JP6946099B2 - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 - Google Patents

Description

本発明は、電子写真感光体、並びに、係る電子写真感光体を用いたプロセスカートリッジ及び電子写真装置に関する。

繰り返し使用が想定される電子写真感光体には、高い耐久性が求められる。表面層として電荷輸送層を有する場合、電荷輸送層の耐久性が高い必要がある。電荷輸送層の耐久性を向上するために、電荷輸送層のバインダーとして用いる樹脂、特に、ポリカーボネート樹脂の構造の検討がされている（特許文献１〜１２）。

特開平７−２７１０６２号公報 特開２０１２−０４８１７４号公報 特開２０１１−０２６５７４号公報 特開平５−１１３６８０号公報 特開平４−１４９５５７号公報 特開平６−０１１８７７号公報 特開２００５−３３８４４６号公報 特開平６−３１７９１７号公報 特開平７−０１３３６３号公報 特開２００８−１４６０８９号公報 特開２０１４−２３５２５１号公報 特開２０１４−２３５２７３号公報

一方で、電荷輸送層としては、電子写真記録プロセスの高速化に伴い、耐久性と共に、得られる電子写真感光体性能の向上も期待されている。求められる電子写真感光体性能としては、例えば、かぶり現象や濃度ムラの抑制効果や、電位変動の抑制効果や、フォトメモリーの抑制効果などが挙げられる。

したがって、本発明の目的は、耐久性に優れ、十分な電子写真感光体性能を有する電子写真感光体を提供することにある。また、本発明の別の目的は、係る電子写真感光体を用いたプロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供することにある。

上記の目的は以下の本発明によって達成される。本発明は何れの実施形態においても、支持体と、電荷発生物質を含有する電荷発生層と、電荷輸送物質を含有する電荷輸送層とをこの順に有し、該電荷輸送層が表面層である電子写真感光体である。

そして、本発明にかかる電子写真感光体の第１の実施形態は、電荷輸送層が、式（１−１）で示される構造単位、式（１−２）で示される構造単位、及び式（１−３）で示される構造単位

（式（１−１）において、Ｒ^１１〜Ｒ^１４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基を示す。）

（式（１−２）において、Ｒ^１５〜Ｒ^１８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基を示す。Ｘは酸素原子を示す。）

（式（１−３）において、Ｒ^２１１〜Ｒ^２１４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基を示す。Ｒ^２１５は、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基を示す。Ｒ^２１６とＲ^２１７は、それぞれ独立に、炭素数１〜９のアルキル基を示す。ｉ^２１１は０〜３の整数を示す。）
を有するポリカーボネート樹脂を含有し、
電荷輸送物質が、式（２０９）、（３０２）、（６０２）又は（６０３）で示される電荷輸送物質である

ことを特徴とする。

本発明にかかる電子写真感光体の第２の実施形態は、電荷輸送層が、式（２−１）で示される構造単位、式（２−２−１）、（２−２−２）又は（２−２−５）で示される構造単位、及び式（２−３）で示される構造単位

（式（２−１）において、Ｒは、水素原子、メチル基、又はフェニル基を示す。）

（式（２−３）において、Ｒ^２１１〜Ｒ^２１４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基を示す。Ｒ^２１５は、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基を示す。Ｒ^２１６とＲ^２１７は、それぞれ独立に、炭素数１〜５のアルキル基を示す。ｉ^２１１は０〜２の整数を示す。）
を有するポリカーボネート樹脂を含有することを特徴とする。

本発明にかかる電子写真感光体の第３の実施形態は、電荷輸送層が、式（３−１）で示される構造単位及び式（３−２）で示される構造単位

（式（３−１）において、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、又は、アルコキシ基を示す。Ｒ^５は、置換若しくは無置換の炭素数１〜９のアルキル基を示す。ｉは０〜３の整数を示す。）

（式（３−２）において、Ｒ^６〜Ｒ^９は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基を示す。Ｘは酸素原子、硫黄原子を示す。）
を有するポリカーボネート樹脂を含有し、
電荷輸送物質が、式（１０２）、（２１２）、（３０５）又は（５０３）で示される電荷輸送物質である

ことを特徴とする。

本発明によれば、耐久性に優れ、十分な電子写真感光体性能を有する電子写真感光体を提供することができる。また、係る電子写真感光体を用いたプロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供することができる。

電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。 １ドット桂馬パターン画像を説明する図である。 実施例で用いたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。 実施例で用いたクロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。 実施例で用いたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。

以下、好適な実施の形態を挙げて、本発明を詳細に説明する。

［電子写真感光体］
本発明の電子写真感光体は、支持体と、電荷発生物質を含有する電荷発生層と、電荷輸送物質を含有する電荷輸送層とをこの順に有し、該電荷輸送層が表面層である。支持体と電荷発生層との間にその他の層を設けてもよい。以下、各層について説明する。

電子写真感光体を製造する方法としては、後述する各層の塗布液を調製し、所望の層の順番に塗布して、乾燥させる方法が挙げられる。このとき、塗布液の塗布方法としては、浸漬塗布法（浸漬コーティング法）、スプレーコーティング法、カーテンコーティング法、スピンコーティング法などが挙げられる。これらの中でも、効率性及び生産性の観点から、浸漬塗布法が好ましい。

＜支持体＞
本発明において、支持体は、導電性を有する導電性支持体であることが好ましい。導電性支持体としては、例えば、アルミニウム、鉄、ニッケル、銅、金などの金属又は合金で形成される支持体や、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ガラスなどの絶縁性支持体上に、アルミニウム、クロム、銀、金などの金属の薄膜；酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛などの導電性材料の薄膜；銀ナノワイヤーを加えた導電性インクの薄膜を形成した支持体が挙げられる。

支持体の表面には、電気的特性の改善や干渉縞の抑制のため、陽極酸化などの電気化学的な処理や、湿式ホーニング処理、ブラスト処理、切削処理などを施してもよい。

支持体の形状としては円筒状又はフィルム状などが挙げられる。

＜導電層＞
本発明において、支持体の上に導電層を設けてもよい。導電層を設けることで、支持体のムラや欠陥の被覆、干渉縞の防止が可能となる。導電層の平均膜厚は５μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましい。

導電層は、導電性粒子と、結着樹脂を含有することが好ましい。導電性粒子としては、カーボンブラック、金属粒子及び金属酸化物粒子などが挙げられる。

金属酸化物粒子としては、例えば、酸化亜鉛、鉛白、酸化アルミニウム、酸化インジウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化ビスマス、スズをドープした酸化インジウム、アンチモンやタンタルをドープした酸化スズの粒子が挙げられる。これらは２種以上を併用してもよい。これらの中でも、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化チタンの粒子が好ましい。特に、酸化チタン粒子は、可視光及び近赤外光をほとんど吸収せず、白色であるため、高感度化の観点から好ましい。酸化チタンの結晶型として、例えば、ルチル型、アナターゼ型、ブルカイト型及びアモルファス型があり、いずれの結晶型を用いてもよい。また、針状結晶、粒状結晶の酸化チタン粒子も用いてもよい。より好ましくは、ルチル型の酸化チタン結晶の粒子である。金属酸化物粒子の個数基準の平均一次粒径は、０．０５〜１μｍであることが好ましく、０．１〜０．５μｍであることがより好ましい。

結着樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂が挙げられる。これらは２種以上を併用してもよい。これらの中でも、他の層を形成するために用いる塗布液中の溶剤に対する耐性、導電性支持体に対する密着性、金属酸化物粒子の分散性・分散安定性という観点から、硬化性樹脂が好ましい。より好ましくは、熱硬化性樹脂である。熱硬化性樹脂としては、例えば、熱硬化性のフェノール樹脂、熱硬化性のポリウレタン樹脂が挙げられる。

＜下引き層＞
本発明において、支持体又は導電層の上に、下引き層を設けてもよい。下引き層を設けることで、バリア機能と接着機能が高まる。下引き層に用いられる樹脂としては、例えば、アガロース樹脂、アクリル樹脂、アリル樹脂、アルキッド樹脂、エチルセルロース樹脂、エチレン−アクリル酸コポリマー、エポキシ樹脂、カゼイン樹脂、シリコーン樹脂、ゼラチン樹脂、セルロース樹脂、フェノール樹脂、ブチラール樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアリルエーテル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリプロピレン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂などが挙げられる。下引き層の平均膜厚は、０．３μｍ以上５．０μｍ以下であることが好ましい。

また、下引き層には、電子輸送物質、あるいは金属酸化物粒子を含有させてもよい。係る構成により、電荷発生層で発生した電荷のうち、電子を支持体にまで輸送することができるので、電荷輸送層の電荷輸送能が向上しても電荷発生層中での電荷の失活、トラップの増加を抑制できる。よって、初期の電気特性及び繰り返し使用時における電気特性が向上する。

電子輸送物質としては、例えば、キノン化合物、イミド化合物、ベンズイミダゾール化合物、シクロペンタジエニリデン化合物、フルオレノン化合物、キサントン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノビニル系化合物、ナフチルイミド化合物、ペリレンイミド化合物が挙げられる。電子輸送物質は、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基、メトキシ基などの重合性官能基を有することが好ましい。

金属酸化物粒子としては、上記導電層において説明したものと同様である。

＜電荷発生層＞
本発明において、支持体と電荷輸送層との間に、電荷発生層を有する。電荷発生層は、電荷輸送層に隣接していることが好ましい。電荷発生層の膜厚は、０．０５μｍ以上１μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上０．３μｍ以下であることがより好ましい。

本発明において、電荷発生層は、電荷発生物質と結着樹脂を含有することが好ましい。

電荷発生層中の、電荷発生層の全重量に対する電荷発生物質の含有量は、電荷発生層の全重量に対して、４０質量％以上８５質量％以下であることが好ましく、６０質量％以上８０質量％以下であることがより好ましい。

電荷発生層における電荷発生物質の含有量Ａ（質量％）と、電荷輸送層における電荷輸送物質の含有量Ｂ（質量％）との比（Ａ／Ｂ）が、１．０以上３．０以下であることが好ましく、１．２以上２．５以下であることがより好ましい。

電荷発生物質としては、チタニウムフタロシアニン結晶、もしくはガリウムフタロシアニン結晶が好ましい。中でも、優れた感度を有するオキシチタニウムフタロシアニン結晶、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、クロロガリウムフタロシアニン結晶が、より好ましい。感度向上の観点から、ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．３°において２７．２°にピークを有するオキシチタニウムフタロシアニン結晶、ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．３°において７．４°及び２８．３°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶や、ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．３°において７．４°、１６．６°、２５．５°及び２８．３°にピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶がより好ましい。

また、ガリウムフタロシアニン結晶は、結晶内にＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−プロピルホルムアミド、Ｎ−ビニルホルムアミドなどのアミド化合物を含有するガリウムフタロシアニン結晶であることが好ましい。

アミド化合物の含有量は、ガリウムフタロシアニン結晶中のガリウムフタロシアニンに対して０．１質量％以上３．０質量％以下であることが好ましく、０．３質量％以上１．９質量％以下であることがより好ましい。尚、アミド化合物の含有量は、^１Ｈ−ＮＭＲ法により測定できる。

アミド化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶は、アシッドペースティング法又は乾式ミリングにより処理したガリウムフタロシアニンと、アミド化合物とを含んだ溶剤を、湿式ミリング処理して結晶変換する工程によって得られる。

湿式ミリング処理とは、ガラスビーズ、スチールビーズ、アルミナボールなどの分散剤とともにサンドミル、ボールミルなどのミリング装置を用いて行う処理である。

結着樹脂としては、例えば、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、ポリスチレン、ポリビニルアセテート、ポリサルホン、アクリロニトリル共重合体及びポリビニルベンザールなどの樹脂が挙げられる。これらの中でも、ガリウムフタロシアニン結晶を分散させる樹脂としては、ポリビニルブチラール、ポリビニルベンザールが好ましい。

＜電荷輸送層＞
本発明において、電荷輸送層は、電荷輸送物質、及び、後述する構造単位を有するポリカーボネート樹脂を含有する。

（ポリカーボネート樹脂）
（Ｉ）第１の実施形態
（ポリカーボネート樹脂の構造）
本発明者らが検討を行った結果、特定のポリカーボネート樹脂を含有する電荷輸送層を有する電子写真感光体を用いることで、かぶり現象と濃度ムラを抑制できることを見出した。具体的には、電荷輸送層が、式（１−１）で示される構造単位、式（１−２）で示される構造単位、及び式（１−３）で示される構造単位を有するポリカーボネート樹脂を含有することを特徴とする。

（式（１−１）において、Ｒ^１１〜Ｒ^１４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基を示す。）

（式（１−２）において、Ｒ^１５〜Ｒ^１８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基を示す。Ｘは酸素原子、硫黄原子、スルホニル基を示す。）

