JPH1056253A - 独立回路へのメッキ方法 - Google Patents
独立回路へのメッキ方法Info
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- JPH1056253A JPH1056253A JP21170196A JP21170196A JPH1056253A JP H1056253 A JPH1056253 A JP H1056253A JP 21170196 A JP21170196 A JP 21170196A JP 21170196 A JP21170196 A JP 21170196A JP H1056253 A JPH1056253 A JP H1056253A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 微細且つ独立した独立導体回路パターンを有
する配線回路基板において、必要となる導体回路パター
ンにダメージを与えることなく、独立導体回路パターン
上の所望の位置に金属メッキ皮膜を形成する 【解決手段】 導電性を有し且つ熱または溶剤またはア
ルカリの何れかの手法にて剥離可能な材料よりなる下地
層３を、メッキ皮膜７の形成を要する独立導体回路パタ
ーン１に少なくとも接するように配線回路基板２上に形
成する。少なくともメッキ皮膜７の形成を要する部分以
外の部分で、且つ前記下地層３に重なるように剥離可能
なメッキレジスト層５を形成する。前記下地層３を給電
層として電解メッキを行って前記メッキレジスト層５で
被覆されていない箇所に金属の析出を行う。配線回路基
板２上に残された下地層３並びにメッキレジスト層５を
剥離する。
する配線回路基板において、必要となる導体回路パター
ンにダメージを与えることなく、独立導体回路パターン
上の所望の位置に金属メッキ皮膜を形成する 【解決手段】 導電性を有し且つ熱または溶剤またはア
ルカリの何れかの手法にて剥離可能な材料よりなる下地
層３を、メッキ皮膜７の形成を要する独立導体回路パタ
ーン１に少なくとも接するように配線回路基板２上に形
成する。少なくともメッキ皮膜７の形成を要する部分以
外の部分で、且つ前記下地層３に重なるように剥離可能
なメッキレジスト層５を形成する。前記下地層３を給電
層として電解メッキを行って前記メッキレジスト層５で
被覆されていない箇所に金属の析出を行う。配線回路基
板２上に残された下地層３並びにメッキレジスト層５を
剥離する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子材料分野にお
いて使用される配線回路基板の独立導体回路パターン上
へメッキ層を形成する方法に関するものである。
いて使用される配線回路基板の独立導体回路パターン上
へメッキ層を形成する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化が加速する中、
さらなる実装の高密度化の要求が高まってきている。配
線回路基板の導体回路についても、微細な独立導体回路
パターンの形成が求められるようになってきており、近
年さらに、その微細な独立導体回路パターンの上の一部
分にメッキ皮膜層の形成が望まれるような応用もでてき
ている。このような応用の一例としてバンプ形成が挙げ
られる。
さらなる実装の高密度化の要求が高まってきている。配
線回路基板の導体回路についても、微細な独立導体回路
パターンの形成が求められるようになってきており、近
年さらに、その微細な独立導体回路パターンの上の一部
分にメッキ皮膜層の形成が望まれるような応用もでてき
ている。このような応用の一例としてバンプ形成が挙げ
られる。
【０００３】バンプの形成に際しては、例えば所望のバ
ンプ形成部以外をメッキレジストで被覆した後、電解メ
ッキ処理し、前記メッキレジストを剥離することによっ
てバンプを得るというものが一般的に知られている。
ンプ形成部以外をメッキレジストで被覆した後、電解メ
ッキ処理し、前記メッキレジストを剥離することによっ
てバンプを得るというものが一般的に知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の電解メ
ッキによる方法で、微細且つ独立した独立導体回路パタ
ーンを有する配線回路基板にバンプを形成する場合、
「バンプ形成部に給電するためのダミー導体回路パター
ンが必要となり、バンプ形成後本ダミー導体回路パター
ンをエッチング除去する際、必要となる導体回路パター
ンをサイドエッチングし、場合によっては断線してしま
う」、「バンプを形成する金属がＳｎなどの場合、ダミ
ー導体回路パターンのエッチングの際、Ｓｎ自体も過度
の損傷を受ける」などの欠点があった。
ッキによる方法で、微細且つ独立した独立導体回路パタ
ーンを有する配線回路基板にバンプを形成する場合、
「バンプ形成部に給電するためのダミー導体回路パター
