JP6885391B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
1.第1の実施の形態(電源線を斜め方向に配線した例)
2.第1の変形例(電源線の一部を斜め方向に配線した例)
3.第2の変形例(3点で屈曲させた経路に沿って電源線を配線した例)
4.第3の変形例(階段状の経路に沿って電源線を配線した例)
5.第4の変形例(複数の斜め方向に沿って電源線を配線した例)
6.第5の変形例(電源線の一部を複数の斜め方向に沿って配線した例)
7.第6の変形例(電源線をMの字に配線した例)
8.第7の変形例(3点で屈曲させた経路に沿って電源線を配線した例)
9.第8の変形例(表面を上方に向け、裏面において斜め方向に電源線を配線した例)
[撮像素子の構成例]
図1は、第1の実施の形態における撮像素子100の一構成例を示すブロック図である。この撮像素子100は、画像データを撮像するものであり、画素チップ110、メモリチップ150およびロジックチップ160の3つの半導体チップを備える。
電源回路→走査回路120→画素回路131→ロジックチップ160→電源回路
上述の第1の実施の形態では、電源線159やグランド線158の両端の一方から他方までの全体を斜め方向に電源線159等を配線していたが、隣接する垂直信号線の間の領域内に+Zおよび−Z方向の磁界が生じるのであれば、この構成に限定されない。例えば、電源線159等の一部をX方向またはY方向に沿って配線し、残りを斜め方向に配線してもよい。この第1の実施の形態の撮像素子100は、電源線159等の一部を斜め方向に配線した点において第1の実施の形態と異なる。
上述の第1の実施の形態では、電源線159やグランド線158を斜め方向に配線していたが、隣接する垂直信号線の間の領域内に+Zおよび−Z方向の磁界が生じるのであれば、この構成に限定されない。このような磁界を生じさせるには、斜め方向に平行な線分の両端と、その両端の間の中間点との全てを通る経路に沿って電源線159等を配線すればよい。このような配線の方式としては、第1の実施の形態のように斜め方向に沿って電源線159等を配線する方式のほか、3点で屈曲する経路に沿って配線する方式が考えられる。このうち、斜め方向への配線は、半導体プロセスのデザインルールにおいて禁止されていることがある。この場合には3点で屈曲する経路に沿って配線すればよい。この第1の実施の形態の第2の変形例の撮像素子100は、3点で屈曲する経路に沿って電源線159等を配線した点において第1の実施の形態と異なる。
上述の第1の実施の形態では、電源線159やグランド線158を斜め方向に配線していたが、隣接する垂直信号線の間の領域内に+Zおよび−Z方向の磁界が生じるのであれば、この構成に限定されない。例えば、4個以上の屈曲点で屈曲する階段状の経路に沿って配線する方式が考えられる。この第1の実施の形態の第3の変形例の撮像素子100は、階段状の経路に沿って電源線159等を配線した点において第1の実施の形態と異なる。
上述の第1の実施の形態では、電源線159やグランド線158の両端の一方から他方までの全体を同一角度で斜め方向に電源線159等を配線していたが、隣接する垂直信号線の間の領域内に+Zおよび−Z方向の磁界が生じるのであれば、この構成に限定されない。例えば、電源線159等の一部を角度R1(R1は実数)で斜め方向に配線し、残りを、その角度R1と異なる角度R2(R2は実数)で斜め方向に配線してもよい。この第1の実施の形態の第4の変形例の撮像素子100は、電源線159等の一部と残りとのそれぞれを、互いに角度の異なる複数の斜め方向に沿って配線した点において第1の実施の形態と異なる。
上述の第1の実施の形態では、電源線159やグランド線158の両端の一方から他方までの全体を斜め方向に電源線159等を配線していたが、隣接する垂直信号線の間の領域内に+Zおよび−Z方向の磁界が生じるのであれば、この構成に限定されない。例えば、電源線159等の一部をY方向に沿って配線し、別の一部を角度R1の斜め方向に配線し、残りを角度R2の斜め方向に沿って配線してもよい。この第1の実施の形態の第5の変形例の撮像素子100は、電源線159等の一部をY方向に沿って配線し、残りを互いに角度の異なる複数の斜め方向に沿って配線した点において第1の実施の形態と異なる。
上述の第1の実施の形態では、電源線159やグランド線158の両端の一方から他方までの全体を斜め方向に電源線159等を配線していたが、隣接する垂直信号線の間の領域内に+Zおよび−Z方向の磁界が生じるのであれば、この構成に限定されない。例えば、電源線159等をMの字型に配線することもできる。この第1の実施の形態の第6の変形例の撮像素子100は、電源線159等をMの字型に配線した点において第1の実施の形態と異なる。
上述の第1の実施の形態では、電源線159やグランド線158を斜め方向に配線していたが、隣接する垂直信号線の間の領域内に+Zおよび−Z方向の磁界が生じるのであれば、この構成に限定されない。このような磁界を生じさせるには、斜め方向に平行な線分の両端と、その両端の間の中間点との全てを通る経路に沿って電源線159等を配線すればよい。このような配線の方式としては、第1の実施の形態のように斜め方向に沿って電源線159等を配線する方式のほか、3点で屈曲する経路に沿って配線する方式が考えられる。この第1の実施の形態の第7の変形例の撮像素子100は、3点で屈曲する経路に沿って電源線159等を配線した点において第1の実施の形態と異なる。