（式（１−３）において、Ｒ^２１１〜Ｒ^２１４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基を示す。Ｒ^２１５は、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基を示す。Ｒ^２１６とＲ^２１７は、それぞれ独立に、炭素数１〜９のアルキル基を示す。ｉ^２１１は０〜３の整数を示す。尚、ｉ^２１１が０のときは単結合である。）
本発明の構造のポリカーボネート樹脂は、本発明の構造を有さないポリカーボネートと比較して耐摩耗性が向上している。そのため、繰り返し使用した際の摩耗が抑制され、感光体表面の帯電電位の安定性が向上した結果、画像の全白部へのトナーかぶり（かぶり現象）が抑制されたと考えている。

一方、プロセススピードを変更して画像形成すると、画像間に濃度ムラが生じる場合があった。これには電子写真感光体の高速記録応答性が影響しており、露光後の表面電位を速やかに安定させる必要があった。本発明の構造のポリカーボネート樹脂は、本発明の構造を有さないポリカーボネートと比較して高速記録応答性が向上しているため、濃度ムラを抑制できたと考えている。

これは本発明のポリカーボネート樹脂が、式（１−１）及び式（１−２）で示される構造単位の両方を有することで、耐摩耗性を維持したまま構造の過度な配向を抑制でき、更に式（１−３）で示されるアルキル基の分岐鎖構造を有する構造単位を組み合わせることで、ポリカーボネート樹脂と電荷輸送物質のような低分子化合物との相溶性が向上したと考えている。その結果、電荷輸送層中の電荷輸送物質が膜内に適度に分散されて、キャリアの受け渡しに障害が少ないような分子配置になり、電荷輸送層にかかる電界強度が小さい領域でもキャリアがスムーズに吐き出され、高速記録応答性が向上したと考えられる。

上記の観点から、前記式（１−１）において、Ｒ^１１〜Ｒ^１４は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基、エチル基、フェニル基を示すことが好ましい。更には、Ｒ^１１〜Ｒ^１４は、水素原子を示すことがより好ましい。

前記式（１−２）において、Ｒ^１５〜Ｒ^１８は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基、エチル基、フェニル基を示すことが好ましく、Ｘは酸素原子、硫黄原子、スルホニル基を示すことが好ましい。更には、Ｒ^１５〜Ｒ^１８は、水素原子を示すことがより好ましく、Ｘは酸素原子を示すことがより好ましい。

前記式（１−３）において、Ｒ^２１１〜Ｒ^２１４は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基、エチル基、フェニル基を示すことが好ましく、Ｒ^２１５は、水素原子、メチル基、エチル基を示すことが好ましく、Ｒ^２１６とＲ^２１７は、それぞれ独立に、炭素数１〜４のアルキル基を示すことが好ましく、ｉ^２１１は０〜２の整数を示すことが好ましい。更には、Ｒ^２１１〜Ｒ^２１４は、水素原子を示すことがより好ましく、Ｒ^２１５は水素原子、メチル基を示すことがより好ましく、Ｒ^２１６とＲ^２１７は、メチル基を示すことがより好ましく、ｉ^２１１は０又は１であることがより好ましい。

樹脂に占める、式（１−１）で示される構造単位、式（１−２）で示される構造単位、及び式（１−３）で示される構造単位の繰り返し数をそれぞれａ、ｂ、及びｃとしたときに、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が、０．４０〜０．８０であることが好ましい。また、ａ／ｂが０．２５〜４．００であることが好ましい。この範囲であれば、高いレベルで耐摩耗性と高速記録応答性を維持できる。

また、式（１−１）〜式（１−３）で示される構造単位以外の構造単位を含有してもよい。その場合は、式（１−１）〜式（１−３）で示される構造単位が、その他の構造単位に対して、ｍｏｌ比率で１．０倍以上であることが好ましい。

本発明のポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量（Ｍｖ）は、３０，０００以上８０，０００以下であることが好ましく、４０，０００以上７０，０００以下であることがより好ましい。ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量が３０，０００より小さいと耐摩耗性が低下する場合がある。一方、ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量が８０，０００より大きいと、電荷輸送層用塗布液の保存安定性が十分に得られない場合がある。また、ポリカーボネート樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は３０，０００以上１１０，０００以下であることが好ましく、４０，０００以上９０，０００以下であることがより好ましい。後述する実施例において、ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量は、ウベローデ粘度計を使用し、２０℃、０．５ｗ／ｖ％ポリカーボネートジクロロメタン溶液、ハギンズ定数０．４５で極限粘度［η］を測定し、以下の式により求めた。
［η］＝１．２３×１０−４×（Ｍｖ）０．８３
また、ポリカーボネート樹脂の重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）［測定器：アライアンスＨＰＬＣシステム（Ｗａｔｅｒｓ製）］を用い、Ｓｈｏｄｅｘ ＫＦ−８０５Ｌカラム（昭和電工製）２本、０．２５ｗ／ｖ％クロロホルム溶液サンプル、１ｍｌ／分クロロホルム溶離液、２５４ｎｍのＵＶ検出の条件で測定し、ポリスチレン換算の値として算出した。

また、上記ポリカーボネート樹脂の極限粘度は、０．３ｄＬ／ｇ〜２．０ｄＬ／ｇが好ましい。

電荷輸送層中における、電荷輸送物質（後述）の含有量が、ポリカーボネート樹脂の含有量に対して、０．５倍以上０．９倍以下であることが好ましい。０．５倍より小さいと十分な高速記録応答性を得られない場合がある。また、０．９倍より大きいと十分な耐摩耗性を得られない場合がある。

＜式（１−１）で示される構造単位の具体例＞

＜式（１−２）で示される構造単位の具体例＞

＜式（１−３）で示される構造単位の具体例＞

＜ポリカーボネート樹脂の具体例＞
ポリカーボネート樹脂の具体例を表１に示す。

（ポリカーボネート樹脂の合成方法）
一例として、樹脂Ｉ−１のホスゲン法による合成方法を以下に示す。その他のポリカーボネート樹脂は、以下の方法において、式（１−１）〜式（１−３）の構造単位となる化合物の種類と添加量を適宜変えることにより合成可能である。また、樹脂の粘度平均分子量は、分子量調節剤の添加量を適宜変えることにより調整可能である。さらに、本発明のポリカーボネート樹脂は、エステル交換法によって合成してもよい。

５質量％の水酸化ナトリウム水溶液２２００ｍｌに、式（１−１−１）の構造単位となる４，４’−ジヒドロキシビフェニル（東京化成工業製、製品コードＢ０４６４）を３７．２ｇ（０．２０ｍｏｌ）と、式（１−２−１）の構造単位となる４，４'−ジヒドロキシジフェニルエーテル（東京化成工業製、製品コードＤ２１２１）を６０．７ｇ（０．３０ｍｏｌ）と、式（１−３−１）の構造単位となる４，４’−（１，３−ジメチルブチリデン）ジフェノール（東京化成工業製、製品コードＤ３２６７）を１３５．２ｇ（０．５００ｍｏｌ）と、ハイドロサルファイト０．２ｇを溶解した。これにメチレンクロライド１０００ｍｌを加えて攪拌しつつ、１５℃に保ちながら、次いでホスゲン１２０ｇを６０分で吹き込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、分子量調節剤としてｐ−ｔ−ブチルフェノール（東京化成工業製、製品コードＢ０３８３）２．６ｇを加えて攪拌して、反応液を乳化させた。乳化後０．８ｍｌのトリエチルアミンを加え、２３℃にて１時間攪拌し、重合させた。重合終了後、反応液を水相と有機相に分離し、有機相をリン酸で中和し、洗液（水相）の導電率が１０μＳ／ｃｍ以下になるまで水洗を繰り返した。得られた重合体溶液を、４５℃に保った温水に滴下し、溶媒を蒸発除去して白色粉末状沈殿物を得た。得られた沈殿物を濾過し、１１０℃、２４時間乾燥して、ポリカーボネート樹脂を得た。

得られたポリカーボネート樹脂を赤外線吸収スペクトルにより分析した結果、１７７０ｃｍ^−１付近の位置にカルボニル基による吸収、１２４０ｃｍ^−１付近の位置にエーテル結合による吸収が認められ、ポリカーボネート樹脂であることが確認された。また、得られたポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量（Ｍｖ）は、５４，０００、重量平均分子量（Ｍｗ）は、７４，０００であった。

（ＩＩ）第２の実施形態
（ポリカーボネート樹脂の構造）
本発明者らが検討を行った結果、特定のポリカーボネート樹脂を含有する電荷輸送層を有する電子写真感光体を用いることで、耐摩耗性と耐クラック性に優れることを見出した。具体的には、電荷輸送層が、式（２−１）で示される構造単位、式（２−２）で示される構造単位、及び式（２−３）で示される構造単位を有するポリカーボネート樹脂を含有することを特徴とする。

（式（２−１）において、Ｒは、水素原子、メチル基、フェニル基を示す。）

（式（２−２）において、Ｒ^１５〜Ｒ^１８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基を示す。Ｘは酸素原子、硫黄原子、スルホニル基を示す。）

（式（２−３）において、Ｒ^２１１〜Ｒ^２１４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基を示す。Ｒ^２１５は、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基を示す。Ｒ^２１６とＲ^２１７は、それぞれ独立に、炭素数１〜５のアルキル基を示す。ｉ^２１１は０〜２の整数を示す。尚、ｉ^２１１が０のときは単結合である。）
本発明の構造のポリカーボネート樹脂は、本発明の構造を有さないポリカーボネートと比較して耐摩耗性が向上している。これは、主に前述の式（２−２）が共重合する際に、高い配向性を示しながら規則性を持って共重合するためと考えている。特にエーテル構造を有する構造体は、高分子鎖がフレキシブルに折りたたまれやすく、また式（２−２）は左右対称性が高いため規則的に配向する傾向が強いことから、耐摩耗性を飛躍的に向上させられ、高耐久性を有することができると推察される。

一方、高い耐摩耗性を有する半面、可塑剤等の化学物質の暴露にあうと、クラック性に劣ることが検討でわかった。これは、高い配向性を示しているがゆえに配向性が異なる物質からのアタックを受けると、分子鎖の規則性が崩されやすく、もろくなるものと考えられる。そこで、規則性を持った配向を大半で維持しつつ、一部の規則性を意図的に崩すことが出来れば、耐摩耗性と耐クラック性を高次元で両立できるのではないかと考えた。検討の結果、式（２−２）の骨格構造に類似するものとして式（２−１）と式（２−３）を適度に混在させることで耐摩耗性と耐クラック性を高次元で両立させることができた。

これは、式（２−２）のような規則性を持った構造により耐摩耗性の向上を達成したところに、式（２−１）や式（２−３）のように、式（２−２）と類似の骨格構造を有しつつも分岐鎖を有する構造を共重合時に適度にブレンドさせることで、高い規則性を保ちつつも、一部の配向性を意図的に崩すことができ、耐クラック性に優れる特性を見いだせたものと考えている。また、式（２−１）は主鎖に対してフェニル基が少なくとも片側についた構造になっていることからか、主鎖の規則性を適度に崩すものとして最適であり、耐クラック性を向上させるために欠かせないものと考えている。

上記の観点から、前記式（２−２）において、Ｒ^１５〜Ｒ^１８は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基、エチル基、フェニル基を示すことが好ましく、Ｘは酸素原子、硫黄原子、スルホニル基を示すことが好ましい。更には、Ｒ^１５〜Ｒ^１８は、水素原子を示すことがより好ましく、Ｘは酸素原子を示すことがより好ましい。

前記式（２−３）において、Ｒ^２１１〜Ｒ^２１４は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基、エチル基、フェニル基を示すことが好ましく、Ｒ^２１５は、水素原子、メチル基、エチル基を示すことが好ましく、Ｒ^２１６とＲ^２１７は、それぞれ独立に、炭素数１〜５のアルキル基を示すことが好ましく、ｉ^２１１は０〜２の整数を示すことが好ましい。更には、Ｒ^２１１〜Ｒ^２１４は、水素原子を示すことがより好ましく、Ｒ^２１５は、水素原子、メチル基を示すことがより好ましく、Ｒ^２１６とＲ^２１７は、メチル基を示すことがより好ましく、ｉ^２１１は０又は１を示すことがより好ましい。

ポリカーボネート樹脂に占める、式（２−１）で示される構造単位、式（２−２）で示される構造単位、及び式（２−３）で示される構造単位の繰り返し数をそれぞれａ、ｂ、及びｃとしたときに、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が、０．１０〜０．４０であることが好ましい。また、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が、０．３０〜０．６０であることが好ましい。また、式（２−１）で示される構造単位及び式（２−２）で示される構造単位の繰り返し数をそれぞれａ及びｂとしたときに、ａ／ｂが、０．２０〜１．２０であることが好ましい。この範囲であれば、高いレベルで耐摩耗性と耐クラック性を両立できる。

また、式（２−１）〜式（２−３）で示される構造単位以外の構造単位を含有してもよい。その場合は、式（２−１）〜式（２−３）で示される構造単位が、その他の構造単位に対して、ｍｏｌ比率で１．０倍以上であることが好ましい。