ンが必要となり、バンプ形成後本ダミー導体回路パター
ンをエッチング除去する際、必要となる導体回路パター
ンをサイドエッチングし、場合によっては断線してしま
う」、「バンプを形成する金属がＳｎなどの場合、ダミ
ー導体回路パターンのエッチングの際、Ｓｎ自体も過度
の損傷を受ける」などの欠点があった。
【０００５】本発明は上述のような問題点に鑑みてなさ
れたものであり、微細且つ独立した独立導体回路パター
ンを有する配線回路基板において、必要となる導体回路
パターンにダメージを与えることなく、独立導体回路パ
ターン上の所望の位置に金属メッキ皮膜を形成すること
ができる独立回路へのメッキ方法を提供することを課題
とする。
れたものであり、微細且つ独立した独立導体回路パター
ンを有する配線回路基板において、必要となる導体回路
パターンにダメージを与えることなく、独立導体回路パ
ターン上の所望の位置に金属メッキ皮膜を形成すること
ができる独立回路へのメッキ方法を提供することを課題
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の独立回路へのメッキ方法は、配線回路基板２
の独立導体回路パターン１上に電解メッキ法でメッキを
施す方法であって、導電性を有し且つ熱または溶剤また
はアルカリの何れかの手法にて剥離可能な材料よりなる
下地層３を、メッキ皮膜７の形成を要する独立導体回路
パターン１に少なくとも接するように配線回路基板２上
に形成する工程と、少なくともメッキ皮膜７の形成を要
する部分以外の部分で、且つ前記下地層３に重なるよう
に剥離可能なメッキレジスト層５を形成する工程と、前
記下地層３を給電層として電解メッキを行って前記メッ
キレジスト層５で被覆されていない箇所に金属の析出を
行う工程と、配線回路基板２上に残された下地層３並び
にメッキレジスト層５を剥離する工程とを有することを
特徴とする。この場合、従来のようにダミー導体回路を
用いないで下地層３で給電して電解メッキで独立導体回
路パターン１にメッキ皮膜７を形成でき、しかも下地層
３は熱または溶剤またはアルカリの手法で剥離できて従
来のダミー導体回路パターンのように強酸等によるエッ
チングを要しないものであって、必要な導体回路パター
ンの損傷を回避し、所望のメッキ皮膜７を安定して形成
できる。
に本発明の独立回路へのメッキ方法は、配線回路基板２
の独立導体回路パターン１上に電解メッキ法でメッキを
施す方法であって、導電性を有し且つ熱または溶剤また
はアルカリの何れかの手法にて剥離可能な材料よりなる
下地層３を、メッキ皮膜７の形成を要する独立導体回路
パターン１に少なくとも接するように配線回路基板２上
に形成する工程と、少なくともメッキ皮膜７の形成を要
する部分以外の部分で、且つ前記下地層３に重なるよう
に剥離可能なメッキレジスト層５を形成する工程と、前
記下地層３を給電層として電解メッキを行って前記メッ
キレジスト層５で被覆されていない箇所に金属の析出を
行う工程と、配線回路基板２上に残された下地層３並び
にメッキレジスト層５を剥離する工程とを有することを
特徴とする。この場合、従来のようにダミー導体回路を
用いないで下地層３で給電して電解メッキで独立導体回
路パターン１にメッキ皮膜７を形成でき、しかも下地層
３は熱または溶剤またはアルカリの手法で剥離できて従
来のダミー導体回路パターンのように強酸等によるエッ
チングを要しないものであって、必要な導体回路パター
ンの損傷を回避し、所望のメッキ皮膜７を安定して形成
できる。
【０００７】また本発明の他の独立回路へのメッキ方法
は、配線回路基板２の独立導体回路パターン１上に電解
メッキ法でメッキを施す方法であって、導電性を有し且
つ熱または溶剤またはアルカリの何れかの手法にて剥離
可能な材料よりなる下地層３を、メッキ皮膜７の形成を
要する独立導体回路パターン１に少なくとも接するよう
に配線回路基板２上に形成する工程と、少なくともメッ
キ皮膜７の形成を要する部分を含み、且つ前記下地層３
に重なるように感光性のメッキレジスト層５を形成する
工程と、露光・現像によりメッキ皮膜７の形成を要する
箇所の感光性のメッキレジスト層５を除去する工程と、
前記下地層３を給電層として電解メッキを行って感光性
のメッキレジスト層５を除去した箇所に金属の析出を行
う工程と、配線回路基板２上に残された下地層５並びに
感光性のメッキレジスト層５を剥離する工程とを有する
ことを特徴とする。この場合、従来のようにダミー導体
回路を用いないで下地層３で給電して電解メッキで独立
導体回路パターン１にメッキ皮膜７を形成でき、しかも
下地層は熱または溶剤またはアルカリの手法で剥離でき
て従来のダミー導体回路パターンのように強酸等による
エッチングを要しないものであって、必要な導体回路パ
ターンの損傷を回避し、所望のメッキ皮膜７を安定して
形成できる。また感光性のメッキレジストを用いるの
で、メッキレジスト層５を形成した後に露光・現像にて
