JP2009302425A - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009302425A JP2009302425A JP2008157493A JP2008157493A JP2009302425A JP 2009302425 A JP2009302425 A JP 2009302425A JP 2008157493 A JP2008157493 A JP 2008157493A JP 2008157493 A JP2008157493 A JP 2008157493A JP 2009302425 A JP2009302425 A JP 2009302425A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line
- memory array
- lines
- array region
- power supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
【解決手段】メモリアレイ領域11において、ビット線BL0〜BL5はY方向に延びており、ワード線WL0〜WL2、ソース線SL1〜SL3はY方向と直交するX方向に延びている。ビット線BL0〜BL5とワード線WL0〜WL2の各交差点に対応して、メモリセルMCが配置されている。電源線18Aは、メモリアレイ領域11上に形成され、ビット線BL0〜BL5、ワード線WL0〜WL2及びソース線SL1〜SL3に対して斜めに交差している。ここで、3層メタル構造が採用され、ビット線BL0〜BL5は第1メタル層で、ワード線WL0〜WL2及びソース線SL1〜SL3は、その上層の第2メタル層で、電源線18Aはその上層の第3メタル層で形成されている。
【選択図】図2
Description
延びており、ワード線WL0〜WL2、ソース線SL1〜SL3はY方向と直交するX方向に延びている。ビット線BL0〜BL5とワード線WL0〜WL2の各交差点に対応して、メモリセルMCが配置されている。電源線18Aは、メモリアレイ領域11上に形成され、ビット線BL0〜BL5、ワード線WL0〜WL2及びソース線SL1〜SL3に対して斜めに交差している。ここで、3層メタル構造が採用され、ビット線BL0〜BL5は第1メタル層で、ワード線WL0〜WL2及びソース線SL1〜SL3は、その上層の第2メタル層で、電源線18Aはその上層の第3メタル層で形成されている。尚、図2ではメモリアレイ領域11の一部を示しているが、メモリアレイ領域11の全体が同様に構成されている。
13 カラムデコーダ 14 第1アナログ回路 15 第2アナログ回路
16 デジタル回路 17 接地パッド 18A,18B 電源線
19 接地パッド 20A,20B 接地線 21A,21B 信号線
BL0〜BL5 ビット線 WL0〜WL3 ワード線
SL0〜SL3 ソース線
31 第1層間絶縁膜 32 第2層間絶縁膜 33 第3層間絶縁膜
101 半導体基板 105 ゲート絶縁膜
109 フローティングゲート 109a 突起部 110 トンネル絶縁膜
112 コントロールゲート 113 ドレイン領域
114 ソース領域 115 チャネル領域
Claims (6)
- 半導体チップ上に配置され、複数のビット線と、前記複数のビット線と交差した複数のワード線と、各ビット線と各ワード線の交差点に対応して配置された複数のメモリセルとを備えたメモリアレイ領域と、
前記半導体チップ上に前記メモリアレイ領域に隣接して配置され、前記メモリセルの動作を制御する複数の制御回路と、
前記制御回路において利用される信号線と、を備え、
前記信号線は、前記メモリアレイ領域内で、前記ビット線及び前記ワード線に対して斜めに交差するように延びていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記信号線は、前記制御回路に電源電位を供給するための電源線であることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記信号線は、前記制御回路に接地電位を供給するための接地線であることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 半導体チップ上に配置され、複数のビット線と、前記複数のビット線と交差した複数のワード線と、各ビット線と各ワード線の交差点に対応して配置された複数のメモリセルとを備えたメモリアレイ領域と、
前記半導体チップ上に前記メモリアレイ領域に隣接して配置され、前記メモリセルの動作を制御する複数の制御回路と、
前記制御回路に電源電位を供給する電源線と、
前記制御回路に接地電位を供給する接地線と、を備え、
前記電源線及び前記接地線は、前記メモリアレイ領域内で、前記ビット線及び前記ワード線に対して斜めに交差するように延びていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記電源線及び前記接地線は、互いに交差しないように、前記メモリアレイ領域内で折り返されていること特徴とする請求項4に記載の半導体記憶装置。
- 前記接地線は、互いに交差しないように、前記メモリアレイ領域内で互いに平行に延びていること特徴とする請求項4に記載の半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008157493A JP2009302425A (ja) | 2008-06-17 | 2008-06-17 | 半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008157493A JP2009302425A (ja) | 2008-06-17 | 2008-06-17 | 半導体記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009302425A true JP2009302425A (ja) | 2009-12-24 |
Family
ID=41548994
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008157493A Pending JP2009302425A (ja) | 2008-06-17 | 2008-06-17 | 半導体記憶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009302425A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105633088A (zh) * | 2014-11-20 | 2016-06-01 | 上海华虹集成电路有限责任公司 | 防止eeprom被紫外线擦写的版图实现方法及版图结构 |
WO2017149845A1 (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-08 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59231852A (ja) * | 1983-06-15 | 1984-12-26 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH07335769A (ja) * | 1994-06-10 | 1995-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路 |
