JPH1041597A - プリント配線板及びその製造方法 - Google Patents
プリント配線板及びその製造方法Info
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- JPH1041597A JPH1041597A JP19812996A JP19812996A JPH1041597A JP H1041597 A JPH1041597 A JP H1041597A JP 19812996 A JP19812996 A JP 19812996A JP 19812996 A JP19812996 A JP 19812996A JP H1041597 A JPH1041597 A JP H1041597A
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- conductor pattern
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- substrate
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 配線密度が高い場合等でも、導体パターンへ
の実装部品の接続を的確に行い、その接続状態を安定さ
せる。 【解決手段】フォトレジストパターン２間に形成される
パターンの横断面形状が、その絶縁性基板側の幅をＷ
ｚ，実装面側の幅をＷｇ，厚さをｔとしたときこれら
が、ｔ／２０＜（Ｗｇ−Ｗｚ）＜９ｔ／１０という条件
式を満足するように、フォトレジストパターン２を形成
し、これに対してメッキを施すことによりフォトレジス
トパターン間に導体パターン６を形成する。このとき、
フォトレジストパターン間の形状は前記条件式を満足す
るから、形成される導体パターン６も前記条件式を満足
する。よって、その横断面形状は逆台形状となり、導体
パターンの配線ピッチに対して実装面側の導体パターン
の幅が広くなるから、実装部品を接続する際に、ボンデ
ィングワイヤ等が打ち込みやすくなり、また、導体パタ
ーン間にバンプが落ち込むことが回避される。
の実装部品の接続を的確に行い、その接続状態を安定さ
せる。 【解決手段】フォトレジストパターン２間に形成される
パターンの横断面形状が、その絶縁性基板側の幅をＷ
ｚ，実装面側の幅をＷｇ，厚さをｔとしたときこれら
が、ｔ／２０＜（Ｗｇ−Ｗｚ）＜９ｔ／１０という条件
式を満足するように、フォトレジストパターン２を形成
し、これに対してメッキを施すことによりフォトレジス
トパターン間に導体パターン６を形成する。このとき、
フォトレジストパターン間の形状は前記条件式を満足す
るから、形成される導体パターン６も前記条件式を満足
する。よって、その横断面形状は逆台形状となり、導体
パターンの配線ピッチに対して実装面側の導体パターン
の幅が広くなるから、実装部品を接続する際に、ボンデ
ィングワイヤ等が打ち込みやすくなり、また、導体パタ
ーン間にバンプが落ち込むことが回避される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプリント配線板及び
その製造方法に関し、特に配線密度の高い、ＬＳＩの実
装基板等において、ＬＳＩ等を実装する際に、実装部品
との接続を的確に行うことの可能なプリント配線板及び
その製造方法に関する。
その製造方法に関し、特に配線密度の高い、ＬＳＩの実
装基板等において、ＬＳＩ等を実装する際に、実装部品
との接続を的確に行うことの可能なプリント配線板及び
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩをプリント配線板に実装す
る際には、ワイヤボンディング等により、ＬＳＩのベア
チップからリードフレームに端子を引き出し、樹脂でモ
ールドしたパッケージを用い、これをプリント配線板に
実装するようにしている。しかしながら、ＬＳＩの入出
力端子数が増加しているため、このようなパッケージで
は実装面積が大きくなってしまい、電子機器の小型化の
妨げになっている。
る際には、ワイヤボンディング等により、ＬＳＩのベア
チップからリードフレームに端子を引き出し、樹脂でモ
ールドしたパッケージを用い、これをプリント配線板に
実装するようにしている。しかしながら、ＬＳＩの入出
力端子数が増加しているため、このようなパッケージで
は実装面積が大きくなってしまい、電子機器の小型化の
妨げになっている。
【０００３】これを回避するために、プリント配線板の
表面にＬＳＩのベアチップを載せ、ワイヤボンディング
でプリント配線板とＬＳＩとを接続したり、或いは、ベ
アチップにバンプを形成し、ハンダ，異方性導電膜，或
いは導電性接着剤等でプリント配線板に接続する実装方
法が用いられている。
表面にＬＳＩのベアチップを載せ、ワイヤボンディング
でプリント配線板とＬＳＩとを接続したり、或いは、ベ
アチップにバンプを形成し、ハンダ，異方性導電膜，或
いは導電性接着剤等でプリント配線板に接続する実装方
法が用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のプリント配線板はエッチング法により作成され、一
般に、銅貼積層板の上にドライフィルムレジストでレジ
ストパターンを形成し、銅箔をエッチングすることによ
り導体パターンを形成するようになっている。このよう
にして形成したプリント配線板の導体パターンの横断面
形状は、このエッチングの特性上、特に配線密度が高く
なるのに従い、図４に示すように、絶縁性基板１１側の
導体パターン幅Ｗｚ′に比較して、これと対向する側、
つまり、実装部品等が実装される実装面側の導体パター
ン幅Ｗｇ′が必ず狭くなり、台形状となる。
来のプリント配線板はエッチング法により作成され、一
般に、銅貼積層板の上にドライフィルムレジストでレジ
ストパターンを形成し、銅箔をエッチングすることによ
り導体パターンを形成するようになっている。このよう
にして形成したプリント配線板の導体パターンの横断面
形状は、このエッチングの特性上、特に配線密度が高く
なるのに従い、図４に示すように、絶縁性基板１１側の
導体パターン幅Ｗｚ′に比較して、これと対向する側、
つまり、実装部品等が実装される実装面側の導体パター
ン幅Ｗｇ′が必ず狭くなり、台形状となる。
【０００５】そのため、配線密度が高い基板において
は、ワイヤボンディングやバンプ等により実装する際
に、新たな問題が発生している。例えば、実装面側の導
体パターン幅Ｗｇ′が、絶縁性基板側の導体パターン幅
Ｗｚ′に比較して狭くなっているため、配線ピッチＰ′
に対して、実装部品を接続することの可能な領域が狭く
なってしまい、接続が安定しないという問題がある。つ
まり、導体パターンの実装面側の幅Ｗｇ′が狭いため、
例えばワイヤボンディングによる接続時には、ずれ等に
よりワイヤが導体パターンの端部にかかると、接合部分
が倒れて剥がれてしまう場合がある。また、バンプにお
る接続時には、ずれ等によりバンプが導体パターンと導
体パターンとの間にはまりこむと、これら導体パターン
間でショートする可能性があるという問題がある。
は、ワイヤボンディングやバンプ等により実装する際
に、新たな問題が発生している。例えば、実装面側の導
体パターン幅Ｗｇ′が、絶縁性基板側の導体パターン幅
Ｗｚ′に比較して狭くなっているため、配線ピッチＰ′
に対して、実装部品を接続することの可能な領域が狭く
なってしまい、接続が安定しないという問題がある。つ
まり、導体パターンの実装面側の幅Ｗｇ′が狭いため、
例えばワイヤボンディングによる接続時には、ずれ等に
よりワイヤが導体パターンの端部にかかると、接合部分
が倒れて剥がれてしまう場合がある。また、バンプにお
る接続時には、ずれ等によりバンプが導体パターンと導
体パターンとの間にはまりこむと、これら導体パターン
間でショートする可能性があるという問題がある。
【０００６】そこで、この発明は、上記従来の問題に着
目してなされたものであり、導体パターンに対する、実
装部品などの接続を的確に行うことの可能な、プリント
配線板及びその製造方法を提供することを目的としてい
る。
目してなされたものであり、導体パターンに対する、実
装部品などの接続を的確に行うことの可能な、プリント
配線板及びその製造方法を提供することを目的としてい
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の請求項１に係るプリント配線板は、絶縁性