本発明のポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量（Ｍｖ）は、３０，０００以上９０，０００以下であることが好ましい。ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量が３０，０００より小さいと耐摩耗性が低下する場合がある。一方、ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量が９０，０００より大きいと、表面層塗布液の保存安定性が十分に得られない場合がある。また、ポリカーボネート樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は３０，０００以上１１０，０００以下であることが好ましい。

また、上記ポリカーボネート樹脂の極限粘度は、０．３ｄＬ／ｇ〜２．０ｄＬ／ｇが好ましい。

電荷輸送層中における、電荷輸送物質（後述）の含有量が、ポリカーボネート樹脂の含有量に対して、０．５倍以上０．９倍以下であることが好ましい。０．５倍より小さいと十分な高速記録応答性を得られない場合がある。また、０．９倍より大きいと十分な耐摩耗性を得られない場合がある。

＜式（２−１）で示される構造単位の具体例＞

＜式（２−２）で示される構造単位の具体例＞

＜式（２−３）で示される構造単位の具体例＞

＜ポリカーボネート樹脂の具体例＞
ポリカーボネート樹脂の具体例を表２に示す。

（ポリカーボネート樹脂の合成方法）
一例として、樹脂ＩＩ−１のホスゲン法による合成方法を以下に示す。その他のポリカーボネート樹脂は、以下の方法において、式（２−１）〜式（２−３）の構造単位となる化合物の種類と添加量を適宜変えることにより合成可能である。また、樹脂の粘度平均分子量は、分子量調節剤の添加量を適宜変えることにより調整可能である。さらに、本発明のポリカーボネート樹脂は、エステル交換法によって合成してもよい。

５質量％の水酸化ナトリウム水溶液２２００ｍｌに、式（２−１−１）の構造単位となる４，４’−（α―メチルベンジリデン）ビスフェノール（東京化成工業製、製品コードＭ１０９８）を６４．２ｇ（０．２０ｍｏｌ）と、式（２−２−１）の構造単位となる４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテル（東京化成工業製、製品コードＤ２１２１）を６０．７ｇ（０．３０ｍｏｌ）と、式（２−３−１）の構造単位となる４，４’−（１，３−ジメチルブチリデン）ジフェノール（東京化成工業製、製品コードＤ３２６７）を１３５．２ｇ（０．５００ｍｏｌ）と、ハイドロサルファイト０．２ｇを溶解した。これにメチレンクロライド１０００ｍｌを加えて攪拌しつつ、１５℃に保ちながら、次いでホスゲン１２０ｇを６０分で吹き込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、分子量調節剤としてｐ−ｔ−ブチルフェノール（東京化成工業製、製品コードＢ０３８３）２．６ｇを加えて攪拌して、反応液を乳化させた。乳化後０．８ｍｌのトリエチルアミンを加え、２３℃にて１時間攪拌し、重合させた。重合終了後、反応液を水相と有機相に分離し、有機相をリン酸で中和し、洗液（水相）の導電率が１０μＳ／ｃｍ以下になるまで水洗を繰り返した。得られた重合体溶液を、４５℃に保った温水に滴下し、溶媒を蒸発除去して白色粉末状沈殿物を得た。得られた沈殿物を濾過し、１１０℃、２４時間乾燥して、ポリカーボネート樹脂を得た。

得られたポリカーボネート樹脂を赤外線吸収スペクトルにより分析した結果、１７７０ｃｍ^−１付近の位置にカルボニル基による吸収、１２４０ｃｍ^−１付近の位置にエーテル結合による吸収が認められ、ポリカーボネート樹脂であることが確認された。また、得られたポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量（Ｍｖ）は、５５，０００、重量平均分子量（Ｍｗ）は、６６，０００であった。

（ＩＩＩ）第３の実施形態
（ポリカーボネート樹脂の構造）
本発明者らが検討を行った結果、特定のポリカーボネート樹脂を含有する電荷輸送層を有する電子写真感光体を用いることで、電位変動抑制効果に優れることを見出した。具体的には、電荷輸送層が、式（３−１）で示される構造単位及び式（３−２）で示される構造単位を有するポリカーボネート樹脂を含有することを特徴とする。

（式（３−１）において、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、又は、アルコキシ基を示す。Ｒ^５は、置換基若しくは無置換の炭素数１〜９のアルキル基を示す。ｉは０〜３の整数を示す。尚、ｉが０のときは単結合である。）

（式（３−２）において、Ｒ^６〜Ｒ^９は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基を示す。Ｘは酸素原子、硫黄原子を示す。）
本発明の構造のポリカーボネート樹脂を電荷輸送層のバインダーとして用いることで、機械的強度の向上と、キャリア移動の滞りの抑制を同時に達成できるため、耐久電位変動が抑制されたと考えている。本発明の構造のポリカーボネート樹脂を用いると、電荷発生層と電荷輸送層との界面と、電荷輸送層中とに電荷輸送物質が均一な距離で配置され、その結果、キャリア移動の滞りが抑制されると考えている。加えて、フタロシアニン結晶を含有する電荷発生層と組み合わせて用いることで、電荷発生層と電荷輸送層の界面でのキャリア移動の滞りが特に少なくなり、高いレベルで耐久電位変動が抑制されたものと考えている。電荷発生物質と電荷輸送物質の間でのキャリア移動を滞りなく行うためには、電荷発生物質近傍の好適な位置に電荷輸送物質が存在する必要があると考えられる。フタロシアニン結晶を構成するフタロシアニン分子は、分子構造の高い対称性に起因して、キャリア移動に好適な方向が多数存在すると考えられ、本発明の構造のポリカーボネート樹脂による電荷輸送物質の均一な配置と組み合わされることで、電荷発生物質と電荷輸送物質の間でのキャリアの滞りが特に少なく、高いレベルで耐久電位変動が抑制されるものと考えている。一方、アゾ顔料などの、対称性の低い分子から構成される電荷発生物質のみを含有する電荷発生層を用いた場合、顔料に対してキャリア移動に好適な方向が制限されており、本発明の構造のポリカーボネート樹脂により形成された、電荷輸送物質の均一な配置に起因する、電荷発生層と電荷輸送層の界面でのキャリア移動の滞りを抑制する効果が十分に発揮されないものと考えている。

上記式（３−１）で示される構造単位と、式（３−２）で示される構造単位を有するポリカーボネート樹脂を合成する方法としては、例えば、以下２つの方法が挙げられる。

１つ目は、式（３−１）’で示されるビスフェノール化合物と、式（３−２）’で示されるビスフェノール化合物を、ホスゲンと直接反応させる方法（ホスゲン法）である。

（式（３−１）’において、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、又は、アルコキシ基を示す。Ｒ^５は、置換基若しくは無置換の炭素数１〜９のアルキル基を示す。ｉは０〜３の整数を示し、ｉが０のときは単結合である。）
具体的には、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルプロパンなどが挙げられる。

（式（３−２）’において、Ｒ^６〜Ｒ^９は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基を示す。Ｘは酸素原子、硫黄原子を示す。）
具体的には、ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（３−メチルー４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（３，５−ジメチルー４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（３−メトキシ−４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（４―ヒドロキシフェニル）スルフィドなどが挙げられる。

２つ目は、上述した少なくとも２種のビスフェノール化合物を、ジフェニルカーボネート、ジ−ｐ−トリルカーボネート、フェニル−ｐ−トリルカーボネート、ジ−ｐ−クロロフェニルカーボネート、ジナフチルカーボネートなどのビスアリールカーボネートとエステル交換反応させる方法（エステル交換法）である。

ホスゲン法においては、通常、酸結合剤及び溶剤の存在下において、上述した少なくとも２種のビスフェノール化合物とホスゲンを反応させる。このとき用いる酸結合剤としては、ピリジンや、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムなどのアルカリ金属の水酸化物などが挙げられる。また溶媒としては、塩化メチレン、クロロホルムなどが挙げられる。更に、縮重合反応を促進するために、触媒や分子量調節剤を加えても良い。触媒としては、トリエチルアミンのような第三級アミン、又は第四級アンモニウム塩などが挙げられる。分子量調節剤としては、フェノール、ｐ−クミルフェノール、ｔ−ブチルフェノール、長鎖アルキル置換フェノールなどの一官能基化合物が挙げられる。

また、ポリカーボネート樹脂を合成する際に、亜硫酸ナトリウム、ハイドロサルファイトなどの酸化防止剤；フロログルシン、イサチンビスフェノールなど分岐化剤を用いてもよい。また、ポリカーボネート樹脂を合成するときの反応温度は、０〜１５０℃が好ましく、５〜４０℃がより好ましい。反応時間は、反応温度によって左右されるが、通常０．５分〜１０時間が好ましく、１分〜２時間がより好ましい。また、反応中は、反応系のｐＨを１０以上にすることが好ましい。

上記式（３−１）で示される構造単位と、式（３−２）で示される構造単位を有するポリカーボネート樹脂は、更に、電荷輸送層用塗工液の保存安定性などを目的として、式（３−１）で示される構造単位と式（３−２）で示される構造単位以外のその他の構造単位を含有してもよい。その他の構造単位として、例えば、下記式（３−３）から（３−５）で示される構造単位が挙げられる。

ポリカーボネート樹脂に占める、式（３−１）で示される構造単位の含有比率が、２５ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％以下であることが好ましく、３０ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下であることがより好ましい。また、式（３−１）で示される構造単位の含有比率と、前記式（３−２）で示される構造単位の含有比率の合計が７０ｍｏｌ％以上であることが好ましく、８０ｍｏｌ％以上であることがより好ましい。

本発明において、ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量（Ｍｖ）は、３０，０００以上８０，０００以下であることが好ましく、４０，０００以上７０，０００以下であることがより好ましい。ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量が３０，０００より小さいと機械的強度が低く、耐久電位変動抑制効果が十分に得られない場合がある。一方、ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量が８０，０００より大きいと、電荷輸送層用塗布液の保存安定性や塗工性が十分に得られない場合がある。また、ポリカーボネート樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は３０，０００以上１１０，０００以下であることが好ましく、４０，０００以上９０，０００以下であることがより好ましい。

また、上記ポリカーボネート樹脂の極限粘度は、０．３ｄＬ／ｇ〜２．０ｄＬ／ｇが好ましい。

電荷輸送層中における、電荷輸送物質（後述）の含有量が、ポリカーボネート樹脂の含有量に対して、０．３倍以上０．７倍以下であることが好ましく、０．４倍以上０．６倍以下であることがより好ましい。

＜式（３−１）で示される構造単位の具体例＞

＜式（３−２）で示される構造単位の具体例＞

＜ポリカーボネート樹脂の具体例＞
ポリカーボネート樹脂の具体例を表３に示す。

（ポリカーボネート樹脂の合成方法）
一例として、樹脂ＩＩＩ−１の合成方法を以下に示す。その他のポリカーボネート樹脂は、以下の方法において、式（３−１）及び式（３−２）の構造単位となる化合物の種類と添加量を適宜変えることにより合成可能である。また、樹脂の粘度平均分子量は、分子量調節剤の添加量を適宜変えることにより調整可能である。

５質量％の水酸化ナトリウム水溶液１１００ｍｌに、式（３−１−１）の構造単位となる１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルプロパン（和光純薬工業製、製品コード１３１―１１３３１）を４８．５ｇ（０．２００ｍｏｌ）と、式（３−２−１）の構造単位となるビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル（東京化成工業製、製品コードＤ２１２１）を４０．４ｇ（０．２００ｍｏｌ）と、ハイドロサルファイト０．１ｇを溶解した。これにメチレンクロライド５００ｍｌを加えて攪拌しつつ、１５℃に保ちながら、次いでホスゲン６０ｇを６０分で吹き込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、分子量調節剤としてｐ−ｔ−ブチルフェノール（東京化成工業製、製品コードＢ０３８３）１．３ｇを加えて攪拌して、反応液を乳化させた。乳化後０．４ｍｌのトリエチルアミンを加え、２３℃にて１時間攪拌し、重合させた。重合終了後、反応液を水相と有機相に分離し、有機相をリン酸で中和し、洗液（水相）の導電率が１０μＳ／ｃｍ以下になるまで水洗を繰り返した。得られた重合体溶液を、４５℃に保った温水に滴下し、溶媒を蒸発除去して白色粉末状沈殿物を得た。得られた沈殿物を濾過し、１１０℃、２４時間乾燥して、ポリカーボネート樹脂を得た。

得られたポリカーボネート樹脂を赤外線吸収スペクトルにより分析した結果、１７７０ｃｍ^−１付近の位置にカルボニル基による吸収、１２４０ｃｍ^−１付近の位置にエーテル結合による吸収が認められ、ポリカーボネート樹脂であることが確認された。