上述の第1の実施の形態では、シリコンウェハー151を、その表面が下方に向くように配置していたが、表面が上方を向くように配置してもよい。この第1の実施の形態の第8の変形例の撮像素子100は、シリコンウェハー151を、その表面が上方に向くように配置した点において第1の実施の形態と異なる。
(1)所定の方向に複数の第1信号線が配線された第1の基板と、
前記複数の第1信号線のうち隣接する2つの信号線の間の領域内に方向が互いに異なる複数の磁界を生じさせる第2信号線が配線された第2の基板と
を具備する半導体装置。
(2)前記複数の第1信号線は、互いに直交する2つの方向のそれぞれに平行に配線される
前記(1)記載の半導体装置。
(3)前記第2信号線は、前記2つの方向のいずれとも異なる特定の方向に沿って配線される
前記(2)記載の半導体装置。
(4)前記第2信号線の一部は前記特定の方向に沿って配線され、前記第2信号線の残りは前記2つの方向の少なくとも一方に沿って配線される
前記(3)記載の半導体装置。
(5)前記第2信号線は、前記2つの方向のいずれとも異なる複数の方向のそれぞれに沿って配線される
前記(2)記載の半導体装置。
(6)前記第2信号線は、複数の屈曲点で屈曲する経路に沿って配線される
前記(1)記載の半導体装置。
(7)前記第2の基板には所定数の前記第2信号線が配線され、
隣接する2つの前記第2信号線には、互いに異なる方向に電流が流れる
前記(1)から(6)のいずれかに記載の半導体装置。
(8)前記第2の基板の両面の一方に前記第2信号線とともに回路が配置される
前記(1)から(7)のいずれかに記載の半導体装置。
(9)前記第2の基板の両面の一方に回路が配置され、他方に前記第2信号線が配線される
前記(1)から(7)のいずれかに記載の半導体装置。
(10)前記第2信号線は、電源線である
前記(1)から(9)のいずれかに記載の半導体装置。
(11)前記第2の基板には、DRAM(Dynamic Random Access Memory)がさらに設けられる
前記(1)から(10)のいずれかに記載の半導体装置。
(12)前記第1の基板には、光を光電変換して画素信号を生成する画素回路がさらに設けられる
前記(1)から(11)のいずれかに記載の半導体装置。
(13)前記画素信号に対して所定の信号処理を行う信号処理回路が設けられた第3の基板をさらに具備する
前記(12)記載の半導体装置。
(14)所定の方向に複数の第1信号線が配線された第1の基板と、
前記所定の方向と異なる方向に平行な所定の線分の両端と前記所定の線分上の前記両端のいずれとも異なる中間点とを通過する経路に沿って第2信号線が配線された第2の基板と
を具備する半導体装置。
110 画素チップ
111、151、161 シリコンウェハー
120 走査回路
130 画素アレイ部
131 画素回路
150 メモリチップ
152 メモリ
160 ロジックチップ
162 前処理部
163 後処理部
164 インターフェース
Claims (8)
- 所定の方向に複数の第1信号線が配線された第1の基板と、
前記複数の第1信号線のうち隣接する2つの信号線の間の領域内に方向が互いに異なる複数の磁界を生じさせる第2信号線が配線された第2の基板と
を具備し、
前記複数の第1信号線は、互いに直交する2つの方向のそれぞれに平行に配線され、
前記第2信号線は、複数の屈曲点で屈曲する経路に沿って配線され、
前記第2信号線は、前記複数の屈曲点により複数の部分に分割され、
前記第2信号線の両端を結ぶ線分と前記2つの方向のいずれかとのなす角度が0度より大きく、90度に満たない値であり、
前記複数の屈曲点の少なくとも1つが前記線分上の点であり、
前記複数の部分のそれぞれの方向と前記2つの方向のいずれかとのなす角度は、0度または90度である
半導体装置。 - 前記第2の基板には所定数の前記第2信号線が配線され、
隣接する2つの前記第2信号線には、互いに異なる方向に電流が流れる
請求項1記載の半導体装置。 - 前記第2の基板の両面の一方に前記第2信号線とともに回路が配置される
請求項1記載の半導体装置。 - 前記第2の基板の両面の一方に回路が配置され、他方に前記第2信号線が配線される
請求項1記載の半導体装置。 - 前記第2信号線は、電源線である
請求項1記載の半導体装置。 - 前記第2の基板には、DRAM(Dynamic Random Access Memory)がさらに設けられる
請求項1記載の半導体装置。 - 前記第1の基板には、光を光電変換して画素信号を生成する画素回路がさらに設けられる
請求項1記載の半導体装置。 - 前記画素信号に対して所定の信号処理を行う信号処理回路が設けられた第3の基板をさらに具備する
請求項7記載の半導体装置。
Applications Claiming Priority (3)
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