メッキ皮膜７の形成の必要な箇所のメッキレジスト層５
を簡単且つ正確に除去できる。
は、配線回路基板２の独立導体回路パターン１上に電解
メッキ法でメッキを施す方法であって、導電性を有し且
つ熱または溶剤またはアルカリの何れかの手法にて剥離
可能な材料よりなる下地層３を、メッキ皮膜７の形成を
要する独立導体回路パターン１に少なくとも接するよう
に配線回路基板２上に形成する工程と、少なくともメッ
キ皮膜７の形成を要する部分を含み、且つ前記下地層３
に重なるように感光性のメッキレジスト層５を形成する
工程と、露光・現像によりメッキ皮膜７の形成を要する
箇所の感光性のメッキレジスト層５を除去する工程と、
前記下地層３を給電層として電解メッキを行って感光性
のメッキレジスト層５を除去した箇所に金属の析出を行
う工程と、配線回路基板２上に残された下地層５並びに
感光性のメッキレジスト層５を剥離する工程とを有する
ことを特徴とする。この場合、従来のようにダミー導体
回路を用いないで下地層３で給電して電解メッキで独立
導体回路パターン１にメッキ皮膜７を形成でき、しかも
下地層は熱または溶剤またはアルカリの手法で剥離でき
て従来のダミー導体回路パターンのように強酸等による
エッチングを要しないものであって、必要な導体回路パ
ターンの損傷を回避し、所望のメッキ皮膜７を安定して
形成できる。また感光性のメッキレジストを用いるの
で、メッキレジスト層５を形成した後に露光・現像にて
メッキ皮膜７の形成の必要な箇所のメッキレジスト層５
を簡単且つ正確に除去できる。
【０００８】また下地層３の材料は感光性機能を有する
ことを特徴とすることも好ましく、また下地層３に導電
性フィラーを含むことを特徴とすることも好ましく、ま
た導電性フィラーとして少なくともカーボン、銅、銀の
うち何れか１つ以上含むことを特徴とすることも好まし
い。
ことを特徴とすることも好ましく、また下地層３に導電
性フィラーを含むことを特徴とすることも好ましく、ま
た導電性フィラーとして少なくともカーボン、銅、銀の
うち何れか１つ以上含むことを特徴とすることも好まし
い。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明について、第１図、
第２図及び第３図に示した概略工程図に従って詳述す
る。本発明に係る独立回路ヘのメッキ方法では、まず、
メッキ皮膜７の形成を必要とする独立導体回路パターン
１に少なくとも接するように配線回路基板２の上に図１
（ａ）、図２（ａ）、図３（ａ）のように下地層３を形
成する。
第２図及び第３図に示した概略工程図に従って詳述す
る。本発明に係る独立回路ヘのメッキ方法では、まず、
メッキ皮膜７の形成を必要とする独立導体回路パターン
１に少なくとも接するように配線回路基板２の上に図１
（ａ）、図２（ａ）、図３（ａ）のように下地層３を形
成する。
【００１０】ここで用いる配線回路基板２としては、ガ
ラスエポキシやポリイミドなどのプラスチック配線板、
アルミナや窒化アルミニウムあるいはガラスなどの無機
系配線板、あるいはシリコンやガリウム砒素などの半導
体基板等があり、特に指定はない。配線回路基板２の上
に形成された独立導体回路パターン１は例えばＩＣチッ
プ等に接続する端子部のようなものであり、複数列設し
てある。そして下地層３は複数の独立導体回路パターン
１に接するように形成される。
ラスエポキシやポリイミドなどのプラスチック配線板、
アルミナや窒化アルミニウムあるいはガラスなどの無機
系配線板、あるいはシリコンやガリウム砒素などの半導
体基板等があり、特に指定はない。配線回路基板２の上
に形成された独立導体回路パターン１は例えばＩＣチッ
プ等に接続する端子部のようなものであり、複数列設し
てある。そして下地層３は複数の独立導体回路パターン
１に接するように形成される。
【００１１】上記下地層３は、導線性を有し、且つ熱ま
たは溶剤またはアルカリの何れか手法にて剥離可能な材
料にて形成されているものであり、ここで用いる下地層
３の材料としては、例えば熱剥離型樹脂、溶剤剥離型樹
脂あるいはアクリル剥離型樹脂に導電性物質を付加した
ものなどを用いることができる。付加する導電性物質と
しての導電性フィラーとしては特に指定はないが、銅や
銀などの金属粉末を付加するのが下地層３の導電性を確
保する上で好ましい。またカーボン粉末の付加は下地層
３の材料コストを低減する上で好ましい。
たは溶剤またはアルカリの何れか手法にて剥離可能な材
料にて形成されているものであり、ここで用いる下地層
３の材料としては、例えば熱剥離型樹脂、溶剤剥離型樹
脂あるいはアクリル剥離型樹脂に導電性物質を付加した
ものなどを用いることができる。付加する導電性物質と
しての導電性フィラーとしては特に指定はないが、銅や
銀などの金属粉末を付加するのが下地層３の導電性を確
保する上で好ましい。またカーボン粉末の付加は下地層
３の材料コストを低減する上で好ましい。
【００１２】下地層３の形成方法については特に指定は