（ＩＶ）第４の実施形態
（ポリカーボネート樹脂の構造）
本発明者らが検討を行った結果、特定のポリカーボネート樹脂を含有する電荷輸送層を有する電子写真感光体を用いることで、耐摩耗性とフォトメモリーの抑制効果に優れることを見出した。具体的には、電荷輸送層が、式（４−１）で示される構造単位及び式（４−２）で示される構造単位を有するポリカーボネート樹脂を含有することを特徴とする。

（式（４−１）において、Ｒ^１１〜Ｒ^１５は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基、エチル基、フェニル基を示す。Ｒ^１６は炭素数６〜１５の直鎖アルキル基を示す。）

（式（４−２）において、Ｒ^２１〜Ｒ^２４は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基、エチル基、フェニル基を示す。Ｘは酸素原子、硫黄原子、単結合、スルホニル基を示す。）
式（４−２）の構造を有するポリカーボネート樹脂は機械的強度が高いという特徴を有することに加え、同時に電荷輸送物質を凝集させやすい特徴も有する。そのため、機械的強度を高めるために共重合比率を上げていくと電荷輸送物質の凝集によりキャリアの滞留が起こり、フォトメモリーが発生しやすくなる。本発明のポリカーボネート樹脂は式（４−１）の構造を有することで直鎖アルキル基が電荷輸送物質の凝集を抑え、その結果、（４−２）の構造の共重合比率を上げても耐摩耗性とフォトメモリーの抑制を高いレベルで両立できたと考えている。この効果を得るには、直鎖アルキル基の炭素数は６〜１５であることが好ましく、８〜１２であることがより好ましい。炭素数が少ないと電荷輸送物質の凝集の抑制ができず、逆に炭素数が多すぎてもアルキル基自体が立体障害となり、電荷輸送物質の凝集抑制の効果が得られないと考えられる。

上記の観点から、式（４−１）において、Ｒ^１１〜Ｒ^１５は、水素原子を示すことが好ましく、Ｒ^１６は炭素数８〜１２の直鎖アルキル基を示すことが好ましい。また、式（４−２）において、Ｒ^２１〜Ｒ^２４は、水素原子を示すことが好ましく、Ｘは酸素原子を示すことが好ましい。

ポリカーボネート樹脂に占める、式（４−２）で示される構造単位の含有比率が、２０ｍｏｌ％以上８０ｍｏｌ％であることが好ましく、５０ｍｏｌ％以上８０ｍｏｌ％以下であることがより好ましい。この範囲であれば、高いレベルで耐摩耗性とフォトメモリーの両立が可能となる。

上記式（４−１）で示される構造単位と、式（４−２）で示される構造単位を有するポリカーボネート樹脂は、更に、電荷輸送層用塗工液の保存安定性などを目的として、式（４−１）及び式（４−２）で示される構造単位以外のその他の構造単位を含有してもよい。その他の構造単位として、例えば、下記式（４−３）で示される構造単位及び（４−４）で示される構造単位が挙げられる。

本発明のポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量（Ｍｖ）は、３０，０００以上８０，０００以下であることが好ましく、４０，０００以上７０，０００以下であることがより好ましい。ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量が３０，０００より小さいと耐摩耗性が低下する場合がある。一方、ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量が８０，０００より大きいと、電荷輸送層用塗布液の保存安定性が十分に得られない場合がある。また、ポリカーボネート樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は３０，０００以上１１０，０００以下であることが好ましく、４０，０００以上９０，０００以下であることがより好ましい。

また、上記ポリカーボネート樹脂の極限粘度は、０．３ｄＬ／ｇ〜２．０ｄＬ／ｇが好ましい。

電荷輸送層中における、電荷輸送物質（後述）の含有量が、ポリカーボネート樹脂の含有量に対して、０．３倍以上１．２倍以下であることが好ましく、０．３倍以上０．６倍以下であることがより好ましい。

また、ポリカーボネート樹脂の式（４−１）で示される構造単位のｍｏｌ数が、前記電荷輸送物質のｍｏｌ数に対して、０．２倍以上７．０倍以下であることが好ましい。この範囲であれば、高いレベルで耐摩耗性とフォトメモリー抑制を維持できる。

＜式（４−１）で示される構造単位の具体例＞

＜式（４−２）で示される構造単位の具体例＞

＜ポリカーボネート樹脂の具体例＞
ポリカーボネート樹脂の具体例を表４に示す。

（ポリカーボネート樹脂の合成方法）
一例として、樹脂ＩＶ−１のホスゲン法による合成方法を以下に示す。その他のポリカーボネート樹脂は、以下の方法において、式（４−１）及び式（４−２）の構造単位となる化合物の種類と添加量を適宜変えることにより合成可能である。また、樹脂の粘度平均分子量は、分子量調節剤の添加量を適宜変えることにより調整可能である。さらに、本発明のポリカーボネート樹脂は、エステル交換法によって合成してもよい。

５質量％の水酸化ナトリウム水溶液１１００ｍｌに、デカナール（和光純薬工業製、製品コード ０４９−２１５３５）より誘導して得られた式（４−１−１）の構造単位となる１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）デカンを３９．１ｇ（０．１２ｍｏｌ）と、式（４−２−１）の構造単位となるビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル（東京化成工業製、製品コードＤ２１２１）を５６．６ｇ（０．２８ｍｏｌ）と、ハイドロサルファイト０．１ｇを溶解した。これにメチレンクロライド５００ｍｌを加えて攪拌しつつ、１５℃に保ちながら、次いでホスゲン６０ｇを６０分で吹き込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、分子量調節剤としてｐ−ｔ−ブチルフェノール（東京化成工業製、製品コードＢ０３８３）１．３ｇを加えて攪拌して、反応液を乳化させた。乳化後０．４ｍｌのトリエチルアミンを加え、２３℃にて１時間攪拌し、重合させた。重合終了後、反応液を水相と有機相に分離し、有機相をリン酸で中和し、洗液（水相）の導電率が１０μＳ／ｃｍ以下になるまで水洗を繰り返した。得られた重合体溶液を、４５℃に保った温水に滴下し、溶媒を蒸発除去して白色粉末状沈殿物を得た。得られた沈殿物を濾過し、１１０℃、２４時間乾燥して、ポリカーボネート樹脂を得た。

得られたポリカーボネート樹脂を赤外線吸収スペクトルにより分析した結果、１７７０ｃｍ^−１付近の位置にカルボニル基による吸収、１２４０ｃｍ^−１付近の位置にエーテル結合による吸収が認められ、ポリカーボネート樹脂であることが確認された。また、得られたポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量（Ｍｖ）は、５６，０００、重量平均分子量（Ｍｗ）は、７５，０００であった。

（電荷輸送物質）
電荷輸送物質としては、トリアリールアミン化合物、ヒドラゾン化合物、スチルベン化合物、ピラゾリン化合物、オキサゾール化合物、チアゾール化合物及びトリアリルメタン化合物などが挙げられる。これらは２種以上を併用してもよい。これらの中でも、トリアリールアミン化合物を用いることが好ましい。

電荷輸送物質の分子量は３００以上１，０００以下が好ましい。電気特性及び長期保存安定性の向上の観点からは、６００以上８００以下がより好ましい。

以下、電荷輸送物質の具体例として、一般式と、各一般式を満足する例示化合物をそれぞれ示す。

（上記式において、Ａｒ^１０１、Ａｒ^１０２はそれぞれ独立に、置換基を有しても良いアリール基を示し、Ｒ^１０１、Ｒ^１０２はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、あるいは置換基を有しても良いアリール基を示す。該置換のアリール基の置換基はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子である。）
以下、（ＣＴＭ−１）の例示化合物を示す。化合物（１０２）の酸化電位は０．７６Ｖである。

（上記式において、Ａｒ^１０３〜Ａｒ^１０６はそれぞれ独立に、置換基を有しても良いアリール基を示し、Ｚ^１０１は置換基を有しても良いアリーレン基、あるいは複数のアリーレン基がビニレン基を介して結合した２価の基を示す。Ａｒ^１０３〜Ａｒ^１０６上の２つの隣接する置換基が互いに結合して環を形成していてもよい。該置換のアリール基、アリーレン基の置換基はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子である。）
以下、（ＣＴＭ−２）の例示化合物を示す。化合物（２０１）と化合物（２１２）の酸化電位はそれぞれ０．７４Ｖ、０．７２Ｖである。

（上記式において、Ｒ^１０３はアルキル基、シクロアルキル基、あるいは置換基を有しても良いアリール基を示し、Ｒ^１０４は水素原子、アルキル基、あるいは置換基を有しても良いアリール基を示し、Ａｒ^１０７は置換基を有しても良いアリール基を示し、Ｚ^１０２は置換基を有しても良いアリーレン基を示す。ｎ^１０１は１〜３、ｍは０〜２の整数を示し、ｍ＋ｎ^１０１＝３である。ｍが２の場合、Ｒ^１０３は同一でも異なっていても良い。Ｒ^１０３上の２つの隣接する置換基が互いに結合して環を形成していてもよい。Ｒ^１０３とＺ^１０２とが結合して環を形成していてもよい。また、Ａｒ^１０７とＲ^１０４とがビニレン基により結合して環を形成していてもよい。該置換のアリール基、アリーレン基の置換基はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子である。）
以下、（ＣＴＭ−３）の例示化合物を示す。化合物（３０４）と化合物（３０５）の酸化電位はそれぞれ０．７６Ｖ、０．８１Ｖである。

（上記式において、Ａｒ^１０８〜Ａｒ^１１１はそれぞれ独立に、置換基を有しても良いアリール基を示す。該置換のアリール基の置換基はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、４−フェニル−ブタ−１，３−ジエニル基である。）
以下、（ＣＴＭ−４）の例示化合物を示す。

（上記式において、Ａｒ^１１２〜Ａｒ^１１７はそれぞれ独立に、置換基を有しても良いアリール基を示し、Ｚ^１０３はフェニレン基、ビフェニレン基、あるいは二つのフェニレン基がアルキレン基を介して結合した２価の基を示す。該置換のアリール基の置換基はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子である。）
以下、（ＣＴＭ−５）の例示化合物を示す。

（上記式において、Ｒ^１０５〜Ｒ^１０８の少なくとも１つは下記式で示される１価の基であり、それ以外はそれぞれ独立してアルキル基、又は置換基を有してもよいアリール基を示し、Ｚ^１０４は置換基を有しても良いアリーレン基、あるいは複数のアリーレン基がビニレン基を介して結合した２価の基を示す。ｎ^１０２は０又は１を示す。該置換のアリール基、アリーレン基の置換基はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子である。）

（上記式において、Ｒ^１０９とＲ^１１０はそれぞれ独立して水素原子、アルキル基、置換基を有してもよいアリール基を示し、Ａｒ^１１８は置換基を有しても良いアリール基を示す。Ｚ^１０５は置換基を有しても良いアリーレン基を示す。ｎ_２は１〜３の整数を示す。該置換のアリール基の置換基はアルキル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基である。該置換のアリーレン基の置換基はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子である。）
以下、（ＣＴＭ−６）の例示化合物を示す。化合物（６０３）の酸化電位は０．６７Ｖである。

（上記式において、Ａｒ^１１９は置換基を有しても良いアリール基、式（７−１）又は式（７−２）で示される１価の基を示し、Ａｒ^１２０、Ａｒ^１２１はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアリール基を示す。該置換のアリール基の置換基はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子である。）

（上記式において、Ａｒ^１２２、Ａｒ^１２３はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアリール基、もしくは置換基を有しても良いアラルキル基を示す。該置換のアリール基、アラルキル基の置換基はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子である。）

（上記式において、Ｒ^１１１、Ｒ^１１２はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアリール基を示し、Ｚ^１０６は置換基を有しても良いアリーレン基を示す。該置換のアリール基、アリーレン基の置換基はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子である。）
以下、（ＣＴＭ−７）の例示化合物を示す。

電荷輸送物質の酸化電位は０．８０Ｖ以下であることが好ましく、電気特性の観点から０．７７Ｖ以下であることがより好ましい。電荷輸送物質の酸化電位が０．８０Ｖより大きいと、電荷発生層と電荷輸送層の界面でのキャリア移動に滞りが生じると考えており、耐久電位変動抑制効果が十分に得られない場合がある。本発明において、酸化電位の測定は以下のようにして行った。飽和カロメル電極を参照電極とし、電解液に０．１Ｎの（ｎ−Ｂｕ）_４Ｎ^＋ＣｌＯ_４ ⁻アセトニトリル溶液を用い、ポテンシャルスイーパーによって作用電極の電位をスイープし、得られた電流−電位曲線のピーク位置を酸化電位の値とした。

詳しくは、サンプルを、０．１Ｎの（ｎ−Ｂｕ）_４Ｎ^＋ＣｌＯ_４ ⁻アセトニトリル溶液に、５〜１０ｍｍｏｌ％の濃度になるように溶解した。次に、このサンプル溶液に電圧を印加し、低電位から直線的に電圧を変化させたときの電流変化を測定し、電流−電位曲線を得た。この電流−電位曲線における電流値のピークに達した電位値を酸化電位とした。