JP2000133777A (ja) * | 1998-10-26 | 2000-05-12 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
JP2008004889A (ja) * | 2006-06-26 | 2008-01-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2008227171A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ |
-
2008
- 2008-06-17 JP JP2008157493A patent/JP2009302425A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59231852A (ja) * | 1983-06-15 | 1984-12-26 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH07335769A (ja) * | 1994-06-10 | 1995-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路 |
JP2000133777A (ja) * | 1998-10-26 | 2000-05-12 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
JP2008004889A (ja) * | 2006-06-26 | 2008-01-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2008227171A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105633088A (zh) * | 2014-11-20 | 2016-06-01 | 上海华虹集成电路有限责任公司 | 防止eeprom被紫外线擦写的版图实现方法及版图结构 |
WO2017149845A1 (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-08 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
JPWO2017149845A1 (ja) * | 2016-02-29 | 2018-12-20 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100749673B1 (ko) | 불휘발성 반도체 기억 장치 | |
TWI490881B (zh) | 使用虛擬記憶胞以增加電荷陷入記憶體陣列之資料可靠度的非揮發性記憶體元件 | |
US7804716B2 (en) | Flash memory device having improved bit-line layout and layout method for the flash memory device | |
KR101409776B1 (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
KR101772572B1 (ko) | 불휘발성 메모리 장치 | |
JP5231972B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
CN108630254B (zh) | 提供降低的数据线负载的非易失性存储设备 | |
JP4004809B2 (ja) | 半導体装置及びその動作方法 | |
US20150179270A1 (en) | Method and System for Reducing the Size of Nonvolatile Memories | |
KR20140071792A (ko) | 3차원 구조의 메모리 셀 어레이를 포함하는 불휘발성 메모리 | |
US10546875B2 (en) | Semiconductor memory device including a capacitor | |
KR100851546B1 (ko) | 비휘발성 기억 장치 및 그 동작 방법 | |
US11139021B2 (en) | Page buffer and memory device including the same | |
TW201503140A (zh) | 用於反及閘快閃記憶體裝置之友善光刻局部讀取電路及其製造方法 | |
JP2007096301A (ja) | 不揮発性半導体メモリ装置 | |
CN107658307B (zh) | 3d存储器 | |
US10861865B2 (en) | Semiconductor storage device | |
JP2009140558A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2009302425A (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR101936911B1 (ko) | 비휘발성 메모리 장치 및 이를 포함하는 반도체 집적 회로 장치 | |
US11152037B2 (en) | Semiconductor memory device | |
US9123396B2 (en) | Semiconductor apparatus | |
JP2011192346A (ja) | 半導体メモリ | |
JP2010165785A (ja) | 半導体記憶装置およびその製造方法 | |
JP2004253702A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20110531 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110602 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110613 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20130207 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130215 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20130301 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130510 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130520 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130805 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140120 |