なく、例えば下地層３を形成する材料がペースト状のも
のである場合には、スクリーン印刷等の方法を用いるこ
とができ、また下地層３を形成する材料がフィルム状に
成形されたものである場合には、熱圧着などの方法によ
って形成できる。ここで下地層３の材料は感光性機能を
具備するものでない場合は、図１（ａ）、図２（ａ）に
示すように配線回路基板２上の少なくともメッキ皮膜を
形成する箇所４以外で且つメッキ皮膜を形成する箇所４
の下に位置する独立導体回路パターン１に接するように
下地層３の形成を行うようにする。これに対して、下地
層３の材料が感光性機能を具備するものである場合、例
えば図３（ａ）に示すように配線回路基板２上の全面に
形成してもよい。なお、下地層３は、後の電解メッキに
おける給電層として作用するが、その際の給電を行いや
すくするため、できるだけ配線回路基板２の端部まで形
成しておくことが好ましい。
なく、例えば下地層３を形成する材料がペースト状のも
のである場合には、スクリーン印刷等の方法を用いるこ
とができ、また下地層３を形成する材料がフィルム状に
成形されたものである場合には、熱圧着などの方法によ
って形成できる。ここで下地層３の材料は感光性機能を
具備するものでない場合は、図１（ａ）、図２（ａ）に
示すように配線回路基板２上の少なくともメッキ皮膜を
形成する箇所４以外で且つメッキ皮膜を形成する箇所４
の下に位置する独立導体回路パターン１に接するように
下地層３の形成を行うようにする。これに対して、下地
層３の材料が感光性機能を具備するものである場合、例
えば図３（ａ）に示すように配線回路基板２上の全面に
形成してもよい。なお、下地層３は、後の電解メッキに
おける給電層として作用するが、その際の給電を行いや
すくするため、できるだけ配線回路基板２の端部まで形
成しておくことが好ましい。
【００１３】次に、メッキ皮膜を形成する箇所４以外
で、且つ前記下地層３に重なるようにメッキレジスト層
５を形成する。ここで用いるメッキレジスト層５の材料
としては特に指定はなく、使用する電解メッキ液の性質
によって、市販材料を適宜選択する。メッキレジスト層
５の形成に際しては、例えば、メッキレジスト層５の材
料がペースト状であって、且つ感光性を具備しない場合
には、スクリーン印刷等の方法によって、メッキ皮膜を
形成する箇所４以外で、且つ前記下地層３に重なるよう
にメッキレジスト層５の形成が可能となる［図１
（ｂ）］。なお、メッキレジスト層５の材料が感光性を
具備する場合は、メッキ皮膜を形成する箇所４を含み、
且つ下地層３に重なるようにメッキレジスト層５を形成
した後［図２（ｂ）、図３（ｂ）］、露光・現像にてメ
ッキ皮膜を形成する箇所４のメッキレジスト層５（下地
層３が感光性の場合にはこの下地層３も含む）を所定の
条件にて図２（ｃ）、図３（ｃ）のように除去する。
で、且つ前記下地層３に重なるようにメッキレジスト層
５を形成する。ここで用いるメッキレジスト層５の材料
としては特に指定はなく、使用する電解メッキ液の性質
によって、市販材料を適宜選択する。メッキレジスト層
５の形成に際しては、例えば、メッキレジスト層５の材
料がペースト状であって、且つ感光性を具備しない場合
には、スクリーン印刷等の方法によって、メッキ皮膜を
形成する箇所４以外で、且つ前記下地層３に重なるよう
にメッキレジスト層５の形成が可能となる［図１
（ｂ）］。なお、メッキレジスト層５の材料が感光性を
具備する場合は、メッキ皮膜を形成する箇所４を含み、
且つ下地層３に重なるようにメッキレジスト層５を形成
した後［図２（ｂ）、図３（ｂ）］、露光・現像にてメ
ッキ皮膜を形成する箇所４のメッキレジスト層５（下地
層３が感光性の場合にはこの下地層３も含む）を所定の
条件にて図２（ｃ）、図３（ｃ）のように除去する。
【００１４】次いで、前記下地層３を給電層として電解
メッキを行い、メッキレジスト層５が形成されていない
箇所の独立導電回路パターン１上に図１（ｃ）、図２
（ｄ）、図３（ｄ）のように金属を析出させる。図中６
は金属が析出した部分で、独立導電回路パターン１上以
外のメッキレジスト層５で覆われていない下地層３上に
も析出する。この析出させる金属は、Ａｕ、Ｓｎなどで
接続仕様に応じて適宜選択する。
メッキを行い、メッキレジスト層５が形成されていない
箇所の独立導電回路パターン１上に図１（ｃ）、図２
（ｄ）、図３（ｄ）のように金属を析出させる。図中６
は金属が析出した部分で、独立導電回路パターン１上以
外のメッキレジスト層５で覆われていない下地層３上に
も析出する。この析出させる金属は、Ａｕ、Ｓｎなどで
接続仕様に応じて適宜選択する。
【００１５】次に、配線回路基板２の上に残された下地
層３並びにメッキレジスト層５を所定の条件（熱または
溶剤またはアルカリ）によって剥離し、図１（ｄ）、図
２（ｅ）、図３（ｅ）のように所望のメッキ皮膜７を形
成する。なお、下地層３を熱によって剥離を行う場合、