更に、トナーの転写効率を上げる目的で離型剤や、汚れなどを抑制する目的で指紋付着防止剤や、削れを抑制する目的でフィラーや、潤滑性を向上させる目的で潤滑剤などを含有してもよい。潤滑剤としては、シロキサン構造を有する樹脂を用いることが好ましい。シロキサン構造を有する樹脂とは、具体的には下記部位を有する樹脂を意味する。

式中、ａは括弧内の構造の繰り返し数を示し、シロキサン構造を有する樹脂におけるａの平均値は、２０以上２００以下であることが好ましい。

シロキサン構造を有する樹脂を用いる場合、シロキサン構造を有する樹脂の含有量が、ポリカーボネート樹脂の含有量に対して、０．１質量％以上３０質量％以下であることが好ましい。０．１質量％より小さいと、潤滑材の機能が十分に発揮されず、耐クラック性が十分に確保できない場合がある。一方、３０質量％より多いと、ポリカーボネート樹脂の規則的な配向性を崩すこともあり、耐摩耗性に劣る場合がある。尚、シロキサン部位の含有量は、一般的な分析手法で解析可能である。以下に、分析手法の例を示す。まず、電子写真感光体の表面層である電荷輸送層を溶剤で溶解させる。その後、サイズ排除クロマトグラフィーや高速液体クロマトグラフィーなどの各組成成分を分離回収可能な分取装置で、表面層である電荷輸送層に含有される種々の材料を分取する。分取された成分であるシロキサン構造を有する樹脂を、^１Ｈ−ＮＭＲ測定による水素原子（樹脂を構成している水素原子）のピーク位置及びピーク面積比による換算法によって構成材料構造及び含有量を確認することができる。それらの結果より、シロキサン部位の繰り返し数やモル比を算出し、含有量（質量比）に換算する。また、分取された成分であるシロキサン構造を有する樹脂をアルカリ存在下などで加水分解させ、カルボン酸部分とビスフェノール部分に分解する。得られたビスフェノール部分に対し、核磁気共鳴スペクトル分析や質量分析により、シロキサン部位の繰り返し数やモル比を算出し、含有量（質量比）に換算することができる。

本発明において、電荷輸送層は、電荷輸送物質、ポリカーボネート樹脂を溶媒と混合して電荷輸送層用塗布液を調製し、電荷輸送層用塗布液の塗膜を形成し、塗膜を乾燥させることで形成することができる。

電荷輸送層用塗布液に用いる溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶剤；酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル系溶剤；ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼンなどの芳香族炭化水素溶剤；１，４−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶剤；ハロゲン原子で置換されたジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素などの炭化水素溶剤；ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン、ジメトキシメタン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアルデヒド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性有機溶媒などが挙げられる。これらは、２種類以上を併用してもよい。

電荷輸送層の膜厚は、５μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましく、７μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましい。

［プロセスカートリッジ、電子写真装置］
図１は、本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。

１は円筒状（ドラム状）の電子写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度（プロセススピード）をもって回転駆動される。電子写真感光体１の表面は、回転過程において、帯電手段３により、正又は負の所定電位に帯電される。次いで、帯電された電子写真感光体１の表面には、露光手段（不図示）から露光光４が照射され、目的の画像情報に対応した静電潜像が形成されていく。露光光４は、例えば、スリット露光やレーザービーム走査露光などの露光手段から出力される、目的の画像情報の時系列電気デジタル画像信号に対応して強度変調された光である。

電子写真感光体１の表面に形成された静電潜像は、現像手段５内に収容されたトナーで現像（正規現像又は反転現像）され、電子写真感光体１の表面にはトナー像が形成される。電子写真感光体１の表面に形成されたトナー像は、転写手段６により、転写材７に転写されていく。このとき、転写手段６には、バイアス電源（不図示）からトナーの保有電荷とは逆極性のバイアス電圧が印加される。また、転写材７が紙である場合、転写材７は給紙部（不図示）から取り出されて、電子写真感光体１と転写手段６との間に電子写真感光体１の回転と同期して給送される。

電子写真感光体１からトナー像が転写された転写材７は、電子写真感光体１の表面から分離されて、定着手段８へ搬送されて、トナー像の定着処理を受けることにより、画像形成物（プリント、コピー）として電子写真装置の外へプリントアウトされる。

転写材７にトナー像を転写した後の電子写真感光体１の表面は、クリーニング手段９により、トナー（転写残りトナー）などの付着物の除去を受けて清浄される。近年、クリーナレスシステムも開発され、転写残りトナーを直接、現像器などで除去することも可能である。更に、電子写真感光体１の表面は、前露光手段（不図示）からの前露光光１０により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、帯電手段３が帯電ローラなどを用いた接触帯電手段である場合は、前露光手段は必ずしも必要ではない。

本発明においては、上述の電子写真感光体１、帯電手段３、現像手段５、転写手段６及びクリーニング手段９などの構成要素のうち、複数の構成要素を容器に納めて一体に支持してプロセスカートリッジを形成してもよい。そして、このプロセスカートリッジを電子写真装置本体に対して着脱自在に構成することが可能である。例えば、帯電手段３、現像手段５及びクリーニング手段９から選択される少なくとも１つを電子写真感光体１とともに一体に支持してカートリッジ化する。そして、電子写真装置本体のレールなどの案内手段１２を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ１１とすることができる。

露光光４は、電子写真装置が複写機やプリンターである場合には、原稿からの反射光や透過光であってもよい。又は、センサーで原稿を読み取り、信号化し、この信号に従って行われるレーザービームの走査、ＬＥＤアレイの駆動もしくは液晶シャッターアレイの駆動などにより放射される光であってもよい。

本発明の電子写真感光体１は、レーザービームプリンター、ＣＲＴプリンター、ＬＥＤプリンター、ＦＡＸ、液晶プリンター及びレーザー製版などの電子写真応用分野にも幅広く適用することができる。

以下、実施例及び比較例を用いて本発明を更に詳細に説明する。本発明は、その要旨を超えない限り、下記の実施例によって何ら限定されるものではない。尚、以下の実施例の記載において、「部」とあるのは特に断りのない限り質量基準である。また、実施例Ｉ−９、実施例ＩＩ−１７、及び実施例ＩＶ−１〜実施例ＩＶ−１６は参考例である。

＜第１の実施形態に対応する実施例＞
［電子写真感光体の作製］
（実施例Ｉ−１）
酸化スズで被覆した硫酸バリウム粒子（商品名：パストランＰＣ１、三井金属鉱業製）６０部、酸化チタン粒子（商品名：ＴＩＴＡＮＩＸ ＪＲ、テイカ製）１５部、レゾール型フェノール樹脂（商品名：フェノライト Ｊ−３２５、大日本インキ化学工業製、固形分７０質量％）４３部、シリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング製）０．０１５部、シリコーン樹脂（商品名：トスパール１２０、東芝シリコーン製）３．６部、１−メトキシ−２−プロパノール５０部、及び、メタノール５０部からなる溶液を、ボールミルで２０時間分散処理することによって、導電層用塗布液を調製した。

この導電層用塗布液を、支持体として長さ２６１．５ｍｍ、直径２４ｍｍのアルミニウムシリンダー（ＪＩＳ−Ａ３００３、アルミニウム合金）上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１４０℃で乾燥させることによって、膜厚が３０μｍの導電層を形成した。

次に、共重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ製）１０部及びメトキシメチル化６ナイロン樹脂（商品名：トレジンＥＦ−３０Ｔ、帝国化学製）３０部を、メタノール４００部／ｎ−ブタノール２００部の混合溶剤に溶解させることによって、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を乾燥させることによって、膜厚が０．８μｍの下引き層（ＵＣＬ−１）を形成した。

次に、ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θにおいて２７．２°にピークを有するオキシチタニウムフタロシアニン結晶１０部、ポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業製）５部、及び、シクロヘキサノン２５０部を、直径１．０ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルで６時間分散処理した。この分散液に酢酸エチル２５０部を加えて希釈することによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１０分間１００℃で乾燥させることによって、膜厚が０．２０μｍの電荷発生層を形成した。

次に、ポリカーボネート樹脂として樹脂Ｉ−１を１０部、電荷輸送物質として式（６０２）の化合物を５部、テトラヒドロフラン３５部とトルエン３５部に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。この電荷輸送層用塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分１２０℃で乾燥させることによって、膜厚が２０μｍの電荷輸送層を形成した。以上のようにして、実施例Ｉ−１の電子写真感光体を作製した。

（その他の実施例及び比較例）
表６に記載の、ポリカーボネート樹脂、電荷輸送物質、電荷輸送層中のポリカーボネート樹脂の含有量に対する電荷輸送物質の含有量となるように、上記（実施例Ｉ−１）からそれぞれ変更して電子写真感光体を作製した。比較例に用いたポリカーボネート樹脂の構造を表５に示す。尚、樹脂Ｉ−１９は電荷輸送層用塗布液中に溶解せず、感光体を作製できなかったため、後述する評価は行っていない。

比較例に使用したポリカーボネート樹脂の構造単位を以下に示す。

［評価］
上記で作製した電子写真感光体を用いて、以下の評価を行った。評価結果を表６に示す。

（濃度ムラ抑制効果）
レーザービームプリンターＣＰ−４５２５（ヒューレット・パッカード製）を、電子写真感光体の帯電電位（暗部電位）、露光光量及び現像バイアスを調整できるように改造した評価装置Ｘと、評価装置Ｘを更にプロセススピード（電子写真感光体の回転速度）が１．５倍早くなるように改造した評価装置Ｙを用意した。

上記で作製した電子写真感光体を評価装置Ｘ及びＹのプロセスカートリッジ（シアン色）にそれぞれ装着し、温度２３℃、相対湿度５０％環境下で、Ａ４サイズの普通紙に対し、図２に示す「１ドット桂馬パターンのハーフトーン画像」を評価用画像Ｘ及びＹとして出力した。このとき、帯電条件としては、電子写真感光体の表面電位（暗部電位）が−７００Ｖになるように、印加バイアスを調整した。露光条件としては、露光光量が０．４μＪ／ｃｍ^２となるように調整した。現像条件は、現像バイアスが−３５０Ｖとなるように調整した。

評価用画像Ｘ及びＹの画像濃度差（マクベス濃度差）を濃度計ＲＤ−９１８（マクベス製）で測定し、濃度ムラ抑制効果を評価した。具体的には、電子写真感光体１周分に相当する画像領域内の任意の１０点に関して、ＳＰＩフィルターを使用して、直径５ｍｍ丸の画像の反射濃度を測定し、１０点の平均値を評価用画像の画像濃度とした。画像濃度差が小さい程、濃度ムラ抑制効果が高い。以下の基準においては、Ａ〜Ｄを好ましいレベルとし、Ｅ、Ｆを許容できないレベルとした。
Ａ：画像濃度差が０．０２未満であった
Ｂ：画像濃度差が０．０２以上０．０４未満であった
Ｃ：画像濃度差が０．０４以上０．０６未満であった
Ｄ：画像濃度差が０．０６以上０．０８未満であった
Ｅ：画像濃度差が０．０８以上０．１０未満であった
Ｆ：画像濃度差が０．１０以上であった。

（かぶり現象抑制効果）
レーザービームプリンターＣＰ−４５２５（ヒューレット・パッカード製）を、電子写真感光体の帯電電位（暗部電位）を調整できるように改造し、帯電電位（暗部電位）を−７００Ｖに設定して評価装置として用いた。

上記で作製した電子写真感光体を評価装置のプロセスカートリッジ（シアン色）に装着し、温度２３℃、相対湿度５０％環境下で、Ａ４サイズの普通紙に対し、印字比率１％のテストチャートによる画像出力を３０，０００枚連続して行った。テストチャートによる画像出力は、３枚の連続出力と６秒間の出力停止を繰り返して行った。

３０，０００枚耐久後、画像の白地部の反射濃度最悪値Ｆ_１と画像形成前の普通紙の反射平均濃度Ｆ_０を測定し、Ｆ_１−Ｆ_０を「かぶり値」とした。濃度の測定には、反射濃度計リフレクトメーターＴＣ−６ＤＳ（東京電色製）を用いた。かぶり値が小さい程、かぶり現象抑制効果が高い。以下の基準においては、Ａ〜Ｄを好ましいレベルとし、Ｅ、Ｆを許容できないレベルとした。
Ａ：かぶり値が１．５未満であった
Ｂ：かぶり値が１．５以上２．０未満であった
Ｃ：かぶり値が２．０以上２．５未満であった
Ｄ：かぶり値が２．５以上３．０未満であった
Ｅ：かぶり値が３．０以上４．０未満であった
Ｆ：かぶり値が４．０以上であった。