基板の表面に導体パターンが形成されているプリント配
線板において、前記導体パターンの横断面形状における
前記絶縁性基板側の幅をＷｚとし、前記導体パターンの
前記絶縁性基板と反対側の幅をＷｇとし、前記導体パタ
ーンの厚さをｔとしたとき、これらを、ｔ／２０＜（Ｗ
ｇ−Ｗｚ）＜９ｔ／１０を満足するように選定したこと
を特徴としている。
に、本発明の請求項１に係るプリント配線板は、絶縁性
基板の表面に導体パターンが形成されているプリント配
線板において、前記導体パターンの横断面形状における
前記絶縁性基板側の幅をＷｚとし、前記導体パターンの
前記絶縁性基板と反対側の幅をＷｇとし、前記導体パタ
ーンの厚さをｔとしたとき、これらを、ｔ／２０＜（Ｗ
ｇ−Ｗｚ）＜９ｔ／１０を満足するように選定したこと
を特徴としている。
【０００８】この請求項１の発明によれば、プリント配
線板において、その導体パターンの横断面形状が、導体
パターンの絶縁性基板側の幅に比較して、絶縁性基板と
は反対側、つまり部品等が実装される実装面側の幅の方
が広くなるように形成される。よって、導体パターンの
横断面形状は逆台形状となり、導体パターンの配線ピッ
チに対し、実装部品等を接続可能な導体パターンの幅が
大きいから、実装部品等を接続する際に、例えばボンデ
ィングワイヤ等の打ち込みが容易となり、また、バンプ
による実装の際には、バンプが導体パターン間に落ち込
むことが回避される。また、導体パターンの横断面形状
において、絶縁性基板側の幅Ｗｚ及びこれとは反対側、
つまり、実装面側の幅Ｗｇと、導体パターンの厚さｔと
を、導体パターンの絶縁性基板側の幅Ｗｚに比較して、
実装面側の幅Ｗｇが大きくなりすぎないように、且つ、
導体パターンの厚さｔに応じてこれら値が選定されて導
体パターンが形成される。
線板において、その導体パターンの横断面形状が、導体
パターンの絶縁性基板側の幅に比較して、絶縁性基板と
は反対側、つまり部品等が実装される実装面側の幅の方
が広くなるように形成される。よって、導体パターンの
横断面形状は逆台形状となり、導体パターンの配線ピッ
チに対し、実装部品等を接続可能な導体パターンの幅が
大きいから、実装部品等を接続する際に、例えばボンデ
ィングワイヤ等の打ち込みが容易となり、また、バンプ
による実装の際には、バンプが導体パターン間に落ち込
むことが回避される。また、導体パターンの横断面形状
において、絶縁性基板側の幅Ｗｚ及びこれとは反対側、
つまり、実装面側の幅Ｗｇと、導体パターンの厚さｔと
を、導体パターンの絶縁性基板側の幅Ｗｚに比較して、
実装面側の幅Ｗｇが大きくなりすぎないように、且つ、
導体パターンの厚さｔに応じてこれら値が選定されて導
体パターンが形成される。
【０００９】また、本発明の請求項２に係るプリント配
線板は、前記導体パターンの両側面に、当該導体パター
ンを支持する絶縁性物質を設けたことを特徴としてい
る。この請求項２の発明によれば、実装面側の幅Ｗｇに
比較して絶縁性基板側の幅Ｗｚが狭いと、多少導体パタ
ーンの安定性が悪いが、絶縁性基板上に形成されている
導体パターンの両側面に、この導体パターンを支持する
絶縁性物質が設けられるから、導体パターンの安定性が
向上する。
線板は、前記導体パターンの両側面に、当該導体パター
ンを支持する絶縁性物質を設けたことを特徴としてい
る。この請求項２の発明によれば、実装面側の幅Ｗｇに
比較して絶縁性基板側の幅Ｗｚが狭いと、多少導体パタ
ーンの安定性が悪いが、絶縁性基板上に形成されている
導体パターンの両側面に、この導体パターンを支持する
絶縁性物質が設けられるから、導体パターンの安定性が
向上する。
【００１０】さらに、本発明の請求項３に係るプリント
配線板の製造方法は、導電性基板上に所定の厚さのレジ
ストを形成するレジスト形成工程と、前記レジストに対
しマスクを介して露光し、これを現像してレジストパタ
ーンを形成するレジストパターン形成工程と、当該レジ
ストパターン形成工程後に前記導電性基板に通電し、前
記レジストパターン間に導電性金属からなる導体パター
ンを形成する導体パターン形成工程と、当該導体パター
ン形成工程後に前記レジストパターンを除去するレジス
ト除去工程と、絶縁性基板と前記導電性基板とを絶縁性
接着剤を介して且つ該絶縁性接着剤内に前記導体パター
ンが埋め込まれるように接着する接着工程と、当該接着
工程後に前記導電性基板を除去する基板除去工程と、を
備え、前記レジストパターン形成工程では、前記レジス
トパターン間の横断面形状が、その前記導電性基板側の
幅をＷｚ，前記導電性基板とは反対側の幅をＷｇ，厚さ
をｔとしたとき、ｔ／２０＜（Ｗｇ−Ｗｚ）＜９ｔ／１
０を満足する形状となるように露光するようにしたこと
を特徴としている。
配線板の製造方法は、導電性基板上に所定の厚さのレジ
ストを形成するレジスト形成工程と、前記レジストに対
しマスクを介して露光し、これを現像してレジストパタ
ーンを形成するレジストパターン形成工程と、当該レジ
ストパターン形成工程後に前記導電性基板に通電し、前
記レジストパターン間に導電性金属からなる導体パター
ンを形成する導体パターン形成工程と、当該導体パター
ン形成工程後に前記レジストパターンを除去するレジス
ト除去工程と、絶縁性基板と前記導電性基板とを絶縁性
接着剤を介して且つ該絶縁性接着剤内に前記導体パター
ンが埋め込まれるように接着する接着工程と、当該接着
工程後に前記導電性基板を除去する基板除去工程と、を
備え、前記レジストパターン形成工程では、前記レジス
トパターン間の横断面形状が、その前記導電性基板側の
幅をＷｚ，前記導電性基板とは反対側の幅をＷｇ，厚さ
をｔとしたとき、ｔ／２０＜（Ｗｇ−Ｗｚ）＜９ｔ／１
０を満足する形状となるように露光するようにしたこと
を特徴としている。
【００１１】この請求項３の発明によれば、導電性基板
上にその厚さが所定となるようにレジストが形成され、
このレジストに対し予め形成したマスクを介して露光が
行われその後現像される。これにより、導電性基板状に
所定のレジストパターンが形成され、この導電性基板に
対し、例えば電解溶液中で電気メッキを行う事などによ
り、レジストパターン間に導電性金属が形成される。こ
の導電性金属が形成された後、レジストパターンが除去
され、導電性基板上に導電性金属が形成された状態とな
り、この導電性金属が導体パターンとなる。そして、導
体パターンが形成された導電性基板と絶縁性基板とが、
例えばプリプレブ等の絶縁性接着剤を介して接着され、
このとき、絶縁性接着剤内に導体パターンが埋め込まれ
るように接着される。これにより、絶縁性接着剤が導体
パターンの周囲を覆うような状態となり、その後、導電
性基板が例えばエッチング等により除去されることによ
り、絶縁性基板状の絶縁性接着剤内に導体パターンが埋
め込まれたような状態のプリント配線板が形成される。
このとき、レジストパターン形成工程では、前記レジス
トパターン間に形成されるパターンの横断面形状につい
て、その前記導電性基板側の幅をＷｚ，前記導電性基板
とは反対側の幅をＷｇ，前記レジストパターンの厚さを
ｔとしたとき、ｔ／２０＜（Ｗｇ−Ｗｚ）＜９ｔ／１０
という条件を満足する形状となるように露光を行うか
ら、このレジストパターン間に形成される導体パターン
は前記条件を満足することになり、前記条件を満足する
導体パターンを有するプリント配線板が形成されること
になる。
上にその厚さが所定となるようにレジストが形成され、
このレジストに対し予め形成したマスクを介して露光が
行われその後現像される。これにより、導電性基板状に
所定のレジストパターンが形成され、この導電性基板に
対し、例えば電解溶液中で電気メッキを行う事などによ
り、レジストパターン間に導電性金属が形成される。こ
の導電性金属が形成された後、レジストパターンが除去
され、導電性基板上に導電性金属が形成された状態とな
り、この導電性金属が導体パターンとなる。そして、導
体パターンが形成された導電性基板と絶縁性基板とが、
例えばプリプレブ等の絶縁性接着剤を介して接着され、
このとき、絶縁性接着剤内に導体パターンが埋め込まれ
るように接着される。これにより、絶縁性接着剤が導体
パターンの周囲を覆うような状態となり、その後、導電
性基板が例えばエッチング等により除去されることによ
り、絶縁性基板状の絶縁性接着剤内に導体パターンが埋
め込まれたような状態のプリント配線板が形成される。
このとき、レジストパターン形成工程では、前記レジス
トパターン間に形成されるパターンの横断面形状につい