条件によってメッキ皮膜７の表面を酸化させてしまうこ
とがあるので、剥離後にジメチルアミンボランなどの中
性溶剤にて還元処理等を適宜実施することが望ましい。
層３並びにメッキレジスト層５を所定の条件（熱または
溶剤またはアルカリ）によって剥離し、図１（ｄ）、図
２（ｅ）、図３（ｅ）のように所望のメッキ皮膜７を形
成する。なお、下地層３を熱によって剥離を行う場合、
条件によってメッキ皮膜７の表面を酸化させてしまうこ
とがあるので、剥離後にジメチルアミンボランなどの中
性溶剤にて還元処理等を適宜実施することが望ましい。
【００１６】
【実施例】以下に、本発明に係る独立回路へのメッキ方
法の実施例を挙げて詳しく説明する。 （実施例１）独立導体回路パターン１が銅上にニッケル
被覆したもので形成されたセラミック配線回路基板２を
準備し、図１の工程に従ってサンプルを作成した。まず
熱剥離型樹脂に銀粒子を分散・混練した導電性ペースト
を用意し、前記配線回路基板２上にスクリーン印刷法を
用いて下地層３を形成した（メッキ皮膜を形成する箇所
４以外で独立導体回路パターン１に接するように形
成）。次いで、市販のアルカリ剥離型のペースト状のメ
ッキレジスト（感光性を具備せず）を、メッキ皮膜を形
成する箇所４を除き、且つ下地層３に重なるようにスク
リーン印刷法により印刷・乾燥してメッキレジスト層５
を形成した。
法の実施例を挙げて詳しく説明する。 （実施例１）独立導体回路パターン１が銅上にニッケル
被覆したもので形成されたセラミック配線回路基板２を
準備し、図１の工程に従ってサンプルを作成した。まず
熱剥離型樹脂に銀粒子を分散・混練した導電性ペースト
を用意し、前記配線回路基板２上にスクリーン印刷法を
用いて下地層３を形成した（メッキ皮膜を形成する箇所
４以外で独立導体回路パターン１に接するように形
成）。次いで、市販のアルカリ剥離型のペースト状のメ
ッキレジスト（感光性を具備せず）を、メッキ皮膜を形
成する箇所４を除き、且つ下地層３に重なるようにスク
リーン印刷法により印刷・乾燥してメッキレジスト層５
を形成した。
【００１７】そして下地層３を給電層として活用し、電
解錫メッキを１０μｍ施し、メッキレジスト層５で被覆
されていない箇所に金属錫を析出させた。次いで水酸化
ナトリウム水溶液を用いて先ず配線回路基板２に残され
たメッキレジスト層５を除去した後、１８０℃、１０分
間の熱処理を施して、残りの下地層３を剥離した。上記
熱処理ときメッキ皮膜金属である錫の表面が若干酸化し
たので、ジメチルアミンボラン水溶液（ｐＨ７）にて還
元処理を実施し、錫のメッキ皮膜７の形成を終了した。
本実施例では酸等によるエッチング処理を用いないの
で、独立導体回路パターン１へのダメージを与えること
なく所望のメッキ皮膜７を得ることができた。
解錫メッキを１０μｍ施し、メッキレジスト層５で被覆
されていない箇所に金属錫を析出させた。次いで水酸化
ナトリウム水溶液を用いて先ず配線回路基板２に残され
たメッキレジスト層５を除去した後、１８０℃、１０分
間の熱処理を施して、残りの下地層３を剥離した。上記
熱処理ときメッキ皮膜金属である錫の表面が若干酸化し
たので、ジメチルアミンボラン水溶液（ｐＨ７）にて還
元処理を実施し、錫のメッキ皮膜７の形成を終了した。
本実施例では酸等によるエッチング処理を用いないの
で、独立導体回路パターン１へのダメージを与えること
なく所望のメッキ皮膜７を得ることができた。
【００１８】（実施例２）下地層３の材料として銅粒子
を分散・混練したものを用いた以外は、実施例１と同様
の方法でメッキ皮膜７を形成した。その結果、実施例と
同様、独立導体回路パターンへのダメージを与えること
なく、所望のメッキ皮膜７を得ることができた。
を分散・混練したものを用いた以外は、実施例１と同様
の方法でメッキ皮膜７を形成した。その結果、実施例と
同様、独立導体回路パターンへのダメージを与えること
なく、所望のメッキ皮膜７を得ることができた。
【００１９】（実施例３）独立導体回路パターン１が銅
上にニッケル被覆したもので形成されたセラミック配線
回路基板２を準備し、図２の工程に従ってサンプルを作
成した。まず、熱剥離型樹脂にカーボン粒子を分散・混
練した導電性ペーストを用意し、前記配線回路基板２に
スクリーン印刷法を用いて下地層３を形成した（メッキ
皮膜を形成する箇所４以外で独立導体回路パターン１に
接するように形成）。次いで、市販のアルカリ剥離型で
感光性のペースト状メッキレジストを、メッキ皮膜を形
成する箇所４を含み且つ下地層３に重なるようにスクリ
ーン印刷法により印刷・乾燥してメッキレジスト層５を
形成した。
上にニッケル被覆したもので形成されたセラミック配線
回路基板２を準備し、図２の工程に従ってサンプルを作
成した。まず、熱剥離型樹脂にカーボン粒子を分散・混
練した導電性ペーストを用意し、前記配線回路基板２に
スクリーン印刷法を用いて下地層３を形成した（メッキ