＜第２の実施形態に対応する実施例＞
（ガリウムフタロシアニン結晶の合成）
電荷発生物質として用いるガリウムフタロシアニン結晶を以下の通り合成した。

窒素フローの雰囲気下、フタロニトリル５．４６部及びα−クロロナフタレン４５部を反応釜に投入した後、加熱し、温度３０℃まで昇温させた後、この温度を維持した。次に、この温度（３０℃）で三塩化ガリウム３．７５部を投入した。投入時の混合液の水分値は１５０ｐｐｍであった。その後、温度２００℃まで昇温させた。次に、窒素フローの雰囲気下、温度２００℃で４．５時間反応させた後、冷却し、温度１５０℃に達したときに生成物を濾過した。得られた濾過物をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを用いて温度１４０℃で２時間分散洗浄した後、濾過した。得られた濾過物をメタノールで洗浄した後、乾燥させ、クロロガリウムフタロシアニン（ＣｌＧａＰｃ）を４．６５部（収率７１％）得た。

上記で得たＣｌＧａＰｃ４．６５部を、温度１０℃で濃硫酸１３９．５部に溶解させ、攪拌下、氷水６２０部中に滴下して再析出させて、フィルタープレスを用いて濾過した。得られたウエットケーキ（濾過物）を２％アンモニア水で分散洗浄した後、フィルタープレスを用いて濾過した。次いで、得られたウエットケーキ（濾過物）をイオン交換水で分散洗浄した後、フィルタープレスを用いた濾過を３回繰り返し、その後、固形分２３％のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（含水ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料）を得た。

得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（含水ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料）６．６ｋｇをハイパー・ドライ乾燥機ＨＤ−０６Ｒ（日本バイオコン製、周波数（発振周波数）：２４５５ＭＨｚ±１５ＭＨｚ）を用いて以下のように乾燥させた。

得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を、専用円形プラスチックトレイにフィルタープレスより取り出したままの固まりの状態（含水ケーキ厚４ｃｍ以下）で載せ、遠赤外線はオフ、乾燥機の内壁の温度は５０℃になるように設定した。そして、マイクロ波照射時は真空ポンプとリークバルブを調整し、真空度を４．０〜１０．０ｋＰａに調整した。

先ず、第１工程として、４．８ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に５０分間照射し、次に、マイクロ波を一旦切ってリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この時点でのヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の固形分は８８％であった。第２工程として、リークバルブを調整し、真空度（乾燥機内の圧力）を前記設定値内（４．０〜１０．０ｋＰａ）に調整した。その後、１．２ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に５分間照射し、また、マイクロ波を一旦切ってリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この第２工程を更に１回繰り返した（計２回）。この時点でのヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の固形分は９８％であった。第３工程として、第２工程でのマイクロ波を１．２ｋＷから０．８ｋＷに代えた以外は第２工程と同様にしてマイクロ波照射を行った。この第３工程を更に１回繰り返した（計２回）。第４工程として、リークバルブを調整し、真空度（乾燥機内の圧力）を前記設定値内（４．０〜１０．０ｋＰａ）に復圧した。その後、０．４ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に３分間照射し、また、マイクロ波を一旦切ってリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この第４工程を更に７回繰り返した（計８回）。以上、合計３時間で、含水率１％以下のヒドロキシガリウムフタロシアニンを１．５２ｋｇ得た。

［電子写真感光体の作製］
（実施例ＩＩ−１）
酸化スズで被覆した硫酸バリウム粒子（商品名：パストランＰＣ１、三井金属鉱業製）６０部、酸化チタン粒子（商品名：ＴＩＴＡＮＩＸ ＪＲ、テイカ製）１５部、レゾール型フェノール樹脂（商品名：フェノライト Ｊ−３２５、大日本インキ化学工業製、固形分７０質量％）４３部、シリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング製）０．０１５部、シリコーン樹脂（商品名：トスパール１２０、東芝シリコーン製）３．６部、１−メトキシ−２−プロパノール５０部、及び、メタノール５０部からなる溶液を、ボールミルで２０時間分散処理することによって、導電層用塗布液を調製した。

この導電層用塗布液を、支持体として長さ２６１．５ｍｍ、直径２４ｍｍのアルミニウムシリンダー（ＪＩＳ−Ａ３００３、アルミニウム合金）上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１４０℃で乾燥させることによって、膜厚が３０μｍの導電層を形成した。

次に、共重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ製）１０部及びメトキシメチル化６ナイロン樹脂（商品名：トレジンＥＦ−３０Ｔ、帝国化学製）３０部を、メタノール４００部／ｎ−ブタノール２００部の混合溶剤に溶解させることによって、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を乾燥させることによって、膜厚が０．８μｍの下引き層（ＵＣＬ−１）を形成した。

次に、上記で合成したガリウムフタロシアニン結晶（電荷発生物質）１０部、ポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業製）５部、及び、シクロヘキサノン２５０部を、直径１．０ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルで６時間分散処理した。この分散液に酢酸エチル２５０部を加えて希釈することによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１０分間１００℃で乾燥させることによって、膜厚が０．２３μｍの電荷発生層を形成した。

次に、ポリカーボネート樹脂として樹脂ＩＩ−１を１０部、電荷輸送物質として式（１０２）の化合物（酸化電位：０．７６Ｖ）と、式（２０１）の化合物（酸化電位：０．７４Ｖ）の混合物（混合比率が９：１）５部、潤滑剤として、下記式（ＰＣＳｉ−１）で示されるシロキサン構造を有する樹脂

を０．２部、ｏ−キシレン（Ｘｙ）７０部とジメトキシメタン（ＤＭＭ）２０部に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。この電荷輸送層用塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分１２０℃で乾燥させることによって、膜厚が１８μｍの電荷輸送層を形成した。以上のようにして、実施例ＩＩ−１の電子写真感光体を作製した。

（その他の実施例及び比較例）
表８に記載の、ポリカーボネート樹脂、電荷輸送物質、電荷輸送層中のポリカーボネート樹脂の含有量に対する電荷輸送物質の含有量となるように、上記（実施例ＩＩ−１）からそれぞれ変更して電子写真感光体を作製した。比較例に用いたポリカーボネート樹脂の構造を表７に示す。

比較例に使用したポリカーボネート樹脂の構造単位を以下に示す。

［評価］
上記で作製した電子写真感光体を用いて、以下の評価を行った。評価結果を表８に示す。

（耐摩耗性）
レーザービームプリンターＣＰ−４５２５（ヒューレット・パッカード製）を、電子写真感光体の帯電電位（暗部電位）及び露光光量を調整できるように改造し、評価装置として用いた。

上記で作製した電子写真感光体を評価装置のプロセスカートリッジ（シアン色）に装着し、温度２３℃、相対湿度５０％環境下で、Ａ４サイズの普通紙に対し、印字比率６％のテストチャートによる画像出力を、画像出力１枚ごとに１ 度停止する間欠モードにて１０，０００枚通紙耐久にて行った。このとき、帯電条件としては、電子写真感光体の帯電電位（暗部電位）が−７００Ｖになるように、印加バイアスを調整した。露光条件としては、露光光量が０．４μＪ／ｃｍ^２となるように調整した。

通紙耐久評価前の感光体の膜厚を測定し（膜厚値Ｓ）、上述の１００００枚の間欠モードにて通紙耐久を行った後、さらに温度１５℃、相対湿度１０％環境下にて、さらに１００００枚の連続通紙耐久を行い、その後の感光体の膜厚を同じく測定した（膜厚値Ｌ）。膜厚値Ｓ−膜厚値Ｌを「摩耗量」とし、この値から以下の評価基準で耐摩耗性の評価を行った。以下の基準においては、Ａ〜Ｃを好ましいレベルとし、Ｄを許容できないレベルとした。
Ａ：摩耗量が１．０μｍ未満であった
Ｂ：摩耗量が１．０μｍ以上１．５μｍ未満であった
Ｃ：摩耗量が以上１．５μｍ以上２．０μｍ未満であった
Ｄ：摩耗量が２．０μｍ以上であった。

（耐クラック性）
以下の評価法１及び評価法２に従って評価を行った。

（１）評価法１
初期評価として、オイルを含有した膜を作製し、その膜を本発明の電子写真感光体に密着させ、温度２３℃、湿度５０％ＲＨの常温常湿環境下で、密着１０秒〜１２時間まで経時変化を追った。オイル含有膜は、ＫＦ９９（信越化学工業）１部、Ｎ−メトキシメチル化ナイロン１０部、メタノール５０部より構成される塗料を、膜厚約１００μｍのシート状のアルミニウム支持体上に浸漬コーティング法で塗布し、１００℃で５分乾燥し、膜厚０．２μｍのオイル含有膜を形成した。上記オイル含有膜を縦２０ｍｍ、横２０ｍｍに切り出し、電子写真感光体に密着させて評価を行った。上記評価によるクラックの評価基準は以下のとおりである。以下の基準においては、Ａ〜Ｃを好ましいレベルとし、Ｄを許容できないレベルとした。
Ａ：１２時間経過後もクラックの発生が確認されなかった
Ｂ：５時間以上１２時間未満の間にクラックの発生が確認された
Ｃ：３０分以上５時間未満の間にクラックの発生が確認された
Ｄ：３０分未満の経過時間でもクラックの発生が確認された。

（２）評価法２
評価法１の評価後の電子写真感光体を上述の評価装置に装着した。そして、電子写真感光体の１周目の回転でベタ黒画像を記録した後、電子写真感光体の２周目の回転以降に記録したベタ黒画像の画像濃度を、マクベス濃度計（マクベス製）を用いて測定し、耐クラック性を評価した。尚、電子写真感光体にクラックが発生すると画像濃度は低下する。即ち、本評価においては、画像濃度が高いほど、耐クラック性が高いことを意味する。以下の基準においては、Ａ〜Ｃを好ましいレベルとし、Ｄを許容できないレベルとした。
Ａ：画像濃度が１．４５以上であった
Ｂ：画像濃度が１．３５以上１．４５未満であった
Ｃ：画像濃度が１．２０以上１．３５未満であった
Ｄ：画像濃度が１．２０未満であった。

＜第３の実施形態に対応する実施例＞
（ガリウムフタロシアニン結晶の合成）
電荷発生物質として用いるガリウムフタロシアニン結晶を以下の通り合成した。

（ヒドロキシガリウムフタロシアニンＧａ−０の合成）
窒素フローの雰囲気下、フタロニトリル５．４６部及びα−クロロナフタレン４５部を反応釜に投入した後、加熱し、温度３０℃まで昇温させた後、この温度を維持した。次に、この温度（３０℃）で三塩化ガリウム３．７５部を投入した。投入時の混合液の水分値は１５０ｐｐｍであった。その後、温度２００℃まで昇温させた。次に、窒素フローの雰囲気下、温度２００℃で４．５時間反応させた後、冷却し、温度１５０℃に達したときに生成物を濾過した。得られた濾過物をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを用いて温度１４０℃で２時間分散洗浄した後、濾過した。得られた濾過物をメタノールで洗浄した後、乾燥させ、クロロガリウムフタロシアニン（ＣｌＧａＰｃ）を４．６５部（収率７１％）得た。

上記で得たＣｌＧａＰｃ４．６５部を、温度１０℃で濃硫酸１３９．５部に溶解させ、攪拌下、氷水６２０部中に滴下して再析出させて、フィルタープレスを用いて濾過した。得られたウエットケーキ（濾過物）を２％アンモニア水で分散洗浄した後、フィルタープレスを用いて濾過した。次いで、得られたウエットケーキ（濾過物）をイオン交換水で分散洗浄した後、フィルタープレスを用いた濾過を３回繰り返し、その後、固形分２３％のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（含水ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料）を得た。

得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（含水ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料）６．６ｋｇをハイパー・ドライ乾燥機ＨＤ−０６Ｒ（日本バイオコン製、周波数（発振周波数）：２４５５ＭＨｚ±１５ＭＨｚ）を用いて以下のように乾燥させた。

得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を、専用円形プラスチックトレイにフィルタープレスより取り出したままの固まりの状態（含水ケーキ厚４ｃｍ以下）で載せ、遠赤外線はオフ、乾燥機の内壁の温度は５０℃になるように設定した。そして、マイクロ波照射時は真空ポンプとリークバルブを調整し、真空度を４．０〜１０．０ｋＰａに調整した。

先ず、第１工程として、４．８ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に５０分間照射し、次に、マイクロ波を一旦切ってリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この時点でのヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の固形分は８８％であった。第２工程として、リークバルブを調整し、真空度（乾燥機内の圧力）を前記設定値内（４．０〜１０．０ｋＰａ）に調整した。その後、１．２ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に５分間照射し、また、マイクロ波を一旦切ってリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この第２工程を更に１回繰り返した（計２回）。この時点でのヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の固形分は９８％であった。第３工程として、第２工程でのマイクロ波を１．２ｋＷから０．８ｋＷに代えた以外は第２工程と同様にしてマイクロ波照射を行った。この第３工程を更に１回繰り返した（計２回）。第４工程として、リークバルブを調整し、真空度（乾燥機内の圧力）を前記設定値内（４．０〜１０．０ｋＰａ）に復圧した。その後、０．４ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に３分間照射し、また、マイクロ波を一旦切ってリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この第４工程を更に７回繰り返した（計８回）。以上、合計３時間で、含水率１％以下のヒドロキシガリウムフタロシアニン（Ｇａ−０）を１．５２ｋｇ得た。