て、その前記導電性基板側の幅をＷｚ，前記導電性基板
とは反対側の幅をＷｇ，前記レジストパターンの厚さを
ｔとしたとき、ｔ／２０＜（Ｗｇ−Ｗｚ）＜９ｔ／１０
という条件を満足する形状となるように露光を行うか
ら、このレジストパターン間に形成される導体パターン
は前記条件を満足することになり、前記条件を満足する
導体パターンを有するプリント配線板が形成されること
になる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。まず、本発明の第１の実施の形態について説明す
る。
する。まず、本発明の第１の実施の形態について説明す
る。
【００１３】アルミ箔等で形成される厚さ１００〔μ
ｍ〕のアルミ基板の表面にジンケート処理を施した後、
アルミ基板表面にドライフィルムレジストを積層する。
次に、配線ピッチが５０〔μｍ〕，線幅が２５〔μ
ｍ〕、線間が２５〔μｍ〕として形成されているマスク
パターンを介し、例えば紫外線等により露光量５０〔ｍ
Ｊ／ｃｍ2 〕で露光した後、重量パーセント３％の炭酸
ソーダ水溶液で現像する。なお、ジンケート処理は、露
光時のアルミ箔表面からの乱反射を低減し、レジストパ
ターンの解像性を向上させるために行う。
ｍ〕のアルミ基板の表面にジンケート処理を施した後、
アルミ基板表面にドライフィルムレジストを積層する。
次に、配線ピッチが５０〔μｍ〕，線幅が２５〔μ
ｍ〕、線間が２５〔μｍ〕として形成されているマスク
パターンを介し、例えば紫外線等により露光量５０〔ｍ
Ｊ／ｃｍ2 〕で露光した後、重量パーセント３％の炭酸
ソーダ水溶液で現像する。なお、ジンケート処理は、露
光時のアルミ箔表面からの乱反射を低減し、レジストパ
ターンの解像性を向上させるために行う。
【００１４】この結果、図１（ａ）に示すように、アル
ミ基板１上にフォトレジストパターン２を得ることがで
き、このフォトレジストパターン２の横断面形状は、厚
さｔ R が２０〔μｍ〕，配線ピッチＰR が５０〔μ
ｍ〕，フォトレジストパターン２のアルミ基板１側とは
反対側の面である頭頂部の幅ＵＷR が２６〔μｍ〕，ア
ルミ基板１側の幅ＤＷR が２４〔μｍ〕である逆台形状
であった。
ミ基板１上にフォトレジストパターン２を得ることがで
き、このフォトレジストパターン２の横断面形状は、厚
さｔ R が２０〔μｍ〕，配線ピッチＰR が５０〔μ
ｍ〕，フォトレジストパターン２のアルミ基板１側とは
反対側の面である頭頂部の幅ＵＷR が２６〔μｍ〕，ア
ルミ基板１側の幅ＤＷR が２４〔μｍ〕である逆台形状
であった。
【００１５】次に、フォトレジストパターン２が形成さ
れたアルミ基板１に対して、電解ニッケルメッキ液によ
りニッケルを２〔μｍ〕メッキし、さらに、硫酸銅メッ
キ液により銅を１８〔μｍ〕メッキする。
れたアルミ基板１に対して、電解ニッケルメッキ液によ
りニッケルを２〔μｍ〕メッキし、さらに、硫酸銅メッ
キ液により銅を１８〔μｍ〕メッキする。
【００１６】この結果、図１（ｂ）に示すように、フォ
トレジストパターン間に、ニッケルが２〔μｍ〕メッキ
され、このメッキされたニッケル部３ａに、銅が１８
〔μｍ〕メッキされ、アルミ基板１側からニッケルメッ
キ部３ａ及び銅メッキ部３ｂで形成される金属層３が形
成された。この金属層３の厚さｔM はフォトレジストパ
ターン２の厚さｔR と一致し、アルミ基板１側とは反対
側の、フォトレジストパターン２及び金属層３から形成
される面は平面であった。
トレジストパターン間に、ニッケルが２〔μｍ〕メッキ
され、このメッキされたニッケル部３ａに、銅が１８
〔μｍ〕メッキされ、アルミ基板１側からニッケルメッ
キ部３ａ及び銅メッキ部３ｂで形成される金属層３が形
成された。この金属層３の厚さｔM はフォトレジストパ
ターン２の厚さｔR と一致し、アルミ基板１側とは反対
側の、フォトレジストパターン２及び金属層３から形成
される面は平面であった。
【００１７】次に、図１（ｃ）に示すように、フォトレ
ジストパターン２及び金属層３が形成されたアルミ基板
１と絶縁性基板５とを、銅メッキが施されている側、つ
まり、アルミ基板１とは反対側の面と絶縁性基板５とが
対向するように、プリプレグ４を介して真空プレス機で
接着する。次いで、アルミ基板１を１０％の塩酸で溶解
除去し、さらに、フォトレジストパターン２を重量パー
セント３％の苛性ソーダ水溶液で除去する。
ジストパターン２及び金属層３が形成されたアルミ基板
１と絶縁性基板５とを、銅メッキが施されている側、つ
まり、アルミ基板１とは反対側の面と絶縁性基板５とが
対向するように、プリプレグ４を介して真空プレス機で
接着する。次いで、アルミ基板１を１０％の塩酸で溶解
除去し、さらに、フォトレジストパターン２を重量パー
セント３％の苛性ソーダ水溶液で除去する。
【００１８】この結果、図１（ｄ）に示すように、絶縁
性基板５にプリプレグ４を介して、銅メッキ部３ｂ側が
接着された金属層３が形成された。次いで、この金属層
３が接着された絶縁性基板５においては、絶縁性基板５
とは反対側の金属層３の面はニッケルで覆われているの
で、電解金メッキ液によりメッキを行い、金を０．５
〔μｍ〕メッキする。
性基板５にプリプレグ４を介して、銅メッキ部３ｂ側が
接着された金属層３が形成された。次いで、この金属層
３が接着された絶縁性基板５においては、絶縁性基板５
とは反対側の金属層３の面はニッケルで覆われているの
で、電解金メッキ液によりメッキを行い、金を０．５
〔μｍ〕メッキする。
【００１９】これにより、ニッケルメッキ部３ａの銅メ
ッキ部３ｂ側とは逆側に０．５〔μｍ〕の金メッキが施
された状態となり、絶縁性基板５にプリプレグ４を介し
て、金メッキが施された金属層３からなる導体パターン
６が形成された（図１（ｅ））。この導体パターン６
は、配線ピッチＰが５０〔μｍ〕，実装面側、つまり、
金メッキが施された側の幅Ｗｇが２６〔μｍ〕，絶縁性
基板５側の幅Ｗｚが２４〔μｍ〕，厚さｔが２０〔μ
ｍ〕であった。
ッキ部３ｂ側とは逆側に０．５〔μｍ〕の金メッキが施
された状態となり、絶縁性基板５にプリプレグ４を介し
て、金メッキが施された金属層３からなる導体パターン
６が形成された（図１（ｅ））。この導体パターン６
は、配線ピッチＰが５０〔μｍ〕，実装面側、つまり、
金メッキが施された側の幅Ｗｇが２６〔μｍ〕，絶縁性
基板５側の幅Ｗｚが２４〔μｍ〕，厚さｔが２０〔μ
ｍ〕であった。
【００２０】このようにして絶縁性基板５に導体パター
ン６が形成されたプリント配線板７に、ワイヤボンディ
ングによって３００ピンのＬＳＩのベアチップを実装
し、実装後、ボンディング状態を確認したところ、ワイ
ヤの外れ等の異常は、３００ピン中０ピンであった。
ン６が形成されたプリント配線板７に、ワイヤボンディ
ングによって３００ピンのＬＳＩのベアチップを実装
し、実装後、ボンディング状態を確認したところ、ワイ
ヤの外れ等の異常は、３００ピン中０ピンであった。
【００２１】また、３００ピンのＬＳＩのベアチップに
バンプを形成し、導電性接着剤で実装し、実装後、バン
プの接続状態を確認したところ、導体パターン間へのバ
ンプの落ち込み等の異常は、３００ピン中０ピンであっ
た。
バンプを形成し、導電性接着剤で実装し、実装後、バン
プの接続状態を確認したところ、導体パターン間へのバ
ンプの落ち込み等の異常は、３００ピン中０ピンであっ
た。
【００２２】また、ＬＳＩのベアチップを実装した後
の、導体パターンの倒れは、３００ピン中０ピンであっ
た。なお、導体パターンの倒れとは、図２に示すよう
に、導体パターンがねじれ方向に倒れることを表す。
の、導体パターンの倒れは、３００ピン中０ピンであっ
た。なお、導体パターンの倒れとは、図２に示すよう
に、導体パターンがねじれ方向に倒れることを表す。
【００２３】したがって、導体パターン６の実装面側の
幅Ｗｇは２６〔μｍ〕，絶縁性基板５側の幅Ｗｚは２４
〔μｍ〕，厚さｔは２０〔μｍ〕であり、次の条件式
（１）を満足している。よって、導体パターン６が条件
式（１）を満足するから、この導体パターン６に対して
実装備品等接続する際に、良好な接続状態を得ることが
できる。
幅Ｗｇは２６〔μｍ〕，絶縁性基板５側の幅Ｗｚは２４
〔μｍ〕，厚さｔは２０〔μｍ〕であり、次の条件式
（１）を満足している。よって、導体パターン６が条件
式（１）を満足するから、この導体パターン６に対して
実装備品等接続する際に、良好な接続状態を得ることが
できる。
