にてメッキ皮膜を形成する箇所４のメッキレ
ジスト層５及び下地層３を所定の条件にて図１（ｃ）の
ように除去する。
【００１５】次いで、前記下地層３を給電層として電解
メッキを行い、メッキレジスト層５が形成されていない
箇所の独立導電回路パターン１上に図１（ｄ）のように
金属を析出させる。図中６は金属が析出した部分で、独
立導電回路パターン１上以外のメッキレジスト層５で覆
われていない下地層３上にも析出する。この析出させる
金属は、Ａｕ、Ｓｎなどで接続仕様に応じて適宜選択す
る。
メッキを行い、メッキレジスト層５が形成されていない
箇所の独立導電回路パターン１上に図１（ｄ）のように
金属を析出させる。図中６は金属が析出した部分で、独
立導電回路パターン１上以外のメッキレジスト層５で覆
われていない下地層３上にも析出する。この析出させる
金属は、Ａｕ、Ｓｎなどで接続仕様に応じて適宜選択す
る。
【００１６】次に、配線回路基板２の上に残された下地
層３並びにメッキレジスト層５を所定の条件（熱または
溶剤またはアルカリ）によって剥離し、図１（ｅ）のよ
うに所望のメッキ皮膜７を形成する。なお、下地層３を
熱によって剥離を行う場合、条件によってメッキ皮膜７
の表面を酸化させてしまうことがあるので、剥離後にジ
メチルアミンボランなどの中性溶剤にて還元処理等を適
宜実施することが望ましい。
層３並びにメッキレジスト層５を所定の条件（熱または
溶剤またはアルカリ）によって剥離し、図１（ｅ）のよ
うに所望のメッキ皮膜７を形成する。なお、下地層３を
熱によって剥離を行う場合、条件によってメッキ皮膜７
の表面を酸化させてしまうことがあるので、剥離後にジ
メチルアミンボランなどの中性溶剤にて還元処理等を適
宜実施することが望ましい。
【００１７】
【実施例】以下に、本発明に係る独立回路へのメッキ方
法の実施例を挙げて詳しく説明する。
法の実施例を挙げて詳しく説明する。
【００１８】（実施例１）
独立導体回路パターン１が銅上にニッケル被覆したもの
で形成されたプリント配線回路基板２を準備し、図１の
工程に従ってサンプルを作成した。まず、感光性機能を
具備し、且つアルカリ剥離可能な樹脂にカーボン粒子を
分散・混練した導電性ペーストを用意し、前記配線回路
基板２の全面にスクリーン印刷法を用いて下地層３を形
成した。次いで、市販のアルカリ剥離型で感光性のペー
スト状メッキレジストを、配線回路基板２の端部を除く
全面にスクリーン印刷法により印刷し、メッキレジスト
層５を形成した。
で形成されたプリント配線回路基板２を準備し、図１の
工程に従ってサンプルを作成した。まず、感光性機能を
具備し、且つアルカリ剥離可能な樹脂にカーボン粒子を
分散・混練した導電性ペーストを用意し、前記配線回路
基板２の全面にスクリーン印刷法を用いて下地層３を形
成した。次いで、市販のアルカリ剥離型で感光性のペー
スト状メッキレジストを、配線回路基板２の端部を除く
全面にスクリーン印刷法により印刷し、メッキレジスト
層５を形成した。
【００１９】次に、メッキレジスト層５並びに下地層３
を同時に露光・現像することにより、メッキ皮膜を形成
する箇所４に５０μｍφのブラインドビアホールを形成
した。そして下地層３を給電層として活用し、電気錫メ
ッキを１０μｍ施し、ブラインドビアホール内に金属錫
を析出させた。次いで、水酸化ナトリウム水溶液を用い
て配線回路基板２に残されたメッキレジスト層５並びに
下地層３を同時に剥離し、錫のメッキ皮膜７の形成を終
了した。本実施例では、酸等によるエッチング処理を用
いないので、独立導体回路パターンへのダメージを与え
ることがなく、所望のメッキ皮膜７を得ることができ
た。なお、本実施例ではアルカリ剥離型の感光性の下地
層３を用いたので、実施例１比べて剥離工程の短縮化が
図れた。
を同時に露光・現像することにより、メッキ皮膜を形成
する箇所４に５０μｍφのブラインドビアホールを形成
した。そして下地層３を給電層として活用し、電気錫メ
ッキを１０μｍ施し、ブラインドビアホール内に金属錫
を析出させた。次いで、水酸化ナトリウム水溶液を用い
て配線回路基板２に残されたメッキレジスト層５並びに
下地層３を同時に剥離し、錫のメッキ皮膜７の形成を終
了した。本実施例では、酸等によるエッチング処理を用
いないので、独立導体回路パターンへのダメージを与え
ることがなく、所望のメッキ皮膜７を得ることができ
た。なお、本実施例ではアルカリ剥離型の感光性の下地
層３を用いたので、実施例１比べて剥離工程の短縮化が
図れた。