（ガリウムフタロシアニン結晶Ｇａ−１の合成）
上記で得たヒドロキシガリウムフタロシアニンＧａ−０ ０．５部と、Ｎ−メチルホルムアミド１０部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズ２０部と共にボールミルでミリング処理を室温（２３℃）下、１２０ｒｐｍの条件で３００時間行った。この分散液からガリウムフタロシアニン結晶をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを用いて取り出し、濾過し、濾過器上をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶Ｇａ−１を０．４５部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図３に示す。

また、重硫酸を溶媒として用いた^１Ｈ‐ＮＭＲ法［測定器：ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ ５００（ＢＲＵＫＥＲ製）］により、Ｇａ−１結晶内に、Ｎ−メチルホルムアミドが０．９質量％含有されていることが確認された。

（ガリウムフタロシアニン結晶Ｇａ−２の合成）
上記（ガリウムフタロシアニン結晶Ｇａ−１の合成）において、Ｎ−メチルホルムアミド１０部をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部に、ミリング処理時間を３００時間から４００時間に変更した以外は同様にして、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶Ｇａ−２を０．４０部得た。得られたＧａ−２の粉末Ｘ線回折は、図３と同様であった。また、ＮＭＲ測定により、Ｇａ−２結晶内に、プロトン比率から換算し、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが１．４質量％含有されていることが確認された。

（ガリウムフタロシアニン結晶Ｇａ−３の合成）
上記（ガリウムフタロシアニン結晶Ｇａ−１の合成）において、Ｎ−メチルホルムアミド１０部をＮ−プロピルホルムアミド１０部に、ミリング処理時間を３００時間から５００時間に変更した以外は同様にして、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶Ｇａ−３を０．４０部得た。得られたＧａ−３の粉末Ｘ線回折は、図３と同様であった。また、ＮＭＲ測定により、Ｇａ−３結晶内に、プロトン比率から換算し、Ｎ−プロピルホルムアミドが１．４質量％含有されていることが確認された。

（ガリウムフタロシアニン結晶Ｇａ−４の合成）
上記（ガリウムフタロシアニン結晶Ｇａ−１の合成）において、Ｎ−メチルホルムアミド１０部をＮ−ビニルホルムアミド１０部に、ミリング処理時間を３００時間から１００時間に変更した以外は同様にして、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶Ｇａ−４を０．４０部得た。得られたＧａ−４結晶の粉末Ｘ線回折は、図３と同様であった。また、ＮＭＲ測定により、Ｇａ−４結晶内に、プロトン比率から換算し、Ｎ−ビニルホルムアミドが１．８質量％含有されていることが確認された。

（ガリウムフタロシアニン結晶Ｇａ−５の合成）
上記で得たクロロガリウムフタロシアニン（ＣｌＧａＰｃ）０．５部を直径０．８ｍｍのガラスビーズ２０部と共にボールミルで乾式ミリング処理を室温（２３℃）下で４０時間行った。そこにＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部を加え湿式ミリング処理を室温（２３℃）下で１００時間行った。この分散液からガリウムフタロシアニン結晶をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを用いて取り出し、濾過し、濾過器上をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。濾取物を真空乾燥させて、クロロガリウムフタロシアニン結晶Ｇａ−５を０．４４部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図４に示す。

また、重硫酸を溶媒として用いた^１Ｈ‐ＮＭＲ法［測定器：ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ ５００（ＢＲＵＫＥＲ製）］により、Ｇａ−５結晶内に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが１．０質量％含有されていることが確認された。

（ガリウムフタロシアニン結晶Ｇａ−６の合成）
上記（ガリウムフタロシアニン結晶Ｇａ−１の合成）において、ミリング処理時間を３００時間から４８時間に変更した以外は同様にして、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶Ｇａ−６を０．４６部得た。測定により、Ｇａ−６結晶内に、プロトン比率から換算し、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが２．１質量％含有されていることが確認された。

（ガリウムフタロシアニン結晶Ｇａ−７の合成）
上記（ガリウムフタロシアニン結晶Ｇａ−１の合成）において、Ｎ−メチルホルムアミド１０部をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部に、ミリング処理時間を３００時間から１００時間に変更した以外は同様にして、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶Ｇａ−７を０．４０部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図５に示す。また、ＮＭＲ測定により、Ｇａ−７結晶内に、プロトン比率から換算し、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが２．２質量％含有されていることが確認された。

［電子写真感光体の作製］
以下、電子写真感光体の各層の膜厚は、渦電流式膜厚計Ｆｉｓｃｈｅｒｓｃｏｐｅ（フィッシャーインストルメンツ製）で実測するか、単位面積当たりの質量から比重換算で算出した。

（実施例ＩＩＩ−１）
酸化スズで被覆した硫酸バリウム粒子（商品名：パストランＰＣ１、三井金属鉱業製）６０部、酸化チタン粒子（商品名：ＴＩＴＡＮＩＸ ＪＲ、テイカ製）１５部、レゾール型フェノール樹脂（商品名：フェノライト Ｊ−３２５、大日本インキ化学工業製、固形分７０質量％）４３部、シリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング製）０．０１５部、シリコーン樹脂（商品名：トスパール１２０、東芝シリコーン製）３．６部、１−メトキシ−２−プロパノール５０部、及び、メタノール５０部からなる溶液を、ボールミルで２０時間分散処理することによって、導電層用塗布液を調製した。

この導電層用塗布液を、支持体として長さ２６１．５ｍｍ、直径２４ｍｍのアルミニウムシリンダー（ＪＩＳ−Ａ３００３、アルミニウム合金）上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１４０℃で乾燥させることによって、膜厚が３０μｍの導電層を形成した。

次に、共重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ製）１０部及びメトキシメチル化６ナイロン樹脂（商品名：トレジンＥＦ−３０Ｔ、帝国化学製）３０部を、メタノール４００部／ｎ−ブタノール２００部の混合溶剤に溶解させることによって、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を乾燥させることによって、膜厚が０．８μｍの下引き層（ＵＣＬ−１）を形成した。

次に、ガリウムフタロシアニン結晶Ｇａ−７（電荷発生物質）１０部、ポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業製）５部、及び、シクロヘキサノン２５０部を、直径１．０ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルで６時間分散処理した。この分散液に酢酸エチル２５０部を加えて希釈することによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１０分間１００℃で乾燥させることによって、膜厚が０．２３μｍの電荷発生層を形成した。

次に、ポリカーボネート樹脂として樹脂ＩＩＩ−１（Ｍｖ：５４，０００、Ｍｗ：７４，０００）１０部、電荷輸送物質として式（１０２）の化合物（酸化電位：０．７６Ｖ）と、式（２０１）の化合物（酸化電位：０．７４Ｖ）の混合物（混合比率が９：１）５部、潤滑剤として下記式（ＰｃＳｉ−１）で示されるシロキサン構造を有する樹脂０．３８部を、ｏ−キシレン（Ｘｙ）７０部とジメトキシメタン（ＤＭＭ）２０部に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。この電荷輸送層用塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１時間１２５℃で乾燥させることによって、膜厚が２０μｍの電荷輸送層を形成した。

以上のようにして、実施例ＩＩＩ−１の電子写真感光体を作製した。

（その他の実施例及び比較例）
表９に記載の、導電層の有無、下引き層の種類、電荷発生層に用いる電荷発生物質の種類（２種併用の場合はその質量比）、電荷輸送層における、樹脂の種類及び粘度平均分子量Ｍｖ、重量平均分子量Ｍｗ、電荷輸送物質の種類（２種併用の場合はその質量比）、電荷輸送物質と樹脂の部数、溶剤の種類とその部数となるように、上記（実施例ＩＩＩ−１）からそれぞれ変更して電子写真感光体を作製した。尚、樹脂Ｅ−１は、構造単位３−１−１のみからなる重合体（Ｍｖ：５５，０００、Ｍｗ：７６，０００）である。また、下引き層ＵＣＬ−２及びＵＣＬ−３の形成方法、電荷発生物質ＣＧＭ−１及びＣＧＭ−２を用いた電荷発生層の形成方法を以下に示す。

（下引き層ＵＣＬ−２）
下記式の電子輸送性化合物１０部、

架橋剤として下記式で示されるブロック化されたイソシアネート化合物（商品名：スミジュール３１７５、固形分：７５質量％、住友バイエルウレタン製）１７部、

ポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業製）２部、添加剤として酪酸亜鉛（ＩＩ）０．２部をテトラヒドロフラン１００部と１−メトキシ−２−プロパノール１００部の混合溶媒に溶解し、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１６０℃で加熱し、乾燥させ、硬化させることによって、膜厚が０．７μｍの下引き層ＵＣＬ−２を形成した。

（下引き層ＵＣＬ−３）
酸化亜鉛粒子（平均一次粒径：５０ｎｍ、比表面積：１９ｍ^２／ｇ、粉体抵抗：４．７×１０^６Ω・ｃｍ、テイカ製）１００部をトルエン５００部に撹拌しながら混合した。これに表面処理剤としてＮ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ６０２、信越化学製）１．２５部を添加し、６時間攪拌しながら混合した。その後、トルエンを減圧留去して、６時間１３０℃で乾燥させることによって、表面処理された酸化亜鉛粒子を得た。表面処理された酸化亜鉛粒子７５部、上記ブロック化されたイソシアネート化合物（商品名：スミジュール３１７５、固形分：７５質量％、住友バイエルウレタン製）１６部、ポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＭ−１、積水化学工業製）９部、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン（東京化成工業製）１部を、メチルエチルケトン６０部とシクロヘキサノン６０部の混合溶剤に加えて分散液を調製した。この分散液に、平均粒径１．０ｍｍのガラスビーズを用いて縦型サンドミルにて２３℃雰囲気下、回転数１，５００ｒｐｍで３時間分散処理した。分散処理後、得られた分散液に架橋ポリメタクリル酸メチル粒子（商品名：ＳＳＸ−１０３、平均粒径：３μｍ、積水化学工業製）５部と、シリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング製）０．０１部を添加して攪拌することで、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を支持体上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を４０分間１６０℃で加熱、重合させることによって、膜厚が３０μｍの下引き層ＵＣＬ−３を形成した。

（電荷発生物質ＣＧＭ−１を用いた電荷発生層）
ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の２７．３°にピークを有するＹ型オキシチタニウムフタロシアニン結晶（電荷発生物質）１２部、ポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業製）１０部と、シクロヘキサノン２５０部を、直径１．０ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、３時間分散処理して分散液を調製した。次に、この分散液に酢酸エチル５００部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を、下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を１０分間温度８０℃で乾燥することによって、膜厚が０．２０μｍの電荷発生層を形成した。

（電荷発生物質ＣＧＭ−２を用いた電荷発生層）
電荷発生物質ＣＧＭ−２として、下記式で表されるビスアゾ顔料２０部、

ポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業製）１０部と、テトラヒドロフラン１５０部を、直径１．０ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、３時間分散処理して電荷発生層用塗布液を調製した。そしてこの塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１１０℃で３０分間乾燥して、膜厚０．３０μｍの電荷発生層を形成した。

（電荷発生物質ＣＧＭ−３を用いた電荷発生層）
電荷発生物質ＣＧＭ−３として、下記式で表されるビスアゾ顔料１０部、

ポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業製）５部と、シクロヘキサノン８５部を、直径１．０ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、１２時間分散処理して分散液を調製した。次に、この分散液にテトラヒドロフラン１５０部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。そしてこの塗布液を下引き層上にスプレー塗布し、得られた塗膜を８０℃で１５分間乾燥して、膜厚０．１５μｍの電荷発生層を形成した。

（電荷発生物質ＣＧＭ−４を用いた電荷発生層）
電荷発生物質ＣＧＭ−４として、下記式で表されるビスアゾ顔料１２部、

ポリビニルベンザール（ベンザール化率８０％、重量平均分子量１１０００）８部と、シクロヘキサノン３２０部を、直径１．０ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、２４時間分散処理して分散液を調製した。次に、この分散液にメチルエチルケトン４６０部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。そしてこの塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１１０℃で３０分間乾燥して、膜厚０．２０μｍの電荷発生層を形成した。

（電荷発生物質ＣＧＭ−２とガリウムフタロシアニン結晶Ｇａ−７を用いた電荷発生層）
電荷発生物質ＣＧＭ−２として、下記式で表されるビスアゾ顔料１部、

シクロヘキサノン６０部を、直径１．０ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、６４時間分散処理した。

次に、この分散液に、ポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業製）を５質量％含むシクロヘキサノン溶液１００部と、ガリウムフタロシアニン結晶Ｇａ−７を９部加え、直径１．０ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、２時間分散処理して分散液を調整した。シクロヘキサノン：酢酸エチル＝１：２の混合液１０００部を加えることによって電荷発生層用塗布液を調製した。そしてこの塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１００℃で１０分間乾燥して、膜厚０．１７μｍの電荷発生層を形成した。