【００２４】 ｔ／２０＜（Ｗｇ−Ｗｚ）＜９ｔ／１０ ……（１） 次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。こ
の第２の実施の形態は、上記第１の実施の形態におい
て、露光量が異なること以外は同一である。
の第２の実施の形態は、上記第１の実施の形態におい
て、露光量が異なること以外は同一である。
【００２５】上記第１の実施の形態と同様に、厚さ１０
０〔μｍ〕のアルミ基板１の表面にジンケート処理を施
した後、アルミ基板表面にドライフィルムレジストを積
層し、配線ピッチが５０〔μｍ〕，線幅が２５〔μ
ｍ〕、線間が２５〔μｍ〕として形成されているマスク
パターンを介し、露光量３０〔ｍＪ／ｃｍ2 〕で露光し
た後、重量パーセント３％の炭酸ソーダ水溶液で現像し
た。
０〔μｍ〕のアルミ基板１の表面にジンケート処理を施
した後、アルミ基板表面にドライフィルムレジストを積
層し、配線ピッチが５０〔μｍ〕，線幅が２５〔μ
ｍ〕、線間が２５〔μｍ〕として形成されているマスク
パターンを介し、露光量３０〔ｍＪ／ｃｍ2 〕で露光し
た後、重量パーセント３％の炭酸ソーダ水溶液で現像し
た。
【００２６】この結果、アルミ基板１上に、厚さｔR が
２０〔μｍ〕，配線ピッチＰR が５０〔μｍ〕，頭頂部
の幅ＵＷR が３３〔μｍ〕，アルミ基板１側の幅ＤＷR
が１７〔μｍ〕であって、その横断面形状が逆台形状の
フォトレジストパターン２が形成された（図１
（ａ））。
２０〔μｍ〕，配線ピッチＰR が５０〔μｍ〕，頭頂部
の幅ＵＷR が３３〔μｍ〕，アルミ基板１側の幅ＤＷR
が１７〔μｍ〕であって、その横断面形状が逆台形状の
フォトレジストパターン２が形成された（図１
（ａ））。
【００２７】次に、フォトレジストパターン２が形成さ
れたアルミ基板１に対して、電解ニッケルメッキ液によ
りニッケルを２〔μｍ〕メッキし、さらに、硫酸銅メッ
キ液により銅を１８〔μｍ〕メッキした。
れたアルミ基板１に対して、電解ニッケルメッキ液によ
りニッケルを２〔μｍ〕メッキし、さらに、硫酸銅メッ
キ液により銅を１８〔μｍ〕メッキした。
【００２８】この結果、図１（ｂ）に示すように、フォ
トレジストパターン間に、アルミ基板１側からニッケル
２〔μｍ〕，銅１８〔μｍ〕がメッキされ、ニッケルメ
ッキ部３ａ及び銅メッキ部３ｂで形成される金属層３が
形成され、この金属層３の厚さｔM はフォトレジストパ
ターン２の厚さｔR と一致し、アルミ基板１とは反対側
の、フォトレジストパターン２及び金属層３から形成さ
れる面は平面であった。
トレジストパターン間に、アルミ基板１側からニッケル
２〔μｍ〕，銅１８〔μｍ〕がメッキされ、ニッケルメ
ッキ部３ａ及び銅メッキ部３ｂで形成される金属層３が
形成され、この金属層３の厚さｔM はフォトレジストパ
ターン２の厚さｔR と一致し、アルミ基板１とは反対側
の、フォトレジストパターン２及び金属層３から形成さ
れる面は平面であった。
【００２９】次に、フォトレジストパターン２及び金属
層３が形成されたアルミ基板１を、アルミ基板１と絶縁
性基板５とを、銅メッキが施されている側と絶縁性基板
５とが対向するように、プリプレグ４を介して真空プレ
ス機で接着し（図１（ｃ））、次に、アルミ基板１を１
０％の塩酸で溶解除去し、さらに、フォトレジストパタ
ーン２を重量パーセント３％の苛性ソーダ水溶液で除去
した。
層３が形成されたアルミ基板１を、アルミ基板１と絶縁
性基板５とを、銅メッキが施されている側と絶縁性基板
５とが対向するように、プリプレグ４を介して真空プレ
ス機で接着し（図１（ｃ））、次に、アルミ基板１を１
０％の塩酸で溶解除去し、さらに、フォトレジストパタ
ーン２を重量パーセント３％の苛性ソーダ水溶液で除去
した。
【００３０】この結果、図１（ｄ）に示すように、絶縁
性基板５にプリプレグ４を介して、銅メッキ部３ｂ側が
接着された金属層３が形成された。次に、この金属層３
が形成された絶縁性基板５に対し電解金メッキ液により
金を０．５〔μｍ〕メッキした。これにより、ニッケル
メッキ部３ａの銅メッキ部３ｂとは逆側に０．５〔μ
ｍ〕のメッキが施され、絶縁性基板５にプリプレグ４を
介して、金属層３に金メッキが施された導体パターン６
が形成された（図１（ｅ））。この導体パターン６は、
配線ピッチＰが５０〔μｍ〕，実装面側の幅Ｗｇが３３
〔μｍ〕，絶縁性基板５側の幅Ｗｚが１７〔μｍ〕，厚
さｔが２０〔μｍ〕であった。
性基板５にプリプレグ４を介して、銅メッキ部３ｂ側が
接着された金属層３が形成された。次に、この金属層３
が形成された絶縁性基板５に対し電解金メッキ液により
金を０．５〔μｍ〕メッキした。これにより、ニッケル
メッキ部３ａの銅メッキ部３ｂとは逆側に０．５〔μ
ｍ〕のメッキが施され、絶縁性基板５にプリプレグ４を
介して、金属層３に金メッキが施された導体パターン６
が形成された（図１（ｅ））。この導体パターン６は、
配線ピッチＰが５０〔μｍ〕，実装面側の幅Ｗｇが３３
〔μｍ〕，絶縁性基板５側の幅Ｗｚが１７〔μｍ〕，厚
さｔが２０〔μｍ〕であった。
【００３１】このようにして絶縁性基板５に導体パター
ン６が形成されたプリント配線板７に、ワイヤボンディ
ングによって３００ピンのＬＳＩのベアチップを実装
し、実装後、ボンディング状態を確認したところ、ワイ
ヤの外れ等の異常は、３００ピン中０ピンであった。
ン６が形成されたプリント配線板７に、ワイヤボンディ
ングによって３００ピンのＬＳＩのベアチップを実装
し、実装後、ボンディング状態を確認したところ、ワイ
ヤの外れ等の異常は、３００ピン中０ピンであった。
【００３２】また、３００ピンのＬＳＩのベアチップに
バンプを形成し、導電性接着剤で実装し、実装後、バン
プの接続状態を確認したところ、導体パターン間へのバ
ンプの落ち込み等の異常は、３００ピン中０ピンであっ
た。
バンプを形成し、導電性接着剤で実装し、実装後、バン
プの接続状態を確認したところ、導体パターン間へのバ
ンプの落ち込み等の異常は、３００ピン中０ピンであっ
た。
【００３３】また、ＬＳＩのベアチップを実装した後
の、導体パターンの倒れは、３００ピン中１ピンであっ
た。したがって、導体パターン６の実装面側の幅Ｗｇは
３３〔μｍ〕，絶縁性基板５側の幅Ｗｚは１７〔μ
ｍ〕，厚さｔは２０〔μｍ〕であり、前記条件式（１）
を満足している。よって、導体パターン６が前記条件式
（１）を満足するから、この導体パターン６に対して実
装分品等を接続する際に、良好な接続状態を得ることが
できる。
の、導体パターンの倒れは、３００ピン中１ピンであっ
た。したがって、導体パターン６の実装面側の幅Ｗｇは
３３〔μｍ〕，絶縁性基板５側の幅Ｗｚは１７〔μ
ｍ〕，厚さｔは２０〔μｍ〕であり、前記条件式（１）
を満足している。よって、導体パターン６が前記条件式
（１）を満足するから、この導体パターン６に対して実
装分品等を接続する際に、良好な接続状態を得ることが
できる。
【００３４】次に、本発明の第３の実施の形態を説明す
る。この第３の実施の形態は、上記第２の実施の形態に
おいて、金属層３を形成した後フォトレジストパターン
２を除去するようにしたこと以外は同一である。
る。この第３の実施の形態は、上記第２の実施の形態に
おいて、金属層３を形成した後フォトレジストパターン
２を除去するようにしたこと以外は同一である。
【００３５】上記第２の実施の形態と同様に、厚さ１０
０〔μｍ〕のアルミ基板（導電性基板）１の表面にジン
ケート処理を施した後、アルミ基板表面にドライフィル
ムレジストを積層し、配線ピッチが５０〔μｍ〕，線幅
が２５〔μｍ〕、線間が２５〔μｍ〕として形成されて
いるマスクパターンを介し、露光量３０〔ｍＪ／ｃ
ｍ 2 〕で露光し、重量パーセント３％の炭酸ソーダ水溶
液で現像した。
０〔μｍ〕のアルミ基板（導電性基板）１の表面にジン
ケート処理を施した後、アルミ基板表面にドライフィル
ムレジストを積層し、配線ピッチが５０〔μｍ〕，線幅
が２５〔μｍ〕、線間が２５〔μｍ〕として形成されて
いるマスクパターンを介し、露光量３０〔ｍＪ／ｃ
ｍ 2 〕で露光し、重量パーセント３％の炭酸ソーダ水溶
液で現像した。
【００３６】この結果、アルミ基板１上に、厚さｔR が
２０〔μｍ〕，配線ピッチＰR が５０〔μｍ〕，頭頂部
の幅ＵＷR が３３〔μｍ〕，アルミ基板１側の幅ＤＷR
が１７〔μｍ〕であって、その横断面形状が逆台形状の
フォトレジストパターン２が形成された（図３（ａ），
レジスト形成工程，レジストパターン形成工程）。
２０〔μｍ〕，配線ピッチＰR が５０〔μｍ〕，頭頂部
の幅ＵＷR が３３〔μｍ〕，アルミ基板１側の幅ＤＷR