【００２０】（実施例２）
独立導体回路パターン１が銅上にニッケル被覆したもの
で形成されたセラミック配線回路基板２を準備し、図１
の工程に従ってサンプルを作成した。まず感光性機能を
具備し、且つ溶剤剥離可能な樹脂に銅粒子を分散・混練
した導電性ペーストを用意し、前記配線回路基板２の全
面にスクリーン印刷法を用いて下地層３を形成した。次
いで市販の溶剤剥離型で感光性のペースト状メッキレジ
ストを、配線回路基板２の端部を除く全面にスクリーン
印刷法により印刷し、メッキレジスト層５を形成した。
で形成されたセラミック配線回路基板２を準備し、図１
の工程に従ってサンプルを作成した。まず感光性機能を
具備し、且つ溶剤剥離可能な樹脂に銅粒子を分散・混練
した導電性ペーストを用意し、前記配線回路基板２の全
面にスクリーン印刷法を用いて下地層３を形成した。次
いで市販の溶剤剥離型で感光性のペースト状メッキレジ
ストを、配線回路基板２の端部を除く全面にスクリーン
印刷法により印刷し、メッキレジスト層５を形成した。
【００２１】次に、メッキレジスト層５並びに下地層３
を同時に露光・現像することにより、メッキ皮膜を形成
する箇所４に５０μｍφのブラインドビアホールを形成
した。そして下地層３を給電用として活用し、電解金メ
ッキを１０μｍ施し、ブラインドビアホール内に金を析
出させた。次いで、ＭＥＫを用いて配線回路基板２上に
残されたメッキレジスト層５並びにに下地層３を同時に
剥離し、金メッキ皮膜の形成を終了した。本実施例で
は、酸等によるエッチング処理を用いないので、独立導
体回路パターン１へのダメージを与えることがなく、所
望のメッキ皮膜を得ることができた。なお、本実施例で
は溶剤剥離型の感光性の下地層３を用いたので、実施例
１に比べて剥離工程の短縮化が図れた。
を同時に露光・現像することにより、メッキ皮膜を形成
する箇所４に５０μｍφのブラインドビアホールを形成
した。そして下地層３を給電用として活用し、電解金メ
ッキを１０μｍ施し、ブラインドビアホール内に金を析
出させた。次いで、ＭＥＫを用いて配線回路基板２上に
残されたメッキレジスト層５並びにに下地層３を同時に
剥離し、金メッキ皮膜の形成を終了した。本実施例で
は、酸等によるエッチング処理を用いないので、独立導
体回路パターン１へのダメージを与えることがなく、所
望のメッキ皮膜を得ることができた。なお、本実施例で
は溶剤剥離型の感光性の下地層３を用いたので、実施例
１に比べて剥離工程の短縮化が図れた。
【００２２】
【発明の効果】本発明は叙述のように従来のようにダミ
ー導体回路を用いないで下地層で給電して電解メッキで
独立導体回路パターンにメッキ皮膜を形成でき、しかも
下地層は熱または溶剤またはアルカリの手法で剥離でき
て従来のダミー導体回路パターンのように強酸等による
エッチングを要しないものであって、必要な導体回路パ
ターンの損傷を回避し、所望のメッキ皮膜を安定して形
成できるという効果を有するものである。
ー導体回路を用いないで下地層で給電して電解メッキで
独立導体回路パターンにメッキ皮膜を形成でき、しかも
下地層は熱または溶剤またはアルカリの手法で剥離でき
て従来のダミー導体回路パターンのように強酸等による
エッチングを要しないものであって、必要な導体回路パ
ターンの損傷を回避し、所望のメッキ皮膜を安定して形
成できるという効果を有するものである。
【図１】本発明の独立回路へのメッキ方法の一例の工程
を説明する断面図である。
を説明する断面図である。
１ 独立導体回路パターン
２ 配線回路基板
３ 下地層
４ メッキ皮膜を形成する箇所
５ メッキレジスト層
７ メッキ皮膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭62−214690（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−153891（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−334313（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H05K 3/18
H05K 1/09
H05K 3/24
Claims (3)
- 【請求項１】 配線回路基板の独立導体回路パターン上
に電解メッキ法でメッキを施す方法であって、導電性を
有し且つ熱または溶剤またはアルカリの何れかの手法に
て剥離可能な材料よりなり且つ感光性機能を有する下地