皮膜を形成する箇所４以外で独立導体回路パターン１に
接するように形成）。次いで、市販のアルカリ剥離型で
感光性のペースト状メッキレジストを、メッキ皮膜を形
成する箇所４を含み且つ下地層３に重なるようにスクリ
ーン印刷法により印刷・乾燥してメッキレジスト層５を
形成した。
【００２０】次に、メッキレジスト層を露光・現像する
ことにより、メッキ皮膜を形成する箇所４に５０μｍφ
のブラインドビアホールを形成した。そして下地層３を
給電層として活用し、電気錫メッキを１０μｍ施し、ブ
ラインドビアホール内に金属錫を析出させた。次いで、
水酸化ナトリウム水溶液を用いて先ず配線回路基板２に
残されたメッキレジスト層５を除去した後、１８０℃、
１０分間の熱処理を施して、残りの下地層３を剥離し
た。上記熱処理時にメッキ皮膜金属である錫の表面が若
干酸化したので、ジメチルアミンボラン水溶液（ｐＨ
７）にて還元処理を実施し、錫のメッキ皮膜７の形成を
終了した。本実施例では、酸等によるエッチング処理を
用いないので、独立導体回路パターン１へのダメージを
与えることなく、所望のメッキ皮膜７を得ることができ
た。
ことにより、メッキ皮膜を形成する箇所４に５０μｍφ
のブラインドビアホールを形成した。そして下地層３を
給電層として活用し、電気錫メッキを１０μｍ施し、ブ
ラインドビアホール内に金属錫を析出させた。次いで、
水酸化ナトリウム水溶液を用いて先ず配線回路基板２に
残されたメッキレジスト層５を除去した後、１８０℃、
１０分間の熱処理を施して、残りの下地層３を剥離し
た。上記熱処理時にメッキ皮膜金属である錫の表面が若
干酸化したので、ジメチルアミンボラン水溶液（ｐＨ
７）にて還元処理を実施し、錫のメッキ皮膜７の形成を
終了した。本実施例では、酸等によるエッチング処理を
用いないので、独立導体回路パターン１へのダメージを
与えることなく、所望のメッキ皮膜７を得ることができ
た。
【００２１】（実施例４）独立導体回路パターン１が銅
上にニッケル被覆したもので形成されたプリント配線回
路基板２を準備し、図３の工程に従ってサンプルを作成
した。まず、感光性機能を具備し、且つアルカリ剥離可
能な樹脂にカーボン粒子を分散・混練した導電性ペース
トを用意し、前記配線回路基板２の全面にスクリーン印
刷法を用いて下地層３を形成した。次いで、市販のアル
カリ剥離型で感光性のペースト状メッキレジストを、配
線回路基板２の端部を除く全面にスクリーン印刷法によ
り印刷し、メッキレジスト層５を形成した。
上にニッケル被覆したもので形成されたプリント配線回
路基板２を準備し、図３の工程に従ってサンプルを作成
した。まず、感光性機能を具備し、且つアルカリ剥離可
能な樹脂にカーボン粒子を分散・混練した導電性ペース
トを用意し、前記配線回路基板２の全面にスクリーン印
刷法を用いて下地層３を形成した。次いで、市販のアル
カリ剥離型で感光性のペースト状メッキレジストを、配
線回路基板２の端部を除く全面にスクリーン印刷法によ
り印刷し、メッキレジスト層５を形成した。
【００２２】次に、メッキレジスト層５並びに下地層３
を同時に露光・現像することにより、メッキ皮膜を形成
する箇所４に５０μｍφのブラインドビアホールを形成
した。そして下地層３を給電層として活用し、電気錫メ
ッキを１０μｍ施し、ブラインドビアホール内に金属錫
を析出させた。次いで、水酸化ナトリウム水溶液を用い
て配線回路基板２に残されたメッキレジスト層５並びに
下地層３を同時に剥離し、錫のメッキ皮膜７の形成を終
了した。本実施例では、酸等によるエッチング処理を用
いないので、独立導体回路パターンへのダメージを与え
ることがなく、所望のメッキ皮膜７を得ることができ
た。なお、本実施例ではアルカリ剥離型の感光性の下地
層３を用いたので、実施例１比べて剥離工程の短縮化が
図れた。
を同時に露光・現像することにより、メッキ皮膜を形成
する箇所４に５０μｍφのブラインドビアホールを形成
した。そして下地層３を給電層として活用し、電気錫メ
ッキを１０μｍ施し、ブラインドビアホール内に金属錫
を析出させた。次いで、水酸化ナトリウム水溶液を用い
て配線回路基板２に残されたメッキレジスト層５並びに
下地層３を同時に剥離し、錫のメッキ皮膜７の形成を終
了した。本実施例では、酸等によるエッチング処理を用
いないので、独立導体回路パターンへのダメージを与え
ることがなく、所望のメッキ皮膜７を得ることができ
た。なお、本実施例ではアルカリ剥離型の感光性の下地
層３を用いたので、実施例１比べて剥離工程の短縮化が
図れた。
【００２３】（実施例５）独立導体回路パターン１が銅
上にニッケル被覆したもので形成されたセラミック配線
回路基板２を準備し、図３の工程に従ってサンプルを作
成した。まず感光性機能を具備し、且つ溶剤剥離可能な
樹脂に銅粒子を分散・混練した導電性ペーストを用意
し、前記配線回路基板２の全面にスクリーン印刷法を用
いて下地層３を形成した。次いで市販の溶剤剥離型で感