が１７〔μｍ〕であって、その横断面形状が逆台形状の
フォトレジストパターン２が形成された（図３（ａ），
レジスト形成工程，レジストパターン形成工程）。
【００３７】次に、フォトレジストパターン２が形成さ
れたアルミ基板１に対して、電解ニッケルメッキ液によ
りニッケルを２〔μｍ〕メッキし、さらに、硫酸銅メッ
キ液により銅を１８〔μｍ〕メッキした（導体パターン
形成工程）。
れたアルミ基板１に対して、電解ニッケルメッキ液によ
りニッケルを２〔μｍ〕メッキし、さらに、硫酸銅メッ
キ液により銅を１８〔μｍ〕メッキした（導体パターン
形成工程）。
【００３８】この結果、図３（ｂ）に示すように、フォ
トレジストパターン間に、アルミ基板１側からニッケル
２〔μｍ〕，銅１８〔μｍ〕がメッキされ、ニッケルメ
ッキ部３ａ及び銅メッキ部３ｂで形成される金属層３が
形成され、この金属層３の厚さｔM はフォトレジストパ
ターン２の厚さｔR と一致し、アルミ基板１とは反対側
の、フォトレジストパターン２及び金属層３から形成さ
れる面は平面であった。
トレジストパターン間に、アルミ基板１側からニッケル
２〔μｍ〕，銅１８〔μｍ〕がメッキされ、ニッケルメ
ッキ部３ａ及び銅メッキ部３ｂで形成される金属層３が
形成され、この金属層３の厚さｔM はフォトレジストパ
ターン２の厚さｔR と一致し、アルミ基板１とは反対側
の、フォトレジストパターン２及び金属層３から形成さ
れる面は平面であった。
【００３９】次に、アルミ基板１に形成されているフォ
トレジストパターン２を重量パーセント３％の苛性ソー
ダ水溶液で除去し（図３（ｃ），レジスト除去工
程））、銅メッキ部３ｂと絶縁性基板５とが対向するよ
うに、プリプレグ（絶縁性物質，絶縁性接着剤）４を介
して、アルミ基板１と絶縁性基板５とを真空プレス機で
接着し（図３（ｄ），接着工程））、次いで、アルミ基
板１を１０％の塩酸で溶解除去した（基板除去工程）。
トレジストパターン２を重量パーセント３％の苛性ソー
ダ水溶液で除去し（図３（ｃ），レジスト除去工
程））、銅メッキ部３ｂと絶縁性基板５とが対向するよ
うに、プリプレグ（絶縁性物質，絶縁性接着剤）４を介
して、アルミ基板１と絶縁性基板５とを真空プレス機で
接着し（図３（ｄ），接着工程））、次いで、アルミ基
板１を１０％の塩酸で溶解除去した（基板除去工程）。
【００４０】この結果、金属層３がプリプレグ４内に埋
め込まれるように、金属層３の側面がプリプレグ４に覆
われた状態で、絶縁性基板５と金属層３とが接着され
た。次に、この金属層３が形成された絶縁性基板５に対
して電解金メッキ液により金を０．５〔μｍ〕メッキし
た。これにより、金属層３の表面つまりニッケルメッキ
部３ａに０．５〔μｍ〕のメッキが施され、プリプレグ
４内に埋め込まれた状態の金属層３の表面に金メッキが
施されて形成される導体パターン６が、絶縁性基板５に
形成された（図３（ｅ））。この導体パターン６は、配
線ピッチＰが５０〔μｍ〕，実装面側の幅Ｗｇが３３
〔μｍ〕，絶縁性基板５側の幅Ｗｚが１７〔μｍ〕，厚
さｔが２０〔μｍ〕であった。
め込まれるように、金属層３の側面がプリプレグ４に覆
われた状態で、絶縁性基板５と金属層３とが接着され
た。次に、この金属層３が形成された絶縁性基板５に対
して電解金メッキ液により金を０．５〔μｍ〕メッキし
た。これにより、金属層３の表面つまりニッケルメッキ
部３ａに０．５〔μｍ〕のメッキが施され、プリプレグ
４内に埋め込まれた状態の金属層３の表面に金メッキが
施されて形成される導体パターン６が、絶縁性基板５に
形成された（図３（ｅ））。この導体パターン６は、配
線ピッチＰが５０〔μｍ〕，実装面側の幅Ｗｇが３３
〔μｍ〕，絶縁性基板５側の幅Ｗｚが１７〔μｍ〕，厚
さｔが２０〔μｍ〕であった。
【００４１】このようにして絶縁性基板５に導体パター
ン６が形成されたプリント配線板７に、ワイヤボンディ
ングによって３００ピンのＬＳＩのベアチップを実装
し、実装後、ボンディング状態を確認したところ、ワイ
ヤの外れ等の異常は、３００ピン中０ピンであった。
ン６が形成されたプリント配線板７に、ワイヤボンディ
ングによって３００ピンのＬＳＩのベアチップを実装
し、実装後、ボンディング状態を確認したところ、ワイ
ヤの外れ等の異常は、３００ピン中０ピンであった。
【００４２】また、３００ピンのＬＳＩのベアチップに
バンプを形成し、導電性接着剤で実装し、実装後、バン
プの接続状態を確認したところ、導体パターン間へのバ
ンプの落ち込み等の異常は、３００ピン中０ピンであっ
た。
バンプを形成し、導電性接着剤で実装し、実装後、バン
プの接続状態を確認したところ、導体パターン間へのバ
ンプの落ち込み等の異常は、３００ピン中０ピンであっ
た。
【００４３】また、ＬＳＩのベアチップを実装した後
の、導体パターンの倒れは、３００ピン中０ピンであっ
た。したがって、導体パターン６の実装面側の幅Ｗｇは
３３〔μｍ〕，絶縁性基板５側の幅Ｗｚは１７〔μ
ｍ〕，厚さｔは２０〔μｍ〕であり、前記条件式（１）
を満足している。よって、導体パターン６が前記条件式
（１）を満足するから、この導体パターン６に対して実
装部品等を接続する際に、良好な接続状態を得ることが
できる。
の、導体パターンの倒れは、３００ピン中０ピンであっ
た。したがって、導体パターン６の実装面側の幅Ｗｇは
３３〔μｍ〕，絶縁性基板５側の幅Ｗｚは１７〔μ
ｍ〕，厚さｔは２０〔μｍ〕であり、前記条件式（１）
を満足している。よって、導体パターン６が前記条件式
（１）を満足するから、この導体パターン６に対して実
装部品等を接続する際に、良好な接続状態を得ることが
できる。
【００４４】また、導体パターン６をプリプレグ４内に
埋め込まれた状態に形成し、導体パターン６の両側面を
プリプレグ４で覆ってこれにより導体パターン６を支え
るようにしたから、実装時の導体パターンの倒れを防止
できることが確認できた。
埋め込まれた状態に形成し、導体パターン６の両側面を
プリプレグ４で覆ってこれにより導体パターン６を支え
るようにしたから、実装時の導体パターンの倒れを防止
できることが確認できた。
【００４５】したがって、上記第１〜第３の実施の形態
に示すように、導体パターン６の実装面側の幅Ｗｇが絶
縁性基板側の幅Ｗｚよりも大きくなるように導体パター
ン６を形成しているから、実装面において配線ピッチＰ
に比較して導体パターン６の実装面側の幅Ｗｇが占める
割合が大きくなり、ワイヤボンディングやバンプによっ
て、ＬＳＩ等を接続する場合、導体パターン６への接続
をより確実に行うことができる。
に示すように、導体パターン６の実装面側の幅Ｗｇが絶
縁性基板側の幅Ｗｚよりも大きくなるように導体パター
ン６を形成しているから、実装面において配線ピッチＰ
に比較して導体パターン６の実装面側の幅Ｗｇが占める
割合が大きくなり、ワイヤボンディングやバンプによっ
て、ＬＳＩ等を接続する場合、導体パターン６への接続
をより確実に行うことができる。
【００４６】また、第３の実施の形態の場合には、図３
（ｅ）に示すように、導体パターン６をプリプレグ４内
に埋め込むように形成し、実装面側は平面となるから、
導体パターン６への接続時に、導体パターン６に対して
外部から力が加わる場合でも、プリプレグ４が支えとな
って導体パターン６が転倒することはなく、また、導体
パターン６の端部に実装部品等が接続される場合でもそ
の接合部分が倒れて剥がれることはない。また、バンプ
による接続の際には、バンプが導体パターン間に落ち込
むことを回避することができる。
（ｅ）に示すように、導体パターン６をプリプレグ４内
に埋め込むように形成し、実装面側は平面となるから、
導体パターン６への接続時に、導体パターン６に対して
外部から力が加わる場合でも、プリプレグ４が支えとな
って導体パターン６が転倒することはなく、また、導体
パターン６の端部に実装部品等が接続される場合でもそ
の接合部分が倒れて剥がれることはない。また、バンプ
による接続の際には、バンプが導体パターン間に落ち込
むことを回避することができる。
【００４７】また、上記各実施の形態によれば、フォト
レジストパターン間に、導体パターン６となる金属層３
を形成するようにしているから、金属層３を形成する際
には、このフォトレジストパターン２がメッキが横方向
へ成長することを規制することになり、フォトレジスト
パターン間に金属層３を形成するだけで、処理工程を複
雑にすることなく、導体パターンの横断面形状が逆台形
状となるプリント配線板を容易に製造することができ