層を、メッキ皮膜の形成を要する独立導体回路パターン
に少なくとも接するように配線回路基板上に形成する工
程と、少なくともメッキ皮膜の形成を要する部分を含
み、且つ前記下地層に重なるように感光性のメッキレジ
スト層を形成する工程と、露光・現像によりメッキ皮膜
の形成を要する箇所の感光性のメッキレジスト層及び下
地層を除去する工程と、前記下地層を給電層として電解
メッキを行って感光性のメッキレジスト層を除去した箇
所に金属の析出を行う工程と、配線回路基板上に残され
た下地層並びにメッキレジスト層を剥離する工程とを有
することを特徴とする独立回路へのメッキ方法。 - 【請求項２】 下地層に導電性フィラーを含むことを特
徴とする請求項１記載の独立回路へのメッキ方法。 - 【請求項３】 導電性フィラーとして少なくともカーボ
ン、銅、銀のうち何れか１つ以上含むことを特徴とする
請求項２記載の独立回路へのメッキ方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21170196A JP3405640B2 (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | 独立回路へのメッキ方法 |
| CN97191063A CN1104832C (zh) | 1996-08-09 | 1997-08-07 | 独立导体电路电镀的方法 |
| GB9807238A GB2321908B (en) | 1996-08-09 | 1997-08-07 | Process of plating on isolated conductor circuit |
| PCT/JP1997/002769 WO1998007302A1 (fr) | 1996-08-09 | 1997-08-07 | Procede de placage d'un circuit a conducteurs independants |
| US09/051,265 US6132588A (en) | 1996-08-09 | 1997-08-07 | Method for plating independent conductor circuit |
| TW086111370A TW333739B (en) | 1996-08-09 | 1997-08-08 | The method for plating independent conductor circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21170196A JP3405640B2 (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | 独立回路へのメッキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1056253A JPH1056253A (ja) | 1998-02-24 |
| JP3405640B2 true JP3405640B2 (ja) | 2003-05-12 |
Family
ID=16610164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21170196A Expired - Fee Related JP3405640B2 (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | 独立回路へのメッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3405640B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4718305B2 (ja) * | 2005-11-09 | 2011-07-06 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板の製造方法および半導体装置の製造方法 |
-
1996
- 1996-08-09 JP JP21170196A patent/JP3405640B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1056253A (ja) | 1998-02-24 |
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