［評価］
上記で作製した電子写真感光体、又は、電荷輸送層用塗布液を用いて、以下の評価を行った。評価結果を表９に示す。

レーザービームプリンターＣＰ−４５２５（ヒューレット・パッカード製）を、電子写真感光体の帯電電位（暗部電位）及び露光光量を調整できるように改造し、評価装置として用いた。

上記で作製した電子写真感光体を評価装置のプロセスカートリッジ（シアン色）に装着し、温度１５℃、相対湿度１０％環境下で、Ａ４サイズの普通紙に対し、印字比率４％のテストチャートによる画像出力を１０，０００枚連続して行った。このとき、帯電条件としては、電子写真感光体の帯電電位（暗部電位）が−６００Ｖになるように、印加バイアスを調整した。露光条件としては、露光光量が０．４μＪ／ｃｍ^２となるように調整した。

上記繰り返し使用前及び繰り返し使用後の、電子写真感光体の明部電位をそれぞれ以下の方法で測定した。電子写真感光体の明部電位は、評価装置のプロセスカートリッジから現像器を取り外し、現像位置に電位測定プローブ（商品名：ｍｏｄｅｌ６０００Ｂ−８、トレック製）を配置し、表面電位計（ｍｏｄｅｌ３４４、トレック製）を使用して測定した。電子写真感光体に対する電位測定プローブの位置は、電子写真感光体の軸方向の中央とし、電子写真感光体の表面と電位測定プローブの測定面との距離は３ｍｍとした。そして、繰り返し使用前後での電子写真感光体の明部電位の変動値（差分）を、電子写真感光体の電位変動抑制効果を評価した。明部電位の変動値が小さい程、電子写真感光体の繰返し使用時の電位変動抑制効果が高い。

＜第４の実施形態に対応する実施例＞
［電子写真感光体の作製］
（実施例ＩＶ−１）
酸化スズで被覆した硫酸バリウム粒子（商品名：パストランＰＣ１、三井金属鉱業製）６０部、酸化チタン粒子（商品名：ＴＩＴＡＮＩＸ ＪＲ、テイカ製）１５部、レゾール型フェノール樹脂（商品名：フェノライト Ｊ−３２５、大日本インキ化学工業製、固形分７０質量％）４３部、シリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング製）０．０１５部、シリコーン樹脂（商品名：トスパール１２０、東芝シリコーン製）３．６部、１−メトキシ−２−プロパノール５０部、及び、メタノール５０部からなる溶液を、ボールミルで２０時間分散処理することによって、導電層用塗布液を調製した。

この導電層用塗布液を、支持体として長さ２６１．５ｍｍ、直径２４ｍｍのアルミニウムシリンダー（ＪＩＳ−Ａ３００３、アルミニウム合金）上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１４０℃で乾燥させることによって、膜厚が３０μｍの導電層を形成した。

次に、共重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ製）１０部及びメトキシメチル化６ナイロン樹脂（商品名：トレジンＥＦ−３０Ｔ、帝国化学製）３０部を、メタノール４００部／ｎ−ブタノール２００部の混合溶剤に溶解させることによって、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を乾燥させることによって、膜厚が０．８μｍの下引き層（ＵＣＬ−１）を形成した。

次に、ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θにおいて２７．２°にピークを有するオキシチタニウムフタロシアニン結晶１０部、ポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業製）５部、及び、シクロヘキサノン２５０部を、直径１．０ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルで６時間分散処理した。この分散液に酢酸エチル２５０部を加えて希釈することによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１０分間１００℃で乾燥させることによって、膜厚が０．２０μｍの電荷発生層を形成した。

次に、ポリカーボネート樹脂として樹脂ＩＶ−１を１０部、電荷輸送物質として式（６０２）の化合物を５部、テトラヒドロフラン３５部とトルエン３５部に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。この電荷輸送層用塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分１２０℃で乾燥させることによって、膜厚が２０μｍの電荷輸送層を形成した。以上のようにして、実施例ＩＶ−１の電子写真感光体を作製した。

（その他の実施例及び比較例）
表１１に記載の、ポリカーボネート樹脂、電荷輸送物質、電荷輸送層中のポリカーボネート樹脂の含有量に対する電荷輸送物質の含有量となるように、上記（実施例ＩＶ−１）からそれぞれ変更して電子写真感光体を作製した。尚、比較例に用いたポリカーボネート樹脂の構造を表１０に示す。

比較例に使用したポリカーボネート樹脂の構造単位を以下に示す。

［評価］
上記で作製した電子写真感光体を用いて、以下の評価を行った。評価結果を表１１に示す。

（フォトメモリー抑制効果）
レーザービームプリンターＣＰ−４５２５（ヒューレット・パッカード製）を、電子写真感光体の帯電電位（暗部電位）を調整できるように改造し、帯電電位（暗部電位）を−６００Ｖに設定して評価装置として用いた。

電子写真感光体の表面において、周方向の一部を遮光し、白色蛍光灯を用いて非遮光部分に２，０００ｌｕｘの光を１０分間照射した。この電子写真感光体を、評価装置のプロセスカートリッジ（シアン色）に装着し、蛍光灯の光照射完了から３０分経過後に、温度２３℃、相対湿度５０％環境下で、Ａ４サイズの普通紙に対し、図２に示す「１ドット桂馬パターンのハーフトーン画像」の出力を行った。ハーフトーン画像における、遮光部分（非照射部分）と非遮光部分（照射部分）に対応する領域を目視で観察し、その濃度差からフォトメモリー抑制効果を評価した。評価基準は以下の通りである。以下の基準においては、Ａ〜Ｃを好ましいレベルとし、Ｄ及びＥを許容できないレベルとした。
Ａ：濃度差が確認できなかった
Ｂ：僅かに濃度差があった
Ｃ：濃度差があるが、実使用上問題とならないレベルであった
Ｄ：濃度差があるが、領域間の境界が鮮明ではなかった
Ｅ：明確な濃度差があり、領域間の境界が鮮明になっている部分があった。

（耐摩耗性）
評価装置としては、キヤノン製レーザービームプリンターＬＢＰ−５０５０を用いた。評価は、温度２３℃、相対湿度５０％環境下で行った。評価装置の７８０ｎｍのレーザー光源の露光量（画像露光量）については、電子写真感光体の表面での光量が０．３μＪ／ｃｍ^２となるように設定した。電子写真感光体の表面電位（暗部電位及び明部電位）の測定は、電子写真感光体の端部から１３０ｍｍの位置に電位測定用プローブが位置するように固定された冶具と現像器とを交換して、現像器位置で行った。電子写真感光体の非露光部の暗部電位は−４５０Ｖとなるように設定した。

Ａ４サイズの普通紙を用い、連続して画像出力を１０，０００枚行い、繰り返し画像出力の前後の感光体の膜厚差から、「摩耗量」を求めた。膜厚の測定は、膜厚測定機（フィッシャー製、フィッシャーＭＭＳ渦電流法プローブＥＡＷ３．３）で行った。

１ 電子写真感光体
２ 軸
３ 帯電手段
４ 露光光
５ 現像手段
６ 転写手段
７ 転写材
８ 定着手段
９ クリーニング手段
１０ 前露光光
１１ プロセスカートリッジ
１２ 案内手段

Claims (15)

1. 支持体と、電荷発生物質を含有する電荷発生層と、電荷輸送物質を含有する電荷輸送層とをこの順に有し、該電荷輸送層が表面層である電子写真感光体であって、
   該電荷輸送層が、式（１−１）で示される構造単位、式（１−２）で示される構造単位、及び式（１−３）で示される構造単位を有するポリカーボネート樹脂を含有し、
   該電荷輸送物質が、式（２０９）、（３０２）、（６０２）又は（６０３）で示される電荷輸送物質である
   ことを特徴とする電子写真感光体。
   

   

   
   （式（１−１）において、Ｒ^１１〜Ｒ^１４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基を示す。）
   

   

   
   （式（１−２）において、Ｒ^１５〜Ｒ^１８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基を示す。Ｘは酸素原子を示す。）
   

   

   
   （式（１−３）において、Ｒ^２１１〜Ｒ^２１４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基を示す。Ｒ^２１５は、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基を示す。Ｒ^２１６とＲ^２１７は、それぞれ独立に、炭素数１〜９のアルキル基を示す。ｉ^２１１は０〜３の整数を示す。）
   

   

   
   

   

   
   

   

   
   

   
2. 前記ポリカーボネート樹脂に占める、前記式（１−１）で示される構造単位、前記式（１−２）で示される構造単位、及び前記式（１−３）で示される構造単位の繰り返し数をそれぞれａ、ｂ、及びｃとしたときに、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が、０．４０〜０．８０である請求項１に記載の電子写真感光体。
3. 前記ポリカーボネート樹脂に占める、前記式（１−１）で示される構造単位、及び前記式（１−２）で示される構造単位の繰り返し数をそれぞれａ及びｂとしたときに、ａ／ｂが０．２５〜４．００である請求項１又は２に記載の電子写真感光体。
4. 前記電荷輸送層中における、前記電荷輸送物質の含有量が、前記ポリカーボネート樹脂の含有量に対して、０．５倍以上０．９倍以下である請求項１〜３の何れか１項に記載の電子写真感光体。
5. 支持体と、電荷発生物質を含有する電荷発生層と、電荷輸送物質を含有する電荷輸送層とをこの順に有し、該電荷輸送層が表面層である電子写真感光体であって、
   該電荷輸送層が、式（２−１）で示される構造単位、式（２−２−１）、（２−２−２）又は（２−２−５）で示される構造単位、及び式（２−３）で示される構造単位を有するポリカーボネート樹脂を含有することを特徴とする電子写真感光体。
   

   

   
   （式（２−１）において、Ｒは、水素原子、メチル基、又はフェニル基を示す。）
   

   

   
   

   

   
   （式（２−３）において、Ｒ^２１１〜Ｒ^２１４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基を示す。Ｒ^２１５は、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基を示す。Ｒ^２１６とＲ^２１７は、それぞれ独立に、炭素数１〜５のアルキル基を示す。ｉ^２１１は０〜２の整数を示す。）
6. 前記ポリカーボネート樹脂に占める、前記式（２−１）で示される構造単位、前記式（２−２−１）、（２−２−２）又は（２−２−５）で示される構造単位、及び前記式（２−３）で示される構造単位の繰り返し数をそれぞれａ、ｂ、及びｃとしたときに、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が、０．１０〜０．４０である請求項５に記載の電子写真感光体。
7. 前記ポリカーボネート樹脂に占める、前記式（２−１）で示される構造単位、前記式（２−２−１）、（２−２−２）又は（２−２−５）で示される構造単位、及び前記式（２−３）で示される構造単位の繰り返し数をそれぞれａ、ｂ、及びｃとしたときに、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が、０．３０〜０．６０である請求項５又は６に記載の電子写真感光体。
8. 前記ポリカーボネート樹脂に占める、前記式（２−１）で示される構造単位、及び前記式（２−２−１）、（２−２−２）又は（２−２−５）で示される構造単位の繰り返し数をそれぞれａ及びｂとしたときに、ａ／ｂが、０．２０〜１．２０である請求項５〜７の何れか１項に記載の電子写真感光体。
9. 支持体と、電荷発生物質を含有する電荷発生層と、電荷輸送物質を含有する電荷輸送層とをこの順に有し、該電荷輸送層が表面層である電子写真感光体であって、
   該電荷輸送層が、式（３−１）で示される構造単位、及び式（３−２）で示される構造単位を有するポリカーボネート樹脂を含有し、
   該電荷輸送物質が、式（１０２）、（２１２）、（３０５）又は（５０３）で示される電荷輸送物質である
   ことを特徴とする電子写真感光体。
   

   

   
   （式（３−１）において、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、又は、アルコキシ基を示す。Ｒ^５は、置換若しくは無置換の炭素数１〜９のアルキル基を示す。ｉは０〜３の整数を示す。）
   

   

   
   （式（３−２）において、Ｒ^６〜Ｒ^９は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基を示す。Ｘは酸素原子、硫黄原子を示す。）
   

   

   
   

   

   
   

   

   
   

   
10. 前記電荷発生物質が、フタロシアニン結晶である請求項９に記載の電子写真感光体。
11. 前記ポリカーボネート樹脂に占める、前記式（３−１）で示される構造単位の含有比率が、２５ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％以下である請求項９又は１０に記載の電子写真感光体。
12. 前記電荷輸送物質が、トリアリールアミン化合物である請求項５〜８の何れか１項に記載の電子写真感光体。
13. 前記電荷輸送層中に、シロキサン構造を有する樹脂を含有する請求項１〜１２の何れか１項に記載の電子写真感光体。
14. 請求項１〜１３の何れか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であるプロセスカートリッジ。
15. 請求項１〜１３の何れか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有する電子写真装置。

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