る。
レジストパターン間に、導体パターン６となる金属層３
を形成するようにしているから、金属層３を形成する際
には、このフォトレジストパターン２がメッキが横方向
へ成長することを規制することになり、フォトレジスト
パターン間に金属層３を形成するだけで、処理工程を複
雑にすることなく、導体パターンの横断面形状が逆台形
状となるプリント配線板を容易に製造することができ
る。
【００４８】なお、上記各実施の形態では、配線ピッチ
Ｐを５０〔μｍ〕、導体パターンの厚さｔを２０〔μ
ｍ〕とし、断面積が一定となるようにしたが、本発明は
これに限定されるものではない。
Ｐを５０〔μｍ〕、導体パターンの厚さｔを２０〔μ
ｍ〕とし、断面積が一定となるようにしたが、本発明は
これに限定されるものではない。
【００４９】また、上記各実施の形態では、ネガ型レジ
ストを用いた場合について説明したが、ポジ型レジスト
を用いることも可能である。
ストを用いた場合について説明したが、ポジ型レジスト
を用いることも可能である。
【００５０】
【実施例】導体パターン６の横断面形状においてその実
装面側の幅をＷｇ，絶縁性基板側の幅をＷｚ，厚さをｔ
としたとき、ｔ／２０＜（Ｗｇ−Ｗｚ）＜９ｔ／１０と
いう条件式を満足する導体パターンと、条件式を満足し
ない導体パターンとについて、ＬＳＩ等の実装部品の接
続状態を比較した。その結果を表１に示す。
装面側の幅をＷｇ，絶縁性基板側の幅をＷｚ，厚さをｔ
としたとき、ｔ／２０＜（Ｗｇ−Ｗｚ）＜９ｔ／１０と
いう条件式を満足する導体パターンと、条件式を満足し
ない導体パターンとについて、ＬＳＩ等の実装部品の接
続状態を比較した。その結果を表１に示す。
【００５１】
【表１】
【００５２】ここで、表１中のギャップＧは、導体パタ
ーンと導体パターンとの間の間隙を表し、導体パターン
の実装面側の幅Ｗｇ及び絶縁基板側の幅Ｗｚの何れか幅
の広い方と、配線ピッチＰとの差で表される。一般に
は、ギャップＧが広いほど絶縁特性が向上するが、実装
する場合にはギャップＧが狭いほど、配線ピッチＰに対
して導体パターンの幅が広くなり、有利である。
ーンと導体パターンとの間の間隙を表し、導体パターン
の実装面側の幅Ｗｇ及び絶縁基板側の幅Ｗｚの何れか幅
の広い方と、配線ピッチＰとの差で表される。一般に
は、ギャップＧが広いほど絶縁特性が向上するが、実装
する場合にはギャップＧが狭いほど、配線ピッチＰに対
して導体パターンの幅が広くなり、有利である。
【００５３】また、表１中の実施例１〜実施例３は、上
記第１〜第３の実施の形態にそれぞれ対応している。ま
た、比較例１は、上記第１の実施の形態において、露光
量を６０〔ｍＪ／ｃｍ2 〕として露光を行い、その他の
処理は上記第１の実施の形態と同様にしてプリント基板
７を形成したものであり、厚さｔR が２０〔μｍ〕，配
線ピッチＰRが５０〔μｍ〕，頭頂部の幅ＵＷR が２５
〔μｍ〕，アルミ基板１側の幅ＤＷRが２５〔μｍ〕で
あって、その横断面形状が矩形状のフォトレジストパタ
ーン２を得て、最終的に、配線ピッチＰが５０〔μ
ｍ〕，実装面側の幅Ｗｇが２５〔μｍ〕，絶縁性基板５
側の幅Ｗｚが２５〔μｍ〕，厚さｔが２０〔μｍ〕の導
体パターン６を有するプリント配線板７を得た。
記第１〜第３の実施の形態にそれぞれ対応している。ま
た、比較例１は、上記第１の実施の形態において、露光
量を６０〔ｍＪ／ｃｍ2 〕として露光を行い、その他の
処理は上記第１の実施の形態と同様にしてプリント基板
７を形成したものであり、厚さｔR が２０〔μｍ〕，配
線ピッチＰRが５０〔μｍ〕，頭頂部の幅ＵＷR が２５
〔μｍ〕，アルミ基板１側の幅ＤＷRが２５〔μｍ〕で
あって、その横断面形状が矩形状のフォトレジストパタ
ーン２を得て、最終的に、配線ピッチＰが５０〔μ
ｍ〕，実装面側の幅Ｗｇが２５〔μｍ〕，絶縁性基板５
側の幅Ｗｚが２５〔μｍ〕，厚さｔが２０〔μｍ〕の導
体パターン６を有するプリント配線板７を得た。
【００５４】このようにして形成したプリント配線板７
に、ワイヤボンディングによって３００ピンのＬＳＩの
ベアチップを実装し、実装後、ボンディング状態を確認
したところ、ワイヤの外れ等の異常は、３００ピン中３
０ピンであった。
に、ワイヤボンディングによって３００ピンのＬＳＩの
ベアチップを実装し、実装後、ボンディング状態を確認
したところ、ワイヤの外れ等の異常は、３００ピン中３
０ピンであった。
【００５５】また、３００ピンのＬＳＩのベアチップに
バンプを形成し、導電性接着剤で実装し、実装後、バン
プの接続状態を確認したところ、導体パターン間へのバ
ンプの落ち込み等の異常は、３００ピン中２０ピンであ
った。
バンプを形成し、導電性接着剤で実装し、実装後、バン
プの接続状態を確認したところ、導体パターン間へのバ
ンプの落ち込み等の異常は、３００ピン中２０ピンであ
った。
【００５６】また、ＬＳＩのベアチップを実装した後
の、導体パターンの倒れは、３００ピン中０ピンであっ
た。また、比較例２は、上記第１又は第２の実施の形態
において、露光量を２０〔ｍＪ／ｃｍ2 〕として露光を
行い、その他の処理は上記第１又は第２の実施の形態と
同様にしてプリント基板７を形成したものであり、厚さ
ｔR が２０〔μｍ〕，配線ピッチＰR が５０〔μｍ〕，
頭頂部の幅ＵＷR が３５〔μｍ〕，アルミ基板１側の幅
ＤＷR が１５〔μｍ〕であって、その横断面形状が逆台
形状のフォトレジストパターン２を得て、最終的に、配
線ピッチＰが５０〔μｍ〕，実装面側の幅Ｗｇが３５
〔μｍ〕，絶縁性基板５側の幅Ｗｚが１５〔μｍ〕，厚
さｔが２０〔μｍ〕の導体パターン６を有するプリント
配線板７を得た。
の、導体パターンの倒れは、３００ピン中０ピンであっ
た。また、比較例２は、上記第１又は第２の実施の形態
において、露光量を２０〔ｍＪ／ｃｍ2 〕として露光を
行い、その他の処理は上記第１又は第２の実施の形態と
同様にしてプリント基板７を形成したものであり、厚さ
ｔR が２０〔μｍ〕，配線ピッチＰR が５０〔μｍ〕，
頭頂部の幅ＵＷR が３５〔μｍ〕，アルミ基板１側の幅
ＤＷR が１５〔μｍ〕であって、その横断面形状が逆台
形状のフォトレジストパターン２を得て、最終的に、配
線ピッチＰが５０〔μｍ〕，実装面側の幅Ｗｇが３５
〔μｍ〕，絶縁性基板５側の幅Ｗｚが１５〔μｍ〕，厚
さｔが２０〔μｍ〕の導体パターン６を有するプリント
配線板７を得た。
【００５７】このようにして形成したプリント配線板７
に、ワイヤボンディングによって３００ピンのＬＳＩの
ベアチップを実装し、実装後、ボンディング状態を確認
したところ、ワイヤの外れ等の異常は、３００ピン中０
ピンであった。
に、ワイヤボンディングによって３００ピンのＬＳＩの
ベアチップを実装し、実装後、ボンディング状態を確認
したところ、ワイヤの外れ等の異常は、３００ピン中０
ピンであった。
【００５８】また、３００ピンのＬＳＩのベアチップに
バンプを形成し、導電性接着剤で実装し、実装後、バン
プの接続状態を確認したところ、導体パターン間へのバ
ンプの落ち込み等の異常は、３００ピン中０ピンであっ
た。
バンプを形成し、導電性接着剤で実装し、実装後、バン
プの接続状態を確認したところ、導体パターン間へのバ
ンプの落ち込み等の異常は、３００ピン中０ピンであっ
た。
【００５９】また、ＬＳＩのベアチップを実装した後
の、導体パターンの倒れは、３００ピン中１００ピンで
あった。また、比較例３は、アルミ基板１に代えて、銅
箔の厚さが２０〔μｍ〕の銅貼積層板を用いたものであ
る。
の、導体パターンの倒れは、３００ピン中１００ピンで
あった。また、比較例３は、アルミ基板１に代えて、銅
箔の厚さが２０〔μｍ〕の銅貼積層板を用いたものであ
る。
【００６０】具体的には、この銅貼積層板をバフ研磨
し、これにドライフィルムレジストを積層し、次に、配
線ピッチが５０〔μｍ〕，線幅が２３〔μｍ〕、線間が
２７〔μｍ〕として形成されているマスクパターンを介
し、露光量５０〔ｍＪ／ｃｍ2〕で露光し、重量パーセ
ント３％の炭酸ソーダ水溶液で現像した。
し、これにドライフィルムレジストを積層し、次に、配
線ピッチが５０〔μｍ〕，線幅が２３〔μｍ〕、線間が
２７〔μｍ〕として形成されているマスクパターンを介
し、露光量５０〔ｍＪ／ｃｍ2〕で露光し、重量パーセ
ント３％の炭酸ソーダ水溶液で現像した。
【００６１】この結果、アルミ基板上に、厚さｔR が２
０〔μｍ〕，配線ピッチＰR が５０〔μｍ〕，頭頂部の
幅ＵＷR が２５〔μｍ〕，銅貼積層板側の幅ＤＷR が２