光性のペースト状メッキレジストを、配線回路基板２の
端部を除く全面にスクリーン印刷法により印刷し、メッ
キレジスト層５を形成した。
上にニッケル被覆したもので形成されたセラミック配線
回路基板２を準備し、図３の工程に従ってサンプルを作
成した。まず感光性機能を具備し、且つ溶剤剥離可能な
樹脂に銅粒子を分散・混練した導電性ペーストを用意
し、前記配線回路基板２の全面にスクリーン印刷法を用
いて下地層３を形成した。次いで市販の溶剤剥離型で感
光性のペースト状メッキレジストを、配線回路基板２の
端部を除く全面にスクリーン印刷法により印刷し、メッ
キレジスト層５を形成した。
【００２４】次に、メッキレジスト層５並びに下地層３
を同時に露光・現像することにより、メッキ皮膜を形成
する箇所４に５０μｍφのブラインドビアホールを形成
した。そして下地層３を給電用として活用し、電解金メ
ッキを１０μｍ施し、ブラインドビアホール内に金を析
出させた。次いで、ＭＥＫを用いて配線回路基板２上に
残されたメッキレジスト層５並びにに下地層３を同時に
剥離し、金メッキ皮膜の形成を終了した。本実施例で
は、酸等によるエッチング処理を用いないので、独立導
体回路パターン１へのダメージを与えることがなく、所
望のメッキ皮膜を得ることができた。なお、本実施例で
は溶剤剥離型の感光性の下地層３を用いたので、実施例
１に比べて剥離工程の短縮化が図れた。
を同時に露光・現像することにより、メッキ皮膜を形成
する箇所４に５０μｍφのブラインドビアホールを形成
した。そして下地層３を給電用として活用し、電解金メ
ッキを１０μｍ施し、ブラインドビアホール内に金を析
出させた。次いで、ＭＥＫを用いて配線回路基板２上に
残されたメッキレジスト層５並びにに下地層３を同時に
剥離し、金メッキ皮膜の形成を終了した。本実施例で
は、酸等によるエッチング処理を用いないので、独立導
体回路パターン１へのダメージを与えることがなく、所
望のメッキ皮膜を得ることができた。なお、本実施例で
は溶剤剥離型の感光性の下地層３を用いたので、実施例
１に比べて剥離工程の短縮化が図れた。
【００２５】
【発明の効果】本発明は叙述のように従来のようにダミ
ー導体回路を用いないで下地層で給電して電解メッキで
独立導体回路パターンにメッキ皮膜を形成でき、しかも
下地層は熱または溶剤またはアルカリの手法で剥離でき
て従来のダミー導体回路パターンのように強酸等による
エッチングを要しないものであって、必要な導体回路パ
ターンの損傷を回避し、所望のメッキ皮膜を安定して形
成できるという効果を有するものである。
ー導体回路を用いないで下地層で給電して電解メッキで
独立導体回路パターンにメッキ皮膜を形成でき、しかも
下地層は熱または溶剤またはアルカリの手法で剥離でき
て従来のダミー導体回路パターンのように強酸等による
エッチングを要しないものであって、必要な導体回路パ
ターンの損傷を回避し、所望のメッキ皮膜を安定して形
成できるという効果を有するものである。
【図１】本発明の独立回路へのメッキ方法の一例の工程
を説明する断面図である。
を説明する断面図である。
【図２】同上の他例の工程を説明する断面図である。
【図３】同上の他例の工程を説明する断面図である。
１ 独立導体回路パターン ２ 配線回路基板 ３ 下地層 ４ メッキ皮膜を形成する箇所 ５ メッキレジスト層 ７ メッキ皮膜
Claims (5)
- 【請求項１】 配線回路基板の独立導体回路パターン上
に電解メッキ法でメッキを施す方法であって、導電性を
有し且つ熱または溶剤またはアルカリの何れかの手法に
て剥離可能な材料よりなる下地層を、メッキ皮膜の形成
を要する独立導体回路パターンに少なくとも接するよう
に配線回路基板上に形成する工程と、少なくともメッキ
皮膜の形成を要する部分以外の部分で、且つ前記下地層
に重なるように剥離可能なメッキレジスト層を形成する
工程と、前記下地層を給電層として電解メッキを行って
前記メッキレジスト層で被覆されていない箇所に金属の
析出を行う工程と、配線回路基板上に残された下地層並
びにメッキレジスト層を剥離する工程とを有することを
特徴とする独立回路へのメッキ方法。 - 【請求項２】 配線回路基板の独立導体回路パターン上
に電解メッキ法でメッキを施す方法であって、導電性を
有し且つ熱または溶剤またはアルカリの何れかの手法に
て剥離可能な材料よりなる下地層を、メッキ皮膜の形成
を要する独立導体回路パターンに少なくとも接するよう
に配線回路基板上に形成する工程と、少なくともメッキ
皮膜の形成を要する部分を含み、且つ前記下地層に重な
るように感光性のメッキレジスト層を形成する工程と、
露光・現像によりメッキ皮膜の形成を要する箇所の感光
性のメッキレジスト層を除去する工程と、前記下地層を
給電層として電解メッキを行って感光性のメッキレジス
ト層を除去した箇所に金属の析出を行う工程と、配線回
路基板上に残された下地層並びに感光性レジスト層を剥
