CN105633088A - 防止eeprom被紫外线擦写的版图实现方法及版图结构 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种防止EEPROM被紫外线擦写的版图实现方法，采用一个EEPROM存储器，可以正常进行EEPROM读写操作，采用一个Mn金属屏蔽层，将EEPROM存储器阵列区域覆盖，采用多个第一接地连接孔将Mn金属屏蔽层连接到EEPROM存储器芯片中的地信号上，采用一个Mk金属屏蔽层，将EEPROM存储器阵列区域覆盖，采用多个第二接地连接孔将Mk金属屏蔽层连接到EEPROM存储器芯片中的地信号上；其中，Mn为EEPROM存储器芯片中第n层金属，Mk为EEPROM存储器芯片中第k层金属，且k≠n。本发明还公开了一种防止EEPROM被紫外线擦写的版图结构。本发明可以防止通过紫外线照射方法擦除EEPROM数据。

Description

防止EEPROM被紫外线擦写的版图实现方法及版图结构
技术领域
本发明涉及存储器擦写及工艺版图设计领域，特别是涉及一种防止EEPROM(带电可擦可编程只读存储器)被紫外线擦写的版图实现方法。本发明还涉及一种防止EEPROM被紫外线擦写的版图结构。
背景技术
EEPROM作为一种掉电后数据不丢失的存储芯片，可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。EEPROM是器件中存在浮栅结构，EEPROM的写入就是通过某种效应让电子聚集在浮栅上，EEPROM擦除(非电擦除)是指在需要消去电子时,可以利用紫外线进行照射,给电子足够的能量,逃逸出浮栅。通常嵌入式芯片中EEPROM从测试模式进入到应用模式后，EEPROM就不可以再被擦除。但可以采用上面的紫外线照射方法从物理层面将数据擦除。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种防止EEPROM被紫外线擦写的版图实现方法，可以防止通过紫外线照射方法擦除EEPROM数据；为此，本发明还要提供一种防止EEPROM被紫外线擦写的版图结构。
为解决上述技术问题，本发明的防止EEPROM被紫外线擦写的版图实现方法是采用如下技术方案实现的：
采用一个EEPROM存储器，可以正常进行EEPROM读写操作；
采用一个Mn金属屏蔽层，将EEPROM存储器阵列区域覆盖；
采用多个第一接地连接孔将Mn金属屏蔽层连接到EEPROM存储器芯片中的地信号上；
采用一个Mk金属屏蔽层，将EEPROM存储器阵列区域覆盖；
采用多个第二接地连接孔将Mk金属屏蔽层连接到EEPROM存储器芯片中的地信号上；
其中，Mn为EEPROM存储器芯片中第n层金属，Mk为EEPROM存储器芯片中第k层金属，n和k均为正整数，且k≠n。
所述防止EEPROM被紫外线擦写的版图结构，包括：
一能够正常进行读写操作的EEPROM存储器；
一位于EEPROM存储器芯片中的Mn金属屏蔽层；
一位于EEPROM存储器芯片中的Mk金属屏蔽层；
多个第一接地连接孔；
多个第二接地连接孔；
所述Mn金属屏蔽层，覆盖在EEPROM存储器阵列区域的上方，且通过第一接地连接孔将Mn金属屏蔽层接地；所述Mk金属屏蔽层，覆盖在EEPROM存储器阵列区域的上方，且通过第二接地连接孔将Mk金属屏蔽层接地；其中，Mn为EEPROM存储器芯片中第n层金属，Mk为EEPROM存储器芯片中第k层金属，n和k均为正整数，且k≠n。
随着芯片设计技术的发展，产品在实现更多功能的同时，芯片的安全变的越来越重要。本发明以较简单物理实现的方法，实现了在非授权情况下保护EEPROM数据被擦写的功能，从而提高了产品的安全和市场竞争力。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
附图是防止EEPROM被紫外线擦写的版图结构示意图。
具体实施方式
从背景技术部分的分析可以知道，当紫外线照射EEPROM芯片时，可以进行数据擦除；而通过版图设计方法能够禁止这种通过紫外线擦除EEPROM的方式。结合附图所示，所述防止EEPROM被紫外线擦写的版图结构，具体实现方式是：
采用一个容量为P能够正常进行读写操作的EEPROM存储器，例如10K，40K…等的EEPROM。
在EEPROM存储器阵列区域上方，布一层Mn金属屏蔽层同时通过Mn接地连接孔(第一接地连接孔)将屏蔽层接地。Mn指EEPROM存储器芯片中第n层金属。
在EEPROM存储器阵列区域上方，布一层Mk金属屏蔽层同时通过Mk接地连接孔(第二接地连接孔)将屏蔽层接地。Mk指EEPROM存储器芯片中第k层金属，且k≠n。n和k均为正整数。
EEPROM存储器中储存的数据经过以上两层金属屏蔽层的保护，在专用紫外线擦写器的照射下数据不能被擦写改变。
以上通过具体实施方式和实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。

Claims (2)

1.一种防止EEPROM被紫外线擦写的版图实现方法，其特征在于：
采用一个EEPROM存储器，该EEPROM存储器能够正常进行读写操作；
采用一个Mn金属屏蔽层，将EEPROM存储器阵列区域覆盖；
采用多个第一接地连接孔将Mn金属屏蔽层连接到EEPROM存储器芯片中的地信号上；
采用一个Mk金属屏蔽层，将EEPROM存储器阵列区域覆盖；
采用多个第二接地连接孔将Mk金属屏蔽层连接到EEPROM存储器芯片中的地信号上；
其中，Mn为EEPROM存储器芯片中第n层金属，Mk为EEPROM存储器芯片中第k层金属；n和k均为正整数，且k≠n。
2.一种防止EEPROM被紫外线擦写的版图结构，其特征在于，包括：
一能够正常进行读写操作的EEPROM存储器；
一位于EEPROM存储器芯片中的Mn金属屏蔽层；
一位于EEPROM存储器芯片中的Mk金属屏蔽层；
多个第一接地连接孔；
多个第二接地连接孔；
所述Mn金属屏蔽层，覆盖在EEPROM存储器阵列区域的上方，且通过第一接地连接孔将Mn金属屏蔽层接地；所述Mk金属屏蔽层，覆盖在EEPROM存储器阵列区域的上方，且通过第二接地连接孔将Mk金属屏蔽层接地；
其中，Mn为EEPROM存储器芯片中第n层金属，Mk为EEPROM存储器芯片中第k层金属，n和k均为正整数，且k≠n。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1304175A (zh) * 2000-01-13 2001-07-18 三菱电机株式会社 半导体器件
US20050199913A1 (en) * 2002-09-05 2005-09-15 Franz Hofmann Word and bit line arrangement for a FinFET semiconductor memory
US20060250848A1 (en) * 2005-04-15 2006-11-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor memory device
JP2009302425A (ja) * 2008-06-17 2009-12-24 Sanyo Electric Co Ltd 半導体記憶装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1304175A (zh) * 2000-01-13 2001-07-18 三菱电机株式会社 半导体器件
US20050199913A1 (en) * 2002-09-05 2005-09-15 Franz Hofmann Word and bit line arrangement for a FinFET semiconductor memory
US20060250848A1 (en) * 2005-04-15 2006-11-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor memory device
JP2009302425A (ja) * 2008-06-17 2009-12-24 Sanyo Electric Co Ltd 半導体記憶装置

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