５〔μｍ〕であって、その横断面形状が矩形状のフォト
レジストパターンを得た。
０〔μｍ〕，配線ピッチＰR が５０〔μｍ〕，頭頂部の
幅ＵＷR が２５〔μｍ〕，銅貼積層板側の幅ＤＷR が２
５〔μｍ〕であって、その横断面形状が矩形状のフォト
レジストパターンを得た。
【００６２】そして、フォトレジストパターンを重量パ
ーセント３％の苛性ソーダ水溶液で除去し、その後、電
解ニッケルメッキ液によりニッケルを２〔μｍ〕メッキ
し、さらに、金メッキ液により金を０．５〔μｍ〕メッ
キした。
ーセント３％の苛性ソーダ水溶液で除去し、その後、電
解ニッケルメッキ液によりニッケルを２〔μｍ〕メッキ
し、さらに、金メッキ液により金を０．５〔μｍ〕メッ
キした。
【００６３】この結果、配線ピッチＰが５０〔μｍ〕，
実装面側の幅Ｗｇが２３〔μｍ〕，銅貼積層板側の幅Ｗ
ｚが２７〔μｍ〕，厚さｔが２０〔μｍ〕の導体パター
ンが形成されたプリント配線板を得た。
実装面側の幅Ｗｇが２３〔μｍ〕，銅貼積層板側の幅Ｗ
ｚが２７〔μｍ〕，厚さｔが２０〔μｍ〕の導体パター
ンが形成されたプリント配線板を得た。
【００６４】このプリント配線板に、ワイヤボンディン
グによって３００ピンのＬＳＩのベアチップを実装し、
実装後、ボンディング状態を確認したところ、ワイヤの
外れ等の異常は、３００ピン中５０ピンであった。
グによって３００ピンのＬＳＩのベアチップを実装し、
実装後、ボンディング状態を確認したところ、ワイヤの
外れ等の異常は、３００ピン中５０ピンであった。
【００６５】また、３００ピンのＬＳＩのベアチップに
バンプを形成し、導電性接着剤で実装し、実装後、バン
プの接続状態を確認したところ、導体パターン間へのバ
ンプの落ち込み等の異常は、３００ピン中４０ピンであ
った。
バンプを形成し、導電性接着剤で実装し、実装後、バン
プの接続状態を確認したところ、導体パターン間へのバ
ンプの落ち込み等の異常は、３００ピン中４０ピンであ
った。
【００６６】また、ＬＳＩのベアチップを実装した後
の、導体パターンの倒れは、３００ピン中０ピンであっ
た。上述のようにして形成した各プリント配線板を比較
したものが表１であって、表１からわかるように、実施
例１と実施例２で得られたプリント配線板は、ワイヤボ
ンディングやバンプでのＬＳＩの接続の際、実装面側の
幅Ｗｇが絶縁性基板側の幅Ｗｚよりも広いため、実装面
において線間ピッチＰに対して、実装部品を接続可能な
導体パターンの占める割合が広くなり、導体パターンに
対して実装部品等の接続が的確に行われる。
の、導体パターンの倒れは、３００ピン中０ピンであっ
た。上述のようにして形成した各プリント配線板を比較
したものが表１であって、表１からわかるように、実施
例１と実施例２で得られたプリント配線板は、ワイヤボ
ンディングやバンプでのＬＳＩの接続の際、実装面側の
幅Ｗｇが絶縁性基板側の幅Ｗｚよりも広いため、実装面
において線間ピッチＰに対して、実装部品を接続可能な
導体パターンの占める割合が広くなり、導体パターンに
対して実装部品等の接続が的確に行われる。
【００６７】これに対し、比較例１或いは比較例３に示
すように、実装面側の幅Ｗｇが絶縁性基板側の幅Ｗｚよ
りも狭い場合、或いは同一幅である場合には、配線ピッ
チＰに対して実装部品を接続可能な範囲が狭くなること
から、導体パターンに対する接続が的確に行われていな
い。
すように、実装面側の幅Ｗｇが絶縁性基板側の幅Ｗｚよ
りも狭い場合、或いは同一幅である場合には、配線ピッ
チＰに対して実装部品を接続可能な範囲が狭くなること
から、導体パターンに対する接続が的確に行われていな
い。
【００６８】また、比較例２に示すように、実装面側の
幅Ｗｇが絶縁性基板側の幅Ｗｚよりも広くなりすぎる
と、導体パターン６への接続は確実に行われているが、
導体パターン６と絶縁性基板５との接続部の面積が狭く
なるため、例えばＬＳＩなどを実装する際等に加わる力
に耐えきれずに、導体パターン６が図２に示すように倒
れてしまう。
幅Ｗｇが絶縁性基板側の幅Ｗｚよりも広くなりすぎる
と、導体パターン６への接続は確実に行われているが、
導体パターン６と絶縁性基板５との接続部の面積が狭く
なるため、例えばＬＳＩなどを実装する際等に加わる力
に耐えきれずに、導体パターン６が図２に示すように倒
れてしまう。
【００６９】しかしながら、実施例３に示すように導体
パターン６の両側面が絶縁性物質により覆われている
と、この絶縁性物質により導体パターン６が支持される
ため、導体パターン６が倒れることはない。
パターン６の両側面が絶縁性物質により覆われている
と、この絶縁性物質により導体パターン６が支持される
ため、導体パターン６が倒れることはない。
【００７０】したがって、表１から、導体パターン６に
ついて、実装面側の幅Ｗｇ〔μｍ〕，絶縁性基板側の幅
Ｗｚ〔μｍ〕，厚さｔ〔μｍ〕を、ｔ／２０＜（Ｗｇ−
Ｗｚ）＜９ｔ／１０からなる条件式を満足するように選
定すれば、導体パターン６に的確に接続を行うことがで
きると共に、導体パターン６が倒れたりすることのない
良好な接続状態を得ることの可能な優れたプリント配線
板を得ることができることが確認された。
ついて、実装面側の幅Ｗｇ〔μｍ〕，絶縁性基板側の幅
Ｗｚ〔μｍ〕，厚さｔ〔μｍ〕を、ｔ／２０＜（Ｗｇ−
Ｗｚ）＜９ｔ／１０からなる条件式を満足するように選
定すれば、導体パターン６に的確に接続を行うことがで
きると共に、導体パターン６が倒れたりすることのない
良好な接続状態を得ることの可能な優れたプリント配線
板を得ることができることが確認された。
【００７１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるプリ
ント配線板及びその製造方法によれば、導体パターンの
横断面形状が逆台形状となるように形成したから、ワイ
ヤボンディングやバンプ等による実装の際に、導体パタ
ーンの端部に接続されることにより生じる接合部の剥が
れ、或いは、導体パターン間へのバンプの落ち込み等の
接続不良を回避することができ、安定した良好な接続状
態を得ることができる。また、導体パターンの実装面以
外を絶縁性物質で覆うようにしているから、絶縁性物質
が導体パターンを支えることになり、実装の際等に導体
パターンが倒れることを防止することができる。また、
レジストパターン間に導電性金属、つまり、導体パター
ンを形成し、さらに、導体パターンを絶縁性接着剤内に
埋め込むようにして導電性基板及び絶縁性基板を接着す
るようにしているから、レジストパターンが導電性金属
形成時に導電性金属の横方向への成長を規制することに
なり、導体パターンの横断面形状が逆台形状となり、且
つ、その周囲を絶縁性物質で覆われた導体パターンを有
するプリント配線板を処理工程を複雑にすることなく容
易に製造することができる。
ント配線板及びその製造方法によれば、導体パターンの
横断面形状が逆台形状となるように形成したから、ワイ
ヤボンディングやバンプ等による実装の際に、導体パタ
ーンの端部に接続されることにより生じる接合部の剥が
れ、或いは、導体パターン間へのバンプの落ち込み等の
接続不良を回避することができ、安定した良好な接続状
態を得ることができる。また、導体パターンの実装面以
外を絶縁性物質で覆うようにしているから、絶縁性物質
が導体パターンを支えることになり、実装の際等に導体
パターンが倒れることを防止することができる。また、
レジストパターン間に導電性金属、つまり、導体パター
ンを形成し、さらに、導体パターンを絶縁性接着剤内に
埋め込むようにして導電性基板及び絶縁性基板を接着す
るようにしているから、レジストパターンが導電性金属
形成時に導電性金属の横方向への成長を規制することに
なり、導体パターンの横断面形状が逆台形状となり、且
つ、その周囲を絶縁性物質で覆われた導体パターンを有
するプリント配線板を処理工程を複雑にすることなく容
易に製造することができる。
【図１】第１及び第２の実施の形態におけるプリント配
線板の製造工程の説明に供する説明図である。
線板の製造工程の説明に供する説明図である。
【図２】導体パターンの倒れを表す説明図である。
【図３】第３の実施の形態におけるプリント配線板の製
造工程の説明に供する説明図である。
造工程の説明に供する説明図である。
【図４】従来の導体パターンの一例を示す断面形状であ
る。
る。
１ アルミ基板 ２ フォトレジストパターン ３ 金属層 ４ プリプレグ ５ 絶縁性基板 ６ 導体パターン ７ プリント配線板 Ｗｇ 導体パターンの実装面側の幅 Ｗｚ 導体パターンの絶縁性基板側の幅 ｔ 導体パターンの厚さ