離する工程とを有することを特徴とする独立回路へのメ
ッキ方法。 - 【請求項３】 下地層の材料は感光性機能を有すること
を特徴とする請求項２記載の独立回路へのメッキ方法。 - 【請求項４】 下地層に導電性フィラーを含むことを特
徴とする請求項１または請求項２記載の独立回路へのメ
ッキ方法。 - 【請求項５】 導電性フィラーとして少なくともカーボ
ン、銅、銀のうち何れか１つ以上含むことを特徴とする
請求項４記載の独立回路へのメッキ方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21170196A JP3405640B2 (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | 独立回路へのメッキ方法 |
| CN97191063A CN1104832C (zh) | 1996-08-09 | 1997-08-07 | 独立导体电路电镀的方法 |
| PCT/JP1997/002769 WO1998007302A1 (fr) | 1996-08-09 | 1997-08-07 | Procede de placage d'un circuit a conducteurs independants |
| GB9807238A GB2321908B (en) | 1996-08-09 | 1997-08-07 | Process of plating on isolated conductor circuit |
| US09/051,265 US6132588A (en) | 1996-08-09 | 1997-08-07 | Method for plating independent conductor circuit |
| TW086111370A TW333739B (en) | 1996-08-09 | 1997-08-08 | The method for plating independent conductor circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21170196A JP3405640B2 (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | 独立回路へのメッキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1056253A true JPH1056253A (ja) | 1998-02-24 |
| JP3405640B2 JP3405640B2 (ja) | 2003-05-12 |
Family
ID=16610164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21170196A Expired - Fee Related JP3405640B2 (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | 独立回路へのメッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3405640B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007134458A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板の製造方法および半導体装置の製造方法 |
-
1996
- 1996-08-09 JP JP21170196A patent/JP3405640B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007134458A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板の製造方法および半導体装置の製造方法 |
| JP4718305B2 (ja) * | 2005-11-09 | 2011-07-06 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板の製造方法および半導体装置の製造方法 |
| KR101195886B1 (ko) | 2005-11-09 | 2012-10-30 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 배선 기판의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3405640B2 (ja) | 2003-05-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030218 |
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