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁性基板の表面に導体パターンが形成
されているプリント配線板において、前記導体パターン
の横断面形状における前記絶縁性基板側の幅をＷｚと
し、前記導体パターンの前記絶縁性基板と反対側の幅を
Ｗｇとし、前記導体パターンの厚さをｔとしたとき、こ
れらを、ｔ／２０＜（Ｗｇ−Ｗｚ）＜９ｔ／１０を満足
するように選定したことを特徴とするプリント配線板。 - 【請求項２】 前記導体パターンの両側面に、当該導体
パターンを支持する絶縁性物質を設けたことを特徴とす
る請求項１記載のプリント配線板。 - 【請求項３】 導電性基板上に所定の厚さのレジストを
形成するレジスト形成工程と、前記レジストに対しマス
クを介して露光し、これを現像してレジストパターンを
形成するレジストパターン形成工程と、当該レジストパ
ターン形成工程後に前記導電性基板に通電し、前記レジ
ストパターン間に導電性金属からなる導体パターンを形
成する導体パターン形成工程と、当該導体パターン形成
工程後に前記レジストパターンを除去するレジスト除去
工程と、絶縁性基板と前記導電性基板とを絶縁性接着剤
を介して且つ該絶縁性接着剤内に前記導体パターンが埋
め込まれるように接着する接着工程と、当該接着工程後
に前記導電性基板を除去する基板除去工程と、を備え、
前記レジストパターン形成工程では、前記レジストパタ
ーン間の横断面形状が、その前記導電性基板側の幅をＷ
ｚ，前記導電性基板とは反対側の幅をＷｇ，厚さをｔと
したとき、ｔ／２０＜（Ｗｇ−Ｗｚ）＜９ｔ／１０を満
足する形状となるように露光するようにしたことを特徴
とするプリント配線板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19812996A JPH1041597A (ja) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | プリント配線板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19812996A JPH1041597A (ja) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | プリント配線板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1041597A true JPH1041597A (ja) | 1998-02-13 |
Family
ID=16385939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19812996A Withdrawn JPH1041597A (ja) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | プリント配線板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1041597A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002033215A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Murata Mfg Co Ltd | 導体パターンおよび該導体パターンを備えた電子部品 |
| JP2003051676A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 多層配線板製造用配線基板および多層配線板、並びにそれらの製造方法 |
| KR20140032421A (ko) * | 2011-06-06 | 2014-03-14 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 금속박 패턴 적층체, 금속박 적층체, 금속박 적층 기판, 태양 전지 모듈 및 금속박 패턴 적층체의 제조 방법 |
| JP2020060742A (ja) * | 2018-10-12 | 2020-04-16 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子および光変調器 |
| US10651320B2 (en) | 2010-11-19 | 2020-05-12 | Dsm Ip Assets B.V. | Method of manufacturing a circuit board by punching |
| JP2022144913A (ja) * | 2021-03-19 | 2022-10-03 | 株式会社Ｆｐｃコネクト | プリント配線板及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-07-26 JP JP19812996A patent/JPH1041597A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002033215A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Murata Mfg Co Ltd | 導体パターンおよび該導体パターンを備えた電子部品 |
| JP2003051676A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 多層配線板製造用配線基板および多層配線板、並びにそれらの製造方法 |
| JP4691850B2 (ja) * | 2001-08-06 | 2011-06-01 | 住友ベークライト株式会社 | 多層配線板製造用配線基板および多層配線板、並びにそれらの製造方法 |
| US10651320B2 (en) | 2010-11-19 | 2020-05-12 | Dsm Ip Assets B.V. | Method of manufacturing a circuit board by punching |
| KR20140032421A (ko) * | 2011-06-06 | 2014-03-14 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 금속박 패턴 적층체, 금속박 적층체, 금속박 적층 기판, 태양 전지 모듈 및 금속박 패턴 적층체의 제조 방법 |
| JPWO2012169550A1 (ja) * | 2011-06-06 | 2015-02-23 | 凸版印刷株式会社 | 金属箔パターン積層体，金属箔積層体，金属箔積層基板，太陽電池モジュール，及び金属箔パターン積層体の製造方法 |
| CN107256903A (zh) * | 2011-06-06 | 2017-10-17 | 帝斯曼知识产权资产管理有限公司 | 金属箔图案层叠体、金属箔层叠体、金属箔层叠基板、太阳能电池模块及其制造方法 |
| JP2017199918A (ja) * | 2011-06-06 | 2017-11-02 | ディーエスエム アイピー アセッツ ビー．ブイ． | 金属箔パターン積層体，金属箔積層体，金属箔積層基板，太陽電池モジュール，及び金属箔パターン積層体の製造方法 |
| US10672928B2 (en) | 2011-06-06 | 2020-06-02 | Dsm Ip Assets B.V. | Metal foil pattern layered body, metal foil layered body, metal foil multi-layer substrate, solar cell module, and method of manufacturing metal foil pattern layered body |
| JP2020060742A (ja) * | 2018-10-12 | 2020-04-16 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子および光変調器 |
| JP2022144913A (ja) * | 2021-03-19 | 2022-10-03 | 株式会社Ｆｐｃコネクト | プリント配線板及